KR100968396B1 - 고순도 하프늄, 고순도 하프늄으로 이루어지는 타겟 및박막 그리고 고순도 하프늄의 제조 방법 - Google Patents

고순도 하프늄, 고순도 하프늄으로 이루어지는 타겟 및박막 그리고 고순도 하프늄의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

지르코늄을 저감시킨 하프늄 스펀지를 원료로서 사용하고, 또한 하프늄 중에 함유되는 Fe, Cr, Ni 의 불순물, Ca, Na, K 의 불순물, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 의 불순물, 또한 α 선의 카운트수, U, Th 의 불순물, Pb, Bi 의 불순물, 또 가스 성분인 C 량을, 각각 저감시킨 고순도 하프늄의 제조 방법에 관하여, 효율적이며 또한 안정적인 제조 기술 및 그것에 의해 얻어지는 고순도 하프늄 재료, 상기 재료로 이루어지는 스퍼터링용 타겟 및 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막을 제공한다.
Zr 과 가스 성분을 제외하고 순도 6N 이상으로서, Fe, Cr, Ni 가 각각 0.2ppm 이하, Ca, Na, K 가 각각 0.1ppm 이하, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 이 각각 0.1ppm 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 하프늄.
하프늄

Description

고순도 하프늄, 고순도 하프늄으로 이루어지는 타겟 및 박막 그리고 고순도 하프늄의 제조 방법 {HIGH-PURITY HAFNIUM, TARGET AND THIN FILM COMPRISING HIGH-PURITY HAFNIUM, AND PROCESS FOR PRODUCING HIGH-PURITY HAFNIUM}
본 발명은 하프늄 중에 함유되는, Fe, Cr, Ni 의 불순물 함유량, Ca, Na, K의 불순물 함유량, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 의 불순물 함유량, 또한 α 선의 카운트수, U, Th 의 불순물 함유량, Pb, Bi 의 불순물 함유량, 나아가서는 가스 성분인 C량을 각각 저감시킨 고순도 하프늄 재료, 상기 재료로 이루어지는 스퍼터링용 타겟 및 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막 그리고 고순도 하프늄의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 하프늄의 제조에 관한 다수의 문헌이 있다. 하프늄은 내열성, 내식성이 우수하고, 산소나 질소 등과의 친화력이 크다는 특성을 가지고 있다. 그리고, 이들 산화물 또는 질화물은 또한 고온에서의 안정성이 우수하기 때문에, 원자력용 세라믹스 또는 철강이나 주물의 제조 분야에서의 내화재로서 이용되고 있다. 또한 최근에는 전자 재료 또는 광재료로서 이용되게 되었다.
금속 하프늄의 제조법은 금속 지르코늄의 제조 방법과 동일한 제조 방법으로서 제안되어 있다. 그 예를 들면, 불소 함유 지르코늄 또는 하프늄 화합물을 불활성 가스, 환원 가스 또는 진공 중 400℃ 이상의 온도에서 금속 알루미늄 또는 마그네슘과 반응시키는 방법 (예를 들어, 특허 문헌 1 참조), 염화지르코늄, 염화하프늄 또는 염화티탄을 환원하여 각각의 금속을 제조하는 시일 금속에 특징이 있는 제조 방법 (예를 들어, 특허 문헌 2 참조), 마그네슘으로 4염화지르코늄 또는 4염화하프늄을 마그네슘 환원시의 반응 용기의 구조와 그 제조 수법에 특징이 있는 하프늄 또는 지르코늄의 제조법 (예를 들어, 특허 문헌 3 참조), 클로로, 브로모, 요오드의 지르코늄, 하프늄, 탄탈, 바나듐 및 니오브 화합물 증기를 도가니로 도입하여 제조하는 방법 (예를 들어, 특허 문헌 4 참조), 지르코늄 또는 하프늄 염화물 또는 산염화물 수용액을 강염기성 음이온 교환 수지를 사용하여 정제하는 방법 (예를 들어, 특허 문헌 5 참조), 용매 추출에 의한 지르코늄의 회수 방법 (예를 들어, 특허 문헌 6 참조), 급전 부분에 특징을 가지는 크리스탈바 하프늄의 제조 장치 (예를 들어, 특허 문헌 7 참조) 가 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 소60-17027호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 소61-279641호
특허 문헌 3 : 일본 공개특허공보 소62-103328호
특허 문헌 4 : 일본 공표특허공보 평3-501630호
특허 문헌 5 : 일본 공개특허공보 평10-204554호
특허 문헌 6 : 일본 공개특허공보 소60-255621호
특허 문헌 7 : 일본 공개특허공보 소61-242993호
상기의 문헌에 나타내는 바와 같이, 하프늄의 정제 방법 또는 추출 방법이 다수 있다. 최근 하프늄을 이용한 전자 부품에 대한 성막이 요구되게 되었다. 특히 게이트 절연막, 메탈 게이트막으로서 사용되려고 하고 있다. 이러한 막은 Si 기판의 바로 위에 있기 때문에, 순도의 영향이 크다. 특히 반도체 기판에 대한 오염이 문제가 된다.
그러나, 종래는 하프늄 중에 지르코늄이 다량으로 함유된다는 문제가 있고, 또한 고순도화는 용이하게는 달성할 수 없었다. 또한, 전자 재료로서 특히 실리콘 기판에 근접하여 배치되는 게이트 절연막 또는 메탈 게이트막으로서 사용되는 경우에는, 하프늄 중에 함유되는 불순물이 어떠한 움직임 (악영향) 을 초래하는지에 대한 지식이 없기 때문에, 하프늄 중의 불순물의 함유는 묵인되는 경우가 있다.
이것은 하프늄을 게이트 절연막, 메탈 게이트막 등의 전자 부품 재료로서 사용하는 것이, 극히 최근의 기술인 것이 큰 원인인 것으로 생각된다.
본 발명은 지르코늄을 저감시킨 하프늄 스펀지를 원료로서 사용하고, 또한 하프늄 중에 함유되는 Fe, Cr, Ni 의 불순물, Ca, Na, K 의 불순물, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 의 불순물, 또한 α 선의 카운트수, U, Th 의 불순물, Pb, Bi 의 불순물, 나아가서는 가스 성분인 C 량을 각각 저감시킨 고순도 하프늄의 제조 방법에 관한 것으로서, 효율적이고 또한 안정된 제조 기술 및 그것에 의해 얻어진 고순도 하프늄 재료, 상기 재료로 이루어지는 스퍼터링용 타겟 및 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명자들은 예의 연구를 실시한 결과, Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄을 제공하는 것으로, 이와 같은 고순도 하프늄은, 특히 실리콘 기판에 근접하여 배치되는 전자 재료로서 전자 기기의 기능을 저하 또는 어지럽히지 않고, 또 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막 등의 재료로서 우수한 특성을 가진다. 고순도 하프늄에 함유되는 불순물인 Fe, Cr, Ni 는 각각 0.2ppm 이하, Ca, Na, K 는 각각 0.1ppm 이하, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 은 각각 0.1ppm 이하이다. 또한 본원에서 표시하는 순도 (％, ppm,ppb) 는 모두 중량 (wt％, wtppm, wtppb) 을 의미한다.
하프늄 중에 함유되는 불순물인 Zr 을 제외하는 것은, 고순도 하프늄의 제조시에, Zr 자체가 하프늄과 화학적 특성이 비슷하기 때문에, 제거하는 것이 기술적으로 매우 어렵다는 것, 나아가 이 특성의 근사성으로부터, 불순물로서 혼입되어 있어도 큰 특성의 이변은 되지 않는다는 점에서이다. 이러한 사정으로부터 어느 정도의 Zr 의 혼입은 묵인되지만, 하프늄 자체의 특성을 향상시키려는 경우에는, 적은 것이 바람직한 것은 말할 필요도 없다.
또한 본 발명의 Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄은 α 선의 카운트수가 0.01cph/㎠ 이하이며, U, Th 가 각각 1ppb 미만, Pb, Bi 가 각각 0.1ppm 미만인 것이 바람직하다. 본원 발명은 이 α 선의 카운트수, U, Th 함유량, Pb, Bi 함유량을 저감시킨 고순도 하프늄을 함유하는 것이다. 또한 본 발명의 Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄은 가스 성분인 C 함유량이 50ppm 이하인 것이 바람직하고, 본원 발명은 이 C 함유량을 저감시킨 고순도 하프늄을 함유하는 것이다.
게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막 등의 전자 재료의 박막을 형성하는 경우에는, 그 대부분은 스퍼터링에 의해 행해져 박막의 형성 수단으로서 우수한 방법이다. 따라서, 상기 Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄은 그대로 고순도 하프늄 타겟재로서 형성할 수 있다.
본 발명의 고순도 하프늄으로부터 이루어지는 스퍼터링 타겟은 스퍼터링에 의해, 재료가 가지는 고순도가 성막된 박막에 그대로 반영되어 Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막을 형성할 수 있다.
또한, 6N 이상의 순도를 가지는 타겟 및 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막에 함유되는 상기 불순물은 모두 상기 불순물 Fe, Cr, Ni, 불순물 Ca, Na, K, 불순물 Al, Co, Cu, Ti, W, Zn, 또한 α 선의 카운트수, 불순물 U, Th, 불순물 Pb, Bi, 나아가서 가스 성분인 C 및 이러한 함유량과 동등하다. 본원 발명은 이것들을 모두 포함하는 것이다.
Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄의 제조시에는, 먼저 비정제 HfCl4 를 증류하여 정제하고, 이 정제 HfCl4 를 환원하여 하프늄 스펀지를 얻는다. 다음에, 이 하프늄 스펀지를 애노드로 하여 용융염 전해하고, 전해에 의한 전착물을 얻는다. 또한 이 전착물을 전자빔 용해함으로써, Zr 과 가스 성분을 제외하고 순도 6N 이상의 고순도 하프늄으로 할 수 있다.
이와 같이 하여 얻은 Zr 과 가스 성분을 제외하고 순도 6N 이상의 고순도 하프늄 중에 함유되는 상기 불순물 Fe, Cr, Ni 를 각각 0.2ppm 이하, 불순물 Ca, Na, K 를 각각 0.1ppm 이하, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 을 각각 0.1ppm 이하, 또한 α 선의 카운트수 0.01cph/㎠ 이하, 불순물 U, Th 를 각각 1ppb 미만, 불순물 Pb, Bi 를 각각 0.1ppm 미만, 또 가스 성분인 C 를 50ppm 이하로 할 수 있다.
불순물인 Ca, Na, K 등의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속은 이동 용이성의 원소로, 소자 중을 용이하게 이동하여 소자의 특성을 불안정하게 하기 때문에 적은 것이 바람직하다. 또한, 불순물인 Fe, Cr, Ni, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 등의 전이 금속, 중금속 등은 리크 전류의 증가를 일으켜, 내압 저하의 원인이 되므로 적은 것이 바람직하다. 불순물인 U, Th, Pb, Bi 는 메모리 셀의 축적 전하가 반전된다는 소프트 에러가 발생한다. 따라서, 이러한 양을 줄임과 함께, 이러한 원소로부터 발생되는 α 선량을 제한할 필요가 있다.
또한 C 량의 증가는 스퍼터링시에 파티클 발생의 원인이 되므로, 줄이는 것이 필요하다. Zr 함유량은 특별히 문제가 되는 것은 아니지만, 2500ppm 이하, 나아가서는 1000ppm 이하로 할 수 있다.
불순물의 함유량은 원재료에 함유되는 불순물량에 따라 변동되지만, 상기의 방법을 채용함으로써, 각각의 불순물을 상기 수치의 범위로 조절이 가능하다. 본원 발명은 상기의 고순도 하프늄, 고순도 하프늄으로 이루어지는 타겟 및 박막 그리고 고순도 하프늄의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄은 불순물 Fe, Cr, Ni 를 각각 0.2ppm 이하, 불순물 Ca, Na, K 를 각각 0.1ppm 이하, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 을 각각 0.1ppm 이하, 또한 α 선의 카운트수 0.01cph/㎠ 이하, 불순물 U, Th 를 각각 1ppb 미만, 불순물 Pb, Bi 를 각각 0.1ppm 미만, 또 가스 성분인 C 를 50ppm 이하로 한 것으로, 특히 실리콘 기판에 근접하여 배치되는 전자 재료로서 전자 기기의 기능을 저하 또는 어지럽히지 않고, 또 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막 등의 재료로서 우수한 효과를 가진다.
또한 본원 발명의 제조 방법은 Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄을 안정적으로 제조할 수 있다는 효과를 가진다.
본 발명은 Zr 을 제거한 하프늄 스펀지를 원료로 한다. 원료로서 4염화하프늄 (HfCl4) 을 사용한다. 4염화하프늄은 시판되는 재료를 사용할 수 있다. 이 시판의 4염화하프늄은 Zr 을 5wt％ 정도 함유하고 있다. 또한 원료로서 하프늄 (Hf) 메탈, 산화 하프늄 (HfO2) 을 사용해도 된다. 이러한 원료는 Zr 을 제외하고, 순도 3N 레벨인 것이며, Zr 이외의 주된 불순물로서 Fe, Cr, Ni 등이 함유되어 있다.
먼저, 이 4염화하프늄 원료를 순수에 용해한다. 다음에, 이것을 다단의 유기 용매 추출을 실시한다. 통상적으로 1 ∼ 10 단의 용매 추출을 실시한다. 추출제로는 TBP 를 사용할 수 있다. 이것에 의해 Zr 을 5000wtppm 이하로 할 수 있다.
다음에, 중화 처리하여 산화 하프늄 (HfO2) 을 얻는다. 이 산화 하프늄 을 염소화하여 고순도 4염화하프늄 (HfCl4) 을 얻는다.
이상에 대해서는, 이미 공지된 기술로서, 본원 발명은 고순도 4염화하프늄 (HfCl4) 의 원료로부터 출발한다.
이 HfCl4 를 증류하여 정제한다. 이와 같이 하여 얻은 HfCl4 를 염화력이 강한 Mg 등의 금속을 사용하여 환원해서, 순도 3N 레벨의 하프늄 스펀지를 얻는다. 이 순도 3N 의 하프늄 스펀지를 애노드로 하여, NaCl-KCl-HfCl4 등의 전해 욕을 사용하여 700 ∼ 1000℃ 에서 전해하여 전석 하프늄을 얻고, 이 전석 하프늄을 순수한 물로 세정하여, 불초산으로 가볍게 에칭한다.
이와 같이 하여 얻어진 전착물을 Cu 도가니 중에 넣어 일단 전자빔 용해 (하스 용해) 하고, 이것에 순서대로 전석 하프늄을 투입한다. 풀 상부로부터 넘친 하프늄 용탕이 잉곳 상부로 흘러든다. 여기에서도 용탕의 상태로서, 이와 같이 하스와 잉곳화시에, 2 번의 용해를 일련의 전자빔 조작으로 실시함으로써 순도를 높일 수 있다.
이와 같이 탄소, 산소, 질소 등의 가스 성분 및 지르코늄을 제외하고, 이것에 의해 Zr 과 가스 성분을 제외하고 순도 6N (99.9999％) 이상의 고순도 하프늄 잉곳을 얻을 수 있다. 또한, 이 고순도 하프늄을 사용하여 고순도 하프늄 타겟을 제조할 수 있다. 타겟의 α 선량을 가스 팔로우 비례 계수관 방식의 측정 장치를 사용하여 측정한 결과, α 선량은 0.01cph/㎠ 이하이다.
또한 이 고순도 타겟을 사용하여 스퍼터링함으로써 고순도 하프늄을 기판 상 에 성막할 수 있다.
타겟의 제조는 단조·압연·절삭·마무리 가공 (연마) 등의 통상적인 가공에 의해 제조할 수 있다. 특히, 그 제조 공정에 제한은 없고, 임의로 선택할 수 있다.
다음에, 실시예에 대하여 설명한다. 또한 이 실시예는 이해를 용이하게하기 위한의 것으로, 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에 있어서의, 다른 실시예 및 변형은 본 발명에 포함되는 것이다.
(실시예 1)
비정제 HfCl4 를 약 320℃ 의 온도에서 증류하여 정제하였다. 이 정제 HfCl4 를 염화력이 강한 Mg 금속을 사용하여 환원해서 순도 3N 의 하프늄 스펀지를 얻었다. 증류 정제의 단계에서, Zr 불순물은 5000ppm 레벨에서 800ppm 레벨로 저감되었다.
이 순도 3N 의 하프늄 스펀지를 애노드로 하여, NaCl-KCl-HfCl4 의 전해 욕을 사용하여 720℃ 에서 전해하여, 전석 하프늄을 얻었다. 이 전석 하프늄을 순수로 세정하여, 불초산으로 가볍게 에칭한다. 이것에 의해, Fe, Cr, Ni, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn, U, Th, 및 C 를 제거할 수 있었다. 특히, W, C, U, Th 의 저감 효과가 현저하다.
이와 같이 하여 얻어진 전착물을 Cu 중에 도입하여 일단 전자빔 용해 (하스 용해) 하여, 이것에 순서대로 하프늄을 투입한다. 풀 상부로부터 넘친 하프늄 용탕이 잉곳 상부로 흘러든다. 여기에서도 용탕 상태로서, 이와 같이 하스와 잉곳화시에, 2 번의 용해를 일련의 전자빔 조작으로 실시함으로써, 순도를 높일 수 있다. 이것에 의해, W, C, U, Th 이외의 상기 불순물 및 Ca, Na, K 도 효과적으로 제거할 수 있었다.
이상에 의해, 지르코늄을 제외하고, 순도 6N (99.9999％) 레벨의 고순도 하프늄 잉곳을 얻을 수 있었다. 잉곳의 탑 (상부) 과 보텀 (저부) 의 화학 분석치 (GDMS 분석) 를 표 1 에 나타낸다.
불순물은, 각각 Fe＜0.01ppm, Cr＜0.01ppm, Ni : 0.04 ∼ 0.08ppm 이 되고, Ca＜0.01ppm, Na＜0.01ppm, K＜0.01ppm 이 되고, Al＜0.01ppm, Co＜0.01ppm, Cu＜0.05ppm, Ti＜0.01ppm, W : 0.01ppm, Zn＜0.01ppm 이 되고, 또한 α 선의 카운트수가 ＜0.004cph/㎠, U＜0.001ppm, Th＜0.001ppm, Pb＜0.01ppm, Bi＜0.01ppm 이 되고, 또 C 량이 10ppm 이 되었다.
이것들은 잉곳의 탑의 분석치를 나타낸 것으로서, 약간의 상이가 있었지만, 보텀부도 거의 동일한 불순물량이었다. 모두 본원 발명의 조건을 만족하였다. 이 잉곳으로부터 얻은 스퍼터링 타겟은 동일하게 고순도를 유지할 수 있고, 이것을 스팩터함으로써 균일한 특성의 고순도 하프늄의 박막을 기판 상에 형성할 수 있었다.
Figure 112008000660868-pct00001
(실시예 2)
실시예 1 과 동일하게, 비정제 HfCl4 를 약 320℃ 의 온도에서 증류하여 정제하였다. 이 정제 HfCl4 를 염화력이 강한 Mg 금속을 사용하여 환원해서 순도 3N 의 하프늄 스펀지를 얻었다. 이 단계에서, Zr불순물은 5000ppm 레벨에서 800ppm 레벨로 저감되었다. 이 순도 3N 의 하프늄 스펀지를 애노드로 하여, NaCl-KCl-HfCl4 의 전해욕을 사용하여 720℃ 에서 전해하여 전석 하프늄을 얻었다. 이 전석 하프늄을 순수로 세정하여 불초산으로 가볍게 에칭한다. 이것에 의해, Fe, Cr, Ni, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn, U, Th, 및 C 를 제거할 수 있었다. 특히, W, C, U, Th 의 저감 효과가 현저하다.
이와 같이 하여 얻어진 전착물을 Cu 도가니에 넣어 전자빔 용해하였다. 또한 본 실시예 2 와 실시예 1 의 상이한 점은, 본 실시예 2 가 하스 용해를 실시하지 않은 점이다. 이것으로부터, 지르코늄을 제외하고, 순도 6N (99.9999％) 레벨의 고순도 하프늄 잉곳을 얻을 수 있었다. 잉곳의 탑 (상부) 과 보텀 (저부) 의 화학 분석치 (GDMS 분석) 를 동일하게 표 1 에 나타낸다.
불순물은 각각 Fe : 0.01 ∼ 0.05ppm, Cr＜0.01ppm, Ni : 0.10 ∼ 0.18ppm 이 되고, Ca＜0.01ppm, Na＜0.01ppm, K＜0.01ppm 이 되고, Al＜0.01ppm, Co＜0.01ppm, Cu＜0.05ppm, Ti : 0.03 ∼ 0.05ppm, W＜0.01ppm, Zn＜0.01ppm 이 되고, 또한 α 선의 카운트수가 0.004cph/㎠, U＜0.001ppm, Th＜0.001ppm, Pb＜0.01ppm, Bi＜0.01ppm 이 되고, 또 C 량이 10 ∼ 30ppm 이 되었다.
이것들은 잉곳의 탑의 분석치를 나타낸 것으로서, 약간의 상이가 있었지만, 보텀부도 거의 동일한 불순물량이었다. 모두 본원 발명의 조건을 만족하였다. 이 잉곳으로부터 얻은 스퍼터링 타겟은 동일하게 고순도를 유지할 수 있고, 이것을 스팩터함으로써 균일한 특성의 고순도 하프늄의 박막을 기판 상에 형성할 수 있었다.
본 발명의 Zr 과 가스 성분을 제외하고 6N 이상의 순도를 가지는 고순도 하프늄은 불순물 Fe, Cr, Ni 를 각각 0.2ppm 이하, 불순물 Ca, Na, K 를 각각 0.1ppm 이하, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 을 각각 0.1ppm 이하, 또한 α 선의 카운트수 0.01cph/㎠ 이하, 불순물 U, Th 를 각각 1ppb 미만, 불순물 Pb, Bi 를 각각 0.1ppm 미만, 또 가스 성분인 C 를 50ppm 이하로 한 것으로, 특히 실리콘 기판에 근접하여 배치되는 전자 재료로서 전자 기기의 기능을 저하 또는 어지럽히지 않기 때문에, 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막 등의 재료로서 유용하다.

Claims (7)

  1. Zr 과 가스 성분을 제외하고 순도 6N 이상으로서, Fe, Cr, Ni 가 각각 0.2ppm 이하, Ca, Na, K 가 각각 0.1ppm 이하, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 이 각각 0.1ppm 이하, U, Th 가 각각 1ppb 미만, Pb, Bi 가 각각 0.1ppm 미만인 것을 특징으로 하는 고순도 하프늄.
  2. 제 1 항에 있어서,
    α 선의 카운트수가 0.01cph/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 하프늄.
  3. 제 1 항에 있어서,
    가스 성분인 C 함유량이 50ppm 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 하프늄.
  4. 제 2 항에 있어서,
    가스 성분인 C 함유량이 50ppm 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 하프늄.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 고순도 하프늄으로 이루어지는 스퍼터링용 타겟.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 고순도 하프늄으로 이루어지는 게이트 절연막 또는 메탈 게이트용 박막.
  7. 비정제 HfCl4 를 증류하여 정제하고, 이 정제 HfCl4 를 환원하여 하프늄 스펀지를 얻고, 또한 이 하프늄 스펀지를 애노드로 하여 용융염 전해하고, 전해에 의한 전착물을 전자빔 용해함으로써, Zr 과 가스 성분을 제외하고 순도 6N 이상이고, Fe, Cr, Ni 가 각각 0.2ppm 이하, Ca, Na, K 가 각각 0.1ppm 이하, Al, Co, Cu, Ti, W, Zn 이 각각 0.1ppm 이하인 고순도 하프늄으로 하는 것을 특징으로 하는 고순도 하프늄의 제조 방법.
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