JPS61242993A - クリスタルバ−ハフニウム製造用装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ハロゲン化物分解法、特にヨウ化物分解法に
よるクリスタルバーハフニウムの製造に用いられる装置
の改良基ζ関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来、原子炉の製御棒としては、一般にステンレスチ為
−ブ内にＢ、Ｃを封入したものが用いられているが、こ
の制御棒は中性子の繰り返し吸収能がないため、ハフニ
ウムを原子炉の制御棒として利用することが検討されて
いる。

このハフニウムは中性子吸収断面積が比較的大きく、中
性子の繰り返し吸収能がある上、原子炉内環境に対する
耐食性屹優れ、しかも構成材料として機械的特性を十分
−こ備えている。更に近年、軽水炉の発達と共に、ジル
コニウム生産の副産物としてのハフニウムの生産量も増
加してきている。

このような理由からハフニウムを原子炉の制御棒として
利用することが検討されているが、ハフニウムを使用す
るに際して次の点が問題となっている。

即ち、ハフニウムは加工硬化性が強く、シかもこの加工
硬化の程度は不純物（％に酸素）量に比例するので、不
純物の多いハフニウムインゴットを加工して棒状または
シート状の中性子吸収体を製造することは極めて困難で
あり、一般には不純物（特に酸素）量の少ないハフニウ
ムインゴットを用いる必要がある。このインゴットは通
常、高純度のクリスタルバーハフニウムと他の比較的低
純度のハフニウム（例えばスポンジハフニウム）を混合
・溶解して作る。

クリスタルバーハフニウムは、スポンジハフニウム等を
原料として、通常ハロゲン化物分解法、特にヨウ化物分
解法と称される精製方法により製造される。ヨウ化物分
解法は、化学輸送法の一種であり、ハフニウム（Ｈｆ　
）を始めチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の活
性金属の精製に使用される方法である。精製は、次式（
１）　、　（２）の反応を利用して行われる。

Ｈｆ＋２Ｌ→ＨｆＩ、　（４００℃）・・・・・・・・
・・・・　（１）ＨｆＩ、→Ｈｆ＋２Ｉｘ　　（１６０
０℃）・・・・・・・・・・・・　（２）即ち、Ｈｆ　
　（融点２２０７℃）はヨウ素工！（融点１１４℃、沸
点１８５℃）と４００℃付近の温度で激しく反応し、Ｈ
ｆＩ、　　（昇華性固体）を生成する（１）式。更に、
ＨｆＩ、は１６００℃付近の高温で前記（２）式に示す
ようにハフニウムとヨウ素に分解する性質を有する。具
体的には、従来、第１１図に示す装置によりクリスタル
バーハフニウムを製造している。図中の１は、原料であ
るスポンジハフニウムとヨウ素とを収容する蒸着容器で
ある。この容器１は外部からの加熱により４００℃に保
持される。前記容器１内には、例えばＵ字状をなすフィ
ラメント２が吊架されている。このフィラメント２の両
端部は、給電治具３ａ、３ｂにより保持されており、か
つ各給電治具３ａ、３ｂはＩＪ−ド線４ａ、４ｂを介し
て電源５に接続されている。

このような装置によりクリスタルバーハフニウムを製造
するには、まず、蒸着容器１内にスポンジハフニウム（
場合によっては他のハフニウム又はハフニウム合金も使
用可能）６とヨウ素７を収容し、電源５から給電治具３
ａ、３ｂを通してフィラメント２に通電加熱して１６０
０℃程度に保持する。つづいて、蒸着容器１全体を外部
より加熱して４００℃に保持する。原料であるスポンジ
ハフニウム６とヨウ素７は、４００℃の低温で反応して
ＨｆＩ。８を生成する。生成したＨｆＩ。は昇華して高
温のフィラメント２上で分解し、分解生成物のうｆ：）
Ｈｆはフィラメント２に付着し、ヨウ素（Ｉｔ）は再び
原料のスポンジハフニウム６と反応する。

つまり、ヨウ素はキャリアとしてハフニウムをフィラメ
ント２上に運ぶ働きをする。このようにして、ヨウ素と
反応するハフニウムのみがフィラメント２上に運ばれ、
精製が行われる。このプロセスを繰返すことによって、
純ハフニウムがフィラメント２上に成長する。フィラメ
ント２上に成長した純ハフニウムは光沢があり、棒状を
なすため、一般にクリスタルバーハフニウムと称されて
いる。

ところで、上述した装置において、蒸着容器１内にはヨ
ウ素が存在するので、リード線４ａ、４ｂの少なくとも
容器１内の部分及び給電治具３ａ。

３ｂはヨウ素に対して耐食性の優れた材料（ＭＯ２Ｗ等
）で形成するのが一般的である。なお、第１１図図示以
外に、給電治具とリード線とを一体化した構造のもの、
給電治具が蒸着容器の外でリード線と接続している構造
のものがあるが、いずれの場合でも少なくとも蒸着容器
内に位置する部分はＭＯやＷにより形成されている。こ
うした給電治具やリード線に対して、フィラメント２を
ＭＯやＷにより形成した場合、■クリスタルバーハフニ
ウムの蒸着後、クリスタルバーハフニウムとＭＯやＷ等
からなるフィラメントとの分離が困難となる、■クリス
タルバーハフニウムカＮｏやＷ等で汚染される恐れがあ
る、などの理由によりフィラメントは通常ハフニウム線
により形成されている。しかしながら、電源５を用いた
通電加熱により７１フニラムフィラメントを約１６００
℃に加熱しても給電治具３ａ、３ｂ近傍のフィラメント
２の部分は給電治具３ａ　、３ｂの冷却効果のために、
温度が上昇せず、特に給電治具３ａ、３ｂの極近傍では
約４００℃にまで降温することが知られている。その結
果、上記（１）式の反応が進行して該フィラメントの部
分で破断をしばしば発生する。

そこで、上記破断を防止するためにフィラメントの形状
や給電治具の取付は方法を改良する等の対策が考えられ
ているが、未だ充分な成果が得られていないのが実状で
ある。

〔発明の目的〕

本発明は、ハロゲン化物分解法、特にヨウ化物分解法に
よるクリスタルバーハフニウムの製造に際し、フィラメ
ントを構成するハフニウム線のヨウ素による破断を防止
した耐久性の優れたクリスタルバーハフニウム製造用装
置を提供することを目的とするものである。

〔発明の概要〕

本発明は、ハロゲン化物分解法でクリスタルバーハフニ
ウムを製造する装置に詔いて、フィラメントとして、給
電治具と接触する両端部の少なくとも表面をハロゲンに
対して耐食性の優れた材料で形成したハフニウム線を用
いることを特徴とするものである。

以下、本発明のクリスタルバーハフニウム製造用装置に
ついてヨウ化物分解法を例にして図面を参照して詳細に
説明する。なお、前述した第１１図と同様な部材は同符
号を付して説明を省略する。

第１図は、本発明の製造用装置の一形態を示す概略断面
図である。図中の９は、給電治具３ａ。

３ｂに保持されたフィラメントである。このフィラメン
ト９は、第１図及び第２図に示すように前記給電治具３
ａ　、３ｂと接触するハフニウム線１０の両端部の少な
くとも表面をハロゲン（ヨウ素）に対して耐食性を有す
る材料で形成、例えば前記材料の線材１１を接合した構
造になっている。

このような構成によれば、蒸着容器１内にスポンジハフ
ニウム（場合によっては他のハフニウム又はハフニウム
合金も使用可能）６とヨウ素７を収容し、電源５から給
電治具３ａ、３ｂを通してフィラメント９に通電加熱し
て１６００℃程度に保持すると共に、蒸着容器１全体を
外部より加熱して４００℃に保持すると、原料であるス
ポンジハフニウム６とヨウ素７は、４００℃の低温で反
応してＨｆＩ。８を生成する。生成したＨｆＩ。は昇華
して高温のフィラメント２上で分解し、分解生成物のう
ちＨｆはフィラメント！に付着し、ヨウ素（Ｉｓ）は再
び原料のスポンジハフニウム６と反応する。

こうしたプロセスを繰返すことによって、純ハフニウム
がフィラメント９上に成長してクリスタルバーハフニウ
ムが製造される。かかる工程ｌこおいて、給電治具３ａ
、３ｂと接触し、低温度（４００℃程度）となるフィラ
メント旦の両端部は、ヨウ素に対して耐食性の優れた材
料からなる線材１１が接合されているため、該部位での
フィラメント９の破断を防止でき、耐久性の優れた装置
を得るこをができる。

上記ハフニウム線１０の両端に接合する線材ｌ】を形成
するヨウ素に対して耐食性の優れた材料としては、例え
ばＭｏ、Ｗ、Ｐｔ　或いはこれらを基とする合金等を挙
げることができる。これらの材料は、室温〜約１６００
℃の温度範囲でヨウ素によってほとんど腐蝕されず、従
って第２図に示すようにかかる線材１１で構成されたフ
ィラメント９は、既述の如くクリタルバーハフニウムの
製造において、給電治具３ａ、３ｂの冷却効果に対して
強い耐破断性を示す。フィラメント９両端の線材１１は
、互いに同一材料、形状である必要はないが、製作のし
易さ、フィラメント温度の制御性の観点から、同一材料
、同一形状にすることが望ましい。かかる線材１１の長
さについては、短い程、クリスタルバーハフニウムの製
造収率が向上し、消費電力も低くできるが、フィラメン
ト９を給電治具３ａ、３ｂζこ保持させてフィラメント
９のハフニウム線１０の中央部を約１６００℃に加熱し
た時に、線材１１とハフニウム線１０との境界付近の温
度がクリスタルバーハフニウムの析出する条件（約９０
０℃）＃どなるような長さは少なくとも必要である。線
材１１の長さは、給電治具３ａ、３ｂへの取付は方法、
フィラメント９の形状、クリスタルバーハフニウムの製
造条件等を考慮して適宜決定する。線材１１の径は、ハ
フニウム線１０の径と同じである必要はない。但し、線
材１１の径が太くなると、前記給電治具３ａ、３ｂに代
わって線材１１が冷却効果をハフニウム線１０に及ぼし
、逆に細くし過ぎると、線材１１が加熱により破断する
恐れがある。線材１１の径については、フィラメント９
の形状、ハフニウム線１０の径、ハフニウム線１０と線
材１１との電気抵抗、クリスタルバーハフニウムの製造
条件等を考慮して適宜決定する。

上記ハフニウム線１０と線材１１との接合方法としては
、抵抗溶接、レーザ溶接、イナートガスアーク溶接、電
子ビーム溶接等が考えられるが、ハフニウム線１０と線
材１１とを良好に接合する観点から、電子ビーム溶接が
好適である。例えば、Ｈｆ、とＭＯとの抵抗溶接では、
ＭＯは溶けず、Ｈｆのみが溶けるため、接合強度は極め
て小さくなる。レーザ溶接では、ＭｏとＨｆとがほとん
ど溶接されない。更に、イナートガスアーク溶接では、
接合そのものは良好であるが、かかる接合により形成さ
れたフィラメントを使用してクリスタルバーハフニウム
を製造すると、製造中に接合部付近で破断を生じる恐れ
がある。これに対し、電子ビーム溶接で接合することに
より得られたフィラメントは、引張り強度及び折曲げ強
度がともに極めて高く、クリスタルバーハフニウムの製
造中でも健全であり、しかも該フィラメント上にはクリ
スタルバーハフニウムが良好に析出、成長する。

上記フィラメント９の形状は、第１図及び第２図に示す
ものに限らず、第３図又は第４図に示す形状にしてもよ
い。第４図に示すフィラメント９は、ヨウ素に対して耐
食性の優れた材料の線材１１を、ハフニウム線１０の両
端と蒸着容器内の支持具（図示せず）で支持される部位
とに使用している。

一方、給電治具と接触するハフニウム線の両端部の少な
くとも表面をヨウ素に対して耐食性の優れた材料で形成
する手段としては、上述した第２図〜第４図に示すよう
に線材をハフニウム線に接合する形態に限らず、第５図
に示すようにハフニウム線１０の両端部をヨウ素に対し
て耐食性の優れた材料からなる被膜１２で被覆してフィ
ラメント９１を構成してもよい。

上記ハフニウム線１０の両端に被覆される被膜′　１２
を形成するヨウ素に対して耐食性の優れた材料としては
、前記線材の場合と同様、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ或いはこれら
を基とする合金等を挙げることができる。これらの材料
は、約４００〜１６００℃の温度範囲でヨウ素によって
ほとんど腐蝕されず、従って第５図に示すようにかかる
被Ｉ［１２で構成されたフィラメント炉は、クリタルバ
ーハフニウムの製造において、給電治具３ａ　、３ｂの
冷却効果に対して強い耐破断性を示す。フィラメント炉
側端の被膜１２は、互いに同一材料である必要はないが
、製作のし易さ、フィラメント温度の制御性の観点から
、同一材料にすることが望ましい。被膜の形状について
も、両端で互いに同一である必要はないが、製作のし易
さ、フィラメント温度の制御性の観点から、同一形状に
することが望ましい。かかる被膜１２の長さについては
、短い程、クリスタルバーハフニウムの製造収率が向上
し、消費電力も低くできるが、フィラメント９Ｉを給電
治具３ａ、３ｂに保持させてフィラメント９１のハフニ
ウム線１０の中央部を約１６００℃に加熱した時に、被
膜１２とハフニウム線１０との境界付近の温度がクリス
タルバーハフニウムが析出する条件（約９００℃）にな
るような長さは少なくとも必要である。被膜１２の長さ
は、給電治具３ａ。

、３　ｂへの取付は方法、フィラメント９１の形状、ク
リスタルバーハフニウムの製造条件等を考慮して適宜決
定する。被膜１２の厚さに関しては、厚くし過ぎると、
前記給電治具３ａ、３ｂに代わって被膜１２が冷却効果
をハフニウム線１０に及ぼし、逆に薄くし過ぎると、被
膜下のハフニウム線１０部分がヨウ素と反応して破断す
る恐れがある。被膜１２の厚さについては、フィラメン
ト９１の形状、ハフニウム線１０の径、ハフニウム線ｌ
Ｏと被膜１２との電気抵抗、クリスタルバーハフニウム
の製造条件等を考慮して適宜決定する。また、被膜はハ
フニウム線１０の外周のみでなく、同第５図に示すよう
化ハフニウム線１０の先端も被覆することがヨウ素に対
するフィラメント９′の耐破断性を向上できる。

上記被膜の形成方法としては、電子ビーム蒸着、スパッ
タ蒸着、メッキ等によりハフニウム線１０全面に被覆し
た後、不要な膜部分を除去する方法、ハフニウム線１０
の両端部が露出するようにマスキングした後、電子ビー
ム蒸着、スパッタ蒸着、メッキ等により被膜を被覆する
方法を採用し得る。

これらの方法で得られたフィラメントは、引張り強度及
び折曲げ強度がともに優れ、しかも被膜のハフニウム線
１０への密着性も極めて良好となる。

これら被膜が形成されたフィラメント９′を組込んだ装
置によりクリスタルバーハフニウムを製造すると、該フ
ィラメント９’は製造中でも健全であり、しかも該フィ
ラメント上にクリスタルバーハフニウムが良好に析出、
成長する。

上記フィラメント９′の形状は、第５図に示す形状のも
のに限定されない。例えば、ｊＩ６ＷＡ及び第７図に示
すように被膜１２を被覆するハフニウム線１０の両端部
を細くしたフィラメント９１や第８図に示すようにハフ
ニウム線１０を直線状にし、その両端に被膜１２を形成
したフィラメント９ｅ或いは第９図に示すよう化被８１
２の厚さをハフニウム線１０の先端から中央化向けて徐
々に細くしたフィラメント９１等各種の形状がある。ま
た、第１０図に示すようにヨウ素に対して耐食性の優れ
た材料の被膜１２を、ハフニウム線１０の両端と蒸着容
器内の支持具（図示せず）で支持される部位とに形成し
てフィラメント９′を構成してもよい。

〔発明の実施例］ 以下、本発明の詳細な説明する。

実施例１ 直径０．９　ｍ　、長さ４０３のクリスタルバーハフニ
ウム線と、いずれも直径０．７　ｍ　、長さ３ｃＩＲω
０線材２本とを夫々接合面を平面仕上げし、それらハフ
ニウム線の両端先端とＭＯ線材とを付合わせた後、真空
度１０　ｗｍｋｌ　ｇ　〜１０　　ｓｍＨｇ、加速電圧
６０ｋｅＶ　、ビーム電流３ｍＡ、の条件で電子ビーム
溶接を行なって第２図に示す形状のフィラメント９を製
作した。得られたフィラメント９は、引張り強度及び折
曲げ強度がいずれも満足する値を示した。

得られたフィラメント９を蒸着容器１内の給電治具３ａ
、３ｂに保持させて第１図に示す装置を組立てた。こう
した装置の蒸着容器１内を脱気後、スポンジハフニウム
２９＃とヨウ素１００ｇを収容し、電源５によりフィラ
メント９を約１６０θ℃に加熱すると共に、蒸着容器１
を外部から約４００℃に加熱し、クリスタルバーハフニ
ウムをフィラメント９上に析出させた。こうした析出操
作を３０時間行なったところ、平均直径１，９副のクリ
スタルバーハフニウムを得ることができ、かつ給電治具
３ａ、３ｂ付近でのフィラメント９の破断は全く発生し
なかった。

実施例２ ４直径０．９■、長さ４０ｃｎのクリスタルバーハフニ
ウム線と、いずれも直径０．７　ｍ　、長さ３ｃｒｎの
Ｗ線材とを夫々接合面を平面仕上げし、それらハフニウ
ム線の両端先端とＷ線材とを付合わせた後、真空度１０
　　ｓｗａＨｇ〜１０　　ｍＨｇ　、加速電圧７０ｋｅ
Ｖ。

ビーム電流４ｍＡ、の条件で電子ビーム溶接を行なって
第２図に示す形状のフィラメント９を製作した。得られ
たフィラメント９は、引張り強度及び折曲げ強度がいず
れも満足する値を示した。

得られたフィラメント９を蒸着容器１内の給電治具３ａ
　、３ｂに保持させてｊ１１図に示す装置を組立てた。

こうした装置の蒸着容器１内を脱気後、スポンジハフニ
ウムλ９＃とヨウ素１２０ｇを収容し、電源５番こより
フィラメント９を約１６００℃に加熱すると共に、蒸着
容器１を外部から約４００℃に加熱し、クリスタルバー
ハフニウムをフィラメント９上化析出させた。こうした
析出操作を２０時間行なったところ、平均直径１．５　
ｃｍのクリスタルバーハフニウムを得ることができ、か
つ給電治具３ａ、３ｂ付近でのフィラメント９の破断は
全く発生しなかった。

実施例３ 直径α９　ｗｍ　、長さ４０ｃｍのクリスタルバーハフ
ニウム線と、いずれも直径０．７　ｍ　、長さ３ｃＩＲ
のＰｔ線材２本とを夫々接合面を平面仕上げし、それら
ハフニウム線の両端先端とｐｔ線材とを付合わせた後、
真空度１０　　ｗＨｇ〜１０　　ｍＨｇ　、加速電圧６
０ｋｅＶ　、ビーム電流３ｍＡ、の条件で電子ビーム溶
接を行なって第２図に示す形状のフィラメン）９を製作
した。得られたフィラメント９は、引張り強度及び折曲
げ強度がいずれも満足する値を示した。

得られたフィラメント９を蒸着容器１内の給電治具３ａ
、３ｂに保持させて第１図に示す装置を組立てた。こう
した装置の蒸着容器１内を脱気後、スポンジハフニウム
ａ３＃とヨウ素１１０ｇを収容し、電源５によりフィラ
メント旦を約１５００℃に加熱すると共に、蒸着容器１
を外部から約４００℃に加熱し、クリスタルバーハフニ
ウムをフィラメント９上に析出させた。こうした析出操
作を２５時間行なったところ、平均直径Ｌ６ｃｆ１１の
クリスタルバーハフニウムを得ることができ、かつ給電
治具３ａ、３ｂ付近でのフィラメント旦の破断は全く発
生しなかった。

また、上記実施例１〜３により製造されたクリスタルバ
ーハフニウムの成分を分析したところ、下記第１表に示
す結果を得た。なお、第１表中には原料として使用した
スポンジノ１フニウム成分分析値を併記した。

第　　１　　表 上記第１表から明らかなように本実施例１〜３で製造さ
れたクリスタルバーハフニウムは酸素の含有量が極めて
少ないことが判る。

実施例４ 直径０．９　ｖｔｍ　、長さ４０ｅＩＲのクリスタルバ
ーハフニウム線の両端部（いずれも先端から３ｃＩＲの
長さ）を除く表面にアルミニウム箔でマスキングした後
、アルゴン雰囲気、圧力的６Ｘ１０　　ｔｏｒｒ、　　
電圧４００Ｖ、電流７人の条件でグロー放電スパッタを
３０分間行なって同ハフニウム線の先端を含む両端部に
平均厚さ７μｍのＭＯ被被膜蒸着して第５図に示す形状
のフィラメント９１を製作した。このフィラメント９１
のＭＯ被被膜、ハフニウム線に対して充分に満足する密
着性を示した。

得られたフィラメント９１を蒸着容器１内の給電治具３
ａ、３ｂに保持させて、第１図と同様な装置を組立てた
。こうした装置の蒸着容器１内を脱気、後、スポンジハ
フニウム２．９＃とヨウ素８０ｇを収容し、電源５によ
りフィラメント９１を約１６００℃に加熱すると共に、
蒸着容器を外部から約４００℃に加熱し、クリスタルバ
ーハフニウムをフィラメント９−上に析出させた。こう
した析出操作を３０時間行なったところ、平均直径１７
５Ｉのクリスタルバーハフニウムを得ることができ、か
つ給電治具３ａ、３ｂ付近でのフィラメント９′の破断
は全く発生しなかった。

実施例５ 直径０．９　ａｍ　、長さ４０個のクリスタルバー７１
フニウム線の両端部（いずれも先端から３画の長さ）を
除く表面にアルミニウム箔でマスキングした後、アルゴ
ン雰囲気、圧力的６　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒ　、電圧４
５０■、電流８人の条件でグロー放電スパッタを３５分
間行なって同ハフニウム線の先端を含む両端部に平均厚
さ７μｍのＷ被膜を蒸着して第５図に示す形状のフィラ
メント９１を製作した。このフィラメント９１のＷ被膜
は、ノ１フニウム線に対して充分に満足する密着性を示
した。

得られたフィラメント９′を蒸着容器１内の給電治具３
ａ、３ｂｊこ保持させて、第１図と略同様な装置を組立
てた。こうした装置の蒸着容器１内を脱気後、スポンジ
ハフニウム３．９＃とヨウ素１２０ｇを収容し、電源５
によりフィラメント９’を約１６００℃に加熱すると共
に、蒸着容器を外部から約４００℃に加熱し、クリスタ
ルバーハフニウムをフィラメント９Ｉ上に析出させた。

こうした析出操作を１８時間行なったところ、平均直径
１．４゜のクリスタルバーハフニウムを得ることができ
、かつ給電治具３ａ　、３ｂ付近でのフィラメント９′
の破断は全く発生しなかった。

実施例６ 直径０．９　ｍ　、長さ４０ｃｍのクリスタルバーハフ
ニウム線の両端部（いずれも先端から３５！の長さ）を
除く表面にアルミニウム箔でマスキングした後、アルゴ
ン雰囲気、圧力的６Ｘ１０　　ｔｏｒｒ、電圧４００Ｖ
、電流７Ａの条件でグロー放電スパッタを１５分間行な
って同ハフニウム線の先端を含む両端部に平均厚さ２０
μｍのｐｔ被被膜蒸着して第５図に示す形状のフィラメ
ント９１を製作した。このフィラメント９１のＰｔ被膜
は、ハフニウム線に対して充分に満足する密着性を示し
た。

得られたフィラメント９１を蒸着容器ｌ内の給電治具３
ａ、３ｂに保持させて、略第１図と同様な装置を組立て
た。こうした装置の蒸着容器１内を脱気後、スポンジハ
フニウムλ３＃とヨウ素１１０ｇを収容し、電源５によ
りフィラメント９１を約１５００℃に加熱すると共に、
蒸着容器１を外部から約４００℃に加熱し、クリスタル
バーハフニウムをフィラメント９′上に析出させた。こ
うした析出操作を２５時間行なったところ、平均直径１
．６０のクリスタルバーハフニウムを得ることができ、
かつ給電治具３ａ、３ｂ付近でのフィラメント９Ｉの破
断は全く発生しなかった。

また、上記実施例４〜６により製造されたクリスタルバ
ーハフニウムの成分を分析したところ、下記第２表に示
す結果を得た。なお、第２表中には原料として使用した
スポンジハフニウム成分分析値を併記した。　＾久千４
白 第　　２　　表 （単位：Ｚｒのみ重量％、その他はｐｐｍ）上記第２表
から明らかなように本実施例４〜６で製造されたクリス
タルバーハフニウムは酸素の含有量が極めて少ないこと
が判る。

な右、上記実施例では、蒸着容器内に固形状のＨｆ及び
Ｉ、を収容してクリスタルバーハフニウムを製造する場
合について説明したが、固形状のＨｆＩ。、固形状のＨ
ｆＩ、とＨｆ、或いは固形状のＨｆＩ。とＨｆと工、を
蒸着容器に供給してクリスタルバーハフニウムを製造し
てもよい。

〔発明の効果〕

以上詳述した如く、本発明によればハロゲン化物分解法
、特にヨウ化物分解法によるクリスタルバーハフニウム
の製造に際し、フィラメントを構成するハフニウム線の
ヨウ素による破断を防止した耐久性の優れたクリスタル
バーハフニウム製造用装置を提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のクリスタルバーハフニウム製造用装置
の一形態を示す概略断面図、第２図は、第１図のクリス
タルバーハフニウム製造用装置に進用装置に使用される
フィラメントの他の形態を示す断面図、第１１図は従来
のクリスタルバーハフニウム製造用装置を示す概略断面
図である。 １・・・蒸着容器、３ａ、３ｂ・・・給電治具、４ａ。 ４ｂ・・・リード線、５・・・電源、６・・・スポンジ
ハフニウム、７・・・ヨウ素、８・・・ＨｆＩ、、９　
、９１　　・・・フィラメント、１０・・・ハフニウム
線、１１・・・線材、１２・・・被膜。 代理人　弁理士　則　近　憲　佑（他１名）第　　１　
図 第２図　　　第３図 第　　４　図 第５図 第　　６　図　　　　　　　　　　第　　７　図第　８
　図　　　　　　　　　第　　９　図第１０図 第ｉｔ図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ハロゲン化物分解法でクリスタルバーハフニウム
   を製造する装置において、フィラメントとして、給電治
   具と接触する両端部の少なくとも表面をハロゲンに対し
   て耐食性の優れた材料で形成したハフニウム線を用いる
   ことを特徴とするクリスタルバーハフニウム製造用装置
   。
2. （２）給電治具と接触する両端部が、ハフニウム線と接
   合されたハロゲンに対して耐食性を有する材料の線材か
   らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のク
   リスタルバーハフニウム製造用装置。
3. （３）給電治具と接触する両端部が、ハフニウム線を被
   覆したハロゲンに対して耐食性を有する材料の被膜で被
   覆されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のクリスタルバーハフニウム製造用装置。
4. （４）ハロゲンに対して耐食性を有する材料がモリブデ
   ン、タングステン及び白金のいずれかにより選択された
   ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   のクリスタルバーハフニウム製造用装置。