KR100964915B1 - 고분자 복합체 - Google Patents

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Abstract

고분자 복합체는 기재 및 기재의 적어도 일부에 구비된 고분자막을 포함하며, 고분자막은 적어도 친수성을 가지고, 고분자 복합체는 물 또는 수계 용매에 노출된 상태에서 사용된다. 고분자막은 필수적으로 수용성 고분자로 구성된 감광성 수지 조성물을 광-교차결합하여 형성된 수지필름이고, 감광성 수지 조성물의 교차결합 동안 감광성 수지 조성물의 감광성 기의 일부가 기재의 표면에 고정된 아미노기에 결함함으로써, 수지필름이 기재에 고정된다.
복합체, 고분자막, 감광성

Description

고분자 복합체{POLYMER COMPOSITE}
도 1a 내지 도 1f는 안정성 평가 시험 후 고분자 복합체의 상태의 예를 보여주는 도면을 나타낸다.
도 2는 패턴 세포 배양 평가 중 배양 상태의 예를 보여주는 도면이다.
본 발명은 기재에 구비된 친수성 고분자막을 포함하는 고분자 복합체, 물 또는 수계 용매에 노출된 상태로 사용되는 고분자 복합체 및 고분자 복합체의 용도에 관한 것이다.
기재에 구비된 친수성 고분자막을 가지며 물 또는 수계 용매에 노출된 상태로 사용되는 고분자 복합체는 지금까지 바이오센서의 조성물로 사용되어 왔다 (일본 특허출원 출원공개 제 09-127041호 참조). 그 복합체 중에는, 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물, 열 교차결합제로서 글루타르알데하이드 및 기재의 생리활성 물질로부터 유도된 화합물의 혼합물의 수용액을 코팅하여 제조되는 고분자 복합체와, 열에 의해 이러한 재료를 교차결합하여 제조되는 고분자 복합체가 있다. 그러한 고분자 복합체가 고온을 받아들이지 못하는 생리활성 물질을 사용한다면, 교차 결합이 24시간 정도의 장기간 내내 낮은 온도에서 수행되어야 하는 공정에 관련된 문제가 나타난다.
기질에 광-교차결합된 PVA-sbQ(스틸바졸륨기를 가지는 폴리비닐 알코올) 용액을 포함하는 고분자막을 가지는 고분자 중합체는 바이오센서의 용도로 알려져 있다 (일본 특허출원 출원공개 제 07-113773호 참조). 그러나, 이러한 고분자 복합체는 물 또는 수계 용매에 노출될 때, 고분자막이 단시간에 기질로부터 박리되거나, 틈 때문에 고분자막이 붕괴되는 등의 문제점을 포함한다. 같은 문제점이 상기 일본 특허출원 출원공개 제 09-127041호에서 설명한 대로 광-교차결합제를 사용하는 고분자 복합체에 실재한다.
반면에, 세포 배양을 위한 기재는 수계 용액에 노출되어 사용된다. 알려진 세포 배양 기재는 기재에 전달되는 고분자 패턴, 즉, 고습 조건하에서 유기 용매의 소수성 고분자 용액으로부터 유기 용매의 증발 동안 용액 표면에 응결된 물방울을 주형으로 사용하여 침전시킨 고분자를 포함하는 고분자 패턴을 가진다 (Polymer Processing, Vol.50, No.1(2001), P. 10-15 참조). 그러나, 이러한 고분자 패턴은 소수성이기 때문에, 접착성 단백질의 비특이적인 흡착을 억제할 수 없다. 그 결과로서, 원하는 세포 이외의 다른 세포들이 고분자 패턴에 접착되어, 정밀 배양을 불가능하게 하는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기 문제점의 해결 과정에서 완성되었다. 물 또는 수계 용매에 노출된 상태로 사용될 때조차 장기간동안 안정한 구조를 유지할 수 있고, 세포 배 양 기재 또는 바이오센서에 대한 재료로서 바람직하게 사용될 수 있는 고분자 복합체를 제공하는 것이 본 발명의 과제이다.
발명의 개요
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 제 1의 태양은 기재 및 기재의 적어도 일부에 구비된 고분자막을 포함하며, 고분자막은 적어도 친수성을 가지며, 물 또는 수계 용매에 노출된 상태에서 사용되는 고분자 복합체로서, 고분자막은 필수적으로 수용성 고분자로 구성된 감광성 수지 조성물을 광-교차결합 하여 형성된 수지필름이고, 감광성 수지 조성물의 교차결합 동안 감광성 수지 조성물의 감광성 기의 일부가 기재의 표면에 고정된 아미노기에 결합함으로써, 수지필름이 기재에 고정되는 고분자 복합체에 있다.
제 1의 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 2의 태양은, 수지필름이 기재에 코팅된 감광성 수지 조성물의 전표면의 노광에 의해, 감광성 수지 조성물을 교차결합하여 형성되는 것에 특징이 있다.
제 1의 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 3의 태양은, 수지필름이 기재에 코팅된 감광성 수지 조성물을 패턴 노광 및 현상에 의해, 미노광 영역을 제거하여 기재의 일부에 구비되는 것에 특징이 있다.
제 3의 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 4의 태양은, 현상 후에, 미노광 영역에서 기재의 표면에 감광성 수지 조성물의 흔적이 제거되는 것에 특징이 있다.
제 4의 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 5의 태양은, 미노광 영역에서 기재의 표면에 아미노기가 제거되는 것에 특징이 있다.
제 1의 태양 내지 제 5의 태양 중 어느 한 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 6의 태양은, 감광성 수지 조성물이, (a) 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 고분자를 함유하는 조성물, (b) 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 광-교차결합제와 감광성 기를 가지지 않는 수용성 고분자를 함유하는 조성물, 또는 (c) 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 고분자, 감광성 기를 가지지 않는 수용성 고분자 및 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 광-교차결합제를 함유하는 조성물인 것에 특징이 있다.
제 6의 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 7의 태양은, 감광성 기가 하기 화학식 (1) 또는 화학식 (2)의 구조를 가지는 것에 특징이 있다. (R1 및 R2는 각각 수소원자, 설폰기 또는 설포네이트기를 나타낸다.)
Figure 112005016453817-pat00001
(상기 식에서, R1 및 R2는 각각 수소원자, 설폰기 또는 설포네이트기를 나타낸다.)
제 1의 태양 내지 제 7의 태양 중 어느 한 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 8의 태양은, 수계 용매가 생리조건 완충액, 단백질-함유 수용액, DNA- 함유 수용액, RNA-함유 수용액, 당-함유 수용액, 액체 배양 배지 및 세포 현탁액으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 1종인 것에 특징이 있다.
제 1의 태양 내지 제 8의 태양 중 어느 한 태양에 있어서, 본 발명의 고분자 복합체의 제 9의 태양은, 고분자 복합체가 바이오센서의 메트릭스 재료 또는 세포 배양의 기재인 것에 특징이 있다.
바람직한 구체예의 설명
이제, 본 발명이 이하에서 제시된 구체예에 근거하여 상세하게 설명될 것이다.
본 발명의 고분자 복합체는 기재 및 기재의 적어도 일부에 구비된 고분자막을 포함하며, 고분자막은 적어도 친수성을 가지고, 고분자 복합체는 물 또는 수계 용매에 노출된 상태에서 사용된다. 기재의 적어도 일부에 구비된 고분자막은 필수적으로 수용성 고분자로 구성된 감광성 수지 조성물을 광-교차결합 하여 형성된 수지필름이다. 감광성 수지 조성물의 교차결합 동안 감광성 수지 조성물의 감광성 기의 일부는 기재의 표면에 고정된 아미노기에 결합함으로써, 수지필름이 기재에 고정된다.
본 발명에서 사용되는 감광성 수지 조성물은 주성분으로 수용성 고분자를 함유하고, 감광성 기를 가지는 조성물이다. 그러나, 감광성 수지 조성물은 감광성 기를 가지는 수용성 고분자를 함유하는 조성물일 수도 있고, 또는 수용성 광-교차결합제, 즉 감광성 기를 가지는 화합물, 및 감광성 기를 가지지 않는 수용성 고분자를 함유하는 조성물일 수도 있다. 선택적으로, 감광성 수지 조성물은 감광성 기를 가지는 수용성 고분자, 감광성 기를 가지지 않는 수용성 고분자 및 수용성 광-교차결합제를 함유하는 조성물일 수 있다. 수용성 고분자의 함유량은 감광성 수지 조성물의 고형분 함유량에 기초하여, 바람직하게는 70 wt% 이상이며, 더욱 바람직하게는 85 wt% 이상이다.
수지필름을 형성하기 위한 감광성 수지 조성물에 함유되는 감광성 기에 어떤 한정이 부과되지는 않는다. 감광성 기는 공개적으로 알려진 감광성 기가 될 수 있지만, 아지도기를 가지는 감광성 기가 특히 바람직하다. 그 이유는 감광성인 아지도기와 기재의 표면에 고정된 아미노기는 빛 투사에 의해 안정한 공유결합을 형성하여, 고분자 복합체를 더욱 안정적으로 유지할 수 있기 때문이다.
특히 바람직하게는, 아지도기를 가지는 감광성 기는 상기 화학식 (1) 또는 화학식 (2)에 의해 표현된 구조를 가진다. 화학식 (1)은 1가의 기를 나타내고, 화학식 (2)는 2가의 기를 나타낸다. 양쪽의 화학식에서, 설포네이트기는 -SO3M으로 표현되고, 여기에 M은 나트륨 또는 칼륨과 같은 알칼리금속으로 예시된다. 감광성 기는 수용성 광-교차결합제 또는 수용성 고분자에 직접 결합될 수 있거나, 알킬렌 같은 간격 띄우개나 아미드 결합을 통하여 결합될 수 있다.
감광성 수지 조성물에 대해 공개적으로 알려진 성분은 수용성 고분자로 사용될 수 있다. 예를 들면 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리(메트)아크릴아마이드-다이아세톤(메트)아크릴아마이드 공중합체, 폴리-N-비닐포름아마이드 및 폴리-N-비닐아세트아마이드 등이다. 이러한 고분자 중, 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물은 바람직하게 사용될 수 있다. 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물의 고분자화 정도와 비누화 정도는 한정되지 않지만, 평균 고분자화 정도 200 내지 5000, 비누화 정도 60% 내지 100%를 가지는 것이 바람직하게 사용될 수 있다. 평균 고분자화 정도가 200보다 낮다면, 충분한 감도를 얻는 것이 어렵다. 평균 고분자화 정도가 5000보다 높다면, 감광성 수지 조성물의 점도가 높아져 나쁜 코팅성이 나타날 경향이 있다. 점도를 감소시키기 위한 낮은 농도는 원하는 코팅막 두께를 얻는 데 어려움을 나타낸다. 60% 이하의 비누화 정도는 충분한 수용성과 수현상성을 얻는 것을 어렵게 한다.
감광성 기를 가지는 수용성 고분자를 얻기 위하여, 예를 들면, 감광성 기(감광성 기 유니트)를 가지는 화합물을 수용성 고분자와 반응시키는 것이 추천할 만하다. 수용성 고분자에 감광성 기를 도입하기 위한 감광성 기를 가지는 화합물의 예는 3-(4-아지도페닐)-N-(4,4′-다이메톡시부틸)-2-(페닐카르보닐아미노-프로프-2-엔아마이드) (이하 "감광성 화합물 1" 이라고 한다), 2-(3-(4-아지도페닐)프로프-2-에놀아미노)-N-(4,4′-다이메톡시부틸)-3-(3-피리닐)프로프-2-엔아마이드) (이하 "감광성 화합물 2" 이라고 한다) 및 3-(4-아지도페닐)-N-(4,4′-다이메톡시부틸)-2-[(3-피리딜)카르보닐아미노]프로프-2-엔아마이드) (이하 "감광성 화합물 3" 이라고 한다)와 같은 일본 특허출원 출원공개 제 2003-292477호에서 설명된 감광성 기 유니트 및 3-(2-다이메톡시부틸)-(4-아지도벤질이덴-2-설폰산 나트륨)로다닌 (이하 "감광성 화합물 4" 이라고 한다) 및 3-(2-다이메톡시에틸)-(4-아지도벤질이덴-2-설폰산 나트륨)로다닌 과 같은 일본 특허 제 3163063호에 설명된 감광성 기 유니트이다. 일본 특허출원 출원공개 제 2003-292477호 및 일본 특허 제 3163036호의 화합물은 주로 저항제로 사용되고, 장기간동안 물 또는 수계 용매에 노출된 상태에서 사용되는 것이 의도되지는 않았다.
수용성 광-교차결합제는 한정되지 않고, 감광성 기를 가지는 어떤 것이 될 수 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 감광성 기로서 아지도기를 가지는 것이 선호된다. 예를 들어, 4,4′-다이아지도스틸벤-2,2′-다이설폰산 (이하 "감광성 화합물 5" 이라고 한다), 4,4′-다이아지도벤잘아세토페논-2-설폰산, 4,4′-다이아지도스틸벤-α-카르복실산, 및 알칼리금속염, 암모늄염, 및 그것들의 유기 아민염을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물은 용액의 상태에 있는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물에 대한 용매는 조성물에 함유되는 성분을 용해시킬 수 있는 한, 한정되지 않는다. 물 또는 물과 상용하는 유기 용매와 물의 혼합 용액이 사용될 수 있다. 물과 상용하는 유기 용매의 비한정적인 예는 아세톤, 메탄올과 같은 저급 알코올, 아세토나이트릴 및 테트라하이드로퓨란과 같은 케톤들이다. 고형물의 농도는 10 wt% 이하가 바람직하다.
또한, 감광성 수지 조성물의 광경화성을 손상시키지 않는 양의 첨가물이 감광성 수지 조성물에 첨가될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 고분자 복합체를 센서 용도에 사용할 때, 글루코오스 옥시다아제와 같은 효소, 이뮤노글로뷸린-G (IgG)와 같은 항체, 프로브로 사용되는 DNA와 RNA, 단백질 및 다당류 등의 필요한 기질을 첨가하는 것이 가능하다.
감광성 수지 조성물의 광-교차결합에 의해 형성된 수지필름이 구비되는 기재는 표면에 아미노기를 가질 필요가 있다. 기재의 표면에 존재하는 아미노기는, 안정하게 존재할 수 있다면 한정되지 않는다. 기재의 표면에 아미노기를 부여하는 방법으로서, 암모니아에서 또는 유기 염기 환경 하에서 플라스마 처리, 아미노기를 가지고 있는 고분자 재료로 표면 코팅, 표면 개조제로 기재의 표면 개조, 또는 그 자체로 표면에 노출된 아미노기를 가진 기재의 사용과 같이 공개적으로 알려진 방법을 사용하는 것이 가능하다. 기재의 표면에 아미노기를 부여하는 재료는 한정되지 않지만, 바람직하게는 폴리-L-리신이 사용될 수 있다.
기재의 형상 및 재질은 한정되지 않는다. 기재의 재질의 예로는 유리, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 실리콘, 다이아몬드, 금속 및 세라믹을 들 수 있다. 기재의 형상은 예를 들어, 판자형, 곡면을 가지는 판자형, 섬유형, 미세구멍의 평면 구조를 가지는 형상, 모세관형 및 관 형상 등이지만, 이러한 형상에 한정되지는 않는다. 바람직하게는, 유리가 재질로서 사용될 수 있고, 판자형이 형상으로 사용될 수 있다. 이런 이유는 그러한 재질과 그러한 형상이 마스크의 도움을 통해 패턴 구조를 준비하는 데 바람직하게 사용될 수 있기 때문이다.
본 발명의 고분자 복합체는 기재에 감광성 수지 조성물을 코팅하여 감광성 수지 조성물의 코팅막을 형성하는 공정과, 감광성 수지 조성물의 코팅막을 노광시켜 고분자막을 형성하는 공정 및 원한다면, 물 또는 수계 현상액으로 현상하여 고분자막을 형성하는 공정에 의해 얻을 수 있다.
기재에 코팅된 감광성 수지 조성물의 두께는, 그 두께가 코팅 가능하다면, 한정되지 않는다. 그러나, 선호되는 코팅 두께는 5㎚ 내지 5㎛이다. 코팅 두께가 5㎚ 미만이라면, 코팅이 균일하다고 확신하기가 어렵다. 코팅 두께가 5㎛ 초과라면, 사용된 감광성 수지 용액의 점도를 증가시는 것이 필수적이어서, 코팅성이 저하되는 공정상의 문제가 발생할 경향이 있다.
감광성 수지 조성물이 기재에 코팅된 후, 그 코팅막은 원한다면 열처리될 수 있다. 열처리는 선택적이고, 특별한 조건을 요구하지는 않는다. 그러나, 보통 열처리는 30 ~ 150℃에서 1분 내지 10시간 동안 수행되며, 바람직하게는 35 ~ 120℃에서 3분 내지 1시간 동안 수행된다.
기재에 코팅되는 감광성 수지 조성물의 전표면이 노광될 수 있거나, 감광성 수지 조성물의 원하는 패턴 부분이 노광될 수 있다. 패턴 노광하에서, 미노광 영역은 노광 후 현상하여 제거되고, 그리하여 임의의 패턴 형상을 가지는 고분자 복합체를 얻을 수 있다.
패턴 노광에서, 노광은 마스크를 통해 수행될 수 있다. 임의의 패턴을 형성하기 위한 마스크는 원하는 패턴을 잘라 내 버린 마스크이거나, 원하는 패턴만으로 구성된 마스크일 수 있다. 마스크는 감광성 수지가 음의 형이라면, 경화될 부위가 빛에 투과되는 것으로 디자인될 수 있다. 마스크는 노광동안 사용되는 빛의 통과를 최소화하는 형이 바람직하다.
노광을 위한 광원은, 사용된 감광성 기를 감광 가능하게 한다면, 한정되지 않는다. 예를 들어, X-선, 전자선, 엑시머(eximer) 레이저(F2, ArF, 또는 KrF 레이 저), 및 고압 수은 등이 광원으로 사용될 수 있다. 이러한 광원 중, 높은 감광효율을 가지는 파장이 바람직하게 사용될 수 있다. 노광 에너지는 감광성 기의 구조와 사용된 광원의 에너지에 관하여 적절하게 정해질 수 있다. 보통, 노광 에너지는 0.1 mJ/㎤ 내지 10 J/㎤ 이고, 바람직하게는 1 mJ/㎤ 내지 1 J/㎤ 이다.
전표면을 노광하는 경우에, 원한다면 가열을 한 후 물로 세정하는 것이 허용된다. 열처리는 선택적이고, 특별한 조건을 요구하지는 않는다. 그러나, 보통 열처리는 30 ~ 150℃에서 1분 내지 10시간 동안 수행되고, 바람직하게는 35 ~ 120℃에서 3분 내지 1시간 동안 수행된다. 또한, 감광성 수지 조성물의 코팅막의 물성이 패턴 노광에 의해 변화된 후, 노광된 코팅막은 원한다면 가열된 후 현상된다. 이 열처리도 선택적이고, 특별한 조건을 요구하지는 않는다. 그러나, 보통 열처리는 30 ~ 150℃에서 1분 내지 10시간 동안 수행되고, 바람직하게는 35 ~ 120℃에서 3분 내지 1시간 동안 수행된다.
현상을 위한 현상액은, 그것이 미노광 영역과 노광 영역 간에 용해도에 충분한 차이를 준다면 한정되지 않는다. 물 또는 물과 상용하는 유기 용매와 물의 혼합 용액이 수용성 고분자의 미노광 영역을 용해시킬 수 있는 용매로서 사용될 수 있다. 물과 상용하는 유기 용매의 비한정적인 예는 아세톤, 메탄올과 같은 저급 알코올, 아세토나이트릴 및 테트라하이드로퓨란과 같은 케톤들이다. 이러한 용매의 어떤 것이라도 사용된다면, 비현상 영역 없는 만족스러운 패턴이 바람직하게 준비될 수 있다. 현상액는 상기 설명한 대로 혼합 용액일 수 있고, 그것의 농도가 미노광 영역을 용해하는 데 충분하다면 한정되지 않는다. 현상액이 물과 메탄올의 혼합 용액이라면, 메탄올의 농도는 100 wt% 미만의 어떤 값도 가질 수 있다.
현상은 처리된 노광된 재료를 현상액에 침지하는 방법, 또는 처리된 노광된 재료에 현상액을 코팅하는 방법, 처리된 노광된 재료 위에 현상액을 뿌리는 방법에 의해 수행될 수 있다. 현상에 의해 패턴 형성 후, 필요한 린스 공정, 건조 공정 등이 추가될 수 있다.
패턴화된 고분자 복합체의 경우에, 미노광 영역의 감광성 수지 조성물이 현상에 의해 제거된 후에도, 몇 가지 분자 층에 대응하는 감광성 수지 조성물은 물리적 흡착의 결과로서 기재에 남을 수 있다. 따라서, 현상 후에 미노광 영역에 남아있는 감광성 수지 조성물의 흔적, 즉, 감광성 수지 조성물의 지극히 얇은 층은 필요에 따라 제거된 후, 고분자 중합체는 사용될 수 있다. 남아있는 층을 제거하는 방법은 한정되지 않지만, 비한정적인 예로 플라즈마 투사에 의한 에칭, 화학적 에칭 등을 말할 수 있다. 산소 플라즈마에 의한 에칭이 특히 바람직하게 사용될 수 있다. 감광성 수지 조성물의 흔적을 제거함으로써, 감광성 수지 조성물의 영향을 배제할 수 있다. 감광성 수지 조성물의 영향은, 예를 들어, 단백질 흡착의 억제와 세포 접착의 억제를 포함한다. 본 발명에서 얻어진 고분자 복합체를 패턴 배양 등의 정밀한 세포 배양 기재로 사용할 때, 세포 접착이 고분자막 상에서 일어나지 않는 것이 필요하지만, 기재가 외부에 노출된 부위, 즉, 미노광된 영역에 대응하는 부위에서 세포 접착이 일어난다. 따라서, 본 발명의 고분자 복합체에 의해 형성된 구조를 세포 배양을 위한 기재로 사용하기 위하여, 흡착과 접착의 억제가 세포 접착이 필요한 현상 후에 미노광 영역에까지 일어나는 것은 바람직하지 않다. 따라서, 감광성 수지 조성물의 남은 흔적은 바람직하게는 제거되어야 한다.
미노광 영역에서의 감광성 수지 조성물의 흔적 뿐만 아니라, 미노광 영역의 기재 표면의 아미노기도 제거될 수 있다. 그 후, 그렇게 처리된 본 발명의 고분자 복합체가 사용될 수 있다. 기재 표면의 아미노기의 제거는 감광성 수지 조성물의 흔적의 제거를 위한 것과 같은 방법으로 수행될 수 있다. 미노광 영역(빛에 노출되지 않은 영역)에 대응하는 기재의 외부 노출 부위에 세포 접착은, 미노광 영역의 주위에 존재하는 고분자막에서보다 외부 노광 부위에서 소수성이 더 강하고, 더 강한 소수성이 피브로넥틴과 같은 접착 단백질의 흡착을 일으켜서, 차례로 세포 접착을 일으키는 사실에 의해 주로 야기된다고 생각된다. 따라서, 기재 표면의 양이온기인 아미노기가 제거됨으로써, 정전기 상호작용 하에서 다양한 단백질의 접착, 또는 음으로 대전된 표면을 가지고 있는 세포의 접착으로 인한 비특이적인 생물학적 작용을 억제하는 것이 가능하게 되었다. 단지 수용성 고분자만이 제거되고, 기재 표면의 아미노기, 특히 폴리-L-리신의 제거가 허용된다면, 아미노기를 가지는 폴리-L-리신에 의해 특정한 세포에 특이적인 자극을 부여할 수 있는 세포 배양 기재를 얻는 것이 가능하다.
본 발명의 고분자 복합체는 물 또는 수계 용매에 노출된 채로, 그것의 구조를 하루 이상 같은 장기간 동안 안정하게 유지하며서, 바람직하게 사용될 수 있다. 고분자 복합체가 물 또는 수계 용매에 노출된 상태에서 장기간 동안 그것의 구조를 안정하게 유지할 수 있는 원리는 밝혀지지 않았다. 그러나, 그것은 기재 표면에 존재하는 일부 아미노기 및 감광성 수지 조성물에 존재하는 일부 감광성 기가 빛과 함께 투사될 때 화학 반응을 일으키고, 공유결합을 형성하는 것에 기인한다고 생각된다. 예를 들어, 감광성 기로서 아지도기를 도입한 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물을 함유하는 감광성 수지 조성물이 사용될 때, 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물에서 아지도기는 빛이 투사될 때 교차결합에 대부분 소비된다고 생각된다. 그러나, 일부 아지도기는 많은 위치에서 기재의 표면에 공유적으로 결합될 수 있다. 그럼으로써, 물 또는 수계 용매의 습윤에 의한 박리 저항을 증가시킨다. 실제로, 고분자 복합체가 표면에 아미노기를 가지지 않은 기재에서 유사하게 구비되었을 때에, 고분자 복합체를 단 하루 동안 물에 침기하기만 해도 기재에 고분자막의 현저한 박피를 일으킨다. 이것은 상기 추측의 증거이다.
수계 용매는 물을 함유하는 용매라면, 한정되지 않는다. 그것의 비한정적인 예로는 아세톤과 같은 케톤, 메탄올과 같은 저당 알코올, 아세토나이트릴 및 테트라하이드로퓨란 등의 물과 상용하는 유기 용매와 물의 혼합물 ; 비스(옥살산)삼수소칼륨 수용액, 프탈산수소칼륨 수용액, 인산이수소칼륨과 인산수소이나트륨의 수용액, 사붕산나트륨 수용액 및 탄산수소나트륨과 탄산나트륨의 수용액과 같은 완충용액 ; 염화나트륨, 염화칼륨, 염화암모늄, 브롬화나트륨, 브롬화칼륨 및 브롬화암모늄과 같은 무기염 및 유기염의 수용액 ; 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀 에테르, 폴리옥시에틸렌 모노아실 에스터, 소르비탄 모노아실 에스터, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노에스터 및 지방산 모노글리세리드와 같은 비이온성 계면활성제의 수용액 ; 올레산나트륨, 도데실 황산나트륨, 도데실벤젠 설폰산나트륨, 콜산, 데옥시 콜산, 케노데옥시 콜산, 라우릴아민 아세테이트, 사암모늄 염, 라우릴-β-알라닌, 알킬베타인 및 아킬 아미노폴리옥시에틸렌설페이트와 같은 이온성 계면활성제의 수용액 ; 알로오스, 알트로오스, 글루코오스, 만노오스, 굴로오스, 이도오스, 갈락토오스, 탈로오스, 리보오스, 아라비노오스, 크실로오스, 릭소오스, 에리트로오스, 트레오스, 프시코오스, 프룩토오스, 소르보오스, 타가토오스, 푸코오스, 데옥시당, 아미노당, 우론산, 유황당, 알디톨, 시클리톨, 울로스, 가지달린 당, D-글루코스, 녹말, 헤파린 및 황산헤파린과 같은 단당류, 올리고당류 및 다당류를 포함하는 당 수용액 ; 단백질 수용액 ; DNA 및 RNA 수용액 ; 액체 배양 배지 ; 및 그것들의 혼합물을 포함한다. 수계 용매는 물 또는 수계 용매에 용해되지 않고 분산되는 물질을 함유할 수 있다. 그러한 물질의 비한정적인 예로는 점토와 같은 무기물, 금 나노입자와 같은 미세 금속입자, 폴리스티렌 비즈 및 라텍스 입자와 같은 미세 고분자 입자, 동물 세포, 식물 세포, 미생물, 바이러스, 또는 이것들의 혼합물 등이다.
본 발명에 의한 고분자 복합체가 사용될 수 있는 온도는, 결과 구조를 비안정적으로 만들지 않는 한, 한정되지 않는다. 그러나, 바람직하게는 4 ~ 80℃의 온도가 사용될 수 있고, 특히 바람직하게는 10 ~ 60℃의 온도가 사용될 수 있다. 4℃ 미만의 온도에서는, 물이 부분적으로 얼어서 고분자 복합체의 안정성을 손상시킬 수 있다. 80℃ 초과의 온도에서는, 수용성 고분자에 결합된 감광성 기 또는 광-교차결합제가 분해되어, 그 구조를 유지할 수 없게 된다.
고분자 복합체는 물 또는 수계 용매에 노출되면서 사용될 때조차 장기간 동안 그 구조를 안정하게 유지할 수 있다. 보통은, 그런 고분자 복합체의 구조는 하 루 정도내에 분해되거나 파괴된다. 그러므로, 그것의 물에서의 장기간 안정성은 특별한 공정의 포함으로 증진시켜야 한다. 반면에, 본 발명에 의한, 물에 안정성을 가지는 고분자 복합체는 표면에 아미노기를 가지는 기재의 사용을 포함하는 상대적으로 간단한 방법으로 얻을 수 있다.
따라서, 본 발명에 의한 고분자 복합체는 바이오센서의 검출 부위에서 매트릭스로 사용될 수 있다. 예를 들어, 글루코오스의 농도를 측정하는 바이오센서의 경우에, 글루코오스를 환원하여 과산화수소를 발생하게 하는 글루코오스 옥시다아제가 감광성 수지 조성물에 혼합되고, 이 감광성 수지 조성물은 아미노기를 가지는 검출 기재에 광경화된다. 이러한 진행에 의해, 물 또는 수용액에서 장기간 동안 생산의 감소로부터 자유로운 글루코오스 센서가 구축될 수 있다.
유사하게, 예를 들어 비오틴을 함유하는 고분자 복합체는 비오틴을 함유하는 감광성 수지 조성물의 사용과 함께 아미노기를 가지는 금 표면에 형성된다. 이러한 진행에 의해, 엑틴을 검출할 수 있는 표면 플라스마 공명 (SPR) 바이오센서가 구축될 수 있다.
활성화된 침전물 또는 그 유사물에 대한 정화 시스템에서, 감광성 수지 조성물이 그 안에 함유된 유용한 미생물과 함께 광경화됨으로써, 미생물의 활성의 감소 없이 정제를 위한 장기간의 사용을 할 수 있다.
또한, 고분자 복합체는 아미노기를 가지는 배양 기재를 사용하여 준비된다. 이것은 친수성 표면 또는 친수성 표면 및 소수성 표면 양쪽을 임의적으로 디자인하는 것을 가능하게 한다. 그러한 표면을 가지고 있는 고분자 복합체는 패턴 배양계 와 같은 새로운 배양계에서 편리하게 사용될 수 있다.
세포 배양의 기재는 아미노기를 가지는 유리 또는 친수화된 폴리스티렌을 기재로 사용하고, 홀이나 줄무늬와 같은 형태를 가지기 위하여 기재에 감광성 수지 조성물을 패턴화하여 형성되는 고분자 조성물이다. 이러한 처리는 고분자막에 어떤 세포도 접착되지 않고, 기재가 외부에 노출된 부위에만 세포가 접착하고, 그 결과 세포가 패턴으로 정렬되는 세포 배양 기재를 얻을 수 있다.
실시예
이제, 본 발명을 다음의 실시예에 근거하여 상세하게 설명할 것이며, 본 발명에 어떤 한정도 하지 않았다.
실시예 1 :
폴리-L-리신-코팅 슬라이드 글라스(마쯔나미 유리공업(주)의 제품, 이하 "PLL-코팅 유리"라고 한다)를 표면에 아미노기를 가지는 기재로 사용하였다. 아지도기를 가지는 감광성 화합물인 감광성 화합물 2의 0.75mol%를 혼합한 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물의 수용액을 준비하였다(수용액은 감광성 수지 조성물 A ; 도요합성공업(주), 상표 "AWP"를 표시한다). 감광성 수지 조성물 A (고형물 농도 : 5wt%)을 PLL-코팅 유리에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.84㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 30mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 감광성 수지 조성물의 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
실시예 2 :
광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 1에서 사용된 회전 코팅의 조건을 초당 1000rpm×30에서 2500rpm×30으로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다. 광경화하기 전에 얻어진 필름 두께는 0.39㎛이었다.
실시예 3 :
광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 1에서 사용된 감광성 수지 조성물의 고형물 농도를 5wt%에서 3wt%으로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다. 광경화하기 전에 얻어진 필름 두께는 0.25㎛이었다.
실시예 4 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 1에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 5 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 2에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것 을 제외하고는, 실시예 2에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 6 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 3에 있어서 노광하는 동안, 정렬된 100㎛의 많은 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 실시예 3에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 7 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 100㎛/200㎛ 선/공간을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 1에 있어서 노광하는 동안, 100㎛/200㎛ 선/공간 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물이 노광하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 8 :
아미노실란-코팅 슬라이드 글라스(마쯔나미 유리공업(주)의 제품, 이하 "APS-코팅 유리"라고 한다)를 표면에 아미노기를 가지는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 A(고형물 농도 : 5wt%)를 APS-코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.90㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 30mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
실시예 9 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고, 표면에 형성된 홀 패턴을 가지고 있는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 8에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물이 노광되는 것을 제외하고는, 실시예 8에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 10 :
폴리-L-리신-코팅 96-웰 폴리스티렌 플레이트(수미토모 베이크라이트의 제품, 상표 "수밀론 셀타이트 PL 플레이트 96F", 0.32㎠/웰, 이하 "PLL-코팅 수지 플레이트"라고 한다)를 표면에 아미노기를 가지는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 A(고형물 농도 : 1wt%)를 PLL-코팅 수지 플레이트 위에 25㎕의 양으로 적하한 후, 40℃에서 2시간 동안 건조하여 막을 형성하였다. 그리고, 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 200mJ/㎠). 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
실시예 11 :
광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 아지도기를 가지는 감광성 화합물인 감광성 화합물 1의 0.75mol%를 혼합한 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물을 물/메탄올 70/30 (wt비)로 희석하여 준비한 감광성 수지 조성물 B(고형물 농도: 5wt%)을 실시예 1에서 사용한 감광성 수지 조성물 A 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다. 광경화하기 전에 얻어진 필름 두께는 1.0㎛이었다.
실시예 12 :
광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 아지도기를 가지는 감광성 화합물인 감광성 화합물 3을 혼합한 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물을 물로 희석하여 준비한 감광성 수지 조성물 C(고형물 농도: 5wt%)을 실시예 1에서 사용한 감광성 수지 조성물 A 대신에 사용한 것 이외에는, 실시예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다. 광경화하기 전에 얻어진 필름 두께는 1.0㎛이었다.
실시예 13 :
감광성 수지 조성물 D(도요합성공업(주)의 제품 : 상표 "RTP-1001")를 아지도기를 가지는 감광성 화합물인 감광성 화합물 4의 1.1mol%를 혼합한 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물을 물로 희석하여 준비하였다. 감광성 수지 조성물 D(고형물 농도 : 5wt%)를 PLL-코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.92㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 30mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
실시예 14 :
광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 13에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물이 노광되는 것을 제외하고는, 실시예 13에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 15 :
광-교차결합제로서 아지도기를 가지는 감광성 화합물 5와 폴리(메트)아크릴아마이드-다이아세톤(메트)아크릴아마이드 공중합체를 1:9 (중량비)의 비율로 함유한 수용액(이 수용액을 감광성 수지 조성물 E로 표시하였다)(도요합성공업(주)의 제품 : 상표 "PAD235")을 준비하였다. 감광성 수지 조성물 E(고형물 농도 : 5wt%)를 PLL-코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 1.98㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 45mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
실시예 16 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고, 표면에 형성된 홀 패턴을 가지고 있는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 15에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물이 노광되는 것을 제외하고는, 실시예 15에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 17 :
광-교차결합제로서 아지도기를 가지는 감광성 화합물 5와 폴리비닐 피롤리돈 을 1:9 (중량비)의 비율로 함유한 수용액(이 수용액을 감광성 수지 조성물 F로 표시하였다)(도요합성공업(주)의 제품 : 상표 "PVP-18")을 준비하였다. 감광성 수지 조성물 F(고형물 농도 : 5wt%)를 PLL-코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.58㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 45mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
실시예 18 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고, 표면에 형성된 홀 패턴을 가지고 있는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 17에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물이 노광되는 것을 제외하고는, 실시예 17에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 19 :
광-교차결합제로서 이크롬산나트륨(와코순수화학공업의 제품)와 폴리비닐 아세테이트 비누화 생성물(일본합성화학공업(주)의 제품, 상표 "EG-30")을 5:95 (중량비)의 비율로 함유한 수용액(이 수용액을 감광성 수지 조성물 G로 표시하였다)을 준비하였다. 감광성 수지 조성물 G(고형물 농도 : 6wt%)를 PLL-코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 40℃에서 3분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.81㎛이었다. 이 생성 물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 60mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
실시예 20 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고, 표면에 형성된 홀 패턴을 가지고 있는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 실시예 19에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물이 노광되는 것을 제외하고는, 실시예 19에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 1 :
소다 석회 슬라이드 글라스(마쯔나미 유리공업(주)의 제품, 이하 "비코팅 유리"라고 한다)를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 A (고형물 농도 : 5wt%)을 비코팅 유리에 적하한 후, 회전 도포법(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.80㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 30mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 2 :
광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교 예 1에서 사용된 회전 코팅의 조건을 초당 1000rpm×30에서 2500rpm×30으로 변경한 것을 제외하고는, 비교예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다. 광경화하기 전에 얻어진 필름 두께는 0.45㎛이었다.
비교예 3 :
광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 1에서 사용된 감광성 수지 조성물의 고형물 농도를 5wt%에서 3wt%으로 변경한 것을 제외하고는, 비교예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다. 광경화하기 전에 얻어진 필름 두께는 0.16㎛이었다.
비교예 4 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 1에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 5 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 2에 있어서 노광하는 동안, 직경 100㎛의 배열된 다수의 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 2에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 6 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자 막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 3에 있어서 노광하는 동안, 정렬된 100㎛의 많은 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 3에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 7 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 100㎛/200㎛ 선/공간을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 1에 있어서 노광하는 동안, 100㎛/200㎛ 선/공간 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물이 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 1에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 8 :
96-웰 폴리스티렌 플레이트(수미토모 베이크라이트의 제품, 상표 "수밀론 멀티플레이트 96F", 0.32㎠/웰, 이하 "비코팅 수지 플레이트"라고 한다)를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 A(고형물 농도 : 1wt%)를 비코팅 수지 플레이트 위에 25㎕의 양으로 적하한 후, 40℃에서 2시간 동안 건조하여 막을 형성하였다. 그리고, 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 200mJ/㎠). 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 9 :
비코팅 유리를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 B(고형물 농도 : 5wt%)를 비코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상 온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 1.0㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 30mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 10 :
비코팅 유리를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 C(고형물 농도 : 5wt%)를 비코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 1.0㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 30mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 11 :
비코팅 유리를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 D(고형물 농도 : 5wt%)를 비코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.91㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 30mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 12 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 11에 있어서 노광하는 동안, 정렬된 100㎛의 많은 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 11에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 13 :
비코팅 유리를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 E(고형물 농도 : 5wt%)를 비코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 1.82㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 45mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 14 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 13에 있어서 노광하는 동안, 정렬된 100㎛의 많은 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 13에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 15 :
비코팅 유리를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수 지 조성물 F(고형물 농도 : 5wt%)를 비코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 60℃에서 10분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.58㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 45mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 16 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 15에 있어서 노광하는 동안, 정렬된 100㎛의 많은 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 15에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
비교예 17 :
비코팅 유리를 표면에 아미노기를 갖지 않는 기재로 사용하였다. 감광성 수지 조성물 G(고형물 농도 : 6wt%)를 비코팅 유리 위에 적하한 후, 회전 코팅(1000rpm×30초)에 의해 막으로 형성하고, 40℃에서 3분 동안 건조하고 나서, 상온까지 냉각하였다. 얻어진 필름 두께는 0.81㎛이었다. 이 생성물을 고압 수은등에 의해, 그것의 전표면을 노광하였다 (노광량 : 60mJ/㎠). 그리고, 노광된 생성물을 25℃의 물에서 1분 동안 세정한 후, 60℃에서 10분 동안 건조하였다. 그 결과로써, 광경화에 의해 기재 상에 형성된 고분자막을 가지는 고분자 복합체를 얻었다.
비교예 18 :
광경화에 의해 기재 상에 형성되고 표면에 형성된 홀 패턴을 가지는 고분자막을 가지는 고분자 복합체를, 비교예 17에 있어서 노광하는 동안, 정렬된 100㎛의 많은 홀을 가지는 패턴이 얻어지도록 마스크를 통해 생성물을 노광하는 것을 제외하고는, 비교예 17에서 설명된 것과 같은 방법으로 얻었다.
실시예 21 : 에칭 처리
실시예 4에서 구비된 홀 패턴을 가지고 있는 고분자 복합체를 에칭을 위해 O2 플라스마 (300W, 20초)로 투사하였다. 그 결과로써, 노광 영역의 필름 두께가 0.3㎛ 만큼 감소했다. 에칭 후에, 미노광 영역을 고에너지 전자선으로 투사하여, 그 발생 가스를 ICP-MS로 집어넣었다. 유기 성분에 속하는 피크는 검출되지 않았고, 미노광 영역에 기재 표면의 감광성 수지 조성물의 흔적이 제거된 것을 확인하였다.
시험예 1 : 수계 용매에 노출 시험
실시예 1 내지 21 및 비교예 1 내지 18에서 얻어진 각각의 고분자 복합체를 37℃의 물 또는 다양한 수계 용매에 침지하였다. 3일 및 10일 경과 후에, 각각의 고분자 복합체를 물 또는 다양한 수계 용매에서의 고분자 복합체의 안정성을 평가하기 위하여 관찰하였다. 사용한 용매는 순수한 물, 인산이수소칼륨과 인산수소이나트륨(인산 완충용액, pH 7.4), 10% 아세톤 수용액, 5% 도데실 황산나트륨 수용액, 및 10% 소의 태아 혈청을 함유하는 둘베코 변형 이글 배지(닛스이제약(주)의 제품 ; 둘베코 변형 이글배지)이다. 물 및 인산 완충용액에 대하여, 60℃에서 침지 시험도 수행되었고, 3일 및 10일 후에 각각의 고분자 복합체를 관찰하였다. 일례로서, 10% 소의 태아 혈청을 함유하는 둘베코 변형 이글 배지에 37℃에서 침지한 실시예 4 및 비교예 4의 고분자 복합체에 관련하여, 침지 전후의 고분자 복합체의 상태가 도 1a 내지 도 1f에 나타난다.
모든 시험에 있어서, 침지 후의 실시예 1 내지 21의 고분자 복합체가 침지 전의 고분자 복합체와 비교할 때 표면 형상에 어떤 변화도 보이지 않았다. 팽창에 의한 고분자막의 박리 또는 붕괴 없이 안정한 상태에 있었다. 반면에, 비교예 1 내지 18의 고분자 복합체는 수행된 모든 시험에 있어서, 고분자막이 기재에 남아있지 않고 박리된 상태이거나, 고분자막이 완전히 박리되지는 않았지만, 너무 팽창하여 기재로부터 부분적으로 뜬 상태에 있었다.
이러한 조사결과는, 아미노기로 개조된 표면을 가지고 있는 기재상에 형성된 고분자막을 가지고 있는 본 발명의 고분자 복합체가 물 또는 수계 용매에서 그 구조를 안정하게 유지할 수 있다는 것을 확실하게 하였다.
시험예 2 : 세포 패턴 배양 시험
실시예 21에서 얻은 고분자 복합체를 세포 배양을 위한 기재로 사용하여, 세포 패턴 배양 시험이 수행되었다. 기재를 고압반응용기에서 멸균한 다음, 소의 혈관 내피 세포를 10일 동안 그 위에서 배양하였다. 10% 소의 태아 혈청을 함유하는 둘베코 변형 이글 배지를 사용하였다.
배양하는 동안, 고분자 복합체는 세포 배지에서 그 구조를 안정하게 유지하였다. 세포는 수용성 고분자막에 접착되지 않았지만, 유리가 외부에 노출된 부위에 만 단지 접착하였다. 도 2는 세포 패턴 배양의 평가 중의 배양 시작 후 24시간 시점에서의 상태를 나타낸다.
상기 기재된 구체예는 본 발명의 고분자 복합체를 설명한다. 그러나, 본 발명은 이러한 구체예에 한정되지는 않으며, 다양하게 변경 및 수정될 수 있다. 첨부된 청구항에 의해 정의된 본 발명의 정신과 영역에서 벗어나지 않고 그러한 변경, 치환 및 개조가 될 수 있다는 것을 이해하여야 할 것이다.
본 발명은 물 또는 수계 용매에 노출될 때 장기간 동안 안정한 수용성 고분자 복합체를 제공할 수 있다. 이러한 고분자 복합체는 물 또는 수계 용매에 노출된 상태로 사용될 수 있을 것으로 기대되는 수용성 고분자에 의해, 겔화제 또는 표면 개조제, 구체적으로는, 바이오센서의 매트릭스 또는 세포배양의 기재로 바람직하게 사용될 수 있다. 따라서, 고분자 복합체는 생명 과학 분야 또는 환경 분야의 디바이스 구축에 공헌하는 효과를 나타낸다.

Claims (9)

  1. 기재 및 상기 기재의 적어도 일부에 구비된 고분자막을 포함하며, 상기 고분자막은 적어도 친수성을 가지며, 물 또는 수계 용매에 노출된 상태에서 사용되는 고분자 복합체로서,
    상기 고분자막은 필수적으로 수용성 고분자로 구성된 감광성 수지 조성물을 광-교차결합하여 형성된 수지필름이고, 상기 감광성 수지 조성물의 교차결합 동안 상기 감광성 수지 조성물의 감광성 기의 일부가 상기 기재의 표면에 고정된 아미노기에 결합함으로써, 상기 수지필름이 상기 기재에 고정되며,
    상기 감광성 수지 조성물이,
    (a) 상기 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 고분자를 함유하는 조성물;
    (b) 상기 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 광-교차결합제와 감광성 기를 가지지 않는 수용성 고분자를 함유하는 조성물; 및
    (c) 상기 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 고분자, 감광성 기를 가지지 않는 수용성 고분자 및 감광성 기로서 아지도기를 가지는 수용성 광-교차결합제를 함유하는 조성물 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 수지필름은 상기 기재에 코팅된 상기 감광성 수지 조성물의 전표면의 노광에 의해, 상기 감광성 수지 조성물을 교차결합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 수지필름은 상기 기재에 코팅된 상기 감광성 수지 조성물의 패턴 노광 및 현상에 의해, 미노광 영역을 제거하여 상기 기재의 상기 일부에 구비되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 현상 후, 상기 미노광 영역에서 상기 기재의 상기 표 면에 상기 감광성 수지 조성물의 흔적이 제거되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 미노광 영역에서 상기 기재의 상기 표면에 상기 아미노기가 제거되는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서, 상기 감광성 기는 하기 화학식 (1) 또는 화학식 (2)의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
    Figure 112010004549793-pat00002
    (상기 식에서, R1 및 R2는 각각 수소원자, 설폰기 또는 설포네이트기를 나타낸다.)
  8. 제 1항에 있어서, 상기 수계 용매는 생리조건 완충액, 단백질-함유 수용액, DNA-함유 수용액, RNA-함유 수용액, 당-함유 수용액, 액체 배양 배지 및 세포 현탁액으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 고분자 복합체는 바이오센서의 메트릭스 재료 또는 세포 배양의 기재인 것을 특징으로 하는 고분자 복합체.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7521492B2 (en) * 2005-06-01 2009-04-21 3M Innovative Properties Company Self-extinguishing polymer composition
JP4978949B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-18 国立大学法人 東京大学 感光性樹脂及び感光性組成物並びに光架橋体
US20090181158A1 (en) * 2006-04-26 2009-07-16 Toyo Gosei Co., Ltd. Method of Producing Cell Culture Container
JP2008268197A (ja) * 2007-03-29 2008-11-06 Cci Corp タンパク質固定化膜、タンパク質の固定化方法およびバイオセンサ
KR100860506B1 (ko) * 2007-08-28 2008-09-26 연세대학교 산학협력단 금속 나노입자를 포함하는 고분자 복합재 및 그의 합성방법
EP2281900A1 (en) * 2009-08-03 2011-02-09 Roche Diagnostics GmbH Fructosyl peptidyl oxidase and sensor for assaying a glycated protein
WO2013153873A1 (ja) * 2012-04-09 2013-10-17 東洋合成工業株式会社 感光性化合物、感光性樹脂及び感光性組成物
WO2014112633A1 (ja) * 2013-01-18 2014-07-24 東洋合成工業株式会社 細胞培養用基材及び細胞培養用基材の製造方法
JP6487919B2 (ja) * 2013-08-29 2019-03-20 ノースイースタン ユニバーシティ 病原菌用マトリクスによって強化された電気化学検出器
JP6645324B2 (ja) * 2016-03-31 2020-02-14 東ソー株式会社 表面修飾フィルム
JP6890883B2 (ja) * 2016-03-31 2021-06-18 東ソー株式会社 光反応性ポリマー
CN108414607B (zh) * 2018-01-10 2021-01-01 中山大学 一种测量聚合物超痕量放射性本底的检测方法
US11021731B2 (en) * 2018-08-23 2021-06-01 Medtronic Minimed, Inc. Analyte sensing layers, analyte sensors and methods for fabricating the same
KR20240017812A (ko) * 2021-06-07 2024-02-08 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 코팅막 형성용 조성물, 코팅막, 및 세포 배양 용기

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02134937A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Nec Corp 通信装置の監視回路
JP2002005887A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Kawamura Inst Of Chem Res 親水性接液部を有する微小ケミカルデバイスの製造方法
JP2004041341A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Toray Ind Inc 体外循環用リガンド固定化材料およびそれを用いたカラム
JP2004082658A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Nippon Paper Industries Co Ltd 蛍光体転写フィルム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4218513A (en) * 1977-06-28 1980-08-19 Union Carbide Corporation Polymer composite articles containing amino substituted mercapto organo silicon coupling agents
US4491629A (en) * 1982-02-22 1985-01-01 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Water soluble photoresist composition with bisazide, diazo, polymer and silane
JPS60147729A (ja) * 1984-01-12 1985-08-03 Toshiba Corp ホトレジスト組成物
US4969998A (en) * 1984-04-23 1990-11-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Composite semipermeable membrane
JPH07113773B2 (ja) * 1986-07-04 1995-12-06 株式会社日立製作所 パタ−ン形成方法
JPH07113773A (ja) 1993-10-13 1995-05-02 Toto Ltd バイオセンサ
EP0771867A3 (en) 1995-10-30 1998-09-02 Ciba-Geigy Japan Limited Enzyme electrode
JP3163036B2 (ja) 1997-05-13 2001-05-08 東洋合成工業株式会社 感光性化合物及び感光性樹脂
US6156478A (en) * 1998-10-30 2000-12-05 3M Innovative Properties Company Photocurable and photopatternable hydrogel matrix based on azlactone copolymers
JP4036440B2 (ja) 2002-03-29 2008-01-23 東洋合成工業株式会社 新規な感光性化合物及び感光性樹脂並びに感光性組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02134937A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Nec Corp 通信装置の監視回路
JP2002005887A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Kawamura Inst Of Chem Res 親水性接液部を有する微小ケミカルデバイスの製造方法
JP2004041341A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Toray Ind Inc 体外循環用リガンド固定化材料およびそれを用いたカラム
JP2004082658A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Nippon Paper Industries Co Ltd 蛍光体転写フィルム

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