JPS60147729A - ホトレジスト組成物 - Google Patents
ホトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS60147729A JPS60147729A JP59002614A JP261484A JPS60147729A JP S60147729 A JPS60147729 A JP S60147729A JP 59002614 A JP59002614 A JP 59002614A JP 261484 A JP261484 A JP 261484A JP S60147729 A JPS60147729 A JP S60147729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- soluble
- adhesion
- photoresist
- compd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔開明の３ｉ術分野〕
本釦明はホトレジスト組成物（ニーし、挺４二峰しくは
、基板との接着性が向上したホトレジスト組成物（二重
する。
、基板との接着性が向上したホトレジスト組成物（二重
する。
従来から、ホトレジスト組成物は製版用又はホトエツチ
ング用として広く使用ＳＡＬでお９、それらの使用目的
橢対応して一成（二次のような性質を備えることが必要
とされている。すなわち、■屏偉力が優れていること、
■感度が高いこと、■保存性のよいこと、■硬化したホ
トレジスト膜が強靭で耐腐食性、耐摩耗性（二すぐれて
いること、■基板との密着性が良好でろって、現像ラチ
チュードが大きいこと、■使用されるホトレジスト及び
現像液は公害の虞れを生じないこと、などでめる。
ング用として広く使用ＳＡＬでお９、それらの使用目的
橢対応して一成（二次のような性質を備えることが必要
とされている。すなわち、■屏偉力が優れていること、
■感度が高いこと、■保存性のよいこと、■硬化したホ
トレジスト膜が強靭で耐腐食性、耐摩耗性（二すぐれて
いること、■基板との密着性が良好でろって、現像ラチ
チュードが大きいこと、■使用されるホトレジスト及び
現像液は公害の虞れを生じないこと、などでめる。
従来、これらの目的（二使用される水溶性ホトレジスト
としては、ニカワ、上２チン、卵白、ポリビニルアルコ
ールなどの水溶性高分子（二重クロム酸の塩類を混合し
た重クロム酸塩系のものが広く用いられてきた。これは
、このホトレジストが安価で、かつ、上日己した条件の
うち■、■、［有］６＝関してはほぼ満足する性能を備
えているからであった。しかしながら、この種のホトレ
ジストは、暗所６二おっても暗反応とよばれる自然反応
によって保々（＝変質して使用不能口なること、光果償
剤として使用されるクロムの紬采に伴って公害を発生す
ること、などの欠点なイしていた。
としては、ニカワ、上２チン、卵白、ポリビニルアルコ
ールなどの水溶性高分子（二重クロム酸の塩類を混合し
た重クロム酸塩系のものが広く用いられてきた。これは
、このホトレジストが安価で、かつ、上日己した条件の
うち■、■、［有］６＝関してはほぼ満足する性能を備
えているからであった。しかしながら、この種のホトレ
ジストは、暗所６二おっても暗反応とよばれる自然反応
によって保々（＝変質して使用不能口なること、光果償
剤として使用されるクロムの紬采に伴って公害を発生す
ること、などの欠点なイしていた。
このような欠点を除去するため（二、高分子材料白体鴫
；感光基な尋人したり、有機感光剤を上記高分子（二混
合したりしてホトレジストを製造することが試みられて
いる。
；感光基な尋人したり、有機感光剤を上記高分子（二混
合したりしてホトレジストを製造することが試みられて
いる。
それらの試みの１つとして、重クロム鐵塩類の代り（二
Ｍ機元架橋剤を水疹性高分子と混付してホトレジストを
構成する方法が知られている。
Ｍ機元架橋剤を水疹性高分子と混付してホトレジストを
構成する方法が知られている。
例えば、４．４’−ビスアジドスチルベン−２゜２′−
ジスルホン酸及びその塩のよう（二親木基なもつ水溶性
ビスアジド化合切とポリアクリルアミド。
ジスルホン酸及びその塩のよう（二親木基なもつ水溶性
ビスアジド化合切とポリアクリルアミド。
ポリビニルピロリドン、ゼラチンなどの水４４４分子と
から成るホトレジスト組成留がある。このビスアジド系
ホトレジストは、組み合わされる水ａ性高分子の性質（
二よって種々の性能をＭするホトレジスト４二なシ、上
記した条件のうち、■、■。
から成るホトレジスト組成留がある。このビスアジド系
ホトレジストは、組み合わされる水ａ性高分子の性質（
二よって種々の性能をＭするホトレジスト４二なシ、上
記した条件のうち、■、■。
■、すζニーしてほぼは満足する性＋１ヒを示す。しか
しながら、この種のホトレジストは一般）二基板との密
着性が悪く、現像条件が強すぎると硬化したホトレジス
ト膜が基板から一部又は全部が剥離したり、迎ζ二現像
条件か弱すぎると未硬化部分が残留・して充分な屏像度
を与えないという欠点を有している。
しながら、この種のホトレジストは一般）二基板との密
着性が悪く、現像条件が強すぎると硬化したホトレジス
ト膜が基板から一部又は全部が剥離したり、迎ζ二現像
条件か弱すぎると未硬化部分が残留・して充分な屏像度
を与えないという欠点を有している。
一般に、重クロム酸塩系のホトレジストζ二比べ、ビス
アジド系ホトレジストは基板との密着性Ｃ二劣る。この
理由は明らかではないが、重クロム酸塩系のホトレジス
トにおいては、クロムイオンが基板と高分子とを結合す
る作用を果すの（二対し、ビスアジド系ホトレジストで
はその効果がないためと考えられる。
アジド系ホトレジストは基板との密着性Ｃ二劣る。この
理由は明らかではないが、重クロム酸塩系のホトレジス
トにおいては、クロムイオンが基板と高分子とを結合す
る作用を果すの（二対し、ビスアジド系ホトレジストで
はその効果がないためと考えられる。
したがって、このような欠点を除去するため（：。
ビスアジド系ホトレジスト（二ｒ−アξノプロビルトリ
メトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）ｒ−アきノ
グロビルメチルジメトキシシラン及びＮ−（β−アミノ
エチル）ｒ−アミノグロビルト？メトキシシランの少な
くとも１種のシラン化合物を接着促進剤として添加し、
ホ）Ｌ／シストと基板との密着性を改善する試みもなさ
れている。＜ｔｒｉ公昭 ′５１−１９９８２号参照）
。しかしながら、これらシラン化合物を添加した場合で
あっても、ビスアジド系ホトレジストは基板との充分な
密着性を与えることはなかった。
メトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）ｒ−アきノ
グロビルメチルジメトキシシラン及びＮ−（β−アミノ
エチル）ｒ−アミノグロビルト？メトキシシランの少な
くとも１種のシラン化合物を接着促進剤として添加し、
ホ）Ｌ／シストと基板との密着性を改善する試みもなさ
れている。＜ｔｒｉ公昭 ′５１−１９９８２号参照）
。しかしながら、これらシラン化合物を添加した場合で
あっても、ビスアジド系ホトレジストは基板との充分な
密着性を与えることはなかった。
本発明は、取扱い上公害の心配がなく、良好な一解像度
及び保存性を備えるととも（＝、高感度で基板シニ対し
充分な密着性を示しかつ強靭な塗ＩＮを形成し得る新規
なホトレジストｍ成柳の提供を目的とする。
及び保存性を備えるととも（＝、高感度で基板シニ対し
充分な密着性を示しかつ強靭な塗ＩＮを形成し得る新規
なホトレジストｍ成柳の提供を目的とする。
本発明のホトレジスト組成物は、上ｄ己した時分が接着
促進剤として、ｒ−アミノプロビルトリメトキシン２ン
、Ｎ−（β−アミノエチル）ｒ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン及びＮ−（β−アミノエテル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシクランの少なくとも１ｓの７
ジン化合吻とから構成されているの（二対し、該感光性
組成物（二、接着促進剤として、一般式’ （Ｒ’ ０
）ａ Ｓ ｉ ＱＩＨｅ ＮＨＣｌ ＆ＮＨＣｍＨａ
８１ （ＯＲ’）ｓ （但しＲ′はメチル基かエチル
基かのいずれかである。）を含有させる事（二よりＸ全
体の基板との間（＝おける密着性を向上せしめたもので
ある。
促進剤として、ｒ−アミノプロビルトリメトキシン２ン
、Ｎ−（β−アミノエチル）ｒ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン及びＮ−（β−アミノエテル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシクランの少なくとも１ｓの７
ジン化合吻とから構成されているの（二対し、該感光性
組成物（二、接着促進剤として、一般式’ （Ｒ’ ０
）ａ Ｓ ｉ ＱＩＨｅ ＮＨＣｌ ＆ＮＨＣｍＨａ
８１ （ＯＲ’）ｓ （但しＲ′はメチル基かエチル
基かのいずれかである。）を含有させる事（二よりＸ全
体の基板との間（＝おける密着性を向上せしめたもので
ある。
本発明で用いる水溶性アジド化会物としては、公知の化
合瞼、例えば特公昭５１−４８９４６号公報Ｃ二妃載さ
れている、４．４′−ジアジドスチルベン＝２．２′−
ジスルホン戚、４．４’−ジアジドベンザルアセトフェ
ノン−２−スルホン酸、４．４’−シアジドスチルベＶ
−α−カルボン酸およびこれらの塩かつ、Ｐ−アジドベ
ンザルアセトン−２−スルホン酸、Ｐ−アジド−ベンザ
アルデヒド−２−スルホン酸及びこれらの塩をあげるこ
とができる。
合瞼、例えば特公昭５１−４８９４６号公報Ｃ二妃載さ
れている、４．４′−ジアジドスチルベン＝２．２′−
ジスルホン戚、４．４’−ジアジドベンザルアセトフェ
ノン−２−スルホン酸、４．４’−シアジドスチルベＶ
−α−カルボン酸およびこれらの塩かつ、Ｐ−アジドベ
ンザルアセトン−２−スルホン酸、Ｐ−アジド−ベンザ
アルデヒド−２−スルホン酸及びこれらの塩をあげるこ
とができる。
次≦二水溶性高分子の例としては公知のもの、例えば、
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリア
クリルアミド、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニル
アセタール、ポリ１クリＡ−１１１などの合成高分子；
ゼラチン、シェフツク、アラビアゴム、カゼインなどの
天然高分子；メチルビニルエーテルとマレイン酸、アク
リルアミドとダイア七トンアクリルアミド、アクリルア
ミドとビニルアルコールなどの共重合体；アクリロニト
リルグラフト化ポリビニルアルコール、グリシジルメタ
クリレートグラ７ト化ポリビニルアルコール。
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリア
クリルアミド、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニル
アセタール、ポリ１クリＡ−１１１などの合成高分子；
ゼラチン、シェフツク、アラビアゴム、カゼインなどの
天然高分子；メチルビニルエーテルとマレイン酸、アク
リルアミドとダイア七トンアクリルアミド、アクリルア
ミドとビニルアルコールなどの共重合体；アクリロニト
リルグラフト化ポリビニルアルコール、グリシジルメタ
クリレートグラ７ト化ポリビニルアルコール。
β−オΦ７エチルメタクリレートグ２７Ｆ化ポリビニル
アルコールなどのグラフト化された高分子；カルボキシ
メチルセルローズ、しドロキシメチルセルローズ、ヒド
ロキシグロビルセルローズ、ポリ−Ｌ−グルタミン酸（
Ｎａ塩）などの半合成高分子などを挙げることができる
。これらの水溶性高分子の少なくとも１種は、上目己し
た水溶性アジド化合物、と紫外線の作用により架橋する
ことが必要である。
アルコールなどのグラフト化された高分子；カルボキシ
メチルセルローズ、しドロキシメチルセルローズ、ヒド
ロキシグロビルセルローズ、ポリ−Ｌ−グルタミン酸（
Ｎａ塩）などの半合成高分子などを挙げることができる
。これらの水溶性高分子の少なくとも１種は、上目己し
た水溶性アジド化合物、と紫外線の作用により架橋する
ことが必要である。
本発明ベニかかる感光性組成＊＜二あっては、更（二、
これ（二少量の界面活性剤、例えば、ポリエチレングリ
コール、アルキルフェノキシポリエチレンオキサイドリ
ン戚エステル、ヘキサメタリン試ナトリウム等、あるい
は少量の゛アルコール類、例えば、エチルアルコール、
グリセリン、エチレングリコール、ソルビトール、ｔｅ
ｒ−ブチルアルコールなどを添加すると、該感光性組成
物の消泡性、感光膜形成性などを萬めるので有効である
。
これ（二少量の界面活性剤、例えば、ポリエチレングリ
コール、アルキルフェノキシポリエチレンオキサイドリ
ン戚エステル、ヘキサメタリン試ナトリウム等、あるい
は少量の゛アルコール類、例えば、エチルアルコール、
グリセリン、エチレングリコール、ソルビトール、ｔｅ
ｒ−ブチルアルコールなどを添加すると、該感光性組成
物の消泡性、感光膜形成性などを萬めるので有効である
。
本発明のホトレジスト組成物は、上（二詳述した感光性
組成物（二、一般式 ％式％） 、（但しＲ′は、メチル基かエチル基かのいずれか）で
示される水溶性シラン化合物を密着促進剤として含Ｍさ
せて構成される。
組成物（二、一般式 ％式％） 、（但しＲ′は、メチル基かエチル基かのいずれか）で
示される水溶性シラン化合物を密着促進剤として含Ｍさ
せて構成される。
不発ｄＡｌ：、かかる水溶性シラン化合豐としては、例
えば、 （Ｃ山０ ）ｓｓｉｃｓｆ（ａＮＨｃ＊瓜ＮＨＣｓＨａ
８ｉ （０ＣＲｓ ）ｓ（、ＣｔＨｓ Ｏ）＋＋ Ｓ
ｔ Ｃ５ＨｓＮＨＣｔ＆ＮＨＣ畠＆８ｉ （ＯＣｔ山）
易をあげる事ができ、これらは谷々単独で又は２種以上
の適宜な混合系として用いる事ができる。不発明のホト
レジスト組成＃ｌＪ（二おいて、該水溶性シラン化合物
の添加配合（含有）量は、水＃！性性分分子１００重量
部り０．０００１〜２０！［ｔｓ、好ましくは０．０１
〜１０１Ｌ量部楊度であり、この添加量で光分全体の基
板（二対する密着力を閤める事ができる。
えば、 （Ｃ山０ ）ｓｓｉｃｓｆ（ａＮＨｃ＊瓜ＮＨＣｓＨａ
８ｉ （０ＣＲｓ ）ｓ（、ＣｔＨｓ Ｏ）＋＋ Ｓ
ｔ Ｃ５ＨｓＮＨＣｔ＆ＮＨＣ畠＆８ｉ （ＯＣｔ山）
易をあげる事ができ、これらは谷々単独で又は２種以上
の適宜な混合系として用いる事ができる。不発明のホト
レジスト組成＃ｌＪ（二おいて、該水溶性シラン化合物
の添加配合（含有）量は、水＃！性性分分子１００重量
部り０．０００１〜２０！［ｔｓ、好ましくは０．０１
〜１０１Ｌ量部楊度であり、この添加量で光分全体の基
板（二対する密着力を閤める事ができる。
本発明（二かかる水溶性シラン化合物は、分子中両端１
二ＯＲ’で示されるアルコキシ基を有している為、基板
（例えばガラス板、金属板、セラミック板等）表ｒＪｎ
（：存在する水酸基又は吸着している水分と反応して基
板との密着力を一層高めるものと考えられる。しかも上
記水溶性シラン化合物は、公害の問題も発生しない為取
扱い４＝おいて安全性の上でも好ましいと言える。
二ＯＲ’で示されるアルコキシ基を有している為、基板
（例えばガラス板、金属板、セラミック板等）表ｒＪｎ
（：存在する水酸基又は吸着している水分と反応して基
板との密着力を一層高めるものと考えられる。しかも上
記水溶性シラン化合物は、公害の問題も発生しない為取
扱い４＝おいて安全性の上でも好ましいと言える。
実施例１．２
ポリビニルピロリドンｌｏｏｍｔ部、４．４′−ビスア
ジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸のナトリウム
塩５重量部を５ｏｏｏ ｎｉｔ部の水（二溶解し、ここ
鑑二密着促進剤として第１衣（＝示した２種類の水溶性
シラン化合物をそれぞｊＬｏ、１重′１に部配合して、
ホトレジスト液を調合した。ついで、これらのホトレジ
スト液をそれぞれガラス基板（１００Ｘ １００謁）の
上（＝塗布して乾燥させたのちマスク（直径０．３５１
１１の円をピッチ０．６１１１１で２次元（；配列した
もの）を密着し、５００ Ｗの超高圧水銀灯で１分間露
光せしめた。しかるのち（＝密着力を比較するため（−
１下紀の条件で現像した。
ジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸のナトリウム
塩５重量部を５ｏｏｏ ｎｉｔ部の水（二溶解し、ここ
鑑二密着促進剤として第１衣（＝示した２種類の水溶性
シラン化合物をそれぞｊＬｏ、１重′１に部配合して、
ホトレジスト液を調合した。ついで、これらのホトレジ
スト液をそれぞれガラス基板（１００Ｘ １００謁）の
上（＝塗布して乾燥させたのちマスク（直径０．３５１
１１の円をピッチ０．６１１１１で２次元（；配列した
もの）を密着し、５００ Ｗの超高圧水銀灯で１分間露
光せしめた。しかるのち（＝密着力を比較するため（−
１下紀の条件で現像した。
水 圧 ２．０１ｃｆｉ／Ｃｍ
液 温 ４ｏ〜４１℃
ノズルパネル間距離 ３００關
ノズル径 １．０關
現像時間 ２０秒
このときの、硬化ホトレジストのドツトの欠落の個数を
観察し、その結果を第１弐（＝用いた密着促進剤を対応
させて記した。
観察し、その結果を第１弐（＝用いた密着促進剤を対応
させて記した。
また、上ｄ己したホトレジスト組成物は、いずれもその
解像力が２０μｍ程度と良好で６９、形成された塗膜の
耐食性及び耐摩耗性も充分実用上満足のいくものであっ
た。更に、これらホトレジスト組成物は貯蔵性シニも優
れてお９、常温下、暗所に１ケ月曲放置しておいてもほ
とんど変質することがなかった。
解像力が２０μｍ程度と良好で６９、形成された塗膜の
耐食性及び耐摩耗性も充分実用上満足のいくものであっ
た。更に、これらホトレジスト組成物は貯蔵性シニも優
れてお９、常温下、暗所に１ケ月曲放置しておいてもほ
とんど変質することがなかった。
実施例３
ポリアクリルアミド父型を部、ポリビニルピロリドン５
０Ｊ［ｔ＃、’Ｐ−アジドベンｆルアセトン−２−スル
ホン酸のナトリクム塩１５重量部をａｏｏｏ重量部の水
（＝溶解し、実施例１，２と同様（二密着促進剤を添加
し同様の方法で評価した。結果は、実施例１．２同様の
良好な効果を得た。
０Ｊ［ｔ＃、’Ｐ−アジドベンｆルアセトン−２−スル
ホン酸のナトリクム塩１５重量部をａｏｏｏ重量部の水
（＝溶解し、実施例１，２と同様（二密着促進剤を添加
し同様の方法で評価した。結果は、実施例１．２同様の
良好な効果を得た。
比較例１〜３
実施例１〜３で用いた密着促進剤の代り（二弗２表（＝
示した密着促進剤を用い、かつホトレジスト液トシて、
ポリビニルピロリドン１００＊ｉｔｈ’ｌＳ、４゜４′
−ビスアジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸のナ
トリウム塩５ｉ量部を５０００重瀘部０水（−ｍ解した
もの使用した。実施例１〜３と同様（二して密着力を比
較した結果を第２表（二示した。
示した密着促進剤を用い、かつホトレジスト液トシて、
ポリビニルピロリドン１００＊ｉｔｈ’ｌＳ、４゜４′
−ビスアジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸のナ
トリウム塩５ｉ量部を５０００重瀘部０水（−ｍ解した
もの使用した。実施例１〜３と同様（二して密着力を比
較した結果を第２表（二示した。
以上の説明で明らかなよう（；、本発明のホ“トレジス
ト組成物は、■基板との密着力が高くなること、■解像
力も大きいこと、■耐食性、耐摩耗性にすぐれた虐膜を
形成し得ること、■貯蔵安定性（二優れること、■公害
問題の発生の虞れがないこと、などの利点をゼし、製版
用又はホトエツチング用としてその工業的価値は懺めて
大でるる。
ト組成物は、■基板との密着力が高くなること、■解像
力も大きいこと、■耐食性、耐摩耗性にすぐれた虐膜を
形成し得ること、■貯蔵安定性（二優れること、■公害
問題の発生の虞れがないこと、などの利点をゼし、製版
用又はホトエツチング用としてその工業的価値は懺めて
大でるる。
代理人 弁理士 則 近 悪 右（ほか１名）手 続
補 正 書（自発） 昭１５６す１０． Ｂ２Ｏ 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５９−２６１４号 ２、発明の名称 ホトレジスト組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代理人 〒１０５ 東京都港区芝浦−丁目１番１号 Ｏ明細書全文 訂正′明細書 １、発明の名称 ホトレジスト組成物 ２、特許請求の範囲 水溶性アジド化合物及び水溶性高分子から成る化合物を
含有させて成る事を特徴とするホトレジスト組成物。
補 正 書（自発） 昭１５６す１０． Ｂ２Ｏ 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５９−２６１４号 ２、発明の名称 ホトレジスト組成物 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代理人 〒１０５ 東京都港区芝浦−丁目１番１号 Ｏ明細書全文 訂正′明細書 １、発明の名称 ホトレジスト組成物 ２、特許請求の範囲 水溶性アジド化合物及び水溶性高分子から成る化合物を
含有させて成る事を特徴とするホトレジスト組成物。
３、発明の詳細な説明
〔発明の技術分野〕
本発明はホトレジスト組成物に関し、更に詳しくは、基
板との接着性が向上したホトレジスト組成物に関する。
板との接着性が向上したホトレジスト組成物に関する。
従来から、ホトレジスト組成物は製版用又はホ ゛トエ
ッチング用として広く使用されており、それらの使用目
的に対応して一般に次のような性質を備えることが必要
とされている。すなわち、■解像力が優れていること、
■感度が高いこと、■保存性のよいこと、■硬化したホ
トレジスト膜が強靭で耐腐食性、耐摩耗性にすぐれてい
ること、■基板との密着性が良好であって、現像ラチチ
ュードが大きいこと、■使用されるホトレジスト及び現
像液は公害の虞れを生じないこと、などである。
ッチング用として広く使用されており、それらの使用目
的に対応して一般に次のような性質を備えることが必要
とされている。すなわち、■解像力が優れていること、
■感度が高いこと、■保存性のよいこと、■硬化したホ
トレジスト膜が強靭で耐腐食性、耐摩耗性にすぐれてい
ること、■基板との密着性が良好であって、現像ラチチ
ュードが大きいこと、■使用されるホトレジスト及び現
像液は公害の虞れを生じないこと、などである。
従来、これらの目的に使用される水溶性ホトレジストと
しては、ニカワ、ゼラチン、卵白、ポリビニルアルコー
ルなどの水溶性高分子に重クロム酸の塩類を混合した重
クロム酸塩系のものが広く用いられてきた。これは、こ
のホトレジストが安価で、かつ、上記した条件のうち■
、■、■に関してはほぼ満足する性能を備えているから
であった。しかしながら、この種のホトレジストは、暗
所にあっても暗反応とよばれる自然反応によって徐々に
変質して使用不能になること、光架橋剤として使用され
るクロムの廃棄に伴って公害を発生すること、などの欠
点を有していた。
しては、ニカワ、ゼラチン、卵白、ポリビニルアルコー
ルなどの水溶性高分子に重クロム酸の塩類を混合した重
クロム酸塩系のものが広く用いられてきた。これは、こ
のホトレジストが安価で、かつ、上記した条件のうち■
、■、■に関してはほぼ満足する性能を備えているから
であった。しかしながら、この種のホトレジストは、暗
所にあっても暗反応とよばれる自然反応によって徐々に
変質して使用不能になること、光架橋剤として使用され
るクロムの廃棄に伴って公害を発生すること、などの欠
点を有していた。
このような欠点を除去するために、高分子材料自体に感
光基を導入したり、有機感光剤を上記高。
光基を導入したり、有機感光剤を上記高。
分子に混合したりしてホトレジストを製造することが試
みられている。
みられている。
それらの試みの、１つとして、重クロム酸塩類の代りに
有機光架橋剤を水溶性高分子と混合してホトレジストを
構成する方法が知られている。
有機光架橋剤を水溶性高分子と混合してホトレジストを
構成する方法が知られている。
例えば、 ４ 、４’−ビスアジドスチルベン−２゜２
′−ジスルホン酸及びその塩のように親水基をもつ水溶
性ビスアジド化合物とポリアクリルアミド。
′−ジスルホン酸及びその塩のように親水基をもつ水溶
性ビスアジド化合物とポリアクリルアミド。
ポリビニルピロリドン、ゼラチンなどの水溶性高分子と
から成るホトレジスト組成物がある。このビスアジド系
ホトレジストは、組み合わされる水溶性高分子の性質に
よって種々の性能を有するホトレジストになり・、上記
した条件のうち、■、■。
から成るホトレジスト組成物がある。このビスアジド系
ホトレジストは、組み合わされる水溶性高分子の性質に
よって種々の性能を有するホトレジストになり・、上記
した条件のうち、■、■。
■、■；−関してはほぼ満足する性能を示す。しかしな
がら、この種のホ）Ｌ／シストは一般に基板との密着性
が悪く、現像条件が強すぎると硬化したホトレジスト膜
が基板から一部又は全部が剥離したり、逆に現像条件か
弱すぎると未硬化部分が残留して充分な解像度を与えな
いという欠点を有している。
がら、この種のホ）Ｌ／シストは一般に基板との密着性
が悪く、現像条件が強すぎると硬化したホトレジスト膜
が基板から一部又は全部が剥離したり、逆に現像条件か
弱すぎると未硬化部分が残留して充分な解像度を与えな
いという欠点を有している。
一般に、重クロム酸塩系のホトレジストに比べ、ビスア
ジド系ホトレジストは基板との密着性に劣る。この理由
は明らかではないが、重クロム酸塩系あホトレジストに
おいては、゛クロムイオンカー基指と高分子とを結合す
る作□用を果すの６二対し、と□スアジＦ系ホトレジス
トではその効果がな′Ｉ／）ため− したがって、このような欠点を除去するため書＝、ビス
アジド系ホトレジストにｒ′−アミノプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−（β−アミノエテル）ｒ−アミノプロ
ビルメチルジメ□トキシシラソ及びリメトキνシランの
少なくとも１棟のシラン化合物を接着促進剤として添加
し、ホトレジストと基板との密着性を改善する試みもな
されている。
ジド系ホトレジストは基板との密着性に劣る。この理由
は明らかではないが、重クロム酸塩系あホトレジストに
おいては、゛クロムイオンカー基指と高分子とを結合す
る作□用を果すの６二対し、と□スアジＦ系ホトレジス
トではその効果がな′Ｉ／）ため− したがって、このような欠点を除去するため書＝、ビス
アジド系ホトレジストにｒ′−アミノプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−（β−アミノエテル）ｒ−アミノプロ
ビルメチルジメ□トキシシラソ及びリメトキνシランの
少なくとも１棟のシラン化合物を接着促進剤として添加
し、ホトレジストと基板との密着性を改善する試みもな
されている。
（特公昭５１−１９９８２号公報参Ｍ）。しかじなから
、これらシラン化合物ヲ添加した場合であっても、ビス
アジド系ホトレジスト組成物との充分な密着性を与える
ことはなかった。
、これらシラン化合物ヲ添加した場合であっても、ビス
アジド系ホトレジスト組成物との充分な密着性を与える
ことはなかった。
そこで、本発明者等は、種々の水溶性シラン化合物を検
討した結果分子中末端基番二少なくとも２を竹するシラ
ン化合物を用いれば充分Ｃ二密着性を改善できる事を見
出した。
討した結果分子中末端基番二少なくとも２を竹するシラ
ン化合物を用いれば充分Ｃ二密着性を改善できる事を見
出した。
〔発明の目的〕 □
本発明は、収扱い上公害の心配がなく、良好な解散度及
び保存性を備えるとともに、高感度で基板に対し充分な
密着性を示しかつ強靭な塗膜を形成し得る新規なホトレ
ジスト組成物の提供を目的とする。
び保存性を備えるとともに、高感度で基板に対し充分な
密着性を示しかつ強靭な塗膜を形成し得る新規なホトレ
ジスト組成物の提供を目的とする。
本発明のホトレジスト組成物は、上記特公昭５１−１９
９８２号公報に記載されているホトレジスト組成物が接
着促進剤としてｒ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、Ｎ−（β−アミノエテル）ｒ−アミノブロピルメチル
ジメトキジＶラン及びＮ−（β−１ミノエチル）ｒ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、すなわち、その分芋
中末端基に１つの１ルコキシシ→ンを有した水溶性シラ
ン化合物の少なくとも１種とから構成される装置に対し
、該感光性組成物に接着促進剤として分子中末端基に少
なくとも２個以上のアルコキシシランを有している水溶
性シラン化合物を含有させる事により、全体の基板との
間における密着性を一層向上せしめたものである。
９８２号公報に記載されているホトレジスト組成物が接
着促進剤としてｒ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、Ｎ−（β−アミノエテル）ｒ−アミノブロピルメチル
ジメトキジＶラン及びＮ−（β−１ミノエチル）ｒ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、すなわち、その分芋
中末端基に１つの１ルコキシシ→ンを有した水溶性シラ
ン化合物の少なくとも１種とから構成される装置に対し
、該感光性組成物に接着促進剤として分子中末端基に少
なくとも２個以上のアルコキシシランを有している水溶
性シラン化合物を含有させる事により、全体の基板との
間における密着性を一層向上せしめたものである。
本発明で用いる水溶性アジド化合物としては、公知の化
合物、例えば特公昭５１−４８９４６号公報に記載され
ている。 ４ 、４’−ジアジドスチルベン−２，２’
−ジスルホン酸、４，４′−ジアジドベンザルアセトフ
ェノン−２−スルホン酸、４．４’−ジアジドスチルベ
ン−α−カルボン酸およびこれらの塩かつ、Ｐ−アジド
ベンザルアセトン−２−スルホン酸、Ｐ−アジド−ベン
ザアルデヒド−２−スルホン酸及びこれらの塩をあげる
ことができる。
合物、例えば特公昭５１−４８９４６号公報に記載され
ている。 ４ 、４’−ジアジドスチルベン−２，２’
−ジスルホン酸、４，４′−ジアジドベンザルアセトフ
ェノン−２−スルホン酸、４．４’−ジアジドスチルベ
ン−α−カルボン酸およびこれらの塩かつ、Ｐ−アジド
ベンザルアセトン−２−スルホン酸、Ｐ−アジド−ベン
ザアルデヒド−２−スルホン酸及びこれらの塩をあげる
ことができる。
次に水溶性高分子の例としては公知のもの、例えば、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアク
リルアミド、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルア
セタール、ポリアクリル酸などの合成高分子；ゼラチン
、シェラツク、アラビアゴム、カゼインなどの天然高分
子；メチルビニルエーテルとマレイン酸、アクリルアミ
ドとダイア七トンアクリルアミド、アクリルアミドとビ
ニルアルコールなどの共重合体；アクリロニトリルグラ
フト化ポリビニルアルコール、グリｖジルメタクリレー
トグラフト化ポリビニルアルコール、β−オキシエチル
メタクリレートグラフト化ポリビニルアルコールなどの
グラフト化された高分子；カルボキンメチルセルローズ
、ヒドロキシメチルセルｏ−：ｘ、ヒドロキシプロピル
セルローズ、ポリ−Ｌ−グルタミン酸（Ｎａ塩）などの
半合成高分子などを挙げることができる。これらの水溶
性高分子の少なくとも１種は、上記した水溶性アジド化
合物、と紫外線の作用により架橋することが必要である
。
リビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアク
リルアミド、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルア
セタール、ポリアクリル酸などの合成高分子；ゼラチン
、シェラツク、アラビアゴム、カゼインなどの天然高分
子；メチルビニルエーテルとマレイン酸、アクリルアミ
ドとダイア七トンアクリルアミド、アクリルアミドとビ
ニルアルコールなどの共重合体；アクリロニトリルグラ
フト化ポリビニルアルコール、グリｖジルメタクリレー
トグラフト化ポリビニルアルコール、β−オキシエチル
メタクリレートグラフト化ポリビニルアルコールなどの
グラフト化された高分子；カルボキンメチルセルローズ
、ヒドロキシメチルセルｏ−：ｘ、ヒドロキシプロピル
セルローズ、ポリ−Ｌ−グルタミン酸（Ｎａ塩）などの
半合成高分子などを挙げることができる。これらの水溶
性高分子の少なくとも１種は、上記した水溶性アジド化
合物、と紫外線の作用により架橋することが必要である
。
本発明にかかる感光性組成物にあっては、更に、これに
少量の界面活性剤、例えば、ポリエチレングリコール、
アルキルフェノキシポリエチレンオキサイドリン酸エス
テル、ヘキサメタリン酸ナトリウム等、あるいは少量の
アルコール類、例えば、エチルアルコール、グリセリン
、エチレングリコール、ソルビトール、ｔｅｒ−フテル
アルコールなどを添加すると、該感光、性組成物の消泡
性、感光膜形成性などを高めるので有効である。
少量の界面活性剤、例えば、ポリエチレングリコール、
アルキルフェノキシポリエチレンオキサイドリン酸エス
テル、ヘキサメタリン酸ナトリウム等、あるいは少量の
アルコール類、例えば、エチルアルコール、グリセリン
、エチレングリコール、ソルビトール、ｔｅｒ−フテル
アルコールなどを添加すると、該感光、性組成物の消泡
性、感光膜形成性などを高めるので有効である。
本発明のホトレジスト組成物は、上に詳述した感光性組
成物に分子中末端基に少なくとも２個以上のアルコキシ
シランを有した水溶性シラン化合物を接着促進剤として
含有させて構成される。
成物に分子中末端基に少なくとも２個以上のアルコキシ
シランを有した水溶性シラン化合物を接着促進剤として
含有させて構成される。
本発明にかかる水溶性シラン化合物としては、例えば、
（ＣＨｓＯ） ｓ Ｓ ｉ ＣＩＨ６ＮＨＣｔＨａ Ｎ
ＨＣｓＨａ ８ ｉ （ＯＣＨｓ ）畠（Ｃ，ＨｓＯ）
、Ｓ ｊｃ、Ｈ，ＮＨＣ，Ｈ４ＮＨＣ，Ｈｓ８１（Ｑ
Ｃ！Ｈ，）。
ＨＣｓＨａ ８ ｉ （ＯＣＨｓ ）畠（Ｃ，ＨｓＯ）
、Ｓ ｊｃ、Ｈ，ＮＨＣ，Ｈ４ＮＨＣ，Ｈｓ８１（Ｑ
Ｃ！Ｈ，）。
をあげる事ができ、これらは各々単独で又は２種以上の
適宜な混合系として用いる事ができる。本発明のホトレ
ジスト組成物において、該水溶性シラン化合物の添加配
合（含有）量は、水溶性高分子１００重量部当り０．０
００１〜２０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部
程度であり、この添加量で充分全体の基板に対する密着
力を高める事ができる。
適宜な混合系として用いる事ができる。本発明のホトレ
ジスト組成物において、該水溶性シラン化合物の添加配
合（含有）量は、水溶性高分子１００重量部当り０．０
００１〜２０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部
程度であり、この添加量で充分全体の基板に対する密着
力を高める事ができる。
本発明にかかる水溶性シラン化合物が、公知のシラン化
合物に比べて密着力効果が得られるのは、下記理由によ
るものと思われる。
合物に比べて密着力効果が得られるのは、下記理由によ
るものと思われる。
従来、シラン化合物を接着促進剤としてガラス基板に塗
布・乾燥した場合、はじき現象によ？連続した硬化フィ
ルムが得られず、効率の良い接着促進効果を得る事がで
きなかった。その対策として両末端基にアルコキシシラ
ンを含有したプライマーを用いると硬化した連続フィル
ムが得られ、充分な接着補助効果を得る事ができる。ま
た、これは、ガラス基板表面のシラノール基とシラン化
合物のシラノール基との反応確率が倍になったためとも
考えられる。
布・乾燥した場合、はじき現象によ？連続した硬化フィ
ルムが得られず、効率の良い接着促進効果を得る事がで
きなかった。その対策として両末端基にアルコキシシラ
ンを含有したプライマーを用いると硬化した連続フィル
ムが得られ、充分な接着補助効果を得る事ができる。ま
た、これは、ガラス基板表面のシラノール基とシラン化
合物のシラノール基との反応確率が倍になったためとも
考えられる。
本発明は、末端基に２個以上のアルコキシνうの１つの
ものとは異なり、ガラス基板との間でレジスト被膜のは
じき現象がなく、密着力が充分に得られる。しかも、上
記水溶性シラン化合物は、 ′公害の問題も発生しない
ため、取扱いにおいて安全性の上でも好ましいと言える
。
ものとは異なり、ガラス基板との間でレジスト被膜のは
じき現象がなく、密着力が充分に得られる。しかも、上
記水溶性シラン化合物は、 ′公害の問題も発生しない
ため、取扱いにおいて安全性の上でも好ましいと言える
。
当然の事ながら、シラン化合物中の側鎖にアルコキシシ
ランを３つ以上のものを用いれば、一層効果が向上する
事は言うまでもない。
ランを３つ以上のものを用いれば、一層効果が向上する
事は言うまでもない。
実施例１〜４
ポリビニルピロリドン１００重量部、４，４′−ビスア
ジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸のナトリウム
塩５重量部を５０００重量部の水に溶解し、ここに密着
促進剤として第１表に示した４種類の水溶性シラン化合
物をそれぞれ０．１重量部配合して、ホトレジスト液を
調合した。ついで、これらのホトレジスト液をそれぞ庇
ガラス基板（１００Ｘ１００ｍ）の上に塗布して乾燥さ
せたのちマスク（直径０．３５ｆｆｌｌの円をピッチ０
．６ｍで２次元に配列したもの）を密着し、５００Ｗの
超高圧水銀灯で１分間露光せしめた。しかるのちに密着
力を比較するために、下記の条件で現像した。
ジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸のナトリウム
塩５重量部を５０００重量部の水に溶解し、ここに密着
促進剤として第１表に示した４種類の水溶性シラン化合
物をそれぞれ０．１重量部配合して、ホトレジスト液を
調合した。ついで、これらのホトレジスト液をそれぞ庇
ガラス基板（１００Ｘ１００ｍ）の上に塗布して乾燥さ
せたのちマスク（直径０．３５ｆｆｌｌの円をピッチ０
．６ｍで２次元に配列したもの）を密着し、５００Ｗの
超高圧水銀灯で１分間露光せしめた。しかるのちに密着
力を比較するために、下記の条件で現像した。
水 圧 ２．０ Ｋｔ／ｃｔｎ
液 温 ４０〜４１℃
ノズルパネル間距離 ３００ｓ１ｍｌ
ノズル径 １．０１１
現像時間 ２０秒
このときの、硬化ホトレジストのドツトの欠落の個数を
観察し、その結果を第１表に用いた密着促進剤を対応さ
せて記した。
観察し、その結果を第１表に用いた密着促進剤を対応さ
せて記した。
また、上記したホトレジスト組成物は、いずれもその解
像力が２０μｍ程度と良好であり、形成されび耐摩耗性
も充分実用上満足の いくものであった。更に、これらホトレジスト組成物は
貯蔵性にも優れており、常温下、暗所に１ケ月間放置し
ておいてもほとんど変質することがなかった。
像力が２０μｍ程度と良好であり、形成されび耐摩耗性
も充分実用上満足の いくものであった。更に、これらホトレジスト組成物は
貯蔵性にも優れており、常温下、暗所に１ケ月間放置し
ておいてもほとんど変質することがなかった。
実施例５〜９
ポリアクリルアミド５０重量部・ポリビニルピロリドン
５０重量部Ｐ−アジドベンザルアセトン−２−スルホン
酸のナトリウム塩１５重量一部を６０００重量部の水に
溶解し、実施例１〜４と同様に密着促進剤を添加し同様
の方法で評価した。結果は、実施例１〜４同様の良好な
効果を得た。
５０重量部Ｐ−アジドベンザルアセトン−２−スルホン
酸のナトリウム塩１５重量一部を６０００重量部の水に
溶解し、実施例１〜４と同様に密着促進剤を添加し同様
の方法で評価した。結果は、実施例１〜４同様の良好な
効果を得た。
以上の説明で明らかなように、本発明のホトレジスト組
成物は、■基板との密着力が高くなること、■解像力も
大きいこと、■耐食性、耐摩耗性にすぐれた塗膜を形成
し得ること、■貯蔵安定性に優れること、■公害問題の
発生の虞れがないこと、などの利点を有し、製版用又は
ホトエツチング用としてその工業的価値は極めて大であ
る。
成物は、■基板との密着力が高くなること、■解像力も
大きいこと、■耐食性、耐摩耗性にすぐれた塗膜を形成
し得ること、■貯蔵安定性に優れること、■公害問題の
発生の虞れがないこと、などの利点を有し、製版用又は
ホトエツチング用としてその工業的価値は極めて大であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水溶性アジド化曾吻及び水浴性高分子から成る感光性組
成物に、一般式： ％式％） 、（但し、Ｒ′はメチル基かエチル基かのいずれ）で示
される水溶性シラン化合物を含有させ′Ｃ成る事を特徴
とするホ）Ｌ／シスト組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002614A JPS60147729A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | ホトレジスト組成物 |
| DE19853500576 DE3500576A1 (de) | 1984-01-12 | 1985-01-10 | Photoresist-verbindung |
| US06/690,988 US4596755A (en) | 1984-01-12 | 1985-01-14 | Photoresist composition with azide having alkoxy silane as adhesion agent for glass substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002614A JPS60147729A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147729A true JPS60147729A (ja) | 1985-08-03 |
| JPH058418B2 JPH058418B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=11534271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002614A Granted JPS60147729A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | ホトレジスト組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4596755A (ja) |
| JP (1) | JPS60147729A (ja) |
| DE (1) | DE3500576A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110809737A (zh) * | 2017-06-30 | 2020-02-18 | 住友电木株式会社 | 感光性树脂组合物、树脂膜和电子装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181234A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Toshiba Corp | カラ−受像管蛍光面の形成方法 |
| JPH0693118B2 (ja) * | 1987-06-15 | 1994-11-16 | 日本製紙株式会社 | 感光性シート |
| US5183723A (en) * | 1988-10-21 | 1993-02-02 | Hoechst Celanese Corporation | Colored image on a degradable sheet material and method of formation |
| US5100757A (en) * | 1988-10-21 | 1992-03-31 | Hoechst Celanese Corporation | Method for forming a colored image on a degradable sheet material |
| US6262216B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-07-17 | Affymetrix, Inc. | Functionalized silicon compounds and methods for their synthesis and use |
| US6565920B1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-05-20 | Honeywell International Inc. | Edge bead removal for spin-on materials containing low volatility solvents fusing carbon dioxide cleaning |
| KR20020077948A (ko) | 2001-04-03 | 2002-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라음극선관용 포토레지스트 제조용 단량체,칼라음극선관용 포토레지스트 중합체, 칼라음극선관용포토레지스트 조성물 및 칼라음극선관용 형광막 조성물 |
| US20020146385A1 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-10 | Lin Tung Liang | Ionic antimicrobial coating |
| JP4373260B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-11-25 | 一則 片岡 | 高分子複合体 |
| US20080156346A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for cleaning a substrate |
| KR102394824B1 (ko) * | 2019-12-30 | 2022-05-06 | 주식회사 프로텍 | 연성 회로 기판 제조용 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3549368A (en) * | 1968-07-02 | 1970-12-22 | Ibm | Process for improving photoresist adhesion |
| US3586554A (en) * | 1969-01-15 | 1971-06-22 | Ibm | Process for increasing photoresist adhesion to a semiconductor by treating the semiconductor with a disilylamide |
| US3702766A (en) * | 1971-01-29 | 1972-11-14 | Eastman Kodak Co | Photoresist compositions containing n-halo cyclic imides |
| US3758306A (en) * | 1971-03-25 | 1973-09-11 | Du Pont | Photopolymerizable compositions and elements containing organosilanes |
| JPS5119982B2 (ja) * | 1972-01-26 | 1976-06-22 | ||
| JPS4968803A (ja) * | 1972-11-02 | 1974-07-03 | ||
| JPS5547383B2 (ja) * | 1972-12-13 | 1980-11-29 | ||
| JPS5525418B2 (ja) * | 1972-12-20 | 1980-07-05 | ||
| US4099973A (en) * | 1973-10-24 | 1978-07-11 | Hitachi, Ltd. | Photo-sensitive bis-azide containing composition |
| JPS5119982A (en) * | 1974-08-12 | 1976-02-17 | Nippon Electric Co | Denkatensodebaisuno nyuryokukozo |
| US4491629A (en) * | 1982-02-22 | 1985-01-01 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Water soluble photoresist composition with bisazide, diazo, polymer and silane |
| JPS58143340A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-25 | Toshiba Corp | ホトレジスト組成物 |
-
1984
- 1984-01-12 JP JP59002614A patent/JPS60147729A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-10 DE DE19853500576 patent/DE3500576A1/de active Granted
- 1985-01-14 US US06/690,988 patent/US4596755A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110809737A (zh) * | 2017-06-30 | 2020-02-18 | 住友电木株式会社 | 感光性树脂组合物、树脂膜和电子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4596755A (en) | 1986-06-24 |
| DE3500576C2 (ja) | 1989-02-09 |
| DE3500576A1 (de) | 1985-07-25 |
| JPH058418B2 (ja) | 1993-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60147729A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| EP1035439A3 (en) | Photosensitive resin composition, color filter, and copolymer resin useful for them | |
| US3884703A (en) | Bisazide sensitized photoresistor composition with diacetone acrylamide | |
| JPH08225773A (ja) | 反射防止膜組成物 | |
| KR860000707B1 (ko) | 포토레지스트(photoresist) 조성물 | |
| US4352878A (en) | Photoresist composition | |
| JPH0344291B2 (ja) | ||
| JPS57100940A (en) | Substrate coated with silicon oxide having high durability | |
| JPS60169847A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| US3890150A (en) | Photosensitive compositions including aromatic bis-acrylic derivatives | |
| JPS58143338A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| JPS58143340A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| US4560640A (en) | Photosensitive high polymer, easily insolubilized when cross-linked by light, a method for preparation thereof, and a composition thereof | |
| JPS58143339A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| KR102433079B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| DE4330279A1 (de) | Vorsensibilisierte Platte für die Verwendung zur Herstellung einer lithographischen Druckplatte, die kein Anfeuchtungswasser benötigt | |
| EP0200110B1 (en) | Photosensitive composition and pattern forming process using same | |
| KR960039051A (ko) | 개선된 음극선관용 포토레지스트 | |
| JPH07311460A (ja) | 水溶性感光性樹脂組成物 | |
| JPH0836265A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPS55124149A (en) | Photosensitive plate material for waterless lithographic printing | |
| JPS60203933A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| JPS60198535A (ja) | ホトレジスト組成物 | |
| JPS5674245A (en) | Pattern forming method | |
| JPH11160865A (ja) | 水溶性感光性組成物およびこれを用いたブラックマトリックスパターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |