KR100929761B1 - 주석-아연 합금 전기 도금 방법 - Google Patents

주석-아연 합금 전기 도금 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 종래의 주석-아연 합금 전기 도금에서는 곤란하였던 단시간에서의 처리를 가능하게 하는 전기 도금 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 도금액 온도: 30∼90℃, 도금액의 교반 속도: 5∼300m/min 및 음극 전류 밀도: 5∼200A/dm2의 조건 하에서 주석-아연 합금 전기 도금을 하는 방법을 제공한다. 바람직하게는 주석-아연 합금 도금욕 중의 2가의 주석 이온 농도는 1~100g/L이고, 아연 이온 농도는 0.2~80g/L이다.
주석, 아연, 합금, 전기 도금, 온도, 교반 속도

Description

주석-아연 합금 전기 도금 방법{METHOD FOR ELECTROPLATING WITH TIN-ZINC ALLOY}
  본 발명은 주석-아연 합금 전기 도금 방법에 관한 것이다.
주석-아연 합금 전기 도금은 내식성, 가공성, 납땜성이 우수하기 때문에 자동차 부품이나 전자 부품 등의 공업용 도금으로서 주목되고 널리 사용되어 왔다. 이 주석-아연 합금 전기 도금에 사용되는 도금욕으로서는 알칼리 시아나이드(alkali cyanide)욕, 피롤린(pyrroline)욕, 붕불화욕, 술폰산(sulfonic acid)욕, 카르복실산(carboxylic acid)욕 등이 제안되고, 일부 실용화되는데 이르고 있다.
이러한 전기 도금욕을 사용한 종래의 방법에서는, 처리 시간을 단축하기 위해서 고전류 밀도로 처리한 경우, 도금의 흠 석출, 그을림, 눌음 등이 발생하고, 주석-아연 합금 도금의 특성을 손상시키기 때문에 고속 전기 도금의 실용화는 곤란하였다. 실제, 피도금물을 치구에 장착하여 처리하는 락 방식(최대 전류 밀도 3A/dm2 정도)이나 피도금물을 배럴(barrel)에 넣고 처리하는 배럴 방식(최대 전류 밀도 1A/dm2)이 실용화되는데 머물러 있다. 또, 주석-아연 합금 도금을 단시간에 행하는 경우에는, 주석과 아연을 각각 별개로 전기 도금하고 합금화하는 방법이나 주석-아연 합금의 용융염에 의한 용융 도금법이 이용되어 왔다.
<발명이 해결하고자 하는 과제>  
  본 발명은 종래의 주석-아연 합금 전기 도금에서는 곤란했던 단시간에의 처리를 가능하게 하는 전기 도금 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>   
  본 발명은 도금욕온, 도금액의 교반 속도를 소정 이상으로 하고, 특정의 주석-아연 합금 도금욕을 사용함으로써, 단시간에 주석-아연 합금 전기 도금이 가능하다는 지식에 근거하여 이루어진 것이다.
  즉, 본 발명은 도금욕온: 30∼90℃, 도금액의 교반 속도: 5∼300m/min 및 음극 전류 밀도: 5∼200A/dm2의 조건 하에서 주석-아연 합금 전기 도금을 하는 방법을 제공한다.
<발명의 효과>  
본 발명에 의하면, 도금욕온, 도금액의 교반 속도를 소정 이상으로 하고, 특정의 주석-아연 합금 도금욕을 사용함으로써, 단시간에 주석-아연 합금의 전기 도금을 가능하게 할 수가 있다.
본 발명의 전기 도금 방법에 있어서의 도금욕온은 30∼90℃, 바람직하게는 40∼60℃이고, 도금액의 교반 속도는 5∼300m/min, 바람직하게는 10∼100m/min이다. 도금액의 교반은 구체적으로는 펌프에 의해 액순환시키는 분류식(噴流式)의 도 금 장치나 강판의 도금 장치 등을 적용할 수 있다. 도금 장치는 내열, 내약품성의 재질의 것이면 어느 것이라도 좋고, 스테인레스강(stainless steel), 티타늄(titanium) 등의 금속이나 염화비닐(vinyl chloride), 테플론(Teflon), ABS(acrylonitrile butadiene styrene) 수지 등을 사용할 수 있다. 또, 도금 막 두께 및 도금 합금 조성의 균일성을 향상시키기 위해, 피도금물 전체에 대해서 균일한 도금액의 교반 속도가 얻어지는 장치가 바람직하다.  
  본 발명의 전기 도금 방법에 사용하는 주석-아연 합금 전기 도금욕으로서는 당업자에게 공지의 어느 도금욕도 사용할 수가 있지만, 바람직하게는 히드록시카르복실산(hydroxycarboxylic acid) 또는 그 염을 함유하는 도금욕이다.
  히드록시카르복실산으로서는 1분자 내에 1 또는 2 이상의 히드록시(hydroxy)기와 1 또는 2 이상의 카르복실(carboxyl)기를 가지는 화합물이 바람직하다. 구체적인 히드록시카르복실산의 예로서는, 구연산, 주석산, 사과산, 글리콜산(glycolic acid), 글리세린산(glycerinic acid), 유산, β-히드록시프로피온산(β-hydroxypropionic acid) 및 글루콘산(gluconic acid)을 들 수 있다. 바람직하게는, 구연산, 주석산, 사과산 및 글루콘산이다. 또, 히드록시카르복실산염의 구체적인 예로서는, 상기 히드록시카르복실산의 알칼리 금속염(나트륨, 칼륨, 리튬염), 알칼리토류 금속염(마그네슘, 칼슘, 바륨염 등), 2가의 주석염, 아연염, 암모늄염 및 유기 아민염(모노메틸아민(monomethylamine), 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 이소프로필아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민(diethylenetrimaine) 등)을 들 수 있다. 바람직하게는 구연산, 주석산, 사과산 또는 글루콘산의 나트륨, 칼륨, 리튬염, 2가의 주석 및 아연염이다. 이들 히드록시카르복실산 및 그 염은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋고, 도금욕에 있어서의 농도는 0.25∼3mol/L, 바람직하게는 0.3∼1.5mol/L이다. 또한, 2가의 주석염 및/또는 아연염으로서 히드록시카르복실산염을 사용한 경우에는, 금속 이온의 반대 이온인 히드록시카르복실산도 상기의 농도의 일부를 구성한다.
  히드록시카르복실산 또는 그 염을 함유하는 도금욕의 pH는 바람직하게는 2∼10이고, 보다 바람직하게는 3∼9이다. 도금욕의 pH는 수산화물 및 탄산화물 등의 알칼리성 화합물이나 무기산, 유기산 등의 산성 화합물 등을 이용해 조정할 수가 있다. 구체적으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산리튬, 암모니아수 등의 알칼리성 화합물이나 황산, 염산, 술팜산(sulfamic acid), 메탄술폰산(methanesulfonic acid), 페놀술폰산(phenol sulfonic acid) 등의 산성 화합물을 들 수 있다.   
  또, 본 발명의 전기 도금 방법에 사용하는 주석-아연 합금 전기 도금욕으로서 지방족 아민과 유기산에스테르와 무수프탈산(phthalic anhydride)을 반응시킨 수용성 화합물 및 양성 계면활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 함유하는 도금욕을 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 예를 들면 지방족 아민 1몰당 유기산에스테르 0.2∼3몰을 온도 50∼99℃에서 10∼60분 반응시키고, 중량비로 얻어진 반응성 생성물 1에 대해 무수프탈산 0.1∼1을 온도 60∼130℃에 두고 30∼180분 반응시킨 수용성 화합물을 들 수 있다. 또, 양성 계면활성제로서는 이미다졸린(imidazoline)형, 베타인(betaine)형, 알라닌(alanine)형, 글리신(glycine)형 및 아마이드(amide)형 등을 들 수 있다. 수용성 화합물의 반응에 이용하는 지방족 아민으로서는 예를 들면 에틸렌디아민(ethylenediamine), 트리에틸렌테트라민, 이소부틸아민, 3-메톡시프로필아민, 이미노비스프로필아민, 디에틸아민, 헥사메틸렌테트라민, 디메틸아미노프로필아민(dimethylaminopropylamine) 등을 들 수 있고, 유기산에스테르로서는 예를 들면 말론산디메틸(dimethyl malonate), 호박산디에틸, 말레인산디에틸, 푸마르산디메틸(dimetyl fumarate), 주석산디에틸, 사과산디메틸, 타르트론산디에틸(diethyl tartronate) 등을 들 수 있다. 이들 수용성 화합물과 양성 계면활성제는 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋고, 도금욕에 있어서의 함유량은 0.001∼50g/L, 바람직하게는 0.01∼30g/L이다.
  지방족 아민과 유기산에스테르와 무수프탈산을 반응시킨 수용성 화합물 및 양성 계면활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 함유하는 도금욕의 pH는 바람직하게는 2∼10이고, 보다 바람직하게는 3∼9이다. 도금욕의 pH는 수산화물 및 탄산화물 등의 알칼리성 화합물이나 무기산, 유기산 등의 산성 화합물 등을 이용해 조정할 수가 있다. 구체적으로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산리튬, 암모니아수 등의 알칼리성 화합물이나 황산, 염산, 술팜산, 메탄술폰산, 페놀술폰산 등의 산성 화합물을 들 수 있다.  
  또, 본 발명의 전기 도금 방법에 사용하는 주석-아연 합금 전기 도금욕으로서 3급 아민 화합물 및 4급 아민 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 함유하는 도금욕을 사용할 수도 있다. 3급 아민 화합물로서는 예를 들면 이미다졸(imidazole)계 화합물, 지방족 아민 화합물을 들 수 있고, 4급 아민 화합물 로서는 예를 들면 3급 아민 화합물과 할로겐화알킬의 반응 생성물을 들 수 있다. 구체적인 3급 아민 화합물로서는 예를 들면 이미다졸계 화합물로서 이미다졸, 1-메틸이미다졸(1-methylimidazole), 1-에틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1-에틸-2-메틸이미다졸, 1-옥시메틸이미다졸, 1-비닐이미다졸 및 1, 5-디메틸이미다졸을 들 수 있고, 지방족 아민으로서는 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디메틸아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 이미노비스프로필아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민(tetraethylenepentamine), N, N-비스-(3-아미노프로필)에틸렌디아민 등을 들 수 있다. 또, 3급 아민 화합물과 반응시키는 할로겐화 알킬로서는 예를 들면 모노클로로초산(monochloroacetic aicd), 벤질클로라이드, 클로로아세트아미드, 3-아미노벤질클로라이드, 아릴클로라이드, 디클로로에탄, 모노클로로프로판, 디클로로글리세린, 에틸렌클로로히드린, 에피클로로히드린(epichlorohydrine)을 들 수 있다. 이들 3급 아민 화합물 및 4급 아민 화합물은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 좋고, 도금욕에 함유량은 0.1∼30g/L, 바람직하게는 0.2∼20g/L이다.
  3급 아민 화합물 및 4급 아민 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 함유하는 도금욕의 pH는 바람직하게는 10∼14이고, 보다 바람직하게는 12∼14이다. 도금욕의 pH는 수산화물 및 탄산화물 등의 알칼리성 화합물을 이용해 조정할 수가 있다. 구체적으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산리튬, 암모니아수 등을 들 수 있다.  
  본 발명의 전기 도금 방법에 사용하는 상기 도금욕에는 또한 비이온 계면활 성제, 음이온 계면활성제 및 양이온 계면활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 계면활성제를 함유할 수도 있다. 이들 계면활성제를 함유시킴으로써, 고전류 밀도에서의 석출을 치밀하게 할 수가 있으므로, 본 발명의 전기 도금 방법을 원활히 실시할 수가 있다.  
  본 발명의 도금 방법에 사용하는 도금욕의 주석 이온 농도는 2가의 이온이 1∼100g/L, 바람직하게는 5∼80g/L이고, 아연 이온 농도는 0.2∼80g/L, 바람직하게는 1∼50g/L이다. 이들 금속 이온원으로서는 예를 들면 각각의 금속의 수산화물, 산화물, 황산염, 염산염, 술팜산염(sulfamate), 피롤린산염, 히드록시카르복실산염, 술폰산염 및 아미노산염을 들 수 있다. 바람직하게는 각각의 금속의 산화물, 황산염, 염산염, 수산화물이다. 히드록시카르복실산염의 구체적인 예로서는 상기에 예시한 것을 들 수 있다. 술폰산염의 구체적인 예로서는 알칸술폰산염(alkanesulfonate), 알칸올술폰산염(alkanol sulfonate), 페놀술폰산염(phenol sulfonate)을 들 수 있다. 이중, 알칸술폰산의 구체적인 예로서는 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 이소프로판술폰산(isopropanesulfonic acid), 부탄술폰산, 펜탄술폰산 및 헥산술폰산을 들 수가 있고, 알칸올술폰산의 구체적인 예로서는 2-히드록시에탄술폰산(2-hydroxyethanesulfonic acid), 3-히드록시프로판술폰산, 2-히드록시부탄술폰산을 들 수가 있다. 페놀술폰산의 구체적인 예로서는 페놀술폰산, 크레졸술폰산(cresol sulfonic acid) 및 디메틸페놀술폰산을 들 수가 있다. 또, 아미노산의 구체적인 예로서는 글리신(glycine), 글루탐산(glutamic acid), 알라닌(alanine)을 들 수가 있다.   
  본 발명의 전기 도금 방법에 사용하는 도금욕에는, 도금시의 통전성을 양호하게 하기 위해서, 또한 황산, 염산, 술팜산, 피롤린산, 술폰산, 수산화물, 탄산화물의 알칼리 금속염(나트륨, 칼륨, 리튬염), 알칼리토류 금속염(마그네슘, 칼슘, 바륨염), 암모늄염, 유기 아민염(모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 이소프로필아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민(diethylenetriamine) 등)을 함유시킬 수가 있다. 구체적으로는 황산암모늄, 염화암모늄, 피롤린산나트륨, 술팜산모노메틸(monomethyl sulfamate), 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨 등을 들 수 있고, 황산암모늄, 염화암모늄, 수산화칼륨, 탄산칼륨이 특히 바람직하다. 이들 염의 함유량은 10∼300g/L, 바람직하게는 50∼200g/L이다.  
  본 발명의 전기 도금 방법에 사용하는 도금욕은 상기 함유 성분 이외를 물이라고 할 수가 있지만, 주석 및 아연의 광택제로서 이용되고 있는 첨가제를 함유할 수도 있다. 예를 들면, 합성 고분자(폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone), 폴리에틸렌글리콜 등), 케톤류(벤잘아세톤(bezalacetone), 아세토페논(acetophenone) 등), 지방족 알데히드(포르말린(formaline), 아세트알데히드, 크로톤알데히드 등), 방향족 알데히드(바닐린(vanillin), 살리실알데히드(salicylaldehyde), 오르소클로로벤즈알데히드 등), 불포화지방족 알데히드와 아민계 화합물에 의한 반응 생성물, 유황 화합물(티오요소(thiourea), 메르캅토벤즈이미다졸(mercaptobenzimidazole) 등), 또 Cu, Ni, Mn, Bi, In 등을 들 수 있다. 이러한 첨가제는 0.001∼50g/L, 바람직하게는 0.005∼30g/L 함유하는 것이 바람직하다. 또, 주석의 산화 방지제로서 카테콜(catechol), 피로갈롤(pyrogallol), 히드로퀴논(hydroquinone), 술포살리실산(sulfosalicylic acid), 디히드록시벤젠술폰산칼륨(potassium dihydroxybenzenesulfonate) 등의 히드록시페닐(hydroxyphenyl) 화합물 및 그 염이나 L-아스코르브산(L-ascorbic acid), 소르비톨(sorbitol) 등을 사용할 수도 있다.  
  본 발명의 도금 방법에 있어서의 피도금물은 Fe, Ni, Cu나 이들을 기본으로 한 합금의 금속 재료이고, 이것을 음극으로 하여 도금을 한다. 이 반대극에는 주석-아연 합금 또는 Ti재에 Pt 도금을 한 불용성 전극, 카본(carbon) 전극 등을 사용할 수가 있다. 불용성 양극을 사용하는 경우에는 상기의 주석 및 아연의 금속염을 직접 도금액에 용해시키는 방법 또는 주석 및 아연의 금속염을 고농도로 용해시킨 수용액을 보급함으로써 사용하는 도금욕의 금속 농도를 유지할 수가 있다. 이 금속의 고농도 수용액은 상기의 히드록시카르복실산 또는 그 염 및 수산화알칼리 화합물을 함유해도 좋다.   
  음극 전류 밀도는 5∼200A/dm2, 바람직하게는 10∼120A/dm2이고, 막 두께는 넓은 범위로 가능하지만 일반적으로 0.5∼500μm, 바람직하게는 2∼20μm이다.
  사용하는 도금욕 중의 주석 이온과 아연 이온의 비율을 변동시킴으로써, 폭넓은 조성의 주석-아연 합금 도금을 할 수가 있다. 예를 들면, 전자 부품에는 아연 함유율 3∼15%의 주석-아연 합금 도금을 할 수가 있고, 내염수성이나 내식성을 특히 강화하는 경우에는 아연 함유율 15∼45%의 주석-아연 합금 도금을 할 수가 있다. 또한 대기 폭로성을 고려한 높은 내식성의 피막을 얻으려고 하는 경우에는 아 연 함유율 50∼90%의 주석-아연 합금 도금을 할 수가 있다.
  본 발명의 도금 방법에서는 피도금물은 통상의 방법에 의해 사전 처리한 후에 도금 공정에 회부된다. 사전 처리 공정에서는 침지 탈지, 산세, 전해 세정 및 활성화의 적어도 하나의 조작을 한다. 도금 후에는 얻어진 피막을 물 세정하여 건조하면 좋고, 통상의 방법에 의한 크로메이트(chromate) 처리 및 화성(化成) 처리 또는 무기 및 유기물에 의한 코팅 처리를 할 수도 있다.
  다음에 실시예에 의해 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 목적에 따라 도금액 온도, 도금액의 유속 및 사용하는 도금욕의 조성을 임의로 변경할 수가 있다.
(실시예 1)
  강판을 사전 처리 후 하기의 도금욕을 사용하여 도금욕온: 60℃, 도금액의 교반 속도: 50m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다.
황산제일주석 (주석으로서)   30g/L
황산아연 (아연으로서)   25g/L
구연산 150g/L (0.71몰/L)
황산암모늄 100g/L
에틸렌디아민 1몰과 말론산디메틸 1몰을 10ml/L
85℃에서 60분 반응시킨 생성물 1에 대하여
중량비로 0.5의 무수프탈산을 95℃에서 90분
반응시킨 생성물  
pH4 (암모니아수로 조정)  
(실시예 2)
  강판을 사전 처리 후 실시예 1의 도금욕에 비이온 계면활성제로서 일본 유지(주) 제조의 나이민 NAG-1001을 5g/L 첨가하여, 도금욕온: 60℃, 도금액의 교반 속도: 30m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다.  
(실시예 3)
  강판을 사전 처리 후 하기의 도금욕을 사용하여 도금욕온: 60℃, 도금액의 교반 속도: 30m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다.
주석산칼륨 (주석으로서)   55g/L
산화아연 (아연으로서)    5g/L
수산화칼륨   80g/L
탄산칼륨 100g/L
1-메틸이미다졸 1몰과 벤질클로라이드 1g/L
1몰을 85℃에서 180분 반응시킨 생성물
디에틸렌트리아민 1몰과 에틸렌클로로히드린 1g/L
1몰을 100℃에서 90분 반응시킨 생성물  
pH14  
(실시예 4)
  인 청동판을 사전 처리 후 하기의 도금욕을 사용하여 도금욕온: 50℃, 도금액의 교반 속도: 60m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다.
황산제일주석 (주석으로서)   20g/L
황산아연 (아연으로서)     7g/L
구연산 120g/L (0.57몰/L)
황산암모늄  80g/L
트리에틸렌테트라민 1몰과 호박산디에틸  10ml/L
1.2몰을 80℃에서 40분 반응시킨 생성물 1
에 대하여, 중량비로 0.7의 무수프탈산을
90℃에서 120분 반응시킨 생성물
야자유 알킬-N-카르복시에틸-N- 5g/L
히드록시에틸이미다졸륨베타인나트륨  
pH5.5 (수산화나트륨으로 조정)  
(실시예 5)
  인 청동판을 사전 처리 후 하기의 도금욕을 사용하여 도금욕온: 60℃, 도금액의 교반 속도: 60m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다.
메탄술폰산주석 (주석으로서)   30g/L
메탄술폰산아연 (아연으로서)  15g/L
글루콘산나트륨 150g/L(0.69몰/L)
메탄술폰산 100g/L
에틸렌디아민 1몰과 말레인산디메틸 1몰을 8ml/L
90℃에서 60분 반응시킨 생성물 1에 대하여,
중량비로 0.5의 무수프탈산을 110℃에서
150분 반응시킨 생성물
살리실알데히드 0.05g/L
pH6.2 (수산화나트륨으로 조정)  
(비교예 1)
  강판을 사전 처리 후 실시예 1의 도금욕을 사용하여 도금욕온: 23℃, 도금액의 교반 속도: 50m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다.  
(비교예 2)
  강판을 사전 처리 후 실시예 1의 도금욕을 사용하여 도금욕온: 60℃, 도금액의 교반 속도: 2m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다.   
(비교예 3)
  강판을 사전 처리 후 실시예 3의 도금욕을 사용하여 도금욕온: 60℃, 도금액의 교반 속도: 3m/min의 조건 하에서 전기 도금 처리를 하였다. 
  실시예 1∼5, 비교예 1∼3의 도금 석출 상태, 석출 피막의 합금 조성(중량%), 처리 시간 및 막 두께를 표 1∼2에 나타낸다.   
Figure 112007011334261-pct00001
처리 시간의 단위는 모두 초(second)이다.
○: 치밀하고 평활한 석출
△: 부분적으로 흠 석출의 발생
×: 분말 형상의 거친 석출   
Figure 112007011334261-pct00002
처리 시간의 단위는 모두 초(second)이다.
○: 치밀하고 평활한 석출
△: 부분적으로 흠 석출의 발생
×: 분말 형상의 거친 석출  
Figure 112007011334261-pct00003
처리 시간의 단위는 모두 초(second)이다.
○: 치밀하고 평활한 석출
△: 부분적으로 흠 석출의 발생
×: 분말 형상의 거친 석출

Claims (6)

  1. 주석-아연 합금 도금욕을 사용하고,
    이하의 조건 하에서 행하는 주석-아연 합금 전기 도금 방법으로서,
    주석-아연 합금 도금욕이, i) 히드록시카르복실산 또는 그 염, 및 ii) 지방족 아민과 유기산에스테르와 무수프탈산을 반응시킨 수용성 화합물 및 양성 계면활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상 중 적어도 하나를 함유하고, 또한 주석-아연 합금 도금욕의 pH가 4∼9인 주석-아연 합금 전기 도금 방법.
    도금욕온: 30∼90℃,
    도금액의 교반 속도: 5∼300m/min, 및
    음극 전류 밀도: 10∼120A/dm2.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 
    주석-아연 합금 도금욕이 비이온 계면활성제, 음이온 계면활성제 및 양이온 계면활성제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 주석-아연 합금 전기 도금 방법.
  6.   제1항에 있어서, 
    주석-아연 합금 도금욕 중의 2가의 주석 이온 농도가 1∼100g/L이고, 또한 아연 이온 농도가 0.2∼80g/L인 것을 특징으로 하는 주석-아연 합금 전기 도금 방법.
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