KR100898659B1 - 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 반도체 기판에 터널 산화막, 폴리 실리콘막을 형성하는 단계;상기 폴리 실리콘막 및 상기 터널 산화막을 패터닝하고, 노출된 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 폴리 실리콘막의 상부 및 측벽이 드러나도록 상기 트랜치의 내부에 소자 분리막을 형성하는 단계;노출된 상기 폴리 실리콘막의 측벽에 스페이서막을 형성하는 단계;상기 소자 분리막의 중앙부에 리세스 홀을 형성하기 위한 식각 공정을 실시하는 단계; 및상기 스페이서막을 제거하는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 터널 산화막의 하부면과 상기 소자 분리막의 상부면의 높이 차이는 100Å 내지 600Å이 되도록 하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 스페이서막은 a-카본막, USG 또는 산화막으로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 a-카본막을 형성할 경우, 건식 식각 공정을 실시하여 상기 리세스 홀을 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각 공정은 SF6, NF3 또는 탄화플루오루(fluorocarbon)를 포함하는 가스, 탄화수소플루오루(fluoro-hydrocarbon)를 포함하는 가스, Cl2, BCL3, HBr 또는 HI 중 어느 하나 또는 혼합된 식각 가스를 사용하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 식각 공정은 상기 식각 가스에 O2, N2, CO 및 H2 중 어느 하나 또는 이들의 혼합가스를 더 혼합하여 실시하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 리세스 홀의 하부면과 상기 반도체 기판의 액티브 상부면의 높이 차는 -300Å 내지 300Å이 되도록 하고, 상기 리세스 홀의 폭은 100Å 내지 500Å이 되도록 하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 스페이서막을 제거하는 단계는 O2, N2 및 H2 중 어느 하나 또는 이들의 혼합가스를 사용한 건식 식각 공정으로 실시하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법.
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