KR100834702B1 - 반송처리장치 - Google Patents

반송처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100834702B1
KR100834702B1 KR1020060104941A KR20060104941A KR100834702B1 KR 100834702 B1 KR100834702 B1 KR 100834702B1 KR 1020060104941 A KR1020060104941 A KR 1020060104941A KR 20060104941 A KR20060104941 A KR 20060104941A KR 100834702 B1 KR100834702 B1 KR 100834702B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
processing apparatus
liquid
decompression chamber
Prior art date
Application number
KR1020060104941A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070046727A (ko
Inventor
후토시 시마이
시게루 가와타
Original Assignee
도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 filed Critical 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20070046727A publication Critical patent/KR20070046727A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100834702B1 publication Critical patent/KR100834702B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Abstract

본 발명은 웨트 유닛으로부터의 액체를 방지할 수 있는 반송처리장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은 또한 감압 챔버(20)의 반출구(23)의 상하방향의 치수는, 위 가장자리부가 기판(W)의 표면에 공급된 액체(현상액)에 접촉하지 않는 범위에서 낮게 설정되어 있다. 그 결과, 기판(W)가 반출구(23)을 통과할 때에는 기판(W) 윗면과 반출구(23)의 위 가장자리 사이의 극간이 작아지고, 또한 감압 챔버(20) 내는 음압이기 때문에, 외기가 기판(W) 윗면을 타고 감압 챔버(20) 내에 힘차게 들어오며, 기판(W)의 표면에 쌓여 있는 현상액은, 기류에 의해 기판의 긴 변으로부터 흘러 떨어지고, 흘러 떨어진 현상액은 회수구(24)를 매개로 회수된다.
웨트 유닛, 반송처리장치, 감압 챔버, 현상액, 반입구, 반출구

Description

반송처리장치{Transferring apparatus}
도 1은 본 발명의 반송처리장치의 하나의 실시형태를 나타내는 개략 구성도(일부)이다.
도 2는 감압 챔버의 요부(要部)의 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 반송처리장치의 다른 실시형태를 나타내는 개략 구성도(일부)이다.
도 4는 본 발명의 반송처리장치의 또 다른 실시형태를 나타내는 개략 구성도(일부)이다.
부호의 설명
1…반송처리장치, 2…반송용 롤러
10…현상장치(現象裝置), 12…반입구(搬入口), 13…반출구(搬出口), 14…현상액 공급 노즐
20…감압 챔버(reduced pressure chamber), 21…배기 덕트(duct), 22…반입구, 23…반출구, 24…현상액의 회수구(回收口)
30…린스장치, 31…제1 린스 챔버, 32…제2 린스 챔버, 33…제3 린스 챔버, 34…제4 린스 챔버, 35…캐스캐이드 탱크(cascade tank), 35a…캐스캐이드 탱크의 제1실, 35b…캐스캐이드 탱크의 제2실, 36…캐스캐이드 탱크, 37…반출구, 38…회수구
40…세정장치, 41…세정액 공급 노즐, 42…세정 브러시
50…UV 조사장치
60…감압 챔버, 61…반출구, 62…반입구, 63…배기구, 64…회수구
본 발명은 유리기판 등의 기판을 롤러 등에 의해 반송하면서 각종 처리를 행하는 반송처리장치에 관한 것이다.
종래부터, 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이, 처리효율을 향상시키기 위해, 기판의 반송 라인을 따라 각종 처리장치를 배치하고, 유리기판 등을 롤러 등에 의해 반송하면서 각종 처리를 행하도록 한 반송처리장치가 알려져 있다.
이러한, 기판의 반송 라인을 따라 각종 처리장치를 배치한 반송처리장치에서는, 예를 들면 UV 조사장치(드라이 유닛(dry unit))의 하류측에 세정장치(웨트 유닛(wet unit))를 배치하고, 기판을 UV 조사장치로 보내 표면에 부착되어 있는 유기물의 제거를 행한 후, 세정장치로 유리기판의 표면을 세정하는 경우도 있다.
[특허문헌 1] 일본국 특허공개 제2004-281991호 공보
그런데, 전술한 바와 같이, UV 조사장치와 세정장치가 인접하는 구성을 갖는 반송처리장치에서는, 예를 들면 어떠한 이유에 의해 UV 조사장치와 세정장치에 걸쳐 기판이 정지되어 버린 경우, 세정처리에 있어서 생긴 세정액이 기판 표면을 세 정장치 쪽으로부터 UV 조사장치 쪽을 향해 흘러 버리는 문제가 발생한다.
이 경우, UV 조사장치(50)의 램프(도시하지 않음)에 현상액이 걸려 고장 발생이나 기능 저하 등의 영향을 주게 된다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 기판을 반송하면서 상기 기판에 대해 각종 처리를 행하는 반송처리장치에 있어서, 이 기판면에 처리액을 공급하는 웨트 유닛이 삽입되고, 웨트 유닛에 인접하여 또는 웨트 유닛을 둘러싸듯이 감압 챔버가 설치되며, 감압 챔버에는 기판의 반입구 및 반출구가 형성되고, 반입구 및 반출구 중 적어도 한쪽의 위 가장자리부(上緣部)가 기판 표면에 공급된 처리액에 접촉하지 않는 범위에서 낮게 설정되며, 또한 감압 챔버의 저부(底部)에는 기판으로부터 낙하된 처리액의 회수구가 형성되어 있는 구성으로 하였다.
본 발명의 반송처리장치에 의하면, 이 기판면에 처리액을 공급하는 웨트 유닛이 삽입되고, 웨트 유닛에 인접하여 또는 웨트 유닛을 둘러싸듯이 감압 챔버가 설치되며, 감압 챔버에는 기판의 반입구 및 반출구가 형성되고, 반입구 및 반출구 중 적어도 한쪽의 위 가장자리부가 기판 표면에 공급된 처리액에 접촉하지 않는 범위에서 낮게 설정되며, 또한 감압 챔버의 저부에는 기판으로부터 낙하된 처리액의 회수구가 형성되어 있기 때문에, 기판이 반입구 또는 반출구를 통과할 때에 외기(外氣)가 감압 챔버 내로 끌어들어져, 이 때의 기류에 의해 기판 표면의 여분의 처리액은 기판 표면으로부터 낙하된다. 그 결과, 기판 표면에 여분의 처리액이 부착된 채 다음의 처리장치에 반입되는 경우가 없다.
상기 웨트 유닛으로서는, 예를 들면 현상액의 공급 유닛 또는 세정 유닛을 생각할 수 있다. 또한, 예를 들면 에칭 유닛, 박리 유닛을 생각할 수 있다.
이하에 본 발명의 실시형태를 첨부 도면을 토대로 설명한다.
도 1은 반송처리장치의 하나의 실시형태를 나타내는 개략 구성도(일부)이고, 도 2는 감압 챔버의 요부의 종단면도이다.
반송처리장치(1)에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨트 유닛으로서의 현상장치(10)에 인접하여 감압 챔버(20)이 배치되어 있다. 이들 현상장치(10)과 감압 챔버(20) 내를 반송용 롤러(2…)를 매개로 하여 유리기판(W)가 통과한다.
또한, 현상장치(10) 및 감압 챔버(20)의 전단(前段) 및 후단(後段)에도 도시하지 않지만 각종 처리장치가 배치되어 있다.
현상장치(10)에서는 박스형상을 이루는 케이스에 기판의 반입구(12)와 반출구(13)이 형성되고, 케이스 내에는 현상액 공급 노즐(14)가 배치되어 있다. 또한, 감압 챔버(20)의 천정부(天井部)에는 감압 챔버(20) 내를 음압(陰壓)으로 하기 위한 배기 덕트(21)이 접속되고, 전후의 측면에는 기판의 반입구(22)와 반출구(23)이 형성되어 있다.
그리고, 본 실시형태에 있어서는 특히, 감압 챔버(20)의 반출구(23)의 상하방향의 치수가, 위 가장자리부가 기판(W)의 표면에 공급된 액체(현상액)에 접촉하지 않는 범위에서 낮게 설정되어 있다. 또한, 감압 챔버(20)의 저부에는 현상액의 회수구(24)가 설치되어 있다.
이것에 의해, 기판(W)가 반출구(23)을 통과할 때는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판(W) 윗면과 반출구(23)의 위 가장자리 사이의 극간(隙間)이 작아지고, 또한 감압 챔버(20) 내는 음압이기 때문에, 외기가 기판(W) 윗면을 타고 감압 챔버(20) 내로 힘차게 들어가, 기판(W)의 표면에 쌓여 있는 여분의 현상액은 기류에 의해 기판(W)의 긴 변으로부터 흘러 떨어진다.
또한, 흘러 떨어진 현상액은 감압 챔버(20)에 설치된 회수구(24)를 매개로 회수되기 때문에 예를 들면 리사이클율도 향상시키는 것이 가능해진다.
구체적으로는, 기판(W) 표면의 세정액은 압력의 경계(반출구(23) 부근)에서 정지한 상태가 되어 기판(W)만이 반송되게 된다. 이 때 현상액은 경계를 기준으로 하여 표면장력을 초과한 여분의 현상액이 기판(W) 밖으로 흘러 떨어진다.
또한, 감압 챔버(20)으로 들어가는 공기는 힘차게라고 기술하였지만, 인접 유닛과의 압력차가 있다면 아주 적은 압력차로 문제 없다.
반출구(23)의 위 가장자리부는 기판(W)가 통과하는데 지장이 없는 정도로 가능한 한 좁게 형성되어 있지만, 기판(W)의 크기나 장치 구성, 더 나아가서는 배기량 등에 따라서도 그 낮음은 상이하다. 바람직하게는, 현상액의 표면장력이 3 ㎜이기 때문에 3 ㎜ 이상이 적합하다.
또한, 반출구(23)의 한쪽의 위 가장자리부 만을 낮게 설정한 경우를 설명하였지만, 전술한 바와 같은 기판(W)의 크기나 장치 구성, 더 나아가서는 배기량 등의 균형으로부터, 한쪽의 위 가장자리부 뿐 아니라 양쪽(반입구(22) 및 반출구(23))의 위 가장자리부를 낮게 설정하는 것도 가능하다.
이 경우, 한쪽(반출구(23))의 낮음과 다른 쪽(반입구(22))의 낮음을 상이하 도록 함으로써 전술한 것과 동일한 작용을 얻을 수 있다. 예를 들면 반출구(23)의 위 가장자리부를 보다 기판(W) 표면에 가깝게 설정한 경우, 반입구(22)의 위 가장자리부는 반출구(23)의 위 가장자리부 정도는 아니지만 기판(W) 표면에 접근시킨다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태의 반송처리장치의 도면(일부)으로, 이 실시형태에서는 린스장치에 본 발명을 적용하고 있다. 또한 린스장치(30)의 전후에는 도시하지 않지만 각종 장치가 배치되어 있다.
린스장치(30)에서는 상류측으로부터 하류측을 향하여, 제1 린스 챔버(31), 제2 린스 챔버(32), 제3 린스 챔버(33) 및 제4 린스 챔버(34)가 반송 라인을 따라 배치되어 있다. 제4 린스 챔버(34)에는 신액(新液)(린스액)이 공급되고, 제4 린스 챔버(34)에서 사용된 린스액은 캐스캐이드 탱크(35)의 제1실(35a)로 되돌려지며, 제1실(35a)의 린스액이 제3 린스 챔버(33)에 공급된다. 또한, 제3 린스 챔버(33)으로부터 제1실(35a)에도 린스액은 되돌려진다.
또한, 캐스캐이드 탱크(35)의 제1실(35a)로부터 넘쳐 제2실(35b)로 들어간 린스액은 제2 린스 챔버(32)로 보내지고, 제2 린스 챔버(32)에서 사용된 린스액은 다른 캐스캐이드 탱크(36)으로 되돌려지며, 이 캐스캐이드 탱크(36) 내의 린스액(가장 오염되어 있는 린스액)을 제1 린스 챔버(31)에 공급하도록 하고 있다. 또한, 한쪽의 캐스캐이드 탱크(35)의 제1실(35a)로부터 일부의 린스액이 다른 쪽의 캐스캐이드 탱크(36)으로 흐르도록 되어 있기도 하다.
그리고, 본 실시형태에서는 제2 린스 챔버(32) 내를 감압 챔버를 겸하는 구 조로 하고, 전술한 실시형태의 경우와 마찬가지로, 제2 린스 챔버(32)의 반출구(37)의 상하방향 치수를 기판(W)의 표면에 공급된 액체(린스액)에 접촉하지 않는 범위에서 낮게 설정한다.
이것에 의해, 유리기판(W)가 제2 린스 챔버(32)로부터 제3 린스 챔버(33)에 이송될 때에, 유리기판(W)가 반출구(37)을 통과하면, 유리기판(W)의 표면에는 내부에 끌어들여지는 기류가 생겨, 유리기판(W) 표면의 린스액은 기류에 의해 긁어 떨어뜨려지고, 제2 린스 챔버(32)의 저부의 회수구(38)을 매개로 캐스캐이드 탱크(36)으로 되돌려진다. 이것에 의해, 가장 오염되어 있는 린스액이 제3 린스 챔버(33)으로 반입되지 않아, 린스액의 리사이클율이 향상된다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태의 반송처리장치의 도면(일부)으로, 이 실시형태에서는 세정장치에 본 발명을 적용하고 있다.
본 실시형태의 반송처리장치에서는, 기판(W)의 반송방향을 따라 상류측에 UV 조사장치(50)이, 하류측에 세정장치(40)이 배치되어 있다. 또한, UV 조사장치(50) 및 세정장치(40)의 전단 및 후단에도 도시하지 않지만 각종 처리장치가 배치되어 있다.
세정장치(40) 내에는 세정액 공급 노즐(41)과 세정 브러시(42)가 배치되고, 세정장치(40)의 전체가 감압 챔버(60) 내에 수납되어 있다. 이 감압 챔버(60)에는 유리기판(W)의 반입구(62)와 반출구(61)이 형성되고, 또한 배기구(63)이 측면으로 개구(開口)되며, 더 나아가서는 회수구(64)가 저면에 설치되어 있다.
그리고, 본 실시형태에서는 전술한 실시형태의 반출구(23)과 마찬가지로, 반 입구(62)의 상하방향 치수를 기판(W)의 표면에 공급된 액체(세정액)에 접촉하지 않는 범위에서 낮게 설정한다.
이상에 있어서, 예를 들면 어떠한 이유에 의해 UV 조사장치(50)과 세정장치(40)에 걸쳐 기판(W)가 정지되어 버린 경우에도, 전술한 실시형태의 경우와 동일한 작용에 의해, 세정처리에 있어서 생긴 세정액이 기판(W) 표면을 세정장치(40) 쪽으로부터 UV 조사장치(50) 쪽을 향해 흐르는 것을 회피할 수 있다.
이것에 의해, UV 조사장치(50)의 램프(도시하지 않음)에 현상액이 걸려 장치의 고장 발생이나 기능 저하 등의 문제가 발생하는 경우는 없다.
또한, 본 발명은 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 기타 여러 구성을 취할 수 있다.
본 발명의 반송처리장치에 의하면, 인접하는 장치간에 있어서, 한쪽의 처리장치로부터 다른 쪽의 처리장치로 처리액이 반입되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 예를 들면 처리액이 반입되는 것에 의한 장치의 고장이나 기능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 기판 상의 여분의 처리액도 제거할 수 있어, 예를 들면 처리액의 리사이클율의 향상을 도모하는 것도 가능하다.
따라서, 높은 신뢰성에 더하여 처리효율의 저하가 없는 반송 처리장치를 실현할 수 있다.

Claims (4)

  1. 기판을 반송하면서 상기 기판에 대해 각종 처리를 행하는 반송처리장치에 있어서,
    상기 기판면에 처리액을 공급하는 웨트 유닛이 삽입되고, 상기 웨트 유닛을 둘러싸듯이 감압 챔버가 설치되며,
    상기 감압 챔버에는 상기 기판의 반입구 및 반출구가 형성되고, 상기 반입구 및 반출구 중 적어도 한쪽의 위 가장자리부가 상기 기판 표면에 공급된 처리액에 접촉하지 않는 범위에서 낮게 설정되며, 또한 상기 감압 챔버의 저부에는 상기 기판으로부터 낙하된 처리액의 회수구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반송처리장치.
  2. 제1항의 반송처리장치에 있어서, 상기 웨트 유닛은 현상액의 공급 유닛인 것을 특징으로 하는 반송처리장치.
  3. 제1항의 반송처리장치에 있어서, 상기 웨트 유닛은 세정 유닛인 것을 특징으로 하는 기판의 반송처리장치.
  4. 제1항의 반송처리장치에 있어서, 기판의 반송방향을 따라 드라이 유닛이 세정장치의 상류측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반송처리장치.
KR1020060104941A 2005-10-31 2006-10-27 반송처리장치 KR100834702B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00316881 2005-10-31
JP2005316881A JP4817802B2 (ja) 2005-10-31 2005-10-31 搬送処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070046727A KR20070046727A (ko) 2007-05-03
KR100834702B1 true KR100834702B1 (ko) 2008-06-02

Family

ID=38071554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060104941A KR100834702B1 (ko) 2005-10-31 2006-10-27 반송처리장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4817802B2 (ko)
KR (1) KR100834702B1 (ko)
CN (1) CN100466216C (ko)
TW (1) TW200746251A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI407270B (zh) * 2009-12-30 2013-09-01 Au Optronics Corp 顯影設備
CN101718963B (zh) * 2010-01-14 2011-10-05 友达光电股份有限公司 显影设备
JP5641989B2 (ja) * 2011-03-17 2014-12-17 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 フィルタ洗浄装置
JPWO2014069577A1 (ja) * 2012-11-05 2016-09-08 日本電気硝子株式会社 板ガラス洗浄装置および板ガラス洗浄方法
US20150118012A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Lam Research Corporation Wafer entry port with gas concentration attenuators
CN104538332B (zh) * 2014-12-12 2017-06-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种湿制程机台的腔室结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030039318A (ko) * 2001-11-12 2003-05-17 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08203858A (ja) * 1995-01-31 1996-08-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11334870A (ja) * 1998-05-26 1999-12-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001135702A (ja) * 1999-11-04 2001-05-18 Canon Inc 基板搬送装置および基板処理装置ならびにデバイス製造方法
JP4316767B2 (ja) * 2000-03-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 基板処理装置
JP4056858B2 (ja) * 2001-11-12 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4044047B2 (ja) * 2002-02-04 2008-02-06 住友精密工業株式会社 搬送式基板処理装置
JP2004299850A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Dainippon Printing Co Ltd 処理方法及び処理装置
JP4346967B2 (ja) * 2003-06-13 2009-10-21 住友精密工業株式会社 レジスト剥離装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030039318A (ko) * 2001-11-12 2003-05-17 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP4817802B2 (ja) 2011-11-16
CN1959951A (zh) 2007-05-09
TWI306272B (ko) 2009-02-11
TW200746251A (en) 2007-12-16
JP2007117953A (ja) 2007-05-17
KR20070046727A (ko) 2007-05-03
CN100466216C (zh) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100834702B1 (ko) 반송처리장치
JP4494269B2 (ja) 基板処理装置
US5762749A (en) Apparatus for removing liquid from substrates
JP4878900B2 (ja) 基板処理装置
JP2006278606A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20040080980A (ko) 기판 처리방법 및 기판 처리장치
JP6527674B2 (ja) 基板処理装置、ノズルおよび基板処理方法
TW200937558A (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR101927536B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4138504B2 (ja) 基板処理装置
JP2004095926A (ja) 基板処理装置
JP2009213958A (ja) 基板処理装置
JP2008227195A (ja) 液処理装置
JP2005064312A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP3863086B2 (ja) 基板処理装置
JP2015013240A (ja) 超音波洗浄装置
JP2004016997A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
KR20210146796A (ko) 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법
JP2003282525A (ja) 基板処理装置
JPS61251856A (ja) 感光材料処理装置
JP7237670B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2005268247A (ja) 基板処理装置
KR20060027597A (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
CN110265320B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JPH1197407A (ja) 基板乾燥装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130503

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140502

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160427

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170504

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180427

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 12