KR100829680B1 - 상 변화 메모리 및 그 형성 방법 - Google Patents

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치엔 치앙
찰스 에이치. 데니슨
타일러 에이. 로레이
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오보닉스, 아이엔씨.
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Abstract

상 변화 메모리(10)는 평면 구성에서 상 변화 재료층(14)을 형성함으로써 일부 경우에 저가격으로 개선된 속성을 나타낼 수 있다. 상 변화 재료층(14) 하부에 히터(16)가 제공되어 재료층(14)을 적절히 가열함으로써 상 변화가 유발될 수 있다. 히터(16)는 적절한 도전체에 결합될 수 있다.
상 변화 메모리, 재료층, 히터, 도전체, 전극

Description

상 변화 메모리 및 그 형성 방법{A PHASE CHANGE MEMORY AND A METHOD OF FORMING THE SAME}
본 발명은 전자 메모리, 특히 상 변화 재료를 이용한 전자 메모리에 관한 것이다.
상 변화 재료(phase change material)는 적어도 2개의 상이한 상태를 나타낼 수 있다. 이 상태들은 비결정 및 결정 상태라고 한다. 이 상태들 간의 전이(transition)는 선택적으로 시작될 수 있다. 통상적으로 비결정 상태가 결정 상태보다 높은 저항률을 나타내기 때문에 이 상태들은 구별될 수 있다. 비결정 상태는 다수의 무질서한 원자 구조를 포함한다. 통상적으로 모든 상 변화 재료가 사용될 수 있다. 그러나, 특정 실시 형태에서는 박막 칼코겐화물(chalcogenide) 합금 재료가 특히 적합할 수 있다.
상 변화는 가역적으로 유도될 수 있다. 따라서, 메모리는 비결정 상태에서 결정 상태로 변화될 수 있고 그 후에 비결정 상태로 복귀될 수 있으며, 온도 변화에 따라 역으로 될 수도 있다. 실제로, 각각의 메모리 셀은 프로그래머블 레지스터로 생각될 수 있는데, 상기 레지스터는 고 저항 및 저 저항 상태 사이에서 가역 변화된다. 상 변화는 저항성 가열에 의해 유도될 수 있다.
상 변화 메모리가 존재하는 경우에 각종 단점이 나타날 수 있다. 따라서, 상 변화 메모리를 형성하기 위한 보다 개선된 방법이 필요하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 실시 형태의 가공 과정에서의 확대 부분 단면도.
도 3은 도 2에 대응하는 후속 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 4는 후속 단계에서의 확대 단면도.
도 5는 초기 제조 단계에서의 본 발명의 다른 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 제조 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 제조 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 8은 도 7에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 가공 단계에서의 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 10은 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 초기 제조 단계의 확대 부분 단면도.
도 11은 도 10에 도시된 후속 제조 단계에서의 본 발명의 일 실시 형태에 따른 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 후속 제조 단계에서의 확대 부 분 단면도.
도 13는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 또 다른 제조 단계의 확대 부분 단면도.
도 14는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 또 다른 후속 제조 단계의 확대 부분 단면도.
도 15는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 또 다른 후속 제조 단계의 확대 부분 단면도.
도 16은 본 발명의 일 실시 형태에 따라 도 9에 도시된 구조를 형성하는 또 다른 기술에 따른 초기 제조 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 17은 도 16에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 제조 단계에서의 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 19는 도 18에 도시된 초기 제조 단계에서의 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 20은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 제조 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 21은 도 20에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 제조 단계에서의 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 22는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 23은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 24는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 후속 단계에서의 확대 부분 단면도.
도 25는 본 발명의 또 다른 실시 형태의 확대 부분 단면도.
도 26은 본 발명의 일 실시 형태에서의 시스템의 개략도.
도 1에서, 상 변화 메모리(10)는 상 변화 재료층(14)의 상부에 상부 전극(12)을 포함할 수도 있다. 본 발명의 일 실시 형태에서, 상기 층(14)은 칼코겐화물 재료를 포함한다. 상 변화 메모리 재료는 예를 들어, 텔루르-게르마늄-안티몬(TexGeySbz) 재료 또는 GeSbTe 합금 군의 칼코겐화물 성분(들) 조성물을 포함하지만, 본 발명의 범위는 이들에만 국한되지는 않는다. 대안으로서, 예를 들어, 빛, 열 또는 전류 등의 에너지 인가를 통해 전기적 속성(예를 들어, 저항, 캐패시턴스 등)이 변할 수 있는 또 다른 상 변화 재료도 사용될 수 있다. 상기 층(14)은 본 발명의 일 실시 형태에서 실질적으로 평탄하다.
히터(18)는 기본적으로 층(14) 하부에 형성될 수 있다. 히터(18)는 티타늄 실리콘 질화물, 탄탈륨 질화물 또는 다른 저항성 가열 재료로 형성될 수 있다. 히터(18)는 저항성 가열을 일으키는 저항성 재료를 포함할 수 있다.
도전체(20)는 전기 절연체(16)를 통과하여 히터(18)에 연장 접촉됨으로써 히터(18)에 전류를 제공한다. 모든 전기 절연 재료가 사용될 수 있다. 절연체(16)는 층(14)이 기판(11)에 평행하고 도전체(20)에 수직하도록 반도체 기판(11) 위에 배치될 수 있다.
특정 실시 형태에서, 상 변화 재료 스택의 평탄한(planar) 특성은 스텝 커버 리지(step coverage)를 개선하고, 인터페이스 클린니스(interface cleanness)를 개선하고, 보다 양호한 열적 절연을 위한 옵션을 추가하며, 재생이 보다 용이한 디바이스 성능을 초래할 수 있다.
도 2에서, 도 1에 도시된 구조를 형성하는 프로세스의 일례에 따르면, 우선, 접착층(glue layer)(24)은 기판(11) 위의 절연체(16) 상부에 퇴적(deposit)될 수 있다. 접착층(24)은 층(14)과 절연체(16)의 접착성을 개선시킬 수 있다. 접착층은 예를 들어 다결정(polysilicon) 층이다. 레지스트(22)는 층(24) 위에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 전자 빔 패터닝(electron beam patterning) 기술은 레지스트(22)에서 패턴(26)을 형성하기 위해 이용될 수 있다. 전자 빔 패터닝의 사용으로 보다 작은 임계 치수(critical dimension)가 레지스트(22)로 전달(transfer)될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 패턴(26) 및 레지스트(22)는 개구(28)를 형성하는데 이용될 수 있는데, 개구(28)는 레지스트(22)를 통과하여 연장되고 궁극적으로는 접착층(24) 및 절연체(16)를 통과하여 에칭하기 위한 에칭 마스크로서 기능한다.
다른 실시 형태에서, 개구(opening)를 형성하기 위해, 상 변이(shift) 마스킹, 크롬리스(chromeless) 상 변이 마스킹 또는 스페이서를 구비한 통상의 리소그라피를 포함하는 다른 기술이 사용될 수도 있다.
도 4에서, 개구(28)의 하부는 일부 예로서 텅스텐, 알루미늄, 구리 등의 도전 재료(30)로 충전될 수 있다. 다음으로, 도전 재료(30)는 도전 재료(30)의 높이 를 감소시키기 위해 디핑(dip) 또는 에칭(습식 또는 건식) 백(etch back)될 수 있다. 그 결과, 또 다른 도전 재료(32)가 퇴적될 수 있다. 이 도전 재료(32)는 예를 들어, 티타늄 실리콘 질화물을 포함하여 이전에 기술된 히터 재료 중 임의의 것일 수 있거나 티타늄 알루미늄 질화물 또는 탄탈륨 질화물일 수 있다. 다음으로, 화학 기계적 연마(CMP) 단계가 이용되어 상기 구조의 상부면을 평탄화할 수 있다.
도 5에서, 도 1에 도시된 구조를 형성하기 위한 또 다른 방법은 적절한 기판(도시되지 않음) 위의 절연체(16) 내에 적절한 크기의 구멍(pore)(36)을 형성함으로써 시작된다. 이 예에서, 통상의 리소그라피가 이용될 수 있다. 적절한 구멍(36)을 에칭하기 위해 접착층(24) 및 절연체(16)를 통과하여 적절한 패턴이 형성될 수 있다. 다음으로, 측벽 스페이서 재료(34)로 구멍(36)이 코팅될 수 있는데, 상기 재료(34)는 산화물 및 질화물을 포함하는 임의의 적절한 재료일 수 있다. 측벽 스페이서 재료(34)는 개구(36)의 크기를 감소시켜 리소그라피의 제한(limitation)을 보상한다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 텅스텐 등의 도전 재료(38)로 구멍(36)이 충전될 수 있다. 다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 도전 재료(38)가 디핑 또는 에칭(습식 또는 건식) 백(etch back)되어 디프레션(depression)(40)을 생성할 수 있다. 다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 디핑 또는 에칭 백된 디프레션(40)이 티타늄 실리콘 질화물 등의 제2 도전 재료로 충전될 수 있다. 히터(18)(도 1)는 재료(38)를 포함하는 도전체(20)(도 1) 위에 재료(42)를 포함할 수 있다.
도 9에서, 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따르면, 상 변화 메모리(10a)는 평탄한 형태인 상 변화 재료층(14) 위에 상부 전극(12)을 포함할 수 있다. 히터(46)는 상 변화 재료층(14) 하부에 배치된다. 히터(46)는 절연체(44) 내에 한정(define)된다. 히터(46)는 절연체(16) 내에 한정된 도전체(48)에 결합된다.
도 10에서, 도 9에 도시된 구조를 형성하기 위한 일 실시 형태에 따르면, 우선, 도전 재료(48)는 통상의 방법을 이용하여 절연체(16) 내의 구멍 안에 한정된다. 다음으로, 절연체(16)는 접착 강화층 또는 접착층(52) 및 절연체(50)로 커버될 수 있다.
다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 절연체(50)는 임의의 적절한 리소그라피 기술을 이용하여 패터닝되어 개구(54)를 형성할 수 있다. 일 실시 형태에서는 통상의 리소그라피가 이용되지만, 2개의 추가 예에서는 전자 빔 리소그라피 또는 상 변이 마스킹을 이용하여 개구(54)가 형성될 수도 있다. 전자 빔 리소그라피 또는 상 변이 마스킹에 있어서, 측벽 스페이서는 일부 경우에 불필요할 수도 있다.
도 12에서, 통상의 리소그라피가 이용되는 일 실시 형태에 따르면, 개구(54)는 측벽 스페이서 재료(56)로 코팅될 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 측벽 스페이서(58)는 이방성 에칭 기술을 이용하여 형성될 수 있다.
마스크로서 측벽 스페이서(58)를 이용하면, 도 14에 도시된 바와 같이, 접착층(52)은 도전 재료(48)까지 에칭될 수 있다. 다음으로, 도 15에 도시된 바와 같이, 히터 재료(46)는 잔류(remaining) 개구(60) 내에 퇴적될 수 있다.
도 16에서, 메모리(10a)를 형성하기 위한 또 다른 방법에 따르면, 한 쌍의 층(62, 64)은 이들 층으로 옮겨진(transfer) 개구(60)를 가질 수 있다. 일 실시 형태에서, 개구(60)는 전자 빔 리소그라피 기술을 이용하여 옮겨질 수 있다. 개구(60)는 절연체(16) 내에 형성된 도전 재료층(48)과 이어져있다. 다음으로, 도 17에 도시된 바와 같이, 히터 재료(62)가 개구(60) 내에 형성되어, 도전 재료(48)에 전기적으로 결합될 수 있다. 적절한 상 변화 재료층은 히터(62) 위에 구현될 수 있으며 상부 전극은 전술된 바와 같이 부가될 수 있다.
도 18에서, 상 변화 메모리(10b)는 상 변화 재료층(14) 위에 상부 전극(12)을 포함할 수 있다. 링형 히터(78)는 층(14) 하부에 위치할 수 있다. 히터(78)는 절연체(16) 내에 한정된 컵 형태의 도전 재료(70)와 이어질 수 있다.
도 19에 도시된 바와 같이, 도 18에 도시된 구조를 형성하기 위한 일 실시 형태에 따르면, 우선, 전술한 바와 같이, 절연 측벽 스페이서(66)는 적절한 반도체 기판 위의 절연체(16) 내의 개구(68) 내에 형성될 수 있다.
도 20에서, 도 19에 도시된 개구(68)는 도전 재료(70)로 커버될 수 있다. 도 21에 도시된 바와 같이, 도전 재료(70)는 절연체 등의 충전 재료(72)로 차례로 충전될 수 있다.
도 21에 도시된 구조는 도 22에 도시된 구조를 구현하기 위해 평탄화 될 수 있다. 다음으로, 도전 재료(70)는 디핑 또는 에칭 백되어 도 23에 도시된 바와 같은 링형 딥(76)이 형성될 수 있다. 다음으로, 도 24에 도시된 바와 같이, 딥(76)은 히터 재료(78)로 충전되어, 컵 형태의 도전 재료(70)에 결합된 링형 히터(66)를 형성할 수 있다.
도 25에서, 상 변화 메모리(10c)는 상 변화 재료층(14) 위에 상부 전극(12) 을 포함할 수 있다. 히터(18)는 접착층(79) 및 열 절연층(80)의 내부이면서 층(14) 하부에 배치될 수 있다. 층(80)은 전술한 바와 같은 도전 재료(20)를 한정하는 구멍을 구비한 절연체(82) 위에 배치된다.
열 절연층(80)은 산화물 등의 다른 절연 재료보다 우수한 열 절연성을 제공한다. 층(80)은 전술한 실시 형태 중 임의의 예에 사용될 수 있다. 층(80)은 일 실시 형태에서 산화물보다 4배 이상의 낮은 열 도전성을 가질 수 있다. 예를 들어, 층(80)은 크세로겔(xerogel) 또는 유기 중합체(polymer)일 수 있다.
크세로겔은 그 구멍으로부터 액체가 제거된 겔(gel)이다. 크세로겔은 초 임계(super critical) 건식 프로세스로부터 얻어진다. 따라서, 크세로겔은 실온에 근접한 온도 및 대기압 하에서 건조된 겔이다. 크세로겔은 고체 망(solid network)의 매우 낮은 투과성과 관련된 크래킹(cracking)을 방지하기 위한 적당한(gentle) 건식의 결과이다. 크세로겔은 산화물보다 10배 이상 낮은 열 도전성을 가질 수 있다.
특정 실시 형태에서, 여기서 기술된 구조는 통상의 프로세스 흐름에 필요한 프로세싱 단계 및 임계 마스크 층을 감소시킬 수 있다. 이 흐름은 특정 실시 형태에서 최적의 열 효율을 위해 적절한 곳에 최적의 재료를 사용하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 본 발명의 특정 실시 형태는 보다 적은 마스킹 프로세스를 통한 경비 절감 및 열적 결합 시 낭비되는 열 감소를 통한 성능 향상 중 하나 이상의 속성을 나타낼 수 있다.
도 26에 도시된 프로세서 기반 시스템(84)은 예를 들어, 디지털 신호 프로세 서 또는 범용 프로세서일 수 있는 프로세서(86)를 포함할 수 있다. 프로세서(86)는 무선 실시 형태에서 버스(88)를 통해 무선 인터페이스(90) 및 예를 들어 전술된 실시 형태 중 임의의 것일 수 있는 상 변화 메모리(10)에 결합될 수 있다. 그러나, 본 발명은 무선 애플리케이션에 제한되는 것은 아니다.
본 발명은 제한된 수의 실시 형태에 대하여 기술되었지만, 당업자는 상기 실시 형태로부터의 다수의 수정 및 변형을 인식할 것이다. 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 사상 및 범위 내의 수정 및 변형을 모두 포함하는 것이다.

Claims (50)

  1. 평탄한 상 변화 재료층을 형성하는 단계;
    상기 평탄한 상 변화 재료층과 열 접촉하는 상 변화 재료 히터를 형성하는 단계;
    상기 히터를 도전체에 결합하는 단계;
    절연체 위에 상기 상 변화 재료층을 형성하는 단계;
    상기 절연체를 통과하는 통로를 형성하는 단계;
    상기 통로 내에 상기 히터를 형성하는 단계;
    상기 통로 내의 상기 히터 하부에 상기 도전체를 형성하는 단계;
    상기 통로 내에 상기 도전체를 형성하는 재료를 제공하는 단계; 및
    공간을 형성하기 위해 상기 재료의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    반도체 기판 위에서, 상기 반도체 기판에 평행하게 상 변화 재료를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 통로를 형성하기 위해 전자 빔 리소그라피를 이용하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 통로 내에 측벽 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 공간 내에 상기 히터를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 히터와 실질적으로 동일한 폭의 도전체를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 히터보다 폭이 넓은 도전체를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 도전체를 형성하는 단계,
    상기 도전체를 절연체로 커버하는 단계 및
    상기 절연체 내에 구멍을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 구멍 내에 상기 히터를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    전자 빔 리소그라피를 이용하여 상기 구멍을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 구멍 내에 측벽 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  18. 제1항에 있어서,
    컵 형태의 도전체를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    링 형태의 히터를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    제1 절연체를 형성하는 단계,
    상기 제1 절연체 내에 개구를 형성하는 단계 및
    상기 개구의 벽에 제2 절연체를 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    중심 통로를 갖는 상기 도전체를 형성하기 위해 상기 제2 절연체를 도전 재료로 커버하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 통로를 절연체로 충전하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    링 형태의 공간을 형성하기 위해 상기 도전체의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 히터를 형성하는 재료로 상기 공간을 충전하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  25. 제1항에 있어서,
    산화물보다 적어도 4배 낮은 열 도전성을 갖는 절연체 위에 상기 상 변화 재료층을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    크세로겔(xerogel) 위에 상기 상 변화 재료층을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  27. 제1항에 있어서,
    전압 강하를 제공하여 상기 상 변화 재료층을 가열하기 위하여 상기 히터와 상기 상 변화 재료층 간에 평탄층을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 변화 메모리 형성 방법.
  28. 삭제
  29. 상 변화 메모리로서,
    평탄한 상 변화 재료;
    상기 상 변화 재료의 하부에 위치한 히터;
    상기 히터에 결합된 도전체;
    반도체 기판;
    상기 기판과 상기 재료 사이의 절연체; 및
    상기 절연체를 통해 연장되는 통로를 포함하며,
    상기 상 변화 재료는 상기 기판 위에 배치되고 상기 기판에 평행하게 연장되고,
    상기 히터는 상기 통로 내에 있고,
    상기 도전체는 상기 히터 하부의 상기 통로 내에 있으며 상기 히터에 전기적으로 결합되고,
    상기 통로는 측벽 스페이서를 포함하는 상 변화 메모리.
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 제29항에 있어서, 상기 도전체는 상기 히터와 동일한 폭을 갖는 상 변화 메모리.
  37. 제29항에 있어서, 상기 도전체는 중심 개구가 컵 형태인 상 변화 메모리.
  38. 제37항에 있어서, 상기 개구 내에 절연체를 포함하는 상 변화 메모리.
  39. 제38항에 있어서, 상기 히터는 링 형태인 상 변화 메모리.
  40. 제29항에 있어서, 산화물보다 적어도 4배 적은 열 도전성을 갖는 절연층 내에 상기 히터를 형성하는 단계를 포함하는 상 변화 메모리.
  41. 제40항에 있어서, 상기 절연층은 크세로겔을 포함하는 상 변화 메모리.
  42. 제29항에 있어서, 상기 도전체는 상기 히터보다 폭이 넓은 상 변화 메모리.
  43. 삭제
  44. 상 변화 메모리로서,
    기판;
    상기 기판 위의 절연체;
    상기 절연체를 통과하는 통로;
    상기 절연체 위에 배치되고, 상기 기판에 평행한 평탄한 상 변화 재료층;
    상기 통로 내의 히터; 및
    상기 기판과 상기 히터 사이의 상기 통로 내의 도전체를 포함하며,
    상기 도전체는 상기 히터보다 폭이 넓은 상 변화 메모리.
  45. 제44항에 있어서, 상기 도전체는 연장되는 상 변화 메모리.
  46. 제44항에 있어서, 상기 도전체는 컵 형태인 상 변화 메모리.
  47. 제46항에 있어서, 상기 히터는 링 형태인 상 변화 메모리.
  48. 제44항에 있어서, 상기 절연체와 상기 평탄한 상 변화 재료층과의 사이에 배치되는 크세로겔을 포함하는 상 변화 메모리.
  49. 제44항에 있어서, 상기 통로 내에 측벽 스페이서를 더 포함하는 상 변화 메모리.
  50. 삭제
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