KR100826505B1 - 회로패턴 검출장치 및 회로패턴 검사방법 - Google Patents

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Abstract

유리기판의 아래에 투명도전층이 형성된다. 전기광학 결정층의 양 표면에 반사방지층 및 반사층이 형성된다. 투명도전층의 표면(하측 표면)에 접착제층을 통해서 전기광학 결정층의 반사방지층이 부착된다. 즉, 접착제층(13)과 전기광학 결정층(15) 사이에 반사방지층(14)이 설치된다.
Figure 112002024987983-pct00001
투명도전층, 접착제층, 반사방지층, 전압인가회로, 교류전압, 전기광학소자, 영화전압, 회로패턴, 전계화상, 빔 스플리터, 검광자.

Description

회로패턴 검출장치 및 회로패턴 검사방법{CIRCUIT PATTERN DETECTING DEVICE AND CIRCUIT PATTERN DETECTING METHOD}
본 발명은 회로기판의 회로패턴을 광학적으로 검사하는 회로패턴 검출장치 및 회로패턴 검사방법에 관한 것이다.
회로기판에 형성된 회로패턴의 단선, 단락 등을 검사하는 종래수법으로서, 스프링 프로브로 전용 지그를 형성하고, 회로패턴의 패드에 지그를 일괄 접촉하여 전기적으로 검사하는 수법이 있다. 이 수법에서는, 패드 수가 증가한 근래의 회로패턴을 검사하는 데는, 고가인 스프링 프로브가 다수 필요하게 되고 전용 지그의 비용이 높아진다. 또, 패드의 고밀도화에 의해, 패드의 접촉성을 확보하는 것이 물리적으로 어려운 것이나, 날카로운 스프링 프로브를 접촉시킴으로써 패드의 손상도 문제로 되고 있다.
또, 회로기판에 따라서는 1개의 패드로부터 회로패턴이 분기되어 복수의 패드에 접속되어 있는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 단선, 단락의 검사시간이 방대해지는 문제가 있다.
더욱이, 회로기판에 따라서는, 다수의 회로패턴을 어느 층에라도 걸쳐서 형성하는 일이 있는데, 패드에 스프링 프로브를 접촉시키는 수법에서는 이와 같은 다 층회로기판의 회로패턴의 단선, 단락의 검사를 할 수 없다.
이와 같은 배경으로부터, 회로패턴의 전압분포를 광학적으로 검출하는 수법이 요망되고 있었다. 회로패턴의 전압분포를 전기광학효과를 사용해서 계측하는 종래예로서, 일본 특개평 9-72947호 공보에 기재된 전자부품의 땝납접속 검출방법 및 검출장치가 있다. 이것은, 특정한 위치의 전계강도를 전기광학 센서를 사용해서 비접촉으로 검출하고, 회로기판의 땝납접속상태를 검사하는 것이다. 그러나, 이 방법에서는 전기광학 센서의 선단부분의 전계밖에 검출할 수 없고, 회로패턴 전체의 전압분포를 구하는 데는 전기광학 센서를 스캐닝해 갈 필요가 있다.
한편, 액정디스플레이 기판의 화소전극, 게이트 배선, 소스 배선 등의 단선 결함이나 단락결함을 전압분포의 측정에 의해 비접촉으로 검사하는 장치가 일본 특개평 5-256794호 공보에 기재되어 있다. 여기에서는, 평행한 광속(光束)을 회로기판 근방에 배치한 전기광학소자에 조사하여, 그 반사광으로부터 회로패턴의 전압분포를 2차원적으로 검출한다.
그러나, 전기광학소자는 복굴절율이 높기 때문에, 표면반사와 이면반사에 의해 간섭 줄무늬가 생기고, 반사광으로부터 구한 전압분포의 화상이 현저하게 열화된다.
또, 회로기판의 회로패턴에 전압을 인가했을 때, 전기광학소자 내에서 면방향으로의 전하가 확산되어, 전압분포가 열화하는 경향이 있다. 즉, 회로기판의 회로패턴에 전압이 인가되었을 때, 면방향으로의 직류저항성분, 특히, 전기광학소자의 반사층이 갖는 직류저항성분에 의해 회로기판의 회로패턴의 전압분포가 전기광 학소자로 넓어져 버리는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 회로기판상에 형성된 회로패턴의 전압분포를 광학적으로 정밀도 좋게 검출하고, 회로패턴의 단락/단선을 검사하는 회로패턴 검출장치 및 회로패턴 검출방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 전기광학소자는,
전기광학 결정층과,
상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과,
상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비한다.
본 발명에 의한 회로패턴 검출장치는,
회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고 상기한 구성의 전기광학소자와,
회로패턴에 따른 전계를 상기 전기광학 결정층에 부여하는 전계발생회로와,
부여된 전계에 따라 변화된 복굴절율에 따라서 편광면이 변화된 상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한다.
본 발명에 의한 전기광학소자는,
전기광학 결정층과,
상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과,
상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 접착제층과,
상기 전기광학 결정층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 1의 반사방지층과,
상기 투명전극층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 2의 반사방지층을 구비한다.
본 발명에 의한 회로패턴 검출장치는,
회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고 상기한 구성의 전기광학소자와,
회로패턴에 따라서 전계를 상기 전기광학 결정층에 부여하는 전계발생회로와,
부여된 전계에 따라 변화된 복굴절율에 따라서 편광면이 변화한 상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한다.
본 발명의 회로패턴 검출방법은,
검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고, 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비한 전기광학소자에 빛을 조사하고,
상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 전압을 인가하고, 전계를 발생시켜, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하여, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출한다.
본 발명의 회로패턴 검출방법은,
검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고, 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 접착제층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 1의 반사방지층과, 상기 투명전극층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 2의 반사방지층을 구비한 전기광학소자에 빛을 조사하고,
상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 전압을 인가하여, 전계를 발생시키고, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출한다.
본 발명의 회로패턴 검출장치는,
회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고, 전계에 따라 변화된 복굴절율에 따라서 편광면이 변화하는 전기광학소자와,
회로패턴에 따른 전계를 상기 전기소자에 부여하기 위해, 회로패턴과 상기 전기광학소자 사이에 주기적 영화(零和)전압을 인가하는 전압인가회로와,
상기 전기광학소자에 빛을 조사하는 광원과,
상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한다.
본 발명의 회로패턴 검사장치는,
회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고, 전계에 따라 변화된 복굴절 율에 따라서 편광면이 변화하는 전기광학소자와,
회로패턴에 따른 전계를 상기 전기소자에 부여하기 위해, 회로패턴과 상기 전기광학소자 사이에 전압을 인가하는 전압인가회로와,
상기 전기광학소자에 빛을 조사하는 광원과,
상기 전압의 인가에 동기하여 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한다.
본 발명의 회로패턴 검출방법은,
검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치된 전기광학소자에 빛을 조사하고,
상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 교류전압을 인가하고, 전계를 발생시켜, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
교류전압의 진폭 최대시에, 상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출한다.
본 발명의 회로패턴 검출방법은,
검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치된 전기광학소자에 빛을 조사하고,
상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 펄스전압을 인가하고, 전계를 발생시켜, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라 변화하게 하고,
펄스전압의 초기상승시에, 상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출한다.
본 발명의 회로패턴 검출장치는,
회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되어, 전계에 따라 변화된 복굴절율에 따라서 편광면이 변화하는 전기광학소자와,
회로패턴에 따른 전계를 상기 전기소자에 부여하기 위해, 회로패턴과 상기 전기광학소자 사이에 주기적 영화전압을 인가하는 전압인가회로와,
상기 전기광학소자에 빛을 조사하는 광원과,
상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기와,
상기 광원으로부터의 광조사 또는 검출기로의 광입사를 제어하고, 조사광 또는 입사광을 펄스광으로 하는 제어부를 구비한다.
본 발명의 회로패턴 검출방법은,
검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치된 전기광학소자와 상기 회로기판 사이에 교류전압을 인가하고, 전계를 발생시켜, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
상기 교류전압의 주기에 연동하여 상기 전기광학소자에 펄스빛을 조사하고,
상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출한다.
본 발명의 회로패턴 검출방법은,
검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치된 전기광학소자와 상기 회로기판 사이에 교류전압을 인가하고, 전계를 발생시켜, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
상기 전기광학소자에 빛을 조사하여,
상기 교류전압의 주기에 연동하여 상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 전기광학소자의 구성을 도시하는 단면도,
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 전기광학소자의 구성을 도시하는 단면도,
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 의한 회로패턴 검출장치의 구성을 도시하는 개략도,
도 4A, 도 4B, 도 4C는 제 3 실시예의 검사원리를 설명하는 도면,
도 5는 본 발명의 제 4 실시예에 의한 회로패턴 검출장치의 구성을 도시하는 개략도,
도 6은 제 4 실시예의 전기광학소자의 등가회로도,
도 7은 제 4 실시예의 전기광학소자에 스텝전압을 인가했을 때의 전하의 면방향으로의 확산을 도시하는 도면,
도 8A, 도 8B는 제 4 실시예의 전기광학소자에 교류전압을 인가하는 모양을 도시하는 도면,
도 9는 제 4 실시예의 검사순서를 도시하는 플로차트,
도 10은 제 4 실시예의 변형예의 구성을 도시하는 개략도,
도 11A, 도 11B는 제 5 실시예의 전기광학소자에 정부의 펄스전압을 인가하는 모양을 도시하는 도면,
도 12A, 도 12B는 제 6 실시예의 전기광학소자에 스텝전압을 인가하는 모양을 도시하는 도면,
도 13A, 도 13B는 제 7 실시예의 전기광학소자에 1개의 펄스전압을 인가하는 모양을 도시하는 도면,
도 14A, 도 14B는 제 8 실시예의 전기광학소자에 복수의 펄스전압을 인가하는 모양을 도시하는 도면,
도 15는 본 발명의 제 9 실시예에 의한 회로패턴 검출장치의 구성을 도시하는 개략도,
도 16은 제 9 실시예의 전압광강도특성을 도시하는 도면,
도 17A, 도 17B, 도 17C, 도 17D, 도 17E는 본 발명의 제 10 실시예에 의한 회로패턴 검출장치의 동작을 도시하는 도면,
도 18은 본 발명의 제 10 실시예에 의한 회로패턴 검출장치의 변형예를 도시하는 개략도,
도 19A, 도 19B, 도 19C, 도 19D, 도 19E, 도 19F, 도 19G는 본 발명의 제 11 실시예에 의한 회로패턴 검출장치의 동작을 도시하는 도면,
도 20은 본 발명의 제 12 실시예에 의한 회로패턴 검출장치의 개략을 도시하 는 도면, 및
도 21A, 도 21B는 제 12 실시예에 의한 검사예를 도시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은 제 1 실시예의 전기광학소자(10)를 모식적으로 도시하는 단면도 이다. 유리기판(11)의 아래에 투명도전층(12)이 형성된다. 이것과는 별도로 전기광학 결정층(15)의 양표면에 반사방지층(14) 및 반사층(16)이 형성된다. 투명도전층(12)의 표면(하측)에 접착제층(13)을 통해서 상기 별도 형성의 전기광학 결정층(15)의 반사방지층(14)이 부착된다. 즉, 접착제층(13)과 전기광학 결정층(15) 사이에 반사방지층(14)이 설치된다.
투명도전층(12)은 전극으로서 작용하는 것이고, ITO(Indium Tin　Oxide)층으로 구성된다.
전기광학 결정층(15)으로서는, 예를 들면, 포켈스(Pockels) 결정 등이 있다. 포켈스 결정에 의해 빛을 이용하여 전계를 검출할 경우, 빛과 수직한 방향의 전계에 감도를 가지는 횡전계 검출과, 빛과 평행한 방향의 전계에 감도를 갖는 종전계 검출이 있다. 회로기판에 발생하고 있는 전압분포에 따른 전계분포를 올바르게 검출하기 위해서는, 종전계 검출이 사용된다. 빛의 진행방향에 평행한 전계에 감도를 가지는 종전계 검출이 가능한 포켈스 결정으로서는, Bi12SiO20(BSO, 비스무스 산화실리콘), GaAs(갈륨비소), LiNbO3-55도 컷트, ZnSe, KDP(KH2PO4, 수소인산칼륨), KTP(KTiOPO4, 인산티타닐 칼륨), BSO(Bi12SiO20, 비스무스 산화실리콘) 등이 있다. KDP, KTP는 조해(潮解)성이 있고, ZnSe, GaAs 등은 전기광학계수의 값이 낮다. 그래서, 복굴절율은 높지만 조해성은 없고, 입방정으로 등방적인 성질을 갖고, 전기광학계수가 비교적 큰 BSO 결정을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 1∼30mm 정도의 BSO 결정을, 바람직하게는 100∼500㎛의 두께로 연마하고, 전기광학 결정층(15)으로 한다. BSO 결정이 100㎛ 미만이면, 전위차가 작아지기 때문에, 전계의 검출감도가 작아진다. 또, 500㎛를 초과하면 면방향으로 전계가 확장되어, 전압분포를 검출하는 것이 용이하지 않다.
또한, 본 실시예에서 사용되는 전기광학소자(10)에 사용되는 전기광학 결정층(15)으로서는 상술의 것에 한하지 않고, 전계에 의해 복굴절율이 변화하는 것이면 좋고, 상술한 어느 것, 또는 상술하고 있지 않은 것을 사용해도 좋다.
전기광학 결정층(15)은 양면을 광학연마하고, 면내수차는 (1/4)λ(λ는 파장)정도로 하는 것이 바람직하다. 후에 기술하는 회로기판의 검출장치로서 사용하는 경우, 전기광학 결정층(15)은 얇은 쪽이 회로기판의 회로패턴과 투명도전층(12) 사이에서 전계가 확장되지 않고, 원래의 회로패턴의 전압분포에 가까운 전계분포로 된다. 따라서, 회로패턴의 전압분포의 형상에 가까운 전계분포를 검출하기 위해서는, 전기광학 결정층(15)은 얇은 쪽이 좋다. 그러나, 전기광학 결정층(15)이 얇으면, 전기광학소자(10)를 회로기판의 회로패턴과 일정한 간격을 두어 비접촉으로 한 경우, 회로패턴과 투명도전층(12) 사이의 캐패시터 구조에서, 전기광학 결정층(15) 에 더해지는 전압이 작아진다. 그 때문에, 전계의 검출감도가 작아지고, 또, 가공이 어려워진다는 문제가 있다. 전기광학 결정층(15)의 두께는, 이들 요소의 트레이드 오프로 되고, 본 실시예에서는 두께 100㎛∼500㎛의 전기광학 결정층(15)을 사용하고 있다.
전기광학소자(10)(유리기판(11)을 투과하고)에 입사된 레이저광속은, 전계에 의한 위상 변조를 받고, 전기광학 결정층(15)의 바닥면에 반사된다. 전기광학 결정층(15)은, 복굴절율이 높은 것이 많고, 반사율도 높게 된다. LiNbO3의 경우, 굴절율은 2.2로 되고, 이 경우 14% 정도의 반사율로 된다. 그 때문에, 전기광학 결정층(15)을 광학연마하고, 바닥면에서의 반사광을 검출해도 좋은데, 보다 반사율을 높이기 위해, 본 실시예에서는 반사층(16)을 전기광학 결정층(15)의 바닥면에 형성하고 있다. 반사층(16)은 유전체 다층 반사층을 사용하고, 재질로서는, MgF2-TiO2, SiO2-TiO2 등이 있다.
이와 같이 전기광학 결정층(15)은 얇기 때문에 파손되기 쉬우므로, 투명도전층(12)이 형성된 유리기판(11)에 접착제층(13)을 통해서 접착되어 있다. 접착제층(13)은, 경화수축이 큰 재질을 사용하면, 전기광학 결정층(15)이 얇기 때문에 응력이 더해지고, 특히 비스무스 산화실리콘(BSO)등의 압전성이 있는 결정인 경우, 광학특성이 불균일하게 될 우려가 있다. 그 때문에, 접착제층(13)에는, 에폭시계 등의 경화수축이 작은 재질을 사용한다.
전기광학소자(10)는, 상술한 바와 같이 굴절율이 상이한 재질의 다층구조이 고, 더욱이 입사하는 레이저광속은 코히어런스(coherence)가 높기 때문에, 다중 반사에 의한 간섭이 발생하기 쉽다. 특히, 접착제층(13)과, 굴절율이 높은 전기광학 결정층(15)의 경계에서는, 반사율이 커진다. 예를 들면, 접착제층(13)은, 에폭시계의 접착제인 경우, 굴절율이 1.56 정도이고, 전기광학 결정층(15)은, 비스무스 산화실리콘(BSO)의 경우, 굴절율이 2.53으로, 굴절율의 차가 크다. 그 때문에, 전기광학 결정층(15)의 상면 및 하면의 반사에 의한 간섭 줄무늬가 발생하여, 전계 검출분포의 화상을, 현저하게 열화시킨다는 문제가 있다.
도 1에 도시한 제 1 실시예의 전기광학소자(10)에 의하면, 전기광학 결정층(15)과 접착제층(13) 사이에 양자의 굴절율의 차를 고려한 반사방지층(14)을 형성하고, 전기광학 결정층(15)의 상면(반사층(16)과는 반대측의 면)에서의 반사율을 낮게 함으로써 다중반사에 의한 간섭줄무늬를 억압하고, 전계분포에 따른 화상을 양호하게 검출할 수 있다. 반사방지층(14)은, 접착제층(13)과 전기광학 결정층(15)의 굴절율의 차를 고려하여 설계할 필요가 있고, 본 예에서는 SiO2-TiO2의 다층유전체 반사방지층을 사용했다.
이하, 본 발명의 다른 실시예를 설명한다. 다른 실시예의 설명에서 제 1 실시예와 동일부분은 동일 참조수자를 붙여서 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 제 2 실시예의 전기광학소자(20)를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 제 2 실시예는 제 1 실시예에서 투명도전층(12)과 접착제층(13) 사이에도 반사방지층(17)을 설치한 것이다. 이것에 의해, 투명도전층(12)의 하면(유리기판(11)과는 반대측의 면)에서의 반사율을 억제하고, 종합적으로 전기광학결정(20)의 화질 향상이 도모되어 있다.
투명도전층(12)의 굴절율은 1.90이고, 에폭시계의 경우의 접착제층(13)의 굴절율은 1.48 정도이므로, 양자의 경계에서 반사를 일으키고, 투명도전층(12)에서의 다중반사를 일으킨다. 투명도전층(12)에서도, 제 1 실시예에서 설명한 전기광학 결정층(15)의 상면 및 하면의 반사와 동일하게 다중반사가 생기고, 간섭줄무늬가 발생할 가능성이 있다. 그래서, 투명도전층(12)과 접착제층(13)과의 굴절율의 차를 고려한 반사방지층(17)을 형성한다.
제 2 실시예에 의하면, 전기광학 결정층(15)과 접착제층(13) 사이에도 반사방지층(17)을 형성하고 있기 때문에, 전기광학소자(20)에 레이저빛을 조사한 경우, 전기광학 결정층(15)과 함께 투명도전층(12)에서의 다중반사를 억압할 수 있고, 전계분포를 양호한 화상으로서 검출할 수 있다.
도 3을 참조하여 제 3 실시예로서 제 1, 제 2 실시예의 어느 전기광학소자(10 또는 20)를 사용한 회로패턴 검출장치를 설명한다. 레이저광원(30)으로부터의 빛이 광학계 기구(32)를 통해서 전기광학소자(10 또는 20)에 입사된다. 전기광학소자(10 또는 20)의 아래에는, 회로패턴(33)이 형성된 회로기판(34)이 배치된다. 광학계 기구(32)는 빔 익스펜더(36), 편광빔 스플리터(38) 및 광학렌즈(40)로 이루어진다.
광원은 레이저광원(30) 외에, 할로겐 광원, 메타할라이드 광원 등을 사용할 수 있다.
레이저광원(30)으로부터 전기광학소자(10 또는 20)에 조사되는 레이저광은 빔 익스펜더(36)로 2차원의 레이저광속으로 된다. 레이저광속은 편광빔 스플리터(38)로 편광되어, 전기광학소자(10 또는 20)에 조사된다.
회로기판(34)은 전기광학소자(10 또는 20)의 하방 근방에 배치되는데, 전기광학소자(10 또는 20)에 접촉시켜도 좋고, 20㎛ 정도의 거리에서 비접촉으로 해도 좋다. 전기광학소자(10 또는 20)의 투명도전층(12)은 접지되어, 회로패턴(33)에 전압을 인가함으로써, 회로패턴(33)과 투명도전층(12) 사이에 전계가 발생한다. 전기광학 결정층(15)은 전계에 의해 복굴절율이 변화한다. 또한, 도 10을 참조하여 후술하는 바와 같이, 회로패턴을 접지하여, 전기광학소자(10 또는 20)의 투명도전층(12)에 전압을 인가해도 좋다.
전기광학소자(10 또는 20)로의 입사광은 이 복굴절율의 변화에 의해 편광면이 변화된다. 편광각은, 전기광학결정(15)의 전기광학 텐서와, 발생된 전계벡터의 방향에 의해 정해진다. 이 때문에, 레이저광속은 회로패턴(33)의 전압분포에 따라서, 편광상태가 변화된다.
전기광학소자(10 또는 20)의 바닥면(반사층(16))에서 반사된 레이저광속도, 전기광학 결정층(15)의 복굴절율의 변화에 따라서 편광면이 변화한다.
전기광학소자(10 또는 20)에 입사된 레이저광속은, 전기광학 결정층(15)의 바닥면에서 반사되어, 편광빔 스플리터(38)에 입사되고, 도면중 수평방향으로 반사된 레이저광속은, 전계분포에 따른 빛의 강도분포를 갖는다.
전계분포에 따른 빛의 강도분포를 갖는 레이저광속을 광학렌즈(40)로 집광하 고, 광검출장치(42)로 검출함으로써, 회로패턴의 전압분포를 2차원의 빛의 강도분포로서 검출할 수 있다. 광검출장치(42)로서는, CCD 등을 사용할 수 있다. 광검출장치(42)로 검출한 전압분포를 해석장치(44)로 해석, 처리(검출된 전계강도분포와 기준분포를 비교판정)함으로써, 회로기판(34)의 회로패턴(33)의 단선이나 단락 등의 결함을 검사할 수 있다.
이 검출장치는 반사방지층(14, 17)을 설치한 전기광학소자(10 또는 20)를 사용하고 있으므로, 광원에 코히어런스가 높은 레이저광원(30)을 사용해도, 전기광학 결정층(15)의 다중반사에 의한 간섭 줄무늬 발생을 방지할 수 있고, 투명도전층(12)과 회로패턴(33) 사이의 전계분포를 양호한 화상(이하, 전계화상이라고 칭함)으로서 검출할 수 있고, 회로기판(34)의 회로패턴(33)의 단선이나 단락등의 결함을 정밀도 좋게 검사할 수 있다.
또한, 복수회의 검출을 행하고, 복수의 검출결과를 가산평균하면 S/N이 향상한다.
더욱이, 도 9를 참조하여 후술하는 바와 같이, 광비조사시의 검출결과와의 차분을 취하여, 미광성분을 억압해도 좋다.
전계화상으로부터 회로기판의 단선이나 단락을 검사하는 원리를 도 4A∼4C에 도시한다. 도 4A에서, 상면으로부터 본 회로패턴(33)에 대하여, 전기광학소자(10 또는 20)를 배치한다. 전기적 특성이 양호한 회로패턴에 대한 전계화상(46)은 도 4B에 도시하는 바와 같이 회로패턴(33)을 충실하게 재현하는 것에 대하여, 전기적 특성이 불량한 회로패턴에 대한 전계화상(48)은 도 4C에 도시하는 바와 같이 단락 부(48A)나 단선부(48B)를 포함하고, 양호한 회로패턴에 대한 전계화상(46)과의 비교검사에서 단락부(48A)나 단선부(48B)를 검출할 수 있다. 또한, 회로기판으로서, 기판의 표면에 회로패턴을 가지는 형태 이외에도, 기판의 내부나 이면에 회로패턴을 가지는 형태라도 적용(검출)할 수 있다.
제 3 실시예에 의하면, 반사방지층을 설치한 전기광학소자를 사용하여 회로기판의 회로패턴의 검출장치를 구성하고 있으므로, 고집적화된 회로기판의 회로패턴으로부터 발생하는 전계의 강도분포를, 전기광학효과를 응용한 비접촉 방법으로, 간섭의 영향을 억압하여 정밀도 좋게 검출하고, 전기검사할 수 있다. 회로기판의 상방에 전기광학소자를 배치하는 것만으로, 회로패턴의 전계강도분포를 검출할 수 있다. 그 때문에, 검출된 전계강도분포와, 양품의 전계강도분포를 비교, 판정함으로써, 간이한 위치 결정계로 단시간에 전기검사할 수 있다.
또한, 근래, 회로기판의 고집적화에 의해, 스프링 프로브를 접촉시키는 것이 곤란해지고, 회로패턴의 외관을 검사함으로써 전기검사의 대용으로 할 경우도 많다. 그러나, 외관검사에서는 회로패턴의 크랙 등을 검출할 수 없었다. 제 3 실시예에 의하면, 회로패턴의 전압분포를, 간섭 줄무늬를 억압하여, 전기광학결정과 회로패턴 사이의 전계의 강도분포를 양호한 전계화상으로서 검출하기 때문에, 외관검사에서는 검출할 수 없는 크랙 등의 결함도 검출할 수 있다.
도 5는 제 4 실시예의 검출장치를 도시한다. 광학계 기구(32A)는 제 3 실시예의 편광빔 스플리터(38) 대신에 빔 스플리터(38A)가 설치되고, 빔 익스팬더(36)와 빔 스플리터(38A) 사이에 편광자(52)가 설치되고, 광학렌즈(40) 대신에 검광자(54)가 설치된다. 회로기판(34)의 회로패턴(33)에는 신호원(56)이 접속되고, 제어장치(58)로부터의 제어신호에 따른 타이밍으로 회로패턴(33)에 전압이 인가된다. 제어장치(58)는 레이저광원(30), 광검출장치(42), 해석장치(44)에도 제어신호를 부여하고, 빛의 조사 타이밍, 검출 타이밍, 해석 타이밍을 제어한다. 편광자(52), 빔 스플리터(38A), 검광자(54)는 제 3 실시예의 편광빔 스플리터(38)와 등가이다.
본 실시예의 전기광학소자(60)는 제 1, 제 2 실시예의 소자(10, 20)를 사용해도 좋은데, 반사방지층이 없는 통상의 것을 사용해도 좋다. 도 5는 후자를 사용한 경우를 도시한다. 전기광학소자(60)는 적어도 투명도전층(62), 전기광학 결정층(64), 유전체 반사층(66)을 가진다.
광원은 레이저광원(30) 이외에, 할로겐 광원, 메타할라이드 광원 등을 사용할 수 있다. 레이저광원(30)으로부터 전기광학소자(60)에 입사되는 레이저광은, 빔 익스펜더(36)에서 2차원의 레이저광속으로 된다. 레이저광속은 편광자(52)에 의해 편광되어, 전기광학소자(60)에 입사된다.
전기광학소자(60)에 입사된 레이저광속은, 유전체 반사층(66)에서 반사되고, 전기광학 결정층(64)에서의 복굴절율의 변화에 의해, 편광상태가 변화한다. 이 때의 편광각은, 전기광학결정(64)의 전기광학 텐서와, 검출하는 전계벡터의 방향에 의해 정해진다. 이 때 레이저광속은 회로패턴(33)의 전압분포에 따라서, 편광상태가 변화한다.
전기광학소자(60)로부터 출사된 편광면의 변화된 레이저광속은, 빔 스플리터(38A)에 입사되고, 이 중 수직으로 분기된 레이저광속은 검광자(54)로 입사된다. 검광자(54)로부터 출사된 레이저광속은, 회로패턴(33)의 전압분포에 따른 광강도분포를 갖는다. 검광자(54)로서는, 편광판 등을 사용할 수 있다. 이 레이저광속을 광검출장치(42)로 검출함으로써, 회로패턴(33)의 전압분포를 2차원의 광강도분포로서 검출할 수 있다. 광검출장치(42)에서 검출한 전압분포를, 필요에 따라 해석장치(44)로 해석, 처리함으로써, 회로패턴(33)의 단선이나 단락 등의 결함을 검사할 수 있다.
전기광학소자(60)의 내부에서는 전기적 특성은 분포정수회로적 작동을 하는데, 등가회로에서는 평면방향의 리액턴스 성분(용량 유도성분)과 수직방향의 이미턴스 성분(직류저항성분)은 무시할 수 있으므로, 그 등가회로는 도 6에 도시하는 바와 같이 된다.
반사층(66)과 ITO층(62) 사이에 형성되는 전기광학 결정층(64)의 캐패시터 성분에 의해, 면방향에는 저역통과특성을 갖는다. 그 때문에, 신호원(56)으로부터 회로패턴(33)에 스텝전압을 인가했을 때, 도 7에 도시하는 바와 같이, 회로패턴(33)으로부터 공기층의 캐패시터 성분(Cair)을 통해서, 회로패턴(33) 근방의 캐패시터 성분(C1)에 전압(V1)이 더해지고, 순차적으로, 면방향으로 이격된 캐패시터 성분(C2, C3, …Cn)에 전압(V2, V3, …Vn )이 더해져 간다. 이와 같이, 회로패턴(33)에 직류전압을 인가하면, 광검출장치(42)에서는, 전압분포가 확장되어 검출되버리기 때문에, 회로분포를 검출할 수 없다.
유전체 반사층(66)은 이상적인 유전체는 아니고, 실제는 높은 저항값을 가지고 있고, 이것이 회로패턴의 전압분포의 분해능력을 열화시키는 원인으로 되고 있는 일이 있었다. 유전체 반사층의 저항성분에 의해 회로패턴에 직류전압이 인가되었을 때, 전하가 면방향으로 확장되고, 전압분포의 공간분해능력이 저하된다.
이 때문에, 도 6의 등가회로로부터, 회로패턴(33)에 교류전압을 인가하면, 전하의 면방향으로의 확산을 억압할 수 있고, 회로패턴(33)에 인가된 전압분포를 분해능력 좋게 검출할 수 있는 것을 알 수 있다.
본 실시예에서는 도 8A에 도시하는 바와 같이 교류전압을 신호원(56)으로부터 회로패턴(33)에 인가한다. 도 8B에 도시하는 바와 같이 교류전압의 절대값이 최대가 된 때에 동기하여, 제어장치(58)로 타이밍을 제어하고, 광검출장치(42)로 전기광학소자(60)로부터의 반사광을 검출한다. 교류전압의 절대값이 큰 때, 검출되는 전압분포의 강도도 커진다. 이 때문에, 도 11A와 같은 교류전압을 회로패턴(33)에 인가하고, 도 11B에 도시하는 바와 같이 교류전압의 진폭 최대시에 동기하여 반사광을 검출함으로써 감도좋게, 전기광학소자(60)의 면방향의 분포정수의 영향없이, 전압분포를 검출할 수 있다.
더욱이, 도 8B에 도시하는 바와 같이 교류전압에 동기하여 복수의 광강도분포의 데이터를 검출하고 있으므로, 해석장치(44)로 이들을 가산평균함으로써, S/N비를 향상할 수 있고, 전압분포를 광강도분포로서 검출할 수 있다.
다음에, 도 5에 도시하는 검출장치를 사용하여 전계화상으로부터 회로기판의 전기검사를 실시하는 플로차트를 도 9에 도시한다.
스텝(S10)에서, 제어장치(58)는 신호원(56)에 지시를 내리고, 회로패턴(33)에 교류전압을 인가한다. 전압인가에 의해 생긴 회로패턴(33)의 전계분포의 형상에 따른 전계화상이 광검출장치(42)로 검출된다.
스텝(S12)에서, 제어장치(58)는 광검출장치(42)에 화상검출지시를 내리고, 광검출장치(42)는 전계화상을 검출한다.
스텝(S14)에서, 제어장치(58)는 광검출장치(42)에 화상전송지시를 내리고, 광검출장치(42)는 검출한 전계화상을 해석장치(44)에 전송한다. 일반적으로, 광검출장치(42)는 편광자(52), 검광자(54)의 소광비(消光比)에 의해 생기는 신호(미광성분)를 검출해 버리므로, 전계화상성분을 포함하지 않는 미광성분만의 화상과의 차분을 취하고, 미광성분을 억압한다.
그 때문에, 스텝(S16)에서, 제어장치(58)는 신호원(56)에 지시를 내리고, 회로패턴(33)으로의 교류전압의 인가를 정지하고, 미광성분을 검출시킨다.
스텝(S18)에서, 제어장치(58)는 광검출장치(42)에 화상검출지시를 내리고, 광검출장치(42)는 미광(迷光)화상을 검출한다.
스텝(S20)에서, 제어장치(58)는 광검출장치(42)에 화상전송지시를 내리고, 광검출장치(42)는 검출한 미광화상을 해석장치(44)에 전송한다.
스텝(S22)에서, 스텝(S12)에서 검출한 전계화상으로부터 스텝(S18)에서 검출한 미광화상을 감산하여 전계화상만을 얻고, 미리 구해놓은 양호한 회로패턴에 대한 전계화상과의 비교검사에서, 회로패턴의 전기검사를 실시한다.
또한, 전계를 발생시키기 위한 전압은 회로패턴(33)에 인가하는 데 한하지 않고, 도 10에 도시하는 바와 같이 전기광학소자(60)의 투명도전층(62)에 인가해도 좋다. 즉, 신호원(56)을 회로기판(34)(회로패턴(33))이 아니라, 전기광학소자(60)(투명전극(62))에 접속해도 동일한 검사가 가능하다. 이것에 의해, 회로기판의 회로패턴을 쇼트 바 등으로 간이하게 접촉시켜서 검출할 수 있는 등의 이점이 있다.
본 실시예의 검출장치에 의하면, 전기광학효과를 응용한 방법에서, 회로기판의 회로패턴의 전압분포를, 전기광학소자의 면방향으로 형성되는 분포정수회로특성에 의한 공간 분해능력의 열화를 억압하여 검출할 수 있다. 이 전압분포를 해석함으로써, 고집적화 된 회로기판의 단선/단락의 전기검사에 도움이 되는 검출이 가능하게 된다.
본 실시예의 검출장치에 의하면, 회로기판의 회로패턴상에 전기광학소자를 배치하는 것만으로, 회로패턴의 전압분포를, 2차원의 전계강도분포로서 검출할 수 있다. 그 검출한 전계강도분포를 양품의 회로패턴의 전계강도분포와 비교, 판정함으로써, 빠른 검출속도로, 간이한 위치 결정계로 전기검사할 수 있다.
본 실시예의 검출장치에서는, 회로기판의 회로패턴으로 주기적 영화(零和)전압, 예를 들면 교류전압을 인가하여 검출함으로써, 회로기판의 회로패턴에 전압이 인가되었을 때, 면방향으로의 직류저항성분, 특히, 전기광학소자의 반사층이 가지는 직류저항성분에 의해 회로기판의 회로패턴의 전압분포가 전기광학소자로 확장돼버리는 일 없이, 전압분포를 공간분해능력 좋게 검출할 수 있다. 종래, 유전체 반사층이 갖는 직류저항성분에 의해, 면방향으로 전하가 확산하여 전압분포가 열화되는 것에 착안한 예는 없고, 본 실시예에서는, 회로기판의 회로패턴으로 주기적 영화전압, 예를 들면 교류전압을 인가함으로써 전압분포의 공간분해능력을 높였다. 주기적 영화전압이란, 주기적분한 전압값이 0이 되고, 직류성분 전압은 없는 전압이고, 교류전압에 한하지 않고, 정부의 펄스전압을 주기적으로 인가할 수도 있다.
도 11A, 11B는 펄스전압에 의한 주기적 영화전압을 인가하는 제 5 실시예의 개요를 도시하는 도면이다.
도 11A에 도시하는 바와 같이 동등한 진폭의 정부의 펄스전압을 신호원(56)으로부터 회로패턴(33)에 인가한다. 도 11B에 도시하는 바와 같이 펄스전압의 인가 타이밍에 동기하여, 제어장치(58)로 타이밍을 제어하고, 광검출장치(42)로 전기광학소자(60)로부터의 반사광을 검출한다. 이것에 의해서도, 전압분포를 분해능력 좋게, S/N비를 향상하여 검출할 수 있다.
제 4, 제 5 실시예에서는 주기적 영화전압의 인가에 의해, 전하의 면방향으로의 확산을 억압하고 있는데, 다음에, 순간 파형전압을 인가하고, 이 전압의 직류성분에 의해, 전계분포가 소멸하지 않는 과도단계에서 검출함으로써, 전하의 면방향으로의 확산을 억압하는 실시예를 설명한다.
제 6 실시예에서는, 도 12A에 도시하는 바와 같이 스텝전압을 신호원(56)으로부터 회로패턴(33)에 인가한다. 도 12B에 도시하는 바와 같이 스텝전압의 인가 타이밍에 동기하여, 제어장치(58)로 타이밍을 제어하고, 광검출장치(42)로 전기광학소자(60)로부터의 반사광을 검출한다. 이것에 의해, 전기광학소자(60)에서의 전하의 확산에 의한 영향없이, 광강도분포로서 전압분포를 분해능력 좋게 검출할 수 있다.
제 7 실시예에서는, 도 13A에 도시하는 바와 같이 펄스전압을 신호원(56)으로부터 회로패턴(33)에 인가한다. 도 13B에 도시하는 바와 같이 펄스전압의 인가 타이밍에 동기하여, 제어장치(58)로 타이밍을 제어하고, 광검출장치(42)로 전기광학소자(60)로부터의 반사광을 검출한다. 이것에 의해, 전기광학소자(60)에서의 전하의 확산에 의한 영향없이, 광강도분포로서 전압분포를 분해능력 좋게 검출할 수 있다.
제 8 실시예에서는, 도 14A에 도시하는 바와 같이 펄스전압을 연속하여 신호원(56)으로부터 회로패턴(33)에 인가한다. 도 14B에 도시하는 바와 같이 펄스전압의 인가타이밍에 동기하여, 제어장치(58)로 타이밍을 제어하고, 광검출장치(42)로 전기광학소자(60)로부터의 반사광을 검출한다. 이 때, 도 14A의 전압이 인가되지 않는 기간(Toff)을, 전기광학 결정층(60)의 캐패시터 성분에 발생하는 전하가 방전하는데 충분한 시간으로 설정한다. 이것에 의해, 전기광학소자(60)로의 전하의 확산에 의한 영향없이, 광강도분포로서 전압분포를 분해능력 좋게 검출할 수 있다. 여기에서도, 연속하여 인가되는 펄스전압에 동기하여, 광검출장치(42)에서 검출한 복수의 광강도분포의 데이터를, 해석장치(44)로 가산평균함으로써, S/N 좋게 전압분포를 광강도분포로서 검출할 수 있다.
제 6∼제 8 실시예에 의하면, 회로패턴으로의 전압의 인가시에 순간적으로 반사광을 검출하므로, 회로패턴의 전압분포가 전기광학소자의 면내방향으로 확장하 기 전에 전압분포를 공간분해능력 좋게 검출할 수 있다.
도 15는 제 9 실시예의 회로패턴 검출장치의 개략도이다. 제 9 실시예는 제 1∼제 8 실시예에서, 편광자(52)와 빔 스플리터(38A) 사이에 (1/8)파장판(70)을 설치하고, 빔 스플리터(38A)와 검광자(54) 사이에 (1/8)파장판(72)을 설치하는 것이다. (1/8)파장판(72)을 설치하지 않는 경우, (1/8)파장판(70) 대신에 (1/4)파장판을 설치해도 된다. 이것에 의해, 전기광학소자(60)로의 입사광과 출사광의 편광면에 최대 (1/4)파장분 위상차를 갖게할 수 있다. 이 때문에, 회로패턴(33)에 전압을 인가했을 때, 인가전압과 광강도 관계는, 도 16의 특성 16A로부터 특성 16B로 되고, 전압을 인가했을 때의 감도가 높아진다.
도 8A에 도시하는 바와 같이 회로패턴(33)에 교류전압을 인가하고, 도 8B에 도시하는 바와 같이 제어장치(58)로 타이밍을 제어함으로써, 정전압과 부전압이 더해진 타이밍과 동기하여, 광검출장치(42)로 광강도분포를 검출한다. 해석장치(44)로, 정전압, 부전압이 더해졌을 때의, 광강도분포의 차분을 취함으로써 전압분포를 감도와 분해능력 좋게, 광강도분포로서 검출할 수 있다.
다음에, 제 10 실시예를 설명한다. 장치의 개략구성은 도 5에 도시한 제 4 실시예와 동일하다.
지금까지의 문제점으로서, 유전체 반사층은 이상적인 유전체는 아니고, 실제는 높은 저항값을 가지고 있고, 이것이 회로패턴의 전압분포의 분해능력을 열화시키는 원인으로 되어 있는 일이 있었다. 유전체 반사층의 저항성분에 의해 회로패턴에 직류전압이 인가되었을 때, 전하가 면방향으로 넓어지고, 전압분포의 공간분 해능력이 저하된다. 이것을 해결하기 위해 제 4 실시예에서는 교류전압을 인가하고 있었다.
전기광학효과에 의한 광강도 변화는 비선형인 특성이고, 인가전압과 광강도 변화가 전압의 극성에 대해 대칭인 경우, 0V 부근에서의 감도가 저하된다. 그러나, 제 9 실시예와 같이, 전기광학소자(60)로의 입사광과 출사광의 편광면에 위상차를 갖게하면, 인가전압과 광강도 관계는 도 16에 도시하는 바와 같이, 비대칭으로 된다. 그 때문에, 0V 부근에서의 감도가 높아지지만, 교류전압을 인가했을 때, 정부의 전압에 대해 광강도의 변화도 각각, 밝아지든지, 어두워지고 만다. 따라서 CCD 등의 2차원광 검출기로 검출한 경우, 검출주기중의 빛의 강도변화는 평균화되고 감도가 저하하는 일이 있다.
그래서, 제 10 실시예에서는, 펄스빛을 조사하여, 그 반사광을 검출함으로써, 교류전압의 인가로 변화하는 빛의 강도변화가, 펄스광 조사기간중에 한하여 검출되고, 회로패턴의 전압분포를 감도 좋게 검출할 수 있다.
도 17A∼도 17E를 참조하여, 제 10 실시예의 동작을 설명한다.
제어장치(58)는 신호원(56)을 제어하여 도 17A에 도시하는 바와 같은 교류전압을 회로패턴(33)에 인가한다. 제어장치(58)는 광검출장치(42)에는 도 17B에 도시하는 바와 같이 연속하여 검출신호를 공급한다. 이것에 의해, 광검출장치(42)는 제 4∼제 9 실시예와는 달리, 항상 반사광을 검출 가능한 상태이다. 그러나, 후술하는 바와 같이, 빛의 조사타이밍을 제어하여, 빛의 조사를 이산적으로 행하고 있으므로, 제 4∼제 9 실시예와 동일하게 이산적으로 반사광을 검출하는 것이 된다. 또한, 실시예에서는, 펄스빛을 조사하고 있는데, 광원은 연속빛을 조사하고, 도 18에 도시하는 바와 같이 광검출장치(42)의 전면에 셔터(78)를 설치하여, 받아들이는 빛을 시간적으로 제한해도 좋다.
제어장치(58)는 광원(30)을 제어하여 도 17C에 도시하는 바와 같이 교류전압의 정 또는 부(여기서는, 정)의 기간에 동기하여 펄스광을 전기광학소자(60)에 조사시킨다.
펄스광은 유전체 반사층(66)에서 반사되고, 반사광이 광검출장치(42)에서 검출된다. 반사광은, 교류전압의 인가에 의해 생긴 전계에 의한 광강도 변화성분이 중첩되고, 광검출장치(42)에서 검출되는 반사광강도는 도 17D에 도시하는 바와 같이 된다. 광검출장치(42)에서 검출되는 광강도는, 광검출장치(42)의 검출신호(도 17B)가 ON의 기간중, 즉 검출기간중에 반사광강도가 적산된 값이다. 반사광의 검출결과로부터 조사광에 상당하는 값을 감산하면, 도 17E에 도시하는 바와 같이, 전계에 의한 광강도 변화성분(전계화상)이 추출된다. 이것에 의해, 광검출장치(42)로 검출되는 2차원의 광강도분포에서, 회로패턴으로부터 발생된 전계가 존재하는 부분에서는 전계에 의한 광강도 변화가 검출되고, 회로패턴의 전압분포가 얻어진다.
본 실시예에서도, 미광성분을 캔슬하기 위해서는, 전압을 인가하지 않는 경우의 반사광강도를 구하고, 전압 인가시의 반사광강도와의 차분을 구하면 된다.
도 19A∼도 19G를 참조하여 제 11 실시예를 설명한다.
제어장치(58)는 신호원(56)을 제어하여 도 19A에 도시하는 바와 같은 교류전 압을 회로패턴(33)에 인가한다. 제어장치(58)는 광검출장치(42)에는 도 19B에 도시하는 바와 같이 연속하여 검출신호를 공급한다.
제어장치(58)는 광원(30)을 제어하여 도 19C에 도시하는 바와 같이 교류전압의 정의 기간에 동기하여 펄스광을 전기광학소자(60)에 조사시킨다.
펄스광은 유전체 반사층(66)에서 반사되고, 반사광이 광검출장치(42)에서 검출된다. 반사광은, 교류전압의 인가에 의해 생긴 전계에 의한 광강도 변화성분이 중첩되고, 광검출장치(42)에서 검출되는 반사광강도는 도 19D에 도시하는 바와 같이 된다. 광검출장치(42)에서 검출되는 광강도는, 광검출장치(42)의 검출신호(도 19B)가 ON의 기간중, 즉 검출기간중에 반사광강도가 적산된 값이다. 반사광의 검출결과로부터 조사광에 상당하는 값을 감산하면, 도 19G에 도시하는 바와 같이, 전계에 의한 광강도 변화성분(전계화상)이 추출된다.
다음에, 제어장치(58)는 광원(30)을 제어하여 도 19E에 도시하는 바와 같이 교류전압의 부의 기간에 동기하여 펄스광을 전기광학소자(60)에 조사시킨다.
펄스광은 유전체 반사층(66)에서 반사되고, 반사광이 광검출장치(42)에서 검출된다. 반사광은, 교류전압의 인가에 의해 생긴 전계에 의한 광강도 변화성분이 중첩되고, 광검출장치(42)에서 검출되는 반사광강도는 도 19F에 도시하는 바와 같이 된다. 광검출장치(42)에서 검출되는 광강도는, 광검출장치(42)의 검출신호(도 19B)가 ON의 기간중, 즉 검출기간중에 반사광강도가 적산된 값이다. 조사광에 상당하는 값으로부터 반사광의 검출결과를 감산하면, 도 19G에 도시하는 바와 같이, 전계에 의한 광강도 변화성분(전계화상)이 추출된다.
제 10, 제 11 실시예의 검출장치에 의하면, 전기광학효과를 응용한 방법에서, 회로패턴의 전압분포를, 전기광학소자의 유전체 반사막에서 전하가 확산하는 영향을 억압하여, 공간분해능력 좋게 검출할 수 있다. 이 전압분포를 해석함으로써, 고집적화 된 회로기판의 단선/단락의 전기검사를 실현할 수 있다.
또한, 전기광학효과를 사용하여 2차원의 전압분포를 계측하는 방법에서, 전압분포의 공간분해능력이 열화하는 원인으로서는, 회로패턴으로부터 발생한 전계가 전기광학결정의 두께방향으로 침투함에 따라 확장해버리는 일이 있다고 되어 왔다. 그러나, 반사수단인 유전체 반사막이 이상적인 유전체가 아니고, 높은 저항값을 갖기 때문에, 그 저항성분에 의해 전압분포의 분해능력이 열화되는 문제가 있고, 이 문제를 해결하여 2차원의 광검출기로 전압분포를 검출하는 방법은 지금까지 없었다.
본 발명의 방법에서는 회로패턴에 교류전압을 인가하여 검출함으로써, 이와 같은 특성을 개선하고, 전압분포를 공간분해능력 좋게 검출할 수 있다.
전기광학효과에 의한 광강도 변화는 비선형인 특성으로 된다. 도 15에서는, 전기광학결정에 입출사하는 빛의 편파면을 위상 보상하고 있는데, 위상 보상하지 않고 인가되는 전압의 부호와 광강도 변화를 대칭인 특성(도 16의 특성 16A)으로 한 경우, 0V 부근에서의 감도는 현저하게 낮아지므로, 위상보상을 하여 비대칭으로 하는 것이 바람직하다.
그러나, 2차원의 광검출기에서, 일반적으로 자주 사용되는 CCD에서는 샘플링 주파수가 30Hz이고, 그 나이키스트 주파수(Nyquist frequency)보다 높은 교류전압 을 인가하면 샘플링 주기중에 증감하는 광강도 변화가 상쇄되어, 감도가 열화되는 경우가 있다.
제 10, 제 11 실시예에서는, 교류전압의 정부 각각에 동기하여 펄스빛을 조사하므로, 전계에 의해 광강도가 증가나 감소 어느 한 쪽으로 변화한 경우만이 검출된다. 이것에 의해 나이키스트 주파수보다 훨씬 높은 교류전압을 인가할 수 있고, 전계의 공간 분해능력이 높아진다.
또, 교류전압과 광검출기의 검출 타이밍을 비동기로 할 수 있어, 간이한 장치구성으로 된다. 전압분포의 차분을 취함으로써, 회로패턴의 전압이 존재하는 부분을 감도 좋게 검출할 수 있다.
도 20은 제 12 실시예의 검출장치의 개략을 도시한다. 본 실시예는 전압 공급장치(110)와, 콘택트 프로브(112)와, 회로기판(114)과, 전압 검출장치(116)와, 판정장치(118)와, 전기광학 프로브(EO 프로브)(120)와, 광원(122)과, 광학계 기구(124)와, 광검출장치(126)와, 제어장치(128)로 구성되어 있다.
우선, 전압공급장치(110)로부터 콘택트 프로브(112)를 통해서, 회로기판(114)의 넓은 피치측의 소정의 패드(130)에 전압을 인가한다. 이 때, 넓은 피치측의 다른 패드의 전압을, 전압 검출장치(116)로 검출하고, 판정장치(118)로, 회로기판(114)의 회로패턴(132)의 전기적 상태(단락)를 검사한다.
다음에, 좁은 피치측의 패드(134)군의 근방에, 전기광학 프로브(120)를 소정의 간격으로 얹는다. 이 때, 전기광학 프로브(120)는, 좁은 피치측의 패드(134) 또는 패드 부근의 회로패턴(132)에 접촉시켜도 좋고, 20㎛ 정도의 간격으로 비접촉 으로 해도 좋다. 더욱이, 광원(122)으로부터의 빛은 광학계 기구(124)로 편광되어, 전기광학 프로브(120)에 조사된다.
넓은 피치측의 패드(130)로부터 전압이 인가되면, 회로패턴(132)이 단선되어 있지 않은 경우, 좁은 피치측의 패드(134)로부터의 전계를 전기광학 프로브(120)로 검출한다. 이 때, 전기광학 프로브(120)로부터의 반사광은 좁은 피치측의 패드(134)로부터의 전계에 의해 편광상태가 변화한다. 전계에 의해 변화한 편광 성분은 광학계 기구(124)에서 빛의 강도변화에 변조되어, 광검출장치(126)로 검출되고, 판정장치(118)로 빛의 강도를 판정함으로써, 회로패턴의 전기적 상태(단선)를 검사할 수 있다.
상기 이들 일련의 동작은 제어장치(128)에서 제어된다.
도 21A, 도 21B는 본 실시예의 검사의 일례를 도시한다. 이 검사는 절연필름(132)상에 패드(134) 및 회로패턴(136)이 형성된 테이프 BAG(Ball Grid Array)의 전기적 상태(단락/단선)의 검사를 행하는 것이다. 전기광학 프로브(120)를 테이프 BAG의 회로패턴(136)의 선단부에 얹고, 패드(134)로부터 전압을 인가해 주면, 전기광학 프로브(120)를 움직이지 않고, 단번에 회로패턴(136)의 전기적 상태(단락/단선)의 검사를 행할 수 있다.
여기서, 전기광학 프로브(120)로서는 도 1, 도 2에 도시한 반사방지층을 포함하는 전기광학소자를 응용해도 좋고, 제 4 실시예∼제 11 실시예와 같은 전압인가, 펄스광 조사를 행해도 좋다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않는다. 전기광학소자를 구성하는 전 기광학 결정 대신에 액정을 사용해도 좋다. 또, 조사광으로서는 레이저광에 한정되지 않고, 비레이저광이라도 좋다. 상기 실시예는 단독으로 실시함에 한하지 않고, 적당히 조합시켜서 실시해도 좋다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 회로기판상에 형성된 회로패턴의 전압분포를 광학적으로 정밀도 좋게 검출하고, 회로패턴의 단락/단선을 검사하는 회로패턴 검출장치, 및 그것에 사용되는 전기광학소자를 제공할 수 있다.

Claims (55)

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  6. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자와,
    회로패턴에 따른 전계를 발생시켜, 이 전계를 상기 전기광학 결정층에 부여하는 전계발생회로와,
    상기 부여된 전계에 따라 변화된 복굴절율에 따라서 편광면이 변화한 상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 전계발생회로는 상기 전기광학소자를 접지하고, 상기 회로패턴에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 전계발생회로는, 상기 회로패턴을 접지하고, 상기 전기광학소자에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 검출기는 복수회의 검출결과를 가산평균하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 검출기는 상기 전기광학소자에 빛을 입사했을 때의 반사광의 강도분포와, 빛을 입사하지 않을 때의 반사광의 강도분포와의 차를 구하고, 차에 따라서 회로패턴을 검사하는 해석장치를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
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  15. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 접착제층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제1 반사방지층과, 상기 투명전극층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제2 반사방지층을 구비하고, 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자와,
    회로패턴에 따른 전계를 상기 전기광학 결정층에 부여하는 전계발생회로와,
    상기 부여된 전계에 따라 변화된 복굴절율에 따라서 편광면이 변화된 상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 전계발생회로는 상기 전기광학소자를 접지하고, 상기 회로패턴에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 전계발생회로는 상기 회로패턴을 접지하고, 상기 전기광학소자에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 검출기는 복수회의 검출결과를 가산평균하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  19. 제 15 항에 있어서, 상기 검출기는 상기 전기광학소자에 빛을 입사했을 때의 반사광의 강도분포와, 빛을 입사하지 않을 때의 반사광의 강도분포의 차를 구하고, 차에 따라서 회로패턴을 검사하는 해석장치를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  20. 검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고, 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비한 전기광학소자에 빛을 조사하고,
    상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 전압을 인가하고 전계를 발생시켜서, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
    상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하여, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출방법.
  21. 검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고, 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 접착제층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 1의 반사방지층과, 상기 투명전극층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 2의 반사방지층를 구비한 전기광학소자에 빛을 조사하고,
    상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 전압을 인가하고, 전계를 발생시켜, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
    상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하여, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출방법.
  22. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자와,
    회로패턴에 따른 전계를 상기 전기소자에 부여하기 위해, 회로패턴과 상기 전기광학소자 사이에 주기적 영화전압을 인가하는 전압인가회로와,
    상기 전기광학소자에 빛을 조사하는 광원과,
    상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 교류전압을 인가하고,
    상기 검출기는 교류전압의 진폭이 최대일 때에 강도분포를 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  24. 제 22 항에 있어서, 상기 검출기는 복수회의 검출결과를 가산평균하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  25. 제 22 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 정부의 펄스전압을 인가하고,
    상기 검출기는 펄스전압의 인가시에 강도분포를 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  26. 제 22 항에 있어서, 상기 검출기는 상기 전기광학소자에 빛을 입사했을 때의 반사광의 강도분포와, 빛을 입사하지 않을 때의 반사광의 강도분포와의 차를 구하고, 차에 따라서 회로패턴을 검사하는 해석장치를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  27. 제 22 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 상기 전기광학소자를 접지하고, 상기 회로패턴에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  28. 제 22 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 상기 회로패턴을 접지하고, 상기 전기광학소자에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  29. 삭제
  30. 제 22 항에 있어서, 상기 전기광학소자는 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 접착제층을 더 구비하고,
    상기 반사방지층은 상기 전기광학 결정층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 1의 반사방지층과, 상기 투명전극층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 2의 반사방지층을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  31. 제 22 항에 있어서, 상기 광원과 상기 전기광학소자 사이에 설치되는 빔 스플리터와,
    상기 빔 스플리터와 상기 광원 사이에 설치되는 (1/8)파장판과,
    상기 빔 스플리터와 상기 검출기 사이에 설치되는 (1/8)파장판을 더 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  32. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자와,
    회로패턴에 따른 전계를 상기 전기소자에 부여하기 위해, 회로패턴과 상기 전기광학소자 사이에 전압을 인가하는 전압인가회로와,
    상기 전기광학소자에 빛을 조사하는 광원과,
    상기 전압의 인가에 동기하여 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 스텝전압을 인가하고,
    상기 검출기는 전압의 인가 개시시에 강도분포를 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  34. 제 32 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 1개의 펄스전압을 인가하고,
    상기 검출기는 펄스전압의 인가시에 강도분포를 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  35. 제 32 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 복수의 펄스전압을 인가하고, 이 복수의 펄스전압의 비인가시간은 상기 전기광학소자에 발생된 전하가 실질적으로 방전하는 시간 이상으로 설정되어 있고,
    상기 검출기는 펄스전압의 인가시에 강도분포를 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  36. 제 32 항에 있어서, 상기 검출기는 복수회의 검출결과를 가산평균하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  37. 제 32 항에 있어서, 상기 검출기는 상기 전기광학소자에 빛을 입사했을 때의 반사광의 강도분포와, 빛을 입사하지 않은 때의 반사광의 강도분포와의 차를 구하고, 차에 따라서 회로패턴을 검사하는 해석장치를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  38. 제 32 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 상기 전기광학소자를 접지하고, 상기 회로패턴에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  39. 제 32 항에 있어서, 상기 전압인가회로는, 상기 회로패턴을 접지하고, 상기 전기광학소자에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  40. 삭제
  41. 제 32 항에 있어서, 상기 전기광학소자는 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 접착제층을 더 구비하고,
    상기 반사방지층은 상기 전기광학 결정층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 1의 반사방지층과, 상기 투명전극층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 2의 반사방지층을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  42. 제 32 항에 있어서, 상기 광원과 상기 전기광학소자 사이에 설치된 빔 스플리터와,
    상기 빔 스플리터와 상기 광원 사이에 설치되는 (1/8)파장판과,
    상기 빔 스플리터와 상기 검출기 사이에 설치되는 (1/8)파장판을 더 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  43. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자에 빛을 조사하고,
    상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 교류전압을 인가하여, 전계를 발생시키고, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
    교류전압의 진폭 최대시에, 상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출방법.
  44. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자에 빛을 조사하고,
    상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이에 펄스전압을 인가하여, 전계를 발생시키고, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
    펄스전압의 초기상승시에, 상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출방법.
  45. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되고, 전계에 따라 변화된 복굴절율에 따라서 편광면이 변화하는 전기광학소자와,
    회로패턴에 따른 전계를 상기 전기소자에 부여하기 위해, 회로패턴과 상기 전기광학소자 사이에 주기적 영화전압을 인가하는 전압인가회로와,
    상기 전기광학소자에 빛을 조사하는 광원과,
    상기 전기광학소자의 반사광의 강도분포를 검출하는 검출기와,
    상기 광원으로부터의 광조사 또는 검출기로의 광입사를 제어하고, 조사광 또는 입사광을 펄스광으로 하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  46. 제 45 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 교류전압을 인가하고,
    상기 제어부는 교류전압이 정의 주기로 동기하여 상기 광원으로부터 펄스빛을 조사하게 하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  47. 제 45 항에 있어서, 상기 검출기는 복수회의 검출결과를 가산평균하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  48. 제 45 항에 있어서, 상기 검출기는 상기 전기광학소자에 빛을 입사했을 때의 반사광의 강도분포와, 빛을 입사하지 않은 때의 반사광의 강도분포와의 차를 구하고, 차에 따라서 회로패턴을 검사하는 해석장치를 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  49. 제 45 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 상기 전기광학소자를 접지하고, 상기 회로패턴에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  50. 제 45 항에 있어서, 상기 전압인가회로는 상기 회로패턴을 접지하고, 상기 전기광학소자에 교류전압을 인가하는 신호원을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  51. 삭제
  52. 제 45 항에 있어서, 상기 전기광학소자는, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 접착제층을 더 구비하고,
    상기 반사방지층은 상기 전기광학 결정층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 1의 반사방지층과, 상기 투명전극층과 상기 접착제층 사이에 설치된 제 2의 반사방지층을 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  53. 제 45 항에 있어서, 상기 광원과 상기 전기광학소자 사이에 설치되는 빔 스플리터와,
    상기 빔 스플리터와 상기 광원 사이에 설치되는 (1/8)파장판과,
    상기 빔 스플리터와 상기 검출기 사이에 설치되는 (1/8)파장판을 더 구비한 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출장치.
  54. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자와 상기 회로기판 사이에 교류전압을 인가하여, 전계를 발생시키고, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
    상기 교류전압의 주기에 연동하여 상기 전기광학소자에 펄스광을 조사하고,
    상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출방법.
  55. 전기광학 결정층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측에 설치된 투명전극층과, 상기 전기광학 결정층의 광입사측의 반대측에 설치된 반사층과, 상기 전기광학 결정층과 상기 투명전극층 사이에 설치된 반사방지층을 구비하고, 검사하고 싶은 회로패턴이 형성된 회로기판의 근방에 설치되는 전기광학소자와 상기 회로기판 사이에 교류전압을 인가하여, 전계를 발생시키고, 이 전계에 의해 상기 전기광학 결정층의 복굴절율을 회로패턴에 따라서 변화시키고,
    상기 전기광학소자에 광을 조사하고,
    상기 교류전압의 주기에 연동하여 상기 전기광학소자로부터의 반사광을 검출하고, 상기 회로기판과 상기 전기광학 결정층 사이의 전압분포패턴을 검출하는 것을 특징으로 하는 회로패턴 검출방법.
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