JPH063375A - 電気光学効果を利用した電界分布測定装置 - Google Patents
電気光学効果を利用した電界分布測定装置Info
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- JPH063375A JPH063375A JP4188659A JP18865992A JPH063375A JP H063375 A JPH063375 A JP H063375A JP 4188659 A JP4188659 A JP 4188659A JP 18865992 A JP18865992 A JP 18865992A JP H063375 A JPH063375 A JP H063375A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気光学効果を利用した電界分布測定装置の
小型化を図る。 【構成】 半導体レーザー光源１から出射した直線偏光
の光をコリメートレンズ２で平行光にした後、半透鏡
３、１／８波長板４、対物レンズ５を介して電気光学プ
ローブ６に導く。電気光学プローブ６で反射してきた光
は、対物レンズ５、１／８波長板４を介し、半透鏡３か
ら複屈折回折格子８へ導く。そして、この複屈折回折格
子８で互いに直交する偏光成分を分離し、各偏光成分を
受光素子９の所定の受光面９ａ、９ｂ、９ｃに入射させ
る。 【効果】 偏光成分を分離するのに複屈折回折格子を用
いることにより、この光学素子の厚みを大きくしなくと
も偏光成分の分離角を大きくすることができる。また、
１／８波長板を光の往復路に配置することで、装置内の
空間を有効に利用することができる。
小型化を図る。 【構成】 半導体レーザー光源１から出射した直線偏光
の光をコリメートレンズ２で平行光にした後、半透鏡
３、１／８波長板４、対物レンズ５を介して電気光学プ
ローブ６に導く。電気光学プローブ６で反射してきた光
は、対物レンズ５、１／８波長板４を介し、半透鏡３か
ら複屈折回折格子８へ導く。そして、この複屈折回折格
子８で互いに直交する偏光成分を分離し、各偏光成分を
受光素子９の所定の受光面９ａ、９ｂ、９ｃに入射させ
る。 【効果】 偏光成分を分離するのに複屈折回折格子を用
いることにより、この光学素子の厚みを大きくしなくと
も偏光成分の分離角を大きくすることができる。また、
１／８波長板を光の往復路に配置することで、装置内の
空間を有効に利用することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光学効果を利用し
て被測定部分の電界を測定する電界分布測定装置に関す
る。
て被測定部分の電界を測定する電界分布測定装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】被測定部分の電界により屈折率が変化す
る電気光学材料、例えば、ＬｉＴａＯ3 、ＧａＡｓ等を
用い、その電気光学効果を利用して、電界の非接触測定
をピコ秒の時間分解能とマイクロボルトの感度で行う電
界分布測定装置は、ＭＯＤＦＥＴ（Modulation Doped F
ield Effect Transistor: 変調ドープ電界効果トランジ
スタ）等の超高速デバイスの検査及び評価装置として有
用である。
る電気光学材料、例えば、ＬｉＴａＯ3 、ＧａＡｓ等を
用い、その電気光学効果を利用して、電界の非接触測定
をピコ秒の時間分解能とマイクロボルトの感度で行う電
界分布測定装置は、ＭＯＤＦＥＴ（Modulation Doped F
ield Effect Transistor: 変調ドープ電界効果トランジ
スタ）等の超高速デバイスの検査及び評価装置として有
用である。
【０００３】このような電気光学効果を利用して電界測
定を行う装置においては、当初、被測定デバイスからの
電気信号を電気光学材料の上に形成されたマイクロスト
リップ線路上に導き、その線路間の電界を測定する方法
を採用していた（特開昭６０−２５３８７８号公報）。
定を行う装置においては、当初、被測定デバイスからの
電気信号を電気光学材料の上に形成されたマイクロスト
リップ線路上に導き、その線路間の電界を測定する方法
を採用していた（特開昭６０−２５３８７８号公報）。
【０００４】一方、ＧａＡｓやＩｎＰ等の電気光学効果
を有する材料がＩＣ（集積回路）基板として使われてい
る場合には、図３に示すように、レーザー光１００をＩ
Ｃ基板７の上の信号線電極７ａの近傍からその裏側付近
に入射させ、裏面電極７ｂの裏面で反射した光の偏光成
分から基板内部の電界Ｅを測定することができる（直接
プローブ法）。
を有する材料がＩＣ（集積回路）基板として使われてい
る場合には、図３に示すように、レーザー光１００をＩ
Ｃ基板７の上の信号線電極７ａの近傍からその裏側付近
に入射させ、裏面電極７ｂの裏面で反射した光の偏光成
分から基板内部の電界Ｅを測定することができる（直接
プローブ法）。
【０００５】更に、図４に示すように、ＩＣ基板７等の
信号線７ａに、電気光学材料で作られ且つ高反射コート
部６ａを有する光プローブ（電気光学プローブ）６を接
近させ、信号線７ａから外部に漏れる電界Ｅを測定する
方法（外部プローブ法）が開発された（J. A. Valdmani
s: Electron. Lett. 23, 1308 (1987)) 。この外部プロ
ーブ法では、ＩＣ基板の材質にかかわらず、ＩＣ内部の
信号を無侵襲に且つ高い時間分解能及び空間分解能で測
定を行うことができる。
信号線７ａに、電気光学材料で作られ且つ高反射コート
部６ａを有する光プローブ（電気光学プローブ）６を接
近させ、信号線７ａから外部に漏れる電界Ｅを測定する
方法（外部プローブ法）が開発された（J. A. Valdmani
s: Electron. Lett. 23, 1308 (1987)) 。この外部プロ
ーブ法では、ＩＣ基板の材質にかかわらず、ＩＣ内部の
信号を無侵襲に且つ高い時間分解能及び空間分解能で測
定を行うことができる。
【０００６】図５に、従来の外部プローブ法の電界分布
測定装置の構成を示す。
測定装置の構成を示す。
【０００７】半導体レーザー光源１から出射した直線偏
光の光は、コリメートレンズ２を通過して平行光となっ
た後、１／４波長板１０で円偏光となり、ビームスプリ
ッターを構成する半透鏡３、更に、対物レンズ５を経
て、ＩＣ基板７の信号線７ａに接近させた電気光学プロ
ーブ６に入射する。なお、１／４波長板１０は、測定の
感度を最大にするために用いられるものである。電気光
学効果により電気光学プローブ６の屈折率は信号線７ａ
上の電界の強度に従って変化し、入射光は偏光状態の変
化を受ける。そして、この偏光変化を受けた光は、電気
光学プローブ６の高反射コート部６ａで反射し、復路で
もやはり電気光学プローブ６内で偏光変化を受ける。
光の光は、コリメートレンズ２を通過して平行光となっ
た後、１／４波長板１０で円偏光となり、ビームスプリ
ッターを構成する半透鏡３、更に、対物レンズ５を経
て、ＩＣ基板７の信号線７ａに接近させた電気光学プロ
ーブ６に入射する。なお、１／４波長板１０は、測定の
感度を最大にするために用いられるものである。電気光
学効果により電気光学プローブ６の屈折率は信号線７ａ
上の電界の強度に従って変化し、入射光は偏光状態の変
化を受ける。そして、この偏光変化を受けた光は、電気
光学プローブ６の高反射コート部６ａで反射し、復路で
もやはり電気光学プローブ６内で偏光変化を受ける。
【０００８】そして、この反射光は、ビームスプリッタ
ーである半透鏡３を介して、ウォラストンプリズム１１
へ入射し、このウォラストンプリズム１１で互いに直交
する２つの偏光成分に分けられて、受光素子９へ入射す
る。受光素子９は、ウォラストンプリズム１１で分離さ
れた２つの偏光成分を夫々受光するための２つの受光面
９ａ、９ｂを有しており、各々の受光面に入射した偏光
成分の強度により、ＩＣ基板７の信号線７ａ上の電界強
度の変化が光強度の変化として測定される。
ーである半透鏡３を介して、ウォラストンプリズム１１
へ入射し、このウォラストンプリズム１１で互いに直交
する２つの偏光成分に分けられて、受光素子９へ入射す
る。受光素子９は、ウォラストンプリズム１１で分離さ
れた２つの偏光成分を夫々受光するための２つの受光面
９ａ、９ｂを有しており、各々の受光面に入射した偏光
成分の強度により、ＩＣ基板７の信号線７ａ上の電界強
度の変化が光強度の変化として測定される。
【０００９】図６に示すように、これらの２つの偏光成
分の強度は、信号線７ａにおける電気信号の強弱に応じ
てほぼ直線的に変化し、変化する方向は互いに逆であ
る。そこで、受光面９ａ、９ｂで検出される２つの偏光
成分の強度を差動的に検出すれば、同相のノイズ成分が
除去され、Ｓ／Ｎの良い測定が可能となる。
分の強度は、信号線７ａにおける電気信号の強弱に応じ
てほぼ直線的に変化し、変化する方向は互いに逆であ
る。そこで、受光面９ａ、９ｂで検出される２つの偏光
成分の強度を差動的に検出すれば、同相のノイズ成分が
除去され、Ｓ／Ｎの良い測定が可能となる。
【００１０】次に、時間波形を得るための電気制御系に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１１】図５に示すように、ＩＣへのクロック入力
と半導体レーザー光源１のドライバーには、互いに位相
同期された一対のマイクロ波シンセサイザー１２ａ、１
２ｂが夫々用いられ、両シンセサイザー１２ａ、１２ｂ
の周波数にオフセットΔｆを持たせることにより、レー
ザー光入射のタイミングがずれ、そのオフセット周波数
の逆数（１／Δｆ）の周期で時間波形が得られる。そし
て、ミキサー１３を用い、そのオフセット周波数Δｆの
信号線をオシロスコープ１５のトリガー入力に接続し、
一方、受光素子９からの信号を差動アンプ１４を通して
オシロスコープ１５に入力することにより、その時間波
形を観測することができる。
と半導体レーザー光源１のドライバーには、互いに位相
同期された一対のマイクロ波シンセサイザー１２ａ、１
２ｂが夫々用いられ、両シンセサイザー１２ａ、１２ｂ
の周波数にオフセットΔｆを持たせることにより、レー
ザー光入射のタイミングがずれ、そのオフセット周波数
の逆数（１／Δｆ）の周期で時間波形が得られる。そし
て、ミキサー１３を用い、そのオフセット周波数Δｆの
信号線をオシロスコープ１５のトリガー入力に接続し、
一方、受光素子９からの信号を差動アンプ１４を通して
オシロスコープ１５に入力することにより、その時間波
形を観測することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電界分
布測定装置においては、偏光成分を分離するための手段
としてウォラストンプリズム１１のような偏光プリズム
を用いている。ところが、偏光プリズムによる偏光の分
離角（偏角）は、プリズムを構成する角度に依存するた
め、偏光成分を比較的大きな偏角で分離するためには、
必然的に大きなプリズムの厚みが必要となる。そして、
このことは、装置の小型化及び低コスト化の点で不利で
あった。
布測定装置においては、偏光成分を分離するための手段
としてウォラストンプリズム１１のような偏光プリズム
を用いている。ところが、偏光プリズムによる偏光の分
離角（偏角）は、プリズムを構成する角度に依存するた
め、偏光成分を比較的大きな偏角で分離するためには、
必然的に大きなプリズムの厚みが必要となる。そして、
このことは、装置の小型化及び低コスト化の点で不利で
あった。
【００１３】また、上述した従来の電界分布測定装置に
おいては、半導体レーザー光源１からの直線偏光を光の
往路だけで円偏光にするため１／４波長板１０を用いて
いるが、光の復路では当然この１／４波長板１０を避け
る必要が有り、このため、装置内に比較的無駄な空間が
生じて、装置構成がスペースファクター的に不利とな
り、このことによっても小型化に適さないという問題が
有った。
おいては、半導体レーザー光源１からの直線偏光を光の
往路だけで円偏光にするため１／４波長板１０を用いて
いるが、光の復路では当然この１／４波長板１０を避け
る必要が有り、このため、装置内に比較的無駄な空間が
生じて、装置構成がスペースファクター的に不利とな
り、このことによっても小型化に適さないという問題が
有った。
【００１４】そこで、本発明の目的は、電気光学効果を
利用した電界分布測定装置で且つ小型化に適した装置を
提供することである。
利用した電界分布測定装置で且つ小型化に適した装置を
提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の電界分布測定装置は、光源と、電気光
学効果を有する材料からなり、電界分布を測定しようと
する被測定部の近傍に配される測定子と、複数の検出面
を有する光検出手段と、前記光源と前記測定子との間の
光路中に配され、前記光源からの光を前記測定子の側へ
透過するとともに、前記測定子で反射されてきた光を前
記光検出手段へ導くべく反射するビームスプリッター
と、このビームスプリッターと前記測定子との間の光路
中に配された１／８波長板と、前記ビームスプリッター
と前記光検出手段との間の光路中に配され、前記ビーム
スプリッターから入射した光の偏光成分を分離し、これ
らの分離された偏光成分を前記光検出手段の前記複数の
検出面に夫々導く複屈折回折格子とを有する。
ために、本発明の電界分布測定装置は、光源と、電気光
学効果を有する材料からなり、電界分布を測定しようと
する被測定部の近傍に配される測定子と、複数の検出面
を有する光検出手段と、前記光源と前記測定子との間の
光路中に配され、前記光源からの光を前記測定子の側へ
透過するとともに、前記測定子で反射されてきた光を前
記光検出手段へ導くべく反射するビームスプリッター
と、このビームスプリッターと前記測定子との間の光路
中に配された１／８波長板と、前記ビームスプリッター
と前記光検出手段との間の光路中に配され、前記ビーム
スプリッターから入射した光の偏光成分を分離し、これ
らの分離された偏光成分を前記光検出手段の前記複数の
検出面に夫々導く複屈折回折格子とを有する。
【００１６】また、本発明の別の態様による電界分布測
定装置は、光源と、複数の検出面を有する光検出手段
と、電気光学効果を有する材料を含む被測定部と前記光
源との間の光路中に配され、前記光源からの光を前記被
測定部の側へ透過するとともに、前記被測定部で反射さ
れてきた光を前記光検出手段へ導くべく反射するビーム
スプリッターと、このビームスプリッターと前記被測定
部との間の光路中に配された１／８波長板と、前記ビー
ムスプリッターと前記光検出手段との間の光路中に配さ
れ、前記ビームスプリッターから入射した光の偏光成分
を分離し、これらの分離された偏光成分を前記光検出手
段の前記複数の検出面に夫々導く複屈折回折格子とを有
する。
定装置は、光源と、複数の検出面を有する光検出手段
と、電気光学効果を有する材料を含む被測定部と前記光
源との間の光路中に配され、前記光源からの光を前記被
測定部の側へ透過するとともに、前記被測定部で反射さ
れてきた光を前記光検出手段へ導くべく反射するビーム
スプリッターと、このビームスプリッターと前記被測定
部との間の光路中に配された１／８波長板と、前記ビー
ムスプリッターと前記光検出手段との間の光路中に配さ
れ、前記ビームスプリッターから入射した光の偏光成分
を分離し、これらの分離された偏光成分を前記光検出手
段の前記複数の検出面に夫々導く複屈折回折格子とを有
する。
【００１７】本発明の好ましい態様においては、前記光
源がレーザー光源である。
源がレーザー光源である。
【００１８】本発明の好ましい態様においては、また、
前記１／８波長板と前記複屈折回折格子とが前記ビーム
スプリッターに一体的に組み合わされて配置されてい
る。
前記１／８波長板と前記複屈折回折格子とが前記ビーム
スプリッターに一体的に組み合わされて配置されてい
る。
【００１９】
【作用】本発明の電界分布測定装置においては、測定子
又は被測定部から反射してきた光の偏光成分を分離する
ために偏光プリズムではなく複屈折回折格子を用いてい
る。複屈折回折格子は、実施例で詳しく述べるように、
回折格子の周期を調整することで偏光成分の分離角を容
易に変化させることができ、偏光プリズムのような大き
な厚みは不要である。従って、装置の小型化を図ること
ができる。
又は被測定部から反射してきた光の偏光成分を分離する
ために偏光プリズムではなく複屈折回折格子を用いてい
る。複屈折回折格子は、実施例で詳しく述べるように、
回折格子の周期を調整することで偏光成分の分離角を容
易に変化させることができ、偏光プリズムのような大き
な厚みは不要である。従って、装置の小型化を図ること
ができる。
【００２０】また、１／８波長板を光の往復路中に配置
することにより、１／４波長板を用いた従来の装置に比
べて無駄な空間を少なくすることができ、これによって
も装置の小型化を図ることができる。
することにより、１／４波長板を用いた従来の装置に比
べて無駄な空間を少なくすることができ、これによって
も装置の小型化を図ることができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例につき図１及び図２を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２２】図１は、直接プローブ法の電界分布測定装
置に本発明を適用した一実施例の光学系の構成を示す概
略図である。なお、電気制御系は図示していないが、図
５に示した従来の構成とほぼ同様の構成で良い。
置に本発明を適用した一実施例の光学系の構成を示す概
略図である。なお、電気制御系は図示していないが、図
５に示した従来の構成とほぼ同様の構成で良い。
【００２３】本実施例において、半導体レーザー光源１
から出射した直線偏光の光は、コリメートレンズ２を通
過して平行光となった後、ビームスプリッターを構成す
る半透鏡３、１／８波長板４、更に、対物レンズ５を経
て、ＩＣ基板７の信号線７ａに接近させた電気光学プロ
ーブ６に入射する。そして、この電気光学プローブ６で
偏光変化を受けた光は、対物レンズ５から、再び１／８
波長板４を透過し、更に、ビームスプリッターである半
透鏡３を介して、複屈折回折格子８に入射する。そし
て、この複屈折回折格子８で、互いに直交する２つの偏
光成分に分離され、これらの偏光成分が、例えば３つの
受光面９ａ、９ｂ、９ｃを有する受光素子９に入射す
る。
から出射した直線偏光の光は、コリメートレンズ２を通
過して平行光となった後、ビームスプリッターを構成す
る半透鏡３、１／８波長板４、更に、対物レンズ５を経
て、ＩＣ基板７の信号線７ａに接近させた電気光学プロ
ーブ６に入射する。そして、この電気光学プローブ６で
偏光変化を受けた光は、対物レンズ５から、再び１／８
波長板４を透過し、更に、ビームスプリッターである半
透鏡３を介して、複屈折回折格子８に入射する。そし
て、この複屈折回折格子８で、互いに直交する２つの偏
光成分に分離され、これらの偏光成分が、例えば３つの
受光面９ａ、９ｂ、９ｃを有する受光素子９に入射す
る。
【００２４】図２を参照して、本実施例における複屈折
回折格子８の構成及び作用を説明する。
回折格子８の構成及び作用を説明する。
【００２５】横断面が矩形で且つ回折溝部分の幅が格子
の一周期の半分である薄い板状の位相格子に入射した光
強度に対する０次回折光強度の比は次式で表される。
の一周期の半分である薄い板状の位相格子に入射した光
強度に対する０次回折光強度の比は次式で表される。
【００２６】η0 ＝ cos 2 (α／２）
【００２７】ここで、αは、回折格子の一周期に対応す
る光の位相差である。そこで、互いに直交する２つの偏
光成分に対しαを夫々０及びπにすると、各偏光成分の
０次回折光の強度比を１及び０とすることができ、２つ
の偏光成分を空間的に分離することができる。
る光の位相差である。そこで、互いに直交する２つの偏
光成分に対しαを夫々０及びπにすると、各偏光成分の
０次回折光の強度比を１及び０とすることができ、２つ
の偏光成分を空間的に分離することができる。
【００２８】このような複屈折回折格子８は、プロトン
交換法によりＬｉＮｂＯ3 基板上に作成することができ
る。今、ＬｉＮｂＯ3 の結晶軸（ｃ軸）に平行な偏光成
分を異常光（ｅ）、垂直な偏光成分を常光（ｏ）と呼ぶ
ことにすると、プロトン交換領域８ａにおいては、異常
光に対する屈折率が約０．０９増加し、常光に対しては
約０．０４減少する。そこで、常光線のみを真っ直ぐに
透過させ、異常光線のみを回折させるために、プロトン
交換領域８ａの上に誘電体膜８ｂを付けることで常光に
対して生じる位相変化を相殺し、また、プロトン交換領
域８ａの層の厚さを調整することで異常光と常光の位相
差をπに設定することができる。これにより、図示の如
く、互いに直交する２つの偏光成分を空間的に分離する
ことができる。
交換法によりＬｉＮｂＯ3 基板上に作成することができ
る。今、ＬｉＮｂＯ3 の結晶軸（ｃ軸）に平行な偏光成
分を異常光（ｅ）、垂直な偏光成分を常光（ｏ）と呼ぶ
ことにすると、プロトン交換領域８ａにおいては、異常
光に対する屈折率が約０．０９増加し、常光に対しては
約０．０４減少する。そこで、常光線のみを真っ直ぐに
透過させ、異常光線のみを回折させるために、プロトン
交換領域８ａの上に誘電体膜８ｂを付けることで常光に
対して生じる位相変化を相殺し、また、プロトン交換領
域８ａの層の厚さを調整することで異常光と常光の位相
差をπに設定することができる。これにより、図示の如
く、互いに直交する２つの偏光成分を空間的に分離する
ことができる。
【００２９】この複屈折回折格子８の分離角は、格子間
隔を変えることで容易に調整が可能であり、従来の偏光
プリズムの場合のような厚みを必要としない。従って、
その小型化及び軽量化が容易に達成できる。
隔を変えることで容易に調整が可能であり、従来の偏光
プリズムの場合のような厚みを必要としない。従って、
その小型化及び軽量化が容易に達成できる。
【００３０】図１に示すように、複屈折回折格子８で分
離された２つの偏光成分は、異常光線が受光素子９の受
光面９ａ及び９ｃで夫々受光され、常光線が受光素子９
の受光面９ｂで受光される。
離された２つの偏光成分は、異常光線が受光素子９の受
光面９ａ及び９ｃで夫々受光され、常光線が受光素子９
の受光面９ｂで受光される。
【００３１】本実施例の電界分布測定装置においては、
１／８波長板４を光の往復路に配置するとともに、偏光
成分を分離するための手段に複屈折回折格子８を用い、
これらの１／８波長板４と複屈折回折格子８をビームス
プリッターである半透鏡３と一体的に配置している。従
って、装置全体の小型化及び簡素化が達成でき、また、
軽量化も実現することができる。更に、これらに伴い、
コスト削減も可能である。
１／８波長板４を光の往復路に配置するとともに、偏光
成分を分離するための手段に複屈折回折格子８を用い、
これらの１／８波長板４と複屈折回折格子８をビームス
プリッターである半透鏡３と一体的に配置している。従
って、装置全体の小型化及び簡素化が達成でき、また、
軽量化も実現することができる。更に、これらに伴い、
コスト削減も可能である。
【００３２】なお、以上に説明した実施例は外部プロー
ブ法の場合であるが、本発明は、直接プローブ法の電界
分布測定装置にもほぼ同様にして適用が可能であり、そ
の場合には、測定子６が不要となって、電気光学効果を
有する材料を含む被測定部から反射してきた光を検出す
ることになる。
ブ法の場合であるが、本発明は、直接プローブ法の電界
分布測定装置にもほぼ同様にして適用が可能であり、そ
の場合には、測定子６が不要となって、電気光学効果を
有する材料を含む被測定部から反射してきた光を検出す
ることになる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の電界分布測定装置によれば、測
定子又は被測定部から反射してきた光の偏光成分を分離
するために複屈折回折格子を用いているので、従来の偏
光プリズムを用いる場合と比較して、その厚みを小さく
でき、装置の小型化を図ることができる。
定子又は被測定部から反射してきた光の偏光成分を分離
するために複屈折回折格子を用いているので、従来の偏
光プリズムを用いる場合と比較して、その厚みを小さく
でき、装置の小型化を図ることができる。
【００３４】また、１／８波長板を往復光路中に配置す
ることにより、往路のみに１／４波長板を用いた従来の
装置に比べて無駄な空間を少なくすることができ、これ
によっても装置の小型化を図ることができる。
ることにより、往路のみに１／４波長板を用いた従来の
装置に比べて無駄な空間を少なくすることができ、これ
によっても装置の小型化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例による電界分布測定装置の光
学系の構成を示す概略図である。
学系の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施例による複屈折回折格子の構成
及び作用を示す概略図である。
及び作用を示す概略図である。
【図３】直接プローブ法の測定原理を示す概略図であ
る。
る。
【図４】外部プローブ法の測定原理を示す概略図であ
る。
る。
【図５】従来の外部プローブ法の電界分布測定装置の構
成を示す概略図である。
成を示す概略図である。
【図６】図５の装置における各偏光成分の光強度と被測
定部の電界強度との関係を示すグラフである。
定部の電界強度との関係を示すグラフである。
１ 半導体レーザー光源 ２ コリメートレンズ ３ 半透鏡 ４ １／８波長板 ５ 対物レンズ ６ 電気光学プローブ ６ａ 高反射コート部 ７ ＩＣ基板 ７ａ 信号線 ８ 複屈折回折格子 ８ａ プロトン交換層 ８ｂ 誘電体膜 ９ 受光素子 ９ａ、９ｂ、９ｃ 受光面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｃ 7352−4Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】 光源と、 電気光学効果を有する材料からなり、電界分布を測定し
ようとする被測定部の近傍に配される測定子と、 複数の検出面を有する光検出手段と、 前記光源と前記測定子との間の光路中に配され、前記光
源からの光を前記測定子の側へ透過するとともに、前記
測定子で反射されてきた光を前記光検出手段へ導くべく
反射するビームスプリッターと、 このビームスプリッターと前記測定子との間の光路中に
配された１／８波長板と、 前記ビームスプリッターと前記光検出手段との間の光路
中に配され、前記ビームスプリッターから入射した光の
偏光成分を分離し、これらの分離された偏光成分を前記
光検出手段の前記複数の検出面に夫々導く複屈折回折格
子とを有することを特徴とする電界分布測定装置。 - 【請求項２】 光源と、 複数の検出面を有する光検出手段と、 電気光学効果を有する材料を含む被測定部と前記光源と
の間の光路中に配され、前記光源からの光を前記被測定
部の側へ透過するとともに、前記被測定部で反射されて
きた光を前記光検出手段へ導くべく反射するビームスプ
リッターと、 このビームスプリッターと前記被測定部との間の光路中
に配された１／８波長板と、 前記ビームスプリッターと前記光検出手段との間の光路
中に配され、前記ビームスプリッターから入射した光の
偏光成分を分離し、これらの分離された偏光成分を前記
光検出手段の前記複数の検出面に夫々導く複屈折回折格
子とを有することを特徴とする電界分布測定装置。 - 【請求項３】 前記光源がレーザー光源であることを特
徴とする請求項１又は２に記載の電界分布測定装置。 - 【請求項４】 前記１／８波長板と前記複屈折回折格子
とが前記ビームスプリッターに一体的に組み合わされて
配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の電界分布測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188659A JPH063375A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 電気光学効果を利用した電界分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188659A JPH063375A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 電気光学効果を利用した電界分布測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063375A true JPH063375A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=16227602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4188659A Withdrawn JPH063375A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 電気光学効果を利用した電界分布測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002044799A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Toppan Printing Co., Ltd. | Dispositif detecteur du motif de circuit et procede de detection de motif de circuit |
| US6894514B2 (en) | 2000-12-01 | 2005-05-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Circuit pattern detecting apparatus and circuit pattern inspecting method |
| CN103412197A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-11-27 | 天津学子电力设备科技有限公司 | 一种激光诱导热脉冲聚合物电介质空间电荷测量装置与方法 |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP4188659A patent/JPH063375A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002044799A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Toppan Printing Co., Ltd. | Dispositif detecteur du motif de circuit et procede de detection de motif de circuit |
| US6894514B2 (en) | 2000-12-01 | 2005-05-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Circuit pattern detecting apparatus and circuit pattern inspecting method |
| CN103412197A (zh) * | 2013-06-05 | 2013-11-27 | 天津学子电力设备科技有限公司 | 一种激光诱导热脉冲聚合物电介质空间电荷测量装置与方法 |
| CN103412197B (zh) * | 2013-06-05 | 2016-08-10 | 天津学子电力设备科技有限公司 | 一种激光诱导热脉冲聚合物电介质空间电荷测量方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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