JP2742473B2 - 高速電圧測定装置 - Google Patents

高速電圧測定装置

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    • G01R1/071Non contact-making probes containing electro-optic elements
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    • G01R15/22Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-emitting devices, e.g. LED, optocouplers

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電気光学結晶を用い
た高速電圧測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば図6に示されるような、E
−Oサンプリング装置と称される、高速電圧測定装置1
がある。
【0003】この高速電圧測定装置1は、短パルス光源
2、高速光検出器のような高速光デバイス3、偏光子4
A、光変調器4B及び検光子4Cからなる光強度変調器
4と、光遅延装置5と、光検出器6とを有してなり、短
パルス光源2からの短パルス光をビームスプリッタ7で
分岐し、一方は、前記高速光デバイス3に入力され、そ
の出力が被測定電気信号として前記光変調器4Bに入力
され、ビームスプリッタ7で分岐された他方の短パルス
光は、ミラー8Aを経て光遅延装置5に入力され、ここ
で所定時間遅延された後、ミラー8Bを経て、前記光強
度変調器4に入力され、光変調器4Bに入力される被測
定電気信号によって強度変調を受け、検光子4Cを経て
光検出器6に入力されるようになっている。
【0004】光変調器4Bへの印加電圧Vと、検光子4
Cを経て光検出器6に入力する出力光強度Iとの間に
は、図7に示されるように、次の(1)式の関係があ
る。
【0005】 I=I0 sin 2 (π/2・V/Vπ) …(1)
【0006】従って、光検出器6では前記(1)式に基
づいて、被測定電気信号によって強度が変調された光を
検出することになる。
【0007】光検出器6の出力は、アンプ9で増幅され
た後にXYレコーダ10に入力される。
【0008】XYレコーダ10では、光遅延装置5から
の遅延時間の信号(X)と、光検出器6からの信号
(Y)により、光遅延時間(X)を連続的に変化させる
ことによりサンプリング点を移動させ、被測定電気信号
の全体の波形を見ることができる。
【0009】この原理を次に詳述する。
【0010】被測定電気信号の波形と光変調器4Bへの
入力短パルス光の関係が図8の如くであったとする。
【0011】前記光遅延装置5による被測定電気信号の
基準時刻からの遅延時間をTa とすると、被測定電気信
号のA点を測定していることになる。このとき、印加電
圧は零であるから、光検出器6の出力は変化しない。
【0012】次に遅延時間をTb とすると、今度は、B
点を測定していることになり、電圧Vb に依存した出力
となる。同様に、遅延時間をTcとすると、C点の電位
Vcが測定できる。
【0013】光遅延装置5は、ゆっくり動作させること
ができ、且つ、サンプリング方式を用いているので光検
出器6は、遅延時間の変化に追従していくのみでよく、
光検出器6の応答速度は遅くてもよいことになる。
【0014】このようにして、被測定電気信号の全体の
波形を測定する。
【0015】このとき、光変調器4Bの動作が非常に高
速であるので、この電圧検出装置1の応答速度は、短パ
ルス光源2から出射されるパルス光のパルス幅で決定さ
れることになる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の高
速電圧測定装置1においては、図7に示されるように、
光変調器4Bへの印加電圧Vと、検光子4Cを経た出力
光強度Iは比例関係ではないので、IからVを算出する
ためには、図7の出力特性を元に変換する必要がある。
【0017】この場合、Vが小さい場合は、Vの変化に
対するIの変化が少ないので、正確な測定が困難である
という問題点がある。
【0018】これに対しては、通常、偏光子4Aと検光
子4Cの間に1/4波長板を置いて光学バイアスを与え
て、V=Vπ/2に動作点を設定し、その近傍で、v <
<Vπ/2のような小さな変調電圧v を印加し、測定を
行うようにしている。このようにすると、変調電圧v と
変調出力光強度i との間には、近似的に比例関係が成り
立つので、図7のような出力特性を元にした変換が不要
となる。
【0019】しかしながら、この場合は、v <<Vπ/
2のような小さな値の電圧しか測定できず、VVπ又
はV>Vπのような、大きな値のVの測定には適用でき
ないという問題点がある。
【0020】更に又、上記のような高速電圧測定装置1
においては、印加電圧Vを徐々に高くした場合、V>V
πとなると、図7の入出力特性からも分かるように、出
力光強度Iが逆に小さくなり、正しい測定ができないと
いう問題点がある。
【0021】この発明は、上記従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、小さな電圧及び大きな電圧の測定
が、入出力特性を元にした変換等を用いることなく、容
易に行うことができる高速電圧測定装置を提供すること
を目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】この発明は、偏光した光
を出力するパルス光源と、電気光学結晶を用いた光変調
器と、偏光干渉計と、光検出器と、をこの順で配置して
なり、前記光変調器に印加される電気信号の変化に応じ
て、前記光検出器の入力面に形成される干渉縞が移動す
る移動量に基づいて、前記電気信号の電圧をサンプリン
グ検出することを特徴とする高速電圧測定装置により、
上記目的を達成するものである。
【0023】前記偏光干渉計は、複屈折結晶と、検光子
とを光入力側からこの順で備えて構成するようにしても
よい。
【0024】又、前記偏光干渉計は、シングルスリット
及びこれと平行のダブルスリットからなり、前記シング
ルスリットの長手方向に対して+45°及び−45°の
偏光方向の偏光子を、前記ダブルスリットの各々のスリ
ットに備えたヤングの干渉計と、このヤングの干渉計の
光出力側に設けられ、前記偏光子に対して偏光方向が4
5°異なる検光子と、から構成してもよい。
【0025】前記パルス光源は、無偏光の光を出力する
パルス光源と偏光子から構成されるようにしてもよい。
【0026】
【作用及び効果】この発明によれば、入射する光の偏光
状態に応じて干渉縞を発生させる偏光干渉計と、この偏
光干渉計の入力側に、被測定電気信号を印加すると、入
射光の偏光状態が変化して出力する光変調器と、を設
け、該光変調器への印加電圧に比例して前記干渉縞が移
動することを利用している。
【0027】この干渉縞の移動量を光検出器により検出
することによって、被測定電気信号の電圧を測定するこ
とができる。
【0028】前記被測定電気信号の電圧変化と、干渉縞
の移動量は比例関係にあるので、図6の従来の高速電圧
測定装置におけるように、入出力特性に基づく変換をす
ることなく、容易に電圧を測定することができる。
【0029】又、同様の理由により、電圧と干渉縞の移
動量とのリニアリティが良好であり、高い測定精度を得
ることができ、更に、光変調器の半波長電圧Vπの大小
に拘らず測定をすることができるという優れた効果を有
する。
【0030】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
【0031】図1に示されるように、本発明の実施例に
係る高速電圧測定装置10は、短パルス光源12と、偏
光子14と、被測定電気信号が印加される電気光学結晶
からなる光変調器16と、偏光干渉計18と、この光干
渉計18からの出力光を受光する光検出器20と、この
光検出器20の出力信号を処理する処理装置22とを、
短パルス光源12側からこの順で配置して構成され、前
記光変調器16に印加される電気信号の変化に応じて、
前記光検出器20の入力面に形成される干渉縞が移動す
る移動量に基づいて、前記電気信号の電圧をサンプリン
グ検出するものである。前記偏光子14は、前記パルス
光源12からの出力光が偏光している場合は省略するこ
とができる。
【0032】前記偏光干渉計18は、図2に示されるよ
うに、対物レンズ24と、複屈折結晶26と、検光子2
8を、この順で配置して構成したものである。
【0033】前記検光子28の偏光方向は、複屈折結晶
26の結晶の光学軸と45°の角度を持つようにして配
置されている。
【0034】前記光検出器20は、1次元CCDから構
成されている。
【0035】又、処理装置22は、1次元CCDである
光検出器20で得られた干渉縞のピーク値の間隔A、及
びピークの移動量Xから、後述の(2)式に基づいて印
加電圧Vを求めるものである。
【0036】次に上記実施例装置の作用について説明す
る。
【0037】前記偏光干渉計18に偏光した光が入力す
ると、対物レンズ24で拡げられ、複屈折結晶26に入
射する。
【0038】この複屈折結晶26中では、入力ビームは
結晶の光学軸によって決まる方向と、これと直角の方向
の2つの偏光状態の光に分かれ、異なる経路を伝播し、
2つの出力光に光路差が与えられることになる。
【0039】検光子28は、前述の如く、その偏光方向
が、複屈折結晶26の光学軸と45°の角度を持って配
置されているので、該複屈折結晶26を出射したその偏
光状態が直交した2つのビームは、検光子28を通過し
た後に干渉し、その干渉縞が光検出器20の入力面に形
成されることになる。
【0040】一方、光変調器16は、印加された電圧に
応じて、入射光の偏光状態を変化して偏光干渉計18に
出力する。
【0041】従って、偏光干渉計18によって光検出器
20の入力面に形成された干渉縞は、光変調器16によ
る偏光状態の変化、即ち、印加電圧の変化に比例して移
動することになる。
【0042】このときの干渉縞の移動量Xは、干渉縞の
間隔をA、光変調器16への印加電圧をV、半波長電圧
をVπとしたとき、次の(2)式で与えられることにな
る。
【0043】X=A/2・V/Vπ …(2)
【0044】前記光検出器20を、1024ch(チャネ
ル)の1次元CCDとした場合の光検出器20の出力例
は、図3のようになる。光変調器16への電圧が印加さ
れていないときの干渉縞による出力は、図3で実線で示
される。
【0045】処理装置22では、この実線の4つのピー
クのチャネルA1〜A4を求め、これから干渉縞の間隔
Aを求める。
【0046】次に、被測定電気信号を光変調器16に印
加し、そのときの干渉縞に基づく光検出器20の出力の
ピークのチャネルB1〜B3を、図3の破線に示される
ように求め、前述のチャネルA1〜A4と比較すること
によって、干渉縞の移動量Xを求めることができる。
【0047】この移動量Xから、前述のように、電圧V
を求めることができる。
【0048】なお、光変調器16への印加電圧の変化に
よる干渉縞の移動速度は、この光変調器16の特性によ
って決定され、非常に高速であるが、短パルス光源から
の短パルス光を利用して、サンプリング方式で電圧を求
めているので、光検出器20の応答速度が遅くても、高
速の電気信号を測定することが可能である。
【0049】上記実施例において、更に精度良く干渉縞
の移動量Xを求める場合には、光検出器20の出力をフ
ーリエ変換し、その位相を読み取るようにすればよい。
【0050】この場合は、干渉縞のピークの点のみでな
く、全ての点の情報を用いて計算することになるので、
ピークのみから電圧を求める場合と比較して、精度をよ
り向上させることができる。
【0051】上記実施例において、前記検光子28の偏
光方向と複屈折結晶26の結晶の光学軸との角度は45
°だけに限定されず、一致又は直交しなければ良い。
【0052】上記実施例においては、偏光干渉計18
は、複屈折結晶26を含むものであるが、本発明はこれ
に限定されるものでなく、偏光干渉計は、他の構成であ
ってもよい。
【0053】例えば、図4に示されるように、シングル
スリット30と、これと平行のダブルスリット32とか
らなり、前記シングルスリット30の長手方向に対して
+45°及び−45°の偏光方向の偏光子34A、34
Bからなるヤングの干渉計36と、このヤングの干渉計
36の光出力側に設けられ、前記偏光子14に対して偏
光方向が45°異なる検光子38と、から構成してもよ
い。
【0054】このヤングの干渉計36に入力した光は、
シングルスリット30で回折されて拡がり、ダブルスリ
ット32へ入射する。
【0055】ダブルスリット32は、互いに直交する偏
光方向の偏光子34A、34Bを備えているために、互
いに直交した偏光状態の光となって、該偏光子34A、
34Bを通過し、これらは検光子38を通過した後、干
渉して、光検出器20の入力面に干渉縞を形成する。
【0056】光変調器16に被測定電気信号が印加され
ると、前記直交した偏光状態の2つの光の位相差が変化
し、この位相差変化に応じて干渉縞が移動することにな
る。
【0057】上記実施例において、前記偏光子34A、
34Bの偏光方向は前記シングルストリット30の長手
方向に対して、+45°、−45°に限定されず、両者
が一致しなければよい。又、前記検光子38の偏光方向
は、前記偏光子34A、34Bのいずれかと一致しなけ
ればよい。
【0058】次に、半波長電圧Vπが小さい場合の実施
例について説明する。
【0059】この実施例は、図5に示されるように、導
波路型光変調器40を用いる。この導波路型光変調器4
0は、導波路40Aの両側の電極40B、40Cの間隔
を狭くして、電気光学結晶へ印加される電界を強くする
と同時に、電極を導波路40Aの幅に比較して長くし、
相互作用長を大きくすることによって、半波長電圧Vπ
を、例えば10V程度と小さくすることができる。
【0060】半波長電圧Vπが小さいと、導波路型光変
調器40の電極40B、40C間への印加電圧の変化に
対する干渉縞の移動量が大きくなり、高精度の測定を行
うことができる。
【0061】この実施例の場合は、1次元CCDである
光検出器20の出力を、処理装置22で解析する際に、
図3におけるような、干渉縞に対応する出力波形の1つ
のピークに着目し、それを追跡することによって干渉縞
の移動量を検出することができる。
【0062】なお、干渉縞の移動量が大きくて、着目し
ていたピークが、CCDの測定レンジから外れてしまう
ような場合は、追跡していく途中で着目するピークを変
更することによって、半波長電圧Vπに対して印加電圧
がどのように大きくても測定することが可能となる。
【0063】又、前記光検出器は一次元イメージセン
サ、二次元イメージセンサ例えばCCDカメラ等の他の
光検出器であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明に係る高速電圧測定装置の実施
例を示すブロック図である。
【図2】図2は、同実施例における偏光干渉計の一例を
示すブロック図である。
【図3】図3は、同実施例装置における光検出器の出力
を示す線図である。
【図4】図4は、前記実施例における偏光干渉計の他の
例を示すブロック図である。
【図5】図5は、本発明の第2実施例に係る光変調器を
示す斜視図である。
【図6】図6は、従来の高速電圧測定装置を示すブロッ
ク図である。
【図7】図7は、図6の高速電圧測定装置における光変
調器への印加電圧と、光検出器の出力との関係を示す線
図である。
【図8】図8は、図6の高速電圧測定装置における光変
調器への入力光パルスと、被測定電気信号との関係を示
す線図である。
【符号の説明】
10…高速電圧測定装置、 12…短パルス光源、 14、34A、34B…偏光子、 16…光変調器、 18…偏光干渉計、 20…光検出器、 22…処理装置、 26…複屈折結晶、 30…シングルスリット、 32…ダブルスリット、 36…ヤングの干渉計、 28、38…検光子、 40…導波路型光変調器。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−267766(JP,A) 特開 平3−158704(JP,A) 特開 平2−156166(JP,A) 特開 昭62−63802(JP,A)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】偏光した光を出力するパルス光源と、電気
    光学結晶を用いた光変調器と、偏光干渉計と、光検出器
    と、をこの順で配置してなり、前記光変調器に印加され
    る電気信号の変化に応じて、前記光検出器の入力面に形
    成される干渉縞が移動する移動量に基づいて、前記電気
    信号の電圧をサンプリング検出することを特徴とする高
    速電圧測定装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記偏光干渉計は、複
    屈折結晶と、検光子と、を光入力側からこの順で備えて
    なることを特徴とする高速電圧測定装置。
  3. 【請求項3】請求項1において、前記偏光干渉計は、シ
    ングルスリット及びこれと平行のダブルスリットからな
    り、前記シングルスリットの長手方向に対して+45°
    及び−45°の偏光方向の偏光子を、前記ダブルスリッ
    トの各々のスリットに備えたヤングの干渉計と、このヤ
    ングの干渉計の光出力側に設けられ、前記偏光子に対し
    て偏光方向が45°異なる検光子と、を有してなること
    を特徴とする高速電圧測定装置。
  4. 【請求項4】請求項1において、前記パルス光源は、無
    偏光の光を出力するパルス光源と偏光子から構成される
    ことを特徴とする高速電圧測定装置。
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