JP3500216B2 - 電圧測定装置 - Google Patents

電圧測定装置

Info

Publication number
JP3500216B2
JP3500216B2 JP01925895A JP1925895A JP3500216B2 JP 3500216 B2 JP3500216 B2 JP 3500216B2 JP 01925895 A JP01925895 A JP 01925895A JP 1925895 A JP1925895 A JP 1925895A JP 3500216 B2 JP3500216 B2 JP 3500216B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
signal
output
light
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP01925895A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08211132A (ja
Inventor
宏典 高橋
裕 土屋
武志 神谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP01925895A priority Critical patent/JP3500216B2/ja
Priority to US08/597,267 priority patent/US5767688A/en
Priority to EP96300811A priority patent/EP0726471A3/en
Publication of JPH08211132A publication Critical patent/JPH08211132A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3500216B2 publication Critical patent/JP3500216B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/07Non contact-making probes
    • G01R1/071Non contact-making probes containing electro-optic elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/24Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
    • G01R15/241Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
    • G01R15/242Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/308Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G01R31/311Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被測定物の被測定部に
おける電圧値を測定する電圧測定装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】集積回路などの被測定デバイスの動作状
態の計測器として、計測時に電気的な短絡を引き起こさ
ないなど集積回路の動作に悪影響を与えることの無い、
電気光学効果を有する電気光学材料で構成された電気光
学変換プローブ(E−Oプローブ)を備えた電圧測定装
置が注目されている。こうしたE−Oプローブを備えた
電圧測定装置として、従来から提案されている装置とし
ては、プローブ光として幅のせまいパルス光を使用する
装置がある。
【0003】図5は、こうした装置の典型的な例(以
後、従来例1と呼ぶ)の構成図である。図5に示すよう
に、従来例1の装置は、(a)被測定デバイス890を
周波数f0 (=100MHz)で動作させる駆動装置8
10と、(b)駆動装置810から出力される周波数f
0 の信号をトリガ信号として入力し、周波数f0 +Δf
(Δf=10Hz)のパルス光源駆動信号を生成するパ
ルス光源駆動装置820と、(c)パルス光源駆動装置
820から出力されたパルス光源駆動信号を入力してパ
ルス光を発生するパルス光源830と、(d)パルス光
源830から出力されたパルス光を入力し、所定の偏光
方向を揃えて出力する偏光ビームスプリッタ(PBS)
841と、(e)PBS841を介して被測定デバイス
へ向かうパルス光を入力し、偏光方向にλ/8の光学バ
イアスを付与して出力する波長板842と、(f)波長
板842を介して被測定デバイスへ向かって進行するパ
ルス光を集光する集光レンズ843と、(g)集光レン
ズ843による集光位置に設置された、電界によって屈
折率分布が変化する電気光学材料から成り、底面が反射
加工されたE−Oプローブ844と、(h)パルス光源
830から出力され、PBS841、波長板842、お
よび集光レンズ843を順次介した後、E−Oプローブ
844の底面で反射されたパルス光が集光レンズ84
3、波長板842、およびPBS841を順次介した後
に入力し、入力した光の強度を検出する光検出部850
と、(i)光検出部850から出力された光検出信号を
入力して処理し、計測を実行する計測装置860と、
(j)計測装置の計測結果を表示する表示装置870と
を備える。ここで、光検出部850は、入力した光の
強度に応じた電気信号に変換する、周波数f0 の光の変
化には応答できないが周波数Δfの光の変化には応答可
能な光検出器851と、光検出器851から出力され
た電気信号を増幅して光検出信号として出力する増幅器
852とを備える。
【0004】従来例1の装置は以下のようにして被測定
デバイス890における電圧を測定する。図6は、従来
例1の装置の動作の説明図である。図6(a)は各位置
の信号のタイミングチャートであり、図6(b)は検出
周波数帯域を示すグラフである。
【0005】従来例1の装置では、駆動装置810によ
る駆動により、被測定デバイス890は周波数f0 (=
100MHz)で動作し、E−Oプローブ844が設置
された位置付近の被測定部には周期1/f0 (=10n
s)で周期的な電圧波形が発生する。
【0006】一方、パルス光源駆動装置820は、駆動
装置が発生した周波数f0 の信号入力に同期した周波数
0 +Δf(Δf=10Hz)のパルス光源駆動信号を
生成しパルス光源830に供給する。この結果、パルス
光源830は周期T(=1/(f0 +Δf))のパルス
光を出力する。このパルス光は、PBS841によって
直線偏光化され、波長板842によって光学バイアスが
与えられ、集光レンズ843によって集光されてE−O
プローブ844に入力する。被測定部で発生している電
圧信号の影響によって、E−Oプローブ844の屈折率
分布が変化しているので、E−Oプローブ844を通過
する光の偏光状態が変化する。E−Oプローブ844に
入射したパルス光は、E−Oプローブ844の底面で反
射され、集光レンズ843および波長板842を順次介
してPBS841に再入力され、先にPBS841から
出力された光の偏光方向と直交する偏光方向の成分のみ
が反射される。PBS841に再入力する光は、先にP
BSに入力から出力された光に比べて、波長板842に
よる2度の光学バイアスの付与されるとともにE−Oプ
ローブ844の通過による偏光状態の変化が発生してい
るので、E−Oプローブ844の通過による偏光状態の
変化に応じて光検出部850に入力する光の強度が変化
する。なお、波長板842を2度通過することにより偏
光方向にλ/4の光学バイアスが付与されるので、被測
定部に電圧信号が無い場合には、E−Oプローブ844
での反射光の半分が光検出部850に入力する。
【0007】一方、プローブ光(パルス光)の繰り返し
周波数f0 +Δfと被測定部に発生する電圧信号の基本
周波数f0 とは異なるので、光検出部850に入力する
光には周波数Δf(=f0 +Δf−f0 )の成分がビー
ト信号として含まれている。光検出部850の光検出器
851は応答速度が遅く、周波数f0 の変化には応答し
ないので、光検出部850では周波数Δfのビート信号
のみが検出される。
【0008】計測装置860は、光検出部850から出
力されたビート信号の検出信号を入力し、直流的な成分
を減算した後に表示装置870に測定結果を表示する。
【0009】上記の従来例1の装置では、ビート周波数
Δfすなわち計測周波数は通常1kHz未満の比較的低
い周波数を採用するが、この程度の周波数では1/f雑
音が大きく信号対雑音比(SN比)を大きくできない。
【0010】この問題を解消すべく、計測周波数をMH
z領域として1/f雑音を低減し、計測時のノイズをシ
ョットノイズに近付ける装置が提案されている(特開平
4−158281;以後、従来例2と呼ぶ)。図7は、
従来例2の装置の構成図である。図7に示すように、従
来例2の装置は、(a)周期T1 (=1/f1 )のパル
ス光を発生するパルス光源910と、(b)光源910
から出力されたパルス光を入力し、第1の方向の偏光成
分のみを選択して出力する偏光子921と、(c)偏光
子921を介した光を入力し、外部から指示された変調
周波数fM で周波数変調を施す光変調器922と、
(d)光変調器922から出力された変調光を入力し光
学バイアスを付与する補償板923と、(e)補償板9
23を介した光を入力し、被測定物990の被測定部に
発生している電圧信号に応じて入力光の偏光状態を変化
させて出力するE−Oプローブヘッド930と、(f)
E−Oプローブヘッド930から出力された光を入力
し、第2の方向の偏光成分のみを選択して出力する検光
子940と、(g)検光子940を介した光を受光し、
受光した光の強度に応じた光検出信号を出力する光検出
器951と、(h)光検出信号を入力し、外部から通知
された変調周波数fM に近似した周波数の信号を選択し
て増幅して出力する狭帯域増幅器952と、(i)狭帯
域増幅器952から出力された信号の平均化処理を行う
シグナルアベレージャ953と、 (j)シグナルアベ
レージャ953から出力された信号を時系列に表示する
表示装置954と、(k)光変調器922および狭帯域
増幅器952へ変調周波数fM を通知する発振器960
と、(l)被測定物を駆動する基本周波数f2 の駆動信
号を発生する信号発生器とを備える。
【0011】従来例2の装置は、従来例1の装置と同様
に動作するが、偏光変調法を用いて計測周波数をfM
近にまで高めて測定する装置である。すなわち、パルス
光源910から出力された光は光変調器922を介する
ことにより周波数f1 +fMの成分が発生し、被測定部
で発生する電圧信号の周波数f1 に近似した周波数f2
で変調された周波数|f1 −f2 |+fM の成分を有す
る光信号が計測対象となる。ここで、|f1 −f2
《fM から光検出器951での光信号の計測周波数は周
波数fM 付近となるので計測周波数は略fM となり、従
来例1の装置に比べてビート周波数Δf(=|f1 −f
2 |)を小さく設定しても、1/f雑音が信号に対して
低減された状態で測定がなされる。図8は、従来例2の
装置の測定における1/f雑音の低減の説明図である。
図8に示すように、従来例2の装置では1/f雑音はシ
ョット雑音程度にまで低減された状態で光信号が計測さ
れる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】従来のE−Oプローブ
を用いた電圧測定装置は上記のように構成されるので、
プローブ光を発生する光源として短パルス光源の存在を
前提とするが、通常の短パルス光源では裾の無いきれい
な短パルス光を発生する困難であり、正確な測定が難し
いという問題点があった。
【0013】本発明は、上記を鑑みてなされたものであ
り、高精度で電圧を測定する電圧測定装置を提供するこ
とを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧測定装置
は、被測定物の被測定部に近接あるいは接触させて前記
被測定部の電圧を検出する電圧測定装置であって、
(a)外部から指示された第1の周波数で強度変調され
た光を発生する光源と、(b)光源から出力された光を
入力し第1の偏光方向の成分を選択し、プローブ光とし
て出力する偏光子と、(c)偏光子から出力されたプロ
ーブ光に偏光方向に関する光学バイアスを付与した後、
プローブ光を被測定部へ導く第1の光学系と、(d)被
測定部に接触あるいは近接した位置に配置される、電気
光学効果を有する電気光学材料から成る部材を備え、部
材の被測定部側の底面が反射加工された電気光学変換プ
ローブ(E−Oプローブ)と、(e)被測定物を第2の
周波数で駆動するとともに、第2の周波数に外部から指
定された第1の数を乗じた第3の周波数に第2の周波数
よりもちいさな値の第4の周波数を加えた第1の周波数
を前記光源に通知するとともに、第4の周波数の信号と
を出力する駆動部と、(f)電気光学変換プローブから
出力された光を受光して、第2の偏光方向の成分を選択
して出力する光選択部と、(g)選択部から出力された
光を受光して、受光強度に応じた光検出信号を出力する
光検出器と、(h)光検出器から出力された光検出信号
を入力して第4の周波数の成分を選択するとともに、前
記駆動部から出力された第4の周波数の信号を入力し
て、選択された光検出信号の成分を駆動部から出力され
た第4の周波数の信号に同期して検出する同期検出部
と、(i)駆動部に第1の数を通知するとともに、同期
検出部から出力された同期検出信号を収集し、処理をし
て被測定部の電圧を求める処理部と、を備えることを特
徴とする。
【0015】ここで、駆動部は、被測定物を第2の周
波数で駆動する駆動信号を出力するとともに、第2の周
波数を有するトリガ信号を出力する駆動器と、駆動器
から出力されたトリガ信号を入力するとともに、処理部
から出力された第1の数の通知を入力し、第2の周波数
に第1の数を乗じた第3の周波数の信号を生成する周波
数逓倍器と、第4の周波数の信号を発生する発振器
と、周波数逓倍器から出力された信号と発振器から出
力した信号とを入力し、第3の周波数の値と第4の周波
数の値との和の値である第1の周波数の信号を生成する
混合器と、を備えることを特徴としてもよい。
【0016】また、光検出器には2次元光検出器を使用
することが可能である。
【0017】また、同期検出部は、光検出器から出力
された光検出信号を入力して第4の周波数の成分を選択
するフィルタと、フィルタから出力された信号と駆動
部から出力された第4の周波数の信号を入力して、フィ
ルタから出力された信号を駆動部から出力された第4の
周波数の信号に同期して検出する同期検出器と、を備え
ることを特徴としてもよい。
【0018】また、同期検出信号は、光検出器から出
力された光検出信号の第4の周波数の成分の振幅を示す
振幅検出信号と、光検出器から出力された光検出信号
の第4の周波数の成分と駆動部から出力された第4の周
波数の信号との位相差を示す位相検出信号とであり、処
理部は、第1の数を1から順に1づつ変化させて駆動部
に通知するとともに、夫々の第1の数の通知のたびに、
通知した第1の数の通知時の振幅検出信号と位相検出信
号とを収集し、収集後にフーリエ変換法により駆動信号
により被測定部に発生した電圧信号の時間波形を算出す
る、ことを特徴としてもよい。
【0019】
【作用】本発明の電圧測定装置では、まず、処理部が駆
動部に対して指定数N(=1)を通知する。駆動部は、
被測定デバイスに対して周波数f0 の駆動信号を供給す
るとともに、光源に周波数N・f0 +Δfの変調信号を
供給する。なお、以下では、和の周波数N・f0 +Δf
について説明するが、差の周波数N・f0 −Δfであっ
てもよい。
【0020】この状態で、光源から強度変調光が出力さ
れ、偏光子、第1の光学系を順次介してE−Oプローブ
に入射する。E−Oプローブが設置された位置付近の被
測定部には基本周期1/f0 で周期的な電圧波形が発生
しており、光がE−Oプローブの電気光学部材を通過す
ることにより偏光状態が影響を受ける。この結果、E−
Oプローブから出力された光の偏光状態は周波数M・f
0 (M=1,2,…)で変調される。
【0021】偏光状態が変調された光は、光選択部で偏
光方向についての選択がなされて光検出器に入力する。
したがって、光検出器から出力される光検出信号には周
波数L・f0 +Δf(L=|N−M|=0,1,…)の
成分を含む。こうした、光検出信号が同期検出部に入力
して周波数Δfの成分がヘテロダイン検波される。こう
して得られる同期検出信号は被測定部に発生している電
圧信号の周波数M・f0 (=f0 ;M=N)の成分に応
じたものである。処理部は、ヘテロダイン検波された同
期検出信号を収集し、N=1に応じたデータとして格納
する。
【0022】次に、処理部が駆動部に対して指定数N
(=2)を通知し、N=1の場合と同様に、同期検出信
号を収集し、N=2に応じたデータとして格納する。
【0023】以後、指定数を順次増加させなながら、同
期検出信号を収集し、都度、指定数Nに応じたデータと
して格納し、同期検出信号を格納する。そして、同期検
出信号の値が略0と見做せる指定数Nまで収集・格納を
続行する。
【0024】収集・格納が終了すると、処理部は格納デ
ータに基づいてフーリエ変換法により、被測定部に発生
した電圧信号の波形を演算により再現し、表示する。
【0025】なお、本発明の装置におけるヘテロダイン
検出方法は、従来例1におけるヘテロダイン検出方法と
は本質的に異なる。すなわち、従来例1におけるヘテロ
ダイン検出方法は検出帯域はn・Δfまでの広い範囲を
設定する必要があるが、本発明の装置ではΔfの成分の
みを計測するので、非常に狭く設定することができる。
【0026】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の電圧測定
装置の実施例を説明する。なお、図面の説明にあたって
同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略
する。
【0027】(第1実施例)図1は、本発明の第1実施
例の電圧測定装置の構成図である。図1に示すように、
本実施例の装置は、(a)外部から変調周波数N・f0
+Δfの通知を受けて、強度変調光を発生する光源11
0と、(b)光源110から出力された光を入力し第1
の偏光方向(図1のX方向)の成分を選択し、プローブ
光として出力するとともに、第2の偏光方向(図1のY
方向)の光を反射する偏光ビームスプリッタ(PBS)
120と、(c)PBS120から出力されたプローブ
光に偏光方向に関する光学バイアスを付与する波長板1
30と、(d)波長板130から出力されたプローブ光
を集光する集光レンズ140と、(e)集光レンズ14
0の集光位置と略一致する位置に配置された、電気光学
効果を有する電気光学材料から成る部材を備え、前記部
材の被測定部710側の底面が反射加工されたE−Oプ
ローブ200と、(e)被測定物700を周波数f
0 (=100MHz)で駆動するとともに、周波数f0
に外部から指定された数N(=1,2,…)を乗じた周
波数N・f0 に周波数f0 よりも低い周波数である周波
数Δfを加えた周波数N・f0 +Δfの信号を光源11
0へ向けて出力するとともに、周波数Δfの信号とを出
力する駆動部300と、(f)E−Oプローブ200で
反射された後、集光レンズ140、波長板130を順次
介し、PBS120で反射された光を受光して、受光強
度に応じた光検出信号を出力する光検出器510と、
(g)光検出器510から出力された光検出信号を入力
して周波数Δfの成分を選択するとともに、駆動部30
0から出力された周波数Δfの信号を入力して、選択さ
れた光検出信号の成分を駆動部300から出力された周
波数Δfの信号に同期して検出し、光検出器510か
ら出力された光検出信号の周波数Δfの成分の振幅を示
す振幅検出信号と、光検出器510から出力された光
検出信号の周波数Δfの成分の信号と駆動部から出力さ
れた周波数Δfの信号との位相差を示す位相検出信号と
を出力する同期検出部520と、(h)駆動部300に
指定数Nを通知するとともに、同期検出部520から出
力された振幅検出信号および位相検出信号を収集し、処
理をして被測定部710の電圧信号波形を求める処理部
600と、を備える。
【0028】ここで、駆動部300は、被測定物70
0を周波数f0 で駆動する駆動信号を出力するととも
に、周波数f0 を有するトリガ信号を出力する駆動器3
10と、駆動器310から出力されたトリガ信号を入
力するとともに、処理部600から出力された指定数N
の通知を入力し、周波数f0 に指定数Nを乗じた周波数
N・f0 の信号を生成する周波数逓倍器320と、周
波数Δfの信号を発生する発振器330と、周波数逓
倍器320から出力された信号と発振器330から出力
した信号とを入力し、周波数N・f0 と周波数Δfとの
和の周波数N・f0 +Δfの信号を生成し光源110へ
向けて出力する光源変調器340と、を備える。なお、
光源変調器340は、周波数混合器341と、周波
数混合器341の出力段に設置されたコンデンサCとを
備える。
【0029】また、同期検出部520は、光検出器5
10から出力された光検出信号を入力して周波数Δfの
成分を選択するフィルタ521と、フィルタ521か
ら出力された信号と駆動部300から出力された周波数
Δfの信号を入力して、フィルタ521から出力された
信号を駆動部300から出力された周波数Δfの信号に
同期して検出し、i)光検出器510から出力された光
検出信号の周波数Δfの成分の振幅を示す振幅検出信号
と、ii)光検出器510から出力された光検出信号の周
波数Δfの成分の信号と駆動部から出力された周波数Δ
fの信号との位相差を示す位相検出信号とを出力する同
期検出器522と、を備える。なお、同期検出器522
としては、ネットワークアナライザ、スペクトラムアナ
ライザ、またはロックインアンプなどの狭帯域検出器を
好適に採用できる。
【0030】本実施例の装置は、以下のようにして被測
定物700の被測定位置710の電圧信号波形を測定す
る。図2は、本実施例の装置の動作を示すタイミングチ
ャートである。
【0031】まず、処理部600の演算部610が駆動
部300に対して指定数N(=1)を通知する。駆動部
300は、被測定デバイス700に対して周波数f0
駆動信号を供給するとともに、光源110に周波数N・
0 +Δfの変調信号を供給する。
【0032】こうして、光源110から強度変調光が出
力され、PBS120、波長板130、集光レンズ14
0を順次介してE−Oプローブ200に入射する。E−
Oプローブ200が設置された位置付近の被測定部には
基本周期1/f0 で周期的な電圧波形が発生しており、
光がE−Oプローブ200の電気光学部材を通過するこ
とによりその偏光状態が影響を受ける。この結果、E−
Oプローブ200から反射出力された光の偏光状態は周
波数M・f0 (M=1,2,…)で変調される。
【0033】偏光状態が変調された光信号は、波長板1
30で再度、光学バイアスが付与される。図3は、波長
板による光学バイアス付与の説明図である。通常のE−
Oプローブを用いた電圧測定器では、1/4波長板を使
用して、光学バイアスを図3のA点に設定する。この設
定により検光子422の出力に関して、最も大きな出力
変化を得ることができる。しかし、この場合には変調出
力にはI1 /2という大きなDC出力を伴い、このDC
出力によってノイズが生じる。こうしたノイズの理論下
限Inoise は、 Inoise =(2・qIdc1/2 …(1) ここで、q=1.6×10-19 クーロン Idc=I1 /2 となる。一方、波長板を替えて光学バイアスをB点に設
定した場合には、出力変化は小さくなるがショットノイ
ズも小さくなり、SN比の改善が図られることがある。
本実施例の装置では、波長板421を選択し、光学バイ
アスを最適化することにより良好なSN比を得ることも
できる。
【0034】波長板130で光学バイアスが再度付与さ
れた光は、PBS422で偏光方向についての選択がな
されて光検出器510に入力する。したがって、光検出
器510から出力される光検出信号には周波数L・f0
+Δf(L=|N−M|=0,1,…)の成分を含む。
こうした、光検出信号が同期検出部520に入力して周
波数Δfの成分がヘテロダイン検波される。こうして得
られる同期検出信号は被測定部に発生している電圧信号
の周波数M・f0 (=f0 ;M=N)の成分に応じたも
のである。処理部600の演算部610は、ヘテロダイ
ン検波された同期検出信号を収集し、N=1に応じたデ
ータとして格納する。
【0035】次に、処理部600が駆動部300に対し
て指定数N(=2)を通知し、N=1の場合と同様に、
同期検出信号を収集し、N=2に応じたデータとして格
納する。
【0036】以後、指定数を順次増加させなながら、同
期検出信号を収集し、都度、指定数Nに応じたデータと
して格納し、同期検出信号を格納する。そして、同期検
出信号の値が略0と見做せる指定数Nあるいは光源11
0の変調能力の限界周波数まで収集・格納を続行する。
【0037】収集・格納が終了すると、処理部600の
演算部610は格納データに基づいてフーリエ変換法に
より、被測定部に発生した電圧信号の波形を演算により
再現し、再現結果を表示部620に表示する。
【0038】(第2実施例)図4は、本発明の第2実施
例の電圧測定装置の構成図である。本実施例の装置は、
被測定部の2次元的な電圧分布を測定する。図4に示す
ように、本実施例の装置は、第1実施例の装置に対し
て、光源110とPBS120との間にコリメートレン
ズ113を、集光レンズ140とE−Oプローブ200
との間にコリメートレンズ141を入れて結像光学系と
し、PBS120と光検出器510との間にレンズ15
1とレンズ152とからなる結像光学系150を配置す
るとともに、光検出器として2次元光検出器550を採
用した点が異なる。なお、処理部として2次元処理を行
う演算部651を備える処理部650を採用している。
【0039】ここで、2次元光検出器550には高速読
み出し可能な高速読み出し型CCDイメージセンサを使
用した。なお、ホトダイオードアレイ、撮像管、通常の
CCDイメージセンサ、またはリニアアレイセンサなど
の一般に使用される2次元光検出器を用いることもでき
る。
【0040】本実施例の装置では、光源110から出力
された強度変調光がコリメートされた形態でE−Oプロ
ーブ200に入力して反射され、反射部の2次元的な態
様が結像されて2次元光検出器550に入力し、2次元
的な光検出信号に変換される。処理部650は、第1実
施例と同様に、各測定点について同期検出信号を収集・
格納し、収集・格納後に各測定点ごとに電圧波形を再現
する。
【0041】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の電
圧測定器によれば、強度変調光を採用し、被測定デバイ
スの発生電圧の影響を強度変調光に施したのち、変調し
てヘテロダイン検出を行うので、短パルス光源が不要と
なるとともに、広い周波数帯域を持った精度の良い電圧
測定器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の電圧測定装置の構成図で
ある。
【図2】本発明の第1実施例の電圧測定装置の動作の説
明図である。
【図3】光学バイアスの説明図である。
【図4】本発明の第2実施例の電圧測定装置の構成図で
ある。
【図5】従来例1の装置の構成図である。
【図6】従来例1の装置の動作の説明図である。
【図7】従来例2の装置の構成図である。
【図8】従来例2の装置の動作の説明図である。
【符号の説明】
110…光源、120…PBS、130…波長板、20
0…E−Oプローブ、300…駆動部、510,550
…光検出器、520…同期検出部、600,650…処
理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神谷 武志 東京都杉並区宮前1丁目11番4号 (56)参考文献 特開 平6−249886(JP,A) 特開 平3−85459(JP,A) 特開 平6−342017(JP,A) 特開 平6−130439(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/28 - 31/3193 G01R 15/14 - 15/26 G01R 29/08 G01R 29/12 - 29/14 G01R 29/24 G01R 19/00

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定物の被測定部に近接あるいは接触
    させて前記被測定部の電圧を検出する電圧測定装置であ
    って、 外部から指示された第1の周波数で強度変調された光を
    発生する光源と、 前記光源から出力された光を入力し第1の偏光方向の成
    分を選択し、プローブ光として出力する偏光子と、 前記偏光子から出力されたプローブ光に偏光状態に関す
    る光学バイアスを付与後、プローブ光を被測定部へ導く
    第1の光学系と、 前記被測定部に接触あるいは近接した位置に配置され
    る、電気光学効果を有する電気光学材料から成る部材を
    備え、前記部材の前記被測定部側の底面が反射加工され
    た電気光学変換プローブと、 前記被測定物を第2の周波数で駆動するとともに、前記
    第2の周波数に外部から指定された第1の数を乗じた第
    3の周波数に第2の周波数よりもちいさな値の第4の周
    波数を加えた第1の周波数を前記光源に通知するととも
    に、前記第4の周波数の信号とを出力する駆動部と、 前記電気光学変換プローブから出力された光を受光し
    て、第2の偏光方向の成分を選択して出力する光選択部
    と、 前記選択部から出力された光を受光して、受光強度に応
    じた光検出信号を出力する光検出器と、 前記光検出器から出力された前記光検出信号を入力して
    前記第4の周波数の成分を選択するとともに、前記駆動
    部から出力された前記第4の周波数の信号を入力して、
    選択された前記光検出信号の成分を前記駆動部から出力
    された前記第4の周波数の信号に同期して検出する同期
    検出部と、 前記駆動部に前記第1の数を通知するとともに、前記同
    期検出部から出力された同期検出信号を収集し、処理を
    して前記被測定部の電圧を求める処理部と、 を備えることを特徴とする電圧測定装置。
  2. 【請求項2】 前記駆動部は、 前記被測定物を前記第2の周波数で駆動する駆動信号を
    出力するとともに、前記第2の周波数を有するトリガ信
    号を出力する駆動器と、 前記駆動器から出力されたトリガ信号を入力するととも
    に、前記処理部から出力された前記第1の数の通知を入
    力し、前記第2の周波数に第1の数を乗じた前記第3の
    周波数の信号を生成する周波数逓倍器と、 前記第4の周波数の信号を発生する発振器と、 前記周波数逓倍器から出力された信号と前記発振器から
    出力した信号とを入力し、前記第3の周波数の値と前記
    第4の周波数の値との和の値である前記第1の周波数の
    信号を生成して前記光源に通知する光源変調装置と、 を備えることを特徴とする請求項1記載の電圧測定装
    置。
  3. 【請求項3】 前記光検出器は2次元光検出器である、
    ことを特徴とする請求項1記載の電圧測定装置。
  4. 【請求項4】 前記同期検出部は、 前記光検出器から出力された前記光検出信号を入力して
    前記第4の周波数の成分を選択するフィルタと、 前記フィルタから出力された信号と前記駆動部から出力
    された前記第4の周波数の信号を入力して、前記フィル
    タから出力された信号を前記駆動部から出力された前記
    第4の周波数の信号に同期して検出する同期検出器と、 を備えることを特徴とする請求項1記載の電圧測定装
    置。
  5. 【請求項5】 前記同期検出信号は、前記光検出器から
    出力された前記光検出信号の前記第4の周波数の成分の
    振幅を示す振幅検出信号と前記光検出器から出力された
    前記光検出信号の前記第4の周波数の成分の振幅検出信
    号と前記駆動部から出力された前記第4の周波数の信号
    との位相差を示す位相検出信号であり、 前記処理部は、前記第1の数を1から順に1づつ変化さ
    せて前記駆動部に通知するとともに、夫々の前記第1の
    数の通知のたびに、通知した前記第1の数の通知時の前
    記振幅検出信号と前記位相検出信号とを収集し、収集後
    にフーリエ変換法により前記駆動信号により前記被測定
    部に発生した電圧信号の時間波形を算出する、ことを特
    徴とする請求項1記載の電圧測定装置。
JP01925895A 1995-02-07 1995-02-07 電圧測定装置 Expired - Fee Related JP3500216B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01925895A JP3500216B2 (ja) 1995-02-07 1995-02-07 電圧測定装置
US08/597,267 US5767688A (en) 1995-02-07 1996-02-06 Electro-optic voltage measurement apparatus
EP96300811A EP0726471A3 (en) 1995-02-07 1996-02-07 Electro-optical voltage measuring device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01925895A JP3500216B2 (ja) 1995-02-07 1995-02-07 電圧測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08211132A JPH08211132A (ja) 1996-08-20
JP3500216B2 true JP3500216B2 (ja) 2004-02-23

Family

ID=11994414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP01925895A Expired - Fee Related JP3500216B2 (ja) 1995-02-07 1995-02-07 電圧測定装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5767688A (ja)
EP (1) EP0726471A3 (ja)
JP (1) JP3500216B2 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6057677A (en) * 1996-04-24 2000-05-02 Fujitsu Limited Electrooptic voltage waveform measuring method and apparatus
AU9559298A (en) * 1998-10-19 2000-05-08 Dori, Eli Service providers localization system via cellular telephone
JP2000162243A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Ando Electric Co Ltd 電気光学サンプリングプローバ
JP2000241510A (ja) * 1999-02-24 2000-09-08 Ando Electric Co Ltd 集積回路テスタ
US6337565B1 (en) 1999-03-25 2002-01-08 Ando Electric Co., Ltd. Electro-optic probe
US6714000B2 (en) * 1999-06-14 2004-03-30 Genscape, Inc. Method for monitoring power and current flow
US7160742B2 (en) 2003-07-21 2007-01-09 Qc Solutions, Inc. Methods for integrated implant monitoring
US7119569B2 (en) * 2004-03-05 2006-10-10 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
JP5119523B2 (ja) * 2005-01-12 2013-01-16 独立行政法人情報通信研究機構 近傍電磁界測定装置
US7733100B2 (en) 2005-08-26 2010-06-08 Dcg Systems, Inc. System and method for modulation mapping
JP2008020305A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 National Institute Of Information & Communication Technology 電磁界高速撮像装置
JP5084006B2 (ja) * 2006-07-12 2012-11-28 独立行政法人情報通信研究機構 電磁界高速撮像装置
FR2906039B1 (fr) * 2006-09-20 2009-01-23 Univ Paris Sud Etablissement P Procede et dispositif pour caracteriser un signal electrique se propageant dans un echantillon.
SG10201506637YA (en) 2009-05-01 2015-10-29 Dcg Systems Inc Systems and method for laser voltage imaging state mapping
KR101923846B1 (ko) 2013-02-01 2018-11-29 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 디바이스 검사 장치 및 반도체 디바이스 검사 방법
FR3013122B1 (fr) * 2013-11-12 2017-12-08 Centre Nat Detudes Spatiales C N E S Procede et dispositif d'extraction d'une forme d'onde a basse frequence d'un composant electro-optique
JP6283501B2 (ja) * 2013-11-12 2018-02-21 浜松ホトニクス株式会社 周波数解析装置及び周波数解析方法
JP2019211424A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 国立研究開発法人情報通信研究機構 イメージング装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4446425A (en) * 1982-02-12 1984-05-01 The University Of Rochester Measurement of electrical signals with picosecond resolution
US4618819A (en) * 1984-03-27 1986-10-21 The University Of Rochester Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution
US4906922A (en) * 1987-07-13 1990-03-06 Hamamatsu Photonics K. K. Voltage mapping device having fast time resolution
US4891580A (en) * 1988-04-29 1990-01-02 American Telephone And Telegraph Co., At&T Bell Laboratories Electro-optic measurements of voltage waveforms on electrical conductors
DE3924369A1 (de) * 1989-07-22 1991-01-31 Asea Brown Boveri Verfahren zur messung eines elektrischen feldes oder einer elektrischen spannung und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
GB8921458D0 (en) * 1989-09-22 1989-11-08 Univ Strathclyde Cell culture apparatus
JP2742473B2 (ja) * 1991-03-26 1998-04-22 浜松ホトニクス株式会社 高速電圧測定装置
JPH06102295A (ja) * 1992-07-28 1994-04-15 Hewlett Packard Co <Hp> 非接触型プローブおよび非接触電圧測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0726471A2 (en) 1996-08-14
US5767688A (en) 1998-06-16
EP0726471A3 (en) 1997-02-26
JPH08211132A (ja) 1996-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3500216B2 (ja) 電圧測定装置
US5781294A (en) Method and apparatus for detecting photoacoustic signal to detect surface and subsurface information of the specimen
JP3364333B2 (ja) 減衰特性測定装置
JPH112667A (ja) Icのデュアルレーザ電圧プロービング
US4842408A (en) Phase shift measuring apparatus utilizing optical meterodyne techniques
KR20010104199A (ko) 집적 회로의 차분 펄스 레이저 빔 검사
JP2000205814A (ja) ヘテロダイン干渉計
US6958817B1 (en) Method of interferometry with modulated optical path-length difference and interferometer
JPH09113217A (ja) 光ヘテロダイン式変位量検出装置
JP3500215B2 (ja) 電圧測定装置
US5666062A (en) Voltage measuring using electro-optic material&#39;s change in refractive index
JP3352543B2 (ja) 電圧測定装置
US5754298A (en) Method and apparatus for imaging semiconductor device properties
JPH06186337A (ja) レーザ測距装置
JPH11287859A (ja) レーザ距離計
JP3065446B2 (ja) 超音波振動測定方法
JP3236941B2 (ja) 光波距離計における測距方法
JP3352244B2 (ja) 電圧測定装置
JP2521872B2 (ja) 周波数変調光ファイバ変位測定装置
JP2806131B2 (ja) 超音波の非接触検出方法及びその装置
JPH0875433A (ja) 表面形状測定装置
JPH07181211A (ja) 表面電位計測装置
JPH0875434A (ja) 表面形状測定装置
JPH0625736B2 (ja) 電子密度測定装置
JPS6275363A (ja) レ−ザ−測距装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees