JP2000162243A

JP2000162243A - 電気光学サンプリングプローバ

Info

Publication number: JP2000162243A
Application number: JP10340823A
Authority: JP
Inventors: Fumio Akikuni; 文夫秋國; Katsushi Ota; 克志太田; Tadao Nagatsuma; 忠夫永妻; Mitsuru Shinagawa; 満品川; Junzo Yamada; 順三山田
Original assignee: Ando Electric Co Ltd; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Ando Electric Co Ltd; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1998-11-30
Filing date: 1998-11-30
Publication date: 2000-06-16
Also published as: US6388454B1; GB9928037D0; GB2344171A; DE19957236A1; GB2344171B

Abstract

(57)【要約】【課題】被測定信号の測定に不要な照明光を除去して、
不要な光がフォトダイオードへ入射しない電気光学サン
プリングプローバを提供する。【解決手段】レーザ光源８から発せられたレーザ光は、
光ファイバ７を介して光アイソレータとフォトダイオー
ドからなるＥＯＳ光学系モジュール６を通ってさらに、
電気光学素子２へ入射する。そして、ＩＣウエハ１上の
配線に対向する側の電気光学素子２の表面において反射
して、同じ光路を通ってＥＯＳ光学系モジュール６へ戻
り、フォトダイオードによってこのレーザ光を電気信号
に変換する。一方、ＩＲカメラ１０の画像を見ながら、
ハロゲンランプ９によって照明されたＩＣウエハ１が載
せられた吸着ステージ１１を調整して位置決めを行う。
このとき、ハロゲンランプ９から発せられた照明光を光
波長フィルタ５によって、ＥＯＳ光学系モジュール６へ
入射することを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被測定信号によっ
て発生する電界を電気光学結晶に結合させ、タイミング
信号に基づき生成された光パルスをこの電気光学結晶に
入射し、入射した光パルスの偏光状態により、被測定信
号の波形を観測する電気光学サンプリングプローバであ
って、特に、プローバの光学系を改良した電気光学サン
プリングプローバに関する。

【０００２】

【従来の技術】被測定信号によって発生する電界を電気
光学結晶に結合させ、この電気光学結晶にレーザ光を入
射し、レーザ光の偏光状態により被測定信号の波形を観
測することができる。ここでレーザ光をパルス状にし、
被測定信号をサンプリングすると非常に高い時間分解能
で測定することができる。この現象を利用した電気光学
プローバを用いたのが電気光学サンプリングプローバで
ある。

【０００３】この電気光学サンプリング（Electro−Opt
ic Sampling）プローバ（以下「ＥＯＳプローバ」と略
記する）は、電気式プローブを用いた従来のプローバと
比較して、１）信号を測定する際に、グランド線を必要としないた
め、測定が容易２）電気光学プローバの先端が回路系から絶縁されてい
るので高入力インピーダンスを実現でき、その結果被測
定点の状態をほとんど乱すことがない３）光パルスを利用することからＧＨｚオーダーの広帯
域測定が可能４）電気光学結晶をＩＣなどのウエハに接触させ、ＩＣ
ウエハ上の配線にレーザ光を集光することによって、金
属ピンを物理的に接触させることができない細い配線で
も測定が可能といった特徴があり注目を集めている。

【０００４】以下の説明において、光の波長の単位は
［ｎｍ］を用いる。従来技術におけるＥＯＳプローバの
構成を図６により説明する。図６において、符号１は、
ＩＣウエハであり、外部と電源線、信号線によって接続
されている。符号２は、電気光学結晶でできた電気光学
素子である。符号３は、対物レンズであり、電気光学素
子２へ入射する光を集光するためのものである。符号４
は、ダイクロイックミラー４ａ、ハーフミラー４ｂ、反
射鏡４ｃを備えたプローバ本体である。符号６は、フォ
トダイオードと偏光ビームスプリッタと波長板などから
なるＥＯＳ光学系モジュール（以下、ＥＯＳ光学系と称
する）である。

【０００５】符号７は、端部にファイバコリメータ７ａ
を備えた光ファイバであり、符号８は、ＥＯＳ光学系に
光を供給するレーザ光源であり、出射する光の最大強度
の波長は１５５０［ｎｍ］である。符号９は、測定する
ＩＣウエハ１を照明するためのハロゲンランプである。
このハロゲンランプ９は、必ずハロゲンランプである必
要はなく、キセノンランプやタングステンランプ等であ
ってもよい。符号１０は、ＩＣウエハ１上の配線に光を
集光させる位置決めの確認を行う赤外線カメラ（以下Ｉ
Ｒカメラと称する）であり、撮像された映像はモニタ１
０ａに表示される。このＩＲカメラ１０は、５００〜１
８００［ｎｍ］の波長域において受光感度を有してい
る。符号１１は、ＩＣウエハ１を吸着して固定する吸着
ステージであり、直交したｘ軸、ｙ軸、ｚ軸の方向に微
動が可能である。

【０００６】次に、図６を参照して、レーザ光源８から
発せられたレーザ光の光路について説明する。図６にお
いて、プローバ本体４内のレーザ光の光路を符号Ａ、
Ｂ、Ｃで表す。先ず、レーザ光源８から出射したレーザ
光は光ファイバ７を通り、ファイバコリメータ７ａによ
って平行光に変換される。この平行光は、さらにＥＯＳ
光学系を通り、プローバ本体４内に入射し（図６に示す
光路Ａ）、反射鏡４ｃによって９０度折り返される（図
６に示す光路Ｂ）。ここで用いられる反射鏡４ｃは、ガ
ラスの表面にアルミ等を蒸着した全反射の表面ミラーで
ある。

【０００７】次に、反射鏡４ｃによって折り返されたレ
ーザ光は、ダイクロイックミラー４ａによってさらに９
０度折り返されて（図６に示す光路Ｃ）、対物レンズ３
によってＩＣウエハ１の配線上に配置された電気光学素
子２の、ＩＣウエハ１と対向する側の面に集光される。
ここで用いられれるダイクロイックミラー４ａの特性を
図７に示す。図７において、ｘ軸は波長、ｙ軸は透過率
を表している。図７に示すように波長１５５０［ｎｍ］
の光を５％透過し、９５％反射する特性を有している。
したがって、レーザ光源から発せられた光の９５％は反
射して９０度折り返される。

【０００８】電気光学素子２のＩＣウエハ１と対向する
側の表面には誘電体ミラーが蒸着されており、そこで反
射したレーザ光は、対物レンズ３によって再び平行光に
されて、光路Ｃ、Ｂ、Ａの順でＥＯＳ光学系６へ戻り、
ＥＯＳ光学系６内のフォトダイオード（図示せず）へ入
射する。

【０００９】次に、ハロゲンランプ９とＩＲカメラ１０
を使用してＩＣウエハ１の位置決めを行う場合のハロゲ
ンランプ９が発する光の光路とＩＣウエハ１の位置決め
動作について説明する。図６において、ハロゲンランプ
９が発する光の光路を符号Ｄ、Ｅ、Ｃで示す。

【００１０】ハロゲンランプ９から発せられた光は、図
６に示す光路Ｄを通って、ハーフミラー４ｂによって９
０度折り返され（図６に示す光路Ｅ）、ダイクロイック
ミラー４ａを直進して（図６に示す光路Ｃ）、ＩＣウエ
ハ１を照明する。ここで用いられるハーフミラー４ｂ
は、反射光と透過光の強度が等しくなるハーフミラーで
ある。

【００１１】図８は、ハロゲンランプ９の波長特性を示
す図である。図８において、ｘ軸は光の波長を表し、ｙ
軸は光の強度を表している。この図に示すようにハロゲ
ンランプ９は、４００［ｎｍ］〜１６５０［ｎｍ］の範
囲の波長の光を発する。

【００１２】一方、ＩＲカメラ１０は、対物レンズ３視
野内のハロゲンランプ９によって照明されたＩＣウエハ
１の一部を撮像して、この赤外線画像をモニタ１０ａに
表示する。作業者は、モニタ１０ａに表示された画像を
見ながら吸着ステージ１１あるいはプローバ本体４を微
動させて、ＩＣウエハ１上の測定対象となる配線が視野
内に入るように調整する。

【００１３】さらに作業者は、レーザ光源８から発せら
れたレーザ光がＩＣウエハ１の配線上の電気光学素子２
の表面において反射し、さらにダイクロイックミラー４
ａを透過した光を、ＩＲカメラ１０の画像によって確認
することによって、このレーザ光が測定しようとする配
線上の電気光学素子２の表面の一点に集光するように吸
着ステージ１１あるいはプローバ本体４を調整する。こ
のとき、ダイクロイックミラー４ａは、レーザ光源８の
波長域を５％透過する特性を有しているためにＩＲカメ
ラ１０によって、レーザ光を確認することができる。

【００１４】次に、図６に示したＥＯＳプローバを用い
て、被測定信号を測定する動作について説明する。ＩＣ
ウエハ１上の配線に電圧を加えると、電気光学素子２で
は、その電界が電気光学素子２へ加わり、ポッケルス効
果により屈折率が変化する現象が起きる。これにより、
レーザ光源８から発せられたレーザ光が電気光学素子２
へ入射し、ＩＣウエハ１と対向する側の表面において反
射され、再び同じ経路を戻り、電気光学素子２から出射
するときに光の偏光状態が変化する。そして、この偏光
状態が変化したレーザ光は、光路Ｃ、Ｂ、Ａを通ってＥ
ＯＳ光学系６に入射する。

【００１５】ＥＯＳ光学系６へ入射した光は、ＥＯＳ光
学系６内において、上記偏光状態の変化が光強度の変化
に変換され、この光強度変化をフォトダイオードによっ
て受光して電気信号に変換して、この電気信号を信号処
理部（図示せず）において信号処理することによって、
ＩＣウエハ１上の配線に加わる電気信号を測定すること
ができる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術の
電気光学サンプリングプローバにあっては、ＩＣウエハ
１の位置決めを行うために測定対象となるＩＣウエハ１
を照明する必要がある。この照明光は、位置決めをする
ためのものであるため、測定中も照明用の光源を点灯し
ておくことが望ましい。

【００１７】しかしながら、照明用の光源であるハロゲ
ンランプ９の光路は測定を行うプローバのレーザ光と同
じ光路であるために、照明用の光が測定を行うＥＯＳ光
学系に入射することによって、この光がノイズ光となっ
て、信号測定のＳ／Ｎ比を悪化させるという問題があ
る。

【００１８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ＥＯＳプローバ内の不要な照明光がフォトダ
イオードに入射することを防止して、Ｓ／Ｎ比を向上す
ることができるＥＯＳプローバを提供することを目的と
する。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、レーザ光を発するレーザ光源と、測定対象のＩＣウ
エハ上の配線に接し、この配線を介して電界が印加され
て光学特性が変化する電気光学素子と、内部に光アイソ
レータとフォトダイオードを有し、前記レーザ光が前記
電気光学素子内を透過してさらに前記配線の表面におい
て反射された光を分離して電気信号に変換する光学系モ
ジュールと、前記ＩＣウエハを照明するランプと、前記
レーザ光及び前記ランプの照明光の光路を覆う本体と、
前記ランプによって照明された状態の前記ＩＣウエハを
撮像する赤外線カメラと、前記レーザ光と前記ランプの
照明光とを分離するダイクロイックミラーとからなる電
気光学サンプリングプローバにおいて、前記ダイクロイ
ックミラーと前記フォトダイオードとを結ぶ光路の途中
に光波長フィルタをさらに備えたことを特徴とする。

【００２０】請求項２に記載の発明は、前記光波長フィ
ルタは、透過する光の中心波長を前記レーザ光源が発す
る光の強度が最大になる波長にしたことを特徴とする。

【００２１】請求項３に記載の発明は、前記光波長フィ
ルタは、前記光学モジュールの脱着部に設けたことを特
徴とする。

【００２２】請求項４に記載の発明は、前記光波長フィ
ルタは、透過する光の光軸に対して垂直にならないよう
に傾けて配置したことを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
電気光学サンプリングプローバを図面を参照して説明す
る。図１は同実施形態の構成を示した図である。図１に
おいて、図６に示す従来のプローバと同一の部分には同
一の符号を付し、その説明を省略する。この図に示すプ
ローバが従来技術と異なる点は、プローバ本体４に設け
られたＥＯＳ光学系の脱着部４１に光波長フィルタ５を
設けた点である。

【００２４】図２は、図１に示すＥＯＳ光学系６の詳細
な構成を示した図である。ＥＯＳ光学系６の基本要素は
偏光ビームスプリッタと波長板とフォトダイオードであ
るが、雑音を低減し、感度を増加することのできる図２
に示す構成の光学系が実用的である。図２において、符
号６１、６４は、１／２波長板であり、符号６２は１／
４波長板である。符号６３、６６は偏光ビームスプリッ
タであり、符号６５は、ファラディー素子である。この
１／２波長板６１、６４と、１／４波長板６２と、偏光
ビームスプリッタ６３、６６と、ファラディー素子６５
によって構成される光学系を光アイソレータ６０とい
う。符号６７、６８はフォトダイオードである。

【００２５】ＥＯＳ光学系６は、プローバ本体４に対し
て脱着可能であり、プローバ本体４に設けられた脱着部
４１によって固定されている。さらに、脱着部４１に
は、光波長フィルタ５が固定されている。この光波長フ
ィルタ５は、ＥＯＳ光学系をプローバ本体４からはずし
たときに、プローバ本体４内の密閉を保つように固定さ
れている。

【００２６】図３は、図１に示した光波長フィルタ５の
波長特性を示した図である。図３において、ｘ軸は光の
波長を表し、ｙ軸は透過率を表している。この図に示す
ように、光波長フィルタ５は透過する光の中心波長が１
５５０［ｎｍ］であり、半値幅が１４［ｎｍ］である。
この中心波長は、レーザ光源８から発せられるレーザ光
の強度が最大になる波長と同じ波長になっている。光波
長フィルタ５の半値幅はレーザ光の波長半値幅より十分
広くする必要がある。なぜならば、レーザ光の波長半値
幅より狭くなると、光パルス幅が広がったり、パルスの
形状自体が変化するからである。

【００２７】次に、図１、２を参照して、ＩＣウエハ上
の被測定信号を測定する動作について説明する。先ず、
レーザ光源８から出射したレーザ光は、光ファイバ７を
通り、ファイバコリメータ７ａによって平行に変換され
る。次に、光アイソレータ６０を直進して、光波長フィ
ルタ５を透過する。このとき、光波長フィルタ５の波長
特性は図３に示したように、レーザ光源８から発せられ
る光の強度が最大になる波長が中心波長となるようにな
っているため、光アイソレータ６０を直進した光のほと
んどが透過する。

【００２８】ＥＯＳ光学系６より出射したレーザ光は、
反射鏡４ｃによって９０度折り返されて、さらにダイク
ロイックミラー４ａによって９０度折り返されて、対物
レンズ３によってＩＣウエハ１上の配線の表面に集光さ
れて入射する。

【００２９】このとき配線に加わる電圧によって、その
電界が電気光学素子２へ加わり、電気光学素子２では、
ポッケルス効果により屈折率が変化する現象が起きる。
これにより、電気光学素子２へ入射したレーザ光が電気
光学素子２を伝搬するときに光の偏光状態が変化する。
そして、この偏光状態が変化したレーザ光は、ＩＣウエ
ハ１の配線上の電気光学素子２の表面のミラーによって
反射され、電気光学素子２へ入射したときと同じ光路を
逆に進み、ＥＯＳ光学系６へ入射する。この入射された
レーザ光は、光アイソレータ６０によって分離されて、
フォトダイオード６７、６８へ入射し、電気信号に変換
される。

【００３０】測定点（ＩＣウエハ１上の配線）の電圧の
変化にともなって、電気光学素子２による偏光状態の変
化がフォトダイオード６７とフォトダイオード６８の出
力差になり、この出力差を検出することによって、ＩＣ
ウエハ１上の配線に伝わる電気信号を測定することがで
きる。

【００３１】次に、ハロゲンランプ９から発せられた照
明光の光路について説明する。ハロゲンランプ９は、４
００〜１６５０［ｎｍ］の波長域の光を発する。この波
長域を有した照明光は、ハーフミラー４ｂによって９０
度折り返されて、さらにダイクロイックミラー４ａを直
進する。このとき、ダイクロイックミラー４ａは図７に
示す波長特性を有しているため、１５００［ｎｍ］以上
の波長の光の透過率５％である。この波長より短い波長
の光は徐々に透過率が増加し、１３３０［ｎｍ］以下の
波長の光の透過率は９５％となる。したがって、この照
明光のＩＣウエハ１の表面において反射された光のうち
１３３０［ｎｍ］より短い波長の光は再びダイクロイッ
クミラー４ａを透過して、さらにハーフミラー４ｂを透
過した光がＩＲカメラ１０によって撮像される。

【００３２】ここで、ＩＣウエハ１の表面において反射
された照明光のうち波長が１３３０〜１５００［ｎｍ］
である光は、ダイクロイックミラー４ａにおける透過率
が９５〜５％と変化する。すなわち、反射率は５〜９５
％と変化する。したがって、ハロゲンランプ９の照明光
の一部は、ダイクロイックミラー４ａにおいて反射し
て、反射鏡４ｃ方向へ９０度折り返される。この照明光
は、反射鏡４ｃによって９０度折り返されて、光波長フ
ィルタ５へ入射する。

【００３３】光波長フィルタ５は、図３に示すように、
透過する光の中心波長が１５５０［ｎｍ］となっている
ために、この光波長フィルタ５を透過する波長域以外の
光はＥＯＳ光学系６へは入射しない。ハロゲンランプ９
の照明光のうち、ＥＯＳ光学系６へ入射する光は、その
波長が、光波長フィルタ５を透過する波長域の光のみで
ある。ただし、この波長域は、ダイクロイックミラー４
ａの透過率が５％であるため、ハロゲンランプ９が発す
る光のうち波長域が１５５０［ｎｍ］付近でかつ、その
光量の５％以下の光のみがＥＯＳ光学系６へ入射するだ
けである。

【００３４】このように、光波長フィルタ５を設けるこ
とによって、ＥＯＳ光学系６へ入射する照明光の光量を
極めて少なくすることができる。

【００３５】図４、５に従来技術と本発明によるＥＯＳ
プローバのＳ／Ｎ比を示す。図４、５において、ｘ軸
は、周波数を表し、ｙ軸は信号レベルを表している。こ
れらの図から分かるように、本発明のＥＯＳプローバ
は、従来技術と比較してＳ／Ｎ比を１０［ｄＢ］程度向
上することができる。

【００３６】このように、ＥＯＳ光学系６とプローバ本
体４との脱着部４１に光波長フィルタを配置して、不要
な照明光がフォトダイオード６７、６８に入射すること
を防止できるために結果的にＳ／Ｎ比を向上することが
できる。

【００３７】また、光波長フィルタ５をプローバ本体４
の脱着部４１に取り付けたため、ＥＯＳ光学系６をはず
したときに、プローバ本体４内を密閉された状態のまま
にすることができるために、埃等がプローバ本体４内に
入ることを防止できる。これによって、プローバ本体４
内の光学部品に埃等が付着することによって光学部品の
特性が劣化することを防止することができる。

【００３８】なお、光波長フィルタ５は、この光波長フ
ィルタを透過する光の光軸に対して垂直ではなく傾けて
配置するようにしてもよい。これによって、この光波長
フィルタ５を透過しない光が、光波長フィルタ５の表面
において反射したとしてもこの反射光が同一の光軸を戻
ることを防止することができる。また、ＥＯＳ光学系６
から出射しようとする光が光波長フィルタ５の表面にお
いて反射することによって、同じ光路を戻り、フォトダ
イオード６７、６８に入射することを防止できる。

【００３９】また図１、２において、光波長フィルタ５
をＥＯＳ光学系６とプローバ本体４とを脱着する脱着部
４１に設けた例を示したが、光波長フィルタ５は、ダイ
クロイックミラー４ａとＥＯＳ光学系６とを結ぶ光軸上
のどこに配置してもよい。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、光路上にレーザ光源の発する光の波長域のみを
透過する光波長フィルタを配置して、不要な照明光がフ
ォトダイオードに入射しないようにして、ノイズ成分の
光を除去するようにしたため、Ｓ／Ｎ比を向上すること
ができるという効果が得られる。

【００４１】また、請求項２の発明によれば、光波長フ
ィルタの透過の中心波長を、レーザ光源が発する光の強
度が最大になる波長としたため、レーザ光源から発せら
れた光を効率よく透過させることができ、結果的に光波
長フィルタを配置することによる信号成分の光の減衰を
防止できるという効果が得られる。

【００４２】また、請求項３の発明によれば、光波長フ
ィルタをＥＯＳ光学系の脱着部に配置したため、ＥＯＳ
光学系をはずした時にプローバ本体の密閉を保つことが
できるという効果が得られる。

【００４３】また、請求項４の発明によれば、光波長フ
ィルタを傾けて配置したために、この光波長フィルタの
表面において反射される不要な光の発生を防止すること
ができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の構成を示した構成図であ
る。

【図２】図１に示すＥＯＳ光学系モジュールの構成を示
した構成図である。

【図３】図１に示す光波長フィルタ５の波長特性を示す
図である。

【図４】従来技術のＳ／Ｎ比を示す図である。

【図５】本発明によるＥＯＳプローバのＳ／Ｎ比を示す
図である。

【図６】従来技術によるＥＯＳプローバの構成を示した
構成図である。

【図７】ダイクロイックミラー４ａの波長特性を示す図
である。

【図８】ハロゲンランプ９の波長特性を示す図である。

【符号の説明】

１・・・ＩＣウエハ、２・・・電気光学素子、３・・・
対物レンズ、４・・・プローバ本体、４ａ・・・ダイク
ロイックミラー、４ｂ・・・ハーフミラー、４ｃ・・・
反射鏡、５・・・光波長フィルタ、６・・・ＥＯＳ光学
系モジュール、７・・・光ファイバ、７ａ・・・ファイ
バコリメータ、８・・・レーザ光源、９・・・ハロゲン
ランプ、１０・・・赤外線カメラ、１０ａ・・・モニ
タ、１１・・・吸着ステージ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者太田克志東京都大田区蒲田４丁目19番７号安藤電気株式会社内 (72)発明者永妻忠夫東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者品川満東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者山田順三東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内Ｆターム(参考） 2G032 AA00 AD07 AE04 AF09 9A001 BB05 BB06 EE02 HH24 JJ45 JJ48 KK16 KK54 KZ37 LL05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学サンプリングプローバ本体の制
御信号に基づいてレーザ光を発するレーザ光源と、測定対象のＩＣウエハ上の配線に接し、この配線を介し
て電界が印加されて光学特性が変化する電気光学素子
と、内部に偏光ビームスプリッタと波長板とフォトダイオー
ドを有し、前記レーザ光が前記電気光学素子内を透過し
てさらに前記配線に対向する電気光学素子の表面におい
て反射された光を分離して電気信号に変換する光学系モ
ジュールと、前記ＩＣウエハを照明するランプと、前記レーザ光及び前記ランプの照明光の光路を覆う本体
と、前記ランプによって照明された状態の前記ＩＣウエハを
撮像する赤外線カメラと、前記レーザ光と前記ランプの照明光とを分離するダイク
ロイックミラーと、からなる電気光学サンプリングプローバにおいて、前記ダイクロイックミラーと前記フォトダイオードとを
結ぶ光路の途中に光波長フィルタをさらに備えたことを
特徴とする電気光学サンプリングプローバ。
【請求項２】前記光波長フィルタは、該光波長フィルタを透過する光の中心波長を前記レーザ
光源が発する光の強度が最大になる波長にしたことを特
徴とする請求項１に記載の電気光学サンプリングプロー
バ。
【請求項３】前記光波長フィルタは、前記光学モジュールの脱着部に設けたことを特徴とする
請求項１または２に記載の電気光学サンプリングプロー
バ。
【請求項４】前記光波長フィルタは、該光波長フィルタを透過する光の光軸に対して垂直にな
らないように傾けて配置したことを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載の電気光学サンプリングプロ
ーバ。