KR20020084840A - 광구동형 드라이버, 광출력형 전압센서 및 이들을 이용한ｉｃ시험장치 - Google Patents

광구동형 드라이버, 광출력형 전압센서 및 이들을 이용한ｉｃ시험장치 Download PDF

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Abstract

패턴발생기, 파형발생기, 논리비교기 등의 전자회로장치를 격납한 메인프레임과, 이 메인프레임에서 인출된 케이블 선단에 접속된 테스트헤드를 구비하여 구성되는 IC 시험장치에 있어서, 테스트헤드측에 광구동형 드라이버와 광출력형 전압센서를 설치하고, 메인프레임측에 시험패턴신호를 광신호로 변환하는 광신호변환기와, 광신호를 전기신호로 변환하는 광검출기를 설치하고, 메인프레임측에는 파형발생기가 출력하는 시험패턴신호를 광신호변환기에 의해 광신호로 변환하고, 이 광신호를 광도파로를 사용하여 테스트헤드에 전송하고, 테스트헤드에 설치한 광구동형 드라이버를 구동하고, 광신호를 전기신호로 변환하여 피시험 IC에 부여한다. 피시험 IC가 출력하는 응답신호는 광출력형 전압센서에 부여되고, 이 광출력형 전압센서에 의해 피시험 IC가 출력하는 전압신호를 광신호로서 메인프레임에 전송하고, 메인프레임과 테스트헤드 간을 광신호에 의해 신호의 송수신을 행하고, 고속동작이 가능한 IC 시험장치를 제안한다.

Description

광구동형 드라이버, 광출력형 전압센서 및 이들을 이용한 ＩＣ 시험장치{OPTICALLY DRIVEN DRIVER, OPTICAL OUTPUT TYPE VOLTAGE SENSOR, AND IC TESTING EQUIPMENT USING THESE DEVICES}
본 발명은 광신호에 의해 구동함으로써 전압신호를 발생시키고, 피시험 IC에 시험패턴신호를 부여하는 광구동형 드라이버와, 검출한 전압을 광신호로서 출력하고, 측정전압치에 대응하는 아닐로그양을 광신호에 의해 전송할 수 있는 광출력형 전압센서 및 이들을 이용한 IC 시험장치에 관한 것이다.
도 15에 종래의 IC 시험장치의 대강의 구성을 표시한다. 일반적으로 사용되고 있는 IC 시험장치는 도 15 표시와 같이 테스트헤드(THD)와 시험장치 본체를 격납한 메인프레임(MIN)과, 이들 사이를 접속하는 케이블(KBL)과, 테스트헤드(THD)에 피시험 IC(10)를 전자동으로 부여하는 오토핸들러(HND)에 의해 구성된다.
테스트헤드(THD)에는 IC 소켓(SK)이 실장되고, 이 IC 소켓(SK)에 피시험 IC(10)를 접촉시켜 피시험 IC(10)를 케이블(KBL)을 통하여 메인프레임(MIN)에 전기적으로 접속하고, 메인프레임(MIN)에서 피시험 IC(10)에 케이블(KBL)을 통하여 시험패턴신호를 주고, 피시험 IC(10)의 응답신호를 재차 케이블(KBL)을 통하여 메인프레임(MIN)에 보내고, 메인프레임(MIN)에 있어서 응답신호와 기대치를 논리비교함으로써 피시험 IC(10)가 정상동작하고 있는지의 여부를 판정하여, 피시험 IC(10) 양부를 시험하는 구성을 채용하고 있다.
테스트헤드(THD)에는 피시험 IC(10)를 자동적으로 반송하는 오토핸들러(HND)가 부설된다. 오토핸들러(HND)는 전자동으로 피시험 IC(10)를 IC 소켓(SK)에 접촉시키고, 시험종료후는 IC 소켓(SK)에서 시험완료의 IC를 배출시키며, 또한 시험결과에 따라 피시험 IC(10)를 양품과 불량품 별로 분류하여 스토커에 격납하는 작업을 실행한다.
이와 같이, IC 시험장치는 오토핸들러(HND)에 의해 피시험 IC(10)를 테스트헤드(THD)에 대하여 자동송급하는 구성을 채용하지 않으면 안되기 때문에, 테스트헤드(THD)는 메인프레임(MIN)에서 떨어져 배치되고, 케이블(KBL)에 의해 전기적으로 접속하는 구성을 부득이한 것이다.
도 16에 IC 시험장치에 있어서의 전기계통의 개략 구성을 나타낸다. 메인프레임(MIN)에는 패턴발생기(PG)와 타이밍발생기(TG)와 파형발생기(FOM)와 논리비교기(LOG) 등이 격납된다. 패턴발생기(PG)는 파형발생기(FOM)에 대하여 시험패턴데이터(PGDAT)를 출력한다. 파형발생기(FOM)는 패턴발생기(PG)에서 주어진 시험패턴데이터(PGDAT)에 의해 H논리와 L논리가 규정되고, 타이밍발생기(TG)에서 주어지는 타이밍데이터에 따라 H논리와 L논리의 상승과 하강의 타이밍이 규정된 파형을 갖는 시험패턴신호(PGSIG)를 발생한다. 시험패턴신호(PGSIG)는 피시험 IC(10)의 입력단자(TIN)마다 발생하고, 피시험 IC(10)의 모든 입력단자(TIN)에 케이블(KBL)과 드라이버(12)를 통하여 주어진다.
피시험 IC(10)가 가령 메모리일 경우는 시험패턴신호(PGSIG)를 사용하여 일단 피시험 IC(10)의 각 어드레스에 데이터를 기입하고, 그후 각 어드레스에서 출력단자(Tout)에 데이터가 판독된다. 출력단자(Tout)에 판독된 응답신호는 전압비교기(13)의 각 비교기(13A,13B)로 소정의 H논리 레벨을 가지고 있는지 여부 및 소정의 L논리 레벨을 가지고 있는지 여부가 판정되고, 그 판정결과가 CP1과 CP2로서 케이블(KBL)을 통하여 메인프레임(MIN)에 송출된다.
비교기(13A,13B) 동작 개략을 도 17을 사용하여 설명한다. 도 17a는 출력단자(Tout)에 판독된 피시험 IC(10)의 응답신호(Vout)의 파형을 표시한다. 비교기(13A,13B)에는 메인프레임(MIN)에서 타이밍 발생기(TG)가 출력하는 스트로브펄스(STR)가 주어지고, 이 스트로브펄스(STR)에 동기하여 전압비교결과(CP1,CP2)를 출력한다.
즉, 응답신호(Vout)의 출력개시에서 파형이 안정되는 시간(TDRY)이 경과한 시점에서 비교기(13A,13B)에 스트로브펄스(STR)를 주고, 이 스트로브펄스(STR)에 의해 비교결과(CP1,CP2)를 출력시킨다. 비교기(13A)에는 정규 H논리 레벨을 규정하는 비교전압(VOH)이 주어진다. 또 비교기(13B)에는 정규 L논리를 규정하는 비교전압(VOL)이 주어진다. 비교기(13A)는 응답신호(Vout)의 H논리가 비교전압(VOH)에서 정(正)측으로 넘어져 있으며 판정결과로서 양을 표시하는 H논리의 비교결과(CP1)를 출력한다. 또, 전압비교기(13B)는 응답신호(Vout)의 L논리가 정규 L논리를 규정하는 전압(VOL)에서 부(負)측으로 흔들려 있을 경우는 양을 표시하는 H논리의 비교결과(CP2)를 출력한다.
비교기(13A,13B)의 비교결과(CP1,CP2)는 케이블(KBL)을 통하여 메인프레임(MIN)에 보내지고, 메인프레임(MIN)에 설치한 논리비교기(LOG)로 기대치패턴(NPG)과 논리비교된다. 이 논리비교기(LOG)에서 불일치가 발생하는지 여부에 따라 피시험 IC(10)의 양부가 판정된다.
또한, 피시험 IC(10)의 출력단자(Tout)에는 임피던스매칭용 종단저항(TMR)과 피시험 IC(10)의 규격에 의해 결정되는 종단전압치(VT)를 갖는 직류원(14)이 접속된다. 도 16은 피시험 IC(10)가 입력단자(TIN)와 출력단자(Tout)가 독립하여 설치된 형식의 IC의 경우를 표시하였으나, 입력단자와 출력단자는 하나의 핀을 공용할 경우도 많다. 이때문에 도 18과 같이 드라이버(12)의 각 드라이버(DR) 출력과 전압비교기(13)의 각 비교기(13A,13B)의 각 입력단자를 공통접속하여 피시험 IC(10)의 각 입출력핀(T10)에 접속한다. 또, 이 경우에는 각 드라이버(12)의 출력단자와 비교기(13A,13B)의 입력단자와의 공통접속점 사이에 종단저항(TMR)을 직렬로 접속하고, 피시험 IC(10)에서 기입한 시험패턴신호(데이터)를 판독하는 모드에서는 드라이버에서 종단전압(VT)을 출력시키고, 피시험 IC(10)의 종단조건을 만족시킨 상태로 피시험 IC(10)에서 판독한 전압신호((Vout)의 전위레벨을 비교기(13A,13B)에서 비교판정하고, 그 비교결과(CP1,CP2)를 메인프레임(MIN)에 보낸다.
이상의 설명으로 IC 시험장치에 있어서, 테스트헤드(THD)와 메인프레임(MIN)를 분리하고, 이들 사이를 케이블(KBL)에 의해 전기적으로 접속한 구성이 이해될 것이다.
그런데, IC 시험장치 이용자는 다량의 IC를 단시간에 시험하는 것을 요구하고 있다. 이때문에 오토핸들러(HND) 및 테스트헤드(THD)의 규모 및 형상이 대형이 되고, 이때문에 케이블(KBL)의 연장거리가 길어지는 경향이 있다.
케이블(KBL)이 길어지면, 이에 따라 전자유도 잡음이 혼입되기 쉬워짐과 동시에 케이블(KBL)에 기생하는 부유용량, 기생 인덕터 등에 의한 영향도 받기 쉬워지며, 메인프레임(MIN)과 테스트헤드(THD)사이에서 수수되는 신호의 전송속도(주파수)에 제한이 붙어 고속시험에 한계가 발생하는 결함이 있다. 이 한계는 전기전송선로에 의해 테스트헤드(THD)와 메인프레임(MIN) 사이를 접속하는 구성을 채용하는 한, 해소되지 않는 큰 장해이다.
또한, 다른 장해로서 테스트헤드(THD)에는 작은 스페이스내에 드라이버(12) 및 전압비교기(13)와 같이 다량의 전자회로소자가 격납된다. 또한 한번에 시험하는 피시험 IC(10)수는 16개, 32개, 64개와 같이 증가경향이 있다. 한번에 시험하는 피시험 IC(10) 수가 증대함에 따라 테스트헤드(THD)내의 단위 스페이스당 발열량이 커지고, 온도상승도 현저해지기 때문에 방열에 신경을 쓰고, 방열 때문에 코스트가 상승하는 결함도 생긴다.
본 발명의 제1목적은 IC 시험장치의 시험속도를 비약적으로 향상시킬수 있는 IC 시험장치와 이 IC 시험장치를 실현하기 위하여 사용되는 광출력형 전압센서 및 광구동형 드라이버를 제안함에 있다.
본 발명의 제2목적은 테스트헤드내 발열량을 적게하고 방열 때문에 코스트가 상승되지 않아도 되는 IC 시험장치 및 이 IC 시험장치를 실현하기 위하여 사용되는 광출력형 전압센서 및 광구동형 드라이버를 제안함에 있다.
본 발명은 테스트헤드와 메인프레임 사이를 광도파로에 의해 접속하고, 광신호에 의해 변환하여 시험패턴신호를 테스트헤드에 보내고, 테스트헤드측에서 전기신호로 변환하여 시험패턴신호를 피시험 IC에 부여하는 광구동형 드라이버와 피시험 IC의 응답신호를 광신호로 변환하고, 이 광신호를 메인프레임에 전송할 수 있는 광출력형 전압센서를 제안하고, 또한 이들 광구동형 드라이버와 광출력형 전압센서를 사용한 IC 시험장치를 제안하는 것이다.
따라서, 본 발명에 따르면 테스트헤드와 메인프레임 사이는 광도파로로 접속된다. 광도파로는 전자유도잡음 등의 전기적인 잡음이 혼입하지 않는다. 또한, 연장거리가 길더라도 정전용량 혹은 기생인덕터에 따른 영향도 없기 때문에 전송할 수 있는 신호의 주파수를 전기전송선로로 구성되는 IC 시험장치와 비교하여 비약적으로 높일 수 있다. 따라서, 고속시험이 가능한 IC 시험장치를 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 광구동형 드라이버를 사용한 IC 시험장치의 일실시예를 설명하기 위한 접속도,
도 2는 본 발명에 따른 광출력형 전압센서를 사용한 IC 시험장치의 일실시예를 설명하기 위한 접속도,
도 3은 도 2 표시의 실시예를 사용한 광변조기 구성과 동작을 설명하기 위한 평면도,
도 4는 도 3 표시의 광변조기 동작을 설명하기 위한 파형도,
도 5는 도 2 표시의 실시예에 사용한 광출력형 전압센서의 구체적 구조의 일예를 표시하는 평면도,
도 6은 본 발명에 따른 광출력형 전압센서의 변형실시예를 IC 시험장치에 응용한 예를 설명하기 위한 접속도,
도 7은 본 발명에 따른 광출력형 전압센서의 또 다른 변형실시예를 IC 시험장치에 응용한 예를 설명하기 위한 접속도,
도 8은 도 2 표시의 IC 시험장치의 변형실시예를 설명하기 위한 접속도,
도 9는 도 8의 동작을 설명하기 위한 파형도,
도 10은 도 9와 동일한 파형도,
도 11은 본 발명에 따른 광구동형 드라이버와 광출력형 전압센서 쌍방을 적용한 IC 시험장치의 실시예를 나타내는 접속도,
도 12는 도 11의 변형실시예를 표시하는 접속도,
도 13은 도 11의 또 다른 변형실시예를 표시하는 접속도,
도 14는 도 11의 또 다른 변형실시예를 설명하기 위한 사시도,
도 15는 종래의 IC 시험장치의 개요 설명도,
*도 16은 종래의 IC 시험장치의 전기계통의 개요를 설명하는 블록도,
도 17은 도 16의 동작을 설명하는 파형도,
도 18은 도 16 표시의 종래의 IC 시험장치의 다른예를 설명하는 블록도.
도 1에 본 발명에 의한 광구동형 드라이버의 일실시예를 나타낸다. 도 1 표시의 실시예는 VIH와 VIL및 피시험 IC(10)의 규격에 따라 정해지는 종단전압(VT)을 출력할 수 있는 3치(値) 드라이버를 구성한 경우를 나타낸다. 도면중 20은 본 발명에 따른 광구동형 드라이버를 나타낸다. 이 광구동형 드라이버(20)는 내부광도파로(22A,22B,22C)를 형성할 수 있는 가령 니오브산 리튬(LiNbo3)과 같은 유전체기판(21)과 이 유전체기판(21)에 형성한 내부광도파로(22A,22B,22C)와, 이들 내부광도파로(22A,22B,22C)의 단부에 광학적으로 결합시켜 형성한 광도전소자(23A,23B,23C)와, 이 광도전소자(23A,23B,23C)에 의해 출력전극(24)에 전기적으로 접속되는 입력전극(25A,25B,25C)에 의해 구성할 수 있다.
또한, 유전체기판(21)에는 출력전극(24)과 입력전극(25A,25B,25C)외에 외부와의 접속을 행하는 외부접속전극(26)과, 이들 외부접속전극(26)과, 출력전극(24) 사이에 종단저항(TMR)을 형성하여 구성한 경우를 나타낸다.
유도체기판(21)에 형성한 내부광도파로(22A,22B,22C)에는 가령 광파이버와 같은 외부광도파로(32A,32B,32C)가 광학적으로 접속되고, 이외부광도파로(32A,32B,32C)의 타단측 즉, 메인프레임(MIN)측에는 파형발생기(FOM)에서 출력되는 시험패턴신호(PGSIG)를 광신호로 변환하는 광신호변환기(33)가 접속된다. 이 광신호변환기(33)는 피시험 IC(10)의 각 입력단자마다 3개의 광원(33A,33B,33C)을 설치하여 구성되고, 광원(33A,33B,33C)을 시험패턴신호에 따라 점등시킴으로써 각 광원(33A,33B,33C)이 발광하는 광에 의해 광도전소자(23A,23B,23C)를 선택적으로 도통시킨다. 광도전소자(23A,23B,23C)가 선택적으로 도통시킴으로써 외부접속전극(26)에 입력전극(25A,25B,25C)에 주고 있는 전압(VIH,VIL,VT)의 어느 하나를 출력할 수 있고, 3치의 구동신호(DRV)를 출력할 수 있다.
본 발명에 의한 광구동형 드라이버(20) 구성에 따르면 광구동형 드라이버(20)와 전압원(31A,31B,31C)을 테스트헤드(THD)에 장착하고, 광원(33A,33B,33C)을 메인프레임(MIN)에 장착하고, 메인프레임(MIN)에서 외부광도파로(32A,32B,32C)를 통하여 광신호로 테스트헤드(THD)에 시험패턴신호를 전송함으로써 외부접속전극(26)에 3치의 구동신호(DRV)를 출력시킬수 있다. 따라서, 이 3치의 구동신호(DRV)를 피시험 IC(10)의 도 1의 예에서는 입력전용단자(TIN)에 부여함으로써 피시험 IC(10)에 시험패턴신호를 입력시킬수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 광도전소자(23A,23B,23C)는 가령 Si, GaAs, InAs 등의 반도체 재료에 광이 조사될 때에 생기는 캐리어에 의해 광의 입력에 대하여 도전성을 갖는 소자로 구성할 수 있다. 또, 내부광도파로(22A,22B,22C)를 유도체기판(21)에 형성할 경우를 설명했으나 내부광도파로(22A,22B,22C)를 외부광도파로(32A,32B,32C)와 같이 광파이버에 의해 구성할 수도 있다. 이 경우는 내부광도파로(22A,22B,22C)를 구성하는 광파이바와, 외부광도파로(32A,32B,32C)를 구성하는 광파이바를 광커넥터에 의해 접속하고, 또 절리할 수 있게 구성하면 된다.
도 2는 본 발명에 따른 광출력형 전압센서를 사용한 IC 시험장치의 일실시예를 표시한다. 이 도 2 표시의 실시예는 출력전용단자(Tout)에서 출력되는 전압신호(Vout)를 광신호로 변환하여 메인프레임(MIN)에 전송할 경우를 표시한다. 도면중 50은 본 발명에 의한 광출력형 전압센서를 나타낸다. 본 발명에 따른 광출력형 전압센서(50)는 피시험 IC(10)가 출력하는 전압신호(Vout)를 적정인 임피던스로 수취하는 종단저항(TMR)과, 이 종단저항(TMR)에서 수취한 전압신호(Vout)의 전압(Vo)을 광의 변조량으로 변환하고, 광의 변조량에서 간섭광을 출력하는 광변조기(52)와, 이들을 지지하는 기판(51)에 의해 구성할 수 있다.
광변조기(52)는 도 3과 같이 유전체기판(52-7)에 형성한 광도파로를 분기하는 광분기부(52-1)와 광합파부(52-2)와, 이들 광분기부(52-1) 및 광합파부(52-2) 사이에 형성한 2개의 광도파로(52-3A, 52-3B)와 이 2개의 광도파로(52-3A,52-3B)의 각 양측에 형성한 전계인가전극(52-4,52-5,52-6)에 의해 구성된다.
광분기부(52-1),광합파부(52-2), 광도파로(52-3A,32-3B)는 각각 가령 니오브산 리튬(LiNbO3)등에 의해 구성되는 유전체기판(52-7)에 가령 티탄 등을 확산시켜서형성할 수 있다. 유전체기판(52-7) 단면에 노출하여 형성되는 광의 입사단(52-8A)과 출사단(52-8B)에 가령 광파이바와 같은 광도파로(54,55)를 광학적으로 결합하고, 입사단(52-8A)에 결합한 입력용 광도파로의 타단측에 가령 레이저다이오드와 같은 광원(61)을 결합시켜, 출사단(52-8B)에 결합시킨 출력용 광도파로(55) 타단측에는 가령 포토다이오드와 같은 광검출기(63)를 결합시킨다.
*광원(61)은 광원구동회로(62)에 의해 점등상태로 구동한다. 이 예에서는 직류전원에 의해 구동시킨 경우를 표시한다. 따라서 광원(61)은 일정광량의 레이저광을 입력용 광도파로(54)에 입사한다. 광검출기(63)에는 검출회로(64)를 접속하는 출력용 광도파로(55)에서 출사되는 광의 강도를 전압신호(Vout-1)로 변환하여 꺼낸다. 전계인가전극(52-4,52-5,52-6)의 한쪽의 쌍에 종단저항(TMR)에 발생하는 전압(Vo)을 인가한다. 도 3 표시의 예는 전계인가전극(52-4와 52-5)사이에 종단저항(TMR)에 발생하는 전압(Vo)을 인가하고, 다른쪽 전계인가전극(52-4과 52-6)의 쌍에는 이들 전극(52-4과 52-6) 사이를 공통접속하여 무전계를 부여한 경우를 표시한다.
이와 같이 2분기한 광 한쪽의 광도파로(52-3A)에 전계를 인가하고, 다른쪽 광도파로(52-3B)에는 무전계를 인가함으로써 전계가 주어진 광도파로(52-3A)측에서는 광에 위상변조가 주어지고, 다른쪽 무전계측의 광도파로(52-3B)를 통과하는 광은 무변조로 통과한다. 광도파로(52-3A)측에서 받은 광위상변조에 의해광합파부(52-2)에서는광의 간섭이 발생하고, 출력용 광도파로(55)에 출사되는 광의 강도가 변화된다.
이 모양을 도 3과 도 4를 사용하여 설명한다. 입력용 광도파로(54)에 입사하는 광강도를 Pin, 출력용 광도파로(55)에 출력되는 광강도를 Pout, 전계인가전극(52-4과 52-5)에 주는 전압을 Vo로 하면 이 인가전압(Vo)을 변화시키면 광도파로(55)에 출사되는 광강도(Pout)는 도 4a와 같이 Cos곡선에 따라 변화된다. 즉, 인가전압(Vo)이 Vo=0일때, Pout=Pin이 되고, Vo를 서서히 +방향 또는 -방향으로 변화시키면 출사광량은 Cos 곡선에 따라 서서히 저감되고, 어느 전압에 있어서 출사광량은 0에 달한다. 인가전압(Vo)을 더욱 증가시키면 출사강도(Pout)는 Cos 곡선 따라 서서히 증가하고, 어느 전압에 달하면 출사강도(Pout)는 1, 즉 Pout=Pin의 상태가 된다. 이후 인가전압(Vo)의 변화에 대하여 출사강도(Pout)는 1과 0 사이를 왕복하는 광변조특성을 띤다.
도 4a 표시의 광변조특성은 광도파로(52-3A와 52-3B)의 광로 길이가 같은 경우를 표시하나, 한쪽의 광로길이와 다른쪽 광로길이 사이에 전파하는 광파장의 ¼ 파장분만큼 차를 갖게 하거나 또는 도 3과 도 5의 표시의 접속구조에 있어서 전계인가전극에 바이어스전압(VBAS)을 줌으로써 광변조특성은 도 4b와 같이 인가전압(Vo)의 변화에 대하여 Sin 곡선에 따르는 특성이 된다. 즉, 인가전압(Vo=0)을 중심으로 급격히 변화하는 특성이 얻어진다. 도 6 이하의 설명에서는 광도파로(52-3A와 52-3B)에 ¼ 파장의 광로길이 차를 줌으로써 광변조의 초기 위치를 도 4b 표시상태로 설정돼 있는 것으로서 설명한다.
이상 설명한 광변조기(52)의 변조특성으로 분명한 바와 같이, 광변조기(52)는 어느 범위의 전계입력(광의 위상 변조량이 360°범위내의 전계입력)에 대하여 출사광의 강도(Pout)를 Pout=Pin의 상태와, Pout=0 사이의 값 즉, Pout/Pin=1과, Pout/Pin=0 사이의 값으로 표시되는 광신호로 변조한다. 따라서, 도 2 표시의 검출회로(64)는 피시험 IC(10)가 출력한 전압신호(Vout)와 등가의 파형을 갖는 전압신호(Vout-1; 도 2 참조)를 출력한다.
이 전압신호(Vout-1)가 얻어진 후의 처리는 종래의 IC 시험장치와 동일하게 전압신호(Vout-1)를 전압비교기(13)에 의해 기준이 되는 H논리레벨(VOH) 및 L논리레벨(VOL)과 비교하여 소정의 논리레벨을 구비하고 있는지 여부를 판정하고, 그 판정결과가 양이면 전압비교결과를 기대치와 논리비교하고, 피시험 IC(10)의 동작이 정상인지 여부를 판정한다. 도 2는 전압비교기(13)까지의 구성을 나타내고 전압신호(Vout-1)의 논리가 기대치와 일치하고 있는지 여부를 비교하는 논리비교기, 기대치를 출력하는 패턴발생기 등의 구성은 생략하여 표시하고 있다.
또한, 도 3 표시의 광변조기(52)에 있어서, 전압신호(Vout)의 검출감도는 전극길이(L; 도 3 참조)에 비례하고, 전극간의 간극에 반비례한다. 따라서 전극길이(L)를 길게, 전극간 간극을 좁게 형성함으로써 전압신호(Vout)의 검출감도를 높일 수 있다.
또, 도 5와 같이 피시험 IC(10)가 출력하는 전압신호(Vout)를 전계인가전극(52-4와 52-5 및 52-4와 5-26) 쌍방에 차동적으로 부여함으로써 광변조기(52) 감도를 2배로 할 수 있다. 또, 감도를 높이기 위한 다른 방법은, 광원(61)의 발광강도를 강화하는 것도 한 방법이다.
어떻든, 도 2와 같이 피시험 IC(10)가 출력하는 응답신호(Vout)를 광신호로 변환하고, 광신호에 의해 테스트헤드(THD)에서 메인프레임(MIN)에 피시험 IC(10)의 전압신호(Vout)를 전송함으로써 그 전송거리가 다소 길어, 가령 수 10미터∼100미터 정도에 달하여 광신호 품질이 열화되는 일은 없다. 게다가 외부로부터의 전기적 유도잡음이 혼입하는 일도 없고, 또 전기전송로와 같이 기생용량, 기생인덕터 등에 의한 영향도 전혀 받지 않으므로 이 점에서도 품질이 높은 광신호의 전송을 행할수 있다. 게다가 테스트헤드(THD)에서는 전기신호를 취급하는 부분이 적기 때문에 테스트헤드(THD)측의 발열량을 적게할 수 있다. 따라서 테스트헤드(THD)에 있어서의 총발열량을 억제할 수 있으므로 테스트헤드(THD)에 있어서의 내부의 온도상승이 억제되기 때문에 냉각장치와 같은 고가의 장치를 설치하지 않아도 되는 이점이 얻어진다.
도 6은 광출력형 전압센서(50)의 변형실시예를 표시한다. 이 실시예에 있어서는 광변조기(52)를 구성하는 전계인가전극(52-6)을 소정의 특성임피던스에 정합시킨 마이크로스트립라인으로 구성한 신호 전송선로 구조로 하고, 이 신호선로구조의 전계인가전극(52-6)에 피시험 IC(10)가 출력하는 전압신호(Vout)를 전파시킨다.전계인가전극(52-6)의 종단측에는 종단저항(TMR)과 종단전압(VT)을 출력하는 전압원(14)을 직렬접속하여 공통전위점에 접속한다.
이 전압신호(Vout)의 전파방향과 동일방향에 광변조기(52)를 구성하는 광도파로(52-3A)에 광을 투과시켜, 이 광도파로(52-3A)를 투과하는 광에 전계인가전극(52-6과 52-4) 사이에서 전압신호(Vout)의 전압(Vo)를 부여한다. 다른쪽 전극쌍(52-4과 52-5)에는 공통전위를 부여하고, 광도파로(52-3B)에는 무전계를 인가한다. 광원(61)은 이 예에서는 직류의 광원구동회로에 의해 직류점등시킨 경우를 나타낸다.
이 실시예와 같이 전압신호(Vout) 진행방향과 광진행방향을 일치시킴으로써 전기신호와 광진행속도를 같게할 수 있고, 진행파형 광변조기로서 동작한다. 이 결과, 광변조기(52)의 변조특성은 광대역화되고, 광간섭광에 의해 메인프레임(MIN)에서 재현되는 펄스신호(Vout-1)는 송출측 전압신호(Vout)의 파형이 충실히 재현된다. 또한 전압신호(Vout)와 광이 동일속도로 진행하기 때문에 전압의 검출감도도 높은 이득이 보장된다.
도 7은 도 6의 변형실시예를 표시한다. 이 실시예에서는 광변조기(52)를 구성하는 전계인가전극(52-5,52-6)을 공통 접속함과 동시에 쌍방을 신호전송선로구조로 하고, 광도파로(52-3A)와 광도파로(52-3B)에 대하여 차동적으로 전계를 인가하는 구조로한 경우를 표시한다. 이 경우에는 전계인가전극(52-5,52-6)으로 구성되는 신호전송선로의 임피던스는 도 6의 경우의 약 2배의 특성임피던스로 하고, 종단저항(TMR)의 저항치도 도 6의 경우의 2배의 저항치로 선정한다. 이 도 7의 구성에 따르면 도 6의 실시예와 비교하여 전압의 검출감도를 약 2배로 할 수 있는 이점이 얻어진다.
도 8은 도 2의 다른 실시예를 표시한다. 이 도 8의 실시예에서는 광원(61)측에 광스위치(65)를 접속하고, 이 광스위치(65)에 의해 광원(61)에서 출사되는 광을 펄스폭이 좁은 광펄스(PPS; 도 9b 참조)로 변환하고, 이 광펄스(PPS)를 입력용 광도파로(54)를 통하여 광변조기(52)에 입력한다. 여기서 광펄스(PPS)는 피시험 IC(10)가 출력하는 전압신호(Vout)가 안정된 값에 달한 타이밍에 발생하도록 광스위치(65)에 부여하는 스위치 제어신호(SWP)의 타이밍을 선정한다. 또는 레이저 소자를 직접펄스전류, 전압으로 구동함으로써 광펄스를 발생시켜도 된다.
광펄스(PPS)가 전압신호(Vout)의 소정 타이밍에서 부여됨으로써 광변조기(52)에서 출력되는 펄스상의 간섭광은 전압신호(Vout)의 H논리와 L논리의 값에 대응한 광간섭레벨을 갖는다. 따라서 검출회로(64)에서는 도 9c 표시의 전압신호(Vout-1)가 출력된다. 검출회로(64) 출력측에 적분회로(66)를 설치하고, 이 적분회로(66)에 의해 검출회로(64)에서 출력되는 전압신호(Vout-1)를 적분한다.
적분회로(66)의 적분시정수는 광펄스(PPS)의 펄스폭의 시간범위내에서 적분전압(INTV)이 충분히 목표치에 달하는 정도의 시정수로 선정한다. 이와 같이 적분회로(66)의 시정수를 선정함으로써 검출회로(64)에서 출력되는 전압신호(Vout-1)의 첨두치를 충분히 잡을 수 있다. 적분회로(66)가 목표치 전압을 적분함으로써 그 후의 처리는 시간적으로 여유를 가지고 실행할 수 있다. 따라서, 적분회로(66) 이후의 회로는 고속으로 동작하는 회로를 필요로 하지 않는 이점이 얻어진다.
즉, 적분회로(66)가 목표로 하는 전압신호(Vout-1)의 첨두치를 적분하면 그 후는 그 적분전압을 유지하기 때문에 전압비교기(13A와 13B)는 적분전압(INTV)이 안정되기까지의 시간(τ)만큼 지연한 타이밍으로 스트로브펄스(STB; 도 9e 참조)에 의해 적분회로(66)의 적분전압(INTV)을 전압비교하면 된다.
비교기(13A와 13B)의 비교결과(CP1과 CP2)를 도 9g와 h에 표시한다. 전압비교가 실행된 후에 도 9f에서 표시하는 리세트펄스(RSP)에 의해 적분회로(66)의 적분전압(INTV)을 리세트한다.
도 8 표시의 실시예와 같이 광펄스(PPS)에 의해 피시험 IC(10)가 출력하는 전압신호(Vout)를 샘플링함으로써 전압신호(Vout)를 시간축 방향에 관하여 분해능 좋게 샘플링할 수 있다. 즉, 광펄스(PPS)의 펄스폭 범위내에 있어서의 전압신호(Vout)의 값을 정확하게 측정할 수 있고, 가령 전압신호(Vout)의 파형이 도 10 표시와 같이 상승 및 하강 부분에 있어서 둔해진 파형이라 하더라도 광펄스(PPS)를 전압신호(Vout)가 최종논리전압(VH,VL)에 도달한 타이밍에서 부여함으로써 전압신호(Vout-1)의 최종 논리전압치(VH와 VL)를 샘플링할 수 있게 된다. 또, 전압신호(Vout)가 일정한 반복을 갖는 경우, 광펄스의 타이밍을 조금씩 빗나가게하여 샘플링해가면 Vout의 파형자체를 관측할 수 있다. 또한 도 8 표시의 실시예에서는 도 2 표시의 실시예에 적용할 경우를 표시하였으나 도 6 및 도 7 표시의 실시예에도 적용된다는 것은 쉽게 이해될 것이다.
도 11은 피시험 IC(10) 단자가 입력단자와 출력단자를 겸하는 입출력단자(T10)에 본 발명을 적용할 경우를 표시한다. 이 경우는 도 1에서 설명한 광구동형 드라이버(20)와 도 6에서 설명한 광출력형 전압센서(50) 쌍방을 사용하여 피시험 IC(10)에 시험패턴신호를 입력함과 동시에 피시험 IC(10)에서 출력되는 전압신호(Vout)를 광출력형 전압센서(50)에서 광신호로 변환하고, 이 광신호를 출력용 광도파로(55)를 통하여 메인프레임(MIN)에 전송하도록 구성한다.
광출력형 전압센서(50)를 구성하는 전계인가전극(52-6)을 마이크로스트립라인과 같은 신호전송선로 구조로 하고, 이 전계인가전극(52-6)의 일단측을 피시험 IC(10)의 입출력단자(T10)에 접속함과 동시에 타단측을 광구동형 드라이버(20)의 외부접속전극(26)에 전기적으로 접속한다.
피시험 IC(10)에 시험패턴신호를 부여할 경우는 파형발생기(FOM)가 광신호변환기(33)를 구성하는 광원(33A,33B,33C)을 시험패턴데이터에 따라 점등제어하고, 이 점등광을 광도파로(32A,32B,32C)를 통하여 테스트헤드(THD)에 설치한 광도전소자(23A,23B,23C)에 공급함으로써 광구동형 드라이버(20)가 구동된다.
피시험 IC(10)에 시험패턴신호를 주는 상태에서는 광원(33A,33B)가 점멸 제어된다. 한편 피시험 IC(10)에서 전압신호(Vout)를 출력시킬 경우는 광원(33C)을 점등시키고, 광도전소자(23C)를 도통시켜 종단 저항기(TMR) 일단을 종단전압(VT)을 출력하는 직류원(31C)를 통하여 공통전위점에 접속하고, 피시험 IC(10)의 입출력단자(T10)를 소정의 임피던스에 정합한 상태로 종단한다.
이 종단한 상태로 피시험 IC(10)가 전압신호(Vout)를 출력하면 이 전압신호(Vout)에 의해 광변조기(52)를 투과하는 광의 위상에 변조되고, 이 광의 위상변조에 따라 합파부에서 간섭광이 얻어지고, 이 간섭광이 출력용 광도파로(55)를 통하여 메인프레임(MIN)에 보내지고, 광검출기(63)에서 전기신호로 변환되고, 검출회로(64)는 전압신호(Vout-1)를 출력한다. 따라서, 이 전압신호(Vout-1)를 비교기(13A,13B)에 의해 H논리레벨과 L논리레벨의 전압을 갖는지를 판정하고, 그 비교출력(CP1,CP2)을 논리비교기(LOG; 도 16 참조)에 보내고, 피시험 IC(10)의 양부판정을 행한다.
또, 도 11의 실시예에 있어서 광원(61)의 발광을 직류점등으로 한 경우를 표시하고 있으나, 도 8과 같이 광도파로(54)에 광스위치(65)를 개삽하고, 광스위치(65)에 의해 광변조기(52)에 부여하는 광을 펄스상으로 하고, 광변조기(52)에 있어서 광펄스에 의해 피시험 IC(10)가 출력하는 전압신호(Vout)를 샘플링하도록 구성할 수도 있다.
또, 이 도 11의 실시예에서도 도 12와 같이 광변조기(52)의 전계인가전극(52-5,52-6) 쌍방을 마이크로스트립라인 구조로 하고, 각각에 전압신호(Vout)를 부여함으로써 광도파로(52-3A,52-3B)에 차동적으로 전계를 인가하여 전압의 검출감도를 2배로 하는 전압센서구조를 채용할 수도 있다.
도 13은 도 12 표시의 본 발명에 의한 IC 시험장치의 변형실시예를 표시한다. 이 도 13 표시의 실시예에서는 광변조기(52)를 구성하는 유도체기판(57-7)에 보정용 광도파로(52-9)를 형성하고, 이 보정용 광도파로(52-9)에 광변조기(52)에 부여하는 광의 일부를 투과시키고, 그 투과광을 광도파로(56)를 통하여 메인프레임(MIN)에 보내고, 메인프레임(MIN)에 설치한 광검출기(63B)와 검출회로(64B)에 의해 참조신호(REF)를 생성시킨다. 이 참조신호(REF)를 검출회로(64A)에서 출력되는 전압신호(Vout-1)에서 감산함과 동시에, 참조신호(REF)를 광원구동회로(62)에 부여하고, 광원(61)의 발광강도를 안정화 제어하도록 구성한 경우를 표시한다.
이 도 13 표시의 실시예에 따르면 광원(61)의 발광강도가 안정화제어되고, 따라서 광변조기(52)에 입력하는 광강도도 안정되므로 광변조기(52)의 신뢰성을 향상시킬수 있다. 또한, 이 실시예에서는, 광변조기(52)에 근접하게 보정용 광도파로(52-9)를 형성하고, 이 보정용 광도파로(52-9)를 투과하는 광에 의해 참조신호(REF)를 생성했기 때문에 가령 온도변동 등에 의해 광변조기(52)를 구성하는 광도파로(52-3A,52-3B)의 광투과량이 변동하더라도 그 변동을 참조신호(REF)의 변동에 따라 검출할 수 있고, 참조신호(REF)의 변동을 검출하여 전압신호(Vout-1)의 변동을 보정할 수 있다.
또, 전압신호(Vout-1)에서 참조신호(REF)를 감산함으로써 전압신호(Vout-1)에서 옵셋성분을 제거할 수 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예를 표시한다. 이 도 14에 표시하는 실시예는 반도체 웨이퍼(70)에 형성한 IC 칩(71)에 프로브(73)를 직접 접촉시켜 IC 칩(71)에 형성한 IC가 정상 동작하는지 여부를 시험할 경우에 본 발명에 의한 광구동형 드라이버(20)와 광출력형 전압센서(50)를 응용한 경우를 표시한다. 프로브카드(72)는 일반적으로 링상으로 형성하는 중심구멍 주연에서 프로브(73)가 내향으로 돌출하여 프로브카드(72)에 지지된다. 프로브(73) 선단을 IC 칩(71)에 형성한 전극부분에 접촉시키고, IC 칩(71)에 형성한 집적회로를 동작시켜 시험을 행한다.
이같은 IC 시험장치에 있어서, 광구동형 드라이버(20)와 광출력형 전압센서(50)를 일체로 탑재한 기판(80)을 준비한다. 광구동형 드라이버(20)와 광출력형 전압센서(50)는 쌍방에 맞추어도 10∼15mm 각 정도의 기판에 실장할 수 있다. 이 기판(80)을 프로브(73)에 장착하고, 프로브(73)를 통하여 광구동형 드라이버(20)에 시험패턴신호를 IC 칩(71)에 부여함과 동시에, 프로브(73)를 통하여 IC 칩(71)이 출력하는 전압신호(Vout)를 꺼내어 광출력형 전압센서(50)에 입력하고, 광출력형 전압센서(50)에 의해 전압신호(Vout)를 간섭광으로 변환하여 출력용 광도파로(53)를 통하여 메인프레임에 보내도록 구성할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 광구동형 드라이버 및 광출력형 전압센서를 사용함으로써 광신호에 의해 구동신호를 전송하고, 또 측정신호를 광신호로 전송할 수 있다. 광신호를 전송하는 광도파로는 전기신호의 전송선로와 같이 전자유도잡음 등의 전기적 잡음 혼입은 전혀 없고, 게다가 기생용량, 기생인덕터와 같은 성분도 존재하지 않으므로 신호전송로 거리를 길게 잡아도 아무런 장해도 발생하는 일이 없다.
따라서, 본 발명에 따른 광구동형 드라이브 및 광출력형 전압센서를 IC 시험장치에 응용함으로써 테스트헤드(THD)와 메인프레임(MIN) 사이의 거리가 길어져도 그 사이를 광신호로 수수함으로써 전기적인 장해를 받지 않고, 피시험 IC(10)에 시험패턴신호를 부여할 수 있다. 또, 피시험 IC(10)가 출력하는 전압신호(Vout)를 파형의 열화를 초래하지 않고 메인프레임(MIN)에 보낼수 있다.
게다가 신호전송로에 기생용량 혹은 기생인덕터 등의 성분이 존재하지 않으므로 광도파로를 전파하는 광신호 주파수도 높게 잡을 수 있다. 이 결과를 피시험 IC(10)에 부여하는 시험패턴신호의 주파수도 전기신호의 경우보다 충분히 높은 주파수로 설정할 수 있다. 따라서 피시험 IC(10)의 시험속도를 고속화할 수 있고, IC 시험장치의 시험속도를 비약적으로 향상시킬수 있는 이점을 얻을 수 있다.
또한, 광구동형 드라이버(20) 및 광출력형 전압센서(50)는 전력을 다량으로 소비하는 전자적능동소자를 전혀 사용하지 않으므로 발열량은 전무와 같다. 따라서, 테스트헤드(THD)에 다량의 광구동형 드라이버(20)와 광출력형 전압센서(50)를 실장하더라도 발열량은 미소하여, 특별히 냉각장치를 사용할 필요는 없다. 따라서 IC 시험장치의 제조상의 코스트다운이 기대된다.

Claims (19)

  1. 유전체기판,
    상기 유전체기판중에 형성되고, 상기 유전체 기판에 인가된 입력광을 이분하는 광분기부,
    상기 유전체기판중에 형성된 광합파부,
    이들 광분기부와 광합파부와의 사이에 결합되고 상기 유전체기판중에 형성된 제1 및 제2 광도파로,
    제1 광도파로를 사이에 두고 대향하는 양측에 배치한 상기 유전체기판중에 형성되고 제1전극과 공통전극으로 구성되는 제1 전극쌍과, 제2 광도파로를 사이에 두고 대향하는 양측에 배치한 상기 유전체기판중에 형성되고 제2 전극과 상기 공통전극으로 구성되는 제2 전극쌍을 구비한 분기간섭형 광변조기를 포함하고, 전기 입력신호를 광출력신호로 변환하는 광출력형 전압센서에 있어서,
    상기 제1전극과 제2전극을 서로 접속하여 병렬접속전극을 형성하고,
    상기 병렬접속전극에 상기 전기입력신호를 인가하고,
    상기 공통전극에 바이어스 전압을 인가하고,
    상기 합파부로부터 출력되는 광을 상기 전기입력신호와 상기 바이어스 전압과의 차에 해당하는 간섭광으로 하고, 이 간섭광을 상기 광출력신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 광출력형 전압센서.
  2. 유전체기판,
    상기 유전체기판중에 형성되고, 상기 유전체 기판에 인가된 입력광을 이분하는 광분기부,
    상기 유전체기판중에 형성된 광합파부,
    이들 광분기부와 광합파부와의 사이에 결합되고 상기 유전체기판중에 형성된 제1 및 제2 광도파로,
    제1 광도파로를 사이에 두고 대향하는 양측에 배치한 상기 유전체기판중에 형성되고 제1전극과 공통전극으로 구성되는 제1 전극쌍과, 제2 광도파로를 사이에 두고 대향하는 양측에 배치한 상기 유전체기판중에 형성되고 제2 전극과 상기 공통전극으로 구성되는 제2 전극쌍을 구비한 분기간섭형 광변조기를 포함하고, 전기 입력신호를 광출력신호로 변환하는 광출력형 전압센서에 있어서,
    상기 제1전극에 상기 전기입력신호를 인가하고,
    상기 제2전극을 상기 공통전극에 접속하고, 이들에 상기 바이어스 전압을 인가하고,
    상기 합파부로부터 출력되는 광을 상기 전기입력신호와 상기 바이어스 전압과의 차에 해당하는 간섭광으로 하고, 이 간섭광을 상기 광출력신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 광출력형 전압센서.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 입력광을 펄스상으로 한 것을 특징으로 하는 광출력형 전압센서.
  4. 피시험 IC에 시험 패턴 신호를 인가하고, 피시험 IC로 부터의 응답신호와 기대치 패턴 신호를 논리비교하고, 상기 피시험 IC의 양부를 판정하는 IC 시험장치에 있어서,
    피시험 IC와 접촉하는 테스트 헤드내에, 상기 청구항 1 또는 2 기재의 광출력형 전압 센서를 배치하고,
    상기 테스트 헤드로부터 떨어진 위치에 설치된 메인 프레임내에 광원과 광검지기를 배치하고,
    상기 광원이 발생하는 출력광을 상기 테스트 헤드로 광전송하여 상기 광출력형 전압센서로, 그 입력광으로서 인가하고,
    상기 광출력형 전압 센서는, 상기 피시험 IC가 출력하는 응답신호를, 그 상기 전기입력신호로서 받아들이고, 이것을 광출력신호로 변환하고, 상기 메인 프레임으로 광전송하고,
    상기 광검지기는, 상기 전압 센서로부터 그 광출력신호를 받아들여 이들을 전기신호로 되돌려 변환하고, 이 전기신호를 상기 기대치 신호와 논리비교의 대상으로 하는 것을 특징으로 하는 IC 시험장치.
  5. 피시험 IC에 시험 패턴 신호를 인가하고, 피시험 IC로 부터의 응답신호와 기대치 패턴 신호를 논리비교하고, 상기 피시험 IC의 양부를 판정하는 IC 시험장치에 있어서,
    피시험 IC와 접촉하는 테스트 헤드내에, 상기 청구항 3 기재의 광출력형 전압 센서를 배치하고,
    상기 테스트 헤드로부터 떨어진 위치에 설치된 메인 프레임내에 광원과 광검지기를 배치하고,
    상기 광원이 발생하는 출력광을 상기 테스트 헤드로 광전송하여 상기 광출력형 전압센서로, 그 입력광으로서 인가하고,
    상기 광출력형 전압 센서는, 상기 피시험 IC가 출력하는 응답신호를, 그 상기 전기입력신호로서 받아들이고, 이것을 광출력신호로 변환하고, 상기 메인 프레임으로 광전송하고,
    상기 광검지기는, 상기 전압 센서로부터 그 광출력신호를 받아들여 이들을 전기신호로 되돌려 변환하고, 이 전기신호를 상기 기대치 신호와 논리비교의 대상으로 하는 것을 특징으로 하는 IC 시험장치.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 메인 프레임내에 패턴 발생기와 이 패턴 발생기가 출력하는 시험 패턴 데이터에 의해 피시험 IC 에 인가하는 시험 패턴 전기신호를 생성하는 파형발생기와, 피시험 IC의 응답신호와 상기 패턴 발생기가 출력하는 기대치 패턴 신호를 논리비교하고, 피시험 IC의 양부를 판정하는 논리비교기와, 광신호변환기를 더 배치하고,
    상기 테스트 헤드내에 광구동형 드라이버를 더 배치하고,
    상기 광신호 변환기는, 패턴 발생기가 발생한 상기 시험 패턴 전기신호를 광신호로 변환하고, 이것을 테스트 헤드로 광전송하고,
    상기 광구동형 드라이버는, 상기 광변환기의 출력광 신호를 전기시험 신호로 되돌려 변환하고, 이 전기시험신호를 상기 피시험 IC에 인가하는 것을 특징으로 하는 IC시험장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 메인 프레임내에 패턴 발생기와 이 패턴 발생기가 출력하는 시험 패턴 데이터에 의해 피시험 IC 에 인가하는 시험 패턴 전기신호를 생성하는 파형발생기와, 피시험 IC의 응답신호와 상기 패턴 발생기가 출력하는 기대치 패턴 신호를 논리비교하고, 피시험 IC의 양부를 판정하는 논리비교기와, 광신호변환기를 더 배치하고,
    상기 테스트 헤드내에 광구동형 드라이버를 더 배치하고,
    상기 광신호 변환기는, 패턴 발생기가 발생한 상기 시험 패턴 전기신호를 광신호로 변환하고, 이것을 테스트 헤드로 광전송하고,
    상기 광구동형 드라이버는, 상기 광변환기의 출력광 신호를 전기시험 신호로 되돌려 변환하고, 이 전기시험신호를 상기 피시험 IC에 인가하는 것을 특징으로 하는 IC시험장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 전압 센서가 상기 광변조기의 광도파로의 하나에 근접하여 상기 기판내에 보정용광도파로를 더욱 가지고, 이 보정용 광도파로에 상기 광변조기에 인가하는 광의 일부를 투과시켜, 이 보정용 광도파로를 투과한 광을 상기메인 프레임에 전송하고, 메인 프레임에 있어서 참조신호로 변환하고, 이 참조신호를 되돌려 변환된 전기신호와 결합하여 보정한 출력신호로서 빼내는 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  9. 제 5항에 있어서, 상기 전압 센서가 상기 광변조기의 광도파로의 하나에 근접하여 상기 기판내에 보정용광도파로를 더욱 가지고, 이 보정용 광도파로에 상기 광변조기에 인가하는 광의 일부를 투과시켜, 이 보정용 광도파로를 투과한 광을 상기 메인 프레임에 전송하고, 메인 프레임에 있어서 참조신호로 변환하고, 이 참조신호를 되돌려 변환된 전기신호와 결합하여 보정한 출력신호로서 빼내는 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 전압 센서가 상기 광변조기의 광도파로의 하나에 근접하여 상기 기판내에 보정용광도파로를 더욱 가지고, 이 보정용 광도파로에 상기 광변조기에 인가하는 광의 일부를 투과시켜, 이 보정용 광도파로를 투과한 광을 상기 메인 프레임에 전송하고, 메인 프레임에 있어서 참조신호로 변환하고, 이 참조신호를 되돌려 변환된 전기신호와 결합하여 보정한 출력신호로서 빼내는 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 전압 센서가 상기 광변조기의 광도파로의 하나에 근접하여 상기 기판내에 보정용광도파로를 더욱 가지고, 이 보정용 광도파로에 상기광변조기에 인가하는 광의 일부를 투과시켜, 이 보정용 광도파로를 투과한 광을 상기 메인 프레임에 전송하고, 메인 프레임에 있어서 참조신호로 변환하고, 이 참조신호를 되돌려 변환된 전기신호와 결합하여 보정한 출력신호로서 빼내는 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 참조신호를 상기 광출력형 전압 센서에 인가하는 광원의 구동회로에 귀환하고, 광원의 출력강도를 안정화한 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  13. 제 9항에 있어서, 상기 참조신호를 상기 광출력형 전압 센서에 인가하는 광원의 구동회로에 귀환하고, 광원의 출력강도를 안정화한 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 참조신호를 상기 광출력형 전압 센서에 인가하는 광원의 구동회로에 귀환하고, 광원의 출력강도를 안정화한 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 참조신호를 상기 광출력형 전압 센서에 인가하는 광원의 구동회로에 귀환하고, 광원의 출력강도를 안정화한 것을 특징으로 하는 IC 시험 장치.
  16. 제 4항에 있어서, 피시험 IC의 복수핀에 접촉시키는 복수의 블록을 가지고 있는 블록 카드를 상기 테스트 헤드에 설치하고,
    복수의 광출력형 전압 센서가 복수의 블록에 탑재되고, 각 블록에는 1개의 상기 광출력형 전압 센서가 대응하고 있는 것을 특징으로 하는 IC 시험장치.
  17. 제 5항에 있어서, 피시험 IC의 복수핀에 접촉시키는 복수의 블록을 가지고 있는 블록 카드를 상기 테스트 헤드에 설치하고,
    복수의 광출력형 전압 센서가 복수의 블록에 탑재되고, 각 블록에는 1개의 상기 광출력형 전압 센서가 대응하고 있는 것을 특징으로 하는 IC 시험장치.
  18. 제 6항에 있어서, 피시험 IC의 복수핀에 접촉시키는 복수의 블록을 가지고 있는 블록 카드를 상기 테스트 헤드에 설치하고,
    복수의 광출력형 전압 센서가 복수의 블록에 탑재되고, 각 블록에는 1개의 상기 광출력형 전압 센서가 대응하고 있는 것을 특징으로 하는 IC 시험장치.
  19. 제 7항에 있어서, 피시험 IC의 복수핀에 접촉시키는 복수의 블록을 가지고 잇는 블록 카드를 상기 테스트 헤드에 설치하고,
    복수의 광출력형 전압 센서가 복수의 블록에 탑재되고, 각 블록에는 1개의 상기 광출력형 전압 센서가 대응하고 있는 것을 특징으로 하는 IC 시험장치.
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