CN1395697A - 电路图形检测装置和电路图形检测方法 - Google Patents

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Abstract

在玻璃基板下形成透明导电层。在电光学晶体层的双表面上形成防反射层和反射层。在透明导电层的表面上(下侧表面)通过粘接剂层来粘接电光学晶体层的防反射层。即，在粘接剂层13和电光学晶体层15之间设置防反射层14。

Description

电路图形检测装置和电路图形检测方法
技术领域
本发明涉及光学检查电路基板的电路图形(pattern)的电路图形检测装置和电路图形检测方法。
背景技术
作为检查形成于电路基板上的电路图形的断线、短路等的现有方法，有用弹簧探针形成专用夹具，使夹具汇总接触电路图形的焊盘来进行电气检查的方法。在该方法中，在检查近年来的焊盘数目增加的电路图形时，需要多个昂贵的弹簧探针，专用夹具的成本升高。此外，因焊盘的高密度化，难以在物理上确保与焊盘的接触性，还存在因接触尖利的弹簧探针而造成的焊盘损伤问题。
此外，对于电路基板来说，有从一个焊盘将电路图形分支，连接到多个焊盘的情况。这样的情况下，存在断线、短路的检查时间加长的问题。
而且，就电路基板来说，将多个电路图形形成在几层上，但在使弹簧探针接触焊盘的方法中，不能检查这种多层电路基板的电路图形的断线、短路。
从这样的背景来看，期望有光学检测电路图形的电压分布的方法。作为使用电光学效应来计测电路图形的电压分布的以往例，有(日本)特开平9-72947号公报中披露的电子部件的焊接连接检测方法及检测装置。该方法使用电光学传感器非接触地检测特定位置的电场强度，从而检查电路基板的焊接连接状态。但是，在该方法中，只能检测电光学传感器的前端部分的电场，在求电路图形整体的电压分布时，需要使电光学传感器进行扫描。
另一方面，在(日本)特开平5-256794号公报中披露了通过电压分布的测定来非接触地检查液晶显示器基板的像素电极、栅极布线、源极布线等断线缺陷和短路缺陷的装置。这里，将平行的光束照射到配置于电路基板附近的电光学元件上，从其反射光中二维地检测电路图形的电压分布。
但是，电光学元件的双折射率高，所以因表面反射和背面反射产生干扰条纹，使根据反射光求出的电压分布的图像明显恶化。
此外，在将电压施加在电路基板的4上时，在电光学元件内有向表面方向扩散电荷，使电压分布恶化的倾向。即，在将电压施加在电路基板的电路图形上时，存在因向表面方向的直流电阻分量、特别是电光学元件的反射层具有的直流电阻分量而使电路基板的电路图形的电压分布扩大到电光学元件上的问题。
本发明的目的在于提供一种电路图形检测装置和电路图形检测方法，可以光学是高精度地检测形成在电路基板上的电路图形的电压分布，检查电路图形的短路/断线。
发明的公开
本发明的电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；以及
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的防反射层。
本发明的电路图形检测装置包括：
在形成了电路图形的电路基板附近设置的所述结构的电光学元件；
将与电路图形对应的电场提供给所述电光学晶体层的电场发生电路；以及
按照随提供的电场改变的双折射率来检测偏振面变化的所述电光学元件的反射光的强度分布的检测器。
本发明的电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的粘接剂层；
设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间的第1防反射层；以及
设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间的第2防反射层。
本发明的电路图形检测装置包括：
在形成了电路图形的电路基板附近设置的所述结构的电光学元件；
将与电路图形对应的电场提供给所述电光学晶体层的电场发生电路；以及
按照随提供的电场改变的双折射率来检测偏振面变化的所述电光学元件的反射光的强度分布的检测器。
本发明的电路图形检测方法是：
将光照射到电光学元件上，该电光学元件包括：电光学晶体层，被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近；透明电极层，被设置在所述电光学晶体层的光入射侧；以及防反射层，被设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间；
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
本发明的电路图形检测方法是：
将光照射到电光学元件上，该电光学元件包括：电光学晶体层，被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近；透明电极层，被设置在所述电光学晶体层的光入射侧；粘接剂层，被设置所述电光学晶体层和所述透明电极层之间；第1防反射层，被设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间；以及第2防反射层，被设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间；
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
本发明的电路图形检测装置包括：
电光学元件，被设置在形成了电路图形的电路基板附近，按照随电场变化的双折射率来改变偏振面；
电压施加电路，在电路图形和所述电光学元件之间施加周期性的零和电压，以便将与电路图形对应的电场提供给所述电气元件；
光源，向所述电光学元件照射光；以及
检测器，检测所述电光学元件的反射光的强度分布。
本发明的电路图形检测装置包括：
电光学元件，被设置在形成了电路图形的电路基板附近，按照随电场变化的双折射率来改变偏振面；
电压施加电路，在电路图形和所述电光学元件之间施加电压，以便将与电路图形对应的电场提供给所述电气元件；
光源，向所述电光学元件照射光；以及
检测器，与施加所述电压同步地检测电光学元件的反射光的强度分布。
本发明的电路图形检测方法是：
将光照射到被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件上，
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加交流电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
在交流电压的振幅最大时，检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
本发明的电路图形检测方法是：
将光照射到被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件上，
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加脉冲电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
在脉冲电压的上升时，检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
本发明的电路图形检测装置包括：
电光学元件，被设置在形成了电路图形的电路基板附近，按照随电场变化的双折射率来改变偏振面；
电压施加电路，在电路图形和所述电光学元件之间施加电压，以便将与电路图形对应的电场提供给所述电气元件；
光源，向所述电光学元件照射光；以及
检测器，检测所述电光学元件的反射光的强度分布；以及
控制部，控制来自所述光源的光照射或向检测器的光入射，使照射光或入射光为脉冲光。
本发明的电路图形检测方法是：
在被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件和所述电路基板之间施加交流电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
与所述交流电压周期性地连动，将脉冲光照射到所述电光学元件上，
检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
本发明的电路图形检测方法是：
在被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件和所述电路基板之间施加交流电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
将光照射到所述电光学元件上，
与所述交流电压周期性地连动来检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
附图说明
图1是表示本发明第1实施例的电光学元件的结构的剖面图；
图2是表示本发明第2实施例的电光学元件的结构的剖面图；
图3是表示本发明第3实施例的电路图形检测装置的结构示意图；
图4A、图4B、图4C是说明第3实施例的检查原理的图；
图5是表示本发明第4实施例的电路图形检测装置的结构示意图；
图6是第4实施例的电光学元件的等效电路图；
图7是表示将阶跃电压施加在第4实施例的电光学元件上时电荷的向表面方向的扩散图；
图8A、图8B是表示将交流电压施加在第4实施例的电光学元件上的状况图；
图9是表示第4实施例的检查过程的流程图；
图10是表示第4实施例的变形例的结构示意图；
图11A、图11B是表示将正负脉冲电压施加在第5实施例的电光学元件上的状况图；
图12A、图12B是表示将阶跃电压施加在第6实施例的电光学元件上的状况图；
图13A、图13B是表示将一个脉冲电压施加在第7实施例的电光学元件上的状况图；
图14A、图14B是表示将多个脉冲电压施加在第8实施例的电光学元件上的状况图；
图15是表示本发明第9实施例的电路图形检测装置的结构示意图；
图16是表示第9实施例的电压光强度特性的图；
图17A、图17B、图17C、图17D、图17E是表示本发明第10实施例的电路图形检测装置的工作情况的图；
图18是表示本发明第10实施例的电路图形检测装置的变形例的示意图；
图19A、图19B、图19C、图19D、图19E是表示本发明第11实施例的电路图形检测装置的工作情况的图；
图20是表示本发明第12实施例的电路图形检测装置的示意图；以及
图21A、图21B是表示第12实施例的检查例的图。
最佳实施方式
以下，参照附图来说明本发明的实施例。
图1是示意地表示第1实施例的电光学元件10的剖面图。在玻璃基板11下形成透明导电层12。另外在电光学晶体层15的两表面上形成防反射层14及反射层16。在透明导电层12的表面(下侧)上通过粘接剂层13粘接通过上述另外形成的电光学晶体层15的防反射层14。即，在粘接剂层13和电光学晶体层15之间设置防反射层14。
透明导电层12有作为电极的作用，由ITO(Indium Tin Oxide；氧化铟锡)层构成。
作为电光学晶体层15，例如为鲍克尔效应(Pockel’s effect)晶体等。在通过鲍克尔效应晶体利用光来检测电场的情况下，有对垂直于光方向的电场具有灵敏度的横电场检测，以及对平行于光方向的电场具有灵敏度的纵电场检测。为了正确地检测与电路基板产生的电压分布对应的电场分布，使用纵电场检测。作为可进行对平行于光的行进方向的电场具有灵敏度的纵电场检测的鲍克尔效应晶体，有Bi12SiO20(BSO、氧化铋硅)、GaAs(砷化镓)、LiNbO3-55度分割、ZnSe、KDP(KH2PO4、磷酸氢钾)、KTP(KTiOPO4、磷酸钛钾)等。KDP、KTP有潮解性，ZnSe、GaAs等的电光学系数的值低。因此，期望使用双折射率高但没有潮解性、在立方晶中具有各向同性的性质、电光学系数比较大的BSO晶体。例如，最好以100～500μm的厚度研磨1～30mm左右的BSO晶体，形成电光学晶体层15。如果BSO晶体低于100μm，则电位差变小，所以电场的检测灵敏度变小。而如果超过500μm，则电场向表面方向扩大，不容易检测电压分布。
再有，作为本实施例使用的用于电光学元件10的电光学晶体层15不限于上述电光学晶体层，只要通过电场可改变双折射率的电光学晶体层就可以，可以使用上述任何一种电光学晶体层，也可以使用上述未说明的电光学晶体层。
将电光学晶体层15的两面进行光学研磨，表面内像差最好为(1/4)λ(λ是波长)左右。在用作后述的电路基板的检测装置的情况下，电光学晶体层15薄的地方在电路基板的电路图形和透明导电层12之间电场不扩大，成为接近原来的电路图形的电压分布的电场分布。因此，为了检测接近电路图形的电压分布形状的电场分布，电光学晶体层15最好薄一些。但是，如果电光学晶体层15薄，在与电路基板的电路图形有一定间隔非接触电光学元件10的情况下，在电路图形和透明导电层12之间的电容构造中，施加在电光学晶体层15上的电位差变小。因此，电场的检测灵敏度变小，而且还有难以加工的问题。电光学晶体层15的厚度成为这些主要因素相协调的关键，在本实施例中，使用厚度100μm～500μm的电光学晶体层15。
入射到电光学元件10(透过玻璃基板11)的激光束受到电场产生的相位调制，被电光学晶体层15的底面反射。电光学晶体层15多数是双折射率高，则反射率也高。在LiNbO3的情况下，折射率为2.2，该情况下反射率为14％左右。因此，对电光学晶体层15进行光学研磨，也可以检测底面的反射光，但为了进一步提高反射率，在本实施例中，将反射层16形成在电光学晶体层15的底面。反射层16使用多层电介质反射层，作为材质，有MaF2-TiO2、SiO2-TiO2等。
于是，由于电光学晶体层15薄而容易破损，所以通过粘接剂层13粘接在形成了透明导电层12的玻璃基板11上。如果粘接剂层13使用固化收缩大的材质，则由于电光学晶体层15薄而产生应力，特别是在氧化铋硅(BSO)等压电性的某些晶体的情况下，有光学特性不均匀的危险。因此，就粘接剂层13来说，使用环氧系等固化收缩小的材质。
电光学元件10有如上所述的折射率不同材质的多层构造，而且入射的激光束的相干性高，所以容易产生多重反射造成的干扰。特别是在粘接剂层13和折射率高的电光学晶体层15的边界上，反射率变大。例如，粘接剂层13在环氧系的粘接剂情况下，折射率为1.56左右，电光学晶体层15在氧化铋硅(BSO)的情况下，折射率为2.53，折射率之间的差大。因此，存在因电光学晶体层15的上表面和下表面的反射而产生干扰条纹，使电场检测分布的图像明显恶化的问题。
根据图1所示的第1实施例的电光学元件10，在电光学晶体层15和粘接剂层13之间形成考虑了两者的折射率差的防反射层14，通过降低电光学晶体层15的上表面(与反射层16相反侧的面)中的反射率来抑制多重反射造成的干扰条纹，可以良好地检测与电场分布对应的图像。防反射层14必须考虑粘接剂层13和电光学晶体层15之间的折射率差来设计，在本例中使用SiO2-TiO2的多层电介质防反射层。
以下说明本发明的其他实施例。在其他实施例的说明中，与第1实施例相同的部分附以相同的参考数字，并省略其详细的说明。
图2是示意表示第2实施例的电光学元件20的剖面图。第2实施例在第1实施例中透明导电层12和粘接剂层13之间还设置防反射层17。由此，可抑制透明导电层12的下表面(与玻璃基板11相反侧的面)的反射率，综合地提高电光学元件20的图像质量。
透明导电层12的折射率为1.90，环氧系情况下的粘接剂层13的折射率为1.48左右，所以在两者的边界上产生反射，在透明导电层12中产生多重反射。即使透明导电层12，也与第1实施例中说明的电光学晶体层15的上表面和下表面的反射相同地产生多重反射，可能产生干扰条纹。因此，形成考虑了透明导电层12和粘接剂层13之间的折射率差的防反射层17。
根据第2实施例，在电光学晶体层15和粘接剂层13之间还形成防反射层17，所以在将激光照射到电光学元件20的情况下，可以抑制电光学晶体层15和透明导电层12中的多重反射，可以将电场分布作为良好的图像来检测。
作为第3实施例，下面参照图3来说明使用了第1、第2实施例的某一个电光学元件10或20的电路图形检测装置。来自激光光源30的光通过光学系统机构32入射到电光学元件10或20。在电光学元件10或20的下面，配置形成了电路图形33的电路基板34。光学系统机构32由光束扩展器36、偏振分光镜38及光学透镜40构成。
光源除了激光光源30以外，也可以使用卤素光源、高亮度光源(メタハライド)等。
从激光光源30照射到电光学元件10或20的激光由光束扩展器36变为二维的激光光束。激光光束由偏振分光镜38进行偏振，照射到电光学元件10或20。
电路基板34配置在电光学元件10或20下方附近，但也可以接触电光学元件10或20，也可以按20μm左右的距离形成非接触。电光学元件10或20的透明导电层12被接地，通过将电压施加在电路图形33上，在电路图形33和透明导电层12之间产生电场。电光学晶体层15通过电场而改变双折射率。再有，参照图10并如后述，也可以将电路图形接地，将电压施加在电光学元件10或20的透明导电层12上。
向电光学元件10或20的入射光因该双折射率的变化而改变偏振面。偏振角由电光学晶体层15的电光学张量、以及产生的电场矢量方向决定。因此，激光光束按照电路图形33的电压分布来改变偏振状态。
电光学元件10或20的底面(反射层16)反射的激光光束也因电光学晶体层15的双折射率的变化而改变偏振面。
入射到电光学元件10或20的激光光束在电光学晶体层15的底面被放射，入射到偏振反光镜38，沿图中水平方向反射的激光光束具有与电场分布对应的光的强度分布。
由光学透镜40聚光具有与电场分布对应的光的强度分布的激光光束，通过用光检测装置42进行检测，可以将电路图形的电压分布作为二维的光的强度分布来检测。作为光检测装置42，可以使用CCD等。通过将光检测装置42检测出的电压分布由解析装置42解析、处理(对检测出的电场分布强度和基准分布进行比较判定)，可以检查电路基板34的电路图形33的断线和短路等缺陷。
该检测装置使用设置有防反射层14、17的电光学元件10或20，所以即使在光源上使用相干性高的激光光源30，也可以防止发生电光学晶体层15的多重反射造成的干扰条纹，可以将透明导电层12和电路图形33之间的电场分布作为良好的图像(以下称为电场图像)来检测，可以高精度地检查电路基板34的电路图形33的断线和短路等缺陷。
再有，如果进行多次检测，将多次检测结果进行加法平均，则可提高S/N。
而且，参照图9并如后述，还可以获得与非光照射时的检测结果的差分，抑制散射光分量。
从电场图像检查电路基板的断线和短路的原理示于图4A～4C。在图4A中，对于从上面观察的电路图形33，配置电光学元件10或20。电气特性良好的电路图形所对应的电场图像46如图4B所示，忠实地再现电路图形33，而电气特性不良的电路图形所对应的电场图像46如图4C所示，包含短路部48A和断线部48B，在与良好的电路图形的电场图像46的比较检查中，可以检测短路部48A和断线部48B。再有，作为电路基板，即使除了在基板的表面上有电路图形的形态以外，也可以采用(检测)在基板的内部和背面有电路图形的形态。
根据第3实施例，使用设置了防反射层的电光学元件来构成电路基板的电路图形的检测装置，所以用应用了电光学效应的非接触方法来抑制干扰的影响并高精度地检测由高集成化的电路基板的电路图形产生的电场的强度分布，可以进行电气检查。仅在电路基板的上方配置电光学元件，就可以检测电路图形的电场强度分布。因此，通过比较、判定检测出的电场强度分布和良品的电场强度分布，可以用简单的位置确定系统在短时间内进行电气检查。
近年来，因电路基板的高集成化，难以使弹簧探针进行接触，通过检查电路图形的外观来代替电气检查的情况居多。但是，在外观检查中不能检测电路图形的损伤等。根据第3实施例，抑制干扰条纹，将电光学晶体和电路图形之间的电场强度分布形成良好的电场图像来检测电路图形的电压分布，所以还可以检测在外观检查中不能检测的损伤等缺陷。
图5表示第4实施例的检测装置。光学系统机构32A设有分光镜38A来代替第3实施例的偏振分光镜38，在光束扩展器36和分光镜38A之间设置偏振镜52，并设置检光镜54来代替光学透镜40。电路基板34的电路图形33中连接信号源56，按照来自控制装置58的与控制信号对应的定时对电路图形33施加电压。控制装置58还对激光光源30、光检测装置42、解析装置44提供控制信号，控制光的照射定时、检测定时、解析定时。偏振镜52、分光镜38A、检光镜54与第3实施例的偏振分光镜38等效。
本实施例的电光学元件60可以使用第1、第2实施例的元件10、20，也可以使用没有防反射层的普通元件。图5表示使用后者的情况。电光学元件60至少有透明导电层62、电光学晶体层64、电介质反射层66。
光源除了激光光源30以外，还可以使用卤素光源、高亮度光源等。从激光光源30入射到电光学元件60的激光由分光镜36变成二维的激光光束。激光光束通过偏振镜52进行偏振，入射到电光学元件60。
入射到电光学元件60的激光光束由电介质反射层66反射，通过电光学晶体层64中的双折射率的变化，改变偏振状态。此时的偏振角由电光学晶体64的电光学张量、以及产生的电场矢量方向决定。此时，激光光束按照电路图形33的电压分布来改变偏振状态。
从电光学元件60发射的偏振面变化了的激光光束被入射到分光镜38A，其中垂直分支的激光光束入射到检光镜54。从检光镜54发射的激光光束具有与电路图形33的电压分布对应的光强度分布。作为检光镜54，可以使用偏振板等。通过用光检测装置42检测该激光光束，可以将电路图形33的电压分布作为二维的光强度分布来检测。通过将光检测装置44检测出的电压分布按照需要由解析装置44解析、处理，可以检查电路图形33的断线和短路等缺陷。
在电光学元件60的内部电气特性形成分布常数电路的作用，但在等效电路中不能忽略平面方向的电抗分量(电容感应分量)和垂直方向的导抗分量(直流电阻分量)，所以其等效电路如图6所示。
因反射层66和ITO层62之间形成的电光学晶体层64的电容分量，在表面方向上具有低频通过特性。因此，在从信号源56向电路图形33施加阶跃电压时，如图7所示，从电路图形33通过空气层的电容分量Cair向电路图形33附近的电容分量C1施加电压V1，依次向表面方向隔开的电容分量C2、C3、…、Cn施加电压V2、V3、…Vn。于是，如果对电路图形33施加直流电压，则光检测装置42因电压分布被扩大检测，所以不能检测电路分布。
电介质反射层66不是理想的电介质，实际上具有高的电阻值，该反射层成为使电路图形的电压分布的分辨率恶化的原因。因电介质反射层的电阻分量向电路图形施加直流电压时，电荷沿表面方向扩大，电压分布的空间分辨率下降。
因此，从图6的等效电路可知，如果对电路图形33施加交流电压，则可以抑制电荷向表面方向的扩散，可以高分辨率地检测施加在电路图形33上的电压分布。
在本实施例中，如图8A所示，从信号源56将交流电压施加在电路图形33上。如图8B所示，与交流电压的绝对值为最大时同步，由控制装置58控制定时，光检测装置42检测来自电光学元件60的反射光。在交流电压的绝对值大时，被检测的电压分布的强度也大。因此，将如图11所示的交流电压施加在电路图形33上，通过与图11B所示的交流电压的振幅最大时同步来检测反射光，可以灵敏度高、不影响电光学元件60的表面方向的分布常数地检测电压分布。
而且，如图8B所示，与交流电压同步来检测多个光强度分布的数据，所以通过解析装置44将它们进行加法平均，可以提高S/N比，可以将电压分布作为光强度分布来检测。
下面，将使用图5所示的检测装置根据电场图像实施电路基板的电气检查的流程图示于图9。
在步骤S10中，控制装置58向信号源发出指示，对电路图形33施加交流电压。通过施加电压产生的与电路图形33的电场分布形状对应的电场图像被光检测装置42检测。
在步骤S12中，控制装置58向光检测装置42发出图像检测指示，光检测装置42检测电场图像。
在步骤S14中，控制装置58向光检测装置42发出图像传送指示，光检测装置42将检测出的电场图像传送到解析装置44。一般地，光检测装置42检测由偏振镜52、检光镜54的消光比产生的信号(散射光分量)，所以获得与不包含电场图像分量的只有散射光散射光分量的图像的差分，抑制散射光分量。
因此，在步骤S16中，控制装置58向信号源56发出指示，停止对电路图形33施加交流电压，来检测散射光分量。
在步骤S18中，控制装置58向光检测装置42发出图像检测指示，光检测装置42检测散射光图像。
在步骤S20中，控制装置58向光检测装置42发出图像传送指示，光检测装置42将检测出的散射光图像传送到解析装置44。
在步骤S22中，从步骤S12检测出的电场图像中减去步骤S18中检测出的散射光图像而仅获得电场图像，在与预先要求出的良好的电路图形所对应的电场图像的比较检查中，实施电路图形的电气检查。
再有，用于产生电场的电压不限于施加在电路图形33上，如图10所示，也可以施加在电光学元件60的透明导电层62上。即，将信号源56不连接到电路基板34(电路图形33)，而连接到电光学元件60(透明电极62)上也可以进行同样的检查。由此，具有可以用短路棒等简单地接触来检测电路基板的电路图形的优点。
根据本实施例的检测装置，按照应用了电光学效应的方法，可以抑制沿电光学元件的表面方向形成的分布常数电路特性造成的空间分辨率的恶化来检测电路基板的电路图形的电压分布。通过解析该电压分布，可在高集成化的电路基板的断线/短路的电气检查中进行有效检测。
根据本实施例的检测装置，仅在电路基板的电路图形上配置电光学元件，可以将电路图形的电压分布作为二维的电场分布来检测。通过将该检测出的电场分布与良品的电路图形的电场强度分布进行比较、判定，可以用检测速度快、简单的位置确定系统进行电气检查。
在本实施例的检测装置中，通过对电路基板的电路图形施加周期性的零和电压、例如交流电压来进行检测，在电压施加在电路基板的电路图形上时，向表面方向的直流电阻分量，特别是因电光学元件的反射层带有的直流电阻分量产生的电路基板的电路图形的电压分布不扩散到电光学元件，可以空间分辨率高地检测电压分布。以往，因电介质反射层带有的直流电阻分量，没有注意到电荷沿表面方向扩散而使电压分布恶化的情况，在本实施例中，通过对电路基板的电路图形施加周期性的零和电压、例如交流电压，来提高电压分布的空间分辨率。周期性的零和电压是使周期积分的电压值为零、没有直流分量的电压，不限于交流电压，也可以周期性地施加正负脉冲电压。
图11A、11B是表示施加脉冲电压产生的周期性的零和电压的第5实施例的概要的图。
从信号源56将如图11A所示的相等振幅的正负脉冲电压施加在电路图形33上。与如图11B所示的脉冲电压的施加定时同步，控制装置58控制定时，光检测装置42检测来自电光学元件60的反射光。由此，也可以分辨率高、提高S/N比来检测电压分布。
在第4、第5实施例中，说明通过施加周期性的零和电压，来抑制电荷向表面方向的扩散，接着，通过施加瞬间波形的电压，通过该电压的直流分量，在不失效的过渡阶段检测电场分布，从而抑制电荷向表面方向的扩散。
在第6实施例中，从信号源56将图12A所示的阶跃电压施加在电路图形33上。与如图12B所示的阶跃电压的施加定时同步，控制装置58控制定时，光检测装置42检测来自电光学元件60的反射光。由此，不受电光学元件60中的电荷扩散产生的影响，可以高分辨率地检测作为光强度分布的电压分布。
在第7实施例中，从信号源56将图13A所示的脉冲电压施加在电路图形33上。与如图13B所示的阶跃电压的施加定时同步，控制装置58控制定时，光检测装置42检测来自电光学元件60的反射光。由此，不受电光学元件60中的电荷扩散产生的影响，可以高分辨率地检测作为光强度分布的电压分布。
在第8实施例中，从信号源56将图14A所示的脉冲电压施加在电路图形33上。与如图14B所示的阶跃电压的施加定时同步，控制装置58控制定时，光检测装置42检测来自电光学元件60的反射光。此时，将不施加图14A的电压的期间Toff设定为电光学元件60的电容分量产生的电荷进行放电的充分时间。由此，不受电光学元件60中的电荷扩散产生的影响，可以高分辨率地检测作为光强度分布的电压分布。这里，与连续施加的脉冲电压同步，由解析装置44对光检测装置42检测出的多个光强度分布的数据进行加法平均，可以S/N高地将电压分布作为光强度分布来检测。
根据第6～第8实施例，在向电路图形施加电压时瞬时地检测反射光，所以可以在电路图形的电压分布在电光学元件的表面内方向扩散前空间分辨率高地检测电压分布。
图15是第9实施例的电路图形检测装置的示意图。第9实施例是在第1～第8实施例中，在偏振镜52和分光镜38A之间设置(1/8)波长板70，在分光镜38A和检光镜54之间设置(1/8)波长板72。在不设置(1/8)波长板72的情况下，也可以设置(1/4)波长板来代替(1/8)波长板。由此，在对电光学元件60的入射光和射出光的偏振面上可以具有最大(1/4)波长相位差。因此，在电压施加在电路图形33上时，施加电压和光强度之间的关系从图16的特性16A变成特性16B，施加电压时的灵敏度高。
如图8A所示，将交流电压施加在电路图形33上，如图8B所示，通过控制装置58控制定时，与施加正电压和负电压的定时同步，由光检测装置42检测光强度分布。解析装置44通过获得施加正电压、负电压时的光强度分布的差分，可灵敏度和分辨率高地将电压分布作为光强度分布来检测。
下面，说明第10实施例。装置的示意结构与图5所示的第4实施例相同。
作为至此的问题，电介质反射层不是理想的电介质，实际上具有高的电阻值，这种电介质成为使电路图形的电压分布的分辨率恶化的原因。因电介质反射层的电阻分量，在将直流电压施加在电路图形上时，电荷向表面方向扩散，使电压分布的空间分辨率下降。为了解决该问题，在第4实施例中施加交流电压。
电光学效应产生的光强度变化具有非线性特性，在施加电压和光强度变化相对于电压的极性对称的情况下，0V附近的灵敏度下降。但是，如第9实施例所示，如果在对电光学元件60的入射光和射出光的偏振面上具有相位差，则施加电压和光强度之间的关系如图16所示，变成非对称。因此，0V附近的灵敏度提高，但在施加交流电压时，相对于正负电压的光强度的变化也分别变亮或变暗。因此，在用CCD等二维光检测器检测的情况下，检测周期中的光的强度变化被平均，灵敏度下降。
因此，在第10实施例中，通过照射脉冲光，检测其反射光，从而仅在脉冲光照射期间中检测施加交流电压中变化的光的强度变化，可以高灵敏度地检测电路图形的电压分布。
下面参照图17A～图17E来说明第10实施例的工作情况。
控制装置58控制信号源56，将图17A所示的交流电压施加在电路图形33上。控制装置58将图17B所示的连续检测信号供给光检测装置42。由此，光检测装置42与第4～第9实施例不同，成为可始终检测反射光的状态。但是，如后所述，控制光的照射定时，离散地进行光的照射，所以与第4～第9实施例同样离散地检测反射光。再有，在实施例中，照射脉冲光，但光源照射连续光，如图18所示，也可以在光检测装置42的前面设置快门78，在时间上限制取入光。
控制装置58控制光源30，如图17C所示，与交流电压的正或负(这里为正)期间同步，将脉冲光照射到电光学元件60。
脉冲光由电介质反射层66反射，反射光由光检测装置42检测。反射光重叠因施加交流电压产生的电场造成的光强度变化分量，光检测装置42检测的反射光强度如图17D所示。光检测装置42检测的光强度是在光检测装置42的检测信号(图17B)为接通(ON)期间中、即检测期间中累计反射光强度所得的值。如果从反射光的检测结果中减去与照射光相当的值，则如图17E所示，可提取基于电场的光强度变化分量(电场图像)。由此，在光检测装置42检测的二维的光强度分布中，在存在电路图形产生的电场的部分中检测基于电场的光强度变化，可获得电路图形的电压分布。
在本实施例中，为了消除散射光分量，也可以求不施加电压情况下的反射光强度，求与施加电压时的反射光强度的差分。
下面参照图19A～图19G来说明第11实施例。
控制装置58控制信号源56，将图19A所示的交流电压施加在电路图形33上。控制装置58对光检测装置42供给图19B所示的连续检测信号。
控制装置58控制光源30，与图19C所示的交流电压的正的期间同步，将脉冲光照射到电光学元件60。
脉冲光由电介质反射层66反射，反射光由光检测装置42检测。反射光重叠因施加交流电压产生的电场造成的光强度变化分量，光检测装置42检测的反射光强度如图19D所示。光检测装置42检测的光强度是在光检测装置42的检测信号(图19B)为接通(ON)期间中、即检测期间中累计反射光强度所得的值。如果从反射光的检测结果中减去与照射光相当的值，则如图19G所示，可提取基于电场的光强度变化分量(电场图像)。
接着，控制装置58控制光源30，与图19E所示的交流电压的负的期间同步，将脉冲光照射到电光学元件60。
脉冲光由电介质反射层66反射，反射光由光检测装置42检测。反射光重叠因施加交流电压产生的电场造成的光强度变化分量，光检测装置42检测的反射光强度如图19F所示。光检测装置42检测的光强度是在光检测装置42的检测信号(图19B)为接通(ON)期间中、即检测期间中累计反射光强度所得的值。如果从反射光的检测结果中减去与照射光相当的值，则如图196所示，可提取基于电场的光强度变化分量(电场图像)。
根据第10、第11实施例的检测装置，按照应用了电光学效应的方法，抑制由电光学元件的电介质反射膜扩散电荷的影响，可以空间分辨率高地检测电路图形的电压分布。通过解析该电压分布，可实现高集成化的电路基板的断线/短路的电气检查。
再有，在使用电光学效应来计测二维的电压分布的方法中，作为使电压分布的空间分辨率恶化的原因，是从电路图形产生的电场随着向电光学晶体的厚度方向渗透而扩大。但是，作为反射部件的电介质反射膜不是理想的电介质，具有高的电阻值，所以存在因该电阻分量使电压分布的分辨率恶化的问题，至今还没有解决该问题并用二维的光检测器检测电压分布的方法。
在本发明的方法中，通过对电路图形施加交流电压进行检测，从而改善这样的特性，可以空间分辨率高地检测电压分布。
电光学效应产生的光强度变化为非线性的特性。在图15中，对入射射出到电光学晶体的光的偏振面进行相位补偿，但在施加未进行相位补偿的电压符号和光强度变化形成对称特性(图16的特性16A)的情况下，由于0V附近的灵敏度明显降低，所以期望进行相位补偿来形成非对称。
但是，在二维的光检测器中，在一般经常使用的CCD中，采样频率为30Hz，如果施加比乃奎斯特频率高的交流电压，则采样频率中增减的光强度变化相抵消，有灵敏度恶化的情况。
在第10、第11实施例中，与交流电压的正负分别同步来照射脉冲光，所以仅检测因电场使光强度增减变化的情况。由此，可以施加比乃奎斯特频率高得多的交流电压，提高电场的空间分辨率。
此外，可以使交流电压和光检测器的检测定时不同步，形成简单的装置结构。通过获得电压分布的差分，可以高灵敏度地检测电路图形的电压存在的部分。
图20表示第12实施例的检测装置的概要。本实施例由电压供给装置110、接触探针112、电路基板114、电压检测装置116、判定装置118、电光学探针(EO探针)120、光源122、光学系统机构124、光检测装置126、控制装置128构成。
首先，从电压供给装置110通过接触探针112，将电压施加在电路基板114的宽节距侧的规定焊盘130上。此时，由电压检测装置116检测宽节距侧的其他焊盘的电压，由判定装置118检查电路基板114的电路图形132的电气状态(短路)。
接着，在窄节距侧的焊盘组134附近，按规定的间隔装载电光学探针120。此时，电光学探针120可以与窄节距侧的焊盘134或焊盘附近的电路图形132接触，也可以按20μm左右的间隔不接触。而且，来自光源122的光由光学系统机构124进行偏振，照射到电光学探针120。
如果从宽节距侧的焊盘130施加电压，则在电路图形132没有断线的情况下，由电光学探针120检测来自窄节距侧的焊盘134的电场。此时，来自电光学探针120的反射光通过来自窄节距侧的焊盘134的电场而改变偏振状态。通过电场变化的偏振分量由光学系统机构124调制为光的强度变化，由光检测装置126检测，由判定装置118判定光的强度，从而能够检查电路图形的电气状态(断线)。
由控制装置128来控制上述这一连串的操作。
图21A、图21B表示本实施例的检查一例。该检查是进行在绝缘膜132上形成焊盘134和电路图形136的BGA带(网格焊球阵列(ballgrid array))的电气状态(短路/断线)检查。将电光学探针120装载在BGA带的电路图形136的前端部，从焊盘134施加电压后，使电光学探针120移动，可以同时进行电路图形136的电气状态(短路/断线)的检查。
这里，作为电光学探针120，可以使用包含图2所示的防反射层的电光学元件，也可以如第4实施例～第11实施例那样施加电压，照射脉冲光。
本发明不限于上述实施例。也可以使用液晶来代替构成电光学元件的电光学晶体。此外，作为照射光，不限于激光，非激光也可以。上述实施例不限于单独实施，也可以适当组合来实施。产业上的利用可能性
根据如上述的本发明，可以提供光学上高精度地检测形成在电路基板上的电路图形的电压分布，检查电路图形的短路/断线的电路图形检测装置，以及用于该装置的电光学元件。

Claims (55)

1.一种电光学元件，包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；以及
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的防反射层。
2.如权利要求1所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述透明电极层和所述防反射层之间的粘接剂层。
3.如权利要求2所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述电光学晶体层的光入射侧的相反侧的反射层。
4.如权利要求2所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述透明电极层的光入射侧的透明基板。
5.如权利要求1所述的电光学元件，其中，所述电光学晶体层包括按照施加的电压来改变双折射率的晶体层。
6.一种电路图形检测装置，包括：
在形成了电路图形的电路基板附近设置的权利要求1所述的电光学元件；
将与电路图形对应的电场提供给所述电光学晶体层的电场发生电路；以及
按照随提供的电场改变的双折射率来检测偏振面变化的所述电光学元件的反射光的强度分布的检测器。
7.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电光学元件接地，将交流电压施加到所述电路图形上的信号源。
8.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电路图形接地，将交流电压施加到所述电光学元件上的信号源。
9.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器将多次的检测结果进行加法平均。
10.如权利要求6所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器包括解析装置，该解析装置计算将光入射到所述电光学元件时的反射光的强度分布和不入射光时的反射光的强度分布的差值，按照该差值来检查电路图形。
11.一种电光学元件，包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的粘接剂层；
设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间的第1防反射层；以及
设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间的第2防反射层。
12.如权利要求11所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述电光学晶体层的光入射侧的相反侧的反射层。
13.如权利要求11所述的电光学元件，其中，还包括设置在所述透明电极层的光入射侧的透明基板。
14.如权利要求11所述的电光学元件，其中，所述电光学晶体层包括按照施加的电压来改变双折射率的晶体层。
15.一种电路图形检测装置，包括：
在形成了电路图形的电路基板附近设置的权利要求11所述的电光学元件；
将与电路图形对应的电场提供给所述电光学晶体层的电场发生电路；以及
按照随提供的电场改变的双折射率来检测偏振面变化的所述电光学元件的反射光的强度分布的检测器。
16.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电光学元件接地，将交流电压施加到所述电路图形上的信号源。
17.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述电场发生电路还包括将所述电路图形接地，将交流电压施加到所述电光学元件上的信号源。
18.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器将多次的检测结果进行加法平均。
19.如权利要求11所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器包括解析装置，该解析装置计算将光入射到所述电光学元件时的反射光的强度分布和不入射光时的反射光的强度分布的差值，按照该差值来检查电路图形。
20.一种电路图形检测方法，将光照射到电光学元件上，该电光学元件包括：电光学晶体层，被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近；透明电极层，被设置在所述电光学晶体层的光入射侧；以及防反射层，被设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间；
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
21.一种电路图形检测方法，将光照射到电光学元件上，该电光学元件包括：电光学晶体层，被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近；透明电极层，被设置在所述电光学晶体层的光入射侧；粘接剂层，被设置所述电光学晶体层和所述透明电极层之间；第1防反射层，被设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间；以及第2防反射层，被设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间；
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
22.一种电路图形检测装置，包括：
电光学元件，被设置在形成了电路图形的电路基板附近，按照随电场变化的双折射率来改变偏振面；
电压施加电路，在电路图形和所述电光学元件之间施加周期性的零和电压，以便将与电路图形对应的电场提供给所述电气元件；
光源，向所述电光学元件照射光；以及
检测器，检测所述电光学元件的反射光的强度分布。
23.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路施加交流电压，
所述检测器在交流电压的振幅最大时检测强度分布。
24.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器将多次的检测结果进行加法平均。
25.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路施加正负脉冲电压，
所述检测器在脉冲电压的施加时检测强度。
26.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器包括解析装置，该解析装置计算将光入射到所述电光学元件时的反射光的强度分布和不入射光时的反射光的强度分布之间的差值，按照差值来检查电路图形。
27.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路包括将所述电光学元件接地，将交流电压施加在所述电路图形上的信号源。
28.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路包括将所述电路图形接地，将交流电压施加在所述电光学元件上的信号源。
29.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；以及
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的防反射层。
30.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，所述电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的粘接剂层；
设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间的第1防反射层；以及
设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间的第2防反射层。
31.如权利要求22所述的电路图形检测装置，其中，还包括：
设置在所述光源和所述电光学元件之间的分光镜；
设置在所述分光镜和所述光源之间的(1/8)波长板；以及
设置在所述分光镜和所述检测器之间的(1/8)波长板。
32.一种电路图形检测装置，包括：
电光学元件，被设置在形成了电路图形的电路基板附近，按照随电场变化的双折射率来改变偏振面；
电压施加电路，在电路图形和所述电光学元件之间施加电压，以便将与电路图形对应的电场提供给所述电气元件；
光源，向所述电光学元件照射光；以及
检测器，与施加所述电压同步地检测电光学元件的反射光的强度分布。
33.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路施加阶跃电压，
所述检测器在电压施加开始时检测强度分布。
34.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路施加一个脉冲电压，
所述检测器在脉冲电压施加时检测强度分布。
35.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路施加多个脉冲电压，将该多个脉冲电压的非施加时间设定在所述电光学元件产生的电荷实质放电时间以上，
所述检测器在脉冲电压施加时检测强度分布。
36.如权利要求35所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器对多次检测结果进行加法平均。
37.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器包括解析装置，该解析装置计算将光入射到所述电光学元件时的反射光的强度分布和不入射光时的反射光的强度分布之间的差值，按照差值来检查电路图形。
38.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路包括将所述电光学元件接地，将交流电压施加在所述电路图形上的信号源。
39.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路包括将所述电路图形接地，将交流电压施加在所述电光学元件上的信号源。
40.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；以及
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的防反射层。
41.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，所述电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的粘接剂层；
设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间的第1防反射层；以及
设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间的第2防反射层。
42.如权利要求32所述的电路图形检测装置，其中，还包括：
设置在所述光源和所述电光学元件之间的分光镜；
设置在所述分光镜和所述光源之间的(1/8)波长板；以及
设置在所述分光镜和所述检测器之间的(1/8)波长板。
43.一种电路图形检测方法，将光照射到被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件上，
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加交流电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
在交流电压的振幅最大时，检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
44.一种电路图形检测方法，将光照射到被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件上，
在所述电路基板和电光学晶体层之间施加脉冲电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
在脉冲电压的上升时，检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
45.一种电路图形检测装置，包括：
电光学元件，被设置在形成了电路图形的电路基板附近，按照随电场变化的双折射率来改变偏振面；
电压施加电路，在电路图形和所述电光学元件之间施加电压，以便将与电路图形对应的电场提供给所述电气元件；
光源，向所述电光学元件照射光；以及
检测器，检测所述电光学元件的反射光的强度分布；以及
控制部，控制来自所述光源的光照射或向检测器的光入射，使照射光或入射光为脉冲光。
46.如权利要求45所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路施加交流电压，
所述控制部在交流电压为正的期间同步地从所述光源照射脉冲光。
47.如权利要求45所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器将多次检测结果进行加法平均。
48.如权利要求45所述的电路图形检测装置，其中，所述检测器包括解析装置，该解析装置计算将光入射到所述电光学元件时的反射光的强度分布和不入射光时的反射光的强度分布之间的差值，按照差值来检查电路图形。
49.如权利要求45所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路包括将所述电光学元件接地，将交流电压施加在所述电路图形上的信号源。
50.如权利要求45所述的电路图形检测装置，其中，所述电压施加电路包括将所述电路图形接地，将交流电压施加在所述电光学元件上的信号源。
51.如权利要求45所述的电路图形检测装置，其中，所述电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；以及
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的防反射层。
52.如权利要求45所述的电路图形检测装置，其中，所述电光学元件包括：
电光学晶体层；
设置在所述电光学晶体层的光入射侧的透明电极层；
设置在所述电光学晶体层和所述透明电极层之间的粘接剂层；
设置在所述电光学晶体层和所述粘接剂层之间的第1防反射层；以及
设置在所述透明电极层和所述粘接剂层之间的第2防反射层。
53.如权利要求1所述的电路图形检测装置，其中，还包括：
设置在所述光源和所述电光学元件之间的分光镜；
设置在所述分光镜和所述光源之间的(1/8)波长板；以及
设置在所述分光镜和所述检测器之间的(1/8)波长板。
54.一种电路图形检测方法，在被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件和所述电路基板之间施加交流电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
与所述交流电压周期性地连动，将脉冲光照射到所述电光学元件上，
检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
55.一种电路图形检测方法，在被设置在形成了要检查的电路图形的电路基板附近的电光学元件和所述电路基板之间施加交流电压，产生电场，通过该电场使所述电光学晶体层的双折射率按照电路图形来变化，
将光照射到所述电光学元件上，
与所述交流电压周期性地连动来检测来自所述电光学元件的反射光，检测所述电路基板和电光学晶体层之间的电压分布图形。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102207514A (zh) * 2011-03-23 2011-10-05 吉林大学 一种基于流体电光材料的电光探头及用于探测电场的方法
CN103389843A (zh) * 2012-05-09 2013-11-13 Lg伊诺特有限公司 电极元件以及包含该电极元件的触摸屏
CN105988059A (zh) * 2015-03-26 2016-10-05 上海纪显电子科技有限公司 检测装置及检测方法
CN106154596A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 上海纪显电子科技有限公司 光电显示装置、检测装置及其方法
TWI613451B (zh) * 2013-05-20 2018-02-01 日本電産理徳股份有限公司 基板檢測用夾具

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI391685B (zh) 2009-10-16 2013-04-01 Ind Tech Res Inst 繞線製品檢測機台及其層間短路之檢測方法
JP5417651B1 (ja) * 2013-01-08 2014-02-19 オー・エイチ・ティー株式会社 回路パターン検査装置
IT201700040531A1 (it) * 2017-04-12 2018-10-12 Ricerca Sul Sist Energetico Rse S P A Metodo per la misura vettoriale di campi elettrici e relativa apparecchiatura.
JPWO2022244235A1 (zh) * 2021-05-21 2022-11-24

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3889986T2 (de) 1987-07-13 1994-09-15 Hamamatsu Photonics Kk Anordnung eines Spannungsdetektors.
JPH03167490A (ja) * 1989-11-27 1991-07-19 Fujitsu Ltd 実装プリント板試験装置
JPH05134219A (ja) * 1991-03-13 1993-05-28 Ngk Insulators Ltd 空間光変調素子
JP2884807B2 (ja) * 1991-04-08 1999-04-19 ダイキン工業株式会社 空気調和装置のデフロスト装置
JPH063375A (ja) * 1992-06-23 1994-01-11 Nippon Steel Corp 電気光学効果を利用した電界分布測定装置
JPH0682508A (ja) * 1992-09-03 1994-03-22 Fujitsu Ltd 基板検査装置
JPH06175092A (ja) * 1992-12-09 1994-06-24 Ngk Insulators Ltd 空間光変調素子
JPH0792236A (ja) * 1993-08-06 1995-04-07 Nikon Corp 基板表面の電圧分布の検査装置
JPH07134147A (ja) * 1993-11-10 1995-05-23 Fujitsu Ltd 信号波形測定装置
JPH07181212A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Yokogawa Electric Corp 表面電位計測センサ
JPH08122515A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Dainippon Toryo Co Ltd カラーフィルターの製造方法
JP2735048B2 (ja) * 1995-09-01 1998-04-02 日本電気株式会社 電子部品の半田接続検査方法及び検査装置
JPH10293932A (ja) 1997-04-17 1998-11-04 Mitsumi Electric Co Ltd 光ディスク駆動装置における光ピックアップのスキュー調整機構
JP2000292755A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Yamaha Corp 収差補正素子およびこれを用いた光ピックアップ

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102207514A (zh) * 2011-03-23 2011-10-05 吉林大学 一种基于流体电光材料的电光探头及用于探测电场的方法
CN102207514B (zh) * 2011-03-23 2013-07-17 吉林大学 一种基于流体电光材料的电光探头及用于探测电场的方法
CN103389843A (zh) * 2012-05-09 2013-11-13 Lg伊诺特有限公司 电极元件以及包含该电极元件的触摸屏
US9681540B2 (en) 2012-05-09 2017-06-13 Lg Innotek Co., Ltd. Electrode member and touch window including the same
CN103389843B (zh) * 2012-05-09 2017-08-11 Lg伊诺特有限公司 电极元件以及包含该电极元件的触摸屏
TWI613451B (zh) * 2013-05-20 2018-02-01 日本電産理徳股份有限公司 基板檢測用夾具
CN105988059A (zh) * 2015-03-26 2016-10-05 上海纪显电子科技有限公司 检测装置及检测方法
CN106154596A (zh) * 2015-04-08 2016-11-23 上海纪显电子科技有限公司 光电显示装置、检测装置及其方法

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