JPH0682508A

JPH0682508A - 基板検査装置

Info

Publication number: JPH0682508A
Application number: JP4236146A
Authority: JP
Inventors: Akio Ito; 昭夫伊藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-09-03
Filing date: 1992-09-03
Publication date: 1994-03-22

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、基板に形成される回路パターンの
短絡、断線の検査を行う基板検査装置に関し、回路パタ
ーンの導通、絶縁の検査を容易かつ短時間で行うことを
目的とする。【構成】所定のパッドＦに単一のコンタクトプローブ
２２により電圧を印加して測定対象パッドＡ，Ｂの電圧
状態で液晶１９により反射光の特質を変化させる。この
反射光を検出器３２により検出して制御部２３により電
圧値を算出して、同一又は異なるネットにおける回路パ
ターンの導通、絶縁の判定を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板に形成される回路
パターンの短絡、断線の検査を行う基板検査装置に関す
る。

【０００２】近年、装置の複雑化に伴い、使用される回
路基板の高密度化が進み、回路基板上又は多層基板に形
成される回路パターンが微細化、高密度化してきてい
る。従って、基板の回路パターンの短絡、断線を検査す
るにあたり、簡易かつ短時間で行えることが要求されて
きている。

【０００３】

【従来の技術】従来、基板に形成された回路パターンの
短絡や断線を検査する方式として、接触式と非接触式と
がある。

【０００４】接触式では、例えば特開平３−２９５４７
６号に示されるもので、金属のコンタクトプローブを多
数埋め込んだ検査ヘッドが使用される。この検査ヘッド
を基板上の多数のパッドに同時に接触させ、任意の２つ
のプローブ間に信号を加えたときの電圧又は電流を測定
することで任意のパッド間の抵抗を測定し、同一ネット
内のパッド間の導通試験及び任意のネット間の絶縁試験
を行うものである。

【０００５】また、非接触式では、例えば特開平３−１
１８４８４号に示されるもので、電子ビームが使用され
る。これは所定のパッド及びこれに連結されている配線
（回路パターン）を電子ビームの照射により充電した
後、その充電電圧の影響が他のパッドあるいは他のネッ
トに現れるかどうかをもって、基板検査を行うようにし
たものである。即ち、同一ネット上のパッドは全て同電
圧になれば、導通が良と判定され、また、他のネット上
のパッドの電圧は、充電前と変わらなければ絶縁が良と
されるものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の接触式
は、基板における回路パターンの高密度化（例えば、配
線ピッチは１０μｍ程度、パッドサイズは数１０μｍ□
程度）により、多数を整列配置したコンタクトプローブ
ヘッドの制作が困難になり、さらに多数プローブを同時
に確実にパッドに接触することが困難であるという問題
がある。

【０００７】また、検査対象のネット数、パッド数も増
加の一途で（ネット数は数１０００〜数万個／１枚）コ
ンタクトプローブヘッド内のプローブ数が製造上の困難
から次第に制限されてくるにつれ、一度に検査できるパ
ッドの組み合わせ数が減少することから、数十時間の検
査時間を要する。特に、絶縁試験の場合、ネットの組み
合わせの回数だけの絶縁測定が必要となるため、検査時
間が増加するという問題がある。

【０００８】一方、上述の非接触式は、基板は、通常１
０〜数十ｃｍ□であり、これを真空チャンバ内に収容す
るためには装置全体は３〜４ｍ□のサイズとなる。ま
た、真空チャンバ内に導入しても、基板からの脱ガスの
ため、真空排気に時間がかかり、試験開始まで１時間程
度要するという問題がある。

【０００９】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、回路パターンの導通、絶縁の検査を容易かつ短
時間で行う基板検査装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題は、所定数のパ
ッド及び回路パターンからなるネットが所定数形成され
た検査対象の基板と、該基板の所定のパッドに電圧を印
加する単一の電圧印加手段と、該電圧が印加される該パ
ッドに対して、測定対象となるパッドに光を照射する照
射手段と、該光が照射される測定対象のパッドの電圧に
応じて反射光の特質を変化させる反射制御手段と、該反
射光を検出する検出手段と、該検出手段の検出信号よ
り、該測定対象のパッドにおける電圧値を算出して、前
記ネット又はネット間の絶縁、導通を判定する制御手段
と、を含む構成とすることにより解決される。

【００１１】

【作用】上述のように、所定のパッドに単一の電圧印加
手段により電圧を印加して測定対象パッドの電圧状態で
反射制御手段により反射光の特質を変化させ、反射光を
検出して制御手段により電圧値を算出する。すなわち、
異なるネット間で測定対象パッドの電圧値が所定以上の
ときは絶縁抵抗が小さく絶縁不良と判定し、同一ネット
の測定対象パッドの電圧値が所定以下の場合は抵抗が大
きく導通不良と判定するものである。

【００１２】従って、単一の電圧印加手段で微小サイズ
のパッドの絶縁試験が可能になると共に、検査時間が高
速化され、簡易かつ短時間に回路パターンの導通、絶縁
の検査を行うことが可能となる。

【００１３】

【実施例】図１に本発明の第１実施例の構成図を示し、
図２に図１の構成を説明するための図を示す。

【００１４】図１における基板検査装置１１は、ＸＹ方
向に移動する第２の位置決め手段である測定用ステージ
１２上に、一方が開口された箱状の架台１３内にｘｙｚ
方向に移動する第１の位置決め手段である給電用ステー
ジ１４が位置されており、該給電用ステージ１４上に一
方が開口された金属製の箱状の試料台１５が位置され
る。

【００１５】試料台１５内には、所定の回路パターンが
形成された基板１６が搭載される。基板１６は、図２
（Ａ）に示すように、試料台１５との間に絶縁シート１
７が介在されており、上面周囲にフレーム１８が設けら
れる。

【００１６】図１に戻って説明するに、基板１６の上面
にフレーム１８の高さまで反射制御手段である液晶１９
が注入され、架台１３及び試料台１５の開口部分を覆う
ように絶縁部材２０ａ，２０ｂを介在させて試験ヘッド
２１が位置される。この試験ヘッド２１は、ガラス基板
２１ａに透明導電膜２１ｂが形成され、所定の位置に単
一の電圧印加手段であるコンタクトプローブ２２が取付
けられているもので、基板１６上の液晶１９を封止す
る。なお、液晶１９は、コレステリック液晶又はネマテ
ィック液晶が使用される（後述する）。

【００１７】ここで、図２（Ｂ）の断面構造に示すよう
に、試験ヘッド２１のコンタクトプローブ２２は、バネ
２２ａにより上下動可能であり、その先端が、基板１６
に形成された回路パターンのパッドに接触する。この場
合の押圧力はバネ２２ａにより適宜調整される。

【００１８】このコンタクトプローブ２２のパッドへの
接触状態を図１において説明すると、給電用ステージ１
４のＺステージ１４ｚを下降させた状態で、基板１６上
に液晶１９を注入した後、Ｚステージ１４ｚを徐々に上
昇させ、コンタクトプローブ２２が所定のパッド上にく
るようにＸステージ１４ｘ、Ｙステージ１４ｙを調整す
る。そして、フレーム１８とガラス基板２１ａが接触す
る位置までＺステージ１４ｚを上昇させることにより、
コンタクトプローブ２２の先端がパッドに所定の押圧力
で接触するものである。

【００１９】一方、測定用ステージ１２（Ｘステージ１
２ｘ、Ｙステージ１２ｙ）は、制御手段である制御部２
３の指令に基づいて測定用ステージ制御回路２４により
駆動され、給電用ステージ１４は制御部２３の指令に基
づいて給電用ステージ制御回路２５により駆動される。
また、試験ヘッド２１の透明導電膜２１ｂ（コンタクト
プローブ２２）と金属製の試料台１５との間には試験電
圧印加回路２６により所定の電圧が印加される。

【００２０】試験電圧印加回路２６は、制御部２３より
電圧印加のパラメータが設定され、タイミング制御回路
２７を介して電圧印加の指令を受ける。このタイミング
制御回路２７は、制御部２３からパラメータ設定とスタ
ート信号を受けるもので試験電圧印加回路２６を駆動す
ると共に、照射手段であるレーザ源２８を駆動する。レ
ーザ源２８より発せられたレーザはビームスプリッタ２
９、ミラー（レーザスキャナ）３０及びレンズ３１を介
して基板１６上面を照射し、基板１６（パッド）からの
反射光（ここでは垂直方向の散乱反射）が逆経路でビー
ムスプリッタ２９より検出手段である検出器３２により
検出される。検出器３２により検出した反射光の検出信
号は、ＡＤ変換器加算回路３３によりデジタルサンプリ
ングされて積算し、ＳＮ比改善を行った後に制御部２３
に送出される。

【００２１】この場合、レーザ源２８より発せられるレ
ーザ光は、連続発進モード又はパルス発進モードの何れ
でもよく、例えばここでは、パルス動作させるものとす
る。また、レーザ光は、制御部２３の指令に基づいてス
キャナ制御回路３４で回動するミラー３０により例えば
数ｃｍ□の領域を約４０００×４０００点のアドレス座
標でスキャン偏光されるものである。

【００２２】次に、図１及び図２（Ｂ）に基づいて、絶
縁試験及び導通試験の原理について説明する。ここで、
図２（Ｂ）において、パッドＦ，Ｂを含むネットと、パ
ッドＡを含むネットを示し、導通試験の対象となる欠陥
Ｐと、絶縁領域の対象とする欠陥Ｑとを示す。なお、Ｇ
はグランドパターンである。

【００２３】いま、試験電圧印加回路２６より透明導電
膜２１ｂを介してコンタクトプローブ２２に所定の電圧
が印加されると、接触しているパッドＦに電圧が瞬時に
印加される。一方、パッドＡの電圧は、絶縁不良の欠陥
Ｑがなければ、その電圧の変化は極めてゆるやかであ
る。また、パッドＢの電圧は、導通不良の欠陥Ｐがなけ
れば、極めて短時間（数ｎｓ〜数１０ｎｓ）に、パッド
Ｆと同電圧になる。

【００２４】ここで、図３に、絶縁試験の原理を説明す
るための図を示す。図３（Ａ）は上述の状態をモデル化
した回路であり、絶縁抵抗Ｒ_Aと、パッドＡ，Ｆに付随
する静電容量Ｃ_A，Ｃ_Fで表わされると共に、試験電圧
印加回路２６よりコンタクトプローブ２２に印加される
電圧をＶ₀で表わすものとする。

【００２５】この場合、静電容量Ｃ_A，Ｃ_Fは通常１〜
数ｐＦであり、パッドＡ，Ｆに接続されたネットの全長
から数十％程度の精度で求められ、設計データから容易
に計算で求められるものである。

【００２６】ここで、パッドＦの電圧をＶ_F、パッドＡ
の電圧をＶ_Aとした場合、電圧印加後の時間ｔｓにおけ
る電圧比（Ｖ_A／Ｖ_F）を求めることで、

【００２７】

【数１】

【００２８】τ＝Ｃ_AＲ_Aより絶縁抵抗を求めることが
できる。例えば、図３（Ｂ）に示すように、Ｒ_A＝０，
１０ＭΩ，２０ＭΩで絶縁状態の良、不良をあるしきい
値（図では０．６３）で定め、しきい値以上は絶縁不良
と判定し、しきい値以下ならば正常と判定するものであ
る。

【００２９】従って、図２（Ｂ）におけるパッドＡの電
位は、液晶１９に印加される電圧を反射光（光量）より
求めるもので（後述する）、該液晶１９に印加される電
圧は、透明導電膜２１ｂとパッドＡの電圧差

【００３０】

【数２】

【００３１】である。このときの検出電圧変化は、図３
（Ｃ）に示すように時間ｔに対して（Ｖ_F−Ｖ_A）／Ｖ
₀のグラフで表わされ、時間ｔｓにおけるしきい値Ｓよ
り大きい値のときは正常と判定し、小さいときには絶縁
不良と判定するものである。

【００３２】また、図４に、導通試験の原理を説明する
ための図を示す。図４（Ａ）はモデル化した回路であ
り、図４（Ｂ）はパッドＢの電圧をＶ_Bとしたときの時
間ｔに対するＶ_B／Ｖ_Fのグラフである。すなわち、導
通試験抵抗Ｒ_B（欠陥Ｐ）が時間ｔｓにおける所定のし
きい値（図では０．６３）における大小で導通状態の
良、不良を判定するもので原理的には上述の絶縁試験の
場合と同様である。

【００３３】そこで、液晶による電圧測定について説明
する。液晶はコレステリック液晶とネマティック液晶を
使用した場合である。

【００３４】図５に、コレステリック液晶による電圧測
定を説明するための図を示す。コレステリック液晶は、
図５（Ａ）に示すように液晶の分子軸の並びが層状に積
み重なり、厚さ方向に一定の同期性を有するものであ
る。そこで、図５（Ｂ）に示すように、例えば透明導電
膜２１ｂとパッドＡ間に電圧Ｖ₀が印加されると、その
同期ピッチが変化し、ブラック反射角が変化する。これ
により、照射光がパッドＡで反射した反射光の反射スペ
クトルが変化する。

【００３５】従って、白色光で照射すると、反射光の色
が赤から青に連続的に変化することになり、電圧測定は
反射光のスペクトルのピーク波長を検出し、印加電圧に
換算することにより行われる。

【００３６】また、図５（Ｃ）に示すように、照明光を
波長６２５０Åの単色光として、一定方向への反射光量
の変化として検出してもよい。この場合の印加電圧（Ｖ
₀−Ｖ_A）と、反射光の検出光量との関係のグラフが図
５（Ｄ）に示される。次に、図６に、ネマティック液晶
による電圧測定を説明するための図を示す。図６は、ネ
マティック液晶のダイナミックスキャッタリングモード
（ＤＳＭ）を利用したもので、図６（Ａ）に示すように
電圧が印加されない状態では、液晶の厚さ方向に分子配
向するように添加材で制御されている。この状態では、
照明光に対しほぼ鏡面反射する。一定値以上の電圧が印
加されると、液晶分子はランダムな配向をとり細かなド
メインが形成され、光は散乱されるようになる。図６
（Ｂ）に示すように、斜め照明のもとで垂直方向で反射
光を検出するようにすると、検出光量は印加電圧ととも
に増加し、検出光量から印加電圧を求めることができ
る。

【００３７】また、図７に、ネマティック液晶の回転現
像による電圧測定を説明するための図を示す。図７
（Ａ），（Ｂ）は、ネマティック液晶の回転現像を利用
したもので、印加電圧０の場合には、図７（Ａ）に示す
ように液晶分子は厚さ方向に整列しており、直線偏光の
入射光はなんら変化をうけないで反射される。電圧が印
加されると、図７（Ｂ）に示すように、液晶分子は回転
し、光学的な性質が変化する。その結果、反射光は楕円
偏光となっていく。従って、反射光をＰ偏光（またはＳ
偏光）成分を分離検出すれば、その光量が印加電圧とと
もに変化し、逆に、印加電圧を求めることができる。

【００３８】次に、図８に、図１の動作信号を説明する
ための図を示し、図９に絶縁試験の良否判定のグラフを
示す。

【００３９】図８は、図２（Ｂ）におけるパッドＦ，Ａ
の電圧Ｖ_F，Ｖ_A、コレステリック液晶１９に印加され
る電圧Ｖ_F−Ｖ_A、ＡＤ変換器３３に入力されるサンプ
リングストローブ、検出器３２における反射光の検出信
号、及び、その電圧測定値（電圧換算値）の変化を示し
ている。

【００４０】図８において、任意のネット間の絶縁試験
は、２つの期間（シーケンス）から成る。第１は、安定
化期間で、測定対象のパッドの摩擦帯電などによる電圧
を初期化するための期間である。これは、検出信号のＳ
／Ｎ確保のために加算平均できる方が望ましいことか
ら、試験電圧は矩形波の交流信号とし、安定化期間にも
同様な電圧を一定回数繰り返す。およそ１００μｓ周期
の矩形波を１０周期程度印加する。第２が測定期間であ
り、ここでは、試験電圧は引き続き１０周期印加し続け
る。このとき、試験電圧の立ち上がり直前および直後に
サンプリングストローブを発生させ、ＡＤ変換器３３で
反射光の検出信号をデジタライズする。これらは差分が
とられ、かつ１０周期分が積算される。

【００４１】そして、図９に示すように、コレステリッ
ク液晶１９に印加される印加電圧Ｖ _F−Ｖ_Aが所定値以
上の場合には絶縁不良と判定し、所定値以下の場合には
絶縁良好と判定するものである。

【００４２】この例では、１％の光量変化は十分理解で
きるとすると、約１〜２Ｖの印加電圧分解能があり、１
０ＭΩ程度の絶縁抵抗を約±１０％程度の精度で、約２
ｍｓの時間で測定することができる。

【００４３】そこで、図１０に図１の絶縁検査の領域の
概略図を示し、図１１に図１０の絶縁検査の動作フロー
チャートを示す。

【００４４】まず、図１０において、基板１６の全面は
数ｃｍ□のレーザ走査領域単位のブロックにｋ分割され
る。例えば、ｋ＝１は、検査ネットｊであり、レーザに
より測定パッド（Ａ）を有し、ｋ＝２はネットｉで給電
パッド（Ｆ）を有するものである。

【００４５】そこで、図１１において、まず、給電用ス
テージ１４（ｘ，ｙ，ｘステージ１４ｘ〜１４ｚ）によ
り基板１６上の電圧印加ネットｉ（ｋ＝２の給電パッ
ド）にコンタクトプローブ２２を接触させ給電を行う
（ステップ（ＳＴ）１）。

【００４６】続いて、測定用ステージ１２（Ｘ，Ｙステ
ージ１２ｘ，１２ｙ）により基板１６、試験ヘッド２１
全体を移動して、照射光の照射位置にｋ＝１番目の検査
領域がくるように位置決めする（ＳＴ２）。

【００４７】そして、スキャナ制御回路３４で制御され
るミラー（レーザスキャナ）により検査ネットｊ上の測
定パッドＡ上にレーザビームを位置決めし（ＳＴ３）、
照射を行って反射光を検出器３２により検出してネット
ｉをネットｊ間の絶縁テストを行い（ＳＴ４）、その結
果を記憶させる（ＳＴ５）。

【００４８】この動作をｋ領域内のネット全てについて
テストしたかを判断し（ＳＴ６）、未だ残っている場合
にはＳＴ３に戻り、ｋ領域以外の全ての領域が終了する
まで繰り返す。また、全ての領域が終了するまでＳＴ２
以降を繰り返し（ＳＴ７）、終了すれば基板１６に形成
された全てのネットに電圧を印加したかを判断し（ＳＴ
８）、印加されていなければＳＴ１以降を繰り返し、印
加されていれば終了するものである。

【００４９】なお、導通試験についても同様の動作を行
うものである。

【００５０】このように、従来の多数点コンタクトプロ
ーブでは困難であった数十μｍサイズのパッドの絶縁試
験を行うことができる。また、従来の２点ないし４点式
のプローブでは、機械的な移動が全てに必要であり、検
査時間は、少なくとも数１００ｍｓ／１絶縁試験であっ
たが、本発明では、数ｍｓ〜数１０ｍｓで１桁以上の高
速化が実現できる。さらに、電子ビームを使用しないこ
とから、真空排気系を不要とすることができる。

【００５１】次に、図１２に、本発明の第２実施例の構
成図を示す。図１２に示す基板検査装置１１は、ネマテ
ィック液晶１９のＤＳＭを利用して検査を行うもので、
斜め方向より照明光源４１から光（白色光、単色光を問
わない）を照射し、散乱による反射光を光学顕微鏡４２
を介してＣＣＤ（電荷結合素子）カメラ４３により撮像
するものである。この光学顕微鏡４２及びＣＣＤカメラ
４３により撮像手段を構成する。

【００５２】この場合、ＣＣＤカメラ４３は、電子シャ
ッタ（時間ウィンド約１μｓ）を備えており、タイミン
グ制御回路２７により試験電圧印加回路２６の電圧印加
と同じタイミングで電子シャッタが動作される。そし
て、画素データが制御部２３に送出され、制御部２３か
らは蓄積された電荷をリセットするリセット信号がＣＣ
Ｄカメラに送出される。なお、基板１６の移動の機構は
図１と同様である。

【００５３】ここで、図１３に、図１２の動作を説明す
るためのタイムチャート及びグラフを示す。図１３
（Ａ）は、パッドＦ，Ａ（図２（Ｂ）参照）の電圧、液
晶１９に印加される電圧Ｖ_F−Ｖ_A、電子シャッタ動作
時（例えば、印加電圧Ｖ_Fが１００μｍ周期の場合に１
０μｓの遅延のタイミング）の画素データのタイムチャ
ートである。なお、安定化期間は省略されているが、図
８と同様に、約数ｍｓで測定準備が完了する。

【００５４】また図１３（Ｂ）は、液晶１９への印加電
圧Ｖ_F−Ｖ_Aに対するＣＣＤカメラ４３の画素検出信号
のグラフであり、印加電圧（Ｖ_F−Ｖ_A）が所定値以上
のときは絶縁良好であり、以下のときは絶縁不良の判定
を行う。

【００５５】すなわち、ネマティック液晶１９に電圧が
印加されると反射散乱光が増加することを利用するもの
で、ＣＣＤカメラ４３の電子シャッタにより各画素ごと
に所定時刻の散乱反射光量を印加電圧の数周期（例えば
１０周期）分蓄積する。従って、印加電圧波形の立上り
直前、直後の２つの測定期間に分けて撮像を行い、この
画素データに基づいて制御部２３により電圧測定を算出
するものである。

【００５６】次に、図１４に、本発明の第３実施例の構
成図を示す。図４（Ａ）の基板検査装置１１は、試験ヘ
ッド５１が反射制御手段である電気光学結晶板（例えば
ＢＳＯ；ビスマス・シリコン・オキサイド）５１ａで構
成され、上面に透明導電膜５１ｂが形成され、下面に誘
電体ミラー５１ａが形成されたもので、所定位置にコン
タクトプローブ２２がバネ２２ａを介して取り付けられ
る。そして、基板１６と試験ヘッド５１間はギャップ
（例えば数十μｍ）を有するように位置される。この場
合、試験電圧印加回路２６により、透明導電膜５１ｂと
試料台１５間に電圧Ｖ₀が印加される。

【００５７】一方、レーザ源２８から発せられるレーザ
はλ／４板５２、ビームスプリッタ２９を介してミラー
（レーザスキャナ）３０で反射され、レンズ３１を介し
て測定パッドにレーザ光が照射される。測定パッドから
の反射光は、ビームスプリッタ２９により分離されて偏
光ビームスプリッタ５３を介して第１の光検出器５４で
検出され、差分回路５５に送出される。また、偏光ビー
ムスプリッタ５３から分割された反射光はミラー５６に
より反射されて第２の光検出器５７で検出され、差分回
路５５に送出される。この第１及び第２の光検出器５
４，５７及び差分回路５５により検出手段を構成する。

【００５８】差分回路５５では、偏光方向の異なる反射
光の差の信号を検出信号として制御部（図示せず）に送
出するものである。なお、ミラー３０の駆動、印加電圧
のタイミング、基板１６のステージ移動等についての機
構は図１と同様である。

【００５９】すなわち、電気光学結晶板５１ａに印加さ
れる電圧により、通過するレーザ光の偏光状態が変化す
る。例えば、円偏光の入射レーザ光の場合、電圧の印加
により楕円偏光になるため、これの直交方向の成分を分
離して、その差分信号を検出信号とすると、図１４
（Ｂ）に示すように、印加電圧に対し、検出信号がリニ
アに変化することになる。従って、この信号変化から、
印加電圧を求めることができるものである。

【００６０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、所定のパ
ッドに単一の電圧印加手段により電圧を印加して測定対
象パッドの電圧状態で反射制御手段により反射光の特質
を変化させ、反射光を検出して制御手段により電圧値を
算出することにより、基板の回路パターンの導通、絶縁
の検査を容易かつ短時間で行うことができるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。

【図２】図１の構成部分を説明するための図である。

【図３】絶縁試験の原理を説明するための図である。

【図４】導通試験の原理を説明するための図である。

【図５】コレステリック液晶による電圧測定を説明する
ための図である。

【図６】ネマティック液晶による電圧測定を説明するた
めの図である。

【図７】ネマティック液晶の回転現象による電圧測定を
説明するための図である。

【図８】図１の動作信号を説明するためのタイムチャー
トである。

【図９】絶縁試験の良否判定のグラフである。

【図１０】図１の絶縁検査の領域の概念図である。

【図１１】図１０の絶縁検査の動作フローチャートであ
る。

【図１２】本発明の第２実施例の構成図である。

【図１３】図１２の動作を説明するためのタイムチャー
ト及びグラフである。

【図１４】本発明の第３実施例の構成図である。

【符号の説明】

１１基板検査装置１２測定用ステージ１３架台１４給電用ステージ１５試料台１６基板１９液晶２１，５１試験ヘッド２１ａガラス基板２１ｂ，５１ｂ透明導電膜２２コンタクトプローブ２３制御部２８レーザ源３２検出器４１照明光源４２光学顕微鏡４３ＣＣＤカメラ５１ａ電気光学結晶板５１ｃ誘電体ミラー５４第１の光検出器５５差分回路５７第２の光検出器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定数のパッド及び回路パターンからな
るネットが所定数形成された検査対象の基板（１６）
と、該基板（１６）の所定のパッドに電圧を印加する単一の
電圧印加手段（２２）と、該電圧が印加される該パッドに対して、測定対象となる
パッドに光を照射する照射手段（２８）と、該光が照射される測定対象のパッドの電圧に応じて反射
光の特質を変化させる反射制御手段（１９，５１ａ）
と、該反射光を検出する検出手段（３２）と、該検出手段（３２）の検出信号より、該測定対象のパッ
ドにおける電圧値を算出して、前記ネット又はネット間
の絶縁、導通を判定する制御手段（２３）と、を含むことを特徴とする基板検査装置。
【請求項２】前記電圧印加手段（２２）により前記パ
ッドに電圧を印加するにあたり、前記基板（１６）を該
電圧印加手段（２２）に対して位置決めさせる第１の位
置決め手段（１４）と、前記測定対象のパッドを前記照射手段（２８）に対して
位置決めさせる第２の位置決め手段（１２）と、を具備することを特徴とする請求項１記載の基板検査装
置。
【請求項３】前記反射制御手段を、前記基板（１６）
表面に配設されるコレステリック型又はネマティック型
の液晶（１９）により構成することを特徴とする請求項
１又は２記載の基板検査装置。
【請求項４】前記反射制御手段を、前記基板（１６）
より所定ギャップで位置される電気光学結晶板（５１
ｂ）により構成し、前記検出手段を、反射光の偏光状態
に応じて検出する第１及び第２の光検出器（５４，５
７）、及びこれらの差を算出する差分回路（５５）とか
ら構成することを特徴とする請求項１又は２記載の基板
検査装置。
【請求項５】前記検出手段を撮像手段（４２，４３）
により構成し、前記制御手段（２３）において該撮像手
段（４２，４３）の画素データに基づいて前記測定対象
のパッドの電圧値を算出することを特徴とする請求項１
乃至３記載の基板検査装置。