JPH06213975A - 試験中のパネルの表面上の多数の位置における電圧を観察する装置および方法 - Google Patents
試験中のパネルの表面上の多数の位置における電圧を観察する装置および方法Info
- Publication number
- JPH06213975A JPH06213975A JP3040470A JP4047091A JPH06213975A JP H06213975 A JPH06213975 A JP H06213975A JP 3040470 A JP3040470 A JP 3040470A JP 4047091 A JP4047091 A JP 4047091A JP H06213975 A JPH06213975 A JP H06213975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- modulation
- under test
- electro
- input beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
- G01R31/309—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of printed or hybrid circuits or circuit substrates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面上の多数の電圧源の位置の関数として電
圧を電子光学的に検出する。 【構成】 試験中のパネルの多数の電圧試験点におい
て、表面を横切る電圧分布の映像が、電子光学的変調器
（３０），（３１）を介して光エネルギーの入力ビーム
（２４）を表面に照射することによって取り出される。
その変調器は、試験中のパネルの表面における電圧が光
エネルギー中にパワー変調をひき起こす。そのパワー変
調は区域・光センサ（カメラ）（４８）によって観察で
きる。そのパワー変調を用いて、試験中のパネル表面上
の空間的に対応する電圧状態を直接表す、空間的に依存
する二次元パワー変調映像を直接発生する。
圧を電子光学的に検出する。 【構成】 試験中のパネルの多数の電圧試験点におい
て、表面を横切る電圧分布の映像が、電子光学的変調器
（３０），（３１）を介して光エネルギーの入力ビーム
（２４）を表面に照射することによって取り出される。
その変調器は、試験中のパネルの表面における電圧が光
エネルギー中にパワー変調をひき起こす。そのパワー変
調は区域・光センサ（カメラ）（４８）によって観察で
きる。そのパワー変調を用いて、試験中のパネル表面上
の空間的に対応する電圧状態を直接表す、空間的に依存
する二次元パワー変調映像を直接発生する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電圧の電子光学的検出に
関するものであり、更に詳しくいえば、表面上の多数の
電圧源の位置の関数としての電圧の電子光学的検出に関
するものである。
関するものであり、更に詳しくいえば、表面上の多数の
電圧源の位置の関数としての電圧の電子光学的検出に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】構造が完全であることを診断するため
に、印刷回路板、集積回路ウエハー（パッケージ付き、
またはパッケージ無し）、また液晶表示パネルのような
電圧発生表面を試験し、その電圧発生表面から電圧情報
を取り出すことができることに対する需要がますます増
大しつつある。本発明の電子式試験装置は、約６．４５
平方Cm（１平方インチ）当たり約１００個をこえる回路
点密度を有する回路板またはパネル（試験中のパネルす
なわちＰＵＴ）を試験できる技術を有する。
に、印刷回路板、集積回路ウエハー（パッケージ付き、
またはパッケージ無し）、また液晶表示パネルのような
電圧発生表面を試験し、その電圧発生表面から電圧情報
を取り出すことができることに対する需要がますます増
大しつつある。本発明の電子式試験装置は、約６．４５
平方Cm（１平方インチ）当たり約１００個をこえる回路
点密度を有する回路板またはパネル（試験中のパネルす
なわちＰＵＴ）を試験できる技術を有する。
【０００３】液晶表示パネルの試験のようなある種の応
用は、電子光学的技術のような非接触検出技術で最も良
く実施できる。しかし、それらのパネルは透明なインジ
ウムすず酸化物（ＩＴＤ）のような導電性ピクセルを有
し、ガラス表面に薄膜トランジスタが直接付着されるか
ら、それらのパネルは非常にこわれやすい。それらのパ
ネルの付着された構造体の上に付加絶縁層も付着され
て、パネル上の選択された位置に電圧プローブを置くこ
とを不可能にする。したがって、そのようなパネルに対
して接触試験を行うことは実用的ではない。
用は、電子光学的技術のような非接触検出技術で最も良
く実施できる。しかし、それらのパネルは透明なインジ
ウムすず酸化物（ＩＴＤ）のような導電性ピクセルを有
し、ガラス表面に薄膜トランジスタが直接付着されるか
ら、それらのパネルは非常にこわれやすい。それらのパ
ネルの付着された構造体の上に付加絶縁層も付着され
て、パネル上の選択された位置に電圧プローブを置くこ
とを不可能にする。したがって、そのようなパネルに対
して接触試験を行うことは実用的ではない。
【０００４】しかし、現在の、および計画されている製
造方法および戦略は、そのようなパネルの各ピクセルが
電圧状態を変えることができること、および電圧に対す
る各種の条件の下における電圧を測定できることについ
て各ピクセルを試験することを要求する。現在の技術状
態はそのような構造をテストできない。
造方法および戦略は、そのようなパネルの各ピクセルが
電圧状態を変えることができること、および電圧に対す
る各種の条件の下における電圧を測定できることについ
て各ピクセルを試験することを要求する。現在の技術状
態はそのような構造をテストできない。
【０００５】電圧発生装置の選択された回路点を直列に
試験する電子光学的装置を使用することが知られてい
る。たとえば、米国特許第４，８７５，００６号および
第４，８６２，０７５号には、光ビームを制御する独特
のセンサ／レーザ装置を用いて個々のセンサ回路点を直
列にアクセスするために、１本の光ビームを使用するこ
とが開示されている。それにより、表面上の電圧により
発生された局部的な電界を検出するために、ポッケルス
・セル変調器が電子光学的ポッケルス効果を採用する。
それらの従来の装置は、音響−光偏光器またはｘ−ｙ台
のような走査技術によりビームを制御することを必要と
する。したがって、従来の装置は単一ビーム、直列デー
タ取り出しに限定される。
試験する電子光学的装置を使用することが知られてい
る。たとえば、米国特許第４，８７５，００６号および
第４，８６２，０７５号には、光ビームを制御する独特
のセンサ／レーザ装置を用いて個々のセンサ回路点を直
列にアクセスするために、１本の光ビームを使用するこ
とが開示されている。それにより、表面上の電圧により
発生された局部的な電界を検出するために、ポッケルス
・セル変調器が電子光学的ポッケルス効果を採用する。
それらの従来の装置は、音響−光偏光器またはｘ−ｙ台
のような走査技術によりビームを制御することを必要と
する。したがって、従来の装置は単一ビーム、直列デー
タ取り出しに限定される。
【０００６】
【発明の概要】本発明に従って、ＮＣＡＰ変調器、また
は液体が分散されたポリマーをベースとする他の装置の
ような電子光学的変調手段を介して、光エネルギーの入
力ビームでその表面を照明することにより、試験中のパ
ネルの多数の電圧試験点においてその表面を横切る電圧
分布の二次元映像が取り出される。試験中のパネルの表
面上の空間的に対応する電圧を直接表す空間的に依存す
る二次元パワー変調映像を直接発生するために使用する
ために面積光センサ（カメラのような）を介して観察で
きる光エネルギー内のパワー変調を、試験中のパネルの
表面上の電圧がひき起こさせるように、長手方向プロー
ビングジオメトリイを許すために光変調器が配置され
る。
は液体が分散されたポリマーをベースとする他の装置の
ような電子光学的変調手段を介して、光エネルギーの入
力ビームでその表面を照明することにより、試験中のパ
ネルの多数の電圧試験点においてその表面を横切る電圧
分布の二次元映像が取り出される。試験中のパネルの表
面上の空間的に対応する電圧を直接表す空間的に依存す
る二次元パワー変調映像を直接発生するために使用する
ために面積光センサ（カメラのような）を介して観察で
きる光エネルギー内のパワー変調を、試験中のパネルの
表面上の電圧がひき起こさせるように、長手方向プロー
ビングジオメトリイを許すために光変調器が配置され
る。
【０００７】この装置は透過モードまたは反射モードで
動作できる。透過モードにおいては、試験中の透明なパ
ネルを通じて映像が検出される。反射モードにおいて
は、電子光学的光変調器を介して２回透過反射で光りの
パワーが観察される。空間映像を検出するための装置と
してカメラその他の映像形成センサを使用できる。
動作できる。透過モードにおいては、試験中の透明なパ
ネルを通じて映像が検出される。反射モードにおいて
は、電子光学的光変調器を介して２回透過反射で光りの
パワーが観察される。空間映像を検出するための装置と
してカメラその他の映像形成センサを使用できる。
【０００８】本発明の方法に従って動作する装置は、レ
ーザのような光エネルギー源と、試験中のパネルに近接
して置かれた時にＮＣＡＰ（ネマチック彎曲整列フェー
ズ）またはＰＤＬＣ（ポリマー分散液晶）膜中に存在す
る光散乱効果のような電子光学的効果を示す電子光学的
センサ（光変調器）と、空間的に変調された光ビームを
空間的に観察する手段とを含む。
ーザのような光エネルギー源と、試験中のパネルに近接
して置かれた時にＮＣＡＰ（ネマチック彎曲整列フェー
ズ）またはＰＤＬＣ（ポリマー分散液晶）膜中に存在す
る光散乱効果のような電子光学的効果を示す電子光学的
センサ（光変調器）と、空間的に変調された光ビームを
空間的に観察する手段とを含む。
【０００９】本発明、高密度集積回路が電気的インター
フェイスへ接続される前にその集積回路を侵すことなし
に試験し、かつ液晶表示（ＬＣＤ）パネルを電気的イン
ターフェイスへ接続する前にそのパネルを試験すること
にとくに用いられる。
フェイスへ接続される前にその集積回路を侵すことなし
に試験し、かつ液晶表示（ＬＣＤ）パネルを電気的イン
ターフェイスへ接続する前にそのパネルを試験すること
にとくに用いられる。
【００１０】
【実施例】図１と２は、試験中のパネル（ＰＵＴ）１６
または１８の表面１４上の多数の位置における電圧を観
察するための電圧映像形成装置１０または１０′の２つ
の実施例を示す。図３は装置１０の一部の詳細（Ａ）と
これに対応する各部の電圧空間分布グラフ（Ｂ）を示
す。ＲＵＴ１６は対象とする波長の光エネルギーに対し
て透明なパネルであり、ＰＵＴ１８はその光エネルギー
に対して不透明なパネルである。ＰＵＴ１６はシリコン
チップ等とすることができ、ＰＵＴ１８は液晶表示（Ｌ
ＣＤ）パネルとすることができる。いずれの場合にも、
ＰＵＴ１６または１８の表面１４の上の選択された場所
に電圧を発生させるために、ＰＵＴ１６または１８を何
らかの方法で電源（図示せず）へ接続できる。
または１８の表面１４上の多数の位置における電圧を観
察するための電圧映像形成装置１０または１０′の２つ
の実施例を示す。図３は装置１０の一部の詳細（Ａ）と
これに対応する各部の電圧空間分布グラフ（Ｂ）を示
す。ＲＵＴ１６は対象とする波長の光エネルギーに対し
て透明なパネルであり、ＰＵＴ１８はその光エネルギー
に対して不透明なパネルである。ＰＵＴ１６はシリコン
チップ等とすることができ、ＰＵＴ１８は液晶表示（Ｌ
ＣＤ）パネルとすることができる。いずれの場合にも、
ＰＵＴ１６または１８の表面１４の上の選択された場所
に電圧を発生させるために、ＰＵＴ１６または１８を何
らかの方法で電源（図示せず）へ接続できる。
【００１１】電圧を測定するために、まず光エネルギー
源２０が設けられる。この光エネルギー源としてはクセ
ノン灯、ナトリウム灯、石英ハロゲン灯、パルスレーザ
または持続レーザ等で構成できる。光エネルギー源から
の光エネルギーは光エネルギー源ビーム２２に分けら
れ、そのビームは処理されて光入力ビーム２４にされ
る。その光入力ビームはビーム拡大器２８により拡大さ
れ、平行な光ビームにされる。この目的のために、レン
ズ、反射鏡または光ファイバで構成した装置を設けるこ
とができる。平行な入力ビームは一定のパワー密度横断
面、または少なくとも既知のパワー密度横断面を有する
ことが好ましい。
源２０が設けられる。この光エネルギー源としてはクセ
ノン灯、ナトリウム灯、石英ハロゲン灯、パルスレーザ
または持続レーザ等で構成できる。光エネルギー源から
の光エネルギーは光エネルギー源ビーム２２に分けら
れ、そのビームは処理されて光入力ビーム２４にされ
る。その光入力ビームはビーム拡大器２８により拡大さ
れ、平行な光ビームにされる。この目的のために、レン
ズ、反射鏡または光ファイバで構成した装置を設けるこ
とができる。平行な入力ビームは一定のパワー密度横断
面、または少なくとも既知のパワー密度横断面を有する
ことが好ましい。
【００１２】入力ビームは、特定の種類、特定の構造お
よびできれば特定の原子軸の向きまたは特定の分子軸の
向きを有する電子光学的変調器手段３０または３１へ向
けられる。この変調器手段３０のために適当な変調器と
してはＮＣＡＰ膜またはＰＣＬＤ膜で製作されたものが
ある。電子光学的変調器３０は、ポリマーマトリックス
内に封入された液晶の小滴の光散乱特性を利用する。
よびできれば特定の原子軸の向きまたは特定の分子軸の
向きを有する電子光学的変調器手段３０または３１へ向
けられる。この変調器手段３０のために適当な変調器と
してはＮＣＡＰ膜またはＰＣＬＤ膜で製作されたものが
ある。電子光学的変調器３０は、ポリマーマトリックス
内に封入された液晶の小滴の光散乱特性を利用する。
【００１３】この封入構造により液晶分子を彎曲状態で
整列させることができ、かつこの整列状態を希望に応じ
て制御電界により光学的に切り換えることができる。し
たがって、この装置は光散乱特性が非常に高い状態か
ら、光透過特性が非常に高い状態へ切り換えられる。後
で説明するように、この電子光学的変調器手段３０は、
長手方向の測定構造とするために、第１の面３２と、こ
の第１の面に向き合う第２の面３４とを有する。第１の
面３２はインジウムすず酸化物（ＩＴＤ）のような透明
な導電性被覆３６を有する。その導電性被覆はアースの
ような電圧共通部３８へ電気的に結合される。
整列させることができ、かつこの整列状態を希望に応じ
て制御電界により光学的に切り換えることができる。し
たがって、この装置は光散乱特性が非常に高い状態か
ら、光透過特性が非常に高い状態へ切り換えられる。後
で説明するように、この電子光学的変調器手段３０は、
長手方向の測定構造とするために、第１の面３２と、こ
の第１の面に向き合う第２の面３４とを有する。第１の
面３２はインジウムすず酸化物（ＩＴＤ）のような透明
な導電性被覆３６を有する。その導電性被覆はアースの
ような電圧共通部３８へ電気的に結合される。
【００１４】変調器手段３０（図１）の第２の面３４は
透明であって、入力ビームがＰＵＴ１６を透過できるよ
うにする。変調器手段３１（図２）の第２の面３４に
は、反射率の高い非導電性被覆３３が設けられる。この
被覆３３は入力ビーム２４を反射する。第２の面３４は
ＰＵＴ１６または１８の表面１４の区域４０に近接して
設けられる。第１の面３２を通って電子光学的変調器手
段３０の内部に入り、ＰＵＴ１６または１８の表面１４
の区域４０のすぐ近くの位置において第２の面に入射す
るように照射された入力ビーム２４の少なくとも一部と
交差するように電子光学的変調器手段３０は向けられ
る。
透明であって、入力ビームがＰＵＴ１６を透過できるよ
うにする。変調器手段３１（図２）の第２の面３４に
は、反射率の高い非導電性被覆３３が設けられる。この
被覆３３は入力ビーム２４を反射する。第２の面３４は
ＰＵＴ１６または１８の表面１４の区域４０に近接して
設けられる。第１の面３２を通って電子光学的変調器手
段３０の内部に入り、ＰＵＴ１６または１８の表面１４
の区域４０のすぐ近くの位置において第２の面に入射す
るように照射された入力ビーム２４の少なくとも一部と
交差するように電子光学的変調器手段３０は向けられ
る。
【００１５】表面１４またはその近くの位置１２におけ
る電圧が変調器手段３０と相互に作用して、位置１２に
整列している入力ビーム２４の光パワー透過を変化させ
る。これは、入力ビーム２４に対する出力ビーム４２の
平行な整列状態の空間的に依存する変化として観察でき
る。それらの変化は表面１４の位置１２における電圧に
比例する。
る電圧が変調器手段３０と相互に作用して、位置１２に
整列している入力ビーム２４の光パワー透過を変化させ
る。これは、入力ビーム２４に対する出力ビーム４２の
平行な整列状態の空間的に依存する変化として観察でき
る。それらの変化は表面１４の位置１２における電圧に
比例する。
【００１６】図３のＢはＰＵＴ１８と、第２の面３４に
反射被覆３３を有する種類の変調器手段３１との間の相
互作用を示す。反射被覆３３は誘電体被覆または誘電体
のスタックとすることができ、第２の面３４と表面１４
の間に空隙が存在し、また固体あるいは液体の層が充て
んされた間隙が存在するものと仮定する。動作時には、
各位置１２の電界（Ｅ−電界）が電子光学的変調器手段
３１の中に侵入して、光ビーム（位置１２における電圧
に正確に正比例してあらゆる位置１２と平行に整列状態
にあることが好ましい）の散乱特性と吸収特性を変化さ
せる。
反射被覆３３を有する種類の変調器手段３１との間の相
互作用を示す。反射被覆３３は誘電体被覆または誘電体
のスタックとすることができ、第２の面３４と表面１４
の間に空隙が存在し、また固体あるいは液体の層が充て
んされた間隙が存在するものと仮定する。動作時には、
各位置１２の電界（Ｅ−電界）が電子光学的変調器手段
３１の中に侵入して、光ビーム（位置１２における電圧
に正確に正比例してあらゆる位置１２と平行に整列状態
にあることが好ましい）の散乱特性と吸収特性を変化さ
せる。
【００１７】電圧Ｖ1 がパワー変調に正の変化をひき起
こす。電圧Ｖ2 がパワー変調に負の変化をひき起こす。
電圧Ｖ3 がパワー変調に正の極端な変化をひき起こす。
パワー変調は位置の関数であって、表面１４と、電子光
学的変調器手段３１の第１の面における接地された導電
性被覆３６との間の電圧差に正比例する。したがって、
変調器３１を出たビーム（ここで説明している例ではそ
のビームは変調器を２回通った）は空間的に変調された
光パワーを含む。この光パワーは被覆３６の基準に対す
る各位置１２における電圧についての情報を運ぶ。
こす。電圧Ｖ2 がパワー変調に負の変化をひき起こす。
電圧Ｖ3 がパワー変調に正の極端な変化をひき起こす。
パワー変調は位置の関数であって、表面１４と、電子光
学的変調器手段３１の第１の面における接地された導電
性被覆３６との間の電圧差に正比例する。したがって、
変調器３１を出たビーム（ここで説明している例ではそ
のビームは変調器を２回通った）は空間的に変調された
光パワーを含む。この光パワーは被覆３６の基準に対す
る各位置１２における電圧についての情報を運ぶ。
【００１８】第２の面３４と表面１４の間の間隔は制御
され、短絡、熱伝導、またはストレスによる機械的な歪
みのような副作用を起こさないで実際上できるだけ狭く
することが好ましい。その間隔の選択は、信号対ノイズ
の比を最高にするように行われる。そのノイズは、とく
に、近くの点の電圧により発生される電界からの漏話に
起因するノイズが重要である。電圧源がピクセル区域
（図３のＡに示す１１２）として定められる区域である
ような、ＬＣＤパネルに対してとくに適用できる動作則
は、電子光学的変調器手段の第２の面３４を、位置１２
の間隔より狭く、ピクセル区域の直径の３０％をなるべ
くこえないようにして、表面１４に対して置くことであ
る。その間隔は可動台装置（図示せず）のような機械的
位置ぎめ手段で制御できる。
され、短絡、熱伝導、またはストレスによる機械的な歪
みのような副作用を起こさないで実際上できるだけ狭く
することが好ましい。その間隔の選択は、信号対ノイズ
の比を最高にするように行われる。そのノイズは、とく
に、近くの点の電圧により発生される電界からの漏話に
起因するノイズが重要である。電圧源がピクセル区域
（図３のＡに示す１１２）として定められる区域である
ような、ＬＣＤパネルに対してとくに適用できる動作則
は、電子光学的変調器手段の第２の面３４を、位置１２
の間隔より狭く、ピクセル区域の直径の３０％をなるべ
くこえないようにして、表面１４に対して置くことであ
る。その間隔は可動台装置（図示せず）のような機械的
位置ぎめ手段で制御できる。
【００１９】その情報を取出すために、出力ビーム４２
を横切る映像の中の変調の変化を検出して、電圧を解析
する手段が設けられる。図１と２を参照して、その検出
手段は、たとえば集束レンズ４６を通じて光を受ける感
知カメラ４８のような手段で構成できる。その手段４６
は、空間的に依存するパワー変調を捕え、カメラにより
見て、電圧の大きさに対応する諸特徴を有する観察可能
なマップを二次元で生ずる。また、信号対ノイズ比を高
くするために、カメラ４８により捕らえられた映像のデ
ジタル化された様式での取扱いによる映像処理を用いる
ことができる。（デジタル映像取扱いは知られている技
術である。）
を横切る映像の中の変調の変化を検出して、電圧を解析
する手段が設けられる。図１と２を参照して、その検出
手段は、たとえば集束レンズ４６を通じて光を受ける感
知カメラ４８のような手段で構成できる。その手段４６
は、空間的に依存するパワー変調を捕え、カメラにより
見て、電圧の大きさに対応する諸特徴を有する観察可能
なマップを二次元で生ずる。また、信号対ノイズ比を高
くするために、カメラ４８により捕らえられた映像のデ
ジタル化された様式での取扱いによる映像処理を用いる
ことができる。（デジタル映像取扱いは知られている技
術である。）
【００２０】図１に示すように１回通過装置において
は、映像形成は線状である。図２に示すような多動通過
装置においては、変調器をビームを２回透過させること
により感度を向上させることができる。ビーム分割器５
０により出力ビーム４２は共直線入力ビーム２４から分
離される。また、位相変調器３１の反射面３３が光ビー
ムに対して垂直でないように、その反射面３３を向ける
ことによって入力ビームと出力ビームを分離できる。そ
うすると反射により出力ビーム４２は分離されるからビ
ーム分離器は不要である。
は、映像形成は線状である。図２に示すような多動通過
装置においては、変調器をビームを２回透過させること
により感度を向上させることができる。ビーム分割器５
０により出力ビーム４２は共直線入力ビーム２４から分
離される。また、位相変調器３１の反射面３３が光ビー
ムに対して垂直でないように、その反射面３３を向ける
ことによって入力ビームと出力ビームを分離できる。そ
うすると反射により出力ビーム４２は分離されるからビ
ーム分離器は不要である。
【００２１】以上、特定の実施例について本発明を説明
した。他の実施例も当業者には明らかであろう。たとえ
ば、多量子井戸電子吸収変調器を使用できる。
した。他の実施例も当業者には明らかであろう。たとえ
ば、多量子井戸電子吸収変調器を使用できる。
【図１】本発明の第１の実施例のブロック図である。
【図２】本発明の第２の実施例のブロック図である。
【図３】Ａは試験中のパネルに近接する電気光学的結晶
の側横断面図で、ＢはＡに関連する電圧空間分布のグラ
フの一例である。
の側横断面図で、ＢはＡに関連する電圧空間分布のグラ
フの一例である。
２８ ビーム拡大器 ３０，３１ 電子光学的光変調器手段 ３２ 光変調器手段の第１の面 ３４ 光変調器手段の第２の面 ４８ 感知カメラ
Claims (3)
- 【請求項１】 光エネルギーを発生する手段と、 この光エネルギーを任意の偏光状態の入力ビームへ向け
る手段と、 電圧共通部へ電気的に結合される導電性被覆を有する第
１の面と、反対側の第２の面とを長手方向のプロービン
グジオメトリイを許す向きに有する電子光学的変調器手
段であって、前記入力ビームに沿って空間的に依存する
変調を出力ビーム中にひき起こさせるために、前記第１
の面を通って、試験中のパネルの表面の区域に近接する
前記第２の面に入射する、前記変調器手段へ向けられた
前記入力ビームの少なくとも一部と交差するために向け
られる前記電子光学的変調器手段と、 前記表面上の電圧を解析するために前記出力ビームを横
切る映像中の前記変調を検出する手段と、を備え、前記
変調は前記表面上の位置における電圧に比例することを
特徴とするテスト中のパネルの表面上の多数の位置にお
ける電圧を観測する装置。 - 【請求項２】 光エネルギーを発生する光源と、 電圧共通部へ電気的に結合される導電性被覆を有する第
１の面と、反対側の第２の面とを長手方向のプロービン
グジオメトリイを許す向きに有する電子光学的変調器手
段であって、前記入力ビームに沿って空間的に依存する
光パワーの変化を出力ビーム中にひき起こさせるため
に、前記第１の面を通って、試験中のパネルの表面の区
域に近接する前記第２の面に入射する、前記変調器手段
へ向けられた前記入力ビームの少なくとも一部と交差す
るために向けられる前記電子光学的変調器手段と、 前記表面上の電圧を解析するために電圧の大きさに対応
する諸特徴を有する観察可能なマップを発生するために
前記空間的に依存するパワー変調に交差するために配置
される手段と、を備え、光パワーの前記変化は前記表面
上の位置における電圧に比例することを特徴とするテス
ト中のパネルの表面上の複数の位置における電圧を同時
に観察する装置。 - 【請求項３】 電圧共通部へ電気的に結合される導電性
被覆を有する第１の面と、反対側の第２の面とを長手方
向のプロービングジオメトリイを許す向きに有する電子
光学的変調器手段であって、入力ビームに沿って空間的
に依存する変調を出力ビーム中にひき起こさせるため
に、前記第１の面を通って、試験中のパネルの表面の区
域に近接する前記第２の面に入射する、前記変調器手段
へ向けられた前記ビームの少なくとも一部と交差するた
めに向けられている前記電子光学的変調器手段へ光エネ
ルギーの入力ビームを向ける過程と、 前記表面上の電圧を解析するために前記出力ビームを横
切る映像中の前記変調を検出する過程と、を備え、前記
変調は前記表面上の位置における電圧に比例することを
特徴とする、試験中のパネルの表面上の多数の位置にお
ける電圧を観察する方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/481,429 US4983911A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Voltage imaging system using electro-optics |
| US481429 | 1990-09-13 | ||
| US07/582,577 US5097201A (en) | 1990-02-15 | 1990-09-13 | Voltage imaging system using electro-optics |
| US582577 | 2006-10-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213975A true JPH06213975A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=27046947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3040470A Pending JPH06213975A (ja) | 1990-02-15 | 1991-02-13 | 試験中のパネルの表面上の多数の位置における電圧を観察する装置および方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5097201A (ja) |
| JP (1) | JPH06213975A (ja) |
| KR (1) | KR0168440B1 (ja) |
| IE (1) | IE910514A1 (ja) |
| WO (1) | WO1991012534A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL99823A0 (en) * | 1990-11-16 | 1992-08-18 | Orbot Instr Ltd | Optical inspection method and apparatus |
| US5391985A (en) * | 1992-03-06 | 1995-02-21 | Photon Dynamics, Inc. | Method and apparatus for measuring high speed logic states using voltage imaging with burst clocking |
| JP3462272B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2003-11-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | アレイ電極基板の検査装置 |
| JP2810976B2 (ja) * | 1994-11-28 | 1998-10-15 | 工業技術院長 | 電気信号測定方法および装置 |
| DE19518008A1 (de) * | 1995-05-19 | 1996-11-21 | Thomas Dipl Phys Honke | Elektronisches Synchronregistriergerät |
| US5872360A (en) * | 1996-12-12 | 1999-02-16 | Intel Corporation | Method and apparatus using an infrared laser based optical probe for measuring electric fields directly from active regions in an integrated circuit |
| US5904486A (en) * | 1997-09-30 | 1999-05-18 | Intel Corporation | Method for performing a circuit edit through the back side of an integrated circuit die |
| KR100253662B1 (ko) * | 1998-02-16 | 2000-04-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 모듈레이터와 모듈레이터를 구비하는 전광센서 |
| US6072179A (en) * | 1998-08-07 | 2000-06-06 | Intel Corporation | Method and apparatus using an infrared laser based optical probe for measuring voltages directly from active regions in an integrated circuit |
| US6850080B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inspection method and inspection apparatus |
| SG117406A1 (en) | 2001-03-19 | 2005-12-29 | Miconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7084970B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-08-01 | Photon Dynamics, Inc. | Inspection of TFT LCD panels using on-demand automated optical inspection sub-system |
| TWI296705B (en) * | 2004-12-24 | 2008-05-11 | Innolux Display Corp | Device and method for inspecting a matrix substrate |
| US7733100B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-06-08 | Dcg Systems, Inc. | System and method for modulation mapping |
| US9035673B2 (en) * | 2010-01-25 | 2015-05-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of in-process intralayer yield detection, interlayer shunt detection and correction |
| TWI426286B (zh) | 2010-08-02 | 2014-02-11 | Ind Tech Res Inst | 基板電性的量測設備 |
| CN102411099A (zh) * | 2010-09-25 | 2012-04-11 | 财团法人工业技术研究院 | 基板电性的测量设备 |
| JP2017096949A (ja) | 2015-11-24 | 2017-06-01 | フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド | セル接触プロービングパッドを使用して平面パネル型表示装置を電気的に検査するためのシステムおよび方法 |
| TWI759724B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-04-01 | 興城科技股份有限公司 | 玻璃基板檢測方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4523847A (en) * | 1983-07-07 | 1985-06-18 | International Business Machines Corporation | Frequency modulation-polarization spectroscopy method and device for detecting spectral features |
| JP2721497B2 (ja) * | 1984-03-19 | 1998-03-04 | ケント・ステート・ユニバーシティ | 光変調性物質の製造方法 |
| US4618819A (en) * | 1984-03-27 | 1986-10-21 | The University Of Rochester | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution |
| US4758092A (en) * | 1986-03-04 | 1988-07-19 | Stanford University | Method and means for optical detection of charge density modulation in a semiconductor |
| US4910458A (en) * | 1987-03-24 | 1990-03-20 | Princeton Applied Research Corp. | Electro-optic sampling system with dedicated electro-optic crystal and removable sample carrier |
| JPS63308572A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 電圧検出装置 |
| EP0299432B1 (en) * | 1987-07-13 | 1994-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | A voltage detecting device |
| US4944576A (en) * | 1988-03-21 | 1990-07-31 | Hughes Aircraft Company | Film with partial pre-alignment of polymer dispersed liquid crystals for electro-optical devices, and method of forming the same |
| US4875006A (en) * | 1988-09-01 | 1989-10-17 | Photon Dynamics, Inc. | Ultra-high-speed digital test system using electro-optic signal sampling |
| US4862075A (en) * | 1988-09-01 | 1989-08-29 | Photon Dynamics, Inc. | High frequency test head using electro-optics |
| US4983911A (en) * | 1990-02-15 | 1991-01-08 | Photon Dynamics, Inc. | Voltage imaging system using electro-optics |
-
1990
- 1990-09-13 US US07/582,577 patent/US5097201A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-08 WO PCT/US1991/000916 patent/WO1991012534A1/en unknown
- 1991-02-13 KR KR1019910002421A patent/KR0168440B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-02-13 JP JP3040470A patent/JPH06213975A/ja active Pending
- 1991-02-14 IE IE051491A patent/IE910514A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5097201A (en) | 1992-03-17 |
| KR0168440B1 (ko) | 1999-03-20 |
| WO1991012534A1 (en) | 1991-08-22 |
| IE910514A1 (en) | 1991-08-28 |
| KR910015859A (ko) | 1991-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4983911A (en) | Voltage imaging system using electro-optics | |
| US5170127A (en) | Capacitance imaging system using electro-optics | |
| US5124635A (en) | Voltage imaging system using electro-optics | |
| JPH06213975A (ja) | 試験中のパネルの表面上の多数の位置における電圧を観察する装置および方法 | |
| US5175504A (en) | Method and apparatus for automatically inspecting and repairing a simple matrix circuit panel | |
| US5235272A (en) | Method and apparatus for automatically inspecting and repairing an active matrix LCD panel | |
| US5459409A (en) | Testing device for liquid crystal display base plate | |
| JPH08105926A (ja) | 配線パターン検査装置及び配線パターン検査方法 | |
| US5750981A (en) | Non-contact electro-optic detection of photovoltages created in a semiconductor by a probe beam | |
| US5614839A (en) | Method for optically testing flat panel display base plates | |
| JPH0580083A (ja) | 集積回路の試験方法および装置 | |
| US6894514B2 (en) | Circuit pattern detecting apparatus and circuit pattern inspecting method | |
| JP2001289917A (ja) | 回路基板の検査装置及び回路基板の検査方法 | |
| JP4403701B2 (ja) | 回路基板の検査装置 | |
| JP2591347B2 (ja) | 実装ボード検査装置 | |
| JP3019798B2 (ja) | 回路基板検査方法 | |
| Jeong et al. | Dynamic characteristics of the PDLC-based electro-optic modulator for TFT LCD inspection | |
| JPH06281707A (ja) | 電圧分布測定装置 | |
| JP2900784B2 (ja) | プリント基板検査装置 | |
| JPS63133068A (ja) | 回路電圧検出装置 | |
| JPH0658975A (ja) | 基板試験装置 | |
| JP2003185696A (ja) | 回路パターン検出装置、回路パターン検出方法および回路パターン検査方法 | |
| JP2002014131A (ja) | 回路基板の検査方法及び検査装置 | |
| JP2005172730A (ja) | 回路基板の断線検査装置 | |
| WO1997014047A1 (en) | Non-contact electro-optic detection of photovoltages |