JPH08101404A - Ｔｆｔ基板の欠陥検出方法および欠陥検査装置 - Google Patents
Ｔｆｔ基板の欠陥検出方法および欠陥検査装置Info
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- JPH08101404A JPH08101404A JP6261499A JP26149994A JPH08101404A JP H08101404 A JPH08101404 A JP H08101404A JP 6261499 A JP6261499 A JP 6261499A JP 26149994 A JP26149994 A JP 26149994A JP H08101404 A JPH08101404 A JP H08101404A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＦＴ基板の欠陥素子を迅速確実に検出する
方法と、その欠陥検査装置を提供する。 【構成】 ＴＦＴ基板12の裏面に照明光Ｌを照射し、そ
の表面に接近して、互いに直角方向をなす偏光膜512,51
3 を両面に有する液晶板51と、接地された透明電極板52
よりなる液晶セル部５を配設し、受光素子621 を有する
ラインセンサ62と、各受光素子621 の出力信号Ｓに対す
る欠陥検出部８を設ける。各ＴＦＴ素子12a に駆動電圧
ＶS を印加し、ＴＦＴ基板12をラインセンサ62の直角方
向に移動し、欠陥素子12a'の電界強度の低下または消失
により、照明光Ｌは偏光膜513 を透過して受光素子621
に受光され、その出力信号を欠陥検出部８に入力して各
欠陥素子12a'を検出し、受光素子621 のアドレスにより
各欠陥素子12a'を特定する。
方法と、その欠陥検査装置を提供する。 【構成】 ＴＦＴ基板12の裏面に照明光Ｌを照射し、そ
の表面に接近して、互いに直角方向をなす偏光膜512,51
3 を両面に有する液晶板51と、接地された透明電極板52
よりなる液晶セル部５を配設し、受光素子621 を有する
ラインセンサ62と、各受光素子621 の出力信号Ｓに対す
る欠陥検出部８を設ける。各ＴＦＴ素子12a に駆動電圧
ＶS を印加し、ＴＦＴ基板12をラインセンサ62の直角方
向に移動し、欠陥素子12a'の電界強度の低下または消失
により、照明光Ｌは偏光膜513 を透過して受光素子621
に受光され、その出力信号を欠陥検出部８に入力して各
欠陥素子12a'を検出し、受光素子621 のアドレスにより
各欠陥素子12a'を特定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶パネルに使用さ
れるＴＦＴ基板の欠陥検出方法と、その検査装置に関す
る。
れるＴＦＴ基板の欠陥検出方法と、その検査装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶材料とその制御技術の進歩により、
かなりの大きさの画面にカラー表示できる液晶パネルが
開発され、これにはＴＦＴ基板が使用されている。図４
は、カラー用の液晶パネル１の構成の一例を示す。液晶
パネル１は、偏光膜Ａ11と、ガラス板の表面に多数のＴ
ＦＴ素子12a がマトリックス状に配列されたＴＦＴ基板
12、２枚の配向膜13a,13b の間に液晶（ＬＣ）が充填さ
れた液晶板13、酸化インジューム・チタン（ＩＴＯ）よ
りなる透明電極板14、ガラス板の表面に３原色の画素15
a が配列されたカラーフィルタ15、および偏光膜Ｂ16と
により構成される。両偏光膜Ａ，Ｂはそれぞれの偏光面
を、例えば、平行として配置される。各ＴＦＴ素子12a
は付図に示すように、ＴＦＴに接続された電極用のＩＴ
Ｏ膜を有し、これらは透明な保護膜がコートされてい
る。各層の厚さは、ガラス板を除き、いずれも１μｍ〜
数μｍの薄膜である。なお図では、各層は分離されてい
るが、これらはすべて密着されており、上側から照射さ
れた照明光は、各層を順次に透過し、または遮断されて
下側にカラー表示される。
かなりの大きさの画面にカラー表示できる液晶パネルが
開発され、これにはＴＦＴ基板が使用されている。図４
は、カラー用の液晶パネル１の構成の一例を示す。液晶
パネル１は、偏光膜Ａ11と、ガラス板の表面に多数のＴ
ＦＴ素子12a がマトリックス状に配列されたＴＦＴ基板
12、２枚の配向膜13a,13b の間に液晶（ＬＣ）が充填さ
れた液晶板13、酸化インジューム・チタン（ＩＴＯ）よ
りなる透明電極板14、ガラス板の表面に３原色の画素15
a が配列されたカラーフィルタ15、および偏光膜Ｂ16と
により構成される。両偏光膜Ａ，Ｂはそれぞれの偏光面
を、例えば、平行として配置される。各ＴＦＴ素子12a
は付図に示すように、ＴＦＴに接続された電極用のＩＴ
Ｏ膜を有し、これらは透明な保護膜がコートされてい
る。各層の厚さは、ガラス板を除き、いずれも１μｍ〜
数μｍの薄膜である。なお図では、各層は分離されてい
るが、これらはすべて密着されており、上側から照射さ
れた照明光は、各層を順次に透過し、または遮断されて
下側にカラー表示される。
【０００３】図５は、ＴＦＴ基板12の構成と、これに対
する制御回路を示す。基板12にはゲート線Ｇとデータ線
Ｄが格子状に配線され、各格子内にＴＦＴ素子12a が形
成され、ＩＴＯ膜はコンデンサＣによりゲート線Ｇに接
続されている。制御回路は走査回路２a とデータ回路２
b よりなり、各ゲート線Ｇは走査回路２a に接続されて
適当なタイミングで走査される。これに対して、各デー
タ線Ｄはデータ回路２b に接続され、これより与えられ
るデータにより、ＴＦＴをＯＮまたはＯＦＦしてＩＴＯ
膜に電荷を充電し、またはこれを放電して無電荷とす
る。無電荷のときは、液晶板13の液晶分子の配向方向は
入射光を９０°旋回するので、偏光膜Ａ11を透過した照
明光は、偏光面が９０°旋回して偏光膜Ｂ16により遮断
される。電荷が充電されたときは、電界が発生して液晶
分子の配向が変化するので、照明光は偏光面が旋回せず
偏光膜Ｂ16を透過する。なお、両偏光膜Ａ，Ｂの偏光面
を互いに直角方向とするときは、照明光の遮断と透過は
上記の逆となる。
する制御回路を示す。基板12にはゲート線Ｇとデータ線
Ｄが格子状に配線され、各格子内にＴＦＴ素子12a が形
成され、ＩＴＯ膜はコンデンサＣによりゲート線Ｇに接
続されている。制御回路は走査回路２a とデータ回路２
b よりなり、各ゲート線Ｇは走査回路２a に接続されて
適当なタイミングで走査される。これに対して、各デー
タ線Ｄはデータ回路２b に接続され、これより与えられ
るデータにより、ＴＦＴをＯＮまたはＯＦＦしてＩＴＯ
膜に電荷を充電し、またはこれを放電して無電荷とす
る。無電荷のときは、液晶板13の液晶分子の配向方向は
入射光を９０°旋回するので、偏光膜Ａ11を透過した照
明光は、偏光面が９０°旋回して偏光膜Ｂ16により遮断
される。電荷が充電されたときは、電界が発生して液晶
分子の配向が変化するので、照明光は偏光面が旋回せず
偏光膜Ｂ16を透過する。なお、両偏光膜Ａ，Ｂの偏光面
を互いに直角方向とするときは、照明光の遮断と透過は
上記の逆となる。
【０００４】さて、ＴＦＴ基板12は、各ＴＦＴ素子12a
の接続点や、コンデンサＣ、両配線線Ｇ、Ｄなどの箇所
に、短絡または断線などの欠陥があるときは、その品質
が劣化して製品の歩留りが低下するので、これらの欠陥
とその位置を検査装置により検出し、可能なときは修復
の措置がとられている。検査装置における欠陥検出方法
は、大別すると電気光学的，電気的または光学的の３つ
があり、以下、公開または実用されているその例を図５
と図６により説明する。図６は、光学的の欠陥検出方法
の一例を示し、数個のＴＦＴ素子12a を撮像する赤外線
カメラ３を設ける。各データ線Ｄを接地し、各ゲート線
Ｇに適当な直流電圧ＶS を供給して各ＴＦＴ素子12a を
動作させる。もし上記の箇所に短絡欠陥があると、その
部分が発熱して赤外線を放射するので、この赤外線を赤
外線カメラ４に撮像して、放射点すなわち短絡箇所が検
出される。ただしこの方法では断線欠陥は検出できな
い。なお図示を省略するが、赤外線カメラ３の代わりに
通常のカメラを使用し、同時に撮像された２個のＴＦＴ
素子12a のパターンを比較し、相違点があればこれを欠
陥とする方法もある。この方法では短絡と断線欠陥の両
方を検出できる。次に図７は、ポッケルス効果を利用し
た電気光学的な欠陥検出方法を示す。（NIKKEI MICRODE
VICES; '９１，８，pp 106〜108 参照。） ＴＦＴ基板12の表面に対して、ＩＴＯ膜と反射板の間
に、ある種の電気光学結晶を介在した一種の偏光器を対
向させ、上部に設けた光源３a より円偏光した照明光を
レンズを通して照射し、反射板の反射光を偏光器とレン
ズ、および反射光の強度を検出するビームスプリッタを
通してカメラ３b に受光する。いま、図示のＴＦＴ(1)
と(3) は、欠陥のない正常なものとし、(2) は欠陥があ
るとする。ＴＦＴ(1) と(3) は電位が＋であり、これが
電気光学結晶内に電界Ｅを生じ、その入射光はポッケル
ス効果により円偏光波から楕円偏光波に変化し、その一
部がビームスプリッタを透過する。一方ＴＦＴ(2) は電
位が低いかまたは０であるため、電気光学結晶の入射光
は偏光面が変化せず、ビームスプリッタにより大部分が
遮断される。カメラ３b に受光された透過光は、強度が
画像処理部３c により解析されて、ＴＦＴ(2) すなわち
欠陥素子が検出される。
の接続点や、コンデンサＣ、両配線線Ｇ、Ｄなどの箇所
に、短絡または断線などの欠陥があるときは、その品質
が劣化して製品の歩留りが低下するので、これらの欠陥
とその位置を検査装置により検出し、可能なときは修復
の措置がとられている。検査装置における欠陥検出方法
は、大別すると電気光学的，電気的または光学的の３つ
があり、以下、公開または実用されているその例を図５
と図６により説明する。図６は、光学的の欠陥検出方法
の一例を示し、数個のＴＦＴ素子12a を撮像する赤外線
カメラ３を設ける。各データ線Ｄを接地し、各ゲート線
Ｇに適当な直流電圧ＶS を供給して各ＴＦＴ素子12a を
動作させる。もし上記の箇所に短絡欠陥があると、その
部分が発熱して赤外線を放射するので、この赤外線を赤
外線カメラ４に撮像して、放射点すなわち短絡箇所が検
出される。ただしこの方法では断線欠陥は検出できな
い。なお図示を省略するが、赤外線カメラ３の代わりに
通常のカメラを使用し、同時に撮像された２個のＴＦＴ
素子12a のパターンを比較し、相違点があればこれを欠
陥とする方法もある。この方法では短絡と断線欠陥の両
方を検出できる。次に図７は、ポッケルス効果を利用し
た電気光学的な欠陥検出方法を示す。（NIKKEI MICRODE
VICES; '９１，８，pp 106〜108 参照。） ＴＦＴ基板12の表面に対して、ＩＴＯ膜と反射板の間
に、ある種の電気光学結晶を介在した一種の偏光器を対
向させ、上部に設けた光源３a より円偏光した照明光を
レンズを通して照射し、反射板の反射光を偏光器とレン
ズ、および反射光の強度を検出するビームスプリッタを
通してカメラ３b に受光する。いま、図示のＴＦＴ(1)
と(3) は、欠陥のない正常なものとし、(2) は欠陥があ
るとする。ＴＦＴ(1) と(3) は電位が＋であり、これが
電気光学結晶内に電界Ｅを生じ、その入射光はポッケル
ス効果により円偏光波から楕円偏光波に変化し、その一
部がビームスプリッタを透過する。一方ＴＦＴ(2) は電
位が低いかまたは０であるため、電気光学結晶の入射光
は偏光面が変化せず、ビームスプリッタにより大部分が
遮断される。カメラ３b に受光された透過光は、強度が
画像処理部３c により解析されて、ＴＦＴ(2) すなわち
欠陥素子が検出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した各種の欠陥検
出方法には、それぞれ長所短所があって決定的に優位な
ものはないとされ、また、これらはいずれもカメラによ
る面画像を処理する方式であって、処理はかならずしも
短時間ではなされず、従って検査時間がかなり長い欠点
がある。これに対して、図４の液晶パネル１における液
晶板13と偏光膜11,16 は、照明光に対して十分な透過ま
たは遮断作用を有するので、これらを使用し、検出回路
を工夫すれば、欠陥素子を確実かつ迅速に検出できると
考えられる。この発明は、以上の考えによりなされたも
ので、液晶板などを使用してＴＦＴ基板12に存在する欠
陥素子を迅速確実に検出する方法と、これを具体化した
検査装置を提供することを目的とする。
出方法には、それぞれ長所短所があって決定的に優位な
ものはないとされ、また、これらはいずれもカメラによ
る面画像を処理する方式であって、処理はかならずしも
短時間ではなされず、従って検査時間がかなり長い欠点
がある。これに対して、図４の液晶パネル１における液
晶板13と偏光膜11,16 は、照明光に対して十分な透過ま
たは遮断作用を有するので、これらを使用し、検出回路
を工夫すれば、欠陥素子を確実かつ迅速に検出できると
考えられる。この発明は、以上の考えによりなされたも
ので、液晶板などを使用してＴＦＴ基板12に存在する欠
陥素子を迅速確実に検出する方法と、これを具体化した
検査装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＴＦＴ基板
の欠陥検出方法および欠陥検査装置である。欠陥検出方
法は、被検査のＴＦＴ基板の裏面に照明光を照射し、そ
の表面に接近して、互いに直角方向をなす偏光膜を上下
両面に有する液晶板と、接地された透明電極板よりなる
液晶セル部を配設する。また、ＴＦＴ基板と液晶セル部
とを透過した照明光を受光する受光素子を有する一次元
又は二次元センサ等の光学センサと、各受光素子の出力
信号に対する欠陥検出部とを設ける。ＴＦＴ基板の各Ｔ
ＦＴ素子に駆動電圧を印加し、ＴＦＴ基板を光学センサ
に対して相対的に移動し、ＴＦＴ基板に欠陥素子が存在
すると、欠陥素子の電界強度の低下または消失により、
下面の偏光膜を透過した照明光は上面の偏光膜を透過す
る。この透過光を受光した受光素子の出力信号を逐次に
欠陥検出部に入力して各欠陥素子を検出し、受光素子の
アドレスにより各欠陥素子の位置を特定するものであ
る。
の欠陥検出方法および欠陥検査装置である。欠陥検出方
法は、被検査のＴＦＴ基板の裏面に照明光を照射し、そ
の表面に接近して、互いに直角方向をなす偏光膜を上下
両面に有する液晶板と、接地された透明電極板よりなる
液晶セル部を配設する。また、ＴＦＴ基板と液晶セル部
とを透過した照明光を受光する受光素子を有する一次元
又は二次元センサ等の光学センサと、各受光素子の出力
信号に対する欠陥検出部とを設ける。ＴＦＴ基板の各Ｔ
ＦＴ素子に駆動電圧を印加し、ＴＦＴ基板を光学センサ
に対して相対的に移動し、ＴＦＴ基板に欠陥素子が存在
すると、欠陥素子の電界強度の低下または消失により、
下面の偏光膜を透過した照明光は上面の偏光膜を透過す
る。この透過光を受光した受光素子の出力信号を逐次に
欠陥検出部に入力して各欠陥素子を検出し、受光素子の
アドレスにより各欠陥素子の位置を特定するものであ
る。
【０００７】欠陥検査装置は、被検査のＴＦＴ基板を載
置し、載置されたＴＦＴ基板の裏面に対して照明光を照
射する光源を有する載置台と、載置台をＸまたはＹ方向
に移動するＸＹ移動機構、ＴＦＴ基板の表面に対応して
設けられ、互いに直角をなす偏光膜を上下両面に有する
液晶板と、接地された透明電極板よりなる液晶セル部
と、ＴＦＴ基板と液晶セル部とを透過した照明光に対す
る結像レンズ、および結像された照明光に対する受光素
子を有するラインセンサよりなる受光部、受光部をＺ移
動して液晶セル部をＴＦＴ基板の表面に接近させるＺ移
動機構、受光部に接続された欠陥検出部、ならびに、Ｔ
ＦＴ基板の各ＴＦＴ素子に対して駆動電圧を印加する駆
動回路とにより構成される。
置し、載置されたＴＦＴ基板の裏面に対して照明光を照
射する光源を有する載置台と、載置台をＸまたはＹ方向
に移動するＸＹ移動機構、ＴＦＴ基板の表面に対応して
設けられ、互いに直角をなす偏光膜を上下両面に有する
液晶板と、接地された透明電極板よりなる液晶セル部
と、ＴＦＴ基板と液晶セル部とを透過した照明光に対す
る結像レンズ、および結像された照明光に対する受光素
子を有するラインセンサよりなる受光部、受光部をＺ移
動して液晶セル部をＴＦＴ基板の表面に接近させるＺ移
動機構、受光部に接続された欠陥検出部、ならびに、Ｔ
ＦＴ基板の各ＴＦＴ素子に対して駆動電圧を印加する駆
動回路とにより構成される。
【０００８】
【作用】上記の欠陥検出方法において、ＴＦＴ基板の各
ＴＦＴ素子に駆動電圧を印加すると、正常な各ＴＦＴ素
子は電界を発生し、欠陥素子の電界は、その欠陥状態に
より強度が低下するかまたは消失する。ＴＦＴ基板の裏
面に照明光を照射して、ＴＦＴ基板を一次元又は二次元
の光学センサに対して相対的に移動すると、欠陥素子と
下面の偏光膜とを透過した照明光は、欠陥素子の電界強
度の低下または消失により、液晶板の液晶分子により９
０°旋回して上面の偏光膜を透過する。この透過光は対
応した受光素子に受光される。ＴＦＴ基板の移動に伴っ
て、受光素子より出力される出力信号は逐次に欠陥検出
部に入力して、各欠陥素子が検出され、受光素子のアド
レスにより各欠陥素子の位置が特定される。
ＴＦＴ素子に駆動電圧を印加すると、正常な各ＴＦＴ素
子は電界を発生し、欠陥素子の電界は、その欠陥状態に
より強度が低下するかまたは消失する。ＴＦＴ基板の裏
面に照明光を照射して、ＴＦＴ基板を一次元又は二次元
の光学センサに対して相対的に移動すると、欠陥素子と
下面の偏光膜とを透過した照明光は、欠陥素子の電界強
度の低下または消失により、液晶板の液晶分子により９
０°旋回して上面の偏光膜を透過する。この透過光は対
応した受光素子に受光される。ＴＦＴ基板の移動に伴っ
て、受光素子より出力される出力信号は逐次に欠陥検出
部に入力して、各欠陥素子が検出され、受光素子のアド
レスにより各欠陥素子の位置が特定される。
【０００９】次に、欠陥検査装置においては、載置台に
載置されたＴＦＴ基板の裏面に対して、光源より照射さ
れた照明光は、ＴＦＴ基板と、液晶セル部の液晶板、そ
の両面の偏光膜、および透明電極板とを順次に透過し、
または遮断され、透過光は結像レンズにより一次元又は
二次元の光学センサの各受光素子に結像され、各受光素
子の出力信号は欠陥検出部に入力する。駆動回路により
各ＴＦＴ素子に駆動電圧を印加して動作させ、Ｚ機構に
より液晶セル部の液晶板をＴＦＴ基板の表面に接近さ
せ、ＴＦＴ基板をＸ方向に移動すると、上記の欠陥検出
方法と同様に、ＴＦＴ基板に存在する欠陥素子と下面の
偏光膜とを透過した照明光は、液晶板の液晶分子により
９０°旋回して上面の偏光膜を透過し、この透過光を受
光した受光素子の出力信号は、逐次に欠陥検出部に入力
して各欠陥素子が順次に検出され、受光素子のアドレス
により各欠陥素子の位置が特定される。Ｘ方向の検査が
終了すると、ＴＦＴ基板はラインセンサの有効長分だけ
Ｙ方向に移動して次のＸ方向が検査され、区分された複
数の領域が順次に検査される。
載置されたＴＦＴ基板の裏面に対して、光源より照射さ
れた照明光は、ＴＦＴ基板と、液晶セル部の液晶板、そ
の両面の偏光膜、および透明電極板とを順次に透過し、
または遮断され、透過光は結像レンズにより一次元又は
二次元の光学センサの各受光素子に結像され、各受光素
子の出力信号は欠陥検出部に入力する。駆動回路により
各ＴＦＴ素子に駆動電圧を印加して動作させ、Ｚ機構に
より液晶セル部の液晶板をＴＦＴ基板の表面に接近さ
せ、ＴＦＴ基板をＸ方向に移動すると、上記の欠陥検出
方法と同様に、ＴＦＴ基板に存在する欠陥素子と下面の
偏光膜とを透過した照明光は、液晶板の液晶分子により
９０°旋回して上面の偏光膜を透過し、この透過光を受
光した受光素子の出力信号は、逐次に欠陥検出部に入力
して各欠陥素子が順次に検出され、受光素子のアドレス
により各欠陥素子の位置が特定される。Ｘ方向の検査が
終了すると、ＴＦＴ基板はラインセンサの有効長分だけ
Ｙ方向に移動して次のＸ方向が検査され、区分された複
数の領域が順次に検査される。
【００１０】上記の欠陥検出方法と欠陥検査装置におけ
る欠陥素子の検出原理は、前記した液晶パネルにおける
液晶板の作用原理そのもので、いわば直裁であり、欠陥
素子は確実に検出される。また、欠陥検出は光学センサ
の出力信号を検出するのみであるので、カメラによる面
画像信号の処理に比較してより迅速になされ、従って検
査が高速化される。さらに欠陥検査装置においては、Ｔ
ＦＴ基板を複数の領域に区分して、各領域を順次に検査
するので、大型のＴＦＴ基板に対して液晶セル部と受光
部を小型化できるなど、メリットが多い。
る欠陥素子の検出原理は、前記した液晶パネルにおける
液晶板の作用原理そのもので、いわば直裁であり、欠陥
素子は確実に検出される。また、欠陥検出は光学センサ
の出力信号を検出するのみであるので、カメラによる面
画像信号の処理に比較してより迅速になされ、従って検
査が高速化される。さらに欠陥検査装置においては、Ｔ
ＦＴ基板を複数の領域に区分して、各領域を順次に検査
するので、大型のＴＦＴ基板に対して液晶セル部と受光
部を小型化できるなど、メリットが多い。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明の欠陥検出方法の原理の説
明図を、図２は、この発明の欠陥検査装置１０の一実施
例におけるブロック構成図をそれぞれ示し、図３は、図
２に対する区分検査方法の説明図である。
明図を、図２は、この発明の欠陥検査装置１０の一実施
例におけるブロック構成図をそれぞれ示し、図３は、図
２に対する区分検査方法の説明図である。
【００１２】図１において、ＴＦＴ基板12は、その裏面
側が光源４により照明光が照射され、これを透過した照
明光に対して液晶セル部５と受光部６が設けられる。液
晶セル部５は、２枚の配向膜511 の間に液晶（ＬＣ）が
充填された液晶板51と、その下面と上面に貼り付けた偏
光膜Ａ512 と偏光膜Ｂ513 、および偏光膜Ｂに密着し、
接地されたＩＴＯの透明電極膜52とにより構成される。
両偏光膜Ａ，Ｂは、それぞれの偏光面を直角に配置す
る。受光部６は、結像レンズ62と、ＴＦＴ基板12の各Ｔ
ＦＴ素子12a に対応した受光素子621 を有する一次元の
ラインセンサ62（二次元センサでも可）よりなり、ライ
ンセンサ62の出力信号Ｓに対して欠陥検出部８を設け
る。ＴＦＴ基板12のＴＦＴ素子12a に対して、液晶セル
部５の偏光膜Ａ512 をギャップＧをなして接近する。ギ
ャップＧは狭いほど欠陥検出には有効であるが、狭すぎ
ると両者が接触してＴＦＴ基板12の移動の際、損傷する
恐れがあるので、数μｍ程度が適当であろう。各ＴＦＴ
素子12a に適当な駆動電圧ＶS を印加すると、正常なＴ
ＦＴ素子12a は電界Ｅを発生するが、×印で示す欠陥素
子12a'は電界Ｅの強度が低下または消失する。ＴＦＴ基
板12をラインセンサ62の直角方向に移動すると、照明光
Ｌは正常なＴＦＴ素子12a と欠陥素子12a'を透過して液
晶板51に入射し、偏光板Ａ512 により一定方向の偏光面
とされる。正常なＴＦＴ素子12a の場合は、電界Ｅによ
り配向が変化したＬＣの液晶分子は照明光Ｌの偏光面を
旋回しないので、偏光板Ｂ513 により遮断され、従って
対応する受光素子621 は信号を出力しない。これに対し
て欠陥素子12a'の場合は、照明光Ｌは、電界強度の低下
または消失により本来の配向方向をなす液晶分子に従っ
て偏光面が９０°旋回するので、偏光板Ｂ513 を透過し
て対応する受光素子621 に受光される。ＴＦＴ基板12の
移動に伴って、受光素子621 より出力される出力信号Ｓ
は逐次に欠陥検出部８に入力して各欠陥素子12a'が順次
に検出され、受光素子621 のアドレスにより各欠陥素子
12a'の位置が特定される。
側が光源４により照明光が照射され、これを透過した照
明光に対して液晶セル部５と受光部６が設けられる。液
晶セル部５は、２枚の配向膜511 の間に液晶（ＬＣ）が
充填された液晶板51と、その下面と上面に貼り付けた偏
光膜Ａ512 と偏光膜Ｂ513 、および偏光膜Ｂに密着し、
接地されたＩＴＯの透明電極膜52とにより構成される。
両偏光膜Ａ，Ｂは、それぞれの偏光面を直角に配置す
る。受光部６は、結像レンズ62と、ＴＦＴ基板12の各Ｔ
ＦＴ素子12a に対応した受光素子621 を有する一次元の
ラインセンサ62（二次元センサでも可）よりなり、ライ
ンセンサ62の出力信号Ｓに対して欠陥検出部８を設け
る。ＴＦＴ基板12のＴＦＴ素子12a に対して、液晶セル
部５の偏光膜Ａ512 をギャップＧをなして接近する。ギ
ャップＧは狭いほど欠陥検出には有効であるが、狭すぎ
ると両者が接触してＴＦＴ基板12の移動の際、損傷する
恐れがあるので、数μｍ程度が適当であろう。各ＴＦＴ
素子12a に適当な駆動電圧ＶS を印加すると、正常なＴ
ＦＴ素子12a は電界Ｅを発生するが、×印で示す欠陥素
子12a'は電界Ｅの強度が低下または消失する。ＴＦＴ基
板12をラインセンサ62の直角方向に移動すると、照明光
Ｌは正常なＴＦＴ素子12a と欠陥素子12a'を透過して液
晶板51に入射し、偏光板Ａ512 により一定方向の偏光面
とされる。正常なＴＦＴ素子12a の場合は、電界Ｅによ
り配向が変化したＬＣの液晶分子は照明光Ｌの偏光面を
旋回しないので、偏光板Ｂ513 により遮断され、従って
対応する受光素子621 は信号を出力しない。これに対し
て欠陥素子12a'の場合は、照明光Ｌは、電界強度の低下
または消失により本来の配向方向をなす液晶分子に従っ
て偏光面が９０°旋回するので、偏光板Ｂ513 を透過し
て対応する受光素子621 に受光される。ＴＦＴ基板12の
移動に伴って、受光素子621 より出力される出力信号Ｓ
は逐次に欠陥検出部８に入力して各欠陥素子12a'が順次
に検出され、受光素子621 のアドレスにより各欠陥素子
12a'の位置が特定される。
【００１３】図２に示す欠陥検査装置１０は、光源４、
液晶セル部５、受光部６、および、信号処理回路81と欠
陥検出回路82よりなる欠陥検出部８を具備し、ＸＹ移動
機構７とマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）９、およびこれ
に接続された移動制御回路91とＴＦＴ駆動回路92を設け
て構成される。受光部６は、結像レンズ61とラインセン
サ62を保持する鏡筒63と、ノブ64の回転より上下に移動
するＺ移動機構64、および距離センサ65とを有し、鏡筒
63の先端に液晶セル部５が固定される。なおラインセン
サ62は、その方向をＹ方向として配置する。ＸＹ移動機
構７は、モータＭ1 とモータＭ2 を有するＹ移動部71お
よびＸ移動部72と、載置台73よりなる。載置台73には光
源４が内蔵され、載置されたＴＦＴ基板12の両面に対し
て照明光を照射する。モータＭ1,Ｍ2 は移動制御回路91
により回転してＹ移動部71とＸ移動部72を駆動して、載
置台73に載置されたＴＦＴ基板12をＸまたはＹ方向に移
動する。
液晶セル部５、受光部６、および、信号処理回路81と欠
陥検出回路82よりなる欠陥検出部８を具備し、ＸＹ移動
機構７とマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）９、およびこれ
に接続された移動制御回路91とＴＦＴ駆動回路92を設け
て構成される。受光部６は、結像レンズ61とラインセン
サ62を保持する鏡筒63と、ノブ64の回転より上下に移動
するＺ移動機構64、および距離センサ65とを有し、鏡筒
63の先端に液晶セル部５が固定される。なおラインセン
サ62は、その方向をＹ方向として配置する。ＸＹ移動機
構７は、モータＭ1 とモータＭ2 を有するＹ移動部71お
よびＸ移動部72と、載置台73よりなる。載置台73には光
源４が内蔵され、載置されたＴＦＴ基板12の両面に対し
て照明光を照射する。モータＭ1,Ｍ2 は移動制御回路91
により回転してＹ移動部71とＸ移動部72を駆動して、載
置台73に載置されたＴＦＴ基板12をＸまたはＹ方向に移
動する。
【００１４】以下、図２と図３により、欠陥検査装置１
０におけるＴＦＴ基板12の欠陥検査手順を説明する。ま
ず、距離センサ65によりＴＦＴ素子12a の表面と偏光膜
Ａ512 のギャップΔＧを測定しながら、Ｚ移動機構64の
ノブ641 を回転してギャップΔＧを数μｍに設定する。
ＭＰＵ９の指令によりＴＦＴ駆動回路92より、各ＴＦＴ
素子12a に対して所定の電圧ＶS を印加し、移動制御回
路91によりＸ移動部71を駆動してＴＦＴ基板12をＸ方向
に移動する。前記のように、ＴＦＴ基板12に存在する各
欠陥素子12a'を透過した照明光Ｌは、偏光面が９０°旋
回して偏光膜Ｂ513 を透過し、対応する受光素子621 に
受光され、その出力信号Ｓは逐次に欠陥検出部８に入力
して、信号処理回路81により適当な閾値でノイズが除去
され、欠陥検出回路82において各欠陥素子12a'と、それ
ぞれの受光素子621 のアドレスとが検出され、検出され
たアドレスにより各欠陥素子12a'の位置が特定される。
Ｘ方向の欠陥検査が終了すると、図３に示すように、Ｙ
移動部71によりＴＦＴ基板12を、ラインセンサ62の有効
長に相当する距離Ｙ1 移動してＸ2 方向の検査を行い、
このような区分検査を順次に行ってＴＦＴ基板12の全面
を検査する。各区分検査によりえられた欠陥位置データ
はＭＰＵ９により適当に編集されて出力される。
０におけるＴＦＴ基板12の欠陥検査手順を説明する。ま
ず、距離センサ65によりＴＦＴ素子12a の表面と偏光膜
Ａ512 のギャップΔＧを測定しながら、Ｚ移動機構64の
ノブ641 を回転してギャップΔＧを数μｍに設定する。
ＭＰＵ９の指令によりＴＦＴ駆動回路92より、各ＴＦＴ
素子12a に対して所定の電圧ＶS を印加し、移動制御回
路91によりＸ移動部71を駆動してＴＦＴ基板12をＸ方向
に移動する。前記のように、ＴＦＴ基板12に存在する各
欠陥素子12a'を透過した照明光Ｌは、偏光面が９０°旋
回して偏光膜Ｂ513 を透過し、対応する受光素子621 に
受光され、その出力信号Ｓは逐次に欠陥検出部８に入力
して、信号処理回路81により適当な閾値でノイズが除去
され、欠陥検出回路82において各欠陥素子12a'と、それ
ぞれの受光素子621 のアドレスとが検出され、検出され
たアドレスにより各欠陥素子12a'の位置が特定される。
Ｘ方向の欠陥検査が終了すると、図３に示すように、Ｙ
移動部71によりＴＦＴ基板12を、ラインセンサ62の有効
長に相当する距離Ｙ1 移動してＸ2 方向の検査を行い、
このような区分検査を順次に行ってＴＦＴ基板12の全面
を検査する。各区分検査によりえられた欠陥位置データ
はＭＰＵ９により適当に編集されて出力される。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による欠
陥検出方法および欠陥検査装置においては、液晶パネル
における液晶板の作用原理そのものを欠陥素子の検出原
理とする、いわば直裁的な検出方法により欠陥素子が確
実に検出され、また欠陥検出にはラインセンサを使用
し、その出力信号が迅速に処理されて欠陥検査が高速化
され、さらに、欠陥検査装置においてはＴＦＴ基板を複
数の領域に区分して各領域を順次に検査することによ
り、液晶セル部と受光部を小型化できるなど、数々のメ
リットがあり、ＴＦＴ基板の欠陥検査に寄与する効果に
は優れたものがある。
陥検出方法および欠陥検査装置においては、液晶パネル
における液晶板の作用原理そのものを欠陥素子の検出原
理とする、いわば直裁的な検出方法により欠陥素子が確
実に検出され、また欠陥検出にはラインセンサを使用
し、その出力信号が迅速に処理されて欠陥検査が高速化
され、さらに、欠陥検査装置においてはＴＦＴ基板を複
数の領域に区分して各領域を順次に検査することによ
り、液晶セル部と受光部を小型化できるなど、数々のメ
リットがあり、ＴＦＴ基板の欠陥検査に寄与する効果に
は優れたものがある。
【図１】図１は、この発明の欠陥検出方法の原理の説明
図である。
図である。
【図２】図２は、この発明の欠陥検査装置の一実施例に
おけるブロック構成図である。
おけるブロック構成図である。
【図３】図３は、図２に対する区分検査方法の説明図で
ある。
ある。
【図４】図４は、カラー用の液晶パネルの一例の構成図
である。
である。
【図５】図５は、ＴＦＴ基板と、制御回路の構成図であ
る。
る。
【図６】図６は、光学的の欠陥検出方法の一例の説明図
である。
である。
【図７】図７は、ポッケルス効果による電気光学的な欠
陥検出方法の説明図である。
陥検出方法の説明図である。
１…カラー液晶パネル、11…偏光膜Ａ、12…ＴＦＴ基
板、12a …ＴＦＴ素子、12a'…欠陥素子、13…液晶板、
13a …配向膜、14…透明電極膜（ＩＴＯ膜）、15…カラ
ーフィルタ、15a …３原色画素、16…偏光膜Ｂ、２a …
走査回路、２b …データ回路、３…赤外線カメラ、３a
…光源、３b …カメラ、３c …画像処理部、４…光源、
５…液晶セル部、51…液晶板、511 …配向膜、512 …偏
光膜Ａ、513 …偏光膜Ｂ、52…透明電極膜（ＩＴＯ
膜）、６…受光部、61…結像レンズ、62…ラインセン
サ、621 …受光素子、63…鏡筒、84…Ｚ移動機構、641
…ノブ、65…距離センサ、７…ＸＹ移動機構、71…Ｙ移
動部、72…Ｘ移動部、73…載置台、８…欠陥検出部、81
…信号処理回路、82…欠陥検出回路、９…マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）、91…移動制御回路、92…ＴＦＴ駆動
回路 １０…この発明の欠陥検査装置、ＬＣ…液晶、Ｇ…ゲー
ト線、Ｄ…データ線、Ｃ…コンデンサ、Ｌ…照明光、Δ
Ｇ…ギャップ、Ｅ…ＴＦＴ素子の電界、ＶS …駆動電
圧、Ｍ1,Ｍ2 …モータ。
板、12a …ＴＦＴ素子、12a'…欠陥素子、13…液晶板、
13a …配向膜、14…透明電極膜（ＩＴＯ膜）、15…カラ
ーフィルタ、15a …３原色画素、16…偏光膜Ｂ、２a …
走査回路、２b …データ回路、３…赤外線カメラ、３a
…光源、３b …カメラ、３c …画像処理部、４…光源、
５…液晶セル部、51…液晶板、511 …配向膜、512 …偏
光膜Ａ、513 …偏光膜Ｂ、52…透明電極膜（ＩＴＯ
膜）、６…受光部、61…結像レンズ、62…ラインセン
サ、621 …受光素子、63…鏡筒、84…Ｚ移動機構、641
…ノブ、65…距離センサ、７…ＸＹ移動機構、71…Ｙ移
動部、72…Ｘ移動部、73…載置台、８…欠陥検出部、81
…信号処理回路、82…欠陥検出回路、９…マイクロプロ
セッサ（ＭＰＵ）、91…移動制御回路、92…ＴＦＴ駆動
回路 １０…この発明の欠陥検査装置、ＬＣ…液晶、Ｇ…ゲー
ト線、Ｄ…データ線、Ｃ…コンデンサ、Ｌ…照明光、Δ
Ｇ…ギャップ、Ｅ…ＴＦＴ素子の電界、ＶS …駆動電
圧、Ｍ1,Ｍ2 …モータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｃ 7735−4Ｍ Ｘ 7735−4Ｍ 29/786
Claims (2)
- 【請求項１】被検査のＴＦＴ基板の裏面に照明光を照射
し、該ＴＦＴ基板の表面に接近して、互いに直角方向を
なす偏光膜を上下両面に有する液晶板と、接地された透
明電極板よりなる液晶セル部を配設し、かつ該ＴＦＴ基
板と該液晶セル部とを透過した該照明光を受光する受光
素子を有する光学センサと、該各受光素子の出力信号に
対する欠陥検出部とを設け、該ＴＦＴ基板の各ＴＦＴ素
子に駆動電圧を印加し、該ＴＦＴ基板を該光学センサに
対して相対的に移動し、該ＴＦＴ基板に欠陥素子が存在
するとき、該欠陥素子の電界強度の低下または消失によ
り、前記下面の偏光膜を透過した照明光は上面の偏光膜
を透過し、該透過光を受光した受光素子の出力信号を逐
次に欠陥検出部に入力して該各欠陥素子を検出し、該受
光素子のアドレスにより該各欠陥素子の位置を特定する
ことを特徴とする、ＴＦＴ基板の欠陥検出方法。 - 【請求項２】被検査のＴＦＴ基板を載置し、載置された
該ＴＦＴ基板の裏面に対して照明光を照射する光源を有
する載置台と、該載置台をＸまたはＹ方向に移動するＸ
Ｙ移動機構、該ＴＦＴ基板の表面に対応して設けられ、
互いに直角方向をなす偏光膜を上下両面に有する液晶板
と、接地された透明電極板よりなる液晶セル部と、前記
ＴＦＴ基板と該液晶セル部とを透過した前記照明光に対
する結像レンズ、および該結像された照明光に対する受
光素子を有する受光部、該受光部をＺ移動して該液晶セ
ル部をＴＦＴ基板の表面に接近させるＺ移動機構、該受
光部に接続された欠陥検出部、ならびに、前記ＴＦＴ基
板の各ＴＦＴ素子に対して駆動電圧を印加する駆動回路
とにより構成されたことを特徴とする、ＴＦＴ基板の欠
陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261499A JPH08101404A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｔｆｔ基板の欠陥検出方法および欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261499A JPH08101404A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｔｆｔ基板の欠陥検出方法および欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08101404A true JPH08101404A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17362762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6261499A Pending JPH08101404A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｔｆｔ基板の欠陥検出方法および欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08101404A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007206081A (ja) * | 2001-03-19 | 2007-08-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、検査基板、検査装置 |
| JP2007250254A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
| US7674635B2 (en) | 2001-03-19 | 2010-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US7902845B2 (en) | 2001-03-19 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inspection method and inspection apparatus |
| CN105589230A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-05-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 面板标记侦测方法及面板标记区域的Mura补偿方法 |
| CN111220904A (zh) * | 2018-11-23 | 2020-06-02 | 三星电子株式会社 | 测试互连基板的方法和用于执行该方法的装置 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6261499A patent/JPH08101404A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007206081A (ja) * | 2001-03-19 | 2007-08-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、検査基板、検査装置 |
| US7674635B2 (en) | 2001-03-19 | 2010-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
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| US8664967B2 (en) | 2001-03-19 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inspection method and inspection apparatus |
| US8729548B2 (en) | 2001-03-19 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US9047796B2 (en) | 2001-03-19 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2007250254A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
| CN105589230A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-05-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 面板标记侦测方法及面板标记区域的Mura补偿方法 |
| CN111220904A (zh) * | 2018-11-23 | 2020-06-02 | 三星电子株式会社 | 测试互连基板的方法和用于执行该方法的装置 |
| CN111220904B (zh) * | 2018-11-23 | 2024-04-19 | 三星电子株式会社 | 测试互连基板的方法和用于执行该方法的装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20050525 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050906 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20051020 |