JPH11211423A

JPH11211423A - 基板の測定方法

Info

Publication number: JPH11211423A
Application number: JP1956398A
Authority: JP
Inventors: Yoko Irie; 洋子入江; Hiroya Koshishiba; 洋哉越柴
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-01-30
Filing date: 1998-01-30
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】基材上に形成されたレジスト膜のような透明
または半透明の物体層の厚さを非破壊で高精度に測定す
る。【解決手段】基材２上に透明なレジスト膜３が形成さ
れたプリント基板１をＺステージ４に載置し、これにレ
ジスト膜３側から照明光Ｌを照射する。まず、この照明
光Ｌの焦点位置Ｓが基材２内に位置するように、Ｚステ
ージ４の高さを設定し、そこから順にピッチΔｚずつ降
下させていく。このため、プリント基板１に対しては、
照明光Ｌの焦点位置ＳがΔｚのピッチで順次上昇してい
くことになる。そして、Ｚステージ４のピッチΔｚの夫
々の高さ位置毎に、プリント基板１からの照明光ＬをＣ
ＣＤカメラ１０が受光し、得られる夫々の画像データ毎
に画像の鮮明度を検出し、この鮮明度の分布から２つの
鮮明度が極大となるＺステージ４の高さ位置を求め、こ
れら高さ位置からレジスト膜３の厚さを求める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、工業製品の外観検
査に係り、特に、プリント基板などの回路基板の基材に
塗布されたレジスト膜などの透明または半透明な物体層
の厚さなどを測定する基板の測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プリント基板の製法は、ビルドア
ップ製法が主流となってきている。このビルドアップ製
法とは、基材の上に配線パターンや絶縁のためのレジス
ト膜を交互に１層ずつ積み上げていく製法である。その
ために、レジスト膜の厚さの誤差は非常に小さくする必
要があり、また、レジスト膜は高精度な平坦度を保つ必
要がある。従って、レジスト膜の膜厚測定の必要性が高
まってきている。

【０００３】このために、従来では、機械的に直接膜厚
を測定する方法や光学測定機器を用いて膜厚を測定する
方法など、種々の方法が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、レジストを塗
布した後、レジスト膜の厚さを機械的に直接測定する方
法としては、レジスト膜を部分的にレーザなどで除去し
て厚さを測定する方法があるが、これは破壊検査であっ
て、製品となるプリント基板を破壊してしまうことにな
る。また、厚みゲージでレジスト膜の塗布部分と塗布さ
れていない部分との厚さを夫々測定し、これら測定され
た厚さの差をレジスト膜の厚さとする方法があるが、そ
の測定精度は低いものである。

【０００５】光学測定機器を用いてレジスト膜の膜厚を
測定する方法としては、その１つとして、干渉計を用た
方法が知られている（例えば、「干渉色を利用した膜厚
測定装置の開発」中央精機（株））。しかし、これは、
ウエハ表面上の１〜１０μｍ程度のレジスト膜厚を測定
するものであり、プリント基板上のレジスト膜のよう
に、３０〜１００μｍの厚さを測定することはできな
い。

【０００６】また、共焦点方式でレジスト膜の厚さを測
定する方法が知られている（例えば、特開平8ー210818
号公報)。しかし、この方法は、共焦点光学系を必要と
するために、光学系の構成が複雑であり、従って、非常
に高額な装置を必要とする。

【０００７】一方、検出した信号から物体の３次元形状
を再現する方法は数多く知られている。例えば、特開昭
63ー131116号公報には、対象物からの反射光をレンズで
集光し、その集光位置にピンホールを配置して対象物の
立体形状を検出する共焦点と呼ばれる方法が開示されて
いる。また、特開平3ー63507号公報には、検出位置を連
続的に変化させて複数の画像を得、得られた画像群にお
ける各画素の空間分解能、即ち、ぼけ量から焦点位置を
求めることにより、対象物の３次元形状を検出する、一
般に、SFF(Shape From Focus）と呼ばれる方法が開示さ
れている。

【０００８】しかし、これらは対象物の表面形状を求め
る検出方法であり、透明または半透明な物体の厚さを測
定することはできない。

【０００９】本発明の目的は、かかる問題を解消し、レ
ジスト膜のような透明または半透明な物体層の厚さなど
を、非破壊で高精度に、かつ単純な光学系を用いて測定
することができるようにした基板の測定方法で提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、従来対象物表面の立体形状を検出するた
めに用いられていた上記のSFF(Shape From Focus)検出
方法における中間出力である鮮明度、即ち、焦点測度
（焦点の合い具合を示す値）の分布を用いて、基材上の
透明または半透明な塗布膜の厚さを測定するものであ
る。

【００１１】即ち、この塗布膜側から該基板に照明光を
照射し、その照明光の焦点位置を順次異ならせ、該塗布
膜を透過した光を検出して夫々の焦点位置毎に画像を
得、得られた各画像の鮮明度を求める。この鮮明度は、
例えば、画像の２次微分値でよい。照射光が塗布膜の表
面や底面（塗布膜と基材との界面）に合焦した場合に
は、その表面あるいは底面の模様がはっきり検出できる
ので、このとき得られる画像の２次微分値は極大値を示
す。また、塗布膜の表面と底面との間、即ち、塗布膜の
内部で照射光が合焦したときには、２次微分値は小さく
なる。従って、２次微分値のこれら２つの極大値を示す
焦点位置の差からこの塗布膜の厚さを求めることができ
る。

【００１２】また、上記塗布膜と基材との界面に合焦し
たときに、画像の２次微分値が極大値を示すためには、
塗布膜と基材との界面の模様が明瞭に得られなければな
らない。しかし、塗布膜と基材との接着部分では、基材
の凹凸を塗布膜が埋めて密着しており、模様が明瞭に得
られない場合がある。このような場合には、塗布膜と基
材との界面に照射光が合焦しても、そのとき得られる画
像の２次微分値は明確な極大値を示さない。

【００１３】ところで、プリント基板の場合、一般に、
その基材の表面に金属の配線パターンが形成されてお
り、さらに、その配線パターンを覆うように、基材上に
レジストが塗布される。この場合、配線パターンの厚さ
は、設計で決定されていて既知である。

【００１４】そこで、本発明は、かかるプリント基板の
レジスト膜の膜厚を測定する場合、直交位の偏光照明，
偏光検出、即ち、照明光の偏光方向と同じ偏光方向の検
出光をカットする偏光照明，偏光検出を用いるものであ
り、基材上の配線パターンが設けられた部分とこれが設
けられていない部分との境目が視野内に入るように、照
明光を照射する。

【００１５】これによると、配線パターンは暗く、ま
た、基材の表面は明るく検出される。これにより、基材
上の配線パターンが設けられた部分とこれが設けられて
いない部分との境目が明瞭に検出されるから、この配線
パターンが形成されている部分と形成されていない部分
との境界の２次微分値は、照明光の合焦時、極大値を示
すことになる。このときの焦点位置が配線パターンの表
面の位置である。従って、この配線パターンの表面の焦
点位置とレジスト膜の表面に照明光が合焦したときの焦
点位置との差に既知である配線パターンの厚さを加える
ことにより、レジスト膜の厚さを求めることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図１は本発明による回路基板の測定方
法の第１の実施形態を適用した測定装置を示す構成図で
あって、１はプリント基板、２は基材、３はレジスト
膜、４はＺステージ、５はハロゲンランプ、６は照明レ
ンズ、７はハーフミラー、８は対物レンズ、９は結像レ
ンズ、１０はＣＣＤカメラ、１１は画像取込ボード、１
２はワークステーション、１３はステージコントローラ
ドライバ、１４は通信回線、１５は専用配線、Ｓは焦点
位置、Ｌは照明光である。ここで、この実施形態はプリ
ント基板１上のレジスタ膜３の膜厚を測定するものとす
る。

【００１７】同図において、試料であるプリント基板１
は、エポキシで形成された基材２上に透明なレジスタ膜
３が塗布されているものであり、このレジスタ膜３の膜
厚測定のために、Ｚステージ４上に載置される。Ｚステ
ージ４は、専用配線１５を介してステージコントローラ
ドライバ１３に接続され、また、このステージコントロ
ーラドライバ１３はワークステーション１２と、例え
ば、RS232−C規格の通信回線１４で接続されており、ワ
ークステーション１２から制御信号が供給されるステー
ジコントローラドライバ１３によって駆動されることに
より、矢印で示すｚ方向（即ち、プリント基板１の載置
面に垂直な方向であって、また、これに載置されたプリ
ント基板１の厚み方向）に移動可能となっている。

【００１８】このようにＺステージ４にプリント基板１
が載置された状態で、ハロゲンランプ５から照明光Ｌが
出射され、照明レンズ６，ハーフミラー７及び対物レン
ズ８を介してプリント基板１に照射される。そして、プ
リント基板１の基材２の表面などからの反射光は、対物
レンズ８，ハーフミラー７及び結像レンズ９を介してＣ
ＣＤカメラ１０に受光され、光電変換されて画像信号が
得られる。この画像信号は、画像取込ボード１１で画像
データに変換された後、ワークステーション１２に取り
込まれる。

【００１９】なお、対物レンズ８，結像レンズ９の光軸
はＣＣＤカメラ１０の受光面の中心と一致しており、プ
リント基板１からの光の対物レンズ８と結像レンズ９と
を介して受光される範囲がＣＣＤカメラ１０の視野であ
る。ここでは、この視野の中心が受光面の中心となるよ
うにしている。

【００２０】次に、図２〜図５により、図１に示す測定
装置の動作、即ち、本発明による回路基板の測定方法の
第１の実施形態について説明する。但し、図２は図１に
示した測定装置の動作シーケンスを示すフローチャー
ト、図３は膜厚測定のためのＺステージ４の移動動作を
示す図、図４及び図５は図１におけるワークステーショ
ン１２における処理を示す図である。

【００２１】ワークステーション１２が通信回線１４を
介してステージコントローラドライバ１３に移動指令を
送ると、ステージコントローラドライバ１３は専用配線
１５を介してＺステージ４に駆動信号を送り、これによ
り、Ｚステージ４はワークステーション１２からの移動
指令に応じた距離だけ移動する。

【００２２】そこで、図２において、Ｚステージ４は、
プリント基板１が載置された後、ワークステーション１
２からの移動指令により、まず、初期状態として、ｚ方
向の予め決められた座標位置ｚ＝ｚ_maxに設定される(ス
テップ２０１）。図３(ａ)はこの初期状態を示してお
り、Ｚステージ４は最も上昇された位置にあって、照明
光Ｌの焦点位置Ｓはレジスタ膜３の底面（即ち、基材２
側の面）よりも下側（即ち、基材２内）にある。

【００２３】そして、ワークステーション１２は、Ｚス
テージ４がこのｚ＝ｚ_maxの位置にあるときのＣＣＤカ
メラ１０からの画像信号を、画像取込ボード１１を介
し、画像データＩ(ｚ)として取り込み(ステップ２０
２）、その２次微分値Ｉ"(ｚ)（ここでは、画像の鮮明
度、即ち、焦点測度として、２次微分値Ｉ"(ｚ)を用い
るものとしている)を求める(ステップ２０３）。この処
理が終わると、ワークステーション１２はステージコン
トローラドライバ１３に移動指令を送り、Ｚステージ４
をｚ方向に所定の微小ピッチΔｚだけ移動（降下）させ
る(ステップ２０４)。これにより、Ｚステージ４は初期
位置ｚ＝ｚ_maxからピッチΔｚだけ降下したｚ座標位置ｚ＝ｚ_max−Δｚ＝ｂにあることになるが、この状態を図３(ｂ）に示す。

【００２４】このｚ方向の座標位置ｚ＝ｂで予め決めら
れた最降下位置ｚ＝ｚ_minに達していなければ(ステップ
２０５)、Ｚステージ４がこのｚ方向の座標位置ｚ＝ｂ
にある状態でステップ２０２〜２０５の動作を行ない、
このときの画像データＩ(ｚ)の２次微分値Ｉ"(ｚ) を求
める。

【００２５】以下同様にして、Ｚステージ４を微小ピッ
チΔｚずつｚ方向に移動させることにより、図３(ｃ）,
(ｄ）,(ｅ)に示す順に状態を変えていき、夫々の状態毎
に画像データＩ(ｚ)の２次微分値Ｉ"(ｚ)を求める。そ
して、ｚ＝ｚ_minを越えると（ステップ２０５。なお、
このステップ２０５での図示するｚ＞ｚ_minは、Ｚステ
ージ４のｚ方向の座標位置がｚ＝ｚ_minの位置よりも降
下したことを示す）、以上の動作を終了する。

【００２６】このようにして、ｚ方向の座標位置ｚ＝ｚ
_max〜ｚ_minまで範囲でのＺステージ４の微小ピッチΔｚ
ずつ異なる位置での、即ち、図３(ａ）,(ｂ）,(ｃ）,
(ｄ),（ｅ）に示す夫々の状態での画像データＩ(ｚ)の
２次微分値Ｉ"(ｚ)が求まることになる。

【００２７】ここで、２次微分の演算としては、例え
ば、ラプラシアン演算を用いることができる。図４はラ
プラシアンによる２次微分演算を説明するための図であ
って、１マスを１画素としてとして、○印で示す画素を
画素ｐ₀とし、この画素ｐ₀からピッチΔｘ，Δｙ離れた
４個の△印で示す画素を夫々ｐ₁,ｐ₂,ｐ₃,ｐ₄として、 ○印で示す画素ｐ₀のデータ値：Ｉ(ｘ,ｙ,ｚ） △印で示す画素ｐ₁のデータ値：Ｉ(ｘ−Δｘ,ｙ,ｚ） △印で示す画素ｐ₂のデータ値：Ｉ(ｘ＋Δｘ,ｙ,ｚ） △印で示す画素ｐ₃のデータ値：Ｉ(ｘ,ｙ＋Δｙ,ｚ） △印で示す画素ｐ₄のデータ値：Ｉ(ｘ,ｙ−Δｙ,ｚ）とすると、画素ｐ₀に対する２次微分値Ｉ"(ｘ,ｙ,ｚ)、
即ち、２次微分値Ｉ"(ｚ）のラプラシアン演算は、Ｉ"(ｘ,ｙ,ｚ)＝|２I(ｘ,ｙ,ｚ)−I(ｘ−△ｘ,ｙ,ｚ)−I(ｘ＋△ｘ,ｙ,ｚ)| ＋|２I(ｘ,ｙ,ｚ)−I(ｘ,ｙ−△ｙ,ｚ)−I(ｘ,ｙ＋△ｙ,ｚ)| ……（１）で表わされる。

【００２８】ここで、かかる２次微分演算は、必ずしも
ＣＣＤカメラ１０(図１)で得られる画像全面に対して行
なう必要はなく、視野内の測定したい領域に対してのみ
行なうようにしてもよい。例えば、測定したいポイント
をＣＣＤカメラ１０の視野中心に配置し、視野の中心付
近の所定数の画素に対してのみ演算を行なえばよい。上
記の場合には、照明光Ｌはこれら画素を含むようにプリ
ント基板１に照射されるものであって、測定したいポイ
ントが画素ｐ₀、視野の中心付近の所定数の画素が画素
ｐ₁,ｐ₂,ｐ₃,ｐ₄であり、上記式（１）でのｘ,ｙ,ｚ及
びΔｘ,Δｙの値は一定である。Ｚステージ４は、図示
しない手段により、ｚ方向に垂直なｘ，ｙ方向にも移動
可能であり、上記のように画素ｐ₀,ｐ₁,ｐ₂,ｐ₃,ｐ₄ の
位置を設定するために、Ｚステージのｘ，ｙ方向の位置
を調整することができる。

【００２９】以上のように膜厚の測定を行なった場合、
図３(ａ)に示すｚ＝ｚ_max のＺステージ４の状態で、上
記のように、照明光Ｌの焦点位置Ｓがレジスタ膜３の底
面よりも下方の基材２内にあるが(勿論、この場合に
は、照明光Ｌは、集束する前に、基材２の表面で反射さ
れる)、いま、図３(ｂ)に示すｚ＝ｂ(＝ｚ_max−Δｚ)の
Ｚステージ４の状態で照明光Ｌの焦点位置Ｓがレジスタ
膜３の底面に一致し、図３（ｃ）に示すｚ＝ｃ(＝ｚ_max
−２・△ｚ）の状態で照明光Ｌの焦点位置Ｓがレジスタ
膜３の表面と底面との間、即ち、レジスタ膜３の内部に
あり、図３(ｄ)に示すｚ＝ｃ(＝ｚ_max−３・△ｚ）のＺ
ステージ４の状態で照明光Ｌの焦点位置Ｓがレジスタ膜
３の表面に一致し、図３(ｅ)に示すｚ＝ｚ_min（＝ｚ_max
−４・△ｚ）のＺステージ４の状態で照明光Ｌの焦点位
置Ｓがレジスタ膜３の表面の上側にあるものとする。

【００３０】ここで、ｚ＝ｚ_max，ｂ，ｃ，ｄ，ｚ_minで
の２次微分値Ｉ"(ｚ）を夫々Ｉ"(ｚ_max）,Ｉ"(ｂ）,Ｉ"(ｃ）,Ｉ"(ｃ），Ｉ"
(ｚ_min）とし、Ｚステージ４のｚ座標を横軸としてかかる２次微
分値をプロットすると、図５に示されるようになる。

【００３１】レジスタ膜３の表面や底面、基材２の表面
などは、完全な平面ではなく、わずかではあるが、細か
い凹凸があって、この凹凸によって模様が形成されてい
る。そこで、照明光Ｌがこのレジスタ膜３の表面や底
面、基材２の表面に合焦すると、ＣＣＤカメラ１０から
みると、かかる模様がはっきり見えることになる。この
ように模様がはっきりする画像データＩ(ｚ）がこのＣ
ＣＤカメラ１０から画像取込ボード（図１）を介して得
られると、この画像データＩ(ｚ)のこの２次微分値Ｉ"
(ｚ）は、上記式（１）から明らかなように、合焦位置
がかかる面からずれて模様がはっきりしない場合に比
べ、大きな値となる。

【００３２】従って、図５に示すように、図３（ｂ）に
示すＺステージ４の座標位置がｚ＝ｂ、即ち、レジスタ
膜３の底面に照明光Ｌの焦点位置Ｓが一致したときと、
図３（ｄ）に示すＺステージ４の座標位置がｚ＝ｄ、即
ち、レジスタ膜３の表面に照明光Ｌの焦点位置Ｓが一致
したときとで２次微分値Ｉ"(ｚ)は極大値となる。この
ことから、まず、２つの極大の２次微分値Ｉ"(ｚ)での
距離差ｔ'として、ｔ'＝│ｂ−ｄ│ ……（２）求め、レジスタ膜３の屈折率をＮとすると、このレジス
タ膜３の真の膜厚ｔが、ｔ＝Ｎ×ｔ’ ……（３）として求めることができる。

【００３３】ところで、上記の説明では、Ｚステージ４
は図３に示した５通りの状態をとるものとし、そのうち
のｚ＝ｂのときに照明光Ｌの合焦点Ｓがレジスタ膜３の
底面に一致して（即ち、照明光Ｌがレジスタ膜３の底面
に合焦して）、そのときの２次微分値Ｉ"(ｚ)が極大値
となり、また、ｚ＝ｄのときに照明光Ｌの合焦点Ｓがレ
ジスタ膜３の表面に一致してそのときの２次微分値Ｉ"
(ｚ)が極大値となるものとしたが、Ｚステージ４のピッ
チ△ｚが大きい場合には２次微分値Ｉ"(ｚ)が極大値を
とるときの座標位置ｚ＝ｂと真の極大値をとる座標位置
との間で最大ピッチ△ｚの誤差が発生する。

【００３４】これに対処するためには、ピッチ△ｚを小
さくとるようにすればよいが、そうしなくとも、以下の
ように補間法を用いることにより、ピッチ△ｚを比較的
大きな値としながら、実際に２次微分値Ｉ"(ｚ)が極大
値をとる座標位置ｚを精度良く求めることができる。

【００３５】即ち、上記のように画像データＩ(ｚ)の２
次微分値Ｉ"(ｚ)を求めたところ、図６に示すように、
座標位置ｚ＝ｂで２次微分値Ｉ"(ｚ)が極大値であった
とする。これに対し、この２次微分値Ｉ"(ｂ)が真の極
大値が否かを判定するために、座標位置ｚ＝ｂから上下
Δｚだけ離れている同様にして測定した座標位置ｚ＝ｂ
±Δｚでの２次微分値Ｉ"(ｂ−Δｚ)，Ｉ"(ｂ＋Δｚ)を
比較し、Ｉ"(ｂ−Δｚ)＝Ｉ"(ｂ＋Δｚ) であるときには、上記の２次微分値Ｉ"(ｂ)を真の極大
値とするが、Ｉ"(ｂ−Δｚ)≠Ｉ"(ｂ＋Δｚ) のときには、２次微分値Ｉ"(ｂ)を真の極大値とせず、
図６に示すように、２次微分値Ｉ"(ｂ＋Δｚ)，Ｉ"
(ｂ)，Ｉ"(ｂ−Δｚ)がガウス分布に近似していると仮
定して、これら間の補間を行ない、得られる分布から２
次微分値Ｉ"(ｚ)の真の極大値での座標位置ｚ＝ｚ_peak
を求めるようにする。

【００３６】これにより、２次微分値Ｉ"(ｚ)が極大値
をとる座標位置ｚの測定誤差をピッチ△ｚよりも充分小
さくできて、この座標位置ｚの測定精度が著しく向上す
る。勿論、かかる演算はワークステーション１２(図１)
で行なわれるようにする。

【００３７】以上では、基材２に１層のレジスタ膜３が
設けられているプリント基板１を例として説明したが、
図７に示すように、基材２上に複数のレジスト膜３１，
３２が順次積層されたプリント基板１もあり、このよう
なプリント基板１に対しても、夫々のレジスタ膜３１，
３２の膜厚を測定することができる。

【００３８】即ち、このようなプリント基板１について
も、これを図１に示す測定装置のＺステージ４に載置
し、図２，図３で説明したようにして、Ｚステージ４を
ピッチΔｚずつ移動させる毎に画像データＩ(ｚ）の２
次微分値Ｉ"(ｚ)を求めると、レジスト膜３１の底面と
レジスト膜３１，３２の境界面とレジスト膜３２の表面
とに夫々照明光Ｌの焦点位置Ｓが一致したとき、極大の
２次微分値Ｉ"(ｚ)が得られる。従って、得られた２次
微分値Ｉ"(ｚ)を、上記のように、プロットしてグラフ
に示すと、図８に示すようになる。

【００３９】この図８において、座標位置ｚ＝ｚ₁，
ｚ₂，ｚ₃で２次微分値Ｉ"(ｚ)が極大値をとるとする
と、座標位置ｚ＝ｚ₁は、照明光Ｌの焦点位置Ｓが図７
に示すプリント基板１のレジスト膜３１の底面(即ち、
レジスト膜３１での基材２側の面）に一致したときのＺ
ステージ４のｚ方向の座標位置であり、ｚ＝ｚ₂は、照
明光Ｌの焦点位置Ｓが図７に示すプリント基板１のレジ
スト膜３１の表面(従って、レジスト膜３２の底面）に
一致したときのＺステージ４のｚ方向の座標位置であ
り、ｚ＝ｚ₃ は、照明光Ｌの焦点位置Ｓが図７に示すプ
リント基板１のレジスト膜３２の表面に一致したときの
Ｚステージ４のｚ方向の座標位置である。

【００４０】そこで、いま、レジスト膜３１，３２の屈
折率を夫々Ｎ₁，Ｎ₂とすると、上記式（２）,（３）に
より、これらレジスト膜３１，３２の膜厚ｔ₁，ｔ₂は夫
々、ｔ₁＝Ｎ・│ｚ₁−ｚ₂│ ｔ₂＝Ｎ・│ｚ₂−ｚ₃│ として求めることができる。

【００４１】一般に、ｍ層のレジスト膜が基材２上に順
次積層されているプリント基板１に対しては、図１に示
す測定装置により、２次微分値Ｉ"(ｚ)の極大値が(ｍ＋
１）個の座標位置ｚで生ずることになり、これらの座標
位置ｚからこれらｍ層夫々のレジスト膜の膜厚を求める
ことができる。

【００４２】なお、上記の実施形態は、レジスト膜の屈
折率Ｎを既知としてプリント基板１に積層されたレジス
ト膜の膜厚を測定するものであったが、この実施形態の
応用例として、図１に示した測定装置を用いてプリント
基板１のレジスト膜の屈折率Ｎの測定方法を説明する。

【００４３】膜厚の測定対象とするプリント基板のレジ
スト膜と同じレジスト膜が設けられたサンプル基板を用
意し、まず、図１に示した測定装置を用いて図６や図８
で示したような２次微分値Ｉ"(ｚ)の座標位置ｚ₁，ｚ₂
を求め、上記式(２)に示すように、これら間の距離差
ｔ'をｔ'＝│ｚ₁−ｚ₂│ として求める。

【００４４】次いで、このサンプル基板のレジスト膜の
一部をレーザで剥離し、レジスト膜の表面と底面との間
の距離を求める。これがこのレジスト膜の真の膜厚ｔで
ある。しかる後、この真の膜厚ｔと上記の距離差ｔ' と
を上記式(３）に代入することにより、このレジスト膜
の屈折率Ｎが得られることになる。

【００４５】このようにして、レジスト膜の屈折率が求
められると、同じレジスト膜を用いた実際の製品として
のプリント基板でのこのレジスト膜の膜厚を、上記のよ
うにして、求めることができる。

【００４６】ところで、レジスト膜と基材との界面に照
明光を合焦したときに焦点測度が極大値を示すようにす
るためには、レジスト膜と基材との界面の模様が明瞭で
なければならない。しかし、レジスト膜と基材との接着
部分では、基材の凹凸をレジストが埋めてこれらが密着
しており、模様が明瞭でない場合がある。このような場
合には、レジスト膜と基材との界面に照明光が合焦して
も、焦点測度が明確な極大値を示さない。

【００４７】プリント基板の製法として、ビルドアップ
製法が知られている。これは、基材の上に配線パターン
や絶縁のためのレジスト膜を交互に１層ずつ積み上げて
いく製法であり、図９はかかるビルトアップ製法で製造
されたプリント基板の断面を示すものである。

【００４８】同図において、スルーホール１６が適宜設
けられた基材２の両面に、金属の配線パターン１７が適
宜形成され、かかる配線パターン１７を被うように、所
定の厚さでレジスト膜３が形成される。そして、かかる
レジスト膜３の表面にも金属の配線パターン１７が適宜
形成され、また、レジスト膜３にビアホール１８が適宜
形成され、これに金属膜を形成することにより、基材２
の表面に形成された所定の配線パターン１７とレジスト
膜３の表面の所定の配線パターン１７とを接続するよう
にしている。スルーホール１６も、同様にして、基材２
の両面に形成された配線パターンを接続するのに用いら
れる。

【００４９】このように、基材２上に配線パターン１７
が設けられたプリント基板１でのレジスト膜３の厚さを
測定する場合、かかる配線パターンを利用することによ
り、得られる画像の２次微分値Ｉ"（ｚ）の極大値が明
瞭に現われるようにすることができる。

【００５０】図１０はかかるプリント基板を簡略化して
示す図であって、２ａは基材の表面、３ａはレジスト膜
の表面、１７ａは配線パターン１７の表面、１９は境
界、１９ａは配線パターン１７の表面１７ａの辺であ
り、前出図面に対応する部分には同一符号を付けてい
る。

【００５１】同図において、このプリント基板１では、
基材２の表面２ａの一部に金属の配線パターン１７が形
成されており、さらに、この配線パターン１７を覆うよ
うに、基材２上にレジスト膜３が塗布されている。基材
２の表面２ａでの境界１９は、配線パターン１７が形成
されている部分と形成されていない部分との境を表わす
ものであり、また、配線パターン１７の表面１７ａの辺
１９ａはこの境界１９の真上にあって、この境界１９に
平行である。

【００５２】かかるプリント基板１において、レジスト
膜３の膜厚を測定するものであるが、ここで、測定対象
となるのは、基材２の表面２ａからレジスト膜３の表面
３ａまでの膜厚ｔである。なお、配線パターン１７の厚
さをｈとし、配線パターン１７の表面１７ａ上に塗布さ
れているレジスト膜３の膜厚をｈ'とすると、求めよう
とするレジスト膜３の膜厚ｔは、ｔ＝ｈ＋ｈ’ である。ここで、配線パターン１７の厚さｈは設計で決
定され、従って、既知である。

【００５３】このようなプリント基板１についても、先
に図３などで説明した第１の実施形態のように、基材２
の表面２ａの配線パターン１７が形成されていない部分
に対して測定を行なうことにより、レジスト膜３の膜厚
ｔを測定することができれば、それでよいが、ここで
は、照明光Ｌを基材２の表面２ａに合焦させても、明確
な模様を検出することができず、従って、この場合の画
像データＩ(ｚ)の２次微分値Ｉ"(ｚ）が明確な極大値を
表わさないものとする。従って、この場合には、上記第
１の実施形態を用いることができない。

【００５４】そこで、かかるプリント基板１に対して
は、本発明の第２の実施形態として、上記のように、基
材２の表面２ａの代わりに、配線パターン１７の表面１
７ａでの辺１９ａを利用するものであって、以下、図１
１及び図１２により、この第２の実施形態について説明
する。

【００５５】図１１はこの第２の実施形態を用いた測定
装置を示す構成図であって、２０はポラライザ（偏光
子）、２１はアナライザ（検光子）であり、図１及び図
１０に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明
を省略する。

【００５６】同図において、この第２の実施形態は偏光
方式によるものであって、照明レンズ６とハーフミラー
７との間にポラライザ２０を、また、ハーフミラー７と
結像レンズ９との間にアナライザ２１を夫々設けたもの
である。これ以外の構成は図１に示した測定装置と同様
である。

【００５７】ハロゲンランプ５から出射される照明光Ｌ
は、ポラライザ２０で偏光方向が一定の照明光Ｌ'に変
換された後、図１に示した測定装置と同様に、プリント
基板１にレジスト膜３側から照射される。照射された偏
光光Ｌ'はプリント基板１で反射され、その反射光は、
図１に示した測定装置と同様に、対物レンズ８とハーフ
ミラー７を通った後、アナライザ２１と結像レンズ９を
介して検出光Ｌ"としてＣＣＤカメラ１０に受光され
る。

【００５８】ここで、ポラライザ２０とアナライザ２１
とは直交位、即ち、偏光格子が直交するように配置され
ており、照明光Ｌ'の偏光方向と同じ偏光方向の検出光
Ｌ"をカットする。

【００５９】この第２の実施形態では、まず、基材２の
表面２ａの境界１９の画像がＣＣＤカメラ１０の視野の
中心を横切るような位置になるように、Ｚステージ４の
ｘ，ｙ方向の位置調整を行なうことにより、プリント基
板１の初期位置を設定する。

【００６０】かかる設定の後、照明光Ｌ'がプリント基
板１に照射されると、金属からなる配線パターン１９の
表面では、この照明光Ｌ'と偏光方向が同じ正反射光が
生じ、これがアナライザ２１でカットされてＣＣＤカメ
ラ１０に受光されない。これに対し、基材２の表面２ａ
では、照明光Ｌ'が乱反射して散乱光が生ずる。この散
乱光は偏光方向がランダムであり、このため、偏光方向
Ｌ'とは異なる成分がアナライザ２１を通過してＣＣＤ
カメラ１０に受光される。この結果、ＣＣＤカメラ１０
が検出する画像は、基材２の配線パターン１７が形成さ
れていない表面２ａの部分で明るく、配線パターン１７
の表面１７ａの部分で暗く、境界１９がこれら明るい部
分と暗い部分の境目として現われる。

【００６１】この第２の実施形態においても、図２，図
３で説明したのと同様に、Ｚステージ４をｚ方向にピッ
チΔｚで順次移動（降下）させ、その移動毎に画像デー
タＩ(ｚ）の２次微分値Ｉ"（ｚ）を求め、得られた２次
微分値Ｉ"（ｚ）のＺステージ４のｚ座標位置に対する
分布からその極大値を呈するｚ座標位置を求めてレジス
ト膜３の膜厚ｔを求めるようにするものであるが、この
２次微分値Ｉ"（ｚ）の極大値は、照明光Ｌ'の焦点位置
Ｓが配線パターン１７の表面１７ａを含む平面に一致し
た（以下、これを照明光Ｌ'が配線パターン１７の表面
１７ａに合焦するという）ときと照明光Ｌ'の焦点位置
Ｓがレジスト膜３の表面３ａに一致したとき（即ち、照
明光Ｌ'がレジスト膜３の表面３ａに合焦していると
き）とで現われる。前者については、照明光Ｌ'が配線
パターン１７の表面１７ａに合焦したときには、ＣＣＤ
カメラ１０で検出される画像でレジスト膜１７の表面１
７ａの辺１９ａの画像が最も明確になるからである。

【００６２】このようにして、いま、照明光Ｌ'が配線
パターン１７の表面１７ａに合焦して２次微分値Ｉ"
(ｚ)が極大となったときのＺステージ４のｚ座標値をｚ
＝ｚ_aとし、また、照明光Ｌ'の焦点位置Ｓがレジスト膜
３の表面３ａに一致して２次微分値Ｉ"（ｚ）が極大と
なったときのＺステージ４のｚ座標値をｚ＝ｚ_bとし、
このレジスト膜３の屈折率をＮとすると、配線パターン
３上でのレジスト膜３の膜厚ｈ'を、ｈ'＝Ｎ×│ｚ_a−ｚ_b│ として求めることができ、従って、基材２上に塗布され
たレジスト膜３の膜厚ｔは、ｔ＝ｈ'＋ｈとなる。ここで、ｈは、上記のように、また、図１０に
示すように、配線パターン１７の厚さであり、これは既
知である。

【００６３】このように、配線パターン１７の表面１７
ａと基材２の表面２ａとの境界１９にあるこの表面１７
ａの辺１９ａが最もはっきり見えるＺステージ４のｚ座
標位置を、得られた画像データＩ(ｚ）の２次微分値Ｉ"
（ｚ）から求めるものであるが、図１０に示すように、
照明光Ｌ'が照射される部分が配線パターン１７と基材
２のみの部分とに境界１９によって２分されているもの
であれば、照射光Ｌ’がレジスト膜１７の表面１７ａを
含む平面に合焦していることを検出するために用いる画
像の鮮明度として、画像データＩ(ｚ）の１次微分値Ｉ'
(ｚ)でも充分である。

【００６４】図１２はこの１次微分値Ｉ'(ｚ)の説明図
である。図１２(ａ)は、図１１において、照明光Ｌ'の
焦点位置Ｓが配線パターン１７の表面１７ａよりもピッ
チΔｚだけ下側にある場合を示しており、このときに得
られる画像を図１２(ａ) ,（１）で示すと、配線パター
ン１７の部分と基材２の表面２ａとの境がぼけており、
その分断線Ａ−Ａに沿う画像データＩ(ｚ)の波形は図１
２(ａ）,（２)に示すようになる。この波形の立上りは
プリント基板１での境界１９を表わすものであり、この
場合、照明光Ｌ'の焦点位置Ｓが配線パターン１７の表
面１７ａからずれているため、緩やかとなっている。こ
こで、かかる画像の鮮明度として１次微分値Ｉ'(ｚ)を
用いる場合、この図１２(ａ),(２)に示す波形の１次微
分値Ｉ'(ｚ)を求めるのであるが、かかる波形に対する
１次微分値Ｉ'(ｚ)＝Ｄ(ｂ＋Δｚ）は、図１２(ａ），
(３）で示すように、小さい値となって極大とはならな
い。

【００６５】図１２(ｂ)は、図１１において、照明光
Ｌ'が配線パターン１７の表面１７ａに合焦した場合を
示しており、このときに得られる画像を図１２(ｂ) ,
(１)で示すと、配線パターン１７の部分と基材２の表面
２ａとの境がはっきりしており、その分断線Ａ−Ａに沿
う画像データＩ(ｚ)の波形は図１２(ｂ）,(２)に示すよ
うになる。この波形の立上りはプリント基板１での境界
１９を表わすものであり、この場合、照明光Ｌ'が配線
パターン１７の表面１７ａに合焦しているので、急峻な
ものとなる。そこで、かかる波形の１次微分値Ｉ'(ｚ)
を求めると、求めた１次微分値Ｉ'(ｚ)＝Ｄ(ｂ）は、図
１２(ａ），(３）で示すように、非常に大きな値となっ
て極大となる。

【００６６】図１２(ｃ)は、図１１において、照明光
Ｌ'の焦点位置Ｓが配線パターン１７の表面１７ａより
もピッチΔｚだけ上側にある場合を示しており、このと
きに得られる画像を図１２(ｃ) ,(１)で示すと、その分
断線Ａ−Ａに沿う画像データＩ(ｚ)の波形は図１２
（ｃ）,(２)に示すようになる。この波形の立上りはプ
リント基板１での境界１９を表わすものであり、この場
合、照明光Ｌ'の焦点位置Ｓが配線パターン１７の表面
１７ａからずれているため、緩やかとなっている。そこ
で、かかる波形の１次微分値Ｉ'(ｚ)を求めると、求め
た１次微分値Ｉ'(ｚ)＝Ｄ(ｂ−Δｚ）は、図１２
(ｃ），(３）で示すように、小さい値となって極大とは
ならない。

【００６７】以上のようにして、１次微分値Ｉ'(ｚ)を
用いた場合でも、照明光Ｌ'が配線パターン１７の表面
１７ａに合焦した場合のＺステージ４のｚ座標位置を検
出することができる。勿論、Ｚステージ４をピッチΔｚ
ずつ移動させて測定を行なうときには、照明光Ｌ'を配
線パターン１７の表面１７ａに合焦させることができな
い場合もある。このようなために、先に図６で説明した
ように、実際に得られた２次微分値Ｉ"(ｚ）や１次微分
値Ｉ'(ｚ）と補間法とを用いて微分値の連続的な分布を
求めるようにすればよい。

【００６８】なお、このように１次微分値Ｉ'(ｚ)を用
いる場合も、レジスト膜３の表面での照明光Ｌ'の合焦
を検出するためには、画像データＩ(ｚ)の２次微分値
Ｉ"(ｚ)を用いる。この場合、図３に示したように、Ｚ
ステージ４をピッチΔｚずつ降下させるようにして測定
するときには、まず、降下させる毎に得られる画像デー
タＩ(ｚ)に対し、１次微分値Ｉ'(ｚ）を求めるようにし
て、順次得られる１次微分値Ｉ'(ｚ）からその分布を作
成していき、その分布の極大値が得られると、２次微分
値Ｉ"(ｚ）に切り換えるようにすればよい。

【００６９】図１３は以上の実施形態を用いたプリント
基板の製造方法を示すブロック図であって、２２はレジ
スト塗布装置、２３はレジスト膜厚測定装置、２４は制
御装置、２５はレジスト剥離装置である。

【００７０】同図において、前工程からのレジスト塗布
前のプリント基板の基材Ｂ１（その表面に配線パターン
が形成されているものも含む）は、レジスト塗布装置２
２ににより、その表面にレジストが所定厚さで塗布さ
れ、レジスト膜が形成される。レジスト塗布後の基材Ｂ
は、膜厚測定装置２３により、塗布されたレジスト膜の
厚さが測定される。

【００７１】この膜厚測定装置２３が上記の実施形態を
用いたものであり、この膜厚測定装置２３でレジスト膜
厚が測定される基材Ｂは、製造コストの観点から判断し
て、一部分、即ち、抜き取り検査でもよい。膜厚を測定
しないものは、基材Ｂ６として次工程に送られる。

【００７２】また、この膜厚測定装置２３で同じ基材Ｂ
のレジスト塗布部分の数カ所を選んで膜厚の測定を行な
うことにより、レジスト膜の均一性（塗布むら）も検査
することができる。

【００７３】この膜厚測定装置２３では、基材Ｂのレジ
スト膜の厚さを測定すると、測定結果が設計値よりも過
多であるか、不足であるか、または不均一であるという
欠陥検出を行なう。特に、レジスト膜の厚さが不足の場
合には、基材Ｂ３として再びレジスト塗布装置２２に送
り、レジストの追加塗布を行なう。また、レジスト膜の
厚さが不均一な場合やレジスト膜の厚さが過剰な場合に
は、レジスト剥離装置２５で塗布したレジストを剥離
し、基材Ｂ２として再びレジスト塗布装置２２に送り、
レジストの再塗布を行なう。

【００７４】レジスト膜に以上のような欠陥がない基材
は、良品Ｂ４として次工程に送られる。また、製造コス
トの観点から判断して、レジスト膜の厚さ欠陥がある基
材は、不良品Ｂ５として製造ラインから除去してもよ
い。

【００７５】制御装置２４は、レジスト塗布装置２２の
レジスト組成／量制御Ｓ１やスピンドル制御，レジスト
硬化制御を行なうものであり、膜厚測定装置２３から欠
陥情報があると、これに応じて、レジスト膜の欠陥を解
消するように、これらの制御によりレジスト塗布装置２
２の動作条件を変更させる。例えば、レジスト膜の膜厚
が不足する欠陥が１回以上発生した場合には、レジスト
の組成や塗布量などの動作条件を変更して、さらなる膜
厚不足欠陥の発生を防ぐシーケンスを設けておく。

【００７６】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はかかる実施形態のみに限定されるものでは
ない。例えば、上記各実施形態では、Ｚステージをｚ方
向に１ピッチずつ移動させるようにしたが、図１や図１
１において、対物レンズ８の方が同様の移動を行なうよ
うにしてもよい。

【００７７】また、画像データの鮮明度を求める方法と
して２次微分値や１微分値を用いたが、照明光がレジス
ト膜の表面や底面，配線パターンの表面に合焦している
ことを検知することができるものであれば、それ以外の
方法による測定量を用いるようにしてもよい。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
基材に形成されたレジスト膜のような透明または半透明
の層の厚さを、非破壊で高精度に測定することが可能と
なる。

【００７９】また、本発明によると、レジスト厚さ欠陥
による不良品を排除することができるし、レジスト塗布
装置の異常による大量の不良品の発生を防ぐことができ
る。

【００８０】さらに、本発明によると、レジスト膜の膜
厚が設計値の許容誤差範囲内にある高品質のプリント基
板、即ち、そりや歪みが少なく、電気的特性が高品質で
あるプリント基板を製造することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による基板の測定方法の第１の実施形態
を用いた測定装置を示す構成図である。

【図２】図１に示した測定装置の動作を示すフローチャ
ートである。

【図３】図２に示した動作に従うＺステージの移動を示
す図である。

【図４】図２のステップ２０３での２次微分演算の方法
を説明するための図である。

【図５】図２に示した動作処理の結果得られた２次微分
値の分布の一具体例を示す図である。

【図６】図２に示した動作処理の結果得られた２次微分
値の分布の他の具体例を示す図である。

【図７】測定対象となるプリント基板の他の例を示す断
面図である。

【図８】図７に示したプリント基板を測定対象として図
１に示した測定装置で得られる２次微分値の分布を示す
図である。

【図９】ビルドアップ製法で製造されたプリント基板の
一例を示す断面図である。

【図１０】ビルドアップ製法で製造されたプリント基板
を簡略化して示す断面図である。

【図１１】図１０に示したプリント基板を測定対象とす
る本発明による基板の測定方法の第の実施形態を用いた
測定装置を示す構成図である。

【図１２】図１１に示した第２の実施形態での画像の鮮
明度としての１次微分値を示す図である。

【図１３】本発明による基板の測定方法を用いたプリン
ト基板の製造方法の一部分を示す図である。

【符号の説明】

１プリント基板２基材２ａ基材の表面３，３１，３２レジスト膜３ａレジスト膜の表面４Ｚステージ５ハロゲンランプ１０ＣＣＤカメラ１１画像取り込みボード１２ワークステーション１３ステージコントローラドライバ１７配線パターン１７ａ配線パターンの表面１９境界１９ａ配線パターンの表面の辺２０ポラライザ２１アナライザＬ，Ｌ’ 照明光Ｓ照明光の焦点位置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材上に透明あるいは半透明な物体層が
形成されてなる基板の測定方法において、少なくとも該物体層を透過するように該基板に光を照射
して該光の焦点位置を順次異ならせ、該物体層を透過した該光を画像センサで受光して夫々の
該焦点位置毎の画像を得て、該画像夫々毎の鮮明度を求
め、焦点位置に対する画像の鮮明度の分布を求めて、該鮮明
度の分布での極大値をとる該焦点位置から該物体層の厚
さを求めることを特徴とする基板の測定方法。
【請求項２】請求項１において、前記鮮明度の分布での極大値をとる前記焦点位置は２つ
であって、これら２つの焦点位置間の距離から前記物体層の厚さを
求めることを特徴とする基板の測定方法。
【請求項３】請求項２において、前記２つの焦点位置間の距離に前記物体層の屈折率を乗
じた値を前記物体層の厚さとすることを特徴とする基板
の測定方法。
【請求項４】請求項１において、前記基材にｎ個（但し、ｎは３以上の整数）の前記物体
層が積層されており、前記鮮明度の分布での極大値をとる前記焦点位置は（ｎ
＋１）個であって、ｉ番目（但し、ｉ＝１，２，……，
ｎ）の極大値をとる前記焦点位置と（ｉ＋１）番目の極
大値をとる前記焦点位置との間をｉ番目の前記物体層と
し、該ｉ番目の極大値をとる前記焦点位置と該（ｉ＋
１）番目の極大値をとる前記焦点位置との間の距離から
該ｉ番目の前記物体層の厚さを求めることを特徴とする
基板の測定方法。
【請求項５】請求項４において、ｉ番目の前記物体層の屈折率をＮｉとして、前記ｉ番目の極大値をとる前記焦点位置と前記(ｉ＋１)
番目の極大値をとる前記焦点位置との間の距離に該屈折
率Ｎｉを乗じた値を前記ｉ番目の前記物体層の厚さとす
ることを特徴とする基板の測定方法。
【請求項６】請求項１において、前記鮮明度の分布での極大値をとる前記焦点位置がｍ個
（但し、ｍは２以上の整数）であるとき、前記基材に形
成されている前記物体層の積層数を（ｍ−１）個とする
ことを特徴とする基板の測定方法。
【請求項７】基材上に該基材とは異なる材料からなる
非光透過性の第１の物体層が部分的に積層され、さら
に、該第１の物体層を覆うように、該基材上に透明ある
いは半透明の第２の物体層が積層されている基板の測定
方法であって、該基材での該第１の物体層が積層された部分と該第１の
物体層が積層されていない部分との境界が視野内に入る
ように光を照射して該光の焦点位置を順次異ならせ、該第２の物体層を透過した該光を画像センサで受光して
夫々の該焦点位置毎の画像を得、該画像夫々の鮮明度を求めて該鮮明度の分布での鮮明度
が極大値を示す焦点位置を求め、鮮明度が極大値を示す２つの焦点位置のうちの上側の焦
点位置を該第２の物体層の上側の表面位置とし、下側の
焦点位置を該第２の物体層の下側の表面位置として、該
上側の表面位置と該下側の表面位置とから該第２の物体
層の厚さを求めることを特徴とするとする基板の測定方
法。
【請求項８】基材上に金属の配線パターンが部分的に
積層され、さらに、該配線パターンを覆うように、該基
材上に透明あるいは半透明の物体層が積層されている基
板の測定方法において、該基材での該第１の物体層が積層された部分と該第１の
物体層が積層されていない部分との境界が視野内に入る
ように、光を第１の偏光格子を通して照射して該光の焦
点位置を順次異ならせ、該物体層を透過した該光を該第１の偏光格子に直交する
第２の偏光格子を通して画像センサで受光し、夫々の該
焦点位置毎の画像を得、該画像夫々の鮮明度を求めて該鮮明度の分布での鮮明度
が極大値を示す焦点位置を求め、鮮明度が極大値を示す２つの焦点位置のうちの上側の焦
点位置を該第２の物体層の上側の表面位置とし、下側の
焦点位置を該第２の物体層の下側の表面位置として、該
上側の表面位置と該下側の表面位置とから該第２の物体
層の厚さを求めることを特徴とするとする基板の測定方
法。
【請求項９】基材上に厚さｔが既知の透明あるいは半
透明な物体層が形成されてなる基板の測定方法におい
て、少なくとも該物体層を透過するように該基板に光を照射
して該光の焦点位置を順次異ならせ、該物体層を透過した該光を画像センサで受光して夫々の
該焦点位置毎の画像を得て、該画像夫々毎の鮮明度を求
め、焦点位置に対する画像の鮮明度の分布を求めて、該鮮明
度の分布での極大値をとる２つの焦点位置ｚ₁，ｚ₂を
得、ｔ'＝│ｚ₁−ｚ₂│として、Ｎ＝ｔ／ｔ’ を演算することにより、該物体層の屈折率Ｎを求めるこ
とを特徴とする基板の測定方法。