JP2001124530A - 立体形状検出方法及び装置、並びに検査方法及び装置 - Google Patents

立体形状検出方法及び装置、並びに検査方法及び装置

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JP2001124530A JP30561499A JP30561499A JP2001124530A JP 2001124530 A JP2001124530 A JP 2001124530A JP 30561499 A JP30561499 A JP 30561499A JP 30561499 A JP30561499 A JP 30561499A JP 2001124530 A JP2001124530 A JP 2001124530A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 検査対象物の立体形状を高精度にかつ高速に
検査できるようにする。 【解決手段】 対物レンズ15によって検査対象物1に
スリット光を照明し、その照射領域からの反射光は、穴
付きミラー14で反射され、開口しぼり16と結像レン
ズ17を通った後、ビームスプリッタ18a,18bで
3つの光路に分岐され、夫々の分岐光路毎にラインセン
サ7a,7bが設けられている。ラインセンサ7aは焦
点面の前方側に、ラインセンサ7bは焦点面の後方側に
配置され、また、これらラインセンサ7a,7bのn番
目の検出画素(セル)は、検査対象物1のスリット光照
射領域のn番目の単位領域の像を受光するように、これ
らラインセンサ7a,7bが位置調整されている。検査
対象物1のスリット光照射領域での単位領域の高さに応
じてラインセンサ7a,7bの面での像のぼけ量が異な
り、このぼけ量に応じた光量をラインセンサ7a,7b
のセルが検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、工業製品の外観検
査における所定対象物の立体形状の検査に係り、特に、
電子回路基板の配線パターン(例えば、プリント配線板
やセラミックグリーンシートに印刷された配線パター
ン)や電子回路基板のはんだ付部の高さ検査に際して好
適な立体形状の検査に関する。
【0002】
【従来の技術】セラミック基板に用いるグリーンシート
に形成された金属微粒子の配線パターンの検査の一従来
例として、特開平2−71377号公報や特開平6−2
7034号公報に開示される検査方法が知られている。
かかる従来の検査方法は、光学手段によってグリーンシ
ート上の配線パターンを2次元画像として検出し、その
検出画像を2値化画像とし、この2値化画像で表わされ
る配線パターンの接続関係を設計値と比較検査すること
により、断線や半断線,ショート,半ショートなどの欠
陥を検出するものである。このように、この検査方法
は、配線パターンをグリーンシートの上面から2次元画
像として検出しており、かかる欠陥の平面形状での特徴
を検査するものである。
【0003】これに対し、このような欠陥の厚み方向の
特徴(即ち、厚み欠陥)、例えば、配線パターンのかす
れやピンホール(高さ不足系),突起(高さ過剰系)を
検出することも外観検査に必要なことであり、このため
の検査方法が種々提案されている。
【0004】即ち、例えば、特開平3−279805号
公報や特開平4−290909号公報,特開平5−66
118号公報に配線パターンの厚み欠陥を検査する方法
が開示されている。これは、光切断法の1種であって、
光ビーム(レーザ光)を配線パターンに照射してその反
射光を検出するものであるが、光ビームの照射方向、反
射光の検出方向のどちらか一方、あるいは両方をこの配
線パターンが形成されている基板に対して斜めの方向と
するものである。光ビームはこの配線パターンが形成さ
れた基板上をx方向に走査しながら、y方向に順次走査
してこの基板の配線パターンが形成されている領域全体
を走査するが、配線パターンが同じ高さにあると、その
頂面は基板の面に対して同じ高さの平面上にあり、従っ
て、この場合には、光ビームの走査位置が変化しても、
反射光を受光するセンサに対する反射光の光軸位置は変
化しない。これに対し、配線パターンの厚さが異なる
と、この部分でセンサに対する反射光の光軸位置が変化
する。このようにして、配線パターンの厚さ(高さ)に
応じてセンサに対する反射光の光軸が異なることにな
り、これにより、配線パターンの厚さを検出することが
できる。
【0005】対象物の立体形状を検出する従来技術が、
例えば、特開平3−63507号公報及び特開平6−2
01337号公報に開示されている。これは、検査対象
基板を搭載したZステージを高さ方向(上下方向)に順
次移動させながら焦点位置の異なる複数の画像を検出
し、これらの画像から立体形状を算出する方法である。
特開平6−201337号公報には、光学系を上下させ
て立体形状を算出する方法も記載されている。
【0006】また、対象物の立体形状を検出する他の従
来技術として、例えば、特開平5−240607号公報
に開示される方法がある。これは、上記のZステージや
光学系を移動させる代わりに、Zステージや光学系の位
置毎に対応してセンサを設けたものであり、対象物に光
ビーム(レーザ光)を照射し、その反射光を焦点位置の
異なる複数の位置のセンサで検出し、それらの信号強度
から立体形状を算出する方法である。この対象物の検査
領域全体の形状を検査するために、その検査領域を光ビ
ームで走査する。
【0007】対象物の立体形状を検出するさらに他の従
来技術として、特開平4−283608号公報に開示さ
れる方法がある。これは、共焦点方式と呼ばれるもので
あって、対象物の像をレンズによって結像させる場合、
対象物の面がレンズの合焦点位置からはずれると、レン
ズの焦点面でのこの対象物の面の像がぼけ、このぼけ量
は対象物の面のレンズの合焦点位置からのずれ量に応じ
て異なることを利用するものである。具体的には、検査
対象物の表面にスリット光を照射し、その反射光をスリ
ット状の開口絞りとレンズを介して2次元のエリアセン
サで検出するものであって、このスリット光としては、
その幅がエリアセンサで受光されるときの1画素分に相
当する位に狭いものとするとともに、その長さはエリア
センサの複数画素分に相当する位長いものとする(この
スリット光で照明される領域のうち、エリアセンサの1
画素分の光を反射する小領域を、以下、単位照射領域と
いう)。また、開口絞りは、エリアセンサが受光する1
画素分の狭い幅のスリットを有し、このスリットは対象
物から反射されるスリット光の長手方向に垂直に設定さ
れる。検査対象物で反射したスリット光の夫々の1画素
分(検査対象物のスリット光の単位照射領域からの反射
光)は、開口絞りとレンズとを介してエリアセンサの異
なる画素領域で受光されるが、単位照射領域のレンズの
合焦点位置からのずれ量に応じてこの単位照射領域のエ
リアセンサでの像のぼけ量が異なることになり、このぼ
け量が大きいほどこの単位照射領域からの反射光を受光
する画素数が多くなる。この画素数を検出し、これをも
とに演算を行なうことにより、この単位照射領域のレン
ズからの距離、即ち、高さを求めることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の特開
平3−279805号公報や特開平4−290909号
公報,特開平5−66118号公報に開示される立体形
状検出方式では、光ビームを使用しているために、この
光ビームが照射される微少領域の検査結果しか得られ
ず、検査対象基板の検査領域全体の検査を行なうために
は、光ビームでこの検査領域全体を走査する必要があ
り、この走査をポリゴンミラーなどを用いて行なうので
ある。しかし、このように上記微少領域ずつの検査を行
なう場合、検査速度を高めることができず、検査に時間
を要することになる。しかも、照明光や反射光の光軸を
検査対象基板の面に対して傾けるものであるから、この
検査対象基板の面で検出できない死角が生ずるという問
題がある。
【0009】また、上記の特開平3−63507号公報
及び特開平6−201337号公報に記載の立体形状検
出方式は、Zステージや光学系を順次上または下方向に
移動させ、その移動毎に画像を得るようにして焦点位置
の異なる複数の画像を検出する必要があるため、この場
合も、検査に長い時間を要するという問題がある。
【0010】また、上記の特開平5−240607号公
報に開示される立体形状検出方式でも、光ビームを用い
ていることから、検査対象基板の検査領域全体を検査す
るためには、その領域全体を光ビームで走査する必要が
あり、このため、検出速度を高めることができず、検査
に長時間を要することになる。高速にできない。しか
も、多数のセンサを必要とすることから、これらの調整
が複雑となり、また、コストの点で問題である。
【0011】さらに、上記の特開平4ー283608号
に開示される立体形状検出方式は、複数の単位照射領域
の高さを同時に検出することができるが、レンズから対
象物までの距離に応じた像のぼけの大きさを検出するも
のであるから、高価なエリアセンサ、即ち、撮像素子を
必要とするし、また、このエリアセンサでは、各単位照
射領域毎に、ぼけ画像がどの程度まで広がって受光され
ているかを検出するために、多くの画素について受光量
の大小を判定する必要があり、処理に手間がかかって検
査に長時間を要することになる。
【0012】本発明の目的は、かかる問題を解消し、検
査対象での欠陥を、平面的な特徴でばかりでなく、厚み
からも検査できるようにして、検査領域全体を迅速かつ
高精度で検査することができ、しかも、コストの上昇を
抑えることができるようにした立体形状検出方法とその
装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、焦点はずれに伴う検査対象物の像のぼけ
の程度から検査対象物の高さを検出する共焦点方式を原
理とするものであって、ラインセンサを用い、該ライン
センサの各セルを検査対象物の単位照射領域に対応さ
せ、該セルでの受光量から像のぼけの程度を検出するこ
とができるようにしたものである。
【0014】ここで、本発明の原理について説明する
が、まず、図2により、矩形状の開口(瞳が矩形状)の
場合の焦点はずれについて考察する。
【0015】図2(a)において、紙面上縦方向をy方
向、同じく横方向をz方向、紙面に垂直な方向をx方向
とする。物体面の1点0からz方向に出た光をレンズに
通すと、その像が焦点面で結像する。この焦点面は、点
0からレンズまでの距離に応じて異なる。
【0016】ここで、図2(b)に示すように、レンズ
面での矩形開口の長辺の開口数をNA、短辺の開口数を
NAsとし、レンズの横倍率をβとすると、物体面の1
点0から出た光による焦点面からz'だけ離れたxy面
上での像はほぼ矩形となる。この像の長辺の長さを2
r、短辺の長さを2rsとすると、幾何光学上、次式が
成り立つ。 r=z’・NA’ =NA・z’/β rs=z’・NAs’=NAs・z’/β なお、NA’,NAs’は夫々像側の開口数である。即
ち、レンズの瞳にスリットを挿入してその開口を細長い
長方形にすると、焦点面からz'だけ離れた面上での像
(即ち、焦点はずれの像)が細長い長方形にぼけること
がわかる。このとき、開口は矩形であることが重要なの
ではなく、一方向に大きく、それと直角方向に小さいこ
とが重要なのである。
【0017】一方、開口の焦点面(xy平面)での像に
ついて、波動光学上、次式が成り立つ。 ro≒λ/(2NA’) =βλ/(2NA) rso≒λ/(2NAs’)=βλ/(2NAs) ここで、λは光の波長である。焦点面における像は、焦
点はずれの像とは逆に、開口の大きい方向(y方向)で
短かくなり、図2(b)のようになることがわかる。
【0018】ここで、長さrsと長さrsoがほぼ等し
くなるように、波長λや開口数NAsなどを選ぶと、x
方向のぼけ量はほぼ一定であって、y方向のぼけ量を焦
点はずれ量に比例して大きくすることができる。即ち、
y方向のぼけ量を何らかの手段で測定することにより、
レンズと物体との間の距離を求めることができる。
【0019】これが共焦点方式の原理であり、上記の特
開平4−283608号公報に記載の従来技術はこの原
理を利用したものであるが、このように長さを測定する
のではなく、図3(a)に示すように、レンズの焦点面
に、図3(c)に示すようなx方向に伸延してy方向を
スリット幅とするスリットを配置し、このスリットを透
過した光量を測定する方法もある。図3(b)に示すよ
うなy方向に細長い矩形開口のレンズの焦点はずれ像は
y方向にぼけるので、この像をスリットを介して受光す
ることにより、焦点はずれの度合い、従って、レンズか
ら物体面までの距離に応じた光量が受光されることにな
る。ここで、このスリットの幅は、合焦点位置における
結像した光像のy方向の幅と同程度にする。
【0020】この場合、このスリットの位置で像が合焦
したときには、開口を通過した全光量がこのスリットを
通過するが、焦点がはずれると、その光量の一部がスリ
ットで遮られ、通過する光量が減少する。図3(a)に
示すように、スリットの後に光センサを配置し、その受
光量に応じた出力を測定する。センサ出力と物体の位置
Zの関係は、図3(d)に示すグラフのようになる。即
ち、合焦位置(Z=0)でセンサの出力が最大となり、
変位Zの絶対値が増加するととともにセンサ出力は減少
する。
【0021】以上が本発明の原理であるが、その応用例
として、図4に示すように、光路を分岐し、夫々の分岐
光路毎にスリットと光センサとを配置し、一方の分岐光
路では、これらスリットと光センサとがレンズの焦点位
置の前に位置し、他方の分岐光路では、これらスリット
と光センサとがレンズの焦点位置の後に位置するように
して、夫々の光センサの出力から物体の点0からの変位
量Zを特定することができる。前ピンとなる光センサの
出力をA、後ピンとなるセンサ出力をB、スリットなし
のセンサの出力をTとすると、物体の変位量Zは次式で
与えられる。 Z=f(A/T,B/T) ここで、Tは光路の分岐後の全光量に対するセンサの出
力であり、各焦点位置における正規化光量がA/T,B
/Tである。物体の変位量Zは、この正規化光量の関数
として与えられる。
【0022】関数fは、変位量Zに対する各焦点位置に
おけるぼけを幾何光学的に求め、スリットを透過する割
合を計算することによって得ることも可能であるが、高
さ(即ち、変位量Z)が既知であるテストサンプルを使
用した実験でもって求めることも可能である。
【0023】また、図5に示すように、n個(但し、n
は2以上の整数)の光路を分岐し、夫々の光路毎にレン
ズの焦点位置の前後に複数のスリットと光センサを配置
することにより、同様に、物体の変位量Zを特定するこ
とができる。この場合、n個のスリット付センサを配置
し、各センサの中で最大の出力を得てセンサの位置と結
像関係にある共役位置を物体の位置とする。さらに、各
センサの出力で得られるグラフを形成し、このグラフを
補間処理することによって最大値の検出精度を高めるこ
とができる。
【0024】以上は物体上のある一点に着目していた
が、以下、ライン上の各点の高さを同時に検出する方法
について説明する。
【0025】図2では、矩形開口により、1点の結像が
焦点はずれでy軸方向のみに像が広がることを説明し
た。ラインを点の集合と考えると、図6に示すように、
x軸上のラインの各点の像は、焦点はずれ量に応じて、
y軸方向に広がる。
【0026】このため、図7に示すように、光センサと
してラインセンサを使用すると、ラインセンサの画素の
数だけ同時に光量を測定できる。矩形開口の形状や波長
を選択することにより、x方向のぼけ量をラインセンサ
の画素ピッチと同等になるように設定すると、ラインセ
ンサの各検出画素(セル)は物体の異なる位置(これ
を、以下、単位領域という)からの光を検出することに
なる。従って、ライン上の各点の高さを同時に検出可能
となる。さらに、物体をy軸と平行に移動させることに
より、2次元領域の各点の高さを表わす画像(高さ画
像)を得ることができる。なお、矩形開口は、瞳位置あ
るいは瞳の結像位置に空間フィルタを挿入することで容
易に実現できる。
【0027】ラインセンサの配置には、図4に示した3
つの光センサのように配置する方法と、図5に示したn
個の光センサのように配置する方法とがある。これらラ
インセンサの互いに対応する位置の検出画素(セル)
は、物体のこれに対応する位置の単位領域の焦点はずれ
像を検出するようにする。このため、光学系はテレセン
トリック系が適切である。ラインセンサの前にはスリッ
トが必要であるが、ラインセンサの開口をスリットとし
て代用することもできる。
【0028】次に、照明について考察する。
【0029】ここでは、ラインのみを照明するスリット
状の照明、即ち、シートビームが必要である。照明光
(スリット光)の幅は、ラインセンサ上で検出画素のサ
イズと同程度とする。照明は、物体の高さ測定範囲に相
当するだけの焦点深度を有することが望ましい。焦点深
度を大きくするために、照明の開口数NAbを小さくす
る。しかし、あまり小さくすると、回折の影響によって
スリット光の幅を絞ることができない。このため、開口
数NAbは、スリット光の幅が検出画素のサイズと同等
になるように、次式のように設定すると良い。 NAb≒λ/G ここで、λは光の波長、Gは検出画素のサイズである。
【0030】本発明のポイントは、物体の複数の単位領
域をスリット光で照明し、x軸方向とy軸方向とで開口
数が異なる開口絞りを配置することにより、ラインセン
サの検出画素の配列方向の像のぼけ量を、焦点はずれ量
によらず、ぼぼ一定にし、ラインセンサの画素画素の配
列方向に直交する方向の像のぼけ量を焦点はずれ量に応
じて変化するようにし、焦点面の前後に複数のラインセ
ンサを配置し、各ラインセンサの各検出画素の出力から
物体のスリット光で照射される線上の各単位領域の高さ
を算出するものにある。さらに、物体をステージに搭載
し、ラインセンサの検出画素の配列方向とは直交する方
向に移動させることにより、物体の表面の各点の高さ情
報、即ち、立体形状を得るものである。
【0031】かかる構成によると、ラインセンサを用い
ているため、検出速度が速く、また、垂直落射照明、即
ち、垂直上方から検出であるため、検査の死角がない。
【0032】上記立体形状検出系と物体の明るさを検出
する平面画像検出系とを組み合わせて、検査対象物の明
るさ画像と高さ画像とを検出し、パターン検査を行なう
際、立体形状検出系の検出画素サイズを平面画像検出系
の検出画素サイズの整数倍の大きさにすることにより、
より高速な検査が可能となる。高さ画像の平面方向の解
像度が明るさ画像に対して低いが、明るさ画像のみで検
査する従来方法に比べて、検査速度は低下せずに高さの
検査ができるメリットは大きい。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。図1に本発明による立体形状検出方法及
び装置の第1の実施形態を示す構成図であって、1は検
査対象物、2はXYステージ、3はドライバ、4はパー
ソナルコンピュータ、5はモータコントロール基板、6
は画像入力基板、7a,7b,7cはラインセンサ、8
a,8b,8cはアンプ、9a,9b,9cはA/D変
換回路、10はレーザ源、11はレンズ、12はシリン
ドリカルレンズ、13はコリメータレンズ、14は穴付
ミラー、15は対物レンズ、16は開口絞り、17は結
像レンズ、18a,18bはビームスプリッタである。
【0034】同図において、検査対象物1は、XYステ
ージ2上に搭載されてワークホルダを介して固定されて
いる。照明光源としてのレーザ源10は、例えば、半導
体レーザであって、特に、発光点が直線形状のものが好
適であり、例えば、1.5μm(半値幅)×200μm
といった直線形状の物がある。勿論、これに限らず、気
体レーザ源でもよい。
【0035】レーザ源10から出射した光はレンズ11
とシリンドリカルレンズ12によって直線状の光ビーム
(スリット光)に形成され、コリメータレンズ13と対
物レンズ15によって検査対象物1上を照射する。ここ
で、コリメータレンズ13と対物レンズ15との間に
は、この照射光を通過させる穴14aが設けられて検査
対象物1からの反射光を反射させる穴付ミラー14が設
けられている。照明の開口数NAbはこの穴14aの径
で規定することができる。勿論、開口数NAbは、レン
ズ11を通過後のビーム径を適切な径に設定すること、
あるいは、光路上適切な位置に絞り板(ピンホール)を
挿入することで規定できるが、この穴付きミラー14の
穴14aを絞り板として兼用することもできる。また、
穴付ミラー14の代わりに、ハーフミラーを使用するこ
とも当然考えられる。
【0036】以上により、検査対象物1を、幅が検出画
素サイズと同等で、長さが検出幅(=ラインセンサの長
さ/検出倍率)以上あるスリット光で照明する。
【0037】検査対象物1からの反射光は、検出光とし
て、検出光路中のタンデム光学系をなす対物レンズ15
と結像レンズ17とでCCDのラインセンサ7c上に結
像する。対物レンズ15と結像レンズ17の光路中にあ
る穴付きミラー14は、このように、照明光路と検出光
路を分離するものである。穴付きミラー14の中心に開
けた穴14aは、照明光を通過させる作用とともに、検
出光の正反射光を遮断する作用がある。
【0038】対物レンズ15と結像レンズ17の光路中
にある開口絞り16は検出系の開口形状を規定するもの
であり、y軸方向の開口数NAに対してx軸方向の開口
数NAsを小さくする。開口絞り16の形状は、必ずし
も矩形(即ち、スリット状)である必要はなく、角を丸
めた矩形あるいは楕円や長円でもよい。この開口絞り1
6により、ラインセンサ7a〜7cの検出画素(セル)
の配列方向(図示するように配置されるラインセンサ7
cでは、x軸方向、ラインセンサ7a,7bでは、y軸
方向であるが、要するに、検出光路の光軸から見て、開
口絞り16の幅方向)のぼけ量を、像の焦点はずれ量に
よらず、ぼぼ一定にし、ラインセンサの検出画素の配列
方向とは直交する方向(検出光路の光軸から見て、開口
絞り16の長手方向)のぼけ量を、像の焦点はずれ量に
応じて変化するようにするものである。
【0039】結像レンズ17を通過した検出光は、ビー
ムスプリッタ18a,18bにより、その光路が3つに
分岐される。夫々の分岐光路で光量が3等分されるよう
にしてもよいが、アンバランスがあっても構わない。で
きれば、ラインセンサ7a,7bでの光量がほぼ等しい
ことが望ましい。
【0040】分岐光路には夫々、ラインセンサ7a,7
b,7c(以下では、これらラインセンサを総称して、
ラインセンサ7という)が配置される。ラインセンサ7
aは高さ検出範囲の下限の物体面(検査対象物1の面)
と結像関係にある像面位置に配置され、ラインセンサ7
bは高さ検出範囲の上限の物体面と結像関係にある像面
位置に配置され、ラインセンサ7cは、これら2つの像
面位置の中間位置に配置されている。
【0041】なお、これらラインセンサ7は同一検出画
素数、同一検出画素ピッチのセンサである。いま、検査
対象物1のスリット光が照射される領域でのこれらライ
ンセンサの検出画素に対応する微少領域を単位領域とす
ると、これらラインセンサ7のn番目の検出画素は、こ
の検査対象物1のスリット光が照射される領域でのn番
目の単位領域からの反射光を受光するように、これらラ
インセンサ7の位置が調整されている。これらラインセ
ンサ7への駆動には、互いに同期した同一のクロックが
供給される。ラインセンサ7a,7bとしては、検出画
素が正方形、あるいは正方形に近いものが使用される。
例えば、14μm×14μm(ピッチ×アパーチャ)の
ものがある。ラインセンサ7cとしては、検出画素が縦
長のもの、例えば、14μm×200μm(ピッチ×ア
パーチャ)のものが使用される。
【0042】照明光、即ち、スリット光の幅は、ライン
センサ7の検出画素サイズとほぼ同じ大きさであるが、
ラインセンサ7a,7bは、高さ検出範囲の上限と下限
に相当する像面位置に配置されているため、検査対象物
1からの反射光が常に焦点はずれの像として検出され、
ラインセンサ7a,7bにおける検査対象物1の単位領
域の像はこの検出画素より大きい。従って、ラインセン
サ7a,7bの検出画素自体の大きさがスリットして作
用し、ぼけた像の一部(中心部のみ)の光量を検出する
ことになる。一方、ラインセンサ7cの検出画素は縦長
であるため、焦点はずれのぼけた像全体の光量を検出で
きる。なお、ラインセンサ7a,7bの前にスリットを
設けたり、ラインセンサ7cの前にシリンドリカルレン
ズを設けることにより、上記と同じ効果を得ることもで
きる。
【0043】ラインセンサ7a,7b,7cの出力は夫
々、アンプ8a,8b,8cで増幅された後、A/D変
換器9a,9b,9cでデジタル信号に変換され、画像
入力基板22から計算機、例えば、パーソナルコンピュ
ータ(以下、パソコンという)4に供給される。ここ
で、m個(但し、mは検査対象物1のスリット光が照射
される領域での単位領域の個数に等しい)の検出画素を
備えたラインセンサ7a,7b,7cのk番目(但し、
k=1,2,……,m)の検出画素の出力値を夫々A
(k),B(k),C(k)とすると、これら検出画素
の結像関係にある検査対象物1での単位領域の高さZ
(k)は、次式で与えられる。 Z(k)=f(A(k)/C(k),B(k)/C
(k)) ここで、関数fは、予め既知の高さを持つ標準サンプル
を用いて測定され、テーブル形式でパソコン4に記憶さ
れている。
【0044】また、変数A(k)/C(k)は、高さ検
出範囲の下限の物体面と結像関係にある像面位置におけ
る正規化した光量であり、変数B(k)/C(k)は、
同じく上限における正規化した光量である。全光量で正
規化することにより、検査対象物1の反射率の違いによ
る高さの計測誤差を低減できる。例えば、A(k)/C
(k)=B(k)/C(k)であれば、高さZ(k)は
高さ検出範囲のちょうど中間となる。また、A(k)/
C(k)>B(k)/C(k)であれば、高さZ(k)
は高さ検出範囲の下限に近い値となり、さらに、A
(k)/C(k)<B(k)/C(k)であれば、高さ
Z(k)は高さ検出範囲の上限に近い値となる。この実
施形態では、高さ検出範囲の下限と上限の物体面と結像
関係にある像面位置にラインセンサを配置したが、ライ
ンセンサの数を増やし、高さ検出範囲の途中に相当する
面にもラインセンサを配置することにより、高さの検査
精度の向上を図ることもできる。
【0045】なお、出力値C(k)は、検査対象物1か
らの反射光の全光量であるから、明るさ画像に相当す
る。従って、この実施形態においては、高さ画像と明る
さ画像とを同時に得ることができる。
【0046】パソコン4は、モータコントロール基板5
からパルスを発生し、ドライバ3を駆動してXYステー
ジ2を制御する。ラインセンサ7の検出画素の配列方向
に直交する方向、即ち、検査対象物1に照射されるスリ
ット光の幅方向(図示のy軸方向)にXYステージ2を
一定速度で移動させながら、光量を検出することによ
り、スリット光で照射される帯状の範囲の各単位領域の
高さを計測する。XYステージ2をy軸方向に移動させ
てスリット光の照射領域が検査対象物の検査領域の端部
に達すると、このXYステージ2をX方向に照射される
スリット光の長さ分検査対象物1を変位させ、次いで、
y軸方向のこれまでとは反対方向に検査対象物1を移動
させるようにして、検査対象物1をy軸方向に往復移動
させて、これにより、検査対象物1の検査領域全面の高
さを単位領域毎に計測する。パソコン4及びモータコン
トロール基板5が管理しているXYステージ2の位置情
報と、ラインセンサ7の出力から得られた高さ情報とか
ら、検査対象物1の3次元の位置情報が得られる。
【0047】この第1の実施形態では、同じレンズ15
を用いて、検査対象物1にスリット光を垂直上方から照
明し、検査対象物1からの反射光を垂直上方から検出す
るようにしている。このため、検査ができない死角の問
題が発生しない。即ち、検査対象物1に対して同一方向
からスリット光を照明・検出することが、この実施形態
の1つの特徴である。また、図1で図示していないが、
光学系全体を斜めに傾けて斜め方向からスリット光を検
査対象物1に照明し、同じ斜め方向から反射光を検出す
る構成も実現できる。このとき、スリット光の幅方向に
光学系を傾斜させる。
【0048】次に、この実施形態での光学系の諸元の一
具体例を示す。
【0049】x軸方向の検出開口数NAsと照明開口数
NAbとはほぼ等しい値であって、y軸方向の検出開口
数NAは、その5〜10倍程度の値とするとよい。一例
としては、 検出倍率:1倍 検出画素サイズ:14μm y軸方向の検出開口数NA:0.3 x軸方向の検出開口数NAs:0.05 照明開口数NAb:0.05 高さ検出範囲:300μm とする。また、他の例としては、 検出倍率:2倍 検出画素サイズ:7μm y軸方向の検出開口数NA:0.6 x軸方向の検出開口数NAs:0.1 照明開口数NAb:0.1 高さ検出範囲:80μm とする。
【0050】勿論、諸元は上記の2例に限るものではな
く、また、ラインセンサ7の検出画素サイズは数μm〜
数mmの範囲であって、y軸方向の検出開口数NAはお
よそ0.1〜0.9の範囲で光学系を構成できる。
【0051】また、ラインセンサ7としては、例えば、
検出画素数256〜5000個程度のCCDリニアセン
サを使用する。データレートは数MHz〜25MHz程
度で検出する。マルチタップタイプのセンサを使用する
と、さらに高速な検出も可能となり、100MHzを超
えることも可能である。波長については、可視光に限定
されるものではなく、赤外線や紫外線でもよい。
【0052】図8は本発明による立体形状検出方法及び
装置の第2の実施形態を示す構成図であって、7dはラ
インセンサ、8dはアンプ、9dはA/D変換器、18
cはビームスプリッタ、19はランプ、20a,20b
はコンデンサレンズ、21は拡散板、22はスリット、
23は全反射ミラーであり、図1に対応する部分には同
一符号を付けて重複する説明を省略する。
【0053】同図において、照明の光源としてランプ1
9が使用される。このランプ19は高輝度なキセノンラ
ンプや超高圧水銀ランプが好適であり、あるいは、ハロ
ゲンランプを使用してもよい。ランプ19から出射した
光はコンデンサレンズ20a,20bによって集光さ
れ、その集光位置にスリット22が配置される。コンデ
ンサレンズ20a,20bで集光される光は、拡散板2
1で照明むらが除かれるように拡散された後、スリット
22に送られてスリット光が形成される。また、図示し
ていないが、ランプ19の背面にコールドミラーを配置
することにより、スリット光の光量を増加させることも
できる。
【0054】スリット22で形成されたスリット光は、
コリメータレンズ13と対物レンズ15とにより、検査
対象物1上を照射する。ここで、スリット22と検査対
象物1は結像関係にあり、また、スリット光は、その幅
が上記の単位領域の幅に等しく(即ち、この単位領域の
像がラインセンサ7a〜7d(これらを総称して、ライ
ンセンサ7という)の検出画素(セル)に投影されたと
き、この像の幅がこの検出画素の配列方向の幅にほぼ等
しい)、その長さは、ラインセンサ7a〜7dの検出画
素数に等しい個数の単位領域の配列長さにほぼ等しい。
ここで、ラインセンサ19の検出画素配列方向の長さL
Lと検査対象物1でのスリット光の長さLSとの関係は、
対物レンズ15から結像レンズ17までの検出系の検出
倍率G1に対し、 LS=LL/G1 の関係がある。
【0055】図1に示した第1の実施形態は、レーザ源
10を使用しているため、スペックル(干渉による明る
さむら)が発生する。しかし、本発明では、像を検出し
ているのではなく、光量を検出しているため、スペック
ルの影響は少ないが、結像倍率などの光学系の条件によ
っては、スペックルのため、高さの検出精度が低下する
ことが考えられる。図8に示した第2の実施形態では、
光源としてランプ19を用い、拡散板21で光を拡散し
ているので、明るさのむらをなくすことができる。しか
し、輝度の点では、レーザ源が勝っているので、場合に
よって使い分けるとよい。
【0056】次に、この第2の実施形態の検出系につい
て説明する。
【0057】結像レンズ17を通過した光は、ビームス
プリッタ18a,18b,18cにより、4つの光路に
分岐される。ここでは、分岐光路夫々の光量は等しいも
のとする。分岐光路毎にラインセンサ7a,7b,7
c,7dが配置されている。なお、ラインセンサ7dの
前に全反射ミラー23が配置されているが、これは必ず
しも必要なものではない。
【0058】これらラインセンサ7a,7b,7c,7
dは夫々、異なる像面位置に配置されている。即ち、ラ
インセンサ7aは高さ検出範囲の下限近くの物体面(検
査対象物1の面)と結像関係にある像面位置に配置さ
れ、ラインセンサ7bはラインセンサ7aよりも高さ検
出範囲の下限,上限の中間と結像関係にある像面位置側
に配置され、ラインセンサ7cはこの中間の像面位置よ
りも高さ検出範囲の上限側に配置され、ラインセンサ7
dは高さ検出範囲の上限近くの物体面と結像関係にある
像面位置に配置されている。
【0059】なお、これら4つのラインセンサ7は同一
検出画素数、同一検出画素ピッチのセンサであって、夫
々のn番目の検出画素は、物体面上のスリット光で照射
される単位領域の像を検出するように、その位置が調整
されている。また、これら4つのラインセンサ7の駆動
クロックは、互いに同期した同一のクロックであり、検
出画素の形状は正方形あるいは正方形に近いものであ
り、例えば、13μm×13μm(ピッチ×アパーチ
ャ)のものがある。この場合、ラインセンサ7の検出画
素自体の大きさがスリットして作用し、ぼけた像の一部
(中心部のみ)の光量を検出することになる。
【0060】ラインセンサ7a,7b,7c,7dの検
出出力は夫々、アンプ8a,8b,8c,8dで増幅さ
れた後、A/D変換器9a,9b,9c,9dでデジタ
ル信号に変換され、画像入力基板6により、パソコン4
に入力される。m個の検出画素のラインセンサ7a,7
b,7c,7dのk番目の検出画素の出力値を夫々A
(k),B(k),C(k),D(k)とすると、図9
に示すように、各検出画素(k=1,2,……,m)の
結像関係にある検査対象物1の高さZ(k)は、夫々の
出力値A(k),B(k),C(k),D(k)の間を
補間し、これによって得られるグラフの最大となる点に
おける高さとする。例えば、これら4つの出力値の最大
値(図9では、B(k))とその前後に位置する値(図
9では、A(k),C(k))との3つの出力値をガウ
ス分布で補間し、その最大となる位置を求める。
【0061】この第2の実施形態では、4つのラインセ
ンサ7を配置したが、ラインセンサの数をさらに増やす
ことにより、高さの検出精度が向上し、また、高さ検出
範囲を拡大することができる。勿論、3個以下のライン
センサを用いるようにしてもよい。
【0062】なお、図1に示したレーザ源10による照
射系と図8に示した検出・処理系との組み合わせ、ある
いは、図8に示したランプ19による照射系と図1に示
した検出・処理系との組み合わせも可能であることは勿
論である。
【0063】図10は本発明による立体形状検出方法及
び装置の第3の実施形態を示す構成図であって、24は
ポリゴンミラー、25はリレーレンズであり、図1に対
応する部分には同一符号を付けて重複する説明を省略す
る。
【0064】同図において、レーザ源10から出射され
た光ビームは、ポリゴンミラー24で反射された後、リ
レーレンズ25と穴付きミラー14の穴14aとを通過
し、対物レンズ15を介して検査対象物1に照射され
る。ここで、検査対象物1を照射する光ビームのスポッ
トは、ポリゴンミラー24の回転とともに、この検査対
象物1の面を直線状に走査する。このスポットの径は、
ラインセンサ7でのその像がラインセンサ7の検出画素
の配列方向の幅とほぼ等しくなるように設定されてお
り、このスポットの走査範囲は、ラインセンサ7の検出
画素配列方向の長さをLL、対物レンズ15と結像レン
ズ17との間の検出系の検出倍率をG2とすると、 LL/G2 の関係にある。
【0065】このような関係からして、光ビームのスポ
ットでこのように走査することは、先の第1,第2の実
施形態でのスリット光を検査対象物1に照射することと
同等である。
【0066】なお、この場合、ラインセンサ7a,7
b,7cの駆動をポリゴンミラー24の回転と同期させ
るとよい。
【0067】また、ポリゴンミラーの代わりに、ガルバ
ノミラーや偏向光学素子など他の手段を用いるようにし
てもよい。
【0068】図11は前出の立体形状検査方法及び装置
を適用した本発明によるパターン検査方法及び装置の一
実施形態を示す構成図であって、2aはワークホルダ、
6a,6bは画像入力ボード、6cはインターフェース
基板(COM−I/F)、26は光源、27は光学系、
28はCCDラインセンサ部、29はTDIラインセン
サ、30はローダ/アンローダ(L/UL)、31はシ
ーケンサ、32はカメラコントロール・座標管理基板で
あり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けてい
る。
【0069】同図において、検査対象物1は、XYステ
ージ2にワークホルダ2aを介して固定される。光学系
27は、図1や図8に示した高さ画像を得る立体形状検
出系と明るさ画像を得る平面画像検出系とを複合した光
学系である。立体形状検出系の検出器は3個のCCDラ
インセンサを用いたCCDラインセンサ部28であり、
図1に示されるアンプ8a〜8cやA/D変換器9a〜
9cなども備えている。これら3個のCCDラインセン
サは、先に図1で説明した高さ検出範囲の下限の物体面
と結像関係にある像面位置における明るさを検出するラ
インセンサと、高さ検出範囲の上限の物体面と結像関係
にある像面位置における明るさを検出するラインセンサ
と、全体の明るさを検出するラインセンサである。
【0070】夫々CCDラインセンサから出力されてA
/D変換された信号は、バスを介し、図1の画像入力基
板6をなす画像入力ボード6aからパソコン4に入力さ
れる。平面画像検出系の検出器は、マルチタップのTD
I(Time Delay & Integration)ラインセンサ29であ
る。このTDIセンサ29は、CCDラインセンサに比
べて高感度であるため、画素サイズを小さくしても高速
な検出ができる。4タップのTDIラインセンサを用
い、検出信号のデータレートを4倍にすると、明るさ画
像の検出画素のサイズを高さ画像の検出画素のサイズの
半分にして、データ量が4倍になっても問題ない。例え
ば、高さ画像の検出画素サイズを6μm、明るさ画像の
検出画素サイズを3μmとし、CCDラインセンサ部2
8のデータレートを10MHz、TDIラインセンサ2
9のデータレートを10MHz×4=40MHzとす
る。TDIラインセンサ29の出力信号は、図1の画像
入力基板6をなす画像入力ボード6bを経由してパソコ
ン4に入力される。
【0071】CCDラインセンサ部28とTDIライン
センサ29とには、カメラコントロール・座標管理基板
32から駆動パルスが供給される。XYステージ2のサ
ーボモータに内蔵されているロータリエンコーダの出力
パルス信号をドライバ3から得て、検出画素のサイズに
相当するクロックに分周し、これを駆動パルスとしてC
CDラインセンサ部28とTDIラインセンサ29とに
供給する。CCDラインセンサ部28には、XYステー
ジ2が6μm移動する毎に1パルス送り、TDIライン
センサ29にも、XYステージ2が6μm移動する毎に
1パルス送る。これにより、XYステージ2の移動速度
とCCDラインセンサ部28とTDIラインセンサ29
の駆動とが同期する。カメラコントロール・座標管理基
板32は、インターフェース基板6cを介して、パソコ
ン4により制御させる。
【0072】パソコン4は、ステージコントロール基板
5からパルスを発生し、ドライバ3を駆動してXYステ
ージ2を制御する。CCDラインセンサ部28のライン
センサの検出画素の配列方向とは直交する方向、即ち、
y軸方向(図1)にXYステージ2を一定速度で移動さ
せながら、画像を検出する。XYステージ2を、先に説
明したように、往復動作させて、XYステージ2のy軸
方向の折り返し時、このXYステージ2をx軸方向に検
出幅だけステップ送りすることにより、検査対象物1の
検査対象領域のパターンを検出することができる。
【0073】ワークホルダ2aや光源26,ローダ/ア
ンローダ30は、シーケンサ31によって制御される。
ワークホルダ2aやローダ/アンローダ30はメカニカ
ルな動作が制御対象であり、光源26はシャッタの開閉
や光量が制御対象である。シーケンサ31はRS−23
2Cでパソコン4と通信し、パソコン4が全体シーケン
スを制御する。
【0074】パソコン4は、3つのCCDラインセンサ
を備えたCCDラインセンサ部28の出力信号から、先
に説明したように、高さ画像を生成するとともに、TD
Iラインセンサ29の出力信号から明るさ画像を生成
し、これらを用いてパターン欠陥を抽出する。高さ画像
も用いているので、平面的な欠陥のみならず、厚み不足
などの厚さ方向の欠陥をも検出できる。
【0075】以上のようにして得られた検査結果は、プ
リンタなどによって出力される。図12はその出力結果
の一例を示す図である。ここでは、検査結果としては、
断線,ショート,かすれ,ピンホール,突起の各欠陥と
する。ここでは、欠陥の種類毎に異なる形状のマーク
で、かつ検査の結果得られた位置情報に基づく位置に夫
々表示する。従って、プリンタの出力紙に印字されたマ
ークにより、夫々の欠陥の位置が示される。
【0076】また、かかる検査結果をネットワーク経由
で検査装置外の計算機などへ転送することもできる。例
えば、XYステージと顕微鏡からなる欠陥確認ステーシ
ョンに検査結果を転送し、その欠陥位置に基づいてXY
ステージを駆動させることにより、夫々の欠陥の確認作
業を行なうことができる。このとき、欠陥の修正作業も
同時に行なうことができる。
【0077】さらに、例えば、計算機に検査結果を保管
しておき、統計処理などにより、製造装置のプロセスモ
ニタとして活用することもできる。
【0078】図13に先に説明した立体形状検出方法及
び装置を適用した本発明によるはんだ付け部検査方法及
び装置の一実施形態を示す構成図であって、図11に対
応する部分には同一符号を付けている。
【0079】同図において、検査対象物1は、XYステ
ージ2にワークホルダ2aを介して固定される。光学系
27は、図1や図8に示した高さ画像を得る立体形状検
出光学系である。立体形状検出系の検出器は3個のCC
Dラインセンサとこれらの出力信号をA/D変換するA
/D変換器などを含むCCDラインセンサ部28であ
り、これらCCDラインセンサは、先に図1で説明した
高さ検出範囲の下限の物体面と結像関係にある像面位置
における明るさを検出するCCDラインセンサと、高さ
検出範囲の上限の物体面と結像関係にある像面位置にお
ける明るさを検出するCCDラインセンサと、全体の明
るさを検出するCCDラインセンサである。夫々のCC
Dラインセンサの出力信号は、A/D変換された後、画
像入力ボード6aからパソコン4に入力される。例え
ば、CCDラインセンサの検出画素のサイズを15μm
とし、CCDラインセンサのデータレートを15MHz
とする。
【0080】CCDラインセンサ部28には、カメラコ
ントロール・座標管理基板32から駆動パルスが供給さ
れる。XYステージ2のサーボモータに内蔵されている
ロータリエンコーダの出力パルス信号をドライバ3から
得て、CCDラインセンサの検出画素のサイズに相当す
るクロックに分周し、駆動パルスとして、CCDライン
センサ部28に供給する。CCDラインセンサ部28に
は、XYステージ2がy軸方向に15μm移動する毎に
1パルス送られる。これにより、XYステージ2のy軸
方向の速度とCCDラインセンサの駆動とが同期され
る。カメラコントロール・座標管理基板32は、インタ
ーフェース基板6cを介して、パソコン4で制御させ
る。
【0081】パソコン4は、ステージコントロール基板
5からパルスを発生し、ドライバ3を駆動してXYステ
ージ2を制御する。CCDラインセンサの検出画素の配
列方向に直交する方向、即ち、y軸方向(図1)にXY
ステージ2を一定速度で移動させながら、画像を検出す
る。先に説明したように、XYステージ2をy軸方向で
往復動作させ、XYステージ2の折り返し時、XYステ
ージ2をx軸方向に検出幅だけステップ送りすることに
より、検査対象物1の検査対象となるはんだ付け領域全
体を検出する。
【0082】ワークホルダ2aや光源26,ローダ/ア
ンローダ30はシーケンサ31で制御される。ワークホ
ルダ2aやローダ/アンローダ30はメカニカルな動作
が制御対象であり、光源26はシャッタの開閉が制御対
象である。シーケンサ31は、RS−232Cでパソコ
ン4と通信し、パソコン4が全体のシーケンスを制御す
る。
【0083】パソコン4は、CCDラインセンサ部28
の3個のCCDラインセンサの出力信号から高さ画像を
生成するとともに、全体の光量を検出しているCCDラ
インセンサ(3個のCCDラインセンサのうちの図1で
のラインセンサ7cに相当するもの)の出力信号から明
るさ画像を生成する。これら画像により、はんだ付部で
のはんだ付の良否を判定し、はんだ付不良を検出する。
【0084】次に、本発明による検査装置の検査対象物
について説明する。
【0085】1つの例は、セラミック基板に用いるグリ
ーンシートに形成された金属微粒子の配線パターンであ
る。欠陥として、断線や半断線,ショート,半ショート
欠陥などのパターンの平面形状欠陥と、パターンの厚み
方向の欠陥、例えば、かすれやピンホール(高さ不足
系),突起(高さ過剰系)がある。
【0086】他の例は、プリント板に形成された銅配線
パターンである。特に、ビルドアップ基板はパターン密
度が高く、微細化しているため、小さな欠陥まで検出す
る必要がある。パターンのアスペクト比が大きくなり、
パターン厚み方向の欠陥の検査も重要となる。欠陥とし
て、断線や半断線,ショート,半ショート欠陥などのパ
ターンの平面形状欠陥と、パターンの厚み方向の欠陥、
例えば、薄いパターンやピンホール(高さ不足系),突
起(高さ過剰系)がある。また、ビアホールやスルーホ
ールの形状も検査対象となる。
【0087】さらに他の例は、フラットディスプレイの
検査である。プラズマディスプレイパネル(PDP)の
隔壁高さや隔壁幅,蛍光体膜厚などの3次元形状検査
や、隔壁製造工程における感光膜の検査に好適である。
また、カラーフィルタの突起欠陥検査やブラウン管の蛍
光体膜厚検査等にも適用できる。
【0088】さらに他の例は、プリント配線板のはんだ
付検査である。QFPやSOP,チップ部品などのはん
だ不良(濡れ不良,はんだ小,ブリッジなど)や位置ず
れを検査する。
【0089】以上のように、電子回路関係のアプリケー
ションを例として挙げたが、他の分野への適用も勿論可
能である。
【0090】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
検出器にラインセンサを使用しているため、機械的な可
動部がなく、一定幅の通過領域を通過する光量に基づい
て象のぼけ量を検出する方式をとり、ラインセンサの検
出画素自体がこの通過領域としての機能をするので、別
途スリットを設ける必要がなく、安価でかつ高さ検出を
高速に行なうことができるし、検査対象物での光の照射
方向と反射光の検出方向とを同じ方向とし、特に、垂直
落射照明,垂直上方検出を行なうものであるから、検査
の死角が生じない。
【0091】また、本発明による立体形状検出装置をパ
ターン検査装置に使用することにより、高速で安価な検
査装置が実現できる。
【0092】さらに、本発明による立体形状検出装置を
はんだ検査装置に使用することにより、高速で安価な検
査装置が実現できる。
【0093】さらに、本発明による立体形状検出装置を
外観検査装置に使用することにより、高速で安価な検査
装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による立体形状検出方法及び装置の第1
の実施形態を示すブロック構成図である。
【図2】矩形開口レンズの焦点はずれ像を説明する図で
ある。
【図3】焦点はずれ量を測定する原理を説明する図であ
る。
【図4】焦点はずれ量を測定する第1の構成を説明する
図である。
【図5】焦点はずれ量を測定する第2の構成を説明する
図である。
【図6】矩形開口レンズによる線状物体の焦点はずれ像
を説明する図である。
【図7】本発明の原理を説明する図である。
【図8】本発明による立体形状検出方法及び装置の第2
の実施形態を示すブロック構成図である。
【図9】図1,図8に示した実施形態でのセンサ出力値
よりを高さを算出する原理を説明する図である。
【図10】本発明による立体形状検出方法及び装置の第
3の実施形態を示すブロック構成図である。
【図11】本発明によるパターン検査装置の一実施形態
を示すブロック構成図である。
【図12】図11に示したパタン検査装置の検査結果の
一例を示す図である。
【図13】本発明によるはんだ検査装置の一実施形態を
示すブロック構成図である。
【符号の説明】
1 検査対象物 2 XYステージ 3 ドライバ 4 計算機 5 モータコントロール基板 6 画像入力基板 7a〜7d ラインセンサ 8a〜8d アンプ 9a〜9d A/D変換器 10 レーザ 11 レンズ 12 シリンドリカルレンズ 13 コリメーティングレンズ 14 穴付ミラー 14a 穴 15 対物レンズ 16 開口絞り 17 結像レンズ 18a〜18c ビームスプリッタ 19 ランプ 20a,20b コンデンサレンズ 21 拡散板 22 スリット 23 全反射ミラー 24 ポリゴンミラー 25 リレーレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 敏文 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 磯部 光庸 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 吉村 和士 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小林 治臣 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 2F065 AA04 AA24 AA53 BB05 CC01 FF01 FF04 GG06 GG16 JJ02 JJ05 JJ25 LL08 LL30 MM03 PP12 QQ31

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検査対象物の一直線上の複数の単位領域
    を光照明し、該検査対象物からの反射光をレンズを介し
    て該レンズの結像面の前後の複数の異なる位置で該単位
    領域毎に検出し、該検査対象物の光照射領域の幅方向で
    の像のぼけ量に応じた検出光量により、該検査対象物の
    光照明される該単位領域毎の高さを算出することを特徴
    とする立体形状検出方法。
  2. 【請求項2】 検査対象物の一直線上の複数の単位領域
    を光照明する照明系と、 一方向に大きく、それと直角方向に小さい形状の開口を
    有する検出系と、 結像面の前後に配置した複数のラインセンサと、 ラインセンサの出力から高さ情報を算出する処理手段と
    からなることを特徴とする立体形状検出装置。
  3. 【請求項3】 請求項2において、 前記ラインセンサでの前記検査対象物の光照射領域の幅
    が前記ラインセンサの検出画素サイズとほぼ同じ大きさ
    であることを特徴とする立体形状検出装置。
  4. 【請求項4】 検査対象物の一直線上の複数の単位領域
    を光照明し、該光照射領域の幅方向に該検査対象物を連
    続移動させ、該検査対象物からの反射光を光照射される
    該検査対象物の単位領域に夫々対応した複数のセルから
    なるラインセンサで検出し、該セルでの検出光量から該
    単位領域の高さを算出することを特徴とする立体形状検
    出方法。
  5. 【請求項5】 検査対象物の一直線上の複数の単位領域
    を光照明し、光照射方向と同一方向に該検査対象物から
    反射される反射光を、レンズ系を介し、該レンズ系の結
    像面前後の複数の異なる高さ位置で該単位領域毎に検出
    し、夫々の検出光量により、該検査対象物の光照明され
    ている該単位領域毎の高さを算出することを特徴とする
    立体形状検出方法。
  6. 【請求項6】 検査対象物の一直線上の複数の単位領域
    を光照明する照明系と、 該検査対象物の光照射領域の幅方向に該検査対象物を連
    続移動させるステージと、 該検査対象物からの反射光を該単位領域毎に検出するラ
    インセンサと、 該ラインセンサの検出光量から該単位領域毎に高さを算
    出する処理手段とからなることを特徴とする立体形状検
    出装置。
  7. 【請求項7】 検査対象物の一直線上の複数の単位領域
    を光照明する照明系と、 該検査対象物からの反射光のうち光照射方向と同一方向
    の反射光を抽出するレンズ系と、 該光学系の結像面の前後に配置され、該単位領域毎に分
    離して該光学系からの反射光を検出する複数のラインセ
    ンサと、 該ラインセンサで検出された光量から該単位領域毎に高
    さを算出する処理手段とからなることを特徴とする立体
    形状検出装置。
  8. 【請求項8】 請求項6または7において、 前記処理手段のデータレートが数MHzから数十MHz
    であることを特徴とする立体形状検出装置。
  9. 【請求項9】 検査対象物の一直線上の複数の単位領域
    を光照明し、該検査対象物の光照射領域の幅方向に該検
    査対象物を連続的に移動させて、該検査対象物からの反
    射光を光学系の結像面前後の複数の異なる位置で該単位
    領域毎に検出し、該光照射領域の幅方向での像のぼけ量
    に応じた検出光量を用いて光照明されている該単位領域
    毎の高さを算出することにより、該検査対象物でのパタ
    ーン欠陥を検出することを特徴とするパターン検査方
    法。
  10. 【請求項10】 検査対象物の一直線上の複数の単位領
    域を光照明する照明系と、 該検査対象物をその光照射領域の幅方向に連続送りする
    ステージと、 該光照射領域の長手方向に小さく、その幅方向に大きい
    開口を有し、光照射される該複数の単位領域からの反射
    光を通過させる光学系と、 該光学系の結像面の前後に該光学系を通過した反射光の
    長手方向に平行に配置され、光照射される該複数の単位
    領域夫々に対応したセルを有する複数のラインセンサ
    と、 ラインセンサの各セル毎の出力から該検査対象物の光照
    射された領域の明るさ画像と該単位領域毎の高さ情報と
    を算出する処理手段と、 該処理手段から得られた該明るさ画像と該高さ情報とか
    ら該検査対象物でのパターン欠陥を抽出する欠陥検出手
    段とからなることを特徴とするパターン検査装置。
  11. 【請求項11】 請求項10において、 前記高さ情報の画素サイズが明るさ画像の画素サイズの
    整数倍であることを特徴とするパターン検査装置。
  12. 【請求項12】 検査対象物のはんだ付け部の一直線上
    の複数の単位領域を光照明し、検査対象物からの反射光
    を光学系の結像面前後の複数の異なる位置で該単位領域
    毎に検出し、該検査対象物の光照射領域の幅方向の像の
    ぼけ量に応じた該単位領域毎の検出光量から該はんだ付
    け部での該単位利用域毎の高さを算出して高さ画像を
    得、得られた該高さ画像により、該はんだ付け部でのは
    んだ付欠陥を検出することを特徴とするはんだ付検査方
    法。
  13. 【請求項13】 検査対象物のはんだ付け部の一直線上
    の複数の単位領域を光照明する照明系と、 該検査対象物をその光照射領域の幅方向に連続送りする
    ステージと、 該光照射領域の長手方向に小さく、幅方向に大きい形状
    の開口を有し、光照射される該複数の単位領域からの反
    射光を通過させる光学系と、 該光学系の結像面の前後に該光学系を通過した反射光の
    長手方向に平行に配置され、光照射される該複数の単位
    領域夫々に対応したセルを有する複数のラインセンサ
    と、 該ラインセンサのセル毎の出力から該検査対象物の光照
    射領域の明るさ画像と該単位領域毎の高さ情報とを算出
    する処理手段と、 該処理手段から得られた該明るさ画像と該高さ情報とか
    ら該検査対象物でのはんだ付欠陥を抽出する欠陥検出手
    段とからなることを特徴とするはんだ付検査装置。
  14. 【請求項14】 検査対象物の一直線上の複数の単位領
    域を光照射し、該検査対象物からの反射光を光学系の結
    像面前後の複数の異なる位置で検出し、該位置での該検
    査対象物の光照射領域の幅方向の像のぼけ量に応じた検
    出量から該検査対象物の単位領域毎の高さ情報を算出
    し、該高さ情報により該検査対象物の形状欠陥を検出す
    ることを特徴とする外観検査方法。
  15. 【請求項15】 検査対象物の一直線上の複数の単位領
    域を光照射する照明系と、 該検査対象物をその光照射領域の幅方向に連続送りする
    ステージと、 該光照射領域の長手方向に小さく、その幅方向に大きい
    形状の開口を有し、光照射される該複数の単位領域から
    の反射光を通過させる光学系と、 該光学系の結像面の前後に該光学系を通過した反射スリ
    ット光の長手方向に平行に配置され、光照射される該複
    数の単位領域夫々に対応したセルを有する複数のライン
    センサと、 該ラインセンサのセル毎の出力から該検査対象物の光照
    射される領域の明るさ画像と該単位領域毎の高さ情報と
    を算出する処理手段と、 該処理手段から得られた該明るさ画像と該高さ情報とか
    ら該検査対象物での形状欠陥を抽出する欠陥検出手段と
    からなることを特徴とする外観検査装置。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1025879A (ja) * 1996-07-11 1998-01-27 Tajima Inc 段差解消板
JP2003329407A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Sharp Corp 光学式距離測定装置およびそれを用いた印刷装置
JP2004257934A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 3次元形状計測方法及び3次元形状計測装置並びにその処理プログラムと記録媒体
JP2004284322A (ja) * 2003-03-25 2004-10-14 Murata Mfg Co Ltd セラミックグリーンシート積層体の切断方法
JP2005201672A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及び露光方法
JP2006153622A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Opcell Co Ltd オートフォーカス装置
KR100612933B1 (ko) 2005-12-14 2006-08-14 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치 및 방법
JP2008128744A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Nanotex Corp 距離測定装置および距離測定方法
JP2012002670A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Toshiba Corp 高さ検出装置
CN102621658A (zh) * 2011-01-31 2012-08-01 株式会社三丰 自动调焦装置
JP2015021904A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 キヤノン株式会社 干渉計測装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法
CN105698705A (zh) * 2014-11-26 2016-06-22 北京智朗芯光科技有限公司 检测晶片基底二维形貌的装置
US20160377412A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for measuring height on a semiconductor wafer
KR101877592B1 (ko) * 2011-02-11 2018-07-11 나고야덴키코교 가부시키가이샤 검사 장치
CN111521617A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 上海御微半导体技术有限公司 光学检测设备、光学检测设备的控制方法及存储介质
JP2020153885A (ja) * 2019-03-22 2020-09-24 ヤマハ発動機株式会社 計測装置および表面実装機

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153412A (ja) * 1986-12-18 1988-06-25 Fujitsu Ltd 実装部品検査装置
JPH02171603A (ja) * 1988-12-24 1990-07-03 Fujitsu Ltd 線状物体の高さ形状検査装置
JPH05332733A (ja) * 1992-05-27 1993-12-14 Hitachi Ltd 検出光学系並びに立体形状検出方法
JPH1123953A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Nikon Corp 焦点検出装置を備えた顕微鏡および変位計測装置
JPH1163932A (ja) * 1997-08-25 1999-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワイヤボンディングにおけるワイヤの高さ検査方法
JPH11132748A (ja) * 1997-10-24 1999-05-21 Hitachi Ltd 多焦点同時検出装置および立体形状検出装置および外観検査装置、並びにその方法
JPH11160034A (ja) * 1997-10-27 1999-06-18 Je Baku Hii 光学窓を用いる非接触式3次元微少形状測定方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153412A (ja) * 1986-12-18 1988-06-25 Fujitsu Ltd 実装部品検査装置
JPH02171603A (ja) * 1988-12-24 1990-07-03 Fujitsu Ltd 線状物体の高さ形状検査装置
JPH05332733A (ja) * 1992-05-27 1993-12-14 Hitachi Ltd 検出光学系並びに立体形状検出方法
JPH1123953A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Nikon Corp 焦点検出装置を備えた顕微鏡および変位計測装置
JPH1163932A (ja) * 1997-08-25 1999-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワイヤボンディングにおけるワイヤの高さ検査方法
JPH11132748A (ja) * 1997-10-24 1999-05-21 Hitachi Ltd 多焦点同時検出装置および立体形状検出装置および外観検査装置、並びにその方法
JPH11160034A (ja) * 1997-10-27 1999-06-18 Je Baku Hii 光学窓を用いる非接触式3次元微少形状測定方法

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1025879A (ja) * 1996-07-11 1998-01-27 Tajima Inc 段差解消板
JP2003329407A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Sharp Corp 光学式距離測定装置およびそれを用いた印刷装置
JP2004257934A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 3次元形状計測方法及び3次元形状計測装置並びにその処理プログラムと記録媒体
JP2004284322A (ja) * 2003-03-25 2004-10-14 Murata Mfg Co Ltd セラミックグリーンシート積層体の切断方法
JP2005201672A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及び露光方法
JP2006153622A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Opcell Co Ltd オートフォーカス装置
KR100612933B1 (ko) 2005-12-14 2006-08-14 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치 및 방법
JP2008128744A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Nanotex Corp 距離測定装置および距離測定方法
JP2012002670A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Toshiba Corp 高さ検出装置
US8772688B2 (en) 2011-01-31 2014-07-08 Mitutoyo Corporation Autofocus device including line image forming unit and rotation unit that rotates line image
EP2482111A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Mitutoyo Corporation Autofocus device with rotation unit
JP2012159549A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Mitsutoyo Corp オートフォーカス装置
CN102621658A (zh) * 2011-01-31 2012-08-01 株式会社三丰 自动调焦装置
KR101877592B1 (ko) * 2011-02-11 2018-07-11 나고야덴키코교 가부시키가이샤 검사 장치
JP2015021904A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 キヤノン株式会社 干渉計測装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法
CN105698705A (zh) * 2014-11-26 2016-06-22 北京智朗芯光科技有限公司 检测晶片基底二维形貌的装置
WO2017004089A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for measuring height on a semiconductor wafer
CN107683400A (zh) * 2015-06-29 2018-02-09 科磊股份有限公司 用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备
US20160377412A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for measuring height on a semiconductor wafer
JP2018519524A (ja) * 2015-06-29 2018-07-19 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 半導体ウェハ上の高さを測定するための方法および装置
EP3314241A4 (en) * 2015-06-29 2019-01-09 Kla-Tencor Corporation METHOD AND DEVICE FOR MEASURING HEIGHT ON A SEMICONDUCTOR DISC
US10495446B2 (en) 2015-06-29 2019-12-03 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for measuring height on a semiconductor wafer
JP2020153885A (ja) * 2019-03-22 2020-09-24 ヤマハ発動機株式会社 計測装置および表面実装機
JP7271250B2 (ja) 2019-03-22 2023-05-11 ヤマハ発動機株式会社 計測装置および表面実装機
CN111521617A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 上海御微半导体技术有限公司 光学检测设备、光学检测设备的控制方法及存储介质

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