CN107683400A - 用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备 - Google Patents

用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备 Download PDF

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Abstract

本发明揭示用于确定半导体结构的高度的设备及方法。所述系统包含：照明模块，其用于引导一或多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品；及收集模块，其用于检测从所述表面反射的光。所述收集模块含有经定位以接收从所述表面中的一者反射的光的至少两个检测器，每一检测器前面具有一个狭缝或针孔。第一检测器从定位在焦点之前的狭缝或针孔接收反射光，且第二检测器从定位在所述焦点之后的狭缝或针孔接收反射光，使得除非所述表面处于最佳焦点，否则所述第一检测器及所述第二检测器接收到具有不同强度值的光。所述系统包含处理器系统，其用于基于由所述检测器接收的来自所述表面中的两个表面的所述检测光而确定高度。

Description

用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备
相关申请案的交叉参考
本申请案主张由李世方(Shifang Li)等人于2015年6月29日申请的第62/186,215号先前申请案美国临时申请案的权利，所述申请案的全文出于全部目的而以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及用于特性化半导体晶片的方法及系统，且更明确地说，涉及确定在半导体晶片上的结构或表面的高度。
背景技术
在集成电路的制造中使用的光刻或光学光刻系统已存在一段时间。这些系统已证实在产品中的极小细节的精密制造及形成方面极为有效。在一些光刻系统中，电路图像通过经由光束或辐射束(例如，UV或紫外光)转印图案而写入在衬底上。例如，光刻系统可包含光源或辐射源，所述光源或辐射源将电路图像投影穿过光罩且使其到涂布有对照射敏感的材料(例如，光致抗蚀剂)的硅晶片上。暴露的光致抗蚀剂通常形成图案，所述图案在显影之后于后续处理步骤(举例来说如沉积及/或蚀刻)期间遮蔽晶片的层。
归因于大规模电路集成及半导体装置的减小的大小，光罩及经制造装置已变得对特征变动(例如临界尺寸(CD)、高度、膜厚度及组成等)日益敏感。在特定实例中，三维(3D)检验及计量通常用于半导体产业中，例如用于评估TSV(穿硅通孔)及凸块结构或颗粒形状(大小及高度)。高度变动如果未经校正那么可引起最终装置归因于电时序误差而未能满足所要性能。更糟的是，高度变动可引起最终装置发生故障且不利地影响成品率。
鉴于前述内容，需要用于确定结构高度的经改进计量设备及技术。
发明内容
下文呈现本发明的简化概要以提供对本发明的特定实施例的基本理解。此概要并非本发明的广泛概述且并不识别本发明的关键/重要元素或描绘本发明的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本文中揭示的一些概念作为稍后呈现的更详细描述的序言。
在一个实施例中，揭示一种用于确定半导体结构的高度的系统。所述系统包含：照明模块，其用于引导一或多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品；及收集模块，其用于检测从所述表面反射的光。所述收集模块含有经定位以接收从所述表面中的一者反射的光的至少两个检测器。所述检测器的第一检测器从焦点之前的位置接收更多反射光，且所述检测器的第二检测器从所述焦点之后的位置接收更多反射光，使得除非所述表面的此一表面处于最佳焦点，否则所述第一检测器及所述第二检测器接收到具有不同强度值的光。所述系统还包含处理器系统，其用于基于由所述至少两个检测器接收的来自所述表面的两个表面的所述检测光而确定高度。
在特定实施方案中，所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的源点引导到所述样品上的针孔，且所述收集模块进一步包括：(i)第一针孔，其定位在所述焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一针孔而到所述第一检测器；及(ii)第二针孔，其定位在所述焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二针孔而到所述第二检测器。所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管检测器。
在另一实施例中，所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的源线引导到所述样品上的狭缝。所述收集模块进一步包括：(i)第一狭缝，其定位在所述焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一狭缝而到所述第一检测器；及(ii)第二狭缝，其定位在所述焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二狭缝而到所述第二检测器。所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管阵列。
一方面，所述收集模块进一步包括一对针孔或狭缝，其经定位使得在这些针孔或狭缝之间或这些针孔或狭缝中的一者上接收到从准焦或散焦表面反射的所述焦点。另一方面，所述对针孔或狭缝经定位以在所述表面中的一者散焦时接收到不同量的光且在此表面准焦时接收到相等量的光。另一方面，所述对针孔或狭缝经定位使得在所述表面的特定表面散焦特定量时，仅所述第一检测器及所述第二检测器中的一者接收到来自所述特定表面的最大强度。
在另一实施例中，所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的源线引导到所述样品上的狭缝。在此实施例中，所述第一检测器定位在所述焦点之前，且所述第二检测器定位在所述焦点之后。另一方面，所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的多个源线或点引导到所述样品上的多个狭缝或针孔，且所述至少两个检测器是二维图像传感器。在另一实施例中，通过使由所述至少两个检测器接收的检测光与表面的位置相关的函数确定所述高度。在又一方面中，所述收集模块包括三个或更多个检测器，且所述函数进一步使由所述三个或更多个检测器接收的检测光与表面的位置及纵向放大因子M相关。
在替代实施例中，本发明涉及一种确定高度的方法。一或多个源线或点经引导朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品。检测从所述表面反射的光。通过经定位以接收从所述表面中的一者反射的光的至少两个检测器检测所述反射光。所述检测器的第一检测器从焦点之前的位置接收更多反射光，且所述检测器的第二检测器从所述焦点之后的位置接收更多反射光，使得除非所述表面的此一表面处于最佳焦点，否则所述第一检测器及所述第二检测器接收到具有不同强度值的光。基于由所述至少两个检测器接收的来自所述表面的两个表面的所述检测光强度而确定高度。
一方面，接收照明光且经由源针孔将所述照明光的源点引导到所述样品上。第一针孔定位在所述焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一针孔而到所述第一检测器，且第二针孔定位在所述焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二针孔而到所述第二检测器，其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管检测器。另一方面，接收照明光且经由源狭缝将所述照明光的源线引导到所述样品上。第一狭缝定位在所述焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一狭缝而到所述第一检测器，且第二狭缝定位在所述焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二狭缝而到所述第二检测器，其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管阵列。
在另一实例中，接收照明光且经由源狭缝将所述照明光的源线引导到所述样品上，其中所述第一检测器定位在所述焦点之前且所述第二检测器定位在所述焦点之后，且其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管阵列。在另一实例中，接收照明光且经由多个源针孔或狭缝将所述照明光的多个源线或点引导到所述样品上，且其中所述至少两个检测器是二维图像传感器。
一方面，通过使由所述至少两个检测器接收的检测光与表面的位置相关的函数确定高度，且通过三个或更多个检测器检测所述反射光。在此方面中，所述函数进一步使由所述三个或更多个检测器接收的检测光与表面的位置及纵向放大因子M相关。
在另一所揭示实施例中，一种装置包含：照明模块，其用于引导源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品；及收集模块，其用于检测从所述表面反射的光。所述收集模块包括快速可变焦点透镜、检测器，及用于将从所述表面中的一者反射的光引导到所述检测器上的收集狭缝或针孔。系统还包含处理器系统，其用于基于所接收的来自两个表面的成至少两个不同焦点深度的检测光而确定所述两个表面之间的高度。
在另一实施例中，所述系统包含用于引导多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品的照明模块，且所述源线或点按不同焦点深度引导朝向所述样品。所述系统还具有用于检测从所述表面反射的光的收集模块，且所述收集模块含有经定位以接收从所述表面反射的光的至少两个检测器。所述至少两个检测器经布置以接收响应于成所述不同焦点深度的所述源线或点而反射的光，使得每一检测器接收到不同焦点深度光。此系统还具有处理器系统，其用于基于由所述至少两个检测器接收的来自所述表面的两个表面的检测光而确定高度。在又一方面中，所述照明模块进一步经配置以将所述源线或点引导到所述样品上的不同xy位置上。
下文参考图进一步描述本发明的这些及其它方面。
附图说明
图1A及1B是根据本发明的一个实施例的具有差分检测器的点扫描系统的图解表示。
图1C是根据本发明的一个实施方案的来自三个不同表面的反射的简化图解表示。
图1D是依据z位置变化的来自图1C的三个表面的检测z轴强度的图表。
图2A及2B是根据本发明的两个替代实施例的具有差分检测器的线扫描系统的图解表示。
图3A及3B说明根据本发明的另一实施方案的具有快速可变聚焦透镜的线方案系统。
图4A说明根据替代实施例的使用平行源狭缝的系统。
图4B说明根据另一替代实施例的使用源狭缝的检查板的系统。
图5A是根据本发明的另一实施例的用于按不同焦点深度投影多个线扫描的系统的图解视图。
图5B说明图5A的检测器的相对定位。
图6是说明根据本发明的一个实施例的用于确定结构的高度的程序的流程图。
具体实施方式
在以下描述中，阐述诸多具体细节以提供对本发明的透彻理解。可在无一些或全部这些具体细节的情况下实践本发明。在其它实例中，未详细描述熟知过程操作以免不必要地使本发明不清楚。虽然将结合特定实施例描述本发明，但将了解，并不希望将本发明限于所述实施例。
介绍
用于确定高度的一些技术可包含：(1)三角测量法，(2)几何阴影法，(3)使用各种共焦显微镜，及(4)使用白光(或宽带光)干涉仪。前两种方法已开始舍弃当代MEOL(中段制程)或BEOL(后段制程)应用中的当前精度要求。后两种方法通常未能满足当前处理量要求。
通常关于色旋转盘或扫描工具配置共焦方法。共焦方法对于色及扫描方案两者来说通常均为缓慢的。在色布局中，样本上的每一点对应于光谱的测量。扫描方案必须取得多个帧。扫描方案还需克服有限填充比，例如，针孔对间距比。
白光干涉测量可为半导体产业中的3D检验及计量提供高分辨率方法。市场上存在两种类型的这些装置：(1)扫描白光干涉仪(“SWI”)及(2)分光白光干涉仪。在SWI装置中，样本(例如，受检验的晶片)或检测光学器件中的任一者沿垂直于晶片表面的方向(例如z方向)扫描达一定距离。在特定z值处获得多个帧以确定晶片表面上的特定x-y位置的高度测量值。这些SWI装置是稳健的但通常缓慢的，这是因为其要求每一xy位置的多个z测量值。此外，此技术要求在取得测量值之前将样本移动到视域且使其稳定，这例如在扫描整个晶片时限制速度。同样地，当前分光白光干涉仪的处理量对于满足半导体产业中的需求来说也是缓慢的。
自动聚焦机构还可用于半导体检测及计量过程中的光学探测(OP)。在此技术中，使用斩波器以运用例如傅科测试(Foucault test)的类似资本来测试焦点是否在预设位置之上、后面或之后。光通过斩波器而到双单元(bi-cell)光检测器。双单元光检测器及斩波器与锁定放大器电子连接。当光对焦时，来自斩波器的参考信号与来自双单元光检测器的两个通道的信号之间存在零相位移。如果光欠聚焦或过聚焦，那么单元的相分别负或正位移到参考信号，且另一单元的相以相反方向位移。运用100倍物镜，此方法可检测且伺服回路以控制焦点使其比20nm更好。然而，斩波器技术的处理量有限。
总结来说，三角测量及几何阴影技术在目标结构高度缩短到15微米以下时并未提供3D检验的所需准确度及精度。共焦及干涉测量方法通常并未提供所需处理量或对于例如MEOL或BEOL中的3D检验来说过于昂贵。
用于确定结构高度的实例实施例：
本发明的特定实施例提供新颖方法以达到高准确度高度确定同时具有高速度。本发明的特定实施例包含用于测量在半导体晶片上的结构高度的设备及方法，其使用差分检测器估计对应于受测试的对象的高度信息的焦点位移而不获得在不同照明条件下的额外测量值或处于相同测试位点的z位置。为清楚地说明操作，本文中描述两个一般示范性实施方案，即，点扫描及线扫描布局。另外，还描述快速焦点差分检测实施例。
点及线扫描系统各自可大致包含用于引导一或多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品的照明模块。系统还可包含用于检测从表面的两个表面反射的光的收集模块，且此收集模块含有经定位以接收从所述两个表面反射的光的至少两个检测器。至少第一检测器将趋于从焦点之前的位置接收更多反射光，且至少第二检测器将趋于从焦点之后的位置接收更多反射光，使得除非处于最佳焦点，否则第一检测器及第二检测器接收到具有不同强度值的光。一或多个处理器还可经配置以基于由所述两个(或更多个)检测器感测的光强度而确定两个表面之间的高度。
图1A及1B是根据本发明的一个实施例的具有差分检测器的点扫描系统100的图解表示。如所示，系统100包含用于产生一或多个光束的光源102。光源可采取任何形式以产生一或多个电磁波形。还可使用多个光源。一或多个光源可产生具有仅一个波长的光(例如，单色光)、具有许多离散波长的光(例如，多色光)、具有多个波长的光(例如，宽带光)，及/或连续或在波长之间跳跃扫过波长的光(例如，可调谐源或扫频源)。例如，不同波长可搭配不同材料使用以实现关于受测试的材料上的入射光透明或不透明。激光光源可用于光源102，其可提供与分光方法(例如白光干涉测量及色共焦显微镜)相比更高的亮度。激光光源(例如二极管激光)改进光源的寿命、稳定性及热控制。适合光源的其它实例是：白光源；紫外线(UV)激光；弧光灯或无电极灯；彩色或白色发光二极管(LED)；激光持续等离子体(LSP)源，例如，商业上可购自马萨诸塞州沃本市(Woburn,Massachusetts)的Energetiq技术公司(Energetiq Technology,Inc.)的激光持续等离子体源；超连续源(例如宽带激光源)，例如商业上可购自新泽西州摩根韦尔(Morganville,New Jersey)的NKT光子公司(NKTPhotonics Inc.)公司的超连续源；或较短波长源，例如x射线源、极UV源或其的某一组合。光源还可经配置以提供具有足够亮度的光，足够亮度在一些情况中可为大于约1W/(nmcm2Sr)的亮度。计量系统还可包含对光源的快速反馈以稳定其功率及波长。可经由自由空间传播或在一些情况中经由任何类型的光纤或光导传送光源的输出。
系统100还可包含源针孔104，经产生光束经引导通过所述源针孔104且从第一分束器110反射并投影穿过物镜106而到样本101(例如具有具不同相对高度的各种表面或结构的半导体晶片)上。物镜106可为高放大率物镜，例如远心类型。一些或全部入射光穿过物镜106而以点(例如，图1A中的108a)到样本101的至少部分上。入射光在照明点处的光点大小可受衍射限制。
晶片101还可安置在载物台(未展示)上，所述载物台经配置以定位晶片101以在特定测量位点处接收入射光。载物台可为固定的或可在x方向、y方向及/或z方向上扫描。在一个实例中，可例如通过机械及/或静电夹紧将晶片101夹紧到载物台。例如，载物台可使晶片101在垂直于入射光的轴的平面106(例如，x-y平面)中或在平行于此入射轴的方向(例如，z轴)上平移。
接着，光从晶片101反射并散射，且通过物镜106收集光。此系统还包含第二分束器112，其定位于反射光的路径中且由材料构造以将反射束划分成两个输出束。选择分束器112相对于110的定向及厚度以管理图像质量。第一针孔117a及第二针孔117b各自分别定位于经划分束路径中的每一者中。第一针孔117a定位在焦点之前，且第二针孔117b定位在焦点之后。系统还包含两个检测器120a及120b(例如，光二极管检测器(PD1及PD2))以各自经由其相应针孔接收经划分输出光且输出对应于检测输出光的输出信号或图像。
针孔大小趋于小于针孔的位置处的实际束大小，因此光的部分(例如，～50％)由针孔阻挡。当待成像的结构表面处于焦平面(例如，如图1A中所示的108a)时，在光检测器1及2上接收到的光强度相等或“平衡”。关于图1B，受测试的结构未定位在最佳焦平面处。在此实例中，脱离实际结构的顶表面的反射点108b低于源针孔的焦点108a，使得反射束108c聚焦在照明焦点下方。现在第一针孔117a归因于此第一针孔117a上的较大光点而阻挡更多输出光。相比之下，第二针孔117b阻挡较少输出光，这是因为束在第一针孔117a处较靠近焦点。在此情况中，PD2(120b)接收比PD1(120a)更高的输出强度水平。
图1C是根据本发明的一个实施方案的来自三个不同表面的反射的简化图解表示。此图式展示三个不同替代表面高度S1到S3。表面S3展示为定位在比S2更大的高度处，S2定位在比S1更大的高度处。图1C说明准焦、欠聚焦及过聚焦的表面的射线行为。在此实例中，点源131展示为聚焦到表面S2(130b)上。此点源131还展示为相对于表面S3(130c)欠聚焦且相对于表面S1(130a)过聚焦。
在此实例中，存在两个检测器D1及D2，其定位于图像空间中使得表面S2的焦点(134b)处于D1及D2的位置中间的位置。在此实例中，来自表面S3的欠聚焦反射光(134c)聚焦在检测器D2的位置处，而来自表面S1的过聚焦反射光(134a)聚焦在检测器D1的位置处。
在一个示范性实施方案中，收集针孔经放置使得从高度的预期范围反射的焦点均投影于两个检测器之间或两个检测器上。两个检测器之间的间距可为灵活的，且测量范围(两个检测器距离越远，z范围就越大)与测量精度(当表面位置过远而失焦时，检测器信号变得过弱且测量强度与噪声相比为弱的)之间存在折衷。平均上，两个检测器可放置于与图像空间中的FWHM(半高全宽)焦点深度相同的长度处。
一般来说，收集针孔还可基于表面位置值相对于预期照明焦点的预期范围而相对于彼此及其对应检测器放置。收集针孔的放置还优选地经选择以导致收集足够光以在来自两个检测器的光量之间进行比较，而不具有高于此类收集信号电平的噪声电平，例如，在信噪比(SNR)要求内。例如，收集针孔经放置以具有大于约1或大于约50的SNR值。
图1D是依据z位置变化的来自图1C的三个表面的检测z轴强度的图表。每一曲线是从不同表面S1、S2及S3反射回的光的轴上z强度分布，其还为位于z的位置处的针孔(或狭缝)检测器的输出信号。两条垂直线标记两个检测器D1及D2的位置，及其响应于不同表面位置反射光的相应输出。
强度的水平取决于待测试的特定表面上的散焦量及每一检测器的特定位置。检测器经布置使得其在光欠聚焦或过聚焦时接收到不同量的强度。如图1D中说明，当光欠聚焦且自表面S1反射时，检测器D1接收比检测器D2更多的光。同样地，当光过聚焦且自表面S3反射时，检测器D2接收比检测器D1更多的光。相比之下，当源点聚焦于表面S2上时，两个检测器D1及D2接收到从表面S2反射的基本上相等光。
还应注意，不同表面的峰值出现在不同z位置处且由不同检测器捕捉。例如，来自S1的信号的峰值在位置z1处由检测器D1捕捉，而信号S3的峰值在位置z2处由检测器D2捕捉。事实上，不同表面曲线之间的强度值在z位置的广范围处彼此显著不同，只有在结构的表面匹配照明焦点或处于最佳焦点时除外。换句话来说，检测器还可相对于针孔定位使得一个检测器针对最大预期欠聚焦值接收到最大量的光，且另一检测器针对最大预期过聚焦值接收到最大量的光。
两个不同表面位置之间的高度差是Ht＝Sa-Sb，且可基于下文方程式计算此Ht。M是光学器件设计已知的纵向放大因子。然而，放大率可取决于表面性质，例如，镜面M的大小是漫射表面或点对象的大小的2倍。
D＝f(z)＝f(Ms)
Da＝F(sa)
Db＝F(sb)
产生函数F以计算高度。函数F可为经良好校正的光学器件已知。替代地或额外地，可使用已知样本表面来校准函数F。最简单案例是假设F是采用正规化差分信号的高斯函数(Gaussian function)，此允许消除F中的一些共同强度因子。因为M随表面类型变化，所以可使用两个以上检测器使得还可从多个检测器的信号计算M。
接着，函数F可用以将来自PD1及PD2的强度转换为来自此两个不同表面的反射点的两个表面之间的高度。可产生任何适合函数F以将来自多个经定位检测器及多个表面的检测差分信号转换成高度度量。例如，共焦z响应的实例函数F可表达为：
其中NA是物镜的数值孔径，且λ是波长。
替代地，可在小散焦范围内通过高斯函数近似表示所述函数：
其中w是焦点深度的1/e2宽度，I0是缩放因子，Δ＝z1-z2是两个检测器之间的距离，且z0是待测量的表面的焦点响应曲线的峰值位置，可从两个检测器信号的比导出z0：
接着通过以下给出表面的z高度：
其中D1是来自第一检测器的强度值，D2是来自第二检测器的强度值，M是光学器件的纵向放大率，且k是缩放因子。可从关于已知表面位置(或z位置)及已知焦点位置(最佳、欠聚焦及过聚焦)的实验测量值确定缩放因子，例如I0及k。当M未知或受样本性质影响时，k变得取决于样本性质(其未知)。接着，可使用两个以上检测器来测量z高度使得可通过比较一对以上检测器的比而消除k。还可针对不同操作条件(例如可于如本文中描述的高度确定过程中使用的不同波长范围)校准上述函数F。
可通过任何适合技术产生用于基于经测量差或比信号确定高度的函数或模型。例如，可通过测量具有处于不同高度的多个结构的校准晶片的高度而获得多个已知高度。接着，可从已知结构获得差或比检测信号且使用其产生模型。例如，模型可采取用于确定高度的上述方程式的形式。可基于校准晶片确定常数k。在替代实例中，可模拟多个已知高度及差或比信号且使用其产生高度模型。在另一实施例中，可使用参考方法在配方设置期间针对特定类型的应用产生检测的不同或比信号与结构高度之间的函数。
上文针对针孔系统描述的差分检测原理(例如，如用图1A到1D说明)可扩展到线扫描方案中。图2A及2B展示此扩展的示范性实施例。如图2A中所示，通过使入射光202通过源狭缝204而使入射光线208照明到晶片上。当然，用入射光线跨样本扫描导致更快速技术。此替代系统200还可包含取代图1A及1B的系统100的两个针孔117a及117b的两个狭缝217a及217b。此线扫描系统200还可包含分别取代图1A及1B的系统100的两个PD 120a及120b的两个光检测器阵列(PDA)220a及220b。
虽然不需要，但是系统200还可包含任何适合透镜(例如218a及218b)以将输出光进一步聚焦到每一对应PDA上，以便实现较高光效率水平且沿线提供足够横向分辨率。即，线方案系统200还可包含添加在两个PDA之前的两个透镜218a及218b以沿每一狭缝的线更佳分辨空间分辨率，而导致晶片上的每一点至少在晶片对焦时沿所述线清晰成像到PDA上。PDA还可经定位使得晶片上的离焦点在系统的焦点深度内或几乎在系统的焦点深度中。
图2B说明根据本发明的另一实施例的线扫描方案的简化版本。对于所述简化版本，通过PDA 230a及230b的有限宽度取代狭缝功能。因此，可免除PDA之前的两个透镜(如图2A中所示的透镜218a及218b)。
用于将检测信号转换成高度值的上述方法可扩展到线扫描系统。例如，可以上文描述的相同方式、沿线以逐点方式处理来自对应于晶片上的相同点的PDA1及PDA2的像素的检测强度值。
另一替代系统可实施快速可变聚焦透镜(例如由法国巴黎帕诺特(Parrot)的营业单位VariOptic制造的液体透镜)以取代图2A或2B的第二分束器212、第二狭缝217b及第二PDA220b。图3A及3B说明根据本发明的另一实施方案的具有快速可变聚焦透镜(或液体透镜)350的线方案系统。在此替代例中，如图3A中所示，液体透镜350设置在第一焦距处以将狭缝217a之前的源狭缝聚焦于点352a处。在此第一焦距处取得测量值。如图3B中所示，接着将液体透镜350设置在第二焦距处以将狭缝217a之后的源狭缝聚焦于点352b处。接着获得另一测量值。接着，使用类似算法来将来自两个表面的这两个测量值转换成高度。
线方案实施例还可进一步变成区域检测方案。例如，源狭缝可扩展为带状线(图4A)或棋盘图案(图4B)，且PDA由二维像素化图像传感器(例如CCD、CMOS或类似者)取代。可通过任何适合分束机构(例如衍射光学元件(DOE)、棱镜等)实现多个带状线或棋盘图案的线。在特定实施例中，每一检测器的像素与对应照明结构的像素结构对准。在这些区域方案中，可从二维检测器获得更多数据，此还可允许确定系统失焦多少及较高信噪比。
在本文中描述的实施例中的任一者中，可使用任何适合数目个检测器。当使用两个以上检测器时，优选地所述检测器沿z轴以约相等距离定位。例如，两个以上PD或PDA可用来获得与使用仅两个PD或PDA相比更大的数据量。不同检测器可放置在相对于预期焦点或高度范围的不同位置处。增加检测器的数目在未知表面性质变化时趋于分辨确定表面高度的模糊性。更多检测器还导致晶片上的结构的增加的信噪比或扩展的测量高度范围。
当使用两个以上检测器时，可基于已知高度或熟知/模拟光学器件系统及检测器相对于一组已知z位置处的多个已知测量值的相对位置而产生函数。只要存在足够数目个检测器以确定函数F，那么可无需知晓聚焦函数F。用于确定高度的技术还可包含以此函数使用来自两个以上检测器的检测信号来确定两个表面之间的高度，以及如本文中描述的其它参数，例如M、I0及k。
对于其中DOF(焦点深度)有限的较高NA系统，测量的动态范围(其可被定义为z范围对精度比)可为有限的。为扩展动态范围，可使用聚焦在不同z高度处的多个照明束。多个照明束的焦点在物镜空间中可按约DOF的相同长度间隔。多个检测器可经布置使得每一检测器定位于相邻束的焦点之间。图5A是根据本发明的另一实施例的用于以不同焦点深度投影多个线扫描的系统500的图解视图。如所示，系统包含一或多个透镜506以接收并整形照明线504，所述照明线504经引导朝向光学元件(例如衍射光学元件或DOE 507)以产生多个照明线。在所说明实施例中，两个照明束512a及512b由DOE 507产生且经由分束器510及物镜506以两个不同焦点深度入射于样本501上。当然，可产生例如呈两个或两个以上线或点的形式的两个以上照明束并将其引导到样本上。
接着，响应于成不同焦点深度的多个入射束而从样本反射多个输出束。接着，所述多个输出束由一或多个透镜(例如514)聚焦到两个或两个以上分束器(例如，516a及516b)上，所述分束器分别引导不同输出束朝向不同检测器(例如线CCD 518a、518b及518c)。CCD经定位使得两个束(512a及512b)的两个反射焦点位于两个相邻CCD的图像空间中的z位置中间(参见图5B)。因此，与单个束配置相比，动态范围扩展2倍。例如，当表面高度在CCD对518a及518b的范围外时，518b及518c的检测器对仍可产生测量值。
除使多个照明线或点在z方向内偏移之外，这多个入射线及点还可在xy方向平面中偏移。在此后者实施例中，可通过简单镜或棱镜取代分束器以将偏移输出束反射到不同偏移检测器，与分束器相比，这允许检测每一输出束的更高百分比，分束器例如损失50％的束。上述实施例中的任一者可实施此简单镜或棱镜。
上述实施例针对每一对表面使用至少两个强度值来确定此类表面之间的高度。当强度随波长扇出且每一像素检测对应且有限波长带宽内的强度时，这些设备及技术比使用光谱范围的色共焦方案更有效率。再者，对于特定实施例，晶片上每点的数字化操作的数目可显著小于其中需要数百个数字化数字以获得光谱信息的色方案。因此，本发明的特定设备及技术实施例趋于显著更快速。另外，在照明时使用针孔阵列的共焦系统在针孔之间留下间隙且需要覆盖这些孔的方法，这还降低操作效率。
通过在束路径中添加额外光状态控制元件(例如偏光控制元件、波长控制元件及束传播方向控制元件)，可将从测量位点获取的两个或两个以上输出信号或光束检测为可彼此相减或以其它方式彼此比较的任何信号类型。实例信号包含但不限于任何类型的散射测量、分光、椭偏测量及/或反射测量信号，包含：Ψ、Δ、Rs(s偏光的复合反射率)、Rp(p偏光的复合反射率)、Rs(|rs|2)、Rp(|rp|2)、R(未偏光反射率)、α(分光“α”信号)、β(分光“β”信号)及这些参数的函数，例如tan(Ψ)、cos(Δ)、((Rs-Rp)/(Rs+Rp))、穆勒矩阵(Muellermatrix)元素(Mij)等。替代地或额外地可按据入射角、检测角、偏光、入射的方位角、检测方位角、角分布、相位或波长或一个以上这些参数的组合测量所述信号。所述信号还可为信号组合的特性化，例如多个任何上述椭偏测量及/或反射测量信号类型的平均值。其它实施例可使用单色或激光光源，其中以单一波长而非多个波长可获得信号中的至少一者。照明波长可为任何范围，例如，从X射线波长到远红外线波长。
图6是说明根据本发明的一个实施例的用于确定结构的高度的程序600的流程图。在操作602中，光经引导通过一或多个针孔或狭缝而到具有具未知z位置的表面的样本上。接着，在操作604中，可从经定位以从相对于焦点的不同位置接收光的两个或两个以上检测器中的每一者收集信号。例如，不同位置对应于具有焦点之前的收集针孔/狭缝及焦点之后的收集针孔/狭缝。
测量值可包含任何适合辐射信号，例如散射测量、反射测量或椭偏测量信号，包含本文中描述的实例。可基于对所关注结构的信号敏感度选择所获取信号的类型。例如，特定波长及特定偏光状态可对某些特定结构尺寸或具有不同表面粗糙度或沉积层更为敏感。所关注结构可包含任何3D结构，例如TSV、凸块、多层结构/堆栈等。
针对至少另一表面重复操作602及604以获得待确定其间的相对高度的表面对。例如，一个表面可呈衬底的形式，而另一表面是TSV结构的顶部。在获取两个或两个以上表面的信号之后，接着在操作606中，可比较经收集信号以确定样本的两个表面之间的高度差。如果仅存在针对每一特定所关注表面收集的两个信号，那么所述信号可简单相减以获得差信号或相除以获得信号比，接着可将这些结果输入到使这些差分信号与高度相关的函数中。如果存在通过三个或更多个检测器针对每一表面收集的两个以上信号，那么可使用任何数目种技术。例如，可产生函数以使三个或更多个信号与高度相关。在另一较简单使用案例中，附加测量可用作冗余测量以抑制噪声或改进测量准确度。
用于处理检测信号的替代算法可包含组合三个或更多个信号以获得单个差信号，例如差或比信号。例如，接着可任选地选择且分析对应于一对信号的最高信号差或比以确定高度。在另一实例中，可将差/比信号精简为单一差/比值，例如平均差或比值。即，可确定不同检测器对的差/比信号的平均值以获得平均差/比信号，使得可从额外测量信号减少噪声而具有对信号处理的最小损失。
高度一经确定，在操作608中，便可确定并报告此高度是否在规格内。可基于例如与平均差相比的任何适合高度阈值或百分比值定义高度规格。例如，在预定义范围内的高度值可导致“良好”的质量指示；否则，在预定义范围外的高度值可报告为“不良”质量指示。接着，程序可结束或针对多个目标重复。
通过对已知质量结构(例如，不同焦点值的已知不良及良好高度范围及对应强度值)的训练技术可扩展本发明的特定无模型实施例。基于机器学习方法(例如类神经网络)的算法可用来基于已知结构的训练集使测量信号与测试结构(例如TSV结构)中的预编程变动或Cu柱高度相关。即，具有预定义或已知变动的训练集可经测量以获得信号，以确定用于使检测信号与特征或工艺变动相关的模型。在完成机器学习操作之后，可使用此模型从获自具有未知特性的所关注结构的信号提取特征及工艺相关参数。
在进一步实施例中，改变某些工艺参数。例如，Cu柱结构的电镀条件或与产生TSV结构相关的蚀刻条件可用作建立DOE(实验设计)训练集的另一方式，例如，在不同镀敷或蚀刻条件下处理不同晶片。
在建立DOE训练集之后，使用不同工艺条件制造的目标可经测量以在两个或两个以上焦点位置从来自多个测量位点的单个测量位点获得信号(例如特定信号类型)，接着作为训练算法的部分处理所述信号。为确定训练集的高度参数，可通过参考计量特性化来自训练集的这些目标，所述参考计量可为破坏性的(例如，截面TEM)或非破坏性的(例如，通过原子力显微镜(AFM)或CD～SEM)。已知特征参数可仅包含关于不良或良好质量的指示，而非具体计量值。
可使用硬件及/或软件的任何适合组合来实施上述技术中的任一者。在一般实例中，计量工具可包括：照明模块，其照明目标；收集模块，其捕捉通过所述照明系统与目标、装置或特征的相互作用(或缺乏相互作用)而提供的相关信息；及处理系统，其使用一或多个算法分析所收集的信息。计量工具通常可用来测量关于与各种半导体工艺相关联的结构及材料特性(例如，材料组成、结构及膜的尺寸特性(例如膜厚度及/或结构的临界尺寸)、叠加等)的各种辐射信号。这些测量可用来促进半导体裸片制造的工艺控制及/或成品率效率。
计量工具可包括可结合如上文描述的本发明的特定实施例使用的一或多种硬件配置。这些硬件配置的实例包含但不限于以下各者：束轮廓反射计(角度分辨反射计)、宽带反射分光计(分光反射计)、单波长反射计、角度分辨反射计、成像系统，及散射计(例如，散斑分析仪)。
硬件配置可分离成离散操作系统。另一方面，一或多个硬件配置可组合成单个工具。第7,933,026号美国专利中进一步说明并描述此多个硬件配置组合成单个工具的一个实例，所述专利的全文为全部目的而以引用的方式并入本文中。系统可包含特定透镜、准直器、镜、四分的波板、偏光器、检测器、相机、光圈及/或光源。光学系统的波长可从约120nm变化到3微米。所收集的信号可经偏光分辨或未偏光。
系统可包含集成在相同工具上的多个计量头。然而，在许多情况中，多个计量工具用于对样本上的单一区域或多个区域进行测量。例如，在通过臧谷(Zangooie)等人标题为“多种工具及结构分析(Multiple tool and structure analysis)”的美国7,478,019中进一步描述多工具计量的数个实施例，所述专利的全文为全部目的而以引用的方式并入本文中。
特定硬件配置的照明系统可包含一或多个光源。继而，一或多个检测器或分光计经配置以经由收集光学元件接收从样品的表面反射或以其它方式散射的照明。适合传感器包含充电耦合装置(CCD)、CCD阵列、时间延迟积分(TDI)传感器、TDI传感器阵列、光倍增管(PMT)及其它传感器。测量光谱或检测信号数据(随位置、波长、偏光、方位角等变化)可从每一检测器传递到处理器系统(例如，图1A的150)以供分析。
应认识到，可通过单处理器系统或替代地多处理器系统实行贯穿本发明描述的各个步骤。此外，系统的不同子系统(例如上述光源及/或检测器系统实施例)可包含适于控制系统状态、预处理信号或实行本文中描述的步骤的至少部分的计算机系统。因此，前述描述不应解释为非本发明的限制而仅为说明。此外，一或多个处理器系统可经配置以执行本文中描述的方法实施例中的任一者的任何其它步骤。
另外，处理器系统可以所属领域中已知的任何方式通信耦合到检测器系统。例如，一或多个处理器系统可耦合到与检测器系统相关联的计算系统。在另一实例中，可通过耦合到处理器系统的单个计算机系统直接控制检测器系统。
处理器系统可经配置以通过可包含有线及/或无线部分的传输媒体从其它系统接收及/或获取数据或信息(例如，测量信号、差信号、统计结果、参考或校准数据、训练数据、模型、提取特征或变换结果、变换数据集、曲线拟合、定性及定量结果等)。以此方式，传输媒体可充当处理器系统与其它系统(例如，外部存储器、参考测量源或其它外部系统)之间的数据链路。例如，处理器系统可经配置以经由数据链路从存储媒体(例如，内部或外部存储器)接收测量数据。例如，使用检测系统获得的结果可被存储在永久或半永久存储器装置(例如，内部或外部存储器)中。在此方面，可从板上存储器或从外部存储器系统输入光谱结果。此外，处理器系统可经由传输媒体将数据发送到其它系统。例如，可将由处理器系统确定的定性及/或定量结果传递且存储在外部存储器中。在此方面，测量结果可导出到另一系统。
处理器系统可包含但不限于：GPU板、FPGA、可编程逻辑阵列、个人计算机系统、主计算机系统、工作站、图像计算机，或所属领域中已知的任何其它装置。一般来说，术语“处理器系统”可广泛定义为涵盖具有执行来自存储器媒体的指令的一或多个处理器的任何装置。可经由传输媒体(例如线、电缆或无线传输链路)传输实施例如本文中描述的方法的方法的程序指令。程序指令可存储在计算机可读媒体(例如，存储器)中。示范性计算机可读媒体包含只读存储器、快闪存储器、随机存取存储器，或磁盘或光盘。
计量工具可经设计以进行与半导体制造相关的许多不同类型的测量。用于确定质量及/或定量高度的本发明的特定实施例可利用这些测量。用于确定特定目标特性的额外计量技术还可与上述高度确定技术组合。例如，在特定实施例中，工具还可测量信号且确定一或多个目标的其它特性，例如质量及缺陷量值、临界尺寸、得加、膜厚度、工艺相关参数(例如，镀敷条件)等。目标可包含特定所关注区域，例如(举例来说)用于芯片之间的互连的Cu柱。目标可包含多个层(或膜)，例如光致抗蚀剂层或钝化层。
可通过许多数据拟合及优化技术与科技来分析所收集的数据，包含：机器学习算法，例如类神经网络、支持向量机(SVM)；降维算法，例如(举例来说)PCA(主分量分析)、ICA(独立分量分析)、LLE(局部线性嵌入)；卡尔曼(Kalman)滤波器；促进与相同或不同工具类型的匹配的算法，及其它。
通常针对数据处理速度及准确度优化计算算法，其中使用例如计算硬件的设计及实施、平行化等的一或多种方法。可在固件、软件、FPGA、可编程逻辑阵列等中实现算法的不同实施。
数据分析可用来探求以下目的中的一者：对高度、质量、缺陷数目、CD、组成、膜的测量；产生工艺参数(例如，镀敷或蚀刻设置)；及/或其的任何组合。
此处呈现的本发明的特定实施例大致讨论半导体工艺及质量控制的领域，而不限于硬件、算法/软件实施方案及架构，且使用上文概述的案例。
虽然为清楚理解的目的已详细描述前述本发明，但是将明白，可在所附权利要求书的范围内实践某些改变及修改。应注意，存在实施本发明的工艺、系统及设备的许多替代方式。因此，本发明实施例应被视为阐释性的且非限制性的，且本发明不应限于本文中给出的细节。

Claims (20)

1.一种用于确定半导体结构的高度的系统，其包括：
照明模块，其用于引导一或多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品；
收集模块，其用于检测从所述表面反射的光，其中所述收集模块含有经定位以接收从所述表面中的一者反射的光的至少两个检测器，其中所述检测器的第一检测器从焦点之前的位置接收更多反射光，且所述检测器的第二检测器从所述焦点之后的位置接收更多反射光，使得除非所述表面的此一表面处于最佳焦点，否则所述第一检测器及所述第二检测器接收到具有不同强度值的光；及
处理器系统，其用于基于由所述至少两个检测器接收的来自所述表面中的两个表面的所述检测光而确定高度。
2.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的源点引导到所述样本上的针孔；及
所述收集模块进一步包括：
第一针孔，其定位在所述焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一针孔而到所述第一检测器；及
第二针孔，其定位在所述焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二针孔而到所述第二检测器，其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管检测器。
3.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的源线引导到所述样品的狭缝；及
所述收集模块进一步包括：
第一狭缝，其定位在所述焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一狭缝而到所述第一检测器；及
第二狭缝，其定位在所述焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二狭缝而到所述第二检测器，其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管阵列。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述收集模块进一步包括一对针孔或狭缝，其经定位使得在这些针孔或狭缝之间或这些针孔或狭缝中的一者上接收到从准焦或散焦表面反射的所述焦点。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述对针孔或狭缝经定位以在所述表面中的一者散焦时接收到不同量的光且在此表面准焦时接收到相等量的光。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述对针孔或狭缝经定位使得在所述表面的特定表面散焦特定量时，仅所述第一检测器及所述第二检测器中的一者接收到来自所述特定表面的最大强度。
7.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的源线引导到所述样品上的狭缝，
其中所述第一检测器定位在所述焦点之前，及
其中所述第二检测器定位在所述焦点之后。
8.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述照明模块包括用于接收照明光且将所述照明的多个源线或点引导到所述样品上的多个狭缝或针孔，及
所述至少两个检测器是二维图像传感器。
9.根据权利要求1所述的系统，其中通过使由所述至少两个检测器接收的检测光与表面的位置相关的函数确定所述高度。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述收集模块包括三个或更多个检测器，且所述函数进一步使由所述三个或更多个检测器接收的检测光与表面的位置及纵向放大因子M相关。
11.一种确定高度的方法，其包括：
引导一或多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品；
检测从所述表面反射的光，其中通过经定位以接收从所述表面中的一者反射的光的至少两个检测器检测所述反射光，其中所述检测器的第一检测器从最佳焦点之前的位置接收更多反射光，且所述检测器的第二检测器从所述最佳焦点之后的位置接收更多反射光，使得除非所述表面的此一表面处于最佳焦点，否则所述第一检测器及所述第二检测器接收到具有不同强度值的光；及
基于由所述至少两个检测器接收的来自所述表面中的两个表面的所述检测光强度而确定高度。
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：接收照明光且经由源针孔将所述照明光的源点引导到所述样品上，其中第一针孔定位在所述最佳焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一针孔而到所述第一检测器，且第二针孔定位在所述最佳焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二针孔而到所述第二检测器，其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管检测器。
13.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：接收照明光且经由源狭缝将所述照明光的源线引导到所述样品上，其中第一狭缝定位在所述最佳焦点之前，所述反射光的部分通过所述第一狭缝而到所述第一检测器，且第二狭缝定位在所述最佳焦点之后，所述反射光的部分通过所述第二狭缝而到所述第二检测器，其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管阵列。
14.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：接收照明光且经由源狭缝将所述照明光的源线引导到所述样品上，其中所述第一检测器定位在所述最佳焦点之前且所述第二检测器定位在所述最佳焦点之后，且其中所述第一检测器及所述第二检测器是光二极管阵列。
15.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：接收照明光且经由多个源针孔或狭缝将所述照明光的多个源线或点引导到所述样品上，且其中所述至少两个检测器是二维图像传感器。
16.根据权利要求11所述的方法，其中通过使由所述至少两个检测器接收的检测光与表面的位置相关的函数确定所述高度，其中通过三个或更多个检测器检测所述反射光，且所述函数进一步使由所述三个或更多个检测器接收的检测光与表面的位置及纵向放大因子M相关。
17.一种用于确定半导体样品的两个表面之间的高度的系统，所述系统包括：
照明模块，其用于引导源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品；
收集模块，其用于检测从所述表面反射的光，其中所述收集模块包括快速可变焦点透镜、检测器，及用于将从所述表面中的一者反射的光引导到所述检测器上的收集狭缝或针孔；及
处理器系统，其用于基于所接收的来自两个表面的至少两个不同焦点深度的所述检测光而确定所述两个表面之间的高度。
18.一种用于确定半导体样品的两个表面之间的高度的系统，所述系统包括：
照明模块，其用于引导多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品，其中所述源线或点按不同焦点深度引导朝向所述样品；
收集模块，其用于检测从所述表面反射的光，其中所述收集模块含有经定位以接收从所述表面中的一者反射的光的至少三个检测器，其中所述至少三个检测器经布置以接收响应于在所述不同焦点深度的所述源线或点而反射的光，使得每一检测器接收不同焦点深度光；及
处理器系统，其用于基于由所述至少两个检测器接收的来自所述表面中的两个表面的所述检测光而确定高度。
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述照明模块进一步经配置以将所述源线或点引导到所述样品上的不同xy位置上。
20.根据权利要求18所述的系统，其中所述三个检测器经定位使得响应于所述多个源线或点而反射的多个焦点位于所述至少三个检测器的两个相邻检测器的图像空间中的z位置之间。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108982455A (zh) * 2018-07-31 2018-12-11 浙江大学 一种多焦点光切片荧光显微成像方法和装置
CN111356896A (zh) * 2020-02-24 2020-06-30 长江存储科技有限责任公司 用于半导体芯片表面形貌计量的系统和方法
CN111830057A (zh) * 2019-04-22 2020-10-27 深圳中科飞测科技有限公司 一种检测设备及其聚焦方法和检测方法
CN113418470A (zh) * 2021-07-08 2021-09-21 西安工业大学 光谱扫描共焦单次曝光数字全息测量系统及测量方法
US11448499B2 (en) 2020-02-24 2022-09-20 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
US11454491B2 (en) 2020-02-24 2022-09-27 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems having light source with extended spectrum for semiconductor chip surface topography metrology
US11562919B2 (en) 2020-02-24 2023-01-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
CN115917246A (zh) * 2020-08-07 2023-04-04 科磊股份有限公司 使用深度学习的3d结构检验或计量
CN116086330A (zh) * 2023-02-17 2023-05-09 无锡星微科技有限公司 一种用于大尺寸晶圆的厚度检测平台

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10088298B2 (en) 2015-09-04 2018-10-02 Kla-Tencor Corporation Method of improving lateral resolution for height sensor using differential detection technology for semiconductor inspection and metrology
US9958257B2 (en) 2015-09-21 2018-05-01 Kla-Tencor Corporation Increasing dynamic range of a height sensor for inspection and metrology
US9709386B1 (en) * 2016-04-05 2017-07-18 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for measuring properties in a TSV structure using beam profile reflectometry
DE102016221630A1 (de) * 2016-11-04 2018-05-09 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Konfokal chromatischer Sensor zur Bestimmung von Koordinaten eines Messobjekts
US10288408B2 (en) * 2016-12-01 2019-05-14 Nanometrics Incorporated Scanning white-light interferometry system for characterization of patterned semiconductor features
US10768404B2 (en) * 2017-03-22 2020-09-08 Mitutoyo Corporation Modulation monitoring system for use with an imaging system that includes a high speed periodically modulated variable focal length lens
US10732515B2 (en) * 2017-09-27 2020-08-04 Kla-Tencor Corporation Detection and measurement of dimensions of asymmetric structures
TWI641806B (zh) * 2017-11-29 2018-11-21 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構的檢測方法、與檢測設備及其對焦式擷取器
WO2019118582A2 (en) * 2017-12-12 2019-06-20 Trustees Of Boston University Multi-z confocal imaging system
WO2019147829A2 (en) * 2018-01-24 2019-08-01 Cyberoptics Corporation Structured light projection for specular surfaces
US10866092B2 (en) * 2018-07-24 2020-12-15 Kla-Tencor Corporation Chromatic confocal area sensor
US10923317B2 (en) * 2018-09-19 2021-02-16 KLA Corp. Detecting defects in a logic region on a wafer
DE102018133188A1 (de) * 2018-12-20 2020-06-25 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Abstandbestimmung einer probenebene in einem mikroskopsystem
US11231362B1 (en) * 2018-12-20 2022-01-25 Kla Corporation Multi-environment polarized infrared reflectometer for semiconductor metrology
US10816464B2 (en) * 2019-01-23 2020-10-27 Applied Materials, Inc. Imaging reflectometer
WO2020194491A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社日立ハイテク 欠陥検査装置
JP7290449B2 (ja) * 2019-04-03 2023-06-13 株式会社ディスコ 超高速度撮像装置
US10830586B1 (en) * 2019-06-19 2020-11-10 Fei Company Confocal chromatic sensor systems
EP3812697A1 (de) * 2019-10-25 2021-04-28 sentronics metrology GmbH Vorrichtung und verfahren zur profilmessung von flachen objekten mit unbekannten materialien
CN113533351B (zh) * 2021-08-20 2023-12-22 合肥御微半导体技术有限公司 一种面板缺陷检测装置及检测方法
WO2024071532A1 (ko) * 2022-09-29 2024-04-04 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 검사 장치 및 3차원 형상 검사 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001124530A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Hitachi Ltd 立体形状検出方法及び装置、並びに検査方法及び装置
JP2001311608A (ja) * 2000-05-01 2001-11-09 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 微小突起物検査装置
KR20070089611A (ko) * 2006-02-28 2007-08-31 가부시끼가이샤 도시바 포커스 맞춤 장치 및 포커스 맞춤 방법
CN101231158A (zh) * 2008-02-20 2008-07-30 北京理工大学 基于液体变焦透镜的微小物体三维外形尺寸的快速检测装置
US20120026511A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for measuring surface profile of an object
CN203337093U (zh) * 2013-04-08 2013-12-11 辽宁科旺光电科技有限公司 高精度位置检测装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4806774A (en) 1987-06-08 1989-02-21 Insystems, Inc. Inspection system for array of microcircuit dies having redundant circuit patterns
US5581345A (en) * 1990-12-03 1996-12-03 Nikon Corporation Confocal laser scanning mode interference contrast microscope, and method of measuring minute step height and apparatus with said microscope
JPH06109647A (ja) 1992-09-24 1994-04-22 Nikon Corp 欠陥検査装置
WO1996034406A1 (fr) * 1995-04-27 1996-10-31 Hitachi, Ltd. Fabrication d'un dispositif a microplaquette de semi-conducteur
JPH09325278A (ja) 1996-06-05 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 共焦点型光学顕微鏡
JPH109827A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Omron Corp 高さ判別装置および方法
JP4115624B2 (ja) * 1999-04-27 2008-07-09 オリンパス株式会社 ３次元形状測定装置
US6693664B2 (en) 1999-06-30 2004-02-17 Negevtech Method and system for fast on-line electro-optical detection of wafer defects
DE69904332T2 (de) * 1999-10-22 2003-10-02 Tesa Brown & Sharpe Sa Vorrichtung zur Messung der Linear- oder Winkelverschiebung
JP3210654B1 (ja) 2001-05-02 2001-09-17 レーザーテック株式会社 光学式走査装置及び欠陥検出装置
US6603541B2 (en) 2001-06-28 2003-08-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Wafer inspection using optimized geometry
US6646281B1 (en) 2001-12-28 2003-11-11 Kla-Tencor Corporation Differential detector coupled with defocus for improved phase defect sensitivity
US6657216B1 (en) 2002-06-17 2003-12-02 Nanometrics Incorporated Dual spot confocal displacement sensor
JP2004061334A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Olympus Corp 共焦点走査型顕微鏡、高さ測定方法、プログラム及び記憶媒体
DE10242373B4 (de) * 2002-09-12 2009-07-16 Siemens Ag Konfokaler Abstandssensor
US7106432B1 (en) 2002-09-27 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface inspection system and method for using photo detector array to detect defects in inspection surface
JP4239166B2 (ja) * 2002-12-27 2009-03-18 関西ティー・エル・オー株式会社 多層観察型光学顕微鏡及び多層観察ユニット
US7525659B2 (en) 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US6872942B1 (en) 2003-04-01 2005-03-29 Kla-Tencor Technologies Corporation High-speed inspection of flat substrates with underlying visible topology
JP4265786B2 (ja) 2004-07-20 2009-05-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 高さ測定方法及び高さ測定装置、並びに信号処理方法
US7477401B2 (en) 2004-11-24 2009-01-13 Tamar Technology, Inc. Trench measurement system employing a chromatic confocal height sensor and a microscope
KR100684102B1 (ko) 2005-06-30 2007-02-16 삼성전자주식회사 결함 검사 방법 및 이를 이용한 결함 검사 장치
WO2008007363A2 (en) 2006-07-11 2008-01-17 Camtek Ltd System and method for probe mark analysis
JP2008191122A (ja) * 2007-02-08 2008-08-21 Toshiba Corp 表面形状測定装置及び方法
JP5268061B2 (ja) 2008-11-05 2013-08-21 レーザーテック株式会社 基板検査装置
TWM361016U (en) * 2009-02-23 2009-07-11 Oriental Inst Technology Height-measuring device for dynamic image
JP2010206013A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Toshiba Corp 半導体基板の検査方法および検査装置
JP2010216880A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Omron Corp 変位センサ
KR101091111B1 (ko) * 2010-03-09 2011-12-09 한국표준과학연구원 광축주사 과정을 제거한 공초점 현미경 및 초점검출 방법
JP2012137469A (ja) * 2010-08-19 2012-07-19 Takaoka Electric Mfg Co Ltd 三次元画像取得装置および三次元画像取得方法
CN101982722A (zh) * 2010-09-07 2011-03-02 金宝电子（中国）有限公司 电路板检测装置及其方法
JP5419293B2 (ja) 2010-09-27 2014-02-19 レーザーテック株式会社 検査装置
JP5686012B2 (ja) 2011-03-22 2015-03-18 富士通株式会社 表面欠陥検査装置及び方法
JP2013113650A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Lasertec Corp トレンチ深さ測定装置及びトレンチ深さ測定方法並びに共焦点顕微鏡
JP5975562B2 (ja) * 2012-03-02 2016-08-23 オリンパス株式会社 撮像装置及び撮像装置の作動方法
JP5614759B2 (ja) * 2012-04-16 2014-10-29 レーザーテック株式会社 検査装置
JP5864346B2 (ja) * 2012-04-17 2016-02-17 株式会社ミツトヨ オートフォーカス機構
JP5674050B2 (ja) * 2012-08-28 2015-02-18 横河電機株式会社 光学式変位計
US20140152797A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Confocal optical inspection apparatus and confocal optical inspection method
US9052190B2 (en) 2013-03-12 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Bright-field differential interference contrast system with scanning beams of round and elliptical cross-sections
US9696264B2 (en) * 2013-04-03 2017-07-04 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory
JP2014206446A (ja) 2013-04-12 2014-10-30 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査方法
JP6196119B2 (ja) * 2013-10-11 2017-09-13 大塚電子株式会社 形状測定装置及び形状測定方法
US9551672B2 (en) 2013-12-18 2017-01-24 Lasertec Corporation Defect classifying method and optical inspection apparatus for silicon carbide substrate
US9885656B2 (en) 2014-12-17 2018-02-06 Kla-Tencor Corporation Line scan knife edge height sensor for semiconductor inspection and metrology

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001124530A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Hitachi Ltd 立体形状検出方法及び装置、並びに検査方法及び装置
JP2001311608A (ja) * 2000-05-01 2001-11-09 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 微小突起物検査装置
KR20070089611A (ko) * 2006-02-28 2007-08-31 가부시끼가이샤 도시바 포커스 맞춤 장치 및 포커스 맞춤 방법
CN101231158A (zh) * 2008-02-20 2008-07-30 北京理工大学 基于液体变焦透镜的微小物体三维外形尺寸的快速检测装置
US20120026511A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for measuring surface profile of an object
CN203337093U (zh) * 2013-04-08 2013-12-11 辽宁科旺光电科技有限公司 高精度位置检测装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108982455A (zh) * 2018-07-31 2018-12-11 浙江大学 一种多焦点光切片荧光显微成像方法和装置
CN108982455B (zh) * 2018-07-31 2020-08-18 浙江大学 一种多焦点光切片荧光显微成像方法和装置
CN111830057B (zh) * 2019-04-22 2023-10-03 深圳中科飞测科技股份有限公司 一种检测设备及其聚焦方法和检测方法
CN111830057A (zh) * 2019-04-22 2020-10-27 深圳中科飞测科技有限公司 一种检测设备及其聚焦方法和检测方法
US11448499B2 (en) 2020-02-24 2022-09-20 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
US11243067B2 (en) 2020-02-24 2022-02-08 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
US11454491B2 (en) 2020-02-24 2022-09-27 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems having light source with extended spectrum for semiconductor chip surface topography metrology
US11562919B2 (en) 2020-02-24 2023-01-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
CN111356896A (zh) * 2020-02-24 2020-06-30 长江存储科技有限责任公司 用于半导体芯片表面形貌计量的系统和方法
US11796307B2 (en) 2020-02-24 2023-10-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
CN115917246A (zh) * 2020-08-07 2023-04-04 科磊股份有限公司 使用深度学习的3d结构检验或计量
CN113418470A (zh) * 2021-07-08 2021-09-21 西安工业大学 光谱扫描共焦单次曝光数字全息测量系统及测量方法
CN113418470B (zh) * 2021-07-08 2023-01-31 西安工业大学 光谱扫描共焦单次曝光数字全息测量系统及测量方法
CN116086330A (zh) * 2023-02-17 2023-05-09 无锡星微科技有限公司 一种用于大尺寸晶圆的厚度检测平台
CN116086330B (zh) * 2023-02-17 2024-01-12 无锡星微科技有限公司 一种用于大尺寸晶圆的厚度检测平台

Also Published As

Publication number Publication date
TWI721993B (zh) 2021-03-21
CN107683400B (zh) 2021-01-26
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US10495446B2 (en) 2019-12-03

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