JP5487196B2 - 小さな反射屈折対物レンズを用いる分割視野検査システム - Google Patents
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Description
[適用例1]
試料を検査するシステムにおいて、
光エネルギーの複数のチャネルを生成するよう構成した照射サブシステムであって、各チャネルにおける光エネルギーは、少なくとも一つの他のチャネルにおける光エネルギーとは異なる特性を有するように生成する、該照射サブシステムと、
前記複数チャネルの光エネルギーを受光するよう構成した光学系であって、光エネルギーの複数チャネルを複合して空間的に分離した複合光エネルギービームとなるよう複合させ、また前記空間的に分離した複合光エネルギービームを試料に向けて方向付けするよう転向させる、該光学系と、
前記試料から反射する反射光エネルギーを受光して検出するよう構成した少なくとも1個の検出器を有するデータ取得サブシステムと、
を備え、
前記データ取得サブシステムは、反射した光エネルギーを、光エネルギーの前記複数チャネルに対応する複数の受光チャネルに分離するよう構成した、
試料検査システム。
[適用例2]
適用例1に記載の方法において、光エネルギーの少なくとも1つのチャネルは、暗視野光エネルギーを有する、方法。
[適用例3]
適用例1に記載の方法において、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、同一タイプではあるが、光エネルギーの他のチャネルとは周波数が異なる光エネルギーを有する、方法。
[適用例4]
適用例1に記載の方法において、データ取得サブシステムは、受光した光エネルギーの少なくとも一つのチャネルを、受光した光エネルギーの複数のサブチャネルに分割するよう構成した、方法。
[適用例5]
適用例1に記載の方法において、前記光学系は、複数の反射表面と、光エネルギーの複数のチャネルを単独の位置に収束させて試料に向けて移送する複数のレンズとを有する構成とした、方法。
[適用例6]
適用例5に記載の方法において、前記光学系は、さらに、光エネルギーの一つのチャネル内に挿入した少なくとも一つの開口を有する構成とした、方法。
[適用例7]
適用例1に記載の方法において、前記試料の第1部分を光エネルギーの第1チャネルにより照射するとともに、前記試料の第2部分を光エネルギーの第2チャネルにより同時に照射する方法。
[適用例8]
試料を検査する方法において、
光エネルギーの複数チャネルを生成するチャネル生成ステップであって、生成した各チャネルの光エネルギーが、少なくとも一つの他のチャネルにおける光エネルギーとは特性が異なるものとなるよう生成する、該チャネル生成ステップと、
光エネルギーの複数チャネルを受光するステップと、
光エネルギーの前記複数チャネルを、空間的に分離した複合光エネルギービームに複合させる複合ステップと、
前記空間的に分離した複合光エネルギービームを試料に向けて方向付けするステップと、
前記試料から反射した反射エネルギーを受光して検出する検出ステップであって、前記反射光エネルギーを、光エネルギーの前記複数チャネルに対応する複数の受光チャネルに分離するステップを有する、該検出ステップと、
を備える方法。
[適用例9]
適用例8に記載の方法において、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、暗視野光エネルギーを有する、方法。
[適用例10]
適用例8に記載の方法において、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、同一タイプではあるが、光エネルギーの他のチャネルとは周波数が異なる光エネルギーを有する、方法
[適用例11]
適用例8に記載の方法であって、反射した光エネルギーを検出する検出ステップは、さらに、受光した光エネルギーの少なくとも一つのチャネルを、受光した光エネルギーの複数のサブチャネルに分割するステップを有する、方法。
[適用例12]
適用例8に記載の方法において、前記複合ステップは、複数の反射表面と、光エネルギーの複数のチャネルを単独の位置に収束させて試料に向けて移送する複数のレンズとを有する光学系を使用する、方法。
[適用例13]
適用例12に記載の方法において、前記光学系は、さらに、光エネルギーの一つのチャネル内に挿入した少なくとも一つの開口を有する構成とした、方法。
[適用例14]
適用例8に記載の方法において、前記試料の第1部分を光エネルギーの第1チャネルにより照射するとともに、前記試料の第2部分を光エネルギーの第2チャネルにより同時に照射する方法。
[適用例15]
試料を検査するシステムにおいて、
異なる特性を有する光エネルギーの複数チャネルを生成するよう構成した照射サブシステムと、
前記複数チャネルの光エネルギーを受光するよう構成した光学系であって、光エネルギーの複数チャネルを複合して空間的に分離した複合光エネルギービームとなるよう複合させ、また空間的に分離した複合光エネルギービームを試料に向けて方向付けするよう転向させる、該光学系と、
前記試料から反射する反射光エネルギーを受光して検出するよう構成した少なくとも1個の検出器を有するデータ取得サブシステムと、
を備えるシステム。
[適用例16]
適用例15に記載のシステムにおいて、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、暗視野光エネルギーを有する、システム。
[適用例17]
適用例15に記載のシステムにおいて、光エネルギー少なくとも一つのチャネルは、同一タイプではあるが、光エネルギーの他のチャネルとは、周波数が異なる光エネルギーを有する、システム。
[適用例18]
適用例15に記載のシステムにおいて、データ取得サブシステムは、受光した光エネルギーの少なくとも一つのチャネルを、受光した光エネルギーの複数のサブチャネルに分割するように構成した、システム。
[適用例19]
適用例15に記載のシステムにおいて、前記光学系は、複数の反射表面と、光エネルギーの複数のチャネルを単独の位置に収束させて試料に向けて移送する複数のレンズとを有する構成とした、システム。
[適用例20]
適用例19に記載のシステムにおいて、前記光学系は、さらに、光エネルギーの一つのチャネル内に挿入した少なくとも一つの開口を有する構成とした、システム。
[適用例21]
適用例15に記載のシステムにおいて、前記試料の第1部分を光エネルギーの第1チャネルにより照射するとともに、前記試料の第2部分を光エネルギーの第2チャネルにより同時に照射するシステム。
多くの異なるモードは、部分的に製造した集積回路などの試料を検査するために存在する。様々な検査モードを、用途および環境に基づいて本発明システムに使用することができる。本発明で使用する検査モードとしては、明視野、環状暗視野、フルスカイ、指向性暗視野、微分干渉コントラスト(DIC)、共焦点、開口整形検査のモードがある。これらモードは、試料を検査する目的に応じて光エネルギーの反射を用いて実施することができる。本明細書で使用する検査用の設計は、これら1つ以上の検査モード、ならびに他の検査モードを支援する。
現在の設計で使用する照射サブシステムは、レーザー源301、収集光学系302〜304、瞳平面305近傍に配置したビーム整形コンポーネント、リレー光学系306および309を備える。レーザー源301は、1波長または複数の独立波長を生成する。
本発明における結像サブシステムの設計は、大きい視野を有し、また様々な検査モードを支援する狭帯域光源に適合する超高NA小サイズ反射屈折対物レンズに基づく。この大きい視野を空間的に個別の区域に分割することができ、各区域は個別の検査モードを支援する。本発明によれば、対物レンズを、単独のガラス材料を使用する、または場合によっては、1個以上のガラス材料を使用して、0.4mmより大きい視野サイズにわたり修正し、性能を改善することができる。
この実施形態におけるセンササブシステムは、少なくとも1個のセンサを有する。このセンサは、リニアセンサまたはアレイセンサとすることができる。この用途では、センサは、一般的に高速、低雑音読み出し、高量子効率、長期耐用期間および高コントラスト伝達関数を有することが必要である。高量子効率は重要であり、なぜならセンサを十分照射するために、照射システムからの光はほとんど必要としないからである。これはまた、試料表面上に対してエネルギーもほとんど必要としないことを意味し、したがって、レーザー照射からダメージを受ける可能性を制限する傾向がある。長期耐用期間のセンサは、センサの性能が時間で変化する可能性を最小化して、システムの再較正のリスクを減少する。高コントラスト伝達関数(CTF)は、適正な解像度で画像を検出するのに必要である。低CTFは、小さい欠陥を検出する検出システムの能力を制限しがちである。検査システムにおいては、CTFは一般的に、約0.4までは容認できるが、0.6以上またはそれより大きい値が好適である。
現行検査システムに使用するデータ取得サブシステムは、連続的に移動するステージと同期してデータを読み出す走査モードで動作する。区域センサは、TDIモードまたはフラッシュモードのいずれかで動作しなければならない。TDIモードは、検出器内の電荷と、検出器を横切って移動する画像を同期させる。これはまた、長い積分時間を維持する間、高速なデータ取得を可能とする。画像がセンサ上を横切って移動するとき、電荷は、一つのステージから次のステージにクロック制御される。ステージの数は、信号積分の量を決定する。より多数のステージは改善した光感度をもたらす。これら長い積分時間は、スペックル平滑化を改善し、試料にダメージを与えるレーザー照射パワーを低減する。
図3に図示する実施形態は、試料上の降伏限界欠陥を識別するためにデータ解析サブシステムを用いる。欠陥は、まず比較技術により識別する。ある比較技術をウエハに対して初めに使用して、異なるダイの比較をする。例えば、もしダイ1および2を比較し、差異が位置Aで見つかり、基板2と3を比較して差異がまた位置Aで見つかるなら、欠陥位置は基板2に原因がある。
図4の実施形態の照射は、図3の実施形態に記載した選択肢と同様である。主な違いは、視野平面407は明視野照射に対応する一部分と、指向性暗視野照射に対応する一部分を含むことである。両方のタイプの照射は、それぞれに対応するセンサと適合させなければならない。明視野照射のためには、視野407における区域照射はTDIセンサ区域に応じして使用する。この明視野照射に対応する光は、光学系402a〜406aを含む照射経路内に含ませることができる。指向性暗視野のためには、線照射または区域照射を視野平面407に使用することができる。線照射は線センサのために使用でき、区域照射はTDIセンサのために使用できる。指向性暗視野照射に対応する光は、光学系402b〜406bを有する照射経路内に含ませることができる。ミラー408を用いて、照射光を転向させ、光軸が明視野路からの照射光に対して整列する、またはほぼ整列するようにする。
図4の実施形態における結像は、概して、図3に記載したものと同様の選択肢を有する。主な違いは、瞳平面419aが、2重暗視野画像収集に対応する開口を有することである。通常収集チャネルは、瞳平面419aに配置してマスクの中央に対応する。高角度で散乱する指向性暗視野部は、瞳平面419aに配置したマスクの側面部の開口に対応する。通常収集チャネルからの光は、結像レンズ420aを通過して、線形センサ421a上で結像する。指向性暗視野からの散乱光は、ミラー422aおよび422bにより2個の個別チャネルに向かう。ミラー422aからの光をレンズ423aにより収集して、線形センサ424a上で結像する。同様に、ミラー422bからの光をレンズ423aにより収集して、線形センサ424b上で結像する。
この実施形態は、標準的な自動合焦技術を用いて、試料の焦点位置を維持するための大きな利点を有する。自動合焦の検出感度は、収集光学系の開口数に基づく。自動合焦システムのためにより小さい開口数を用いるシステムは、自動合焦の検出感度が減少する。これは一般的に、高角度の散乱光を収集する指向性暗視野検査モード用いるときに画像を大幅に移動させる。図4の設計は、センサ424aおよび424bを使用するチャネルにおける、このような高角度散乱光結像、および検査を支援する。
この実施形態におけるセンササブシステムは、明視野チャネルのための1個のTDIセンサと、指向性暗視野チャネルのための3個の付加的なセンサとを有する。これら付加的なセンサは線形センサまたはTDIセンサとすることができる。多くの従来システムは、高収集角度での指向性暗視野検査するために線形センサのみで機能するものであった。しかし、このことは、極密な合焦ラインによる影響のために試料にダメージを与える。本発明は、指向性暗視野にTDIセンサを用いることを支援し、TDIセンサは試料の2次元画像を生成するからである。このことは、試料に対する影響を大幅に軽減し、検査スピードを向上することができる。
この実施形態で用いるデータ取得サブシステムは、図3で説明した実施形態と同様の方法で動作する。TDIセンサおよび線形センサは、典型的には独立して走査ステージと同期する。この実施形態は、上述したのと同一の比較技術を有するデータ解析サブシステムを使用する。
Claims (20)
- 試料を検査するシステムにおいて、
レーザー光エネルギーの複数のチャネルを生成するよう構成した照射サブシステムであって、各チャネルにおける光エネルギーは、少なくとも一つの他のチャネルにおける光エネルギーとは異なる特性を有するように生成し、前記異なる特性は、異なる照射モードと異なる周波数とを含むグループの中の少なくとも1つを含む、該照射サブシステムと、
前記複数チャネルの光エネルギーを受光するよう構成した光学系であって、光エネルギーの複数チャネルを複合して1つの複合光エネルギービームとなるよう複合させ、また前記1つの複合光エネルギービームを実質的に90度の入射角で試料に向けて方向付けするよう転向させる、該光学系と、
前記試料から実質的に90度の反射角で反射する反射光エネルギーを受光して検出するよう構成した少なくとも1個の検出器を有するデータ取得サブシステムと、
を備え、
前記データ取得サブシステムは、反射した光エネルギーの実質的にすべてを、光エネルギーの1つのチャネルの1つの異なる特性に特有の光学素子を用いて、光エネルギーの前記複数チャネルに対応する複数の受光チャネルに分離するよう構成した、
試料検査システム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、光エネルギーの少なくとも1つのチャネルは、暗視野光エネルギーを有する、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、同一タイプではあるが、光エネルギーの他のチャネルとは周波数が異なる光エネルギーを有する、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、データ取得サブシステムは、受光した光エネルギーの少なくとも一つのチャネルを、受光した光エネルギーの複数のサブチャネルに分割するよう構成した、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記光学系は、複数の反射表面と、光エネルギーの複数のチャネルを単独の位置に収束させて試料に向けて移送する複数のレンズとを有する構成とした、システム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記光学系は、さらに、光エネルギーの一つのチャネル内に挿入した少なくとも一つの開口を有する構成とした、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記試料の第1部分を光エネルギーの第1チャネルにより照射するとともに、前記試料の第2部分を光エネルギーの第2チャネルにより同時に照射するシステム。
- 試料を検査する方法において、
光エネルギーの複数チャネルを生成するチャネル生成ステップであって、生成した各チャネルの光エネルギーが、少なくとも一つの他のチャネルにおける光エネルギーとは特性が異なるものとなるよう生成し、前記異なる特性は、異なる照射モードと異なる周波数とを含むグループの中の少なくとも1つを含む、該チャネル生成ステップと、
光エネルギーの前記複数チャネルを、1つの複合光エネルギービームに複合させる複合ステップと、
前記1つの分離した複合光エネルギービームを実質的に90度の入射角で試料に向けて方向付けするステップと、
前記試料から実質的に90度の反射角で反射した反射エネルギーを受光して検出する検出ステップであって、前記反射光エネルギーの実質的にすべてを、光エネルギーの1つのチャネルの1つの異なる特性に特有の光学素子を用いて、光エネルギーの前記複数チャネルに対応する複数の受光チャネルに分離するステップを有する、該検出ステップと、
を備える方法。 - 請求項8に記載の方法において、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、暗視野光エネルギーを有する、方法。
- 請求項8に記載の方法において、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、同一タイプではあるが、光エネルギーの他のチャネルとは周波数が異なる光エネルギーを有する、方法
- 請求項8に記載の方法であって、反射した光エネルギーを検出する検出ステップは、さらに、受光した光エネルギーの少なくとも一つのチャネルを、受光した光エネルギーの複数のサブチャネルに分割するステップを有する、方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記複合ステップは、複数の反射表面と、光エネルギーの複数のチャネルを単独の位置に収束させて試料に向けて移送する複数のレンズとを有する光学系を使用する、方法。
- 請求項12に記載の方法において、前記光学系は、さらに、光エネルギーの一つのチャネル内に挿入した少なくとも一つの開口を有する構成とした、方法。
- 請求項8に記載の方法において、前記試料の第1部分を光エネルギーの第1チャネルにより照射するとともに、前記試料の第2部分を光エネルギーの第2チャネルにより同時に照射する方法。
- 試料を検査するシステムにおいて、
異なる特性を有する光エネルギーの複数チャネルを生成するよう構成した照射サブシステムと、
前記複数チャネルの光エネルギーを受光するよう構成した光学系であって、光エネルギーの複数チャネルを複合して空間的に分離した複合光エネルギービームとなるよう複合させ、また空間的に分離した複合光エネルギービームを試料に向けて方向付けするよう転向させる、該光学系と、
前記試料から反射する反射光エネルギーを受光して検出するよう構成した少なくとも1個の検出器を有するデータ取得サブシステムと、
を備え、
前記データ取得サブシステムは、受光した光エネルギーの少なくとも一つのチャネルを、受光した光エネルギーの複数のサブチャネルに分割するよう構成した、システム。 - 請求項15に記載のシステムにおいて、光エネルギーの少なくとも一つのチャネルは、暗視野光エネルギーを有する、システム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、光エネルギー少なくとも一つのチャネルは、同一タイプではあるが、光エネルギーの他のチャネルとは、周波数が異なる光エネルギーを有する、システム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記光学系は、複数の反射表面と、光エネルギーの複数のチャネルを単独の位置に収束させて試料に向けて移送する複数のレンズとを有する構成とした、システム。
- 請求項18に記載のシステムにおいて、前記光学系は、さらに、光エネルギーの一つのチャネル内に挿入した少なくとも一つの開口を有する構成とした、システム。
- 請求項15に記載のシステムにおいて、前記試料の第1部分を光エネルギーの第1チャネルにより照射するとともに、前記試料の第2部分を光エネルギーの第2チャネルにより同時に照射するシステム。
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DE102009041183A1 (de) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Carl Zeiss Imaging Solutions Gmbh | Verfahren zum automatischen Fokussieren eines Mikroskops auf ein vorbestimmtes Objekt sowie Mikroskop zum automatischen Fokussieren |
SG190678A1 (en) * | 2010-12-16 | 2013-07-31 | Kla Tencor Corp | Wafer inspection |
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US9535273B2 (en) * | 2011-07-21 | 2017-01-03 | Photon Dynamics, Inc. | Apparatus for viewing through optical thin film color filters and their overlaps |
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US20130077086A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Kla-Tencor Corporation | Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser |
US9250178B2 (en) | 2011-10-07 | 2016-02-02 | Kla-Tencor Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
US10197501B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-02-05 | Kla-Tencor Corporation | Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors |
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US9529182B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-12-27 | KLA—Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9608399B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-03-28 | Kla-Tencor Corporation | 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser |
US9478402B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-10-25 | Kla-Tencor Corporation | Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor |
US9509112B2 (en) | 2013-06-11 | 2016-11-29 | Kla-Tencor Corporation | CW DUV laser with improved stability |
US9293882B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-03-22 | Kla-Tencor Corporation | Low noise, high stability, deep ultra-violet, continuous wave laser |
US9829441B2 (en) * | 2013-11-29 | 2017-11-28 | Nextin, Inc. | Wafer image inspection apparatus |
US9347890B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corporation | Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor |
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US9410901B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article |
US9804101B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
US9525265B2 (en) | 2014-06-20 | 2016-12-20 | Kla-Tencor Corporation | Laser repetition rate multiplier and flat-top beam profile generators using mirrors and/or prisms |
US9726615B2 (en) * | 2014-07-22 | 2017-08-08 | Kla-Tencor Corporation | System and method for simultaneous dark field and phase contrast inspection |
US9767986B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
US9419407B2 (en) | 2014-09-25 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus |
US9748729B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | 183NM laser and inspection system |
US9860466B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
US10748730B2 (en) | 2015-05-21 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer |
US10462391B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Dark-field inspection using a low-noise sensor |
CN108475024B (zh) * | 2015-12-31 | 2021-02-09 | Asml控股股份有限公司 | 用于在检查系统中聚焦的方法和装置 |
US9865447B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corporation | High brightness laser-sustained plasma broadband source |
US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
US10048132B2 (en) * | 2016-07-28 | 2018-08-14 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous capturing of overlay signals from multiple targets |
US10175555B2 (en) | 2017-01-03 | 2019-01-08 | KLA—Tencor Corporation | 183 nm CW laser and inspection system |
US10495287B1 (en) | 2017-01-03 | 2019-12-03 | Kla-Tencor Corporation | Nanocrystal-based light source for sample characterization |
US11662646B2 (en) | 2017-02-05 | 2023-05-30 | Kla Corporation | Inspection and metrology using broadband infrared radiation |
US10806016B2 (en) | 2017-07-25 | 2020-10-13 | Kla Corporation | High power broadband illumination source |
US10690589B2 (en) * | 2017-07-28 | 2020-06-23 | Kla-Tencor Corporation | Laser sustained plasma light source with forced flow through natural convection |
KR20230147216A (ko) | 2017-11-29 | 2023-10-20 | 케이엘에이 코포레이션 | 디바이스 검사 시스템을 사용한 오버레이 에러의 측정 |
US11067389B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-07-20 | Kla Corporation | Overlay metrology system and method |
US10714327B2 (en) | 2018-03-19 | 2020-07-14 | Kla-Tencor Corporation | System and method for pumping laser sustained plasma and enhancing selected wavelengths of output illumination |
US10568195B2 (en) | 2018-05-30 | 2020-02-18 | Kla-Tencor Corporation | System and method for pumping laser sustained plasma with a frequency converted illumination source |
US11114489B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
US10823943B2 (en) | 2018-07-31 | 2020-11-03 | Kla Corporation | Plasma source with lamp house correction |
US10943760B2 (en) | 2018-10-12 | 2021-03-09 | Kla Corporation | Electron gun and electron microscope |
US11262591B2 (en) | 2018-11-09 | 2022-03-01 | Kla Corporation | System and method for pumping laser sustained plasma with an illumination source having modified pupil power distribution |
US11114491B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
US11121521B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-09-14 | Kla Corporation | System and method for pumping laser sustained plasma with interlaced pulsed illumination sources |
US10921261B2 (en) | 2019-05-09 | 2021-02-16 | Kla Corporation | Strontium tetraborate as optical coating material |
US11011366B2 (en) | 2019-06-06 | 2021-05-18 | Kla Corporation | Broadband ultraviolet illumination sources |
US11255797B2 (en) | 2019-07-09 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Strontium tetraborate as optical glass material |
US10811158B1 (en) | 2019-07-19 | 2020-10-20 | Kla Corporation | Multi-mirror laser sustained plasma light source |
US11596048B2 (en) | 2019-09-23 | 2023-02-28 | Kla Corporation | Rotating lamp for laser-sustained plasma illumination source |
US11844172B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-12-12 | Kla Corporation | System and method for vacuum ultraviolet lamp assisted ignition of oxygen-containing laser sustained plasma sources |
US11761969B2 (en) * | 2020-01-21 | 2023-09-19 | Kla Corporation | System and method for analyzing a sample with a dynamic recipe based on iterative experimentation and feedback |
US11450521B2 (en) | 2020-02-05 | 2022-09-20 | Kla Corporation | Laser sustained plasma light source with high pressure flow |
US20230060883A1 (en) * | 2020-03-31 | 2023-03-02 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect inspection apparatus and defect inspection method |
US11848350B2 (en) | 2020-04-08 | 2023-12-19 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer |
US11690162B2 (en) | 2020-04-13 | 2023-06-27 | Kla Corporation | Laser-sustained plasma light source with gas vortex flow |
US11776804B2 (en) | 2021-04-23 | 2023-10-03 | Kla Corporation | Laser-sustained plasma light source with reverse vortex flow |
US11923185B2 (en) | 2021-06-16 | 2024-03-05 | Kla Corporation | Method of fabricating a high-pressure laser-sustained-plasma lamp |
US20230034635A1 (en) | 2021-07-30 | 2023-02-02 | Kla Corporation | Protective coating for nonlinear optical crystal |
US11978620B2 (en) | 2021-08-12 | 2024-05-07 | Kla Corporation | Swirler for laser-sustained plasma light source with reverse vortex flow |
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US6064517A (en) * | 1996-07-22 | 2000-05-16 | Kla-Tencor Corporation | High NA system for multiple mode imaging |
US6208411B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Massively parallel inspection and imaging system |
AU7716700A (en) | 1999-09-28 | 2001-04-30 | Tropel Corporation | Double mirror catadioptric objective lens system with three optical surface multifunction component |
US7136234B2 (en) | 2000-09-12 | 2006-11-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
US7061614B2 (en) * | 2001-10-16 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Measurement system with separate optimized beam paths |
US7027158B2 (en) * | 2002-03-11 | 2006-04-11 | Therma-Wave, Inc. | Beam splitter/combiner for optical meterology tool |
JP4183492B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2008-11-19 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
US7307783B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-12-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Catadioptric imaging system employing immersion liquid for use in broad band microscopy |
US7345825B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system |
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