JPH05129399A

JPH05129399A - 表面付着粒子検出装置

Info

Publication number: JPH05129399A
Application number: JP28782391A
Authority: JP
Inventors: Masakazu Hayashi; 正和林
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-11-01
Filing date: 1991-11-01
Publication date: 1993-05-25

Abstract

(57)【要約】【目的】多様な方向性のパターンを有する対象物の表面
に付着した粒子を高感度で検出することが可能な表面付
着粒子検出装置を提供することにある。【構成】半導体ウエハにレーザビームを照射して半導体
ウエハの表面に付着した粒子を検出する表面付着粒子検
出装置において、互いに異なる性質を有し半導体ウエハ
２０の表面２１に照射される複数のレーザビーム１４
ａ、１４ｂと、これらレーザビーム１４ａ、１４ｂを半
導体ウエハ２０の表面２１に走査する回転多面体スキャ
ナ１６と、レーザビーム１４ａ、１４ｂを一定の間隔を
保ったまま半導体ウエハ２０の表面２１に集光するｆθ
レンズ１９と、半導体ウエハ２０の表面２１からの散乱
光を受けて電気信号に変換するフォトマルチプライア２
４ａ、２４ｂと、このフォトマルチプライア２４ａ、２
４ｂの出力からノイズ成分を除いて粒子３０の信号を取
出すシグナルプロセッサ２８とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、対象物の表面
に付着した粒子を検出する付着粒子検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体分野で利用される測定装置、ある
いは検査装置においては、ｎｍ（ナノ・メートル）オー
ダーの分解能が要求されるため、他の工学の分野ではあ
まり重要視されないパラメータが問題になる。そして、
例えば１〜１０ｎｍの分解能を有するレーザ干渉計では
測定環境（温度、気圧、湿度、振動など）までが測定値
を支配する要因或いは誘因となる。

【０００３】上述のような高い分解能を得ることは難し
く、また、得られたとしても、測定・検査方法によって
値が異なる場合がある。そこで、径寸法が特定の値に決
められた粒子を、測定・検査のための標準試料として用
いてその装置の分解能を求めることが行われている。

【０００４】また、図５は半導体ウエハの表面の欠陥を
検査する装置の原理を示している。この装置は、レーザ
の直線偏光成分の解消現象を利用したもので、Ｓ偏光の
レーザビーム１をパターニングウエハ２に対して略水平
方向（α ２°）から照射する。この時パターン部分か
らの反射散乱光３はほぼＳ偏光成分であるのに反してパ
ターン上に突起状異物がある場合は反射散乱光３は偏光
解消を起こし、Ｐ偏光成分が現れる。したがって、結像
面４の前にＳ偏光遮断偏光板５を置けば、突起状異物だ
けが抽出される。ここで、図５中の６は光電素子であ
り、７は対物レンズである。

【０００５】また、微粒子計測技術やレーザ計測・検査
が記載された刊行物として、例えば、「電気学会技術報
告（ＩＩ部）第２５５号クリーンルームと微粒子計測
技術」や「月刊Semiconductor World 1986 8, レーザ応
用技術検査装置への応用」等がある。そして、表面付
着粒子検出装置に関する説明は、上記「電気学会技術報
告」の図３．４７、図３．４９、及び、図３．５０や、
上記「月刊Semiconductor World」の図３及び図４に示
されており、パターニングされたものを検査対象とした
例に関する説明は、上記「電気学会技術報告」の図３．
５７や上記「月刊Semiconductor World 」の図８及び図
１０に示されている。

【０００６】さらに、物体表面に付着した異物を検出す
るための技術が、特開昭６０−６３４４９号公報、同じ
く特開昭６１−２０８０５１号公報、及び、同じく特開
昭６２−７０７３８号公報等に記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図５のよう
にレーザの直線偏光成分の解消現象を利用した方式にお
いては、解消現象がパターンの方向性に依存する。この
ため、パターンを構成する線素の方向性が多様な場合に
は、この方式を適用することはできない。

【０００８】つまり、この方式においては、例えば図６
に示すようにパターン８が互いに直交する２方向及びこ
れらの方向に対して±４５°の方向に延びる線素により
構成されている場合のみしか検出を行うことができな
い。しかし、実際のデバイスにおいては異なったパター
ンを何重にも重ね合わせることが一般的であり、このた
め、製造プロセスの条件によってはパターンのコーナ部
が丸みをおびることもある。

【０００９】また、上述の方式においては、偏光性を保
存するために、レーザビーム１をパターニングウエハ２
に対して略水平方向から照射する必要がある。このた
め、レーザスポットの大きさを数１０μｍ程度に絞るこ
とができず、検出感度をある程度以上に高めることが難
しい。

【００１０】本発明の目的とするところは、多様な方向
性のパターンを有する対象物の表面に付着した粒子を高
感度で検出することが可能な表面付着粒子検出装置を提
供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、照射対象物に測定光を照射して
照射対象物の表面に付着した粒子を検出する表面付着粒
子検出装置において、互いに異なる性質を有し照射対象
物の表面に照射される複数の測定光と、これら測定光を
照射対象物の表面に走査する測定光走査手段と、測定光
を一定の間隔を保ったまま照射対象物の表面に集光する
集光光学系と、照射対象物の表面からの散乱光を受けて
電気信号に変換する光電変換手段と、この光電気変換手
段の出力からノイズ成分を除いて粒子の信号を取出す信
号処理手段とを備えた。また、本発明は、測定光を互い
に波長の異なる光を出力する光源から出射する。また、
本発明は、測定光を互いに異なる周波数に変調する。そ
して、本発明は、多様な方向性のパターンを有する対象
物の表面に付着した粒子を高感度で検出できるようにし
た。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の各実施例を図１〜図４に基づ
いて説明する。

【００１３】図１は本発明の第１の実施例の要部を示し
ており、図中の符号１１は表面付着粒子検出装置（以
下、検出装置と称する）である。この検出装置１１は、
光源としての２つの半導体レーザ１２ａ、１２ｂを備え
ており、これら半導体レーザ１２ａ、１２ｂはレーザコ
ントローラ１３に接続されている。半導体レーザ１２
ａ、１２ｂは、測定光としての、互いに異なる波長
λ₁、λ₂のレーザビーム１４ａ、１４ｂを出力するも
のであり、これらレーザビーム１４ａ、１４ｂはレンズ
１５ａ、１５ｂを通って、測定光走査手段としての回転
多面体スキャナ１６に達する。ここで、半導体レーザ１
２ａ、１２ｂの発振波長は、それぞれλ₁＝６７０ｎ
ｍ、λ₂＝７８０ｎｍに設定されている。

【００１４】一方の半導体レーザ１２ｂとレンズ１５ｂ
との側にはアライメント機構１７が設けられており、ア
ライメント機構１７に連結された半導体レーザ１２ｂ及
びレンズ１５ｂの、他方の半導体レーザ１２ａ及びレン
ズ１５ｂに対する姿勢はアライメント機構１７によって
調整される。

【００１５】前記回転多面体スキャナ１６は正多面体状
のもので、スキャナドライバ１８によって回転駆動され
る。そして、回転多面体スキャナ１６は、図１中に矢印
Ａで示すように回転して多数の鏡面を移動させ、レーザ
ビーム１４ａ、１４ｂを各鏡面で反射させて規則的に走
査する。さらに、回転多面体スキャナ１６の後段には集
光光学系としてのｆθレンズ１９が配置されており、回
転多面体スキャナ１６の各鏡面で反射したレーザビーム
１４ａ、１４ｂはｆθレンズ１９を介して照射対象物と
しての半導体ウエハ２０の表面２１に導かれる。

【００１６】半導体ウエハ２０はパターニングされたも
ので、図２中に示すように半導体ウエハ２０の表面２１
にはパターン２２…が周期的に形成されている。上記レ
ーザビーム１４ａ、１４ｂは表面２１上にスポット２３
ａ、２３ｂを結ぶ。スポット２３ａ、２３ｂの直径φは
共に略等しく設定されており、スポット２３ａ、２３ｂ
の間隔ｄは隣合ったパターン２２…のピッチｐに略一致
している。

【００１７】また、図１中に示すように、検査装置１１
には、光電変換手段としての２つのフォトマルチプライ
ア２４ａ、２４ｂが備えられている。フォトマルチプラ
イア２４ａ、２４ｂは、半導体ウエハ２０の表面２１で
反射したレーザビームを受けるもので、表面２１での反
射光は集光ファイバ２５ａ、２５ｂを介してフォトマル
チプライア２４ａ、２４ｂに導かれる。

【００１８】集光ファイバ２５ａ、２５ｂは複数の光フ
ァイバを束ねてなるもので、それぞれの一端側をフォト
マルチプライア２４ａ、２４ｂに向けている。さらに、
両集光ファイバ２４ａ、２４ｂは他端側を一纏めに束ね
られており、束ねられた端部を半導体ウエハ２０の表面
２１に斜めに向けている。

【００１９】さらに、集光ファイバ２５ａ、２５ｂの一
本ずつ或いは複数本ずつの光ファイバは交互に配置され
ており、集光ファイバ２５ａ、２５ｂを構成する光ファ
イバはいわゆる市松模様に並べられている。そして、集
光ファイバ２５ａ、２５ｂは、半導体ウエハ２０の表面
２１での反射光を、一纏めに束ねられた端部に受けてフ
ォトマルチプライア２４ａ、２４ｂへそれぞれ伝送す
る。

【００２０】集光ファイバ２５ａ、２５ｂの分岐した端
部とフォトマルチプライア２４ａ、２４ｂとの間には互
いに透過波長の異なる干渉フィルタ２６ａ、２６ｂが介
在している。一方の干渉フィルタ２６ａは集光ファイバ
２５ａから発せられた光のうち波長がλ₁の光のみを通
過させ、他方の干渉フィルタ２６ｂは集光ファイバ２５
ｂから発せられた光のうち波長がλ₂の光のみを通過さ
せる。

【００２１】前記フォトマルチプライア２４ａ、２４ｂ
は、差動アンプ２７及び信号処理手段としてのシグナル
プロセッサ２８を介してコンピュータ２９に接続されて
いる。差動アンプ２７は各フォトマルチプライア２４
ａ、２４ｂの出力信号Ｅ₁、Ｅ₂の差（Ｅ₂−Ｅ₁）を
求め、差動アンプ２７の演算結果Ｓはシグナルプロセッ
サ２８へ送られる。シグナルプロセッサ２８は、差動ア
ンプ２７の演算結果Ｓを基に二値化信号を作成し、この
二値化信号をコンピュータ２９へ送る。

【００２２】コンピュータ２９は検査装置１１の制御系
の中央に位置しており、シグナルプロセッサ２８と通信
するとともに、レーザコントローラ１３とスキャナドラ
イバ１８とへ指令を発する。つぎに、この検査装置１１
の作用を説明する。

【００２３】半導体レーザ１２ａ、１２ｂから出射した
レーザビーム１４ａ、１４ｂは、レンズ１５ａ、１５ｂ
を通って回転多面体スキャナ１６に達する。さらに、レ
ーザビーム１４ａ、１４ｂは回転多面体スキャナ１６の
回転に伴って偏光され、ｆθレンズ１９を通過し、半導
体ウエハ２０の表面２１上で矢印Ｘ、Ｘで示すように一
定の向きに走査される。また、表面２１に達したレーザ
ビーム１４ａ、１４ｂはスポット２３ａ、２３ｂを結
び、このスポット２３ａ、２３ｂは同一線上を一定の間
隔ｄを保ったまま移動する。

【００２４】レーザビーム１４ａ、１４ｂが表面２１で
反射すると散乱光が生じ、この散乱光は集光ファイバ２
５ａ、２５ｂの一纏めに束ねられた端部に入射する。集
光ファイバ２５ａ、２５ｂを構成する光ファイバは市松
模様を描くよう交互に並べられているため、入射した光
は各集光ファイバ２５ａ、２５ｂに偏りなく略均等に分
割されて各集光ファイバ２５ａ、２５ｂの他端側へ伝送
される。

【００２５】各集光ファイバ２５ａ、２５ｂの他端側か
ら出射した光は干渉フィルタ２６ａ、２６ｂによってフ
ィルタリングされ、一方のフォトマルチプライア２４ａ
には波長がλ₁の光のみが入力され、他方のフォトマル
チプライア２４ｂには波長がλ₂の光のみが入力され
る。つまり、一方のスポット２３ａの散乱光はフォトマ
ルチプライア２４ａに達し、他方のスポット２３ｂの散
乱光はフォトマルチプライア２４ｂに達する。

【００２６】回転多面体スキャナ１６を等速で回転させ
た時に得られる時系列信号群が図３に示されている。図
３中（ａ）は一方のフォトマルチプライア２４ｂの出力
信号Ｅ₂の波形を示しており、（ｂ）は他方のフォトマ
ルチプライア２４ａの出力信号Ｅ₁の波形を示してい
る。また、（ｃ）は差動アンプ２７の出力信号Ｓの波形
を示しており、（ｄ）はシグナルプロセッサ２８の出力
信号Ｂの波形を示している。また、図３中（ｅ）は半導
体ウエハ２０の表面２１を走査方向に沿って切断して得
られる凹凸を示している。

【００２７】スポット２３ａ、２３ｂが間隔ｄを保った
まま移動するため、Ｅ₂はＥ₁よりも遅れた波形となっ
て現われ、その遅れ時間は距離ｄを移動するのに要する
時間に対応している。

【００２８】また、パターン２２…は周期的に形成され
ているため、半導体ウエハ２０の表面２１の状態に依存
したノイズ（偶発的パルス）Ｎ_b、Ｎ_t、及び、パター
ン２２…の形状に依存したエッジノイズＮ₁、Ｎ₂、…
が規則的に繰返し発生している。そして、ノイズＮ_b、
Ｎ_tは比較的長い時間に亘って発生するのに対し、エッ
ジノイズＮ_nは瞬間的に発生している。ここで、前記ノ
イズＮ_b、Ｎ_tはそれぞれ各パターン２２…の間の部分
とパターン２２…の上部とに対応したノイズを表してい
る。

【００２９】信号Ｅ₁、Ｅ₂の差（Ｅ₂−Ｅ₁）を演算
すると（ｃ）の信号Ｓが得られる。この信号Ｓの波形に
おいては、表面２１の状態に依存したノイズＮ_b、Ｎ_t
が打消し合い、外乱により発生した偶発的なエッジノイ
ズＮ_nが残る。

【００３０】半導体ウエハ２０の表面２１上に粒子３０
が存在する場合には、スポット２３ａ、２３ｂが異物３
０を通過するとＥ₁とＥ₂に粒子３０の存在を表すパル
スＰ…が発生する。そして、このパルスＰ…は、信号Ｓ
の波形においては、一定の間隔で正負が逆な一対のパル
スＰ₁、Ｐ₂となって現れる。

【００３１】差動アンプ２７の出力信号Ｓはシグナルプ
ロセッサ２８により、適当な値±Ｔ_hを閾値として二値
化され、信号Ｂが得られる。そして、この信号Ｂにおい
ては、粒子３０のパルスＰ₁、Ｐ₂が、Δｔ（＝ｄ／
（スキャン速度））の間隔で逆向きなパルスペアとなっ
て現れる。

【００３２】信号Ｂに例えば一部のエッジノイズＮ_nが
残ったとしても、粒子３０のパルスＰ₁、Ｐ₂はパルス
ペアとして現れるため、粒子３０のパルスＰ₁、Ｐ₂と
エッジノイズＮ_nとが容易に区別されて取除かれる。こ
れらの信号処理はシグナルプロセッサ２８によって行わ
れる。

【００３３】コンピュータ２９は、スポット２３ａ、２
３ｂが半導体ウエハ２０の外に外れた場合の消燈やレー
ザ出力の安定化等を、レーザコントローラ１３を用いて
行う。また、コンピュータ２９はスキャナドライバ１８
を、安定したレーザ走査が実現されるよう制御するとと
もに、半導体ウエハ２０の副走査（レーザ走査方向に対
して垂直な方向への走査）を行う。

【００３４】また、シグナルプロセッサ２８からコンピ
ュータ２９へ粒子３０の位置や信号の大きさ等のデータ
が出力され、コンピュータ２９は、これらのデータを基
に統計処理して粒子３０のマップ、サイズ分類、頻度等
を求める。そして、統計処理の結果は、図示しないプリ
ンタ、ＣＲＴ、及び、外部装置等に出力する。

【００３５】さらに、この検査装置１１において、アラ
イメント機構１６は、半導体レーザ１２ｂとレンズ１５
ｂとを一体的に前後左右方向及び回転チルト方向に姿勢
調整する。また、アライメント機構１６は、レーザビー
ム１４ａ、１４ｂのスポット２３ａ、２３ｂの距離ｄを
パターン２２…のピッチｐに一致させる。

【００３６】すなわち、上述のような検査装置１１にお
いては、２つのレーザビーム１４ａ、１４ｂが一定の間
隔ｄを保ったまま半導体ウエハ２０の表面２１で走査さ
れ、それぞれのレーザビーム１４ａ、１４ｂの反射光の
差が演算されて、粒子３０のパルスＰ₁、Ｐ₂とノイズ
Ｎ_nとが区別される。したがって、パターン２２…の方
向性に関わらず、高いＳ／Ｎで高感度に粒子検出を行う
ことができる。

【００３７】また、一般に、表面粗さや材質の違いに基
づく反射率・吸収率の差異が存在し、この差異を原因と
して、パターン２２…の上部のノイズＮ_tの平均的な大
きさとパターン２２…の下部のノイズＮ_bの平均的な大
きさとが異なる。しかし、本実施例においては両ノイズ
を含む信号Ｅ₁、Ｅ₂の差が演算され、両ノイズＮ_t、Ｎ
_bの差が信号Ｎ_sが求められる。したがって、定常的に
ノイズが低減される。

【００３８】なお、本実施例においては半導体レーザ１
２ａ、１２ｂが用いられているが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒ⁺
レーザ等のガスレーザを用いてもよい。

【００３９】また、レーザビーム１４ａ、１４ｂを走査
する手段として回転多面体スキャナ１６が用いられてい
るが、本発明はこれに限定されず、例えば一枚のミラー
を振動させるガルバノ等の方式を利用してレーザビーム
１４ａ、１４ｂを走査してもよい。

【００４０】また、本実施例においてはレーザビーム１
４ａ、１４ｂのスポット形状は真円形に設定されている
が、スポット形状を例えば楕円形等のように真円形以外
の形状に任意に設定してよい。

【００４１】さらに、散乱光の検出に集光ファイバ２５
ａ、２５ｂとフォトマルチプライア２４ａ、２４ｂとが
用いられているが、散乱光検出器として、例えば光ファ
イバを用いないもの、光ファイバの代わりに積分球を用
いたもの、或いは、レンズやミラーを用いて光を集める
もの等を利用してもよい。また、フォトダイオードやフ
ォトディテクタ等のように光強度を電気信号に変換する
種々のものをフォトマルチプライア２４ａ、２４ｂの代
わりに用いてもよい。

【００４２】また、本実施例においては、異なる波長の
レーザビーム１４ａ、１４ｂが用いられ、波長の違いを
利用して粒子検出が行われるが、レーザの偏光を利用し
て粒子検出を行うことも可能である。

【００４３】つまり、半導体レーザ１２ａ、１２ｂに同
一波長のものを利用し、レーザビームの光路中に偏光子
を挿入する。そして、レーザビームのＰ波及びＳ波を取
出し、実施例中の干渉フィルタ２６ａ、２６ｂの代わり
にＰ波用検光子、Ｓ波用検光子をそれぞれ用いる。この
ようにしても前述の実施例と同様の効果を奏することが
できる。つぎに、本発明の第２の実施例を説明する。な
お、第１の実施例と同様の部分については同一番号を付
し、その説明は省略する。

【００４４】図４は本発明の第２の実施例を示してお
り、図中の符号４１は表面付着粒子検出装置（以下、検
出装置と称する）である。この検出装置４１には、発振
器４２、レーザドライバ４３ａ、４３ｂ、半導体レーザ
４４ａ、４４ｂ、集光ファイバ４５、フォトマルチプラ
イア４６、及び、同期検波回路４７ａ、４７ｂが備えら
れている。

【００４５】発振器４２からｆ₁＝１００ＭHz、ｆ₂＝
９０ＭHzの周波数がレーザドライバ４３ａ、４３ｂに発
せられ、レーザドライバ４３ａ、４３ｂに接続された半
導体レーザ４４ａ、４４ｂから同一波長のレーザビーム
４８ａ、４８ｂが出射される。各レーザビーム４８ａ、
４８ｂはｆ₁＝１００ＭHz、ｆ₂＝９０ＭHzで周波数変
調されている。レーザビーム４８ａ、４８ｂは、多面回
転体スキャナ１６及びｆθレンズ１９を介して、半導体
ウエハ２０の表面２１上で一定間隔を保ったまま走査さ
れる。

【００４６】半導体ウエハ２０の表面２１からの散乱光
が集光ファイバ４５によって集められ、集光ファイバ４
５の発光側に配置されたフォトマルチプライア４６に入
力される。フォトマルチプライア４６の出力信号Ｅ₁に
は、１００ＭHzと９０ＭHzで変調された散乱光が同時に
得られる。同期検波回路４７に基準周波数ｆ₁、ｆ₂が
加えられ、同期検波回路４７によって、キャリア周波数
ｆ₁のエンベロープ信号Ｇ₁と、キャリア周波数ｆ₂の
エンベロープ信号Ｇ₂とが得られる。これらの信号
Ｇ₁、Ｇ₂は差動アンプ２７へ送られ、シグナルプロセ
ッサ２８により、例えば前述の第１の実施例と同様な方
法によって処理される。

【００４７】なお、この第２の実施例においては、第１
の実施例の場合と同様に半導体レーザ４４ａ、４４ｂ
を、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒ⁺レーザ等のガスレ
ーザ等に置き換えることが可能である。しかし、ＣＷ
（連続波）タイプのガスレーザが用いられる場合には、
電気的変換ではなく、機械式チョッパ等を用いる必要が
ある。また、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々に変
形することが可能である。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、照射対象
物に測定光を照射して照射対象物の表面に付着した粒子
を検出する表面付着粒子検出装置において、互いに異な
る性質を有し照射対象物の表面に照射される複数の測定
光と、これら測定光を照射対象物の表面に走査する測定
光走査手段と、測定光を一定の間隔を保ったまま照射対
象物の表面に集光する集光光学系と、照射対象物の表面
からの散乱光を受けて電気信号に変換する光電変換手段
と、この光電気変換手段の出力からノイズ成分を除いて
粒子の信号を取出す信号処理手段とを備えた。また、本
発明は、測定光を互いに波長の異なる光を出力する光源
から出射する。また、本発明は、測定光を互いに異なる
周波数に変調する。そして、本発明は、多様な方向性の
パターンを有する対象物の表面に付着した粒子を高感度
で検出できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す概略構成図。

【図２】レーザビームのスポットと半導体ウエハに形成
されたパターンとの関係を示す説明図。

【図３】本発明の第１の実施例における時系列信号群を
示す説明図。

【図４】本発明の第２の実施例を示す概略構成図。

【図５】半導体ウエハの表面欠陥検査の原理を示す説明
図。

【図６】一般的なパターンを示す正面図。

【符号の説明】

１１…表面付着粒子検出装置、１２ａ、１２ｂ…半導体
レーザ（光源）、１４ａ、１４ｂ…レーザビーム（測定
光）、１６…回転多面体スキャナ（測定光走査手段）、
１９…ｆθレンズ（集光光学系）、２０…半導体ウエハ
（照射対象物）、２４ａ、２４ｂ…フォトマルチプライ
ア（光電変換手段）、２５ａ、２５ｂ、４５…集光ファ
イバ、２８…シグナルプロセッサ（信号処理手段）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】照射対象物に測定光を照射して上記照射
対象物の表面に付着した粒子を検出する表面付着粒子検
出装置において、互いに異なる性質を有し上記照射対象
物の表面に照射される複数の測定光と、これら測定光を
上記照射対象物の表面に走査する測定光走査手段と、上
記測定光を一定の間隔を保ったまま上記照射対象物の表
面に集光する集光光学系と、上記照射対象物の表面から
の散乱光を受けて電気信号に変換する光電変換手段と、
この光電気変換手段の出力からノイズ成分を除いて上記
粒子の信号を取出す信号処理手段とを備えたことを特徴
とする表面付着粒子検出装置。
【請求項２】上記測定光が互いに波長の異なる光を出
力する光源から出射されることを特徴とする［請求項
１］記載の表面付着粒子検出装置。
【請求項３】上記測定光が互いに異なる周波数に変調
されることを特徴とする［請求項１］記載の表面付着粒
子検出装置。