JPS62278402A - アライメント装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は半導体基板等のアライメントを行なう装置に関
し、特に露光装置に組み込んで好適なアライメント装置
に関する。

（従来の技術） 近年、半導体素子（超ＬＳＩ等）は増々高集積度化、微
細化が進み、これを製造するための露光装置においても
より高精度なアライメント精度が要求されている。この
アライメントとしてはマスクやレチクルと半導体ウェハ
との相対的な位置合わせ、マスクやレチクルの露光装置
に対する位置決め、ウェハの露光位置に対する位置決め
等が含まれているが、いずれの場合もある基準点に対す
る物体の位置合わせという点においては同じ意味である
。投影型露光装置の場合、ウェハ上に予め形成されたア
ライメント用のマークを光学的に検出し、そのマークの
位置を計測することによって、投影光学系によるマスク
パターン投影像との位置関係を検出する作業があるが、
この作業も広義にはアライメントと呼ばれている。この
アライメントを自動化するためにはウェハ上のマークを
光学的に拡大して、その像を光電検出すればよい訳であ
る。しかしながら露光プロセスのウェハには、その表面
にフォトレジストが一定の膜厚で形成されているため、
マークの検出はレジストを介して行なわれることになる
。レジストを介したマーク検出は、レジストの薄膜（通
常１〜５μｍ程度）としての光学特性の影響を強く受け
、像検出が不安定になることから必ずしも良好なアライ
メント精度が得られるとは限らなかった。そこで薄膜の
影響、例えばレジスト表面と地下表面との双方の反射光
による干渉を低減するために、アライメントマークへの
照明光の波長を複数の異なるスペクトルにする方法が考
えられる。

（発明が解決しようとする問題点） 異なる複数のスペクトルの照明光を同時にウェハに照射
する場合、レジストの膜厚はウェハ上のどの点でも均一
であることは少なく、場所によっては干渉効果を低減さ
せることが難しい。特に段差の大きいマーク近傍では顕
著である。

また各スペクトルの照明光を別々に照射して、夫々の照
明状態でのマーク像を個別に光電検出することも考えら
れるが、マーク像の信号解析が複雑になるといった問題
がある。

（問題点を解決する為の手段） 本発明は基板上のアライメントパターンを光学的に検出
して、基準位置に対する基板のアライメント状態を認識
する装置に関するものである。アライメントパターンの
像はパターン検出光学系（１８、１６，１４，２０，２
４，２６，２８）によって検出面（［ＴＶ等の受光面、
スリット面、等）に形成される。このパターン検出光学
系は少なくとも基板（ウェハＷ）側がテレセントリック
な光学系であり、基板表面（アライメントパターン）側
には検出面と共役な焦点面（Ｆ　Ｐ）がある。

そして基板表面と焦点面（Ｆ　Ｐ）とを相対的に光軸方
向に変位させる焦点調整手段（２，４、又は２０．２２
）が設けられ、基板表面と焦点面（ＦＰ）とを所定量だ
けずらした第１状態（焦点深度外にデフォーカスさせた
状態）において、検出面上のパターン像を光電検出する
手段（ＩＴＶ等のイメージセンサ−３０）と、その光電
信号に基づいてアライメント誤差（位置ずれ）を検出す
るずれ検出手段（処理回路４０）が設けられる。

（作　用） 本発明では、微細なパターン構造を高倍率の光学系で観
察する際、合焦状態から非合焦状態（所定の焦点深度外
の状態）にした場合でも、非合焦量によってはパターン
像（完全にボケでいる）がコントラストよく解像される
現象、例えばＯＴＦ特性上で位相が反転している領域で
の解像を利用して、パターン像の光電検出を行ない、ア
ライメントを行なうものである。このように非合焦域で
パターン像の解像が起る現象を、本発明では擬解像と呼
ぶことにする。この擬解像の状態ではアライメントパタ
ーンの微細な構造を検出することはできない。合焦状態
での画像信号と擬解像での画像信号を比較すると、合焦
状態では高周波成分が多く、基板表面の光学的な特質の
影響を強く受けるのに対し、擬解像では、そのような高
周波成分はほとんど現われず、パターン形状をそのまま
表わすような単純な基本波的成分になる。

このため信号処理が非常に簡単になるとともに、パター
ンの全体的なプロフィールがよく再現されるため、アラ
イメント精度の向上が期待できる。

本発明では非合焦（デフォーカス）状態でアライメント
パターンの光電検出を行なうため、パターン検出光学系
の物体（Ｍｖｉ）側はテレセンドリンク系である必要が
ある。テレセンドリンク系であれば合焦状態の像とデフ
ォーカス状態の像との間での倍率誤差がなく、パターン
像の中心ずれが生じないからである。

（実施例） 以下本発明の実施例を第１図を参照して説明する。ホル
ダーＲＨに保持され、回路パターン等を有するレチクル
Ｒは不図示の照明系からの露光光によって照射される。

投影レンズ１はレチクルＲのパターン、もしくはレチク
ル上のアライメントマークＲＭの像を所定の焦点面ＦＰ
内に形成する。

ウェハＷは焦点面ＦＰと一致するようにＺステージ２上
に保持される。Ｚステージ２はＸＹステージ３上にＺ方
向（投影レンズ１の光軸方向）に微動可能に設けられ、
駆動モータ４によって上下動する。ウェハＷ上にはアラ
イメント用のマークＷＭが形成されているものとする。

本発明の７ライメント装置は、本実施例ではウェハＷの
グローバル・アライメント用に設けられたオフ・アクシ
ス方式のアライメント系であり、ウェハＷ上のマークＷ
Ｍを拡大観察するものである。ライトガイド（光ファイ
バー）１０からは、所定の波長幅を有する照明光が照出
される。この照明光はレンズ系１２を介してビームスプ
リッタ１４に入射し、ビームスプリッタ１４を通過した
後、ミラー１６で反射され対物し、ンズ１８に入射する
。照明光としては水銀放電灯、ハロゲンランプ等からの
光が利用でき、アライメント検出に必要な波長域に対し
てブロードなスペクトル分布がよ あるもの、又は複数の女鋭なスペクトルがあるもののい
ずれであってもよい。特に異なる複数のスペクトルを同
時に発生するレーザー光源を用いると、光量が大きくな
るので光電検出時のＳ／Ｎ比が上がる。また対物レンズ
１８は、少なくとも物体側（ウェハ側）がテレセンドリ
ンク系であり、照明光の波長域に関して色消しく収差補
正）されており、その焦点位置は通常焦点面ＦＰと一敗
するように設定されている。尚、照明光はウェハＷ上の
レジストに対して極めて怒度の低い波長（非感光波長）
になるように選ばれている。対物レンズ１８の焦点面Ｆ
Ｐに位置する物体のパターンからの光は、ミラー１６を
介して一度結像面ＦＰ′に結像され、ビームスプリンタ
１４を介してレンズ系（リレー系）２０．２４に入射す
る。レンズ系２０．２４は結像面ＦＰ′に形成された空
間像を指標マーク２６ａが形成された指標板（焦点板）
２６に再結像する。レンズ系２８は焦点面ＦＰ内の物体
の像と指標マーク２６ａとを同時にテレビカメラ（ＩＴ
Ｖ）等のイメージセンサ−３０の受光面（検出面）上に
結像する。従ってイメージセンサ−３０からの画像信号
に基づいて、ウェハＷ上のマークＷＭと指標マーク２６
ａとのアライメント状態を検出することができる。尚、
上記レンズ系２０．２４．２８も対物レンズ１８と同様
に色消しされていることが望ましい。またレンズ系２０
は指標板２６　（又はイメージセンサ−３０の受光面）
に形成されたマークＷＭの結像状態を調整できるように
光軸方向に移動可能であり、その駆動はモータ２２によ
って制御される。

画像信号処理回路（以下単に処理回路とする）４０はイ
メージセンサ−３０からの画像信号を人力して、その信
号波形を解析してマークＷＭと指標マーク２６ａとの位
置ずれを検出し、その検出結果を主制御系４２にアライ
メント誤差として出力する。また処理回路４０は画像信
号の波形に基づいて像のコントラストを検出し、そのコ
ントラスト情報に基づいて、自動、又は手動でモータ２
２を駆動する機能も有する。第１図には示していないが
、画像信号は表示用のブラウン管モニターに印加され、
モニター上でマークＷＭと指標マーク２６ａとの位置合
わせ状態や、像質（コントラスト）が確認できるように
なっている。主制御系４２はアライメント誤差に基づく
ＸＹステージ３の位置決めの制御、あるいはＺステージ
２の位置決めの制御を行なうものである。特に処理回路
４０で検出されたコントラスト情報、又は別設されたエ
ア・マイクロ方式や斜入射方式のギャップセンサーから
の情報に基づいて主制御系４２を介してモータ４をサー
ボ制御すれば、対物レンズ１８に対するウェハＷの自動
焦点合わせ機能が実現できる。さらに主制御系４２は対
物レンズ１８の焦点面ＦＰとウェハ面とを一致させるよ
うにＺステージ２を制御するだけでなく、任意に所定距
離だけ焦点面ＦＰとウェハ面とをずらすための制御も行
なう。本発明ではこの制御を処理回路４０が画像信号を
入力する際に行なってお（ことを大きな特徴としている
。すなわちマークＷＭの像をデフォーカス状態で光電検
出し、その信号をアライメントのために使うことを要点
としている。これは従来のような、アライメント時にフ
ォーカスを正確に合わせるという考え方に反するもので
ある。

本発明は、アライメントマーク等の微細なパターン構造
を高倍率の対物レンズで観察する場合、レンズ系の収差
やＯＴＦ特性によって所定のデフォーカス位置でもコン
トラストの高い像（ボケではいる）が得られる現象、所
謂緊解像を利用してアライメントマークの検出を行なう
ものである。

尚、第１図において、ライトガイド１０、レンズ１２、
ビームスプリッタ１４、ミラー１６、及び対物レンズ１
８によって照明光の送光光学系が構成され、対物レンズ
１８、ミラー８、ビームスプリッタ１４、及びレンズ系
２０，２４．２８によって本発明のパターン検出光学系
が構成され、処理回路４０によって本発明のずれ検出手
段が構成される。

また本実施例では５．ライトガイド１０の射出端が対物
レンズ１８の瞳と共役に定められ、その瞳面に光源像が
形成されるケーラー照明法を用いるものとする。

第２図は処理回路４０の具体的な回路構成を示すブロッ
ク図である。イメージセンサ−３０からの画像信号Ｓ１
はアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）４００に入力し
て、走査線上の各画素毎のレベルをデジタル値に変換す
る。このデジタル値は画素毎に番地指定されるメモリ４
０１と４０２のいずれかに入力する。リード・ライト信
号Ｓｔはメモリ４０１．４０２の夫々を書き込みモード
と読み出しモードとに択一的に切替えるものである。

セレクタ４０４は選択信号Ｓ３に応答してメモリ４０１
に記憶された画像情報とメモリ４０２に記憶された画像
情報とのいずれか一方を選択して演算処理ユニット４０
５に送出する。演算処理ユニット４０５は画像情報に基
づいて指標マーク２６とマークＷＭとの位置ずれ量を求
め、それをアライメント情報ＡＬＭとして出力する。さ
らに処理ユニット４０５は画像情報のコントラストを検
出して、それに応じた情報ＣＺを出力する。このコント
ラスト情ｆＩａＣＺはモータ２２を自動的に制御する場
合は必要であるが、モニター画面上の像質を目視によっ
て確認しつつモータ２２を制御する場合は不要である。

第３図はイメージセンサ−３０の受光面（検出面）３０
ａに形成されるマークＷＭと指標マーク２６ａとのアラ
イメント状態の一例を示す図である。マークＷＭとマー
ク２６ａはともに平行な線状パターンであり、マーク２
６ａはマークＷＭを挾み込むように２本用意されている
。走査線ＳＬはマーク２６ａ１マークＷＭの長手方向と
直交する方向に定められる。基本的なアライメント検出
は、２本のマーク２６ａの夫々の中心の間隔をＸｌで２
等分した中心線Ｃ１をアライメントすべき基準点とした
とき、マークＷＭの中心線Ｃ２と中心線Ｃ１との走査方
向のずれ量ΔＸをアライメント誤差（アライメント情報
ＡＬＭ）とするように行なわれる。またコントラスト検
出は、本実施例の場合、ウェハＷ上のマークＷＭのみに
ついて行なえばよく、例えばマークＷＭの走査線ＳＬと
直交するエツジ位置に対応した波形上の立上り（又は立
下り）の程度、波形上のピークとボトムの差等の値から
コントラスト情報ＣＺを作り出せばよい。

尚、本実施例の場合、指標板２６は、照明光のウェハ表
面からの反射光によって透過照明されるため、指標マゴ
゛り２６ａが遮光性のパターンであると、モニター画面
上でマーク２６ａは暗部として見える。

次に本実施例のアライメント動作を第４図を参照して説
明する。

まずウェハＷ上のマークＷＭを対物レンズ１８の視野内
に導びき、マークＷＭがマーク２６ａに挟み込まれるよ
うにＸＹステージ３を位置決めする。そしてテレビモニ
ターを見ながら、Ｚステージ２を上下動させるか、又は
適当な焦点検出系を用いたサーボ１ｂｌｌ　’＜Ｔ５に
よりＺステージ２を上下動させ、第１図に示すように対
物レンズ１８の焦点面ＦＰとウェハ表面とを一致させる
。この状態（本発明の第２状態）においてメモリ４０１
を書き込みモードにし、ＡＤＣ４００を介して画像信号
Ｓ。

を読み込む。次に第４図に示すように、対物レンズ１８
の焦点面ＦＰに対してウェハ表面が上方に一定量ｄだけ
デフォーカスした状態（本発明の第１状態）になるよう
にＺステージ２を上方に駆動させる。この一定量ｄは対
物レンズ１８の光学的特性（収差、倍率、ＯＴＦ等）や
、観察している対象物のパターン構造によって必らずし
も一義的に決められるものではない。さてウェハ表面を
デフォーカスしていくと、像としては多少ポケているが
コントラスト（信号波形）が合焦状態よりも大きく得ら
れる点がある。そこでメモリ４０２を書き込みモードに
し、デフォーカス状態での画像信号Ｓ、を記憶する。イ
ンフォーカス状態（第２状態）での信号検出とデフォー
カス状態での信号検出との間でウェハＷ上のマークＷＭ
は指標マーク２６ａに対して変動しないようにしておい
た方が望ましい。以上のようにして取り込まれたメモリ
４０１．４０２内の波形は模式的に示すと第５図のよう
になる。第５図（ａ）はインフォーカス状態での波形を
示し、第５図（ｂ）はデフォーカス状態での波形を示し
、横軸は走査位置を、縦軸は信号レベルを表わす。第５
図（ａ）、（ｂ）において、指標マーク２６ａに関する
波形（両脇のボトム波形）はインフォーカス状態、デフ
ォーカス状態を問わず安定している。インフォーカス状
態でのマークＷＭに対応した波形はウェハ表面の光学的
特性の影響をそのまま受けることになり、波形上の特＠
（ピークやボトム）が多くなり電気処理的には難しいも
のになっている。ただしマークＷＭの両脇のエツジでは
信号波形上ボトムになるので、ボトムの検出からマーク
ＷＭの中心Ｃ２を求めることは可能である。ところが波
形上の特徴が明確に出ていなかったり、逆に特徴が顕著
すぎたりする場合は、ずれ量ΔＸの検出処理自体に大き
な誤差が発生したり、最悪の場合検出不能になったりす
る。

一方、デフォーカス状態でのマークＷＭに対応した波形
は、所謂擬解像によるため、波形上の特徴は少ないがレ
ベル（コントラスト）の大きな単純波形になる傾向があ
り、マーク位置検出の処理が節単になり、誤差の発生も
極めて少ない。このようにデフォーカス状態での波形を
使う場合、対物レンズ１８の物体側はテレセントリック
である必要がある。非テレセンドリンク系であると、イ
ンフォーカス時とデフォーカス時とでマークＷＭの像の
横ずれが往じるからである。実際の検出処理としては所
定のスライスレベル■、を設定して２値化し、その２値
化波形上の立上りと立下りの中心を求める方法、又は原
信号上のピーク位置を求める方法等が利用できる。

さて、オペレータはメモリ４０１と４０２内の２つの波
形をモニター画面上に表示させ、どちらを使うかを決定
した後に選択信号Ｓ３をセレクタ４０４に印加する。尚
、この決定は自動的に行なうことも可能であり、波形の
Ｓ／Ｎ比、特徴の発生状態を評価する波形解析装置を用
いで、所定の条件を満足している方の波形を選ぶように
すればよい。

また本実施例ではインフォーカス状態での波形も検出す
るようにしたが、これは必ずしも必要なことではなく、
デフォーカス状態での波形のみに基づいてアライメント
を行なうようにしてもよい。

さらにデフォーカス状態の波形からマークＷＭの位置を
特定し、この特定された位置を基準にしてインフォーカ
ス状態の波形の特徴をザーチするようにすれば、インフ
ォーカス状態の波形のＳ／Ｎ比が悪化している場合でも
誤検出が低減されるといった利点がある。

以上のようにしてずれ量ΔＸが検出されたら、そのとき
のＸＹステージ３の走査方向に関する位置Ｘ０を別の測
長器（レーザ干渉計等）によって精密に検出し、位置Ｘ
ｏとずれ量へＸとの和（又は差）をアライメント位置と
して記憶する。このアライメント位置は、指標マーク２
６ａの中心にマークＷＭを位置決めしたときのＸＹステ
ージ３の位置にほかならない。従って、このアライメン
ト位置が求まることによって、ウェハＷ上の任意の領域
と投影レンズｌの露光視野との相対的な位置関係が規定
される。

第６図は、第１図に示したパターン検出光学系を用いて
ウェハＷ上に形成された３本の平行な線状パターンを観
察したときに実際に得られた画像信号の波形を示す。３
本の線状パターンは走査位置上、Ａ＋　、Ａｚ　、Ａ２
に存在し、第６図（ａ）は第４図と同一方向（Ｚステー
ジ２の上方移動）でのデフォーカス状態における波形、
第６図（ｂ）はインフォーカス状態における波形、そし
て第６図（Ｃ）は第４図の場合と逆方向のデフォーカス
状態における波形である。デフォーカス状態でも前ピン
側と後ピン側とでは波形が異なるが、いずれの場合もイ
ンフォーカス状態における波形と較べるとレベルの大き
な単純波形となっており、どちらのデフォーカス状態に
おいても信嵜検出は十分可能である。尚第６図の各縦軸
の信号レベルは同一のアンプゲインのもとで検出された
値を表わす。また第６図（ａ）と（ｃ）とで波形の位相
（白黒）が反転しているが、これは擬解像固有の現象で
ある。そこで前ピン側と後ピン側の両者の波形に基づい
てアライメントのためのマーク位置検出を行なってもよ
い。

ところで第１図においてレンズ系２０はモータ２２によ
って可動となっているが、これはデフォーカス状態にし
たとき、イメージセンサ−３０の受光面上での像コント
ラストを調整するためのものである。Ｚステージ２を距
離ｄだけずらしたとき、観察対象物によっては必ずしも
良好なコントラストが得られるとは限らない。そこでコ
ントラスト情報ＣＺを自動、又はマニュアルにて評価し
、より大きなコントラストが得られるように調整するも
のである。このレンズ系２０の調整はイメージセンサ−
３０の受光面と共役になる焦点面ＦＰの位置をＺ方向に
変えることに他ならない。従って極端な場合、Ｚステー
ジ２は上下動させずに、レンズ系２０のみを光軸方向に
シフトさせるだけで、ウェハ表面と焦点面ＦＰとを凝解
像が得られる程度にずらすことができる。また本実施例
ではライトガイド１０を用いた均一照明としたが、レー
ザ光を対物レンズ１８を介してウェハＷ上に照射し、ウ
ェハＷ上でスポット光（帯状ビーム）にし、このレーザ
光を振動又は等速走査し、ウェハ表面からの反射光を、
イメージセンサ−３０の代りに配置されたフォトディテ
クタ（フォトダイオード、フォトマル等）で光量検出し
てもよい。この場合、レーザスポット光の走査に応じて
光電信号をサンプリングすれば、画像信号の波形が検出
できる。

以上本実施例はオフ・アクシス方式のアライメント系と
して説明したが、レチクルＲ上のマークＲＭとウェハＷ
上のマークＷＭｊを投影レンズ１を介して同時に観察す
るアライメント系、所謂ＴＴＬアライメント系において
も全く同様に適用可能である。ＴＴＬアライメント系は
第１図に示したパターン検出光学系をそのままレチクル
Ｒの上方に配置した構成であるが、レチクルＲのマーク
ＲＭが指標マークとなるので指標板２６に相当する部材
は不要である。そしてこの場合、投影レンズ１がウェハ
Ｗに対する対物光学系を兼ねることになる。投影レンズ
１のウェハ側はテレセンドリンク系になっており、対物
レンズ１８によるウェハＷの観察と全く同様の観察がで
きる。通常この種の投影レンズは単一波長に対して色収
差補正されているため、ＴＴＬアライメント系ではその
単一波長スペクトルの光をアライメント用の照明光とし
ている。しかしながら単一波長スペクトルの光では、デ
フォーカス状態にしても単にコントラストが低下してい
くのみであり、擬解像を得ることはできない。そこで例
えば第７図に示すように、投影レンズの色消しされてい
る波長λ。を中心に所定の帯域幅Δノを有する照明光を
用いると、同様に凝解像を得ることができる。この場合
、帯域幅Δλを大きくしすぎると、波長λ。に対するイ
ンフォーカス状態においてマークＷＭを観察しても像質
が悪化するので適当な幅に定めておく必要がある。また
投影レンズそのものが異なる２波長に対して収差補正さ
れている場合は、その２波長のスペクトルを同時にアラ
イメント用の照明光として使うようにすればよい。

（発明の効果） 以上本発明によれば、デフォーカス状態（検出光学系の
焦点深度外に対象物を配置した状Ｂ）でも解像が起る現
象（例えば擬解像）を利用し、デフォーカス状態でパタ
ーン像の光電検出を行なうようにしたので、基板表面の
光学的な特性の影響（干渉等）を低減させ、パターン自
体のプロフィールをよく表わしたＳ／Ｎ比の良い信号が
得られ、アライメント精度の向上が可能である。また本
発明は、基板上に形成された”複数のパターン（マーク
）の間隔を計測する装置、あるいはフォトレジスト中に
形成された潜像（反射率が周囲と異なる）の検出、又は
その潜像とレジスト下地に形成されたパターンとの間隔
計測を行なう装置に適用しても同様の効果が得られる。

さらに前ピン側と後ピン側との両者における擬解像によ
り、パターン位置を検出し、その両者を比較して横ずれ
を求めることにより、検出光学系のテレセン性（主光線
と光軸との平行度）をチェックすることができるといっ
た利点もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例によるアライメント装置の構成
を示す図、第２図は信号処理回路の回路ブロック図、第
３図はアライメント状態の一例を示す平面図、第４図は
デーフォーカス状態を説明する図、第５図（ａ）はイン
フォーカス状態での画像信号の波形図、第５図（ｂ）は
デフォーカス状態での画像信号の波形図、第６図はマル
チ（３本）マークから得られた実際の画像信号の波形図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｗ・・・ウェハ、　　　　　　　Ｒ・・・レチクル、２
・・・Ｚステージ、　　　　１０・・・ライトガイド、
１４・・・ビームスプリフタ、 １８・・・対物レンズ、 ２０．２４・・・リレー系、　　２６・・・指標板、３
０・・・イメージセンサ− ４０・・・処理回路（ずれ検出手段）、ＦＰ・・・焦点
面

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上の所定位置に形成されたアライメント用の
   パターンを光学的に検出することにより、基準位置に対
   する基板のアライメント状態を認識する装置において、 少なくとも前記基板側がテレセントリックな光学系であ
   り、所定の焦点面に前記アライメント用パターンを位置
   させたとき、該パターンの像を所定の検出面に形成する
   パターン検出光学系と；該パターン検出光学系の所定焦
   点面と前記基板とを相対的に光軸方向に変位させる焦点
   調整手段と；前記所定焦点面と前記基板の表面とを光軸
   方向に所定量だけずらした第１状態において、前記検出
   面に形成された前記パターン像の第１情報を光電検出す
   る光電検出手段と；該光電検出された信号に基づいて前
   記アライメント用パターンの前記基準位置からのずれを
   検出するずれ検出手段とを備えたことを特徴とするアラ
   イメント装置。
2. （２）前記光電検出手段は、さらに前記所定焦点面と前
   記基板表面とをほぼ一致させた第２状態において、前記
   検出面に形成された前記パターン像の第２情報を光電検
   出し、前記ずれ検出手段は、前記第１情報による信号と
   前記第２情報による信号とを比較し、少なくとも一方の
   信号を前記ずれ検出のために選択する選択手段を含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置。
3. （３）前記パターン検出光学系は、前記アライメント用
   パターンを所定の波長幅を有する照明光で照明するため
   の送光光学系と、該照明光に対して色収差補正され、前
   記基板側でテレセントリックな対物光学系とを含むこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置。