JP5417651B1 - 回路パターン検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】狭ピッチ化された導電体パターンの検査時に、容量結合により交流波形の検査信号によって生じる電界分布の裾側が非検査対象の導電体パターンに印加されて、センサ部の検出信号に混入し、真の検出信号に対してノイズとして影響を与えている。
【解決手段】回路パターン検査装置は、検査部の給電電極の両側に隣接又は近接されて複数の消弧電極を配列し、検査対象の導電体パターンに印加する検査信号に対して、位相をシフトした交流の消弧信号を各消弧電極に印加して、検査信号による電界方向とは逆方向の電界分布を形成し、検査信号による電界分布の裾部分を削り取り、先鋭化させた合成電界分布を形成して、検査対象の導電体パターンに選択的に給電し、得られた検出信号から導電体パターンの良欠陥の適正な判定を実施する。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板上に形成された導電体パターンの欠陥を非接触で検査可能な回路パターン検査装置に関する。

近年、表示デバイスは、液晶を用いた液晶表示デバイス又は、プラズマを利用したプラズマ表示デバイスが主流となっている。これらの表示デバスイの製造工程の中で、ガラス基板上に形成された回路配線となる導電体パターンに対して、断線及び短絡の有無の欠陥検査を行っている。

導電体パターンの検査手法として、例えば、特許文献１には、少なくとも２つの検査プローブを導体パターンに近接させて、導体パターンとは、非接触で容量結合した状態で移動させつつ、一方の検査プローブから交流検査信号を印加し、他方の検査プローブで導体パターンを伝搬した交流検査信号を検出する。検出信号の波形の変化により、導電体パターンにおける断線及び短絡の有無の検査を行っている。

特開２００４−１９１３８１号公報

前述した検査装置は、導体パターンに対して非接触で容量結合した検査電極を用いている。この検査電極は、導電体パターンと対向して、正弦波と同様な波形を有する交流の検査信号を印加している。検査対象となる表示デバイスは、以前より、高画質画像の表示を実現するために、表示パネルの画素の微細化が高く要求され、検査対象となる導電体パターンの細線化及び狭ピッチ化が進められている。

従来の接触タイプのセンサ端子を用いていた場合には、先端を先鋭化することでパターンの細線化に対応できるが、交流信号を検査信号とする非接触センサにおいては、空気を絶縁体とする容量結合、すなわち、電界による電位（電圧）の印加を行うため、給電電極が形成する電界分布が影響を与えることとなる。

導電体パターンのパターン幅が狭められた際に、容量結合を利用して、十分な検出信号を得るためには、検査信号の電圧のより大きな変化が必須の条件となる。通常、電圧変化がアナログ的に変化する交流信号により発生させた電界の分布特性では、ピーク値を高くするほど、全体的に嵩上げされ、波形の裾側が広がって、ピーク周囲の電位も高くなる傾向がある。

複数の導電体パターンが狭ピッチ化されて、パターン幅と共にパターン間の距離が狭まっていた場合には、給電電極から検査対象となる導電体パターンに隣接する又は近接している非検査対象の導電体パターンに対しても、電界分布が及ぶと、それらの導電体パターンに対しても検査信号を給電したこととなる。

検査信号の検出を行うセンサ電極が導電体パターンと同じ幅に形成されたとしても、対向せず斜め方向に位置する非検査対象の導電体パターンからセンサ電極に向かって信号を出力している。このため、検査対象の導電体パターンから検出された信号に含まれてしまい、検査の精度に影響を与えることとなる。従って、細線化された導電体パターンに対して、取得するセンサ信号値を高めることとなり、給電電極に印加する検査信号の信号値を大きくすると、検査精度に対する影響も大きくなる。

そこで本発明は、検査電極を中心として両側に複数の消弧電極を配置する給電部により、交流の検査信号の位相に対して位相をシフトした消弧信号を同時に印加し、検査信号による電界分布の裾部分を削り取って、先鋭化させた電界分布を形成し検査信号として検査対象の導電体パターンに給電する回路パターン検査装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に従う実施形態による回路パターン検査装置は、複数の導電体パターンが列状に配列された基板を検査対象とし、１つの前記導電体パターンに上方で対向して容量結合し、予め定められた交流の検査信号を印加する検査電極と、前記配列の方向と交差する方向で前記検査電極を中央として、前記検査信号の周波数によって定められた同一の間隔を空けて、両側に均等に連設される複数の消弧電極と、を同一基板上に形成する給電部と、前記検査電極に前記検査信号を供給する検査信号供給部と、前記検査信号に対して、位相が同相及び逆相にシフトされた複数の消弧信号を同時に供給する消弧信号供給部と、前記検査電極と対向する導電体パターンの上方で対向配置されて容量結合し、前記給電部から印加された前記検査信号を検出するセンサ電極が形成されたセンサ部と、前記給電部と前記センサ部を一体的に保持し、前記導電体パターンの上方に一定の距離で離間して、該導電体パターンの配列方向と交差する方向に移動させる移動部と、前記センサ部により時系列的に取得された検出信号を、予め定めた判定基準値と比較して欠陥の有無を判定する第１の判定及び、前記時系列的に取得された検出信号に対して、検出信号値の時系列的な変化が設定期間内で予め定めた範囲を超えた際に、該範囲を越えた検出信号を送出した導電体パターンに対して不良判定を行う第２の判定を、組み合わせ又は何れ一方を用いて不良判定する欠陥判定部と、を具備し、前記移動部による移動中の前記給電部から、順次、導電体パターンに対して、前記検査信号を印加した際に、同時に、前記検査電極の両外側に隣接する第１の消弧電極に対して、前記検査信号と同位相の第１の消弧信号をそれぞれに印加し、且つ前記第１の消弧電極の外側に隣接する第２の消弧電極に対して、前記検査信号と逆位相の第２の消弧信号をそれぞれに印加し、前記第１及び第２の消弧信号によって発生した各電界分布を合成して、前記検査信号による電界分布とは、反対向きの電界方向の消弧電極による電界分布を形成し、さらに前記消弧電極による電界分布を前記検査信号による電界分布と合成させることで、
前記検査信号による電界分布の裾部分を削り取り、先鋭化させた合成電界分布のピーク部分を検査対象の導電体パターンに掛けることで前記検査信号を給電する。

本発明の実施形態によれば、検査電極を中心として両側に複数の消弧電極を配置する給電部により、交流の検査信号の位相に対して位相をシフトした消弧信号を同時に印加し、検査信号による電界分布の裾部分を削り取り、先鋭化させた電界分布を形成し、検査信号として検査対象の導電体パターンに給電する回路パターン検査装置を提供することができる。

図１は、本発明に係る実施形態の回路パターン検査装置の概念的な構成を示す図である。 図２は、給電部及び給電部に関わる構成を示す図である。 図３は、検査電極から出力される検査信号Ch1により生じる電界分布の特性を示す図である。 図４は、消弧電極から出力される消弧信号Ch2により生じる電界分布の特性を示す図である。 図５は、消弧電極から出力される消弧信号Ch3により生じる電界分布の特性を示す図である。 図６は、消弧電極から出力される消弧信号Ch2，Ch3の合成された信号により生じる電界分布の特性を示す図である。 図７は、検査信号Ch1及び消弧信号Ch2，Ch3により生じる電界分布の特性を示す図である。 図８は、検査信号Ch1による電界分布と合成電界分布の波形形状を比較するための図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明による回路パターン検査装置は、表示装置の製造工程の中で、例えば、ガラス製の基板上に形成された複数列の導電体パターン（配線パターン）の不良原因となる断線や短絡の欠陥を検出する。検査対象となる導電体パターンは、例えば、液晶表示パネルやタッチ式パネル等に用いられている形態の配線であり、複数列に平行配列で電気的に分離された導電体パターン又は、全ての導電体パターンの一端側が短絡バーにより接続されている櫛歯状の導電体パターンである。尚、基板上に形成される各導電体パターンは、パターンの位置が確定できるのであれば、平行及び等間隔の配置でなくても検査可能である。

さらに、検査信号を印加する給電部が移動した際に、同じ導電体パターン上に、検査電極とセンサ電極が対向可能なパターンであれば、導電体パターンの途中で曲がりや幅の変化があっても同等に検査可能である。以下の説明では、理解しやすくするために、一定間隔で直線的な列状に形成される導電体パターンを検査対象として説明する。また、以下の説明において、「消弧」とは、交流信号の波形を削り落として信号値を消す又は減少させる、即ち、波形から部分的に信号値をキャンセルすることを意味している。

図１は、本発明に係る実施形態の回路パターン検査装置の概念的な一構成例を示す図である。図２は、給電部及び給電部に関わる構成例を示す図である。
本実施形態の回路パターン検査装置１は、ガラス基板等の絶縁性を有する基板１００上に形成された複数列の導電体パターン１０１の断線や短絡等を検出する装置である。

図１に示すように、導電体パターン１０１上方に所定距離を離間して配置されて検査信号を印加する給電部２と、導電体パターン１０１上方に同様に離間して、導電体パターン１０１に印加された検査信号を検出するセンサ部３と、給電部２及びセンサ部３の離間（非接触）状態を維持し、同一の導電体パターン１０１の上方を交差する配列方向ｍに一体的に移動させる移動機構４と、移動機構４を駆動制御する駆動制御部５と、給電部２に交流からなる検査信号ch1を供給する検査信号供給部２２と、給電部２に後述する交流の消弧信号ch2,ch3を供給する消弧信号供給部２５と、検査部３から検出された検出信号に後述する信号処理を施す検出信号処理部６と、装置全体を制御する制御部９と、検査結果を含む検査情報を表示する表示部１０、動作指示や各種データ等を入力するためのキーボードやタッチパネル等からなる入力部１１と、を備えている。

給電部２の後述する給電基板２１と、センサ部３のセンサ基板２６は、例えば、スカラーロボットで一体的に連結され、同時に移動する。図１においては、導電体パターンの両端に配置された例を示している。勿論、配置される位置は、両端に限定されるものではなく、何れか一方又は、両方を導電体パターンの中央側に配置してもよい。つまり、導電体パターンと、給電電極及びセンサ電極とが対向する位置であれば、検査対象の基板上で離れて（例えば、導電体パターンの両端）配置されてもよいし、逆に、近接する位置に配置されてもよい。これは、センサ部３が容量結合により、検出信号を検出しているため、断線により導電体パターンにおける容量が変化すると、正常なパターンと異なっているため、検出信号のピーク値の変化として現れ、不良判別が可能である。

本実施形態におけるセンサ部３のセンサ電極２７は、検査対象となる導電体パターンの幅に相当する幅を有し、その長さは、検出される検出信号の大きさにより決定される設計事項であり、適宜、設定されている。尚、センサ電極２７と対向している部分の導電体パターンの短絡欠陥は検出しがたいため、この対向部分を検出するための第２のセンサ電極を同一導電体パターンの上方となるように別途、設けてもよい。

検出信号処理部６は、図示していないが、センサ部３で検出された微小なアナログ検出信号を所定の電圧レベル（良否の判定可能なレベル）まで増幅する増幅部と、増幅された検出信号の雑音成分を除去し、必要な帯域を通過させるバンドパスフィルタ部と、フィルタ処理された検出信号を全波整流する整流部と、全波整流された検出信号を平滑処理する平滑部等を備えている。

制御部９は、信号処理された検出信号に含まれる特徴信号（信号レベル又は信号波形の変化）に基づき、導電体パターンが欠陥か否かを判定する欠陥判定部７と、ユーザのよる設定条件や検査用プログラムに従い演算処理を行う中央処理部（ＣＰＵ）８と、を備えている。この制御部９は、汎用的なパーソナルコンピュータを利用してもよい。

欠陥判定部７による不良判定は、複数の判定手法を単体又は組み合わせて行う。例えば、閾値を用いた欠陥判定としては、まず、サンプリング（予備検査）を行い、良品の信号レベルと不良品の信号レベルを取得し、これらの信号レベルに基づき、不良品の信号レベルを超えるレベルの閾値を良品の判定基準として設定する。この判定基準を用いて、時系列的に検出された検出信号に対して、判定基準を超えた検出信号を送出した導電体パターンを不良と判定する。この判定基準は、任意に設定した検査処理数又は検査実施時間を越えた場合に、再度、サンプリングを行い、閾値を更新してもよい。

また、他の判定手法として、センサ部３より時系列的に取得した検出信号に対して、予め設定した期間（サンプリング時間）内で、直前の導電体パターン（正常）で検出した検出結果と現在、検出された検査信号とを比較して、予め設定した差分（設定範囲）を越える電圧差が発生した際に、その時に検査対象となった導電体パターンに対して不良の判定を行う。

次に、給電部２について詳細に説明する。
図１及び図２に示すように、給電部２は、１つの検査電極２３及び複数の消弧電極２４が設けられた給電基板２１と、検査電極２３に交流の検査信号を印加する検査信号供給部２２と、消弧電極２４に同位相及び位相をシフトした交流の消弧信号を印加する消弧信号供給部２５とで構成される。

給電基板２１の配置される検査電極２３は、１つの導電体パターンを覆い、且つ隣接する導電体パターンには掛からない幅を有している。その検査電極２３の配列方向ｍで両側方に、複数の消弧電極２４ａ，２４ｂ及び２４ｃ，２４ｄが電極ピッチＬである離間距離をそれぞれに空けて等間隔で配置されている。この電極ピッチＬは、検査対象の導電体パターン設計仕様に従って設定された検査信号に用いる周波数によって、適宜設計される。後述するが、検査信号の波形を均等に先鋭化するためには、配列された複数の消弧電極の中央に検査電極２３が配置され、両側に均等に消弧電極が配置される必要がある。

また、図２には、検査電極２３の両側のそれぞれに、２つの消弧電極を配置した例を示しているが、共に２つ以上の消弧電極が配置されるのであれば、特に限定されるものではない。但し、少なくとも検査対象の導電体パターン以外のパターンに消弧信号が多く印加されると、センサ電極の検出信号に影響を与え好ましくはないため、後述する作用効果が得られる範囲内で適宜、設計されるものとする。さらに、図２においては、消弧電極２４ａ−２４ｄは、検査電極２３の長さよりも短くしているが、印加する消弧信号が検出信号よりも電圧値が低い、又は検査電極２３を区別しやすくするために短くしただけであり、特に限定されているものではない。

検査電極２３には、検査信号供給部２２から例えば、設定された周波数で所望のピーク・ピーク値を有する正弦波の交流信号からなる検査信号Ch1が印加される。尚、検査信号Ch1は、正弦波だけではなく、三角波も適用することは可能である。以下の説明において、各信号による発生する電界分布を区別するために、電界分布の後に信号の参照符号（Ch1,Ch2,Ch3）を併記している。

消弧信号供給部２５は、各消弧電極２４ａ−２４ｄに対して、それぞれに電圧調整回路３１ａ−３１ｄと、位相シフト回路３２ａ−３２ｄが設けられて構成される。電圧調整回路３１は、検査信号供給部２２から出力された検査信号Ch1に対して、信号値（電圧値）を１／２〜１／３程度に低圧化した消弧信号Ch2,Ch3を出力する。この電圧調整は、検査信号Ch1によって異なるため、検査準備の際に調整を行う。尚、この調整値は、制御部９の図示しないメモリに検査条件の設定値として記憶しておき、検査信号Ch1の設定値に応じて、入力部１１により適宜、選択することで速やかに検査を開始することも可能である。

また、本実施形態の位相シフト回路３２は、一般的なオペアンプ等を用いた回路を想定し、検査信号を基準（０rad）として、全消弧電極２４ａ−２４ｄによる位相が２π／２rad（π：１８０°）シフトした消弧信号を生成する。本実施形態では、消弧電極２４ａ−２４ｄのそれぞれに電圧調整回路３１と位相シフト回路３２を設けた構成例を示したが、検査信号Ch1を位相０rad、消弧信号Ch2を位相０radとして、消弧信号Ch3で位相πradをシフトさせているため、消弧信号Ch毎に共有した電圧調整回路３１と位相シフト回路３２を用いて、構成を簡略化してもよい。

本実施形態では、給電電極が導電体パターンの配線とは距離を空けて、交流の検査信号を容量結合で供給する構成であるため、検査信号は、直接的な電流として供給するのでは無く、電界による電位（電圧）として印加するため、給電電極が形成する電界分布が影響を与える。課題で述べたように、電界分布を先鋭化させて、対向する検査対象の導電体パターンに検査信号を印加することが好ましくい。

図３は、検査電極２３から出力される検査信号Ch1により生じる電界分布(Ch1)の特性を示す図である。図４は、消弧電極２４ｂ，２４ｃから出力される消弧信号Ch2により生じる電界分布(Ch2)の特性を示す図である。図５は、消弧電極２４ａ，２４ｄから出力される消弧信号Ch3により生じる電界分布(Ch3)の特性を示す図である。図６は、消弧電極２４ａ−２４ｄから出力される消弧信号Ch2，Ch3の合成された信号により生じる電界分布(Ch2+Ch3)の特性を示す図である。図７は、検査信号Ch1及び消弧信号Ch2，Ch3の合成電界分布(A1)の特性を示す図である。図８は、電界分布(Ch1)と合成電界分布(A1)の波形形状を比較するための図である。

尚、各図において、検査信号及び消弧信号は、交流信号は、時系列的に連続する波形の信号であるが理解しやすくするために、ある時間の１つの波形により生じる電界強度（電位Ｖ）の電界分布として示している。また、距離０は、検査電極が対向する基準位置であり、実際には、対向する検査対象の導電体パターンの位置に相当し、距離は検査基板の面方向、即ちパターンを横切る水平方向に離れる距離を示している。

さらに、本来は、図５に示す消弧信号Ch3及び図６に示す消弧信号Ch2＋Ch3は、逆位相（πred）であるため、電界の向きが検査信号Ch1及び消弧信号Ch2とは逆向きであり、検査信号Ch1を正の向きとした場合には、図の横軸で反転している負の向きとなっている。

図３に示すように、検査電極２３から導電体パターンに向けて出力される検査信号Ch1による電界分布（Ch1）の波形を基準とする。また、図４は、検査信号Ch1に対して、同位相の消弧信号Ch2が印加された消弧電極２４ｂ，２４ｃから出力される電界分布 (Ch2)の波形を示している。さらに、図５は、消弧信号Ch2に対して、πred分（検査信号ch1に対してもπred分）の位相がシフトした消弧信号Ch3が印加された消弧電極２４ａ，２４ｄから出力される電界分布(Ch3)の波形を示している。尚、検査信号Ch1と消弧信号Ch2,Ch3の電圧値は、交流の周波数等により適宜設定される設計事項である。

ここで、図６を参照して、消弧信号ch2と消弧信号ch3の合成信号について述べる。前述したように、消弧信号ch2と消弧信号ch3とは、πredの位相差を有している、即ち、互いに逆位相であるため、反対向きの電界強度（電位）となり、互いの電界分布を打ち消し合うこととなり、これらの差により、図６に示すような距離０を中心として、相似する２つのピークを有する電界分布(Ch2＋Ch3)の特性となる。

この電界分布(Ch2＋Ch3)は、消弧信号ch2よりも消弧信号ch3による電界強度の方が強いため、負の電界分布となっている。さらに、この時、同時に印加している検査信号Ch1による電界分布（Ch1）を加えると、図７に示すように、電界分布(Ch1)の波形の裾部分が電界分布(Ch2＋Ch3)により削り取られて、先鋭化した合成電界分布(A1)を形成する。

図８には、検査信号Ch1による電界分布（Ch1）と、検査信号Ch1と消弧信号Ch2＋Ch3を同時に印加した時に発生する合成電界分布(A1)とを示している。これらの電界分布の特性を比較すると分かるように、波形の半値幅が５０％以上縮小したことにより、波形自体によれば、ピーク値が減少せずに、約１／３の幅に先鋭化されて、電界強度のピーク部分が対向する検査対象の導電体パターンに接することとなる。

以上説明したように、本実施形態の回路パターン検査装置は、検査対象の導電体パターンに検査信号を給電する給電部２の給電基板２１に、１つの検査電極２３に対して、パターン配列方向を横切る方向の両側に複数の消弧電極２４を等間隔で配置する構成を有し、給電する交流の検査信号に対して、位相が同相及び逆相にシフトされた複数の消弧信号を同時に印加する。この同時印加により、検査信号により発生させた電界分布に対して、消弧信号で逆向きに形成された電界分布を形成し、検査信号による電界分布の裾部分を削り取り、先鋭化させた合成電界分布を形成して、そのピーク部分を検査対象の導電体パターンに接することで集中的に検査信号を給電し、隣接する非検査対象の導電体パターンには、極力検査信号が給電されることを抑制することができる。

従って、本実施形態の回路パターン検査装置によれば、検査対象の導電体パターンの細線化及び狭ピッチ化された検査対象部位であっても、検査対象となるパターン個々の良否検査を非接触で適正に実施することができる。よって、高解像度が要求される表示用ガラス基板の配線パターンや回路基板上の配線パターン等、微細化や集積化が求められる配線の良否判定に好適する。特に、検査が非接触で実施されるため、導電体パターンへの損傷が全くなく、また、検査の際に平常時よりも比較的強い電界に晒されるため、将来的に不良となる要素（断線、剥がれ等）を含む配線パターンに対する耐久試験にもなっている。

１…回路パターン検査装置、２…給電部、３…センサ部、４…移動機構、５…駆動制御部、６…検出信号処理部、７…欠陥判定部、８…中央処理部（ＣＰＵ）、９…制御部、１０…表示部、１１…入力部、２１…給電基板、２２…検査信号供給部、２３…検査電極、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ…消弧電極、２５…消弧信号供給部、２６…センサ基板、１００…基板、１０１…導電体パターン。

Claims (4)

1. 複数の導電体パターンが列状に配列された基板を検査対象とし、１つの前記導電体パターンに上方で対向して容量結合し、予め定められた交流の検査信号を印加する検査電極と、
   前記配列の方向と交差する方向で前記検査電極を中央として、前記検査信号の周波数によって定められた同一の間隔を空けて、両側に均等に連設される複数の消弧電極と、を同一基板上に形成する給電部と、
   前記検査電極に前記検査信号を供給する検査信号供給部と、
   前記検査信号に対して、位相が同相及び逆相にシフトされた複数の消弧信号を同時に供給する消弧信号供給部と、
   前記検査電極と対向する導電体パターンの上方で対向配置されて容量結合し、前記給電部から印加された前記検査信号を検出するセンサ電極が形成されたセンサ部と、
   前記給電部と前記センサ部を一体的に保持し、前記導電体パターンの上方に一定の距離で離間して、該導電体パターンの配列方向と交差する方向に移動させる移動部と、
   前記センサ部により時系列的に取得された検出信号を、予め定めた判定基準値と比較して欠陥の有無を判定する第１の判定及び、前記時系列的に取得された検出信号に対して、検出信号値の時系列的な変化が設定期間内で予め定めた範囲を超えた際に、該範囲を越えた検出信号を送出した導電体パターンに対して不良判定を行う第２の判定を、組み合わせ又は何れ一方を用いて不良判定する欠陥判定部と、を具備し、
   前記移動部による移動中の前記給電部から、順次、導電体パターンに対して、前記検査信号を印加した際に、
   同時に、前記検査電極の両外側に隣接する第１の消弧電極に対して、前記検査信号と同位相の第１の消弧信号をそれぞれに印加し、且つ前記第１の消弧電極の外側に隣接する第２の消弧電極に対して、前記検査信号と逆位相の第２の消弧信号をそれぞれに印加し、
   前記第１及び第２の消弧信号によって発生した各電界分布を合成して、前記検査信号による電界分布とは、反対向きの電界方向の消弧電極による電界分布を形成し、さらに前記消弧電極による電界分布を前記検査信号による電界分布と合成させることで、前記検査信号による電界分布の裾部分を削り取り、先鋭化させた合成電界分布のピーク部分を検査対象の導電体パターンに掛けることで前記検査信号を給電することを特徴とする回路パターン検査装置。
2. 前記第１の消弧信号は、前記検査信号よりも電圧値が低く、同位相の信号であり、前記第２の消弧信号は、前記検査信号よりも電圧値が低く、前記第１の消弧信号よりも電圧値が高く逆位相の信号であることを特徴とする請求項１に記載の回路パターン検査装置。
3. 前記検査信号及び前記消弧信号は、予め設定された周波数で所望のピーク・ピーク値を有する、正弦波の交流信号又は、三角波の交流信号の何れかを用いることを特徴とする請求項２に記載の回路パターン検査装置。
4. 前記検査信号が印加された検査電極により発生される電界分布が１つの第１ピークを有する波形形状に対して、前記第１及び第２の消弧信号が印加された前記第１及び第２の消弧電極により発生し合成される電界分布が、前記検査信号による電界分布とは、反対向きの電界方向で、前記第１のピークの位置を中心とした両側に相似する少なくとも１つずつの第２のピークを有する電界分布が合成されることを特徴とする請求項２に記載の回路パターン検査装置。

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