KR100812861B1 - 디스플레이 패널 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 복수의 픽셀을 가지고 각 픽셀마다 복수의 트랜지스터를 구비하여 형성된 트랜지스터 배치기판;상기 트랜지스터 배치기판의 표면에 돌출되도록 형성되고 서로 평행하게 배치된 복수의 배선;각 픽셀마다 구비되고, 상기 배선들을 따라 상기 트랜지스터 배치기판의 표면 상에 상기 배선들 사이로 배치된 복수의 픽셀전극;각 픽셀전극 상에 각각 형성된 복수의 발광층; 및상기 발광층 상에 적층된 대향전극;을 포함하며,상기 트랜지스터 각각은 게이트, 게이트 절연막, 소스 및 드레인을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터는 소스와 드레인 중 하나가 상기 픽셀전극에 도통된 구동트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 기입 전류를 공급하는 스위치 트랜지스터와, 그리고 발광구간에 상기 구동트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전압을 유지하는 유지트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 2 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 구동트랜지스터의 소스와 드레인 중 다른 하나에 도통된 적어도 하나의 급전배선과, 상기 스위치 트랜지스터를 선택하는 선택배선과, 그리고 상기 대향전극에 도통된 공통배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 3 항에 있어서,상기 발광층은 상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 2 개 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 복수의 배선은 순서를 가지고 배치된 상기 급전배선, 상기 선택배선 및 상기 공통배선을 포함하는 각 집합을 복수개 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 적색 픽셀, 녹색 픽셀 및 청색 픽셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 6 항에 있어서,상기 복수의 픽셀은 순서를 가지는 상기 적색 픽셀, 상기 녹색 픽셀 및 상기 청색 픽셀을 포함하는 각 집합을 복수개 배치하여 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 배선은 1.31 내지 6.00 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 배선은 7.45 내지 44.00 ㎛의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 배선은 2.1 내지 9.6 μΩcm의 저항률을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 픽셀전극으로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 배선은 상기 픽셀전극으로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 복수의 픽셀전극;상기 복수의 픽셀전극 각각에 구비되는 복수의 발광층;상기 복수의 발광층에 구비되는 대향전극;상기 복수의 픽셀전극 각각에 도통되는 복수의 구동트랜지스터;상기 복수의 구동트랜지스터들 중 대응되는 한 구동트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 기입 전류를 각각 공급하는 복수의 스위치 트랜지스터;상기 복수의 구동트랜지스터들 중 대응되는 한 구동트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전압을 각각 유지하는 복수의 유지트랜지스터;상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스, 드레인 및 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되고, 상기 복수의 구동트랜지스터의 드레인에 도통되는 복수의 급전배선;상기 스위치 트랜지스터를 각각 선택하는 복수의 선택배선; 및상기 대향전극에 각각 도통된 복수의 공통배선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항에 있어서,상기 복수의 선택배선은 상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스와 드레인으로 사용되는 층과, 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 복수의 공통배선은 상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스와 드레인으로 사용되는 층과, 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 적어도 하나는 상기 복수의 구동트랜지스터, 상기 복수의 스위치 트랜지스터 및 상기 복수의 유지트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 적어도 하나는 상기 픽셀전극으로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 급전배선, 상기 선택배선과 상기 공통배선 중 적어도 하나는 상기 픽셀전극으로 사용되는 층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 복수의 픽셀전극;상기 복수의 픽셀전극마다 구비되는 복수의 발광층;상기 발광층에 구비되는 대향전극;상기 복수의 픽셀전극 각각에 도통되는 복수의 구동트랜지스터;상기 구동트랜지스터의 소스와 드레인 사이에 기입 전류를 각각 공급하는 복수의 스위치 트랜지스터;상기 구동트랜지스터의 소스와 게이트 사이에 전압을 각각 유지하는 복수의 유지트랜지스터;상기 스위치 트랜지스터를 선택하는 선택배선;상기 구동트랜지스터, 상기 스위치 트랜지스터 및 상기 유지트랜지스터의 소스 및 드레인으로 사용되는 층과 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되고, 상기 대향전극에 도통되는 공통배선;상기 구동트랜지스터, 상기 스위치 트랜지스터 및 상기 유지트랜지스터의 소스, 드레인, 및 게이트로 사용되는 층과는 다른 도전층으로부터 형성되고, 상기 공통배선보다 두꺼운 급전배선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 각 픽셀마다 복수의 트랜지스터를 구비하여 형성된 트랜지스터 배치기판;상기 트랜지스터 배치기판 상의 복수의 열에 구비되는 복수의 픽셀전극;제 1 색을 발광하기 위해 제 1 열의 상기 복수의 픽셀전극의 각각에 구비되는 제 1 발광층;제 2 색을 발광하기 위해 제 2 열의 상기 복수의 픽셀전극의 각각에 구비되는 제 2 발광층;제 3 색을 발광하기 위해 제 3 열의 상기 복수의 픽셀전극의 각각에 구비되는 제 3 발광층;상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층 상에 구비되는 대향전극;상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층보다 높은 상면을 가지고, 상기 복수의 트랜지스터 중 적어도 하나를 선택하는 선택배선;상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층보다 높은 상면을 가지고, 상기 대향전극에 도통된 공통배선; 및상기 제 1 발광층, 상기 제 2 발광층 및 상기 제 3 발광층보다 높은 상면을 가지고, 상기 복수의 트랜지스터의 상기 복수의 픽셀전극에 도통된 급전배선;을 포함하며,상기 트랜지스터 각각은 게이트, 게이트 절연막, 및 소스/드레인을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
- 제 22 항에 있어서,상기 제 1 발광층은 상기 선택배선, 상기 공통배선과 상기 급전배선 중 2 개 사이에 삽입되고,상기 제 2 발광층은 상기 선택배선, 상기 공통배선과 상기 급전배선 중 2 개 사이에 삽입되고, 삽입된 조합은 상기 제 1 발광층이 삽입된 조합과는 다르며, 그리고상기 제 3 발광층은 상기 선택배선, 상기 공통배선과 상기 급전배선 중 2 개 사이에 삽입되고, 삽입된 조합은 상기 제 1 발광층이 삽입된 조합과 상기 제 2 발광층이 삽입된 조합과는 다른 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널.
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JP2003159786A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-03 | Seiko Epson Corp | 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置 |
JP4484451B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2010-06-16 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
JP4327042B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2009-09-09 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
JP4265515B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-05-20 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
JP4923505B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2012-04-25 | ソニー株式会社 | 画素回路及び表示装置 |
JP2009037123A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Canon Inc | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 |
US7977678B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
JP4688006B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2011-05-25 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
KR101513271B1 (ko) * | 2008-10-30 | 2015-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP5381836B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2014-01-08 | カシオ計算機株式会社 | 画素回路基板、表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
US8599118B2 (en) | 2011-02-16 | 2013-12-03 | Global Oled Technology Llc | Chiplet display with electrode connectors |
KR20120124224A (ko) * | 2011-05-03 | 2012-11-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TW201318159A (zh) * | 2011-10-19 | 2013-05-01 | Dongguan Masstop Liquid Crystal Display Co Ltd | 觸控顯示面板 |
JP6322247B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-05-09 | Nissha株式会社 | 圧力センサ |
US11367394B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020000875A (ko) * | 2000-02-16 | 2002-01-05 | 도미나가 가즈토 | 액티브 구동형 유기 전기발광장치 및 이의 제조방법 |
EP1331666A2 (en) | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20040051611A (ko) * | 2002-08-26 | 2004-06-18 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 디스플레이장치 및 디스플레이장치 구동방법 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
US5640067A (en) | 1995-03-24 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
JP3927323B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2007-06-06 | パイオニア株式会社 | 有機elフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP4224652B2 (ja) | 1999-03-08 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 |
JP3809758B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
TW511298B (en) * | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
JP2002008871A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-11 | Tohoku Pioneer Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
JP2002195008A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Toshiba Corp | コンバインドサイクル発電プラント |
TWI257496B (en) | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
JP4801278B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2002352963A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Sony Corp | 表示装置 |
JP3743387B2 (ja) | 2001-05-31 | 2006-02-08 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法 |
JP4650601B2 (ja) | 2001-09-05 | 2011-03-16 | 日本電気株式会社 | 電流駆動素子の駆動回路及び駆動方法ならびに画像表示装置 |
JP4896318B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2012-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2003186420A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2003195810A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法 |
US6835954B2 (en) * | 2001-12-29 | 2004-12-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device |
JP4627966B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
JP4310984B2 (ja) | 2002-02-06 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
JP2003330387A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
AU2003253719A1 (en) | 2002-03-20 | 2003-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices, and their manufacture |
US7045861B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same |
JP2003302936A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ディスプレイ装置、oledパネル、薄膜トランジスタの制御装置、薄膜トランジスタの制御方法およびoledディスプレイの制御方法 |
JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
TW594628B (en) | 2002-07-12 | 2004-06-21 | Au Optronics Corp | Cell pixel driving circuit of OLED |
JP2004145278A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
JP4089544B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP3952965B2 (ja) | 2003-02-25 | 2007-08-01 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
US7520790B2 (en) * | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
JP4443179B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-03-31 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
KR100755398B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2007-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
JP4265515B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2009-05-20 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
KR20020000875A (ko) * | 2000-02-16 | 2002-01-05 | 도미나가 가즈토 | 액티브 구동형 유기 전기발광장치 및 이의 제조방법 |
EP1331666A2 (en) | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20040051611A (ko) * | 2002-08-26 | 2004-06-18 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 디스플레이장치 및 디스플레이장치 구동방법 |
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