KR100771805B1 - 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 - Google Patents
플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100771805B1 KR100771805B1 KR1020050131357A KR20050131357A KR100771805B1 KR 100771805 B1 KR100771805 B1 KR 100771805B1 KR 1020050131357 A KR1020050131357 A KR 1020050131357A KR 20050131357 A KR20050131357 A KR 20050131357A KR 100771805 B1 KR100771805 B1 KR 100771805B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- high voltage
- film
- voltage transistor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/40—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (16)
- 활성영역에는 터널 산화막과 언도프트 폴리실리콘막 및 도프트 폴리실리콘막으로 적층된 제 1 도전층이 형성되고, 소자 분리 영역에는 소자 분리막이 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계;상기 소자 분리막을 식각하는 단계;상기 소자 분리막 및 상기 제 1 도전층의 표면을 따라 유전체막을 형성하는 단계;상기 유전체막의 상부에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 도전층, 상기 유전체막, 상기 제 1 도전층 및 상기 터널 산화막을 패터닝하는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소자 분리막은,상기 반도체 기판 상부에 상기 터널 산화막, 상기 제 1 도전층 및 하드 마스크막을 순차적으로 형성하는 단계;소자 분리 마스크를 이용한 사진 및 식각 공정으로 상기 하드 마스크막, 제 1 도전층 및 터널 산화막의 소자 분리 영역을 식각하여 상기 플로팅 게이트 패턴을 형성한 후 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치가 형성된 상기 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 및상기 하드 마스크막이 노출되도록 상기 절연막을 연마한 후 상기 하드 마스크막을 제거하는 단계로 이루어진 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전층은 700Å 내지 1500Å의 두께로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 언도프트 폴리실리콘막은 상기 제 1 도전층의 1/2 이하의 두께로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 소자 분리막을 식각하는 단계는 습식 식각 공정으로 실시하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 셀 영역 및 고전압 트랜지스터 영역을 포함한 반도체 기판이 제공되는 단계;상기 셀 영역의 상기 반도체 기판 상부에 터널 산화막을 형성하고, 상기 고전압 트랜지스터 영역의 상기 반도체 기판 상부에 게이트 산화막을 각각 형성하는 단계;상기 터널 산화막 및 상기 게이트 산화막 상부에 제 1 도전층 및 하드 마스크막을 형성하고, 상기 셀 영역 상에 형성된 상기 제 1 도전층과 상기 터널 산화막 및 상기 고전압 트랜지스터 영역 상에 형성된 상기 제1 도전층과 상기 게이트 산화막을 패터닝하고, 상기 반도체 기판의 일부를 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치가 매립되도록 절연막을 형성한 후 연마하고, 상기 하드 마스크막을 제거하여 소자 분리막을 형성하는 단계;상기 고전압 트랜지스터 영역을 폐쇄하고 상기 셀 영역을 노출시키는 마스크를 형성한 후 상기 셀 영역의 상기 소자 분리막만을 일정 두께로 식각하는 단계;상기 마스크를 제거한 후 상기 셀 영역 및 고전압 트랜지스터 영역의 상기 소자 분리막의 일부를 식각하는 단계; 및상기 소자 분리막 및 상기 제 1 도전막 상부에 유전체막 및 제 2 도전층을 형성한 후 패터닝하여 셀 게이트 및 고전압 트랜지스터 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 터널 산화막은 70Å 내지 90Å의 두께로 형성하고, 상기 게이트 산화막은 350Å 내지 400Å의 두께로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 도전층은 언도프트 폴리실리콘막 및 도프트 폴리실리콘막을 적층하여 700Å 내지 1500Å의 두께로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 언도프트 폴리실리콘막은 상기 제 1 도전층의 1/2 이하의 두께로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 셀 영역의 소자 분리막은 습식 식각 공정으로 식각하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 셀 영역 및 상기 고전압 트랜지스터 영역의 상기 소자 분리막은 상기 마스크 제거 후 실시되는 습식 세정 공정에 의해 식각되는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 셀 영역 및 고전압 트랜지스터 영역을 포함한 반도체 기판이 제공되는 단계;상기 고전압 트랜지스터 영역의 상기 반도체 기판을 식각하는 단계;상기 셀 영역의 상기 반도체 기판상에 터널 산화막을 형성하고, 상기 고전압 트랜지스터 영역의 상기 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계;상기 터널 산화막 및 상기 게이트 산화막 상부에 제 1 도전층 및 하드 마스크막을 형성하고, 상기 셀 영역 상에 형성된 상기 제 1 도전층과 상기 터널 산화막 및 상기 고전압 트랜지스터 영역 상에 형성된 상기 제1 도전층과 상기 게이트 산화막을 패터닝하고, 노출된 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치가 매립되도록 절연막을 형성한 후 연마하고, 상기 하드 마스크막을 제거하여 소자 분리막을 형성하는 단계;상기 셀 영역 및 고전압 트랜지스터 영역의 상기 소자 분리막의 일부를 식각하는 단계; 및상기 소자 분리막 및 상기 제 1 도전층 상부에 유전체막 및 제 2 도전층을 형성한 후 패터닝하여 셀 게이트 및 고전압 트랜지스터 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 고전압 트랜지스터 영역의 상기 반도체 기판은 상기 터널 산화막과 상기 게이트 산화막의 두께를 고려하여 상기 터널 산화막과 상기 게이트 산화막이 상기 반도체 기판의 표면 높이로부터 같아지도록 식각하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 도전층은 언도프트 폴리실리콘막 및 도프트 폴리실리콘막을 적층하여 700Å 내지 1500Å의 두께로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 언도프트 폴리실리콘막은 상기 제 1 도전층의 1/2 이하의 두께로 형성하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 셀 영역 및 상기 고전압 트랜지스터 영역의 상기 소자 분리막은 습식 식각 공정으로 식각하는 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050131357A KR100771805B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
JP2006183147A JP2007180482A (ja) | 2005-12-28 | 2006-07-03 | フラッシュメモリ素子の製造方法 |
TW095124236A TWI320962B (en) | 2005-12-28 | 2006-07-04 | Method of manufacturing flash memory device |
US11/500,594 US7745284B2 (en) | 2005-12-28 | 2006-08-08 | Method of manufacturing flash memory device with conductive spacers |
CN2006101627966A CN1992231B (zh) | 2005-12-28 | 2006-11-23 | 制造闪存器件的方法 |
US12/780,800 US20100227469A1 (en) | 2005-12-28 | 2010-05-14 | Method of manufacturing flash memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050131357A KR100771805B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070069358A KR20070069358A (ko) | 2007-07-03 |
KR100771805B1 true KR100771805B1 (ko) | 2007-10-30 |
Family
ID=38214355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050131357A KR100771805B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100771805B1 (ko) |
CN (1) | CN1992231B (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101906167B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2018-10-12 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
CN104157615B (zh) * | 2013-05-15 | 2017-03-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 闪存存储器的制备方法 |
CN104733396B (zh) * | 2013-12-24 | 2018-09-07 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种制造快闪存储器的方法 |
CN105097681A (zh) * | 2014-05-06 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 |
CN105097811B (zh) * | 2014-05-06 | 2018-07-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 |
CN105206578A (zh) * | 2014-06-18 | 2015-12-30 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高闪存器件耦合率的方法 |
CN107302005A (zh) * | 2016-04-05 | 2017-10-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法、电子装置 |
CN107958909B (zh) * | 2016-10-17 | 2020-09-22 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 闪存器件及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100238865B1 (ko) | 1996-09-16 | 2000-01-15 | 윤종용 | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 메모리 셀의 제조방법 |
KR20020006127A (ko) * | 2000-07-11 | 2002-01-19 | 윤종용 | 서로 다른 두께를 갖는 2가지 이상의 터널 절연막을 갖는비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
JP2003124356A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20050002411A (ko) * | 2003-06-30 | 2005-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100490288B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2005-05-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자 제조 방법 |
CN1324693C (zh) * | 2003-07-24 | 2007-07-04 | 旺宏电子股份有限公司 | 闪存的制造方法 |
-
2005
- 2005-12-28 KR KR1020050131357A patent/KR100771805B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-11-23 CN CN2006101627966A patent/CN1992231B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100238865B1 (ko) | 1996-09-16 | 2000-01-15 | 윤종용 | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 메모리 셀의 제조방법 |
KR20020006127A (ko) * | 2000-07-11 | 2002-01-19 | 윤종용 | 서로 다른 두께를 갖는 2가지 이상의 터널 절연막을 갖는비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
JP2003124356A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20050002411A (ko) * | 2003-06-30 | 2005-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1992231A (zh) | 2007-07-04 |
KR20070069358A (ko) | 2007-07-03 |
CN1992231B (zh) | 2010-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7745284B2 (en) | Method of manufacturing flash memory device with conductive spacers | |
KR100771805B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
US7560340B2 (en) | Method of manufacturing flash memory device | |
KR100650857B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100870339B1 (ko) | 플래시 메모리 소자의 제조방법 | |
KR100723764B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100880338B1 (ko) | 플래시 메모리 소자의 제조방법 | |
KR100885790B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20060099157A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100948459B1 (ko) | 플래시 메모리 소자 및 그의 제조 방법 | |
KR100602126B1 (ko) | 플래시 메모리 셀 및 그 제조 방법 | |
KR100958627B1 (ko) | 플래시 메모리 소자 및 그의 제조 방법 | |
KR100719738B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자, 그 구동 방법 및 제조 방법 | |
KR100732391B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자의 제조 및 동작 방법 | |
KR100739961B1 (ko) | 낸드 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 | |
KR100719692B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100943482B1 (ko) | 플래시메모리 셀을 갖는 반도체소자의 제조방법 | |
KR100875023B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100932133B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20080004305A (ko) | 플래시 메모리 소자의 제조방법 | |
KR20070087376A (ko) | 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
KR20080061482A (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 | |
KR20070062017A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 | |
KR20060099620A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR20070099975A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120921 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130925 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140923 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150921 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160923 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170925 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180920 Year of fee payment: 12 |