KR100645051B1 - 비트 라인 전압에 따른 프로그램 실행 구간의서스펜드/리쥼 기능을 갖는 불 휘발성 메모리 장치 및그것의 프로그램 방법 - Google Patents
비트 라인 전압에 따른 프로그램 실행 구간의서스펜드/리쥼 기능을 갖는 불 휘발성 메모리 장치 및그것의 프로그램 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 불 휘발성 메모리 장치를 프로그램하는 방법에 있어서:프로그램 전압을 선택된 메모리 셀에 공급하는 단계와; 그리고상기 프로그램 전압이 검출 전압 이하로 낮아질 때 상기 프로그램 전압의 공급을 일시 중지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,프로그램 구간 동안, 상기 프로그램 전압이 상기 검출 전압 이상으로 높아질 때 상기 프로그램 전압의 공급을 재개하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 프로그램 전압은 비트 라인 전압인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 비트 라인 전압은 비트 라인 전압 발생 회로에서 출력되는 전압인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 비트 라인 전압은 기입 드라이버 회로에서 출력되는 전압인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 비트 라인 전압은 비트 라인 상의 전압인 것을 특징으로 하는 방법.
- 메모리 셀과;프로그램 구간 동안 상기 메모리 셀에 프로그램 전압을 공급하는 프로그램 전압 공급 회로와; 그리고상기 프로그램 구간 동안 상기 프로그램 전압이 검출 전압 이하로 낮아졌는 지의 여부를 검출하고, 검출 결과에 따라 상기 프로그램 전압 공급 회로를 제어하는 프로그램 제어 회로를 포함하며,상기 검출 결과가 상기 프로그램 전압이 검출 전압 이하로 낮아졌음을 나타낼 때, 상기 프로그램 제어 회로는 상기 프로그램 전압의 공급이 일시 중지되도록 상기 프로그램 전압 공급 회로를 제어하는 불 휘발성 메모리 장치.
- 삭제
- 제 7 항에 있어서,상기 프로그램 구간 동안 상기 프로그램 전압이 상기 검출 전압 이상으로 높아질 때, 상기 프로그램 제어 회로는 상기 프로그램 전압의 공급이 재개되도록 상기 프로그램 전압 공급 회로를 제어하는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 프로그램 전압은 비트 라인 전압인 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 프로그램 전압 공급 회로는상기 프로그램 구간 동안 비트 라인 인에이블 신호를 발생하는 프로그램 제어기와;상기 프로그램 전압으로서 상기 비트 라인 전압을 발생하는 비트 라인 전압 발생기와;상기 비트 라인 인에이블 신호에 응답하여 상기 메모리 셀로 상기 비트 라인 전압을 공급하는 기입 드라이버와; 그리고상기 비트 라인 전압이 상기 검출 전압 이하로 낮아졌는 지의 여부를 검출하는 검출기를 포함하며,상기 프로그램 제어기는 상기 프로그램 구간 동안 상기 검출기의 검출 결과에 따라 상기 비트 라인 인에이블 신호의 활성화/비활성화를 제어하는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 프로그램 구간 동안 상기 비트 라인 전압이 상기 검출 전압 이하로 낮아질 때, 상기 프로그램 제어기는 상기 비트 라인 전압의 공급이 일시 중지되도록 상기 비트 라인 인에이블 신호를 비활성화시키는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 프로그램 구간 동안 상기 비트 라인 전압이 상기 검출 전압 이상으로 높아질 때, 상기 프로그램 제어기는 상기 비트 라인 전압의 공급이 재개되도록 상기 비트 라인 인에이블 신호를 활성화시키는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 검출기는 상기 비트 라인 전압 발생기로부터 출력되는 상기 비트 라인 전압을 검출하는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 검출기는 상기 기입 드라이버로부터 출력되는 상기 비트 라인 전압을 검출하는 불 휘발성 메모리 장치.
- 행들과 열들로 배열된 메모리 셀들을 구비한 메모리 셀 어레이와;상기 열들 중 일부를 선택하도록 구성된 열 선택 회로와;프로그램 구간 동안 비트 라인 전압을 발생하도록 구성된 비트 라인 전압 발생 회로와;비트 라인 인에이블 신호에 응답하여 상기 선택된 열들을 상기 비트 라인 전압으로 구동하는 기입 드라이버 회로와;상기 프로그램 구간 동안 상기 비트 라인 전압이 검출 전압 이하로 낮아졌는 지의 여부를 검출하는 검출 회로와; 그리고상기 검출 회로의 출력에 응답하여 상기 비트 라인 인에이블 신호를 발생하는 프로그램 제어 회로를 포함하는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 프로그램 제어 회로는 상기 프로그램 구간의 개시에 응답하여 상기 비트 라인 인에이블 신호를 활성화시키는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 프로그램 구간 동안 상기 비트 라인 전압이 상기 검출 전압 이하로 낮아질 때, 상기 프로그램 제어 회로는 상기 비트 라인 전압의 공급이 일시 중지되도록 상기 비트 라인 인에이블 신호를 비활성화시키는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 18 항에 있어서,상기 프로그램 구간 동안 상기 비트 라인 전압이 상기 검출 전압 이상으로 높아질 때, 상기 프로그램 제어 회로는 상기 비트 라인 전압의 공급이 재개되도록 상기 비트 라인 인에이블 신호를 활성화시키는 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 검출 회로는 상기 비트 라인 전압 발생 회로로부터 출력되는 상기 비트 라인 전압을 검출하도록 구성된 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 검출 회로는 상기 기입 드라이버 회로로부터 출력되는 상기 비트 라인 전압을 검출하도록 구성된 불 휘발성 메모리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 검출 회로는 상기 선택된 비트 라인들 상의 비트 라인 전압을 검출하도록 구성된 불 휘발성 메모리 장치.
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