KR100625157B1 - 적층판 - Google Patents

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KR100625157B1
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히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물을 함유하는 용액으로 함침 처리하여 얻어진 기재에, 할로겐계 난연제를 포함하지 않는 열경화성 수지를 함침하고, 가열 건조하여 형성되는 프리프레그를 소정 매수 중첩하고, 필요에 따라 그의 한측 또는 양측에 동박을 중첩하고, 가열 가압 적층하여 적층판을 제조함으로써 내열성 수준이 향상되며, 리플로우 공정시에 팽창 등의 불구합을 발생시키지 않는 적층판을 얻는다.
페놀 수지 적층판, 할로겐계 난연제, 리플로우 내열성, 알콕시실란 유도체

Description

적층판 {Laminates}
본 발명은, 페놀 수지 적층판 및 페놀 수지 구리 도장 적층판 등의 적층판에 관한 것이다.
최근의 전자 기기의 소형화, 다기능화에 따라, 프린트 배선판도 고밀도화, 소형화가 진행되고 있는 가운데, 종이 기재 페놀 수지 구리 도장 적층판은, 펀칭 가공성, 드릴 가공성이 뛰어나고, 또한 염가이기 때문에 일반인용 전자 기기의 프린트 배선판용 기판으로서 널리 사용되고 있다.
종이 기재 페놀 수지 적층판은, 페놀류와 알데히드류를 알칼리 촉매의 존재하에서 반응시켜 페놀 수지를 얻고, 페놀 수지를 용제로 조정하여 종이 기재에 함침하고, 건조하여 얻어지는 프리프레그를 소정 매수 중첩하고, 가열 가압하여 제조된다. 종이 기재 페놀 수지 구리 도장 적층판은, 상기한 소정 매수의 프리프레그와 구리박을 중첩시켜 가열 가압하여 제조된다. 구리 도장 적층판의 구리박을 에칭함으로써, 회로를 형성하여 프린트 배선판이 얻어진다.
최근, 제품 생산업체(set maker)에서는 환경 보호의 의식이 높아짐에 따라 난연제에 할로겐계 난연제를 사용하지 않는 재료 (할로겐 무함유 재료), 및 유해 물질인 납을 사용하지 않는 땜납 (납 무함유 땜납)이 검토되고 있다.
그러나, 납 무함유 땜납은, 종래의 납 함유 땜납 (Sn-Pb)과 비교하여 용융 온도가 높고, 그 때문에 리플로우(reflow) 공정시의 설정 온도가 높아지는 경향이 있고, 프린트 배선판의 내열성 향상, 특히 리플로우 공정에서의 내열성 향상이 요구되고 있다.
종이 기재 페놀 수지 구리 도장 적층판은 염가로 인해 널리 사용되고 있지만, 유리 기재 에폭시 수지 구리 도장 적층판과 비교하여 내열성 수준이 낮기 때문에, 리플로우 공정시의 온도 설정도 낮게 설정되고, 온도 설정이 높아지면 팽창 등의 불구합이 발생한다.
또한, 납 무함유 땜납의 용융 온도가 종래의 땜납 (Sn-Pb)보다 높아, 납 무함유 땜납 채용시 리플로우 공정의 온도 설정도 높게 설정되기 때문에, 종이 기재 페놀 수지 구리 도장 적층판을 사용한 프린트 배선판은 팽창 등의 불구합이 발생한다. 특히, 페놀 수지가 할로겐을 함유하지 않는 경우, 난연성을 부여하기 위해 할로겐계 난연제 대신 인계, 질소계, 무기계 난연제를 다량으로, 또한 균형을 이루도록 사용하여야 하며, 내열성이 난연제에 의해 큰 영향을 받기 때문에, 수지의 내열성 수준을 향상시킨다는 것은 매우 곤란하였다.
본 발명은 할로겐 무함유 페놀 수지 구리 도장 적층판 등의 기재에, 할로겐계 난연제를 포함하지 않는 열경화성 수지를 함침하고, 가열 건조하여 형성되는 프리프레그를 소정 매수 중첩하고, 필요에 따라 그 한측 또는 양측에 동박을 중첩하고, 가열 가압 적층하여 이루어지는 적층판의 내열성 수준을 향상하고, 리플로우 공정시에 팽창 등의 불구합을 발생시키지 않는 열경화성 수지 적층판, 열경화성 수지 구리 도장 적층판 등의 적층판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 하기에 관한 것이다.
(1) 기재에 할로겐계 난연제를 포함하지 않는 열경화성 수지를 함침시키고, 가열 건조하여 형성되는 프리프레그를 소정 매수 중첩하고, 필요에 따라 그의 한측 또는 양측에 동박을 중첩하고, 가열 가압 적층하여 이루어지고, 상기 기재로서 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물을 함유하는 용액으로 함침 처리하여 얻어진 기재를 사용하는 것을 특징으로 하는 적층판.
(2) 알콕시실란 유도체가 하나 이상의 에폭시기를 갖는 알콕시실란인 상기 적층판.
(3) 알콕시실란 유도체가 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 상기 적층판.
Figure 112004028530310-pct00001
식 중, R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R4는 2가의 유기기를 나타낸다.
(4) 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물을 함유하는 용액이, 수용성 페놀 수지 100 중량부에 화학식 1로 표시되는 화합물 및(또는) 그의 축합물 3 내지 50 중량부를 배합한 용액인 상기 적층판.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명에서 사용되는 알콕시실란 유도체로서는
Si(OCH3)4, Si(OC2H5)4,
Si(OC3H7)4, Si(OC4H9)4
등의 테트라알콕시실란 등의 4관능성 실란 화합물 (이하, 실란 화합물에 있어서의 관능성이란 축합 반응성 관능기를 갖는 것을 의미한다),
H3CSi(OCH3)3, H5C2Si(OCH3)3,
H7C3Si(OCH3)3, H9C4Si(OCH3) 3,
H3CSi(OC2H5)3, H5C2Si(OC2H 5)3,
H7C3Si(OC2H5)3, H9C4Si(OC 2H5)3,
H3CSi(OC3H7)3, H5C2Si(OC3H 7)3,
H7C3Si(OC3H7)3, H9C4Si(OC 3H7)3,
H3CSi(OC4H9)3, H5C2Si(OC4H 9)3,
H7C3Si(OC4H9)3, H9C4Si(OC 4H9)3,
등의 모노알킬트리알콕시실란,
PhSi(OCH3)3, PhSi(OC2H5)3,
PhSi(OC3H7)3, PhSi(OC4H9)3
(단, Ph는 페닐기를 나타내고, 이하 동일함)
등의 페닐트리알콕시실란,
(CH2OCH)CH2Si(OCH3)3, CH2=CHSi(OCH3) 3,
HSC3H6Si(OCH3)3, H2NC3H6Si(OCH 3)3,
(CH2OCH)CH2Si(OC2H5)3, CH2=CHSi(OC 2H5)3,
HSC3H6Si(OC2H5)3, H2NC3H 6Si(OC2H5)3,
(CH2OCH)CH2Si(OC3H7)3, CH2=CHSi(OC 3H7)3,
HSC3H6Si(OC3H7)3, H2NC3H 6Si(OC3H7)3
등의 반응성 기를 갖는 트리알콕시실란 등의 3관능성 실란 화합물,
(H3C)2Si(OCH3)2, (H5C2)2Si(OCH 3)2,
(H7C3)2Si(OCH3)2, (H9C4) 2Si(OCH3)2,
(H3C)2Si(OC2H5)2, (H5C2) 2Si(OC2H5)2,
(H7C3)2Si(OC2H5)2, (H9C 4)2Si(OC2H5)2,
(H3C)2Si(OC3H7)2, (H5C2) 2Si(OC2H5)2,
(H7C3)2Si(OC3H7)2, (H9C 4)2Si(OC3H7)2,
(H3C)2Si(OC4H9)2, (H5C2) 2Si(OC4H9)2,
(H7C3)2Si(OC4H9)2, (H9C 4)2Si(OC4H9)2
등의 디알킬디알콕시실란,
Ph2Si(OCH3)2, Ph2Si(OC2H5)2
등의 디페닐디알콕시실란,
((CH2OCH)CH2)2Si(OCH3)2, (CH2=CH) 2Si(OCH3)2,
(HSC3H6)2Si(OCH3)2, (H2NC3H 6)2Si(OCH3)2,
((CH2OCH)CH2)2Si(OC2H5)2, (CH2 =CH)2Si(OC2H5)2,
(HSC3H6)2Si(OC2H5)2, (H2NC 3H6)2Si(OC2H5)2,
((CH2OCH)CH2)2Si(OC3H7)2, (CH2 =CH)2Si(OC3H7)2,
(HSC3H6)2Si(OC3H7)2, (H2NC 3H6)2Si(OC3H7)2
등의 반응성 기를 갖는 디알콕시실란 등의 2관능성 실란 화합물 등이 있다.
이러한 알콕시실란 유도체는 단독으로 또는 수종 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도 반응성 기를 갖는 알콕시실란 유도체는 이후 열경화성 수지를 함침할 때, 열경화성 수지와 반응할 수가 있고, 종이와 열경화성 수지와의 계면의 접착성이 향상되기 때문에 바람직하다. 알콕시실란 유도체로서, 하나 이상의 에폭시기를 갖는 알콕시실란이 바람직하고, 화학식 1로 표시되는 화합물이 보다 바람직하 다. 화학식 1에 있어서, R4로서는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기가 바람직하다. 또한, 이 중에서도 트리메톡시(글리시딜메틸)실란((CH2OCH)CH2Si(OCH3)3 )은 알콕시실란의 반응성이 높고, 또한 글리시딜기를 갖기 때문에 열경화성 수지를 함침할 때 친화성이 좋아, 특히 바람직하다.
또한, 이들 알콕시실란 유도체는 미리 축합시켜 올리고머화한 후에 사용할 수 있다. 이 때, 촉매로서 염산, 황산, 인산, 질산, 불화수소산 등의 무기산, 말레산, 술폰산, 옥살산, 포름산 등의 유기산, 또는 암모니아, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 염기 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 촉매는 사용하는 알콕시실란 유도체의 종류 및 양에 따라서 적당량 사용되지만, 바람직하게는 알콕시실란 유도체 1 몰에 대하여 0.001 내지 0.5 몰의 범위에서 사용된다.
상기 축합은, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 메탄올, 에탄올 등의 용매 중에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응에 있어서, 물이 적량 필요하나, 지나치게 많은 경우에는 축합의 진행이 지나치게 빨라 겔화될 가능성이 있고, 지나치게 적으면 축합이 충분히 진행되지 않기 때문에, 알콕시실란 1 몰에 대하여 0.1 내지 5 몰이 바람직하고, 0.3 내지 4 몰로 하는 것이 보다 바람직하다.
이들 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물을 함유하는 용액은 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물 5 내지 50 중량％, 물 10 내지 70 중량％ 및 알코올 10내지 70 중량％의 용액으로 사용하는 것이 바람직하다. 이 때, 물이 지나치 게 많으면 보존 안정성이 나빠지는 경향이 있으므로, 물과 알코올의 비율은 5:5 정도로 하는 것이 바람직하다.
사용되는 알코올의 종류에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 메탄올을 사용하면 비점이 낮고, 가열 건조를 쉽게 행할 수 있기 때문에 바람직하다.
이 용액 중에 수용성 페놀 수지는, 수용성 페놀 수지 100 중량부에 대하여 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물이 3 내지 50 중량부가 되도록 함유시키는 것이 바람직하다.
알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물은, 기재에 대하여 바람직하게는 부착량이 0.5 내지 10 중량％가 되도록 부착시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 적층판의 제조 방법에 있어서는, 기재를 미리 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물을 함유하는 용액으로 함침 처리를 행한다.
본 발명에서 사용되는 기재는, 펀칭 가공성의 관점에서 종이 기재를 사용하는 것이 바람직하다. 종이 기재로서는 크래프트지, 코튼린터지, 린터와 크래프트 펄프의 혼초지 (混抄紙), 유리 섬유와 종이 섬유의 혼초지 등도 사용할 수 있다.
함침 처리는 기재에 알콕시실란 유도체 및(또는) 그의 축합물을 포함하는 용액을 함침한 후, 가열 건조를 행한다. 이 때, 알콕시실란 유도체는 축합이 진행되어 종이의 소수성을 향상시킨다.
이 후, 또한 열경화성 수지를 함침하여 가열 건조시킴으로써 가열 가압 적층이 가능한 프리프레그를 얻을 수 있다.
본 발명에서 사용되는 열경화성 수지로서는 염가인 것으로부터, 식물유 변성 페놀 수지를 들 수 있다.
식물유 변성 페놀 수지는, 페놀류와 식물유를 산 촉매의 존재하에서 반응시키고, 계속해서 알데히드류를 알칼리 촉매의 존재하에서 반응시킴으로써 얻어진다.
산 촉매로서는 파라톨루엔술폰산 등을 들 수 있다. 알칼리 촉매로서는 암모니아, 트리메틸아민, 트리에틸아민 등의 아민계 촉매를 들 수 있다.
식물유로서는 건성유를 사용하는 것이 바람직하고, 이러한 예로서, 오동나무유, 아마니유, 탈수 피마자유, 오이치시카유 등이 있다.
페놀류로서는 페놀, 메타크레졸, 파라크레졸, 오르토크레졸, 이소프로필페놀, 노닐페놀 등이 사용된다.
알데히드류로서는 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 파라아세트알데히드, 부틸알데히드, 옥틸알데히드, 벤즈알데히드 등을 들 수 있고, 특별히 제한되는 것이 아니다. 일반적으로는, 포름알데히드 또는 파라포름알데히드가 사용된다.
열경화성 수지는 용제로 조정하고, 용해 또는 분산시켜 광택제(varnish)로서 기재에 함침된다.
광택제에는 적층판에 가소성, 난연성을 부여하기 위해서 각종 가소제, 난연제를 첨가할 수도 있다.
난연제는, 할로겐계 난연제를 사용하지 않기 때문에, 시판되는 질소계 난연제 또는 인계 난연제를 사용하는 것이 바람직하다.
열경화성 수지로서 식물유 변성 페놀 수지를 사용할 경우, 멜라민 변성 페놀 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 멜라민 변성 페놀 수지로서는 시판품을 사용할 수 있고, 질소 함유율이 3 내지 15 중량％인 것이 바람직하다. 질소 함유율이 3 중량％ 미만이면 난연성이 떨어지고, 15 중량％를 초과하면 펀칭 가공성이 떨어지는 경향이 있다.
멜라민 변성 페놀 수지는 식물유 변성 페놀 수지와 반응하여 난연성에 기여한다. 이것으로부터, 식물유 변성 페놀 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 30 중량부의 범위로 배합하는 것이 바람직하다. 식물유 변성 페놀 수지 100 중량부에 대한 배합량이 5 중량부 미만이면 난연성 부여 효과가 불충분하고, 30 중량부를 초과하면 펀칭 가공이 나빠지는 경향이 있다.
이것으로부터, 식물유 변성 페놀 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 20 중량부의 범위에서 배합하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 인계 난연제인 인산 에스테르는, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 트리페닐포스페이트, 트리크레질포스페이트, 크레질디페닐포스페이트, 레졸실디페닐포스페이트, 트리이소프로필페닐포스페이트 등을 들 수 있고, 이들은 1종 또는 2종 이상의 혼합계로서 사용된다. 그 중에서도 트리페닐포스페이트를 사용하는 것이 염가로서 바람직하다.
인산 에스테르는 식물유 변성 페놀 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 100 중량부의 범위에서 배합하는 것이 바람직하다. 식물유 변성 페놀 수지 100 중량부에 대한 배합량이 10 중량부 미만이면 배합하는 효과가 작고, 100 중량부를 초과하면 펀칭 가공성이 나빠져 흡수율 등의 다른 특성이 저하되는 경향을 나타낸다.
인산 에스테르 이외에, 다른 난연제, 예를 들면 수산화알루미늄과 같은 무기 충전제계 난연제를 전체 조성물 100 중량부 중, 50 중량부까지의 범위에서 배합할수도 있다. 이들 인산 에스테르 이외의 난연제를 배합하면 상승 작용에 의해 소량의 배합으로 난연성을 보다 높일 수 있고, 난연제의 배합량을 적게 할 수 있다. 이들 인산 에스테르 이외의 난연제의 배합량이 50 중량부를 초과하면 펀칭 가공성, 내열성이 나빠지는 경향을 나타낸다.
상기한 광택제를 기재에 함침하고, 가열 건조하여 프리프레그를 형성하고, 얻어진 프리프레그를 소정 매수 중첩하고, 필요에 따라, 그 한면 또는 양면에 동박을 중첩하고, 바람직하게는 온도 150 내지 180 ℃, 압력 9 내지 20 MPa에서 가열 가압 적층하여 적층판으로 한다.
하기 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.
(상도(上塗)용 페놀 수지의 합성)
오동나무유 150 중량부와 페놀 280 중량부, p-톨루엔술폰산 0.2 중량을 반응기에 넣고, 90 ℃에서 1 시간 반응시키고, 계속해서 파라포름알데히드 200 중량부, 28 중량％ 암모니아수 30 중량부를 가하고, 75 ℃에서 2 시간 반응시켜 오동나무유 변성률 35 중량％의 오동나무유 변성 레졸 수지를 얻었다.
오동나무유 변성 레졸 수지 100 중량부에 하기 표 1에 나타내는 멜라민 변성 페놀 수지 및 트리페닐포스페이트를 소정량 (중량부) 첨가하고 용제로 용해하여 수 지분 50 중량％의 광택제로 하였다.
(수용성 페놀 수지의 합성)
페놀 1 몰, 37 중량％ 포르말린 1.2 몰(포름알데히드 환산) 및 트리에틸아민 수용액 0.4 몰(트리에틸아민 환산) (농도: 30 중량％)을 70 ℃ 6 시간 반응시켜 수용성 페놀 수지를 얻었다.
얻어진 수용성 페놀 수지를 중량비로, 물 1 대 메탄올 1의 혼합 용매로 희석하여 고형분 12 중량％의 수용성 페놀 수지로 하였다.
<실시예 1, 2, 3>
상기 수용성 페놀 수지의 고형분에 대하여 트리메톡시(글리시딜메틸)실란을 하기 표 1에 나타내는 비율 (중량％)로 배합하고, 교반 후, 이 용액을 사용하여 두께 0.2 mm, 평량 125 g/m2의 크래프트지를 함침 처리하여 부착량이 18 중량％가 되도록 부착시키고, 다음으로 상도용 페놀 수지 광택제를 건조 후의 전체 수지 부착량이 50 중량％가 되도록 함침시키고, 가열 건조하여 프리프레그를 얻었다.
얻어진 프리프레그 8 매를 중첩하고, 그 양측에 구리박의 두께가 35 ㎛으로 접착제 부착 구리박을 접착제층이 프리프레그측이 되도록 중첩하여 온도 170 ℃, 압력 15 MPa에서 90 분 가열 가압하여, 두께 1.6 mm의 양면 구리 도장 적층판을 얻었다.
<비교예 1, 2>
트리메톡시(글리시딜메틸)실란을 배합하지 않는 것 이외에는 하기 표 1의 배 합으로, 실시예와 동일하게 하여 두께 1.6 mm의 양면 구리 도장 적층판을 얻었다. 이상에서 얻어진 양면 구리 도장 적층판에 대하여 리플로우 내열성, 펀칭 가공성을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 또한 시험 방법은 이하와 같이 하였다. 리플로우 내열성은 인쇄법에 의해 회로를 형성하고 구리박을 에칭하여, 잔류 구리 70 ％의 프린트 배선판을 제조하고, 리플로우 장치에서 프린트 배선판을 흘려, 팽창의 유무를 육안으로 관찰하였다. 리플로우 장치의 온도 설정은 프린트 배선판의 기재 표면의 최고 온도를 측정하여 온도 설정을 행하였다. 난연성은, 얻어진 한 측면 구리 도장 적층판으로부터, 동박을 전면 에칭하여, 127×13 mm의 시험편을 절단하였다. 이 시험편을 긴 변이 수직이 되도록 유지하고, 버너에 의해 밑에서부터 10 초간 접염 (接炎)을 2회 반복하고, 소염되기 까지의 시간을 측정하였다. 난연성의 시험은 시험편 5 개에 대하여 행하고, 그 평균치 및 측정치의 범위 (괄호 내)를 나타내었다. 펀칭 가공성은 시험편의 표면 온도를 바꿔 펀치 직경 1.0내지 1.2 mm, 구멍 사이 피치 2.54 mm, 24 구멍의 시험용 금형을 사용하여 펀칭 가공하였다. 펀칭 가공한 시험편의 구멍 주변의 육안 관찰로 그 상태를 기호로 나타내었다.
Ｏ: 박리, 목백 (目白) 없음.
△: 박리, 목백이 약간 있고, 확인할 수 있지만 박리 경계를 육안으로 확인할 수 없음.
×: 박리, 목백이 있고, 박리된 경계를 육안으로 확인할 수 있음.
항목 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2
트리메톡시(글리시딜메틸)실란 첨가량 5% 25% 50% 0% 0%
트리페닐포스페이트 첨가량 40부 40부 40부 20부 40부
멜라민 변성 페놀 수지 15부 15부 15부 0부 15부
리플로우 내열성 (최고표면온도) 240℃ ＯＯ ＯＯ ＯＯ ＯＯ ＯＯ
250℃ ＯＯ ＯＯ ＯＯ ＯＯ ××
260℃ ×× Ｏ× ＯＯ ×× ××
난연성(UL법) 94V-0 94V-0 94V-0 94V-1 94V-0
펀칭 가공성 (60℃) △~Ｏ △~Ｏ △~Ｏ △ △~Ｏ
(80℃) Ｏ Ｏ Ｏ △~Ｏ Ｏ
(100℃) Ｏ Ｏ Ｏ Ｏ Ｏ
비교예 1과 같이, 난연제에 트리페닐포스페이트 20 부만 첨가한 계에서는 리플로우 내열성은 양호하지만 난연성은 UL94V-0을 만족시키지 않고, 펀칭 가공성도 저온에서의 박리가 확인되었다. 비교예 2와 같이 난연제에 트리페닐포스페이트 40 부, 멜라민 변성 페놀 수지 15 부를 첨가한 계에서는 난연성, 펀칭 가공성은 양호하지만 리플로우 내열성은 저하되었다.
실시예 1 내지 3과 같이 트리메톡시(글리시딜메틸)실란을 첨가함으로써 리플로우 내열성이 양호하고 트리페닐포스페이트 40 부, 멜라민 변성 페놀 수지 15 부를 첨가함으로써 펀칭 가공성, 난연성과 함께 양호한 페놀 수지 구리 도장 적층판을 얻을 수 있었다. 또한, 트리메톡시(글리시딜메틸)실란의 첨가량이 많을 수록 리플로우 내열성은 양호한 경향이 있었다.
본 발명에 따라, 할로겐계 난연제를 포함하지 않는, 난연성 및 리플로우 내열성이 우수한 적층판을 얻을 수 있다.

Claims (11)

  1. 기재에 할로겐계 난연제를 포함하지 않는 열경화성 수지를 함침하고, 가열 건조하여 형성되는 프리프레그(prepreg)를 소정 매수 중첩하고, 필요에 따라 그의 한측 또는 양측에 동박을 중첩하고, 가열 가압 적층하여 이루어지고, 상기 기재로서 수용성 페놀 수지 100 중량부 및 알콕시실란 유도체, 그의 축합물 또는 이들의 조합 3 내지 50 중량부를 함유하는 용액으로 함침 처리하여 얻어진 기재를 사용하는 것을 특징으로 하는 적층판.
  2. 제1항에 있어서, 알콕시실란 유도체가 하나 이상의 에폭시기를 갖는 알콕시실란인 적층판.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알콕시실란 유도체가 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 적층판.
    <화학식 1>
    Figure 112004028530310-pct00002
    식 중, R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R4는 2가의 유기기를 나타낸다.
  4. 제1항에 있어서, 열경화성 수지가 질소계 난연제 또는 인계 난연제를 첨가한 것인 적층판.
  5. 제1항에 있어서, 열경화성 수지가 식물유 변성 페놀 수지 및 멜라민 변성 페놀 수지의 혼합물인 것인 적층판.
  6. 수용성 페놀 수지 100 중량부 및 알콕시실란 유도체, 그의 축합물 또는 이들의 조합 3 내지 50 중량부를 함유하는 용액으로 기재를 함침처리한 후, 할로겐계 난연제를 함유하지 않는 열경화성 수지를 함침, 가열건조하여 형성되는 것을 특징으로 하는 프리프레그.
  7. 제6항에 있어서, 알콕시실란 유도체가 하나 이상의 에폭시기를 갖는 알콕시실란인 것인 프리프레그.
  8. 제7항에 있어서, 알콕시실란 유도체가 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것인 프리프레그.
    <화학식 1>
    Figure 112006023298048-pct00003
    식 중, R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 3의 알킬기를 나타내고, R4는 2가의 유기기를 나타낸다.
  9. 제6항에 있어서, 열경화성 수지가 질소계 난연제 또는 인계 난연제를 첨가한 것인 프리프레그.
  10. 제6항에 있어서, 열경화성 수지가 식물유 변성 페놀 수지 및 멜라민 변성 페놀 수지의 혼합물인 것인 프리프레그.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항 기재의 프리프레그를 소정 매수 중첩하고, 필요에 따라 그의 한측 또는 양측에 동박을 중첩하고, 가열 가압 적층하는 것을 특징으로 하는 적층판의 제조 방법.
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