KR100624293B1 - 점착 시이트 및 그 이용 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 -5∼80℃의 온도 범위에서 동적 점탄성 tanδ의 최대값이 0.5 이상인 기재 및 그 위에 설치된 점착제층을 포함하는 점착 시이트에 관한 것이다. 요철의 고저차가 큰 표면을 갖는 피착체의 이면 가공시에, 상기 점착 시이트가 피착체 표면에 부착되어 가공 공정 중 표면을 보호하는데 바람직하게 사용된다.

Description

점착 시이트 및 그 이용 방법{PRESSURE SENSITIVE ADHESIVE SHEET AND METHOD OF USE THEREOF}
본 발명은 점착 시이트에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 요철의 고저차가 큰 표면을 갖는 피착체의 이면 가공시에, 피착체 표면에 부착되어 가공공정 중 표면을 보호하는데 바람직하게 사용되는 점착 시이트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 그 이용 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 이면 연삭 공정에서, 전기 회로가 형성된 표면은 점착 시이트에 의해 보호된다. 전극 소자에 의한 통상적인 회로의 고저차는 약 5∼20㎛ 정도이었다. 이러한 통상의 회로가 형성된 웨이퍼에 대해, 종래의 표면 보호 시이트는 회로 파손 또는 웨이퍼 균열 없이 회로를 충분히 보호할 수 있기 때문에 만족스러웠다.
그러나, 최근에는 IC 칩의 실장(mounting) 방법이 다양화되고 있다. 예컨대 IC 칩 회로 표면이 하측에 배치되는 패키징 방법이 개발되었다. 이 패키징 방법에서, 전극 소자는 회로 표면으로부터 돌출하여 있고, 이 고저차는 30㎛ 이상, 경우에 따라 100㎛를 넘는다.
이와 같이 돌출상의 전극 소자가 형성된 웨이퍼를 종래의 표면 보호 시이트로 표면을 보호하면서 이면 연마하면, 돌출상의 소자에 대응하는 부분에서 그 이면이 깊게 연마되어, 웨이퍼의 이면상에 함몰상(딤플상, dimples)이 형성된다. 또한, 딤플부가 균열되어, 결국 웨이퍼의 파괴가 발생한다.
유사한 문제가 웨이퍼 회로의 검사 후 불량 회로의 마킹을 위해 제공되는 잉크(배드마크, bad mark)에서도 발생한다.
상술한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 표면상에 형성된 돌출상 부분을 소위 "범프(bump)"라 칭한다. 범프가 큰 반도체 웨이퍼에 대해, 예컨대 표면 보호 시이트의 기재 필름의 경도를 감소시키고, 점착 시이트의 두께를 증가시키는 것을 포함하는 조치를 취하여 왔다. 그러나, 이러한 조치는 만족스럽지 못했고, 상술한 문제점들은 여전히 해소되지 않았다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 사정을 감안한 것이다. 본 발명의 목적은 요철의 고저차가 큰 표면을 갖는 피착체의 이면 가공시에, 피착체 표면에 부착되어 가공공정 중에 표면을 보호하는데 바람직하게 사용되는 점착 시이트를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 또 다른 목적은 그 이용 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 점착 시이트는 -5∼80℃의 온도 범위에서 동적 점탄성 tanδ의 최대값이 0.5 이상인 기재 및 그 위에 설치된 점착제층을 포함한다.
상기 기재는 기재의 두께와 영률의 곱이 0.5∼100kg/cm의 범위인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 피착체 표면에 점착 시이트를 부착시키고, 그 점착 시이트로 피착체 표면을 보호하면서 그 이면에서 피착체를 가공하는 것을 포함하는 점착 시이트의 이용 방법에 관한 것이다.
본 발명은 피착체 표면의 요철을 정확히 추종하여 요철의 고저차를 흡수할 수 있고, 피착체의 이면 연마시에 피착체 표면의 요철에 의한 영향없이 평활한 이면 연마를 실시할 수 있는 표면 보호용 점착 시이트를 제공한다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명의 점착 시이트는 기재 및 그 위에 설치된 점착제층을 포함한다.
기재는 -5∼80℃의 온도 범위에서 동적 점탄성 tanδ의 최대값(이하, 간략히 "tanδ 값"으로 언급함)이 0.5 이상, 바람직하게는 0.5∼2.0, 보다 바람직하게는 0.7∼1.8을 나타낸다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "tanδ"는 손실 탄성률/저장 탄성률의 비로 정의되는 손실접선(loss tangent)을 의미한다. 이것은 동적 점탄성 측정 장치를 사용하여 대상물에 제공되는 인장 또는 비틀림 등의 응력에 대한 응답을 근거로 측정된다.
본 발명에 있어서, 기재의 두께와 영률의 곱은 0.5∼100kg/cm, 바람직하게는 1.0∼50kg/cm, 보다 바람직하게는 2.0∼40kg/cm의 범위인 것이 바람직하다. 기재의 두께는 바람직하게는 30∼1000㎛, 보다 바람직하게는 50∼800㎛, 가장 바람직하게는 80∼500㎛의 범위이다.
기재는 수지성 필름으로 이루어지고, 상술한 물성을 나타내는 한, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 상술한 물성은 수지 그 자체 또는 첨가제가 혼합된 수지에 의해 나타날 수 있다. 기재는 경화성 수지로 제막 및 경화하거나 또는 열가소성 수지로 제막하여 제조될 수 있다.
경화성 수지로서, 예컨대 광경화형 수지 또는 열경화형 수지가 사용된다. 광경화형 수지가 바람직하다.
광경화형 수지는 바람직하게는 예컨대 광중합성 우레탄 아크릴레이트계 올리고머가 주성분인 수지 조성물 및 폴리엔·티올계 수지 중으로부터 선택된다.
이 우레탄 아크릴레이트계 올리고머는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 폴리올 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물 예컨대 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소이아네이트, 1,4-크실릴렌 디이소시아네이트 또는 디페닐메탄-4,4-디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 이소시아네이트-말단기를 갖는 우레탄 전중합체(prepolymer)와 히드록시기를 갖는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 예컨대 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 또는 폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다. 이 우레탄 아크릴레이트 올리고머는 분자내에 광중합성 이중 결합을 갖고, 광조사시 중합 경화되어 필름을 형성한다.
본 발명에 바람직하게 사용되는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머의 분자량은 1000∼50,000, 바람직하게는 2000∼30,000의 범위이다. 이들 우레탄 아크릴레이트계 올리고머는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다.
상기 우레탄 아크릴레이트계 올리고머만으로는 종종 막형성이 곤란한 경우가 있다. 따라서, 우레탄 아크릴레이트계 올리고머를 광중합성 단량체로 희석하고, 막을 형성시킨 후, 경화시켜 필름을 얻는다. 광중합성 단량체는 분자내에 광중합성 이중 결합을 갖는데, 본 발명에서는 비교적 큰(bulky) 기를 갖는 아크릴 에스테르계 화합물이 바람직하다.
우레탄 아크릴레이트계 올리고머의 희석용으로 사용되는 광중합성 단량체는, 이소보르닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트 및 아다만탄 (메타)아크릴레이트 등의 지환식 화합물;
벤질 아크릴레이트 등의 방향족 화합물; 및
테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트, 몰포리닐 아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 및 N-비닐카프로락탐 등의 복소환식 화합물 중으로부터 선택된다. 필요에 따라, 다관능성 (메타)아크릴레이트를 사용할 수 있다.
상기 광중합성 단량체는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머 100중량부에 대해, 바람직하게는 5∼900중량부, 보다 바람직하게는 10∼500중량부, 가장 바람직하게는 30∼200중량부의 양으로 부가된다.
한편, 기재의 제조에 사용하기 위한 폴리엔·티올계 수지는 아크릴로일기를 갖지 않는 폴리엔 화합물 및 다가 티올 화합물로부터 형성된다. 구체적으로, 폴리엔 화합물은 예컨대 디아크롤레인 펜타에리스리톨, 톨릴렌 디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 디알릴 에테르 부가물 및 불포화 알릴우레탄 올리고머 중으로부터 선택된다. 바람직하게는, 다가 티올 화합물로서 펜타에리스리톨의 메르캅토아세트산 또는 메르캅토프로피온산의 에스테르를 사용할 수 있다. 게다가, 시판되고 있는 폴리엔 폴리티올계 올리고머를 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 폴리엔·티올계 수지의 분자량은 바람직하게는 3000∼50,000, 보다 바람직하게는 5000∼30,000 범위이다.
광경화 수지로부터 기재를 형성하는 경우, 수지에 광중합 개시제를 혼입함으로써, 광조사에 의한 중합 경화 시간 및 광조사량을 감소시킬 수 있다.
이 광중합 개시제는 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀 옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티옥산톤 화합물 또는 퍼옥사이드 화합물 등의 광개시제 또는 아민 또는 퀴논 등의 광증감제일 수 있다. 그 구체적인 예로서, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤질 디페닐 설파이드, 테트라메틸티우람 모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸 및 β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.
광중합 개시제는 수지의 합계 100중량부에 대해, 바람직하게는 0.05∼15중량부, 보다 바람직하게는 0.1∼10중량부, 가장 바람직하게는 0.5∼5중량부의 양으로 부가된다.
상기 경화성 수지의 제조시, 상술한 물성이 실현될 수 있도록 올리고머 및 단량체는 다양한 조합으로부터 선택될 수 있다.
기재에 사용되는 열가소성 수지는 예컨대 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부 텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐리덴 클로라이드, 비수소화 스티렌-비닐이소프렌 블록 공중합체 및 그 수소화물 등의 폴리올레핀 수지 중으로부터 선택될 수 있다. 이들 중에서, 비수소화 또는 수소화 스티렌-비닐이소프렌 블록 공중합체가 바람직하다.
스티렌-비닐이소프렌 블록 공중합체는 일반적으로 고함량의 비닐기를 갖는 SIS(스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체)이다. 비수소화 및 수소화 스티렌-비닐이소프렌 블록 공중합체 그 자체는 상온 부근에서 tanδ의 큰 피크를 나타낸다.
상술한 수지 중에 tanδ값을 향상시킬 수 있는 첨가물을 첨가하는 것이 바람직하다. tanδ값을 향상시킬 수 있는 첨가물의 예로는 탄산칼슘, 실리카, 운모 등의 무기 충전제(filler) 및 철, 납 등의 금속 충전제를 들 수 있다. 특히 비중이 큰 금속 충전제를 첨가하는 것이 효과적이다.
또한, 기재에는 상기 성분 이외의 다른 첨가물 예컨대 가소제 또는 안료 및 염료 등의 착색제가 함유될 수 있다.
필름형성 방법에 있어서, 먼저 액상 수지(예컨대 미경화 수지, 수지 용액)를 공정 시이트상에 박막 형태로 캐스팅(casting)한 후, 수지 유형에 따른 적절한 수단에 의해 소정의 필름형성 공정을 실시함으로써 기재를 제조할 수 있다. 이와 같은 방법에 의하면, 필름형성중 수지에 가해지는 응력이 적어져, 피쉬-아이(fish-eye, 수지 성분의 불용성 부분)의 형성이 적게 된다. 게다가, 필름 두께의 균일성이 높고, 두께 정밀도는 통상 2% 이내로 감소한다.
또 다른 바람직한 필름형성 방법으로는, T 다이 또는 관상막(tubular film) 방법을 사용하는 압출 성형이나 캘린더법을 포함한다.
기재 사이의 점착제에 대한 밀착성을 향상시키기 위해, 기재의 상부면, 즉 점착제층이 설치되는 측면상에 코로나 처리를 실시하거나 또는 프라이머(primer) 등의 또 다른 층을 설치할 수 있다.
본 발명의 점착 시이트는 상기 기재상에 점착제층을 설치함으로써 제조된다. 점착제층이 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 경우에는 투명 기재를 사용한다.
점착제층은 종래의 각종 점착제로부터 형성될 수 있다. 이들 점착제는 제한이 없으며, 예컨대 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르계의 점착제가 사용될 수 있다. 또한, 방사선 경화형, 가열 발포형 및 수팽윤형 점착제가 사용될 수 있다.
사용 재료의 유형에 따라 다르지만, 점착제층의 두께는 통상 3∼100㎛ 정도, 바람직하게는 10∼50㎛ 정도의 범위이다.
상기 점착제로서, 각종 점착제는 특별히 한정되는 것 없이 사용될 수 있다. 방사선 경화형(광경화형, 자외선 경화형 또는 전자선 경화형) 점착제로서, 예컨대 일본 특공평 1(1989)-56112호 공보 및 일본 특개평 7(1995)-135189호 공보 등에 기재된 점착제가 바람직하게 사용되지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 있어서, 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 게다가, 수팽윤형 점착제로서, 예컨대 일본 특공평 5(1993)-77284호 공보 및 일본 특공평 6(1994)-101455호 공보에 기재된 점착제가 바람직하게 사용된다.
본 발명의 점착 시이트는 상기 점착제를 나이프 롤 도포기(knife roll coater), 그라비아 도포기(gravure coater), 다이 도포기(die coater), 리버스 도포기(reverse coater) 등을 사용하는 통상적인 방법에 따라 각종 기재상에 적당한 두께로 도포하고, 그 점착 시이트를 건조시켜 기재 위에 점착제층을 형성함으로써 얻을 수 있다. 필요에 따라, 점착제층상에 분리형 라이너(release liner)를 도포한다.
본 발명의 점착 시이트는 각종 물품의 표면을 보호하고, 정밀 가공시 일시적인 고정용으로 사용된다. 특히, 본 발명의 점착 시이트는 반도체 웨이퍼 이면의 연마 공정 중 회로표면 보호용으로 적합하게 사용된다. 본 발명의 점착 시이트는 상술한 특정 물성을 갖는 기재를 구비하고 있기 때문에, 회로표면의 요철을 효과적으로 흡수한다. 따라서, 본 발명의 점착 시이트는 범프 등이 형성되어 있고 표면의 고저차가 큰 웨이퍼에 대해 충분한 접착력으로 부착될 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 요철이 이면 연마에 주는 영향을 완화할 수 있기 때문에, 웨이퍼 파괴를 방지할 수 있을 뿐 아니라 매우 평활하게 연마할 수 있다. 게다가, 예컨대 점착제층이 자외선 경화형 점착제로 이루어진 경우, 자외선 조사에 의해 접착력이 쉽게 감소될 수 있기 때문에, 소정의 가공이 종료한 후 점착제층을 자외선으로 조사하여 쉽게 박리할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명의 범위는 결코 이들 실시예에 한정되지 않는다.
하기 실시예 및 비교예에 있어서, 「이면 연마 적성 시험」을 다음과 같은 방식으로 실시하였다.
이면 연마 적성 시험
범프로서 인쇄에 의한 다음과 같은 도트 상의 배드마크를 6 인치의 반도체 웨이퍼의 거울 표면상에 형성하였다. 배드마크가 형성된 웨이퍼 표면에 각 점착 시이트를 부착하고, 웨이퍼의 반대면을 연마하였다. 웨이퍼 형상, 연마 조건 및 평가 방법은 다음과 같다:
(1) 웨이퍼 형상
웨이퍼 두께(도트가 인쇄되지 않은 부분의 두께): 650∼700㎛
도트 직경: 500∼600㎛
도트 높이: 70㎛
도트 피치: 10 mm 간격(전면 인쇄);
(2) 이면 연마 조건
최종 두께: 200㎛
연마 장치: (주)디스코 제 grinder DFG 840
(3) 평가 방법
연마된 웨이퍼 이면을 관찰하였다. 균열 또는 딤플이 없거나 또는 딤플이 관찰되지만 최대 깊이가 2㎛ 미만이면, 웨이퍼를 "양호"로 평가하였다. 반면, 딤플이 관찰되고, 최대 깊이가 2㎛ 이상이면, 웨이퍼를 "딤플 발생"으로 평가하였다.
tanδ는 동적 점탄성 측정 장치로 100Hz의 인장 응력에서 측정하였다. 구체적으로, 각 기재를 소정의 크기로 샘플링하고, (주)오리엔테크가 제작한 Rheovibron DDV-11-EP를 사용하여 주파수 110Hz 및 온도 -40∼150℃의 범위에서 tanδ를 측정하였다. -5∼80℃의 온도 범위에서 측정된 tanδ의 최대값을 "tanδ값"으로 채용하였다.
영률은 시험 속도 200mm/분에서 JIS(일본 공업 표준규격) K7127에 따라 측정하였다.
실시예 1
중량 평균 분자량 5000의 우레탄 아크릴레이트계 올리고머((주)아라까와 케미칼 인더스트리 제) 50중량부, 이소보르닐 아크릴레이트 50중량부, 광중합 개시제(Irgacure 184, (주)시바-가이기 제) 2.0중량부 및 프탈로시아닌계 안료 0.2중량부를 배합하여 광경화형 수지 조성물을 얻었다.
분출식 다이(fountain die) 방식에 따라, 상기 수지 조성물을 캐스팅용 공정 시이트인 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름((주)도라이 인더스트리 제: 두께 38㎛)상에 두께가 110㎛가 되도록 도포하여 수지 조성물층을 형성하였다. 도포 직후, 수지 조성물층상에 동일한 PET 필름을 적층한 후, 광량 250mJ/cm2 의 고압 수은 램프(160W/cm, 거리 10cm)로부터 방출되는 자외선으로 조사하여 수지 조성물층을 가교 경화시켰다. 이와 같이 하여, 양 PET 필름을 박리한 후 두께 110㎛의 기재 필름을 얻었다. 이 기재 필름의 tanδ 및 영률을 상기 방법으로 측정하였다. 결과를 하기 표에 나타낸다.
이 기재 필름의 한 면에, 아크릴계 점착제(n-부틸 아크릴레이트 및 아크릴산 의 공중합체) 100중량부, 분자량 8000의 우레탄 아크릴레이트계 올리고머 120중량부, 경화제(디이소시아네이트계 화합물) 10중량부 및 광중합 개시제(벤조페논계 화합물) 5중량부를 혼합하여 제조한 점착제 조성물을 도포 건조하여, 두께 20㎛의 점착제층을 형성하였다. 이와 같이 하여, 점착 시이트를 얻었다.
얻어진 점착 시이트의 이면 연마 적성 시험을 실시하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 2
이소보르닐 아크릴레이트 대신에 몰포리닐 아크릴레이트를 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 3
이소보르닐 아크릴레이트 50중량부 대신에 25중량부의 이소보르닐 아크릴레이트, 25중량부의 몰포리닐 아크릴레이트의 혼합물을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 4
스티렌-비닐이소프렌 블록 공중합체((주)구라라이 제, Hybrar VS-1)의 톨루엔 60% 용액을 실시예 1과 동일한 지지 필름상에 캐스팅하고, 적층 및 자외선 조사를 하지 않고 100℃에서 2분간 건조하였다. 이와 같이 하여, 하기 표 1에 나타낸 tanδ값 및 영률을 갖는 두께 300㎛의 기재 필름을 얻었다.
얻어진 기재 필름으로부터 실시예 1과 동일한 방식으로 점착 시이트를 제조하였다. 얻어진 점착 시이트의 이면 연마 적성 시험을 실시하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 5
실시예 1의 광경화형 수지 조성물 대신에 폴리엔·티올계 수지((주)아사히 뎅까 고교 제, BY-314)를 실시예 1과 동일한 방식으로 막을 형성하고 경화하여 두께 250㎛의 기재 필름을 얻었다. 이 기재 필름의 tanδ 및 영률을 상기 방법으로 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 얻어진 기재 필름으로부터 실시예 1과 동일한 방식으로 점착 시이트를 제조하였다. 이 점착 시이트의 이면 연마 적성 시험을 실시하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 6
우레탄 아크릴레이트계 올리고머((주)아라까와 케미칼 인더스트리 제)의 첨가량을 60중량부로 하고, 50중량부의 이소보르닐 아크릴레이트 대신에 50중량부의 N-비닐카프로락탐을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
비교예 1
기재 필름으로서, 두께 110㎛의 저밀도 폴리에틸렌 필름(상품명: Sumikathene L705)을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
비교예 2
기재 필름으로서, 두께 100㎛의 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체 필름(비닐아세테이트 함량: 12중량%)을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
비교예 3
기재 필름으로서, 두께 110㎛의 에틸렌/메틸 메타크릴레이트 공중합체 필름(메틸 메타크릴레이트 함량: 6중량%)을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
비교예 4
기재 필름으로서, 두께 110㎛의 에틸렌/메타크릴산 공중합체 필름(메타크릴산 함량: 8중량%)을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
비교예 5
기재 필름으로서, 두께 100㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 절차를 반복하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
tanδ 최대값 (-5∼80℃) 영률 (kg/cm2) 필름 두께 (㎛) [FT]×[YM] (kg/cm) 이면 연마 적성
실시예 1 0.78 1100 110 12.1 양호
〃 2 0.85 2400 110 26.4 양호
〃 3 1.18 1400 110 15.4 양호
〃 4 1.05 100 300 3.0 양호
〃 5 1.61 120 250 3.0 양호
〃 6 0.81 3000 110 33.0 양호
비교예 1 0.19 1300 110 14.3 딤플 발생,웨이퍼 파손
〃 2 0.16 660 100 6.6 딤플 발생,웨이퍼 파손
〃 3 0.21 900 110 9.9 딤플 발생
〃 4 0.17 1300 80 10.4 딤플 발생,웨이퍼 파손
〃 5 0.03 35000 100 350.0 딤플 발생,웨이퍼 파손
주: [FT]×[YM]은 [필름두께]×[영률]을 의미한다.
본 발명은 피착체 표면에 형성된 요철을 정확히 추종하여 요철의 고저차를 흡수하고, 피착체의 이면 연마시 피착체 표면의 요철에 의한 영향없이 평활하게 이면 연마가 가능한 표면 보호용 점착 시이트를 제공한다.

Claims (3)

  1. -5∼80℃의 온도 범위에서 동적 점탄성 tanδ의 최대값이 0.5∼2.0인 수지 필름 및 그 위에 설치된 점착제층을 포함하는 점착 시이트로서,
    상기 수지필름이, 광중합성 우레탄 아크릴레이트계 올리고머 또는 폴리엔·티올계 수지를 포함하는 광경화형 수지로 제막 및 경화하거나, 또는
    폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐리덴 클로라이드, 비수소화 스티렌-비닐이소프렌 블록 공중합체 및 그 수소화물로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지를 제막하여 얻어지는 점착 시이트.
  2. 제1항에 있어서, 수지 필름의 두께와 영률의 곱이 0.5∼100 kg/cm의 범위인 점착 시이트.
  3. 제1항 또는 2항의 점착 시이트를 반도체 웨이퍼의 표면에 부착시키고, 그 점착 시이트로 표면을 보호하면서 웨이퍼의 이면을 연삭하는 것을 포함하는 표면에 전기 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 방법.
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