KR100602818B1 - Ｌｃｄ 제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

Ｌｃｄ 제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

(과제) 저 NA 조건 하에서도 높은 해상도로 레지스트 패턴을 형성할 수 있는, LCD 제조용 레지스트 재료를 제공하는 것.
(해결수단) (A) 23 ℃ 의 2.38 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 알칼리 용해성이 100 ~ 400 ㎚/초의 범위인 노볼락 수지로 이루어지는 알칼리 가용성 수지, (B) 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물 및 (C) 가교성 폴리비닐에테르 화합물을 함유하는 LCD 제조용의 포지티브형 포토레지스트 조성물.

Description

ＬＣＤ 제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법{POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR PRODUCING LCD AND PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERN}
도 1 은, 저 NA 조건 하에서의 리니어리티 (linearity) 평가를 위해 포지티브형 포토레지스트 조성물을 유리 기판에 도포하고, 베이크하여 건조시키고, 패턴 노광 후에 슬릿 코터를 갖는 현상장치에 의해 현상액을 기판 단부 X 에서 Z 에 걸쳐 액을 모아 얹은 것을 나타내는 설명도이다.
본 발명은 LCD 제조용의 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
지금까지 유리 기판 위에 액정 디스플레이 부분을 형성하는 액정표시 소자 (LCD) 의 제조에 있어서는, 비교적 저렴하다는 점이나, 감도, 해상성 및 형상이 우수한 레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 점에서, 반도체 소자의 제조에 사용되고 있는 노볼락 수지-퀴논디아지드기 함유 화합물 계로 이루어지는 포지티브형 포토레지스트 재료가 많이 이용되고 있다.
그러나 예컨대 반도체 소자의 제조에서는 최대로 직경 8 인치 (약 200 ㎜) ~ 12 인치 (약 300 ㎜) 의 원반형 실리콘 웨이퍼가 사용되고 있는 것에 비해, LCD 의 제조에서는 최소로 360 ㎜ ×460 ㎜ 정도의 각형 유리 기판이 사용되고 있다.
이렇게 LCD 의 제조분야에서는, 레지스트 재료를 도포하는 기판이 재질이나 형상 면에서 다른 것은 물론, 그 크기 면에서 반도체 소자의 제조에 사용되고 있는 것과는 크게 다르다.
그래서 LCD 제조용 제조분야에는 넓은 기판면 전체에 대해 형상 및 치수 안정성 등의 특성이 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 것이 요청되고 있다.
또한 LCD 의 제조에는 매우 많은 레지스트 재료가 소비되기 때문에 LCD 제조용 레지스트 재료에는 상기 기술한 특성에 추가하여 저렴성까지 요청되고 있다.
지금까지 LCD 제조용 레지스트 재료는 많이 보고되어 있다 (예컨대 하기 특허문헌 1 ~ 6). 특허문헌 1 ~ 6 에 기재된 레지스트 재료는 저렴하고, 또한 예를 들어 360 ㎜ ×460 ㎜ 정도의 소형 기판에 대해서는 도포성, 감도, 해상성, 형상 및 치수 안정성이 우수한 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 따라서 비교적 소형의 LCD 를 제조하는 목적에서는 바람직하게 사용할 수 있다.
[특허문헌 1]
일본 공개특허 공보 평9-160231호
[특허문헌 2]
일본 공개특허 공보 평9-211855호
[특허문헌 3]
일본 공개특허 공보 2000-112120호
[특허문헌 4]
일본 공개특허 공보 2000-131835호
[특허문헌 5]
일본 공개특허 공보 2000-181055호
[특허문헌 6]
일본 공개특허 공보 2001-75272호
그러나 최근, 퍼스널 컴퓨터의 디스플레이의 대형화나 액정 텔레비젼의 보급에 수반하여 종래보다도 대형인 LCD 에 대한 수요가 증대되고 있다. 또 저가격화도 요청되고 있는 점 등에서 LCD 의 제조 효율 향상이 요청되고 있다.
그래서 LCD 의 제조 분야에서는 스루풋 (throughput) (단위 시간 당 처리 수량) 향상의 관점에서 노광 면적을 가능한 한 넓게, 적어도 100 ㎟ 정도로 하는 것이 요청되고 있고, 또한 실리콘 웨이퍼에 비해 요철이 큰 유리 기판에 있어서, 넓은 노광 범위 내에서의 레지스트 피막의 평면 균일성을 유지하는 것이 매우 곤란하다는 점에서 초점 심도를 크게 잡는 것이 요청되고 있고, 일반적으로 LCD 의 제조는 NA (렌즈의 개구 수) 가 예컨대 0.3 이하가 바람직하고, 특히 0.2 이하의 저 NA 조건의 노광 프로세스를 사용하는 것이 바람직한 것으로 되어 있다.
그러나 저 NA 조건의 노광 프로세스를 사용하는 경우, 종래의 LCD 제조용 레지스트 재료에서는 예컨대 0.3 이하의 저 NA 조건 하에서 형상이 우수한 레지스트 패턴을 고해상도로 형성하는 것이 곤란하였다. 즉, 일반적으로 해상도 (해상 한계) 는 다음 식으로 나타내어지는 레일리의 식 :
R = k1 ×λ/NA
[식중, R 은 해상 한계, k1 은 레지스트 또는 프로세스, 이미지 형성법에 의해 결정되는 비례 정수, λ는 노광 프로세스에 사용되는 광의 파장, NA 는 렌즈의 개구 수를 나타낸다]
로 표시되고, 파장 λ의 짧은 광원을 사용하는 점이나, 고 NA 의 노광 프로세스를 사용함으로써 해상도를 높일 수 있다. 예컨대 종래 LCD 의 제조에 사용되었던 g 선 (436 ㎚) 노광 대신에 보다 짧은 파장인 i 선 (356 ㎚) 노광을 사용한 포토리소그래피 기술을 사용함으로써 해상도를 높일 수 있다.
그러나 LCD 의 제조에서는 상기 기술한 바와 같이 노광 면적이 좁아지고, 또 초점 심도가 작아지는 고 NA 화는 바람직하지 못하고, 저 NA 조건에서의 노광 프로세스를 사용하는 것이 요청되었다. 따라서 높은 해상도를 얻기는 곤란하였다.
또한 높은 해상도의 레지스트 패턴, 즉 미세한 레지스트 패턴을 얻을 수 있었다 해도, 패턴 치수가 미세해질수록, 초점 심도 폭의 특성은 현저하게 열화되는 경향이 있기 때문에, 미세한 레지스트 패턴을 초점 심도 폭의 특성을 양호하게 형성하기란 곤란하였다.
나아가 현재 차세대 LCD 로서, 1 장의 유리 기판 위에 드라이버, DAC (디지털-아날로그 컨버터), 화상 프로세서, 비디오 콘트롤러, RAM 등의 집적회로 부분이 디스플레이 부분과 동시에 형성되는, 이른바「시스템 LCD」라고 하는 고기능 LCD 에 대한 기술 개발이 활발하게 이루어지고 있다 (Semiconductor FPD World 2001. 9, pp.50-67).
이 경우, 기판 위에는 디스플레이 부분에 추가적으로 집적회로 부분도 형성되므로 기판이 더욱 대형화되는 경향이 있다. 따라서 통상적인 LCD 제조의 경우보다도 더욱 저 NA 조건에서의 노광이 바람직하다.
또한 이러한 시스템 LCD 에서는 예컨대 디스플레이 부분의 패턴 치수가 2 ~ 10 ㎛ 정도인 것에 비해, 집적회로 부분은 0.5 ~ 2.0 ㎛ 정도로 미세한 치수로 형성되어 있다. 따라서 동일 노광 조건에서 이렇게 패턴 치수가 상이한 디스플레이 부분과 집적회로 부분을 동시에 형성하는 것이 바람직하고, 리니어리티 [동일 노광 조건 (레티클 상의 마스크 치수는 상이하나 노광량이 동일한 조건) 에서 노광한 경우에 레티클 상의 상이한 마스크 치수에 대응한 레지스트 패턴을 양호한 정밀도로 재현하는 특성] 가 우수한, 종래의 LCD 제조용 레지스트 재료보다도 고해상성의 레지스트 재료가 요망된다.
그러나 상기 기술한 바와 같이 종래의 LCD 제조용의 레지스트 재료는 저 NA 조건 하에서 고해상도로 형성하기 곤란하므로, 시스템 LCD 제조용으로 사용하기는 어렵다. 예컨대 0.3 이하의 저 NA 조건 하에서는 형상이 우수한, 예컨대 2.0 ㎛ 이하의 미세한 레지스트 패턴을 형성하기 곤란하고, 얻어진 레지스트 패턴은 직사각형이 아니라 테이퍼 형상을 나타내는 경향이 있으며, 초점 심도 폭 특성 또한 열악했다.
따라서 시스템 LCD 의 제조 프로세스에는 리니어리티가 양호하고, 예컨대 0.3 이하의 저 NA 조건 하에서도 형상이 우수한 미세 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 재료가 요청되었다.
즉 본 발명은 종래의 LCD 제조용 레지스트 재료보다도 저 NA 조건하에서도 적어도 디스플레이 부분의 레지스트 패턴을 높은 해상도로 얻을 수 있는 레지스트 재료 및 레지스트 패턴의 형성방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
더욱 바람직하게는 저 NA 조건 하에서의 리니어리티가 우수하고, 시스템 LCD 의, 디스플레이 부분과 그보다도 미세한 집적회로 부분의 레지스트 패턴까지도 높은 해상도로 얻을 수 있는, 하나의 기판 위에 집적회로와 액정 디스플레이 부분이 형성되는 LCD 의 제조용으로서 바람직한 레지스트 재료 및 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 실시한 결과, 본 발명자들은 특정 알칼리 용해성을 갖는 노볼락 수지로 이루어지는 알칼리 가용성 수지와, 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물과, 가교성 폴리비닐에테르를 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물이 저 NA 조건에서의 노광 프로세스에 적합한 레지스트 재료인 것을 알아내고 본 발명을 이루게 되었다.
즉, 본 발명의 제 1 태양은 다음의 성분 (A) ~ (C) :
(A) 23 ℃ 의 2.38 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 알칼리 용해성이 100 ~ 400 ㎚/초의 범위인 노볼락 수지로 이루어지는 알칼리 가용성 수 지,
(B) 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물,
(C) 가교성 폴리비닐에테르 화합물,
을 함유하는 것을 특징으로 하는 LCD 제조용의 포지티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
나아가 본 발명의 제 2 태양은, (1) 상기 제 1 태양의 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 위에 도포하여 도막을 형성하는 공정,
(2) 상기 도막이 형성된 기판을 가열처리 (프리 베이크: pre-bake) 하고, 기판 위에 레지스트 피막을 형성하는 공정,
(3) 상기 레지스트 피막에 대해 2.0 ㎛ 이하의 레지스트 패턴 형성용 마스크 패턴과, 2.0 ㎛ 를 초과하는 레지스트 패턴 형성용 마스크 패턴의 양쪽이 그려진 마스크를 사용하여 선택적으로 노광하는 공정,
(4) 상기 선택적 노광 후의 레지스트 피막에 대해 가열처리 (노광후 베이크) 를 실시하는 공정,
(5) 상기 가열처리 후의 레지스트 피막에 대해 알칼리 수용액을 사용하여 현상처리하고, 상기 기판 위에 패턴 치수 2.0 ㎛ 이하의 집적회로용 레지스트 패턴과, 2.0 ㎛ 를 초과하는 액정 디스플레이 부분용 레지스트 패턴을 동시에 형성하는 공정,
(6) 상기 레지스트 패턴 표면에 남은 현상액을 세정하는 린스 공정, 을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
발명의 실시형태
<(A) 성분>
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분으로는 23 ℃ 의 2.38 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 (이하 TMAH 라고 함) 수용액에 대한 알칼리 용해성이 100 ~ 400 ㎚ /초, 바람직하게는 100 초과 ~ 400 ㎚/초, 보다 바람직하게는 150 ~ 400 ㎚/초의 범위인 노볼락 수지로 이루어지는 알칼리 가용성 수지를 사용한다. 알칼리 가용성이 100 ~ 400 ㎚/초의 범위 내에 있으면 감도가 높고 노광부에서의 잔사가 적으며, 콘트라스트가 우수하고, 저 NA 조건에서의 고해상과 레지스트 프로파일의 수직성이 우수하므로 바람직하다.
또한 본 명세서에서 알칼리 용해성은 알칼리 가용성 수지로 이루어지는 층을 소정의 막두께 (0.5 ~ 2.0 ㎛ 정도) 로 기판 위에 형성하고, 이것을 2.38 질량% TMAH 수용액 (약 23 ℃) 에 침지시키고, 이 막두께가 0 이 되는 데 소요되는 시간을 구하여, 하기 식
알칼리 용해성 = 막두께 / 막두께가 0 이 되는 데 소요되는 시간
에 의해 산출되는 값이다. 알칼리 가용성 수지로 이루어지는 층은, 예컨대 수지를 PGMEA 에 용해시켜 20 질량% 농도의 용액으로 하고, 3 인치 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코트하여 110 ℃ 로 설정된 핫 플레이트 위에서 90 초간 가열처리함으로써 형성할 수 있다.
(A) 성분으로는 상기 정의한 알칼리 가용성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대 종래 포지티브형 포토레지스트 조성물에서 피막 형성용 물질로 서 관용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 특히 페놀, 크레졸, 크실레놀, 트리메틸페놀, 카테콜, 레조르시놀, 히드로퀴논 등의 적어도 1 종의 방향족 히드록시 화합물과, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 프로피온알데히드, 살리실알데히드 등의 적어도 1 종의 알데히드류를 산성 촉매의 존재 하에서 축합시킨 것 등은, 저 NA 조건에서 고감도이고 리니어리티가 우수한 레지스트 재료의 조제에 적합하기 때문에 바람직하게 사용된다. 구체적으로는,
ㆍ 중량 평균 분자량 2000 ~ 3000 의 m-크레졸 100% 를 산촉매 하에서 포름알데히드류와 축합하여 얻어진 노볼락 수지,
ㆍ m-크레졸 30 ~ 80 몰%, 바람직하게는 40 ~ 70 몰% 와 o-크레졸 70 ~ 20 몰%, 바람직하게는 60 ~ 30 몰% 의 혼합 크레졸을 산촉매 하에서 포름알데히드류와 축합하여 얻어지는, 중량 평균 분자량 2000 ~ 3000 의 노볼락 수지 등을 들 수 있다.
산촉매로는, 옥살산, p-톨루엔술폰산, 아세트산 등을 들 수 있는데, 옥살산을 사용하는 것이 저렴하고 용이하게 입수할 수 있어 바람직하다.
포름알데히드류로는 포름알데히드, 포름알데히드를 물에 용해시킨 포르말린 또는 트리옥산 등을 들 수 있는데, 통상 포르말린이 사용된다.
알칼리 가용성 수지의 알칼리 용해성은 사용하는 원료 (방향족 히드록시 화합물이나 알데히드류 등) 의 종류 또는 배합비, 중량 평균 분자량 (Mw) 등에 의해 달라지므로 각 경우에 따라 적절히 확인한다. 구체적으로는 예컨대 특정 원료 조성에 의하여 얻어지는 알칼리 가용성 수지에 대해 그 Mw 와 상기 기술한 바와 같 이 하여 구해진 알칼리 용해성 (즉, 용해 속도) 과의 관계를 나타내는 그래프를 작성하고, 그 그래프를 통해 알칼리 용해성이 100 ~ 400 ㎚/초의 범위 내에 있는 Mw 의 범위를 사전에 조사해 놓음으로써, 알칼리 용해성이 100 ~ 400 ㎚/초의 범위 내인 알칼리 가용성 수지를 조제할 수 있다.
<(B) 성분>
(A) 성분과 (C) 성분이 프리 베이크 시에 열에 의해 가교되어 기판면 전체에 알칼리 불용화 레지스트층을 형성한다. (B) 성분은 노광부에서 노광에 의해 산을 발생시키고, 이 산에 의해 상기 가교를 분해하여 상기 불용화된 레지스트층을 알칼리 가용으로 변화시키는 기능을 갖는 것이면 된다.
그러한 기능을 갖는 방사선을 조사함으로써 산을 발생시키는 화합물이란, 화학증폭형 레지스트에 사용되는 이른바 산발생제로, 지금까지 다수의 것이 제안되어 있으며, 이 중에서 임의로 선택하여 사용하면 된다.
LCD 제조에서는 g 선, h 선, i 선이 공존하는 자외선이 사용되므로, 이 중에서 이러한 자외선의 조사를 받고, 산발생 효율이 높은 화합물이 바람직하다. 또 해상도를 향상시키기 위해서는 파장이 짧은 i 선이 바람직하게 사용되고, 또한 시스템 LCD 의 제조에서는 주로 i 선이 사용되므로, 특히 i 선 노광에 대한 산발생 효율이 높은 화합물이 바람직하다. 본 명세서에서 시스템 LCD 란 상기 기술한 바와 같이 하나의 기판 위에 집적회로와 액정 디스플레이 부분이 형성된 LCD 를 의미한다.
(B) 성분으로는 예컨대 하기 식으로 표시되는 것과 같은 화합물이 i 선 노광 에 대한 산발생 효율이 높은 점에서 바람직하게 사용된다:
Figure 112003038706382-pat00001
(II)
Figure 112003038706382-pat00002
(III)
(식중, m 은 0 또는 1 ; X 는 1 또는 2 ; R1 은 1 또는 그 이상의 C1 ~ C12 알킬기가 치환되어 있을 수도 있는 페닐기, 헤테로아릴기 등, 또는 m 이 0 인 경우에는 추가로 C2 ~ C6 알콕시카르보닐기, 페녹시카르보닐기, CN 등 ; R1 ' 는 C2 ~ C12 알킬렌기 등 ; R2 는 R1 과 동일 의미 등 ; R3 은 C1 ~ C18 알킬기 등 ; R3 ' 는 X=1 일 때 R3 과 동일 의미 등, X=2 일 때 C2 ~ C12 알킬렌기, 페닐렌기 등 ; R4, R5 는 독립적으로 수소원자, 할로겐, C1 ~ C6 알킬기 등 ; A 는 S, O, NR6 등 ; R6 은 수소원자, 페닐기 등을 나타낸다) (USP 6004724 참조). 구체적으로는 예컨대 하기 식으로 표시되는 티올렌 함유 옥심술포네이트 등을 들 수 있다:
Figure 112003038706382-pat00003
또한 하기 식 (Ⅳ)
Figure 112003038706382-pat00004
(IV)
(식중, R6, R7 은 각각 탄소수 1 ~ 3 의 알킬기를 나타낸다) 로 표시되는 비스(트리클로로메틸)트리아진 화합물, 또는 이 화합물 (Ⅳ) 와 하기 식 (Ⅴ)
Figure 112003038706382-pat00005
(V)
(식중, Z 는 4-알콕시페닐기 등을 나타낸다) 로 표시되는 비스(트리클로로메틸)트리아진 화합물을 조합한 것 (일본 공개특허 공보 평6-289614호, 및 일본 공개특허공보 평7-134412호를 참조할 것).
트리아진 화합물 (Ⅳ) 로는 구체적으로 예컨대 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테 닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-메톡시-4-에톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-메톡시-4-프로폭시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-에톡시-4-메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-4-디에톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-에톡시-4-프로폭시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-프로폭시-4-메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-프로폭시-4-에톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,4-디프로폭시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다. 이들 트리아진 화합물은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
한편 상기 트리아진 화합물 (Ⅳ) 와 원하는 바에 따라 조합하여 사용되는 상기 트리아진 화합물 (V) 로는, 예컨대 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-에톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-프로폭시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-에톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-프로폭시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-부톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시-6-카르복시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시-6-히드록시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5- 트리아진, 2-[2-(2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(5-메틸-2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(5-에틸-2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(5-프로필-2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,5-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-메톡시-5-에톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-메톡시-5-프로폭시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-에톡시-5-메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,5-디에톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-에톡시-5-프로폭시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-프로폭시-5-메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3-프로폭시-5-에톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,5-디프로폭시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4-메틸렌디옥시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,4-메틸렌디옥시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다. 이들 트리아진 화합물은 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
또한 하기 식 (Ⅵ)
Figure 112003038706382-pat00006
(VI)
(식중, Ar 은 치환 또는 미치환의 페닐기, 나프틸기 ; R 은 C1 ~ C9 의 알킬기 ; n 은 2 또는 3 의 정수를 나타낸다) 로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이들 식 (Ⅵ) 으로 나타내어지는 화합물은 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 특히 하기 식 (Ⅶ) 로 표시되는 화합물은 i 선에 대한 산발생 효율이 우수하기 때문에 바람직하게 사용된다.
Figure 112003038706382-pat00007
(VII)
(B) 성분의 배합량은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 1 ~ 30 질량부, 특히 1 ~ 20 질량부가 바람직하다.
<(C) 성분>
(C) 성분의 가교성 폴리비닐에테르 화합물은 (A) 성분과 함께 프리 베이크 시의 가열에 의해 가교하여 기판면 전체에 알칼리 불용화 레지스트층을 형성한다. 그리고 (B) 성분에서 발생된 산의 작용에 의해 이 가교가 분해되고, 노광부는 알칼리 가용성으로 변화되고, 미노광부는 알칼리 불용인 상태에서 변화되지 않다. 따라서 (A) 성분과 함께 프리 베이크 시의 가열에 의해 가교되어 기판면 전체에 알칼리 불용화 레지스트층을 형성하는 기능을 갖는 (C) 성분이면 그 종류에 특별한 제한은 없다.
이러한 폴리비닐에테르 화합물은 일본 공개특허공보 평6-148889호, 일본 공 개특허공보 평6-230574호에 다수 열거되어 있고, 이 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 특히 열 가교성과 산에 의한 분해성에 기인하는 레지스트 프로파일 형상, 및 저 NA 조건의 노광 프로세스에서의 노광부와 미노광부의 콘트라스트 특성이 양호하며 해상도가 우수한 것을 고려하면 다음 일반식 (Ⅰ) :
R-(OH)n (Ⅰ)
[식중 R 은 산소원자를 함유할 수 있는 직쇄기, 분기기 또는 환기를 함유하는 알칸으로부터 n 개의 수소원자를 제외한 기이고, n 은 2, 3 또는 4 의 정수를 나타낸다]
로 표시되는 알코올 수산기의 일부 또는 전부를 비닐기로 에테르화한 화합물이 바람직하다. 이러한 화합물로서, 구체적으로는 에틸렌글리콜디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜디비닐에테르, 1,3-부탄디올디비닐에테르, 테트라메틸렌글리콜디비닐에테르, 네오펜틸글리콜디비닐에테르, 트리메틸올프로판트리비닐에테르, 트리메틸올에탄트리비닐에테르, 헥산디올디비닐에테르, 1,4-시클로헥산디올디비닐에테르, 테트라에틸렌글리콜디비닐에테르, 펜타에리스리톨디비닐에테르, 펜타에리스리톨트리비닐에테르, 시클로헥산디메탄올디비닐에테르 등을 들 수 있다. 이 중에서는 가교성 디비닐에테르 화합물이 보다 바람직하고, 시클로헥산디메탄올디비닐에테르가 특히 바람직하다.
(C) 성분의 배합량은 (A) 성분 100 질량부에 대해 0.1 ~ 50 질량부, 특히 5 ~ 25 질량부가 바람직하다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물에는 추가로 노광부로부터의 산의 과잉 확산 방지 및 레지스트 패턴의 시간 경과에 대한 안정성 관점에서 아민류 ((D) 성분) 를 배합하는 것이 바람직하다.
(D) 성분으로는 예컨대 프리 베이크 시의 가열에 의해 레지스트 막 중에서 휘산되기 어려운 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리부탄올아민, 트리이소프로판올아민 등의 제 2 급 또는 제 3 급 알칸올아민이나 디에틸아민, 트리에틸아민, 디부틸아민, 트리부틸아민 등의 제 2 급 또는 제 3 급 알킬아민을 들 수 있다.
(D) 성분의 배합량은 (A) 성분 100 질량부에 대해 0.01 ~ 5 질량부가 바람직하고 0.1 ~ 1 질량부가 특히 바람직하다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물에는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 필요에 따라 상용성이 있는 첨가물, 예컨대 레지스트 막의 성능 등을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 안정제, 계면활성제, 현상된 이미지를 더욱 더 가시적으로 하기 위한 착색료, 증감 효과를 보다 향상시키기 위한 증감제 또는 헐레이션 (halation) 방지용 염료, 밀착성 향상제 등의 관용적인 첨가물을 함유시킬 수 있다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 바람직하게는 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 필요에 따라서 그밖의 성분을 유기 용제에 용해시켜 조제할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 유기 용제로는 예컨대 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소부틸메틸케톤, 이소아밀메틸케톤, 1,1,1-트리메틸아세톤 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 모노아세테이트 또는 디에틸렌글리콜 모노아세테이트의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노이소프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르 등의 다가 알코올류 및 그 유도체 ; 디옥산과 같은 환식 에테르류 ; 및 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류를 들 수 있다. 이것들은 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 레지스트 패턴 형성방법은 이러한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 사용하는 것으로, 아래에서 LCD 의 제조에 있어서의 레지스트 패턴의 바람직한 형성방법의 일례를 든다.
먼저, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분 그리고 필요에 따라서 첨가되는 각종 성분을 용제에 용해시키고, 이것을 스피너 등으로 기판에 도포하여 도막을 형성한다. 기판으로는 유리 기판이 바람직하다. 이 유리 기판으로는 500 ㎜ ×600 ㎜ 이상, 특히 550 ㎜ ×650 ㎜ 이상의 대형 기판을 사용할 수 있다.
이어서 이 도막이 형성된 유리 기판을 예컨대 100 ~ 140 ℃ 에서 가열처리 (프리 베이크) 하여 잔존 용매를 제거하고 레지스트 피막을 형성한다. 프리 베이크 방법으로는 핫 플레이트와 기판 사이에 틈새를 갖게 하는 프록시미티 베이크를 실시하는 것이 바람직하다.
이어서 상기 레지스트 피막에 대해, 집적회로용 마스크 패턴과 액정 디스플레이 부분용 마스크 패턴의 양쪽이 그려진 마스크를 사용하여 선택적 노광을 실시 한다.
여기에서 사용되는 광원으로는, 미세한 패턴을 형성하기 위해 i 선 (365 ㎚) 을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 이 노광에 의해 채용되는 노광 프로세스는 NA 가 바람직하게는 0.3 이하, 보다 바람직하게는 0.2 이하, 다욱 바람직하게는 0.15 이하의 저 NA 조건인 노광 프로세스가 바람직하다.
이어서 선택적 노광 후의 레지스트 피막에 대해 가열처리 (노광후 베이크 : PEB) 를 실시한다. PEB 방법으로는 핫 플레이트와 기판 사이에 틈새를 갖게 하는 프록시미티 베이크를 실시하는 것이 바람직하다.
상기 PEB 후의 레지스트 피막에 대해 현상액, 예컨대 1 ~ 10 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액과 같은 알칼리 수용액을 사용하여 현상처리하면, 노광 부분이 용해 제거되어, 기판 위에 집적회로용 레지스트 패턴과 액정 디스플레이 부분용 레지스트 패턴이 동시에 형성된다.
이어서, 레지스트 패턴 표면에 남은 현상액을 순수 등의 린스액으로 세정함으로써 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
상기 선택적 노광을 실시하는 공정에서 상기 마스크로서 2.0 ㎛ 이하의 레지스트 패턴 형성용 마스크 패턴과, 2.0 ㎛ 를 초과하는 레지스트 패턴 형성용 마스크 패턴의 양쪽이 그려진 마스크를 사용함으로써, 상기 레지스트 패턴을 동시에 형성하는 공정에서 상기 기판 위에 패턴 치수 2.0 ㎛ 이하의 집적회로용 레지스트 패턴과, 2.0 ㎛ 를 초과하는 액정 디스플레이 부분용 레지스트 패턴을 동시에 형성할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 저 NA 조건 하에서의 노광 프로세스에 적합하다. 또한 i 선 노광 프로세스에도 적합하다. 따라서 LCD 의 제조에서 적어도 디스플레이 부분의 레지스트 패턴을 높은 해상도로 얻을 수 있다.
나아가 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 저 NA 조건 하에서의 리니어리티도 우수하기 때문에 하나의 기판 위에 러프한 패턴과 미세한 패턴을 동일한 노광 조건에서 형성할 수 있다. 따라서 저 NA 조건 하에서도 시스템 LCD 의 디스플레이 부분과, 그보다 미세한 집적회로 부분의 레지스트 패턴까지도 고해상도로 얻을 수 있어 시스템 LCD 의 제조용으로서 적합하다.
또한 저 NA 조건 하에서의 해상도가 우수한 상기 포지티브형 포토레지스트 조성물을 사용하는 본 발명의 레지스트 패턴의 형성방법에 의하면, LCD 제조에서의 스루풋이 향상된다.
게다가, 본 발명의 레지스트 패턴의 형성방법에 의하면, LCD 의 제조에 적합한 저 NA 조건의 노광 프로세스에서도 고해상도의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 특히 기판 위에 예컨대 패턴 치수 2.0 ㎛ 이하의 집적회로용 레지스트 패턴과, 예컨대 2.0 ㎛ 를 초과하는 액정 디스플레이 부분용 레지스트 패턴을 동시에 형성할 수 있기 때문에 시스템 LCD 의 제조에 바람직하게 사용된다.
(실시예)
다음으로 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 이 때 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.
실시예 1
(A) 성분으로서 m-크레졸 1 몰에 대해 포름알데히드 0.8 몰을 사용하여 상법에 의해 합성한, 중량 평균 분자량 (Mw) = 2600, Mw/수 평균 분자량 (Mn) = 2.09, 알칼리 용해성 = 330 ㎚/초의 노볼락 수지 (수지 1) 를 사용하였다. 또한 (A) 성분의 알칼리 용해성은 상기 기술한 바와 같이 알칼리 가용성 수지의 층을 소정 막두께로 기판 위에 형성하고, 이것을 2.38 중량% TMAH 수용액 (23 ℃) 에 침지시키고, 이 막두께가 0 이 되는 데 필요한 시간을 측정하여 구하였다.
(B) 성분으로서 상기 식 (Ⅶ) 의 화합물을 사용하였다.
(C) 성분으로서 하기 구조식의 화합물을 사용하였다:
Figure 112003038706382-pat00008
.
(D) 성분으로서 트리에탄올아민을 사용하였다.
(A) 성분 100 질량부, (B) 성분 5 질량부, (C) 성분 15 질량부, (D) 성분 0.25 질량부, 및 (A) ~ (D) 성분의 합계 질량에 대해 450 ppm 에 상당하는 양의 계면활성제 (제품명「R-08」: 다이닛뽄 잉크화학공업(주) 제조) 를, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트에 용해시켜 고형분 [(A) ~ (C) 성분의 합계] 농도가 25 질량% 가 되도록 조정하였다. 이것을 구멍 직경 0.2 ㎛ 의 멤브레인 필터를 사용하여 여과시켜 포지티브형 포토레지스트 조성물을 조제하였다.
실시예 2 ~ 5, 비교예 1, 2
(A) 성분으로서 수지 1 대신에 표 1 에 기재된 수지 2 ~ 7 을 사용한 것 이 외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 포지티브형 포토레지스트 조성물을 조제하였다.
(A) 성분
실시예 1 수지 1
실시예 2 수지 2
실시예 3 수지 3
실시예 4 수지 4
실시예 5 수지 5
비교예 1 수지 6
비교예 2 수지 7
표 1 에서 수지 1 ~ 7 은 아래와 같았다.
수지 1 : 상기 기술한 것과 동일.
수지 2 : m-크레졸/o-크레졸 = 6:4 (몰비) 의 혼합물 1 몰에 대해 포름알데히드 0.8 몰을 사용하여 상법에 의해 합성한 Mw = 2500, Mw/Mn = 4.32, 알칼리 용해성 = 310 ㎚/초의 노볼락 수지.
수지 3 : 페놀 1 몰에 대해 포름알데히드 0.8 몰을 사용하여 상법에 의해 합성한 Mw = 2090, Mw/Mn = 4.32, 알칼리 용해성 = 330 ㎚/초의 노볼락 수지.
수지 4 : 레조르시놀/m-크레졸/3,4-크실레놀 = 15:77:8 (몰비) 의 혼합물 1 몰에 대해 포름알데히드 0.8 몰을 사용하여 상법에 의해 합성한 Mw = 2500, Mw/Mn = 4.2, 알칼리 용해성 = 300 ㎚/초의 노볼락 수지.
수지 5 : m-크레졸/3,4-크실레놀 = 9:10 (몰비) 의 혼합물 1 몰에 대해 살리실알데히드 0.2 몰, 포름알데히드 0.6 몰을 사용하여 상법에 의해 합성한 Mw = 2500, Mw/Mn = 4.2, 알칼리 용해성 = 300 ㎚/초의 노볼락 수지.
수지 6 : m-크레졸/o-크레졸/2,3,5-트리메틸페놀 = 40:35:25 (몰비) 의 혼합물 1 몰에 대해 포름알데히드 0.8 몰을 사용하여 상법에 의해 합성한 Mw = 2450, Mw/Mn = 4.40, 알칼리 용해성 = 80 ㎚/초의 노볼락 수지.
수지 7 : m-크레졸 1 몰에 대해 포름알데히드 0.5 몰을 사용하여 상법에 의해 합성한 Mw = 1000, Mw/Mn = 1.5, 알칼리 용해성 = 1000 ㎚/초의 노볼락 수지.
비교예 3
실시예 1 에서 (A) ~ (C) 성분 대신에 하기의 것을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 포지티브형 포토레지스트 조성물을 조제하였다.
(A) 성분 : 상기 수지 1 100 질량부,
(X) 성분 : 하기 구조식의 화합물 1 몰에 대하여 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드 2 몰을 반응시켜 얻어진 에스테르화 생성물 27 질량부:
Figure 112003038706382-pat00009
,
(Y) 성분 : 하기 구조식의 화합물 15 질량부:
Figure 112003038706382-pat00010
.
시험예 1
실시예 1 ~ 5 및 비교예 1 ~ 3 에서 얻어진 포지티브형 포토레지스트 조성물 에 대해 하기의 여러 물성 (1) ~ (5) 에 대해 평가하였다.
(1) 리니어리티 평가 :
포지티브형 포토레지스트 조성물을 대형 각(角) 기판용 레지스트 도포장치 (장치명 : TR36000 ; 도쿄 오우카 공업(주) 제조) 를 사용하여 Cr 막이 형성된 유리 기판 (550 ㎜ ×650 ㎜) 위에 도포한 후, 핫 플레이트의 온도를 130 ℃ 로 하고, 약 1 ㎜ 의 간격을 둔 근접 (proximity) 베이크에 의해 60 초 동안의 1 회째의 건조를 실시하고, 이어서 핫 플레이트의 온도를 140 ℃ 로 하고, 0.5 ㎜ 의 간격을 둔 근접 베이크에 의해 60 초 동안의 2회째의 건조를 실시하여 막두께 1.5 ㎛ 의 레지스트 피막을 형성하였다.
이어서 3.0 ㎛ 라인 앤드 스페이스 (L&S) 및 1.5 ㎛ L&S 의 레지스트 패턴을 재현하기 위한 마스크 패턴이 동시에 그려진 테스트 챠트 마스크 (레티클) 를 통해 i 선 노광장치 (장치명 : FX-702J, 니콘사 제조; NA = 0.14) 를 사용하여 3.0 ㎛ L&S 를 충실하게 재현할 수 있는 노광량 (Eop 노광량) 에 의해 선택적으로 노광하였다.
이어서, 핫 플레이트의 온도를 140 ℃ 로 하고, 0.5 ㎜ 간격을 둔 근접 베이크에 의해 600 초 동안의 가열처리를 실시하였다.
이어서, 23 ℃, 2.38 질량% TMAH 수용액을, 슬롯 코터 노즐을 갖는 현상장치 (장치명 : TD-39000 데모기, 도쿄 오우카 공업(주) 제조) 를 사용하여, 도 1 에 나타낸 바와 같이 기판 단부 X 에서 Y 를 거치고 Z 에 걸쳐 10 초 동안 기판 위에 액을 모아 얹고 55 초 동안 유지한 후, 30 초 동안 물로 세정하고 스핀 건조시켰다.
그 후 얻어진 레지스트 패턴의 단면 형상을 SEM (주사형 전자현미경) 사진으로 관찰하여 1.5 ㎛ L&S 의 레지스트 패턴의 재현성을 평가하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.
(2) 감도평가 :
감도평가의 지표로서 상기 Eop 노광량을 사용하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.
(3) 해상성 평가 :
상기 Eop 노광량에서의 한계 해상도를 구하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.
(4) DOF 특성평가 :
상기 Eop 노광량에서, 초점을 적절히 위아래로 어긋나게 하여 1.5 ㎛ L&S 가 ±10% 의 치수 변화율 범위 내에서 얻어진 초점 심도 (DOF) 의 폭을 ㎛ 단위로 구하였다. 그 결과를 표 2 에 나타내었다.
(5) 스컴 (scum) 평가 :
상기 Eop 노광량에서, 1.5 ㎛ L&S 가 그려진 기판 표면을 SEM 으로 관찰하여 스컴의 유무를 조사하였다. 그 결과를 표 2 에 나타내었다.
리니어리티 평가 (㎛) 감도 평가 (mJ) 해상성 평가 (㎛) DOF 평가 (㎛) 스컴 평가
실시예 1 1.4 30 0.9 30 무
실시예 2 1.6 80 1.1 30 무
실시예 3 1.4 40 1.3 10 무
실시예 4 1.4 80 1.1 30 무
실시예 5 1.4 70 1.1 30 무
비교예 1 1.6 120 1.5 10 유
비교예 2 - 30 3 0 무
비교예 3 - 150 2 0 유
본 발명에 관련되는 실시예 1 ~ 5 의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 저 NA 조건 (NA = 0.14) 에서의 해상도가 양호하였다. 또한 해상도를 포함하여 모든 평가 항목에서 균형이 양호하게 잡혀 있었다.
이에 대해 비교예 1 의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 감도가 나쁘고 스컴도 남아 있었다. 또한 비교예 2, 3 의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 분리 패턴을 그릴 수 없어 리니어리티를 평가할 수 없었다. 또한 해상성이나 DOF 등의 특성도 좋지 않았다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 저 NA 조건 하에서도 적어도 디스플레이 부분의 레지스트 패턴을 종래의 LCD 제조용의 레지스트 재료보다도 높은 해상도로 얻을 수 있다. 또한 LCD 제조에서의 스루풋도 향상된다.
또한 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 저 NA 조건 하에서의 리니어리티도 우수한 점에서 하나의 기판 위에 집적회로와 액정 디스플레이 부분이 형성되는 시스템 LCD 의, 디스플레이 부분과 그보다 미세한 집적회로 부분의 레지스트 패턴까지도 높은 해상도로 얻을 수 있어 시스템 LCD 의 제조용으로서 적합하다.
또한 상기 기술한 바와 같은 포지티브형 포토레지스트 조성물을 사용하는 본 발명의 레지스트 패턴의 형성방법에 의하면, LCD 의 제조에 적합한 저 NA 조건의 노광 프로세스에서도 고해상도의 레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 특히 시스템 LCD 의 제조에 바람직하게 사용된다.

Claims (13)

  1. 다음의 성분 (A) ~ (C) :
    (A) 23 ℃ 의 2.38 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 알칼리 용해성이 100 ~ 400 ㎚/초의 범위인 노볼락 수지로 이루어지는 알칼리 가용성 수지,
    (B) 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물,
    (C) 가교성 폴리비닐에테르 화합물,
    을 함유하는 것을 특징으로 하는 LCD 제조용의 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, (B) 성분이, i 선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, (B) 성분이, 하기 식 :
    Figure 112003038706382-pat00011
    으로 표시되는 화합물인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, (C) 성분이 다음의 일반식 (Ⅰ) :
    R-(OH)n (Ⅰ)
    [식중 R 은 산소원자를 함유할 수 있는 직쇄기, 분기기 또는 환기를 함유하는 알칸으로부터 n 개의 수소원자를 제외한 기이고, n 은 2, 3 또는 4 의 정수를 나타낸다]
    로 표시되는 알코올의 수산기의 일부 또는 전부를 비닐기로 에테르화한 화합물인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, (C) 성분이 하기 식 :
    Figure 112003038706382-pat00012
    으로 표시되는 화합물인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 추가로 (D) 성분으로서 아민류를 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서, (D) 성분이 트리에탄올아민인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, i 선 노광 프로세스용인 포 지티브형 포토레지스트 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, NA 가 0.3 이하인 노광 프로세스용인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나의 기판 위에 집적회로와 액정 디스플레이 부분이 형성된 LCD 제조용인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  11. (1) 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 위에 도포하고, 도막을 형성하는 공정,
    (2) 상기 도막이 형성된 기판을 프리 베이크하고, 기판 위에 레지스트 피막을 형성하는 공정,
    (3) 상기 레지스트 피막에 대해 2.0 ㎛ 이하의 레지스트 패턴 형성용 마스크 패턴과, 2.0 ㎛ 를 초과하는 레지스트 패턴 형성용 마스크 패턴의 양쪽이 그려진 마스크를 사용하여 선택적으로 노광하는 공정,
    (4) 상기 선택적 노광 후의 레지스트 피막에 대해 노광후 베이크를 실시하는 공정,
    (5) 상기 가열처리 후의 레지스트 피막에 대해 알칼리 수용액을 사용하여 현상처리하고, 상기 기판 위에 패턴 치수 2.0 ㎛ 이하의 집적회로용 레지스트 패턴과, 2.0 ㎛ 을 초과하는 액정 디스플레이 부분용 레지스트 패턴을 동시에 형성하는 공정,
    (6) 상기 레지스트 패턴 표면에 남은 현상액을 세정하는 린스 공정,
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.
  12. 제 11 항에 있어서, (3) 선택적 노광을 실시하는 공정이, i 선을 광원으로 사용한 노광 프로세스에 의해 이루어지는 레지스트 패턴의 형성방법.
  13. 제 11 항에 있어서, (3) 선택적 노광을 실시하는 공정이, NA 가 0.3 이하인 저 NA 조건 하에서의 노광 프로세스에 의해 이루어지는 레지스트 패턴의 형성방법.
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