KR100601824B1 - 반도체 물리량 센서 장치 - Google Patents

반도체 물리량 센서 장치 Download PDF

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카쯔유키 우에마쯔
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Abstract

본 발명은 반도체 물리량 센서 장치에 있어서, CMOS 제조 프로세스에 의해 저렴하게 제조할 수 있고, 또한 적은 단자 수로 전기적으로 트리밍하는 것을 목적으로 하는 것으로, 센서 소자인 휘트스톤 브리지(wheatstone bridge) 회로(15)와, 임시 트리밍 데이터를 기억하는 보조 메모리 회로(12)와, 확정된 트리밍 데이터를 기억하는 주 메모리 회로(13)와, 보조 메모리 회로(12) 또는 주 메모리 회로(13)에 기억된 트리밍 데이터에 근거하여 센서 소자의 출력 특성을 조정하는 조정 회로(14)를 구비하며, 이들 소자 및 회로를, CMOS 제조 프로세스에 의해 제조되는 능동 소자 및 수동 소자만으로 구성하고, 또한 동일 반도체 칩 상에 7개 내지 8개의 단자(21∼28)와 함께 형성한다.

Description

반도체 물리량 센서 장치{SEMICONDUCTOR PHYSICAL QUANTITY SENSING DEVICE}
도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따른 반도체 물리량 센서 장치 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 2는 본 발명을 적용하여 반도체 칩 상에 형성한 반도체 압력 센서 장치의 전체 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 구성의 반도체 압력 센서 장치에 있어서의 시프트 레지스터의 구성의 일례를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시하는 구성의 반도체 압력 센서 장치의 동작 모드를 설명하기 위한 도표이다.
도 5는 도 2에 도시하는 구성의 반도체 압력 센서 장치의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 6은 도 2에 도시하는 구성의 반도체 압력 센서 장치의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 7은 도 2에 도시하는 구성의 반도체 압력 센서 장치의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 8은 도 2에 도시하는 반도체 압력 센서 장치의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍 차트이다.
* 도면의 주요부분에 대한 설명 *
1 : 반도체 물리량 센서 장치 11 : 동작 선택 회로
12 : 보조 메모리 회로 13 : 주 메모리 회로
14 : 조정 회로 15 : 휘트스톤 브리지 회로(센서 소자)
16 : 증폭 회로 21, 22, 24∼27 : 단자
23 : 데이터 입력 단자 28 :출력 단자
31 : 입출력 전환 회로 37 : 감도 조정 회로
38 : 온도특성 조정회로 39 : 오프셋 조정회로
본 발명은, 자동차용, 의료용 또는 산업용 등의 각종 장치 등에 사용하는 압력센서나 가속도 센서 등의 반도체 물리량 센서 장치에 관한 것으로, 특히 EPROM을 사용한 전기적 트리밍에 의해 감도 조정이나 온도 특성 조정이나 오프셋 조정을 수행하는 구성의 반도체 물리량 센서 장치에 관한 것이다.
물리량 센서의 출력 특성을 조정하는 방법으로서, 종래의 레이저 트리밍 방법에는, 트리밍 후의 어셈블리 공정에서 출력 특성에 변동이 생겨도 재조정할 수 없는 결점이 있기 때문에, 최근에는 어셈블리 종료 후에도 조정이 가능한 전기적 트리밍 방법이 이용되고 있다. 그러나, 전기적 트리밍에서는, 트리밍 데이터의 입출력이나, EPROM에 대한 데이터 기록 등을 위해 다수개의 제어 단자를 필요로 하기 때문에, 와이어 본딩 수가 늘어나는 등의 원인에 의해 제조 비용이 증대한다고 하는 문제점이 있다. 따라서, 저항 분압과 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 단자의 동작 임계 전압을 복수개 설치함으로써, 적은 단자 수를 가지고 전기적으로 트리밍하는 제안이 이루어져 있다(예컨대, 일본 공개특허공보 평성6(1994)-29555호).
그러나, 상술한 바이폴라 트랜지스터를 이용하는 제안에서는, CMOS 프로세스에 의해 제작하는 EPROM과 바이폴라 트랜지스터가 섞여 있기 때문에, BiCMOS 제조 프로세스가 필요하게 되어, 비용 증대를 초래하는 문제점이 있다. 따라서, 이 제안에 있어서 바이폴라 트랜지스터 대신에 MOS 트랜지스터를 사용하는 것을 생각할 수 있다. 하지만, 그 경우에는 MOS 트랜지스터에 의해 설정할 수 있는 임계 전압의 상한값이 바이폴라보다 낮기 때문에, 복수개의 임계값 사이의 간격이 좁아져, 오동작을 일으키기 쉬워진다고 하는 문제가 발생한다. 이를 방지하기 위해서는, 임계 전압의 상한을 바이폴라와 동일한 정도까지 높일 필요가 있는데, 그렇게 하면 MOS 트랜지스터의 고내압화를 꾀하거나, 새롭게 보호 회로를 추가시킬 필요가 있어, 비용 증대를 초래하는 문제점이 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, CMOS 제조 프로세스에 의해 제조할 수 있고, 저렴하며, 또한 적은 단자 수로 전기적 트리밍을 수행할 수 있는 반도체 물리량 센서 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 물리량 센서 장치는, 센 서 소자와, 임시 트리밍 데이터를 기억하는 시프트 레지스터 등의 보조 메모리 회로와, 확정된 트리밍 데이터를 기억하는 EPROM 등의 주 메모리 회로와, 보조 메모리 회로 또는 주 메모리 회로에 기억된 트리밍 데이터에 근거하여 센서 소자의 출력 특성을 조정하는 조정 회로를 구비한다. 이들 소자 및 회로는 동일 반도체 칩 상에 형성되어 있고, CMOS 제조 프로세스에 의해 제조되는 능동 소자 및 수동 소자만으로 구성되어 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 물리량 센서 장치는, 출력 단자, 트리밍 데이터의 입력 단자, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한 전압을 공급하는 1개 또는 2개의 단자, 이렇게 총 7개 또는 8개의 단자를 갖는다.
본 발명에 따르면, 보조 메모리 회로에 기억된 임시 트리밍 데이터를 점차적으로 변경하면서 센서 출력을 측정함으로써, 원하는 센서 출력을 얻을 수 있는 트리밍 데이터를 확정하고, 그것을 주 메모리 회로에 기억시켜, 통상의 사용 상태에서는, 주 메모리 회로에 기억된 트리밍 데이터를 이용하여 조정 회로에 의해 센서 출력을 조정하는 구성으로 하며, 이들 센서 소자, 보조 메모리 회로, 주 메모리 회로 및 조정 회로는 CMOS 제조 프로세스에 의해 제조되는 능동 소자 및 수동 소자만으로 구성되며, 또한 7개 또는 8개의 단자와 함께 동일 반도체 칩 상에 설치된다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시의 형태에 따른 반도체 물리량 센서 장치의 구성의 일례를 도시하는 블록도이다. 이 반도체 물리량 센서 장치(1)는, 예를 들면, 동작 선택 회로(11), 보조 메모리 회로(12), 주 메모리 회로(13), 조정 회로(14), 센서 소자로 구성되는 휘트스톤 브리지 회로(15), 증폭 회로(16), 및 제 1 내지 제 8의 8개의 단자(21∼28)를 구비하고 있다.
제 1 단자(21)는, 반도체 물리량 센서 장치(1)의 접지 전위를 공급하는 단자이다. 제 2 단자(22)는, 반도체 물리량 센서 장치(1)의 동작 전압을 공급하는 단자이다. 제 3 단자(23)는, 직렬 디지털 데이터(serial data)를 입출력하는 단자이다. 제 4 단자(24)는, 외부 클럭을 입력하는 단자이다. 제 5 단자(25)는 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자이다. 제 6 단자(26)는, 제 2 단자(22)에 인가되는 동작 전압 이상의 전압을 공급하는 단자이다. 제 7 단자(27)는, 제 2 단자(22)에 인가되는 동작 전압 이상이고, 또한 제 6 단자(26)의 인가 전압과는 다른 전압을 공급하는 단자이다. 제 8 단자(28)는, 반도체 물리량 센서 장치(1)의 신호를 외부로 출력하는 단자이다.
보조 메모리 회로(12)는, 상기 외부 클럭에 의거하는 동작 타이밍으로, 외부로부터 공급된 직렬 디지털 데이터를 내부에서 사용하기 위해 병렬 디지털 데이터(parallel data)로 변환한다. 또한, 보조 메모리 회로(12)는, 내부에서 사용하고 있는 병렬 디지털 데이터를 외부로 출력하기 위해 직렬 디지털 데이터로 변환한다. 또한, 보조 메모리 회로(12)는, 동작 선택 회로(11)에 제어 데이터를 공급한다. 주 메모리 회로(13)는, 제 6 단자(26) 및 제 7 단자(27)의 인가 전압에 따라, 보조 메모리 회로(12)로부터 공급된 병렬 디지털 데이터로 이루어진 트리밍 데이터를 기억한다.
동작 선택 회로(11)는, 제 5 단자(25)에 입력된 제어 신호, 및 보조 메모리 회로(12)로부터 공급된 제어 데이터에 근거하여, 보조 메모리 회로(12) 및 주 메모리 회로(13)에 데이터의 입출력을 제어하는 신호를 공급한다. 휘트스톤 브리지 회로(15)는, 피측정 매체의 물리량에 따른 출력 신호를 발생시킨다. 증폭 회로(16)는, 휘트스톤 브리지 회로(15)의 출력 신호를 증폭시키고, 그것을 제 8 단자(28)를 통해 외부로 출력한다. 조정 회로(14)는, 보조 메모리 회로(12) 또는 주 메모리 회로(13)로부터 공급된 트리밍 데이터에 근거하여, 휘트스톤 브리지 회로(15)에 대해 온도 특성을 고려하여 감도를 조정하고, 또한 증폭 회로(16)에 대해 온도 특성을 고려해 오프셋을 조정한다.
도 2는, 본 발명을 적용하여 반도체 칩 상에 형성한 반도체 압력 센서 장치의 전체 구성의 일례를 도시하는 블록도이다. 이 반도체 압력 센서 장치(3)는, 입출력 전환 회로(31), 시프트 레지스터(32), 컨트롤 로직(33), EPROM(34), 신호 선택 회로(35), D/A 컨버터(36), 감도 조정 회로(37), 온도특성 조정회로(38), 오프셋 조정회로(39), 게이지 회로(40) 및 신호 증폭 회로(41)를 구비하고 있다. 이들 입출력 전환 회로(31), 시프트 레지스터(32), 컨트롤 로직(33), EPROM(34), 신호 선택 회로(35), D/A 컨버터(36), 감도 조정 회로(37), 온도특성 조정회로(38), 오프셋 조정회로(39), 게이지 회로(40) 및 신호 증폭 회로(41)는, 동일 반도체 칩 상에 형성되어 있으며, CMOS 제조 프로세스에 의해 제조되는 능동 소자 및 수동 소자만으로 구성되어 있다. 또한, 반도체 압력 센서 장치(3)에는, 외부로부터의 전원 공급이나 신호를 주고 받기 위해, GND 단자(51), Vcc 단자(52), DS 단자(53), CLK 단자(54), E 단자(55), CG 단자(56), EV 단자(57) 및 Vout 단자(58)가 설치되어 있다.
GND 단자(51) 및 Vcc 단자(52)는, 각각 반도체 압력 센서 장치(3)에 접지 전위 및, 특히 한정하지는 않지만, 예컨대 5V의 전원 전위를 공급하기 위한 단자이다. DS 단자(53)는, 반도체 압력 센서 장치(3)와 그 외부의 회로 사이에서의 직렬 디지털 데이터 수수(授受)에 제공된다. CLK 단자(54)는 반도체 압력 센서 장치(3)에 외부 클럭을 공급하기 위한 단자이다. E 단자(55)에는, 반도체 압력 센서 장치(3) 내의 디지털 회로의 동작 상태를 제어하기 위한 인에이블 신호가 외부로부터 공급된다. Vout 단자(58)는, 반도체 압력 센서 장치(3)의 검출 신호를 장치 외부에 출력하는 단자이다.
CG 단자(56)에는, EPROM(34)에 데이터를 기록할 때, Vcc 단자(52)에 인가되는 동작 전압보다 높은 전압, 특별히 한정하지는 않지만, 예컨대 26V가 인가된다. 또한, EPROM(34)에 데이터를 기록할 때에는, Vcc 단자(52)에 인가되는 동작 전압보다 높고, 또한 CG 단자(56)에 인가되는 전압과는 다른 전압, 특별히 한정하지는 않지만, 예컨대 13V가 EV 단자(57)에 인가된다. 한편, CG 단자(56)와 EV 단자(57)를 겸용, 즉 동일한 단자로 하고, 어느 한쪽의 인가 전압에 근거하여 다른 쪽의 인가 전압을 생성하는 구성으로 해도 무방하다.
입출력 전환 회로(31)는, DS 단자(53)를 통해서 외부로부터 공급된 직렬 디지털 데이터로 이루어진 트리밍 데이터를 시프트 레지스터(32)에 공급하는 모드와, 시프트 레지스터(32)로부터 공급된 직렬 디지털 데이터를 DS 단자(53)를 통해서 외부로 출력하는 모드를 전환한다. 시프트 레지스터(32)는, 상기 외부 클럭에 동기하여, 외부로부터 공급된 직렬 디지털 데이터를 병렬 디지털 데이터로 변환한다. 또한, 시프트 레지스터(32)는, EPROM(34)에 기억되어 있는 병렬 디지털 데이터로 이루어진 트리밍 데이터를 직렬 디지털 데이터로 변환한다.
EPROM(34)은, 시프트 레지스터(32)로부터 공급된 병렬 디지털 데이터로 이루어진 트리밍 데이터를 기억한다. 신호 선택 회로(35)는, 시프트 레지스터(32)로부터 공급된 병렬 디지털 데이터로 이루어진 트리밍 데이터와, EPROM(34)으로부터 공급된 병렬 디지털 데이터로 이루어진 트리밍 데이터의 어느 한쪽을 선택하여 D/A 컨버터(36)에 공급한다. 컨트롤 로직(33)은, E 단자(55)로부터 입력된 인에이블 신호 및 시프트 레지스터(32)로부터 공급된 제어 데이터에 근거하여, 입출력 전환 회로(31), 시프트 레지스터(32), EPROM(34) 및 신호 선택 회로(35)에, 각각의 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하여 출력한다. 여기에서, 설명의 편의상, 컨트롤 로직(33)으로부터 시프트 레지스터(32)에 공급되는 제어 신호를 시프트 레지스터 제어신호(65)라고 한다. D/A 컨버터(36)는, 병렬 디지털 데이터로 이루어진 트리밍 데이터를 아날로그 데이터로 변환한다.
게이지 회로(40)는, 예를 들어 인가 압력에 따른 출력 신호를 발생시키는 반도체 왜곡 게이지에 의해 구성되어 있다. 신호 증폭 회로(41)는, 게이지 회로(40)에 의해 발생한 신호를 증폭시켜 Vout 단자(58)를 통해서 외부로 출력한다. 감도 조정 회로(37)는, D/A 컨버터(36)의 출력에 따라 게이지 회로(40)에 대한 인가 전 류를 변경 조정(트리밍)한다. 마찬가지로, 오프셋 조정회로(39)는, D/A 컨버터(36)의 출력에 따라 신호 증폭 회로(41)의 오프셋 조정용 기준 전압을 변경 조정한다. 온도특성 조정회로(38)는, D/A 컨버터(36)의 출력에 따라, 감도 조정 회로(37) 및 오프셋 조정회로(39)의 각각의 출력에 대해 가감산을 행한다.
여기에서, 입출력 전환 회로(31), 시프트 레지스터(32), 컨트롤 로직(33), EPROM(34), 신호 선택 회로(35) 및 D/A 컨버터(36)는 디지털 회로부를 구성한다. 한편, 감도 조정 회로(37), 온도특성 조정회로(38), 오프셋 조정회로(39), 게이지 회로(40) 및 신호 증폭 회로(41)는 아날로그 회로부를 구성한다.
상술한 구성에 있어서, 시프트 레지스터(32)는 보조 메모리 회로(12)로서의 기능을 갖는다. EPROM(34)은 주 메모리 회로(13)로서의 기능을 갖는다. 입출력 전환 회로(31), 컨트롤 로직(33) 및 신호 선택 회로(35)는 동작 선택 회로(11)로서의 기능을 갖는다. D/A 컨버터(36), 감도 조정 회로(37), 온도특성 조정회로(38) 및 오프셋 조정회로(39)는, 조정 회로(14)로서의 기능을 갖는다. 게이지 회로(40)는 휘트스톤 브리지 회로(15)로서의 기능을 갖는다. 신호 증폭 회로(41)는 증폭 회로(16)로서의 기능을 갖는다. 또한, GND 단자(51), Vcc 단자(52), DS 단자(53), CLK 단자(54), E 단자(55), CG 단자(56), EV 단자(57) 및 Vout 단자(58)는, 제 1 내지 제 8 단자(21∼28)에 순서대로 대응하고 있다.
도 3은, 시프트 레지스터(32)의 구성의 일례를 모식적으로 도시하는 도면이다. 시프트 레지스터(32)의 비트 수는, 특별히 한정하지는 않지만, 예를 들어 51 비트이다. 그 중에서, 2 비트는, 컨트롤 로직(33)에 공급하는 제어 데이터(61)를 저장한다. 이 2 비트에 이어서, EPROM(34)에 공급하는 데이터(62), 신호 선택 회로(35)에 공급하는 트리밍 데이터(63), 또는 EPROM(34)로부터 공급된 데이터(64) 중 어느 하나를 저장하기 위해 48 비트가 사용된다. 나머지 1 비트는 버퍼로서 사용된다.
다음으로, 각종 제어 신호나 인가 전압과 반도체 압력 센서 장치(3)의 동작 모드와의 관계에 대해 도 4를 참조하면서 설명한다. CLK 단자(54)에 외부 클럭이 입력되고, 또한 CG 단자(56) 및 EV 단자(57)가 모두 비충전(non-charge) 상태일 때, E 단자(55)의 입력이 L 레벨, 제어 데이터(61)의 2 비트(A와 B)가 L 레벨이고, DS 단자(53)에 직렬 디지털 데이터가 입력되면, 시프트 레지스터(SR) 제어신호(65)는 L 레벨이 되며, 신호 선택 회로(35)는 EPROM(34)을 선택하고, 입출력 전환 회로(31)는 입력이 된다. 이에 따라, 외부로부터 시프트 레지스터(32)에 직렬 디지털 데이터가 입력된다(모드 No. 1).
CLK 단자(54)에 외부 클럭이 입력되고, 또한 CG 단자(56) 및 EV 단자(57)가 모두 비충전 상태일 때, E 단자(55)의 입력이 H 레벨, 제어 데이터(61)의 2 비트(A와 B)가 L 레벨이면, 시프트 레지스터 제어신호(65)는 L 레벨이 되며, 신호 선택 회로(35)는 EPROM(34)을 선택하고, 입출력 전환 회로(31)는 출력이 된다. 이에 따라, 시프트 레지스터(32)로부터 외부로 직렬 디지털 데이터가 출력된다(모드 No. 2).
E 단자(55)의 입력이 H 레벨, DS 단자(53)의 입력이 L 레벨, CLK 단자(54)의 입력이 L 레벨, 제어 데이터(61)의 제 1 비트(A) 및 제 2 비트(B)가 각각 H 레벨 및 L 레벨, CG 단자(56) 및 EV 단자(57)가 모두 비충전 상태일 때, 시프트 레지스터 제어신호(65)는 L 레벨이 되며, 신호 선택 회로(35)는 시프트 레지스터(32)를 선택하고, 입출력 전환 회로(31)는 출력이 된다. 이에 따라, 시프트 레지스터(32)에 저장된 데이터를 이용하여 트리밍이 이루어진다(모드 No. 3).
E 단자(55)의 입력이 L 레벨, DS 단자(53)의 입력이 L 레벨, CLK 단자(54)의 입력이 L 레벨, CG 단자(56) 및 EV 단자(57)가 모두 비충전 상태일 때, 시프트 레지스터 제어신호(65)는 L 레벨이 되며, 신호 선택 회로(35)는 EPROM(34)을 선택하고, 입출력 전환 회로(31)는 입력이 된다. 이에 따라, EPROM(34)에 기억된 데이터를 이용하여 트리밍하는 정상 상태가 된다(모드 No. 4).
E 단자(55)의 입력이 H 레벨, DS 단자(53)의 입력이 L 레벨, CLK 단자(54)의 입력이 L 레벨, 제어 데이터(61)의 2 비트(A 와 B)가 H 레벨, CG 단자(56) 및 EV 단자(57)가 모두 비충전 상태일 때, 시프트 레지스터 제어신호(65)는 L 레벨이 되어, 입출력 전환 회로(31)는 출력이 된다. 이에 따라, 시프트 레지스터(32)에 저장된 데이터가 EPROM(34)에 전송된다(모드 No. 5).
E 단자(55)의 입력이 H 레벨, DS 단자(53)의 입력이 L 레벨, CLK 단자(54)의 입력이 L 레벨, 제어 데이터(61)의 2 비트(A와 B)가 H 레벨, CG 단자(56) 및 EV 단자(57)에 각각 기록 전압이 인가된 상태일 때, 시프트 레지스터 제어신호(65)는 L 레벨이 되고 입출력 전환 회로(31)는 출력이 된다. 이에 따라, 시프트 레지스터(32)에 저장된 데이터가 EPROM(34)에 기록된다(모드 No. 6).
E 단자(55)의 입력이 H 레벨, DS 단자(53)의 입력이 L 레벨, CLK 단자(54)의 입력이 L 레벨, 제어 데이터(61)의 제 1 비트(A) 및 제 2 비트(B)가 각각 L 레벨 및 H 레벨, CG 단자(56) 및 EV 단자(57)가 모두 비충전 상태일 때, 시프트 레지스터 제어신호(65)는 H 레벨이 되고, 신호 선택 회로(35)는 EPROM(34)을 선택하며, 입출력 전환 회로(31)는 출력이 된다. 이에 따라, EPROM(34)에 기억된 데이터가 시프트 레지스터(32)에 전송된다(모드 No. 7).
그 다음에, 반도체 압력 센서 장치(3)에 대해 트리밍하는 순서에 대해 설명한다. 반도체 압력 센서 장치(3)는, Vcc 단자(52)로부터 동작 전원인, 예컨대 5V의 전압이 투입되면, 자동적으로 상술한 모드 No. 4의 정상 상태가 되도록 각 단자가 설정되어 있다. 트리밍을 실시하지 않은 초기 상태에서는, EPROM(34)은, 아무 것도 기억하고 있지 않은 All 「0」의 상태이며, 이 때의 신호 증폭 회로(41) 및 Vout 단자(58)는 포화 상태, 즉 전원 전위 혹은 접지 전위 중 어느 하나, 또는 그 전위에 가까운 상태가 된다.
도 5에 도시하는 타이밍 차트와 같이, CLK 단자(54)에 외부 클럭을 입력하면서, DS 단자(53)로부터 트리밍 데이터를 입력하고, 또한 E 단자(55)를 L 레벨로 함으로써, 외부로부터 시프트 레지스터(32)에 트리밍 데이터를 저장한다(모드 No. 1). 그 후, CLK 단자(54) 및 DS 단자(53)를 L 레벨로 하고, 또한 E 단자(55)를 H 레벨로 함으로써, 시프트 레지스터(32)에 저장한 트리밍 데이터를 이용하여 트리밍한다(모드 No. 3). 이 때, Vout 단자(58)로부터의 센서 출력을 측정한다. 이러한 임시 트리밍 작업을 원하는 센서 출력이 얻어질 때까지 반복해서 행한다. 다시 말해, 외부로부터 입력하는 임시 트리밍 데이터를 점차적으로 변경하면서 센서 출력을 측정하여, 원하는 센서 출력이 얻어지는 트리밍 데이터를 확정한다.
트리밍 데이터가 확정되면, 도 6에 도시하는 타이밍 차트와 같이, CLK 단자(54)에 외부 클럭을 입력하면서, DS 단자(53)로부터 이미 확정된 트리밍 데이터를 입력하며, 또한 E 단자(55)를 L 레벨로 함으로써, 외부로부터 시프트 레지스터(32)에 이미 확정된 트리밍 데이터를 저장한다(모드 No. 1). 계속해서, E 단자(55)를 H 레벨, DS 단자(53)를 L 레벨 및 CLK 단자(54)를 L 레벨로 하여, 시프트 레지스터(32)로부터 EPROM(34)에 이미 확정된 트리밍 데이터를 전송한다(모드 No. 5). 그 후, CG 단자(56) 및 EV 단자(57)에 각각 기록 전압을 인가하여, 시프트 레지스터(32)로부터 전송된 이미 확정된 트리밍 데이터를 EPROM(34)에 기록한다(모드 No. 6).
기록이 끝나면, 트리밍 작업이 종료가 되며, 그 이후로는 초기 상태(모드 No. 4)로 반도체 압력 센서 장치(3)를 사용한다. 그렇게 하면, 항상 EPROM(34)에 기억된 트리밍 데이터에 의거하여 조정된 원하는 센서 특성을 얻을 수 있다.
또한, 임시 트리밍 작업을 개시하기 전에, 도 7에 도시하는 타이밍 차트와 같이, CLK 단자(54)에 외부 클럭을 입력하면서, DS 단자(53)로부터 임시 트리밍 데이터를 입력하고, 또한 E 단자(55)를 L 레벨로 함으로써, 외부로부터 시프트 레지스터(32)에 임시 트리밍 데이터를 저장한다(모드 No. 1). 그 후, E 단자(55)를 H 레벨로 하면, 시프트 레지스터(32)에 저장된 임시 트리밍 데이터를 DS 단자(53)로부터 출력할 수 있다(모드 No. 2). 이것은, DS 단자(53)로부터 입력한 임시 트리밍 데이터를, 입출력 전환 회로(31) 및 시프트 레지스터(32)를 경유시킨 후, 그대로 DS 단자(53)로 출력시키게 되기 때문에, 시프트 레지스터(32) 및 입출력 전환 회로(31)의 동작의 불량 여부 판정을 한 셈이 된다. 즉, 도 7에 도시하는 타이밍 차트를 실행함으로써, 시프트 레지스터(32) 및 입출력 전환 회로(31)의 동작의 불량 여부 판정을 할 수 있다. 한편, 도 7에 도시하는 타이밍 차트 중에서, "무시(ignore)"라고 나타낸 비트는 트리밍의 조정과 무관한 비트로서 무시해도 된다. 후술하는 도 8에 있어서도 마찬가지이다.
또한, 도 8에 도시하는 타이밍 차트와 같이, E 단자(55)를 H 레벨, DS 단자(53)를 L 레벨, CLK 단자(54)를 L 레벨로 하면, EPROM(34)에 기억된 트리밍 데이터를 시프트 레지스터(32)에 전송할 수 있다(모드 No. 7). 전송 후, CLK 단자(54)에 외부 클럭을 입력하면서, E 단자(55)를 H 레벨로 하면, 시프트 레지스터(32)에 저장된 트리밍 데이터를 DS 단자(53)로부터 출력할 수 있다(모드 No. 2). 이에 따라, EPROM(34)에 기억된 트리밍 데이터를 DS 단자(53)로부터 출력할 수 있으므로, EPROM(34)의 동작의 불량 여부를 확인하거나, EPROM(34)의 데이터 유지 능력을 알아보거나, 트리밍 후의 센서 특성의 불량 원인을 조사할 수 있어, 반도체 압력 센서 장치(3)의 품질 보증이나 관리에 매우 유효하다.
상술한 실시의 형태에 따르면, 시프트 레지스터(32)에 기억된 임시 트리밍 데이터를 점차적으로 변경하면서 센서 출력을 측정함으로써, 원하는 센서 출력을 얻을 수 있는 트리밍 데이터를 확정하여, 그것을 EPROM(34)에 기억시키고, 통상의 사용 상태에서는, EPROM(34)에 기억된 트리밍 데이터를 이용하여 감도 조정 회로(37), 온도특성 조정회로(38) 및 오프셋 조정회로(39)에 의해 센서 출력을 조 정하는 구성으로 하며, 이들의 각 구성 요소를 CMOS 제조 프로세스에 의해 제조되는 능동 소자 및 수동 소자만으로 구성하며, 또한 7개 또는 8개의 단자와 함께 동일 반도체 칩 상에 설치했기 때문에, 저렴하고, 또한 적은 단자 수로 전기적으로 트리밍할 수 있는 반도체 물리량 센서 장치를 얻을 수 있다.
이상에서 본 발명은, 반도체 압력 센서 장치에 한정되지 않고, 온도, 습도, 속도, 가속도, 빛, 자기 또는 소리 등 여러 가지 물리량에 대한 각 센서 장치에 적용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 보조 메모리 회로에 기억된 임시 트리밍 데이터를 점차적으로 변경하면서 센서 출력을 측정함으로써, 원하는 센서 출력을 얻을 수 있는 트리밍 데이터를 확정하고, 그것을 주 메모리 회로에 기억시켜, 통상의 사용 상태에서는, 주 메모리 회로에 기억된 트리밍 데이터를 이용해 조정 회로에 의해 센서 출력을 조정하는 구성으로 하고, 이들 센서 소자, 보조 메모리 회로, 주 메모리 회로 및 조정 회로가, CMOS 제조 프로세스에 의해 제조되는 능동 소자 및 수동 소자만으로 구성되며, 또한 7개 또는 8개의 단자와 함께 동일 반도체 칩 상에 설치되는 구성이기 때문에, 저렴하고, 또한 적은 단자 수를 가지고 전기적으로 트리밍할 수 있는 반도체 물리량 센서 장치를 얻을 수 있다.

Claims (31)

  1. 검출한 물리량에 따른 전기 신호를 생성하는 센서 소자와,
    상기 센서 소자에 의해 생성된 전기 신호를 외부로 출력하는 출력 단자와,
    상기 센서 소자의 출력 특성을 조정하기 위한 트리밍 데이터가 되는 직렬 디지털 데이터를 입력하는 데이터 입력단자와,
    상기 데이터 입력단자로부터 입력된 트리밍 데이터를 일시적으로 기억하는 보조 메모리 회로와,
    상기 보조 메모리 회로에 기억된 트리밍 데이터를 전기적인 재기록 동작에 의해 기억하는 재기록 가능한 판독 전용의 주 메모리 회로와,
    상기 보조 메모리 회로에 기억된 트리밍 데이터, 또는 상기 주 메모리 회로에 기억된 트리밍 데이터에 근거하여 상기 센서 소자의 출력 특성을 조정하는 조정 회로를 구비하며,
    동일한 반도체 칩 상에 형성된, CMOS 제조 프로세스에 의해 제조되는 능동 소자 및 수동 소자만으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 메모리 회로는, 입력된 직렬 디지털 데이터를 병렬 디지털 데이터로 변환하여 장치 내부의 회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 조정 회로는, 상기 트리밍 데이터에 근거하여, 상기 센서 소자의 감도를 설정하기 위해 상기 센서 소자에 대한 인가 전류를 변경하여 조정하는 감도 조정 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 조정 회로는, 상기 감도 조정 회로의 출력에 대해 가감산을 행하는 온도특성 조정 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 조정 회로는, 상기 감도 조정 회로의 출력에 대해 가감산을 행하는 온도특성 조정 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 조정 회로는, 상기 감도 조정 회로의 출력에 대해 가감산을 행하는 온도특성 조정 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서 소자에 의해 생성된 전기 신호를 증폭시켜 외부로 출력하기 위한 증폭 회로를 더 가지며,
    상기 조정 회로는, 상기 증폭 회로의 오프셋 조정용 기준 전압을 변경하여 조정하는 오프셋 조정회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 소자에 의해 생성된 전기 신호를 증폭시켜 외부로 출력하기 위한 증폭 회로를 더 가지며,
    상기 조정 회로는, 상기 증폭 회로의 오프셋 조정용 기준 전압을 변경하여 조정하는 오프셋 조정회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 센서 소자에 의해 생성된 전기 신호를 증폭시켜 외부로 출력하기 위한 증폭 회로를 더 가지며,
    상기 조정 회로는, 상기 증폭 회로의 오프셋 조정용 기준 전압을 변경하여 조정하는 오프셋 조정회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 조정 회로는 상기 감도 조정 회로 및 상기 오프셋 조정회로의 각각의 출력에 대해 가감산을 행하는 온도특성 조정회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 조정 회로는 상기 감도 조정 회로 및 상기 오프셋 조정회로의 각각의 출력에 대해 가감산을 행하는 온도특성 조정회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 입력 단자는 상기 보조 메모리 회로에 저장된 데이터를 외부로 출력하기 위한 단자를 겸하고 있으며,
    상기 보조 메모리 회로는 저장되어 있는 데이터를 직렬 디지털 데이터로서 출력하고,
    상기 데이터 입력 단자와 상기 보조 메모리 회로 사이에, 상기 데이터 입력 단자로부터 입력된 직렬 디지털 데이터를 상기 보조 메모리 회로에 공급하거나, 상기 보조 메모리 회로로부터 출력된 직렬 디지털 데이터를 상기 데이터 입력 단자에 공급하도록 전환하는 입출력 전환 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  13. 제 2 항에 있어서,
    상기 데이터 입력 단자는 상기 보조 메모리 회로에 저장된 데이터를 외부로 출력하기 위한 단자를 겸하고 있으며,
    상기 보조 메모리 회로는 저장되어 있는 데이터를 직렬 디지털 데이터로서 출력하고,
    상기 데이터 입력 단자와 상기 보조 메모리 회로 사이에, 상기 데이터 입력 단자로부터 입력된 직렬 디지털 데이터를 상기 보조 메모리 회로에 공급하거나, 상기 보조 메모리 회로로부터 출력된 직렬 디지털 데이터를 상기 데이터 입력 단자에 공급하도록 전환하는 입출력 전환 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  14. 제 3 항에 있어서,
    상기 데이터 입력 단자는 상기 보조 메모리 회로에 저장된 데이터를 외부로 출력하기 위한 단자를 겸하고 있으며,
    상기 보조 메모리 회로는 저장되어 있는 데이터를 직렬 디지털 데이터로서 출력하고,
    상기 데이터 입력 단자와 상기 보조 메모리 회로 사이에, 상기 데이터 입력 단자로부터 입력된 직렬 디지털 데이터를 상기 보조 메모리 회로에 공급하거나, 상기 보조 메모리 회로로부터 출력된 직렬 디지털 데이터를 상기 데이터 입력 단자에 공급하도록 전환하는 입출력 전환 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  15. 제 6 항에 있어서,
    상기 데이터 입력 단자는 상기 보조 메모리 회로에 저장된 데이터를 외부로 출력하기 위한 단자를 겸하고 있으며,
    상기 보조 메모리 회로는 저장되어 있는 데이터를 직렬 디지털 데이터로서 출력하고,
    상기 데이터 입력 단자와 상기 보조 메모리 회로 사이에, 상기 데이터 입력 단자로부터 입력된 직렬 디지털 데이터를 상기 보조 메모리 회로에 공급하거나, 상기 보조 메모리 회로로부터 출력된 직렬 디지털 데이터를 상기 데이터 입력 단자에 공급하도록 전환하는 입출력 전환 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 데이터 입력 단자는 상기 보조 메모리 회로에 저장된 데이터를 외부로 출력하기 위한 단자를 겸하고 있으며,
    상기 보조 메모리 회로는 저장되어 있는 데이터를 직렬 디지털 데이터로서 출력하고,
    상기 데이터 입력 단자와 상기 보조 메모리 회로 사이에, 상기 데이터 입력 단자로부터 입력된 직렬 디지털 데이터를 상기 보조 메모리 회로에 공급하거나, 상기 보조 메모리 회로로부터 출력된 직렬 디지털 데이터를 상기 데이터 입력 단자에 공급하도록 전환하는 입출력 전환 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 데이터 입력 단자는 상기 보조 메모리 회로에 저장된 데이터를 외부로 출력하기 위한 단자를 겸하고 있으며,
    상기 보조 메모리 회로는 저장되어 있는 데이터를 직렬 디지털 데이터로서 출력하고,
    상기 데이터 입력 단자와 상기 보조 메모리 회로 사이에, 상기 데이터 입력 단자로부터 입력된 직렬 디지털 데이터를 상기 보조 메모리 회로에 공급하거나, 상기 보조 메모리 회로로부터 출력된 직렬 디지털 데이터를 상기 데이터 입력 단자에 공급하도록 전환하는 입출력 전환 회로를 더 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 7개의 단자를 가지며, 상기 기록 전압에 근거하여 상이한 제 2 기록 전압을 발생하는 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  19. 제 2 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 7개의 단자를 가지며, 상기 기록 전압에 근거하여 상이한 제 2 기록 전압을 발생하는 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  20. 제 3 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 7개의 단자를 가지며, 상기 기록 전압에 근거하여 상이한 제 2 기록 전압을 발생하는 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  21. 제 6 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 7개의 단자를 가지며, 상기 기록 전압에 근거하여 상이한 제 2 기록 전압을 발생하는 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  22. 제 9 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 7개의 단자를 가지며, 상기 기록 전압에 근거하여 상이한 제 2 기록 전압을 발생하는 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  23. 제 11 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 7개의 단자를 가지며, 상기 기록 전압에 근거하여 상이한 제 2 기록 전압을 발생하는 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  24. 제 17 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 7개의 단자를 가지며, 상기 기록 전압에 근거하여 상이한 제 2 기록 전압을 발생하는 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  25. 제 1 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 제 1 기록 전압을 공급하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상이며, 상기 제 1 기록 전압과는 다른 제 2 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 8개의 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  26. 제 2 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 제 1 기록 전압을 공급하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상이며, 상기 제 1 기록 전압과는 다른 제 2 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 8개의 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  27. 제 3 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 제 1 기록 전압을 공급하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상이며, 상기 제 1 기록 전압과는 다른 제 2 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 8개의 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  28. 제 6 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 제 1 기록 전압을 공급하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상이며, 상기 제 1 기록 전압과는 다른 제 2 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 8개의 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  29. 제 9 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 제 1 기록 전압을 공급하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상이며, 상기 제 1 기록 전압과는 다른 제 2 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 8개의 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  30. 제 11 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 제 1 기록 전압을 공급하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상이며, 상기 제 1 기록 전압과는 다른 제 2 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 8개의 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
  31. 제 17 항에 있어서,
    상기 출력 단자, 상기 데이터 입력 단자에 부가하여, 접지 전위를 공급하는 단자, 동작 전압을 공급하는 단자, 외부 클럭을 입력하는 단자, 내부 디지털 회로의 제어 신호를 입력하는 단자, 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상의 제 1 기록 전압을 공급하는 단자, 및 상기 주 메모리 회로에 데이터를 기록하기 위한, 상기 동작 전압 이상이며, 상기 제 1 기록 전압과는 다른 제 2 기록 전압을 공급하는 단자를 포함하는 총 8개의 단자를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 물리량 센서 장치.
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