JP3966016B2 - クランプ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置として構成され当該半導体集積回路装置の信号入力端子に入力される電圧をクランプするクランプ回路に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】
近年、大規模半導体集積回路装置(LSI)について、その動作速度をより速めるとともにチップ面積をより縮小化することを目的として製造工程の微細化が進んでいる。この微細化に伴って、例えばMOSデバイスの場合ゲート酸化膜の膜厚が薄くなるため、十分な素子寿命を確保するためにゲート印加電圧を低電圧化するとともに、素子の破壊を防止するために過大な電圧が印加されないように保護する必要が生じる。
【0003】
前者に対しては、降圧回路を用いた電源電圧の低電圧化が有効であり、主としてLSIの内部ロジック回路に用いられている。後者に対しては、外部信号入力端子と内部回路との間に設けられたバッファ回路またはインターフェース回路にクランプ回路を付加したり、LSIの外部にクランプ回路を付加することが有効である。
【0004】
このクランプ回路に係る従来構成について、自動車のECU(Electronic Control Unit)に用いられる回路構成を例に図2を参照しながら説明する。この図2において、制御基板1には、バッテリ電圧VBを入力して制御用の電源電圧VDD(5V±5%)を出力する電源IC2、センサ信号や通信信号などを入力し種々の制御を実行する制御IC3、および制御IC3の外部に設けられたクランプ回路4が搭載されている。
【0005】
コネクタ5の端子5cから入力されるセンサ信号および端子5dから入力される通信信号は、それぞれ抵抗R1、R2を介して制御IC3内部のバッファ回路6、7に入力される。制御IC3の外部において、端子5c、5dとグランド線8との間には上記クランプ回路4を構成するツェナー電圧5.3VのツェナーダイオードD1、D2が接続されている。
【0006】
また、制御IC3の内部において、バッファ回路6、7の各入力端子とグランド線8との間にはそれぞれダイオードD3、D4が接続され、バッファ回路6、7の各入力端子と制御電源線9との間にはそれぞれダイオードD5、D6が接続されている。これらダイオードD3〜D6により制御IC3内部のクランプ回路10が構成されている。
【0007】
この構成では、バッファ回路6、7の入力電圧は入力信号のレベルによらず5.3V以下、−VF(約−0.5V)以上に制限される。従って、バッファ回路6、7をはじめとする制御IC3の内部回路には、高電位側が5V+10%(=5.5V)、低電位側が−10%(=−0.5V)の耐圧を持つMOSデバイスの製造工程(低耐圧デバイス工程)を採用できる。しかし、制御IC3が多数の信号を入力する場合には、各信号ごとにツェナーダイオードが必要となり、制御基板1の面積が増大するとともにコストが上昇するという問題がある。
【0008】
これに対し、ツェナーダイオードD1、D2を除いた場合、入力信号の高電位側の制限電圧は、電源電圧VDDの電圧変動(5V±5%)を考慮すると5.25V+VF(約6V弱)となる。このため、バッファ回路6、7には上述した低耐圧デバイス工程を採用することができず、例えば6Vの耐圧を持つMOSデバイスの製造工程(高耐圧デバイス工程)を採用する必要が生じ、工程追加によるコストの増大や動作速度の低下などの問題が生じてしまう。また、図2に示すクランプ回路4、10は、温度変化によるクランプ電圧の変動が比較的大きいという特性を有している。
【0009】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、半導体集積回路装置の内部に設けられ、信号入力端子に印加される電圧を所定電圧にクランプ可能であって、そのクランプ電圧の温度変動が小さいクランプ回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載した手段によれば、入力電圧検出回路は、半導体集積回路装置の信号入力端子に入力される電圧(端子電圧)を第1のトランジスタによりレベルシフトし第1の抵抗回路を介して検出電圧を出力し、基準電圧生成回路は、第2の電源線の電圧を第2のトランジスタによりレベルシフトし第2の抵抗回路を介して基準電圧を出力する。比較回路は、これら検出電圧と基準電圧とを比較し、信号入力端子と引込電圧を持つノードとの間に接続されたスイッチ回路は、その比較結果であるクランプ動作指令信号に基づいてオンオフ動作を行う。この場合、検出電圧と基準電圧との相対関係において、検出電圧は端子電圧に相当し、基準電圧は端子電圧に対するクランプ電圧に相当する。
【0011】
例えば高電位側のクランプ動作の場合、検出電圧(端子電圧)が基準電圧(クランプ電圧)以下の時にはスイッチ回路がオフ状態となり、端子電圧は半導体集積回路装置内に形成された内部回路にそのまま与えられる。一方、検出電圧(端子電圧)が基準電圧(クランプ電圧)を超えている時にはスイッチ回路がオン状態となり、端子電圧はクランプ電圧を超えない範囲内に設定されている引込電圧に近付く。そして、端子電圧がクランプ電圧以下になるとスイッチ回路がオフ状態に戻る。
【0012】
これにより、過電圧の入力に対し端子電圧を所望するクランプ電圧にクランプできる。本手段によれば、半導体集積回路装置の外付け部品は、電流を制限するための抵抗等を除き不要となるので、半導体集積回路装置が搭載された基板の面積を縮小できるとともにコストを低減できる。
【0013】
入力電圧検出回路と基準電圧生成回路は、それぞれ抵抗回路とレベルシフト用のトランジスタとが直列に接続された構成を備えており、両回路について抵抗回路の構成を適宜設定することにより、クランプ電圧を第2の電源電圧と異なる所望する値に設定することができる。
【0014】
また、入力電圧検出回路と基準電圧生成回路は、ともに抵抗回路を有し且つ第1のトランジスタと第2のトランジスタが同一特性とされているので、比較回路に入力される検出電圧と基準電圧の温度特性はほぼ等しくなる。従って、例えば車両に搭載されるECUなど温度変動範囲が広い機器に適用した場合であっても、クランプ電圧が変動しにくいという効果が得られる。
さらに、第1および第2の抵抗回路は複数の抵抗性素子からなる分圧回路であって、検出電圧および基準電圧は各分圧回路の分圧点から取り出されるので、この分圧比を適宜設定することによりクランプ電圧を任意に設定可能となる。
【0015】
請求項2に記載した手段によれば、第1の抵抗回路の全抵抗値と第2の抵抗回路の全抵抗値が等しく設定されているので、温度変動に対する第1、第2の抵抗回路の抵抗値の変化が等しくなり、温度変動に対するクランプ電圧の変動が一層小さくなる。
【0017】
請求項3に記載した手段によれば、第1の電源線と第1および第2の抵抗回路との間にそれぞれ介在する第3および第4のトランジスタは、イネーブル信号に応じてオンオフ状態が切り替えられるスイッチ回路として機能する。これにより、必要時においてのみ入力電圧検出回路と基準電圧生成回路に電流を供給するように制御でき、クランプ回路の消費電流を低減することができる。
【0018】
請求項4に記載した手段によれば、第1の電源線と第1および第2の抵抗回路との間にそれぞれ介在する第3および第4のトランジスタは、同一特性であってそれぞれ入力電圧検出回路および基準電圧生成回路に相等しいバイアス電流を供給するので、両回路はよりバランスのとれた状態で動作し、クランプ電圧は温度変動による影響を受けにくくなる。
【0019】
請求項5に記載した手段によれば、クランプ電圧を超える電圧の入力に対して端子電圧がクランプ電圧に固定されるので、A/Dコンバータへの入力電圧はそのクランプ動作開始時の電圧のまま保持され、クランプ動作時においても妥当な変換結果が得られる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について図1を参照しながら説明する。
図1は、入力電圧に対する正負の過電圧保護機能を有する半導体集積回路装置の電気的構成を示している。この半導体集積回路装置11(以下、IC11と称す)は、車両の電子制御装置(ECU)内の制御基板(図示せず)に搭載されている。
【0021】
制御基板には電源IC(図示せず)も搭載されており、IC11はこの電源ICから電源端子12、13を介して電源電圧VDDの供給を受けて動作するようになっている。この電源電圧VDDは、例えば5V±5%の電圧精度を有している。各電源端子12、13は、IC11の内部においてそれぞれ高電位側の電源線14、低電位(GND)側の電源線15に接続されている。
【0022】
IC11は、CMOSプロセスにより製造されており、A/Dコンバータ16をはじめ図示しない各種のアナログ回路およびディジタル回路を備えている。また、寿命を考慮した上でのIC11の素子耐圧は、例えば高電位側が5.5V、低電位側が−0.5Vとなっているため、入力端子17(信号入力端子に相当)に上記素子耐圧を超える電圧が印加されることがないように、低電位側をクランプするクランプ回路18と高電位側をクランプするクランプ回路19とを備えている。
【0023】
A/Dコンバータ16は、入力端子17から入力された0.0Vから5.0Vの電圧範囲内の電圧に対し、所定の分解能によりA/D変換を実行するようになっている。図1においては1チャンネルのみを示しているが、実際のICでは複数の入力端子、複数チャンネルを持つA/Dコンバータおよびマルチプレクサが設けられており、それに伴って各入力端子ごとにクランプ回路18、19が設けられている。また、上記制御基板においてIC11の各入力端子への信号経路には、電流制限用の抵抗Raが設けられている。
【0024】
クランプ回路18は、入力電圧検出回路20、基準電圧生成回路21、コンパレータ22(比較回路に相当)、および入力端子17と電源線15との間に接続されたNチャネル型トランジスタQ11(スイッチ回路に相当)から構成されている。
【0025】
このうち入力電圧検出回路20は、第1の電源線14と第2の電源線15との間にPチャネル型トランジスタQ12(第3のトランジスタに相当)のソース・ドレイン間、抵抗R11とR12との直列抵抗回路23(第1の抵抗回路に相当)およびPチャネル型トランジスタQ13(第1のトランジスタに相当)のソース・ドレイン間が直列に接続された構成となっている。トランジスタQ12、Q13のゲートは、それぞれイネーブル信号線24、入力端子17に接続されている。
【0026】
また、基準電圧生成回路21は、入力電圧検出回路20とほぼ同様の構成を備えている。すなわち、電源線14と15との間にPチャネル型トランジスタQ14(第4のトランジスタに相当)のソース・ドレイン間、抵抗R13とR14との直列抵抗回路25(第2の抵抗回路に相当)およびPチャネル型トランジスタQ15(第2のトランジスタに相当)のソース・ドレイン間が直列に接続された構成となっている。トランジスタQ14、Q15のゲートは、それぞれイネーブル信号線24、電源線15に接続されている。
【0027】
ここで、トランジスタQ12とQ14、トランジスタQ13とQ15は、それぞれ同一特性とされており、直列抵抗回路23と25の直列抵抗値は互いに等しく設定されている。
【0028】
コンパレータ22は、差動増幅回路26と出力回路27とから構成されている。差動増幅回路26において、Pチャネル型トランジスタQ16とQ17は差動入力トランジスタであって、反転入力端子に相当するトランジスタQ16のゲートは、分圧回路である直列抵抗回路23の分圧ノードに接続され、非反転入力端子に相当するトランジスタQ17のゲートは、分圧回路である直列抵抗回路25の分圧ノードに接続されている。
【0029】
これらトランジスタQ16、Q17と電源線14との間にはトランジスタQ18が接続され、トランジスタQ16、Q17と電源線15との間には、トランジスタQ19、Q20からなる能動負荷回路が接続されている。トランジスタQ17とQ20との共通接続点が、差動増幅回路26の出力ノードn1である。なお、トランジスタQ18のゲートは、バイアス電圧VBIAS1を有するバイアス線28に接続されている。
【0030】
出力回路27は、電源線14と15との間に出力ノードn2を挟んでPチャネル型トランジスタQ21とNチャネル型トランジスタQ22とが直列に接続された構成となっている。上記差動増幅回路24の出力ノードn1は、トランジスタQ22のゲートに接続され、さらにトランジスタQ23と位相補償用のコンデンサC11とを介して出力回路22の出力ノードn2に接続されている。また、出力ノードn2は、上述したトランジスタQ11のゲートに接続されている。
【0031】
一方、クランプ回路19も上述したクランプ回路18と同様の回路構成を備えており、入力電圧検出回路29、基準電圧生成回路30、コンパレータ31(比較回路に相当)、および入力端子17と電源線14との間に接続されたPチャネル型トランジスタQ24(スイッチ回路に相当)から構成されている。
【0032】
ただし、上述したクランプ回路18は低電位側をクランプするために電源線15を基準電源線として構成されているのに対し、クランプ回路19は高電位側をクランプするために電源線14を基準電源線として構成されている点を異にする。すなわち、クランプ回路19においては、電源線15が第1の電源線に相当し、電源線14が第2の電源線に相当する。従って、クランプ回路19は、上述したクランプ回路18において電源線14と15とを入れ替えた接続にするとともに、各トランジスタの導電型を入れ替えた構成となっている。
【0033】
ここで、クランプ回路19におけるトランジスタQ24〜Q36、抵抗R15〜R18、コンデンサC12、ノードn3、n4は、それぞれクランプ回路18におけるトランジスタQ11〜Q23、抵抗R11〜R14、コンデンサC11、ノードn1、n2に相当する。また、抵抗R15とR16との直列抵抗回路32、抵抗R17とR18との直列抵抗回路34、差動増幅回路35、出力回路36、イネーブル信号線33、バイアス線37は、それぞれクランプ回路18における直列抵抗回路23、直列抵抗回路25、差動増幅回路26、出力回路27、イネーブル信号線24、バイアス線28に相当する。
【0034】
次に、入力端子17に対する過電圧保護動作について説明する。
まず、低電位側をクランプするクランプ回路18の動作について説明する。イネーブル信号線24により与えられるイネーブル信号SEN1は、通常動作時においてLレベル(0V)となり、トランジスタQ12とQ14は線形領域でオン状態となる。一方、IC11が低消費電力モードに設定されている場合には、イネーブル信号SEN1はHレベル(VDD)となり、トランジスタQ12とQ14はオフ状態となる。
【0035】
イネーブル信号SEN1がLレベルの場合、入力電圧検出回路20から出力される検出電圧Va1は、ソースフォロアの接続形態を持つトランジスタQ13によるレベルシフトと直列抵抗回路23による分圧作用とによって決定される。入力端子17の電圧をVin、トランジスタQ12のドレイン・ソース間電圧(絶対値)をVDS(Q12) 、トランジスタQ13のゲート・ソース間電圧(絶対値)をVGS(Q13) とし、抵抗R11、R12の各抵抗値を符号と同じR11、R12で表せば、検出電圧Va1は次の(1)式で示す値となる。
【0036】
一方、基準電圧生成回路21から出力される基準電圧Vr1も、ソースフォロアの接続形態を持つトランジスタQ15によるレベルシフトと直列抵抗回路25による分圧作用とによって決定される。トランジスタQ14のドレイン・ソース間電圧(絶対値)をVDS(Q14)、トランジスタQ15のゲート・ソース間電圧(絶対値)をVGS(Q15) とし、抵抗R13、R14の各抵抗値を符号と同じR13、R14で表せば、基準電圧Vr1は次の(2)式で示す値となる。
【0037】
上述したようにトランジスタQ12とQ14、トランジスタQ13とQ15はそれぞれ同一特性とされているので、次の(3)式と(4)式も成立する。
VDS(Q12) =VDS(Q14) =VDS …(3)
VGS(Q13) =VGS(Q15) =VGS …(4)
【0038】
また、直列抵抗回路23と25の直列抵抗値が等しく設定されているので、特に端子電圧Vinが0V付近である場合、入力電圧検出回路20に流れる電流と基準電圧生成回路21に流れる電流とはほぼ等しくなり、上記(3)式と(4)式に示す関係はより厳密に成立する。
【0039】
コンパレータ22は検出電圧Va1と基準電圧Vr1とを比較する。コンパレータ22の出力が反転する時の端子電圧Vinすなわちクランプ電圧VCL1 は、(3)式、(4)式およびR11+R12=R13+R14に示す関係の下で、Va1=Vr1から端子電圧Vinを求めることにより、次の(5)式のように導出される。
VCL1 =(R11−R13)/R11×(VDD−VDS−VGS) …(5)
【0040】
本実施形態では、低電位側の素子耐圧が−0.5Vで、A/Dコンバータ16が0.0V以上の端子電圧Vinを変換電圧範囲としているため、R11<R13としてクランプ電圧VCL1 を例えば−0.25Vに設定している。そして、端子電圧Vinがこのクランプ電圧VCL1 よりも低下すると、トランジスタQ22がオフしてノードn2の電圧が上昇し、トランジスタQ11がオフからオンに反転する。ノードn2の電圧は、本発明でいうクランプ動作指令信号に相当する。
【0041】
この時、電源線15からトランジスタQ11、入力端子17、抵抗Raの経路で電流が流れ、端子電圧Vinは0Vに向かって上昇する。端子電圧Vinがクランプ電圧VCL1 以上になるとトランジスタQ11は再びオフになる。その結果、IC11の外部からクランプ電圧VCL1 を(低電位方向に)超える電圧が入力されても、端子電圧Vinはクランプ電圧VCL1 にクランプされる。
【0042】
ところで、入力電圧検出回路20と基準電圧生成回路21とは、ともにスイッチ回路として機能するトランジスタ(Q12、Q14)と、抵抗回路(R11とR12、R13とR14)と、レベルシフトを行うトランジスタ(Q13、Q15)とが直列に接続された回路構成を有するとともに、それぞれに流れる電流がほぼ等しいので、検出電圧Va1と基準電圧Vr1の温度特性はほぼ等しくなる。従って、IC11の温度が変動しても、クランプ電圧VCL1 の変動が非常に小さくなる。
【0043】
以上、クランプ回路18の動作について説明したが、高電位側をクランプするクランプ回路19も同様の動作となる。すなわち、入力電圧検出回路29から出力される検出電圧Va2、基準電圧生成回路30から出力される基準電圧Vr2は、それぞれ次の(6)式、(7)式となる。
【0044】
【0045】
トランジスタQ25とQ27、トランジスタQ26とQ28はそれぞれ同一特性とされているので、次の(8)式と(9)式も成立する。
VDS(Q25) =VDS(Q27) =VDS …(8)
VGS(Q26) =VGS(Q28) =VGS …(9)
【0046】
クランプ電圧VCL2 は、(8)式、(9)式およびR15+R16=R17+R18に示す関係の下でVa2=Vr2から端子電圧Vinを求めることにより、次の(10)式のように導出される。
VCL2 =VDD+(R17−R15)/R15×(VDD−VDS−VGS)…(10)
【0047】
本実施形態では、高電位側の素子耐圧が5.5Vで、A/Dコンバータ16が5.0V以下の端子電圧Vinを変換電圧範囲としているため、R17>R15としてクランプ電圧VCL2 を例えば5.25Vに設定している。そして、端子電圧Vinがこのクランプ電圧VCL2 よりも上昇すると、トランジスタQ35がオフしてノードn4の電圧が低下し、トランジスタQ24がオフからオンに反転する。ノードn4の電圧は、本発明でいうクランプ動作指令信号に相当する。
【0048】
この時、抵抗Ra、入力端子17、トランジスタQ24、電源線14の経路で電流が流れ、端子電圧Vinは5Vに向かって下降する。端子電圧Vinがクランプ電圧VCL2 以下になるとトランジスタQ35は再びオフになる。その結果、IC11の外部からクランプ電圧VCL2 を(高電位方向に)超える電圧が入力されても、端子電圧Vinはクランプ電圧VCL2 にクランプされる。また、IC11の温度が変動しても、クランプ電圧VCL2 の変動が非常に小さくなる。
【0049】
以上説明したように、本実施形態によればIC11にクランプ回路18、19を設けたので、A/Dコンバータ16への入力端子17にクランプ電圧VCL1 、VCL2を超える電圧が入力された場合に、その端子電圧Vinをクランプ電圧VCL1、VCL2 にクランプすることができる。このクランプ電圧VCL1 、VCL2 は、A/Dコンバータ16の変換電圧範囲外であって且つ素子耐圧以内の値に設定されているので、入力電圧に対し精度の低下を招くことなくA/D変換が行われるとともに、IC11を過電圧から保護できる。
【0050】
車両に搭載されたECUは他のECUとの間で通信を行うが、この通信線の電位は電源電圧VDDに対し1V程度上昇したり、グランド電位に対し1V程度低下する場合がある。IC11は、外来のサージ電圧のみならず、こうした通信線の電圧に対しても保護される。
【0051】
クランプ回路18、19はIC11内に構成されるので、外付け部品は電流を制限するための抵抗Raだけとなり、IC11が搭載された制御基板の面積を縮小できるとともにコストを低減できる。特に、多くの入力端子を備えたICに対してはより大きな縮小効果、低減効果が得られる。
【0052】
また、入力電圧検出回路20、29を設けて端子電圧Vinをレベルシフトした検出電圧Va1、Va2を得るとともに、それと同様の回路構成を持つ基準電圧生成回路21、30を設けて基準電圧Vr1、Vr2を得るように構成したので、電源電圧VDDの範囲を超える0V以下または5V以上のクランプ電圧VCL1 、VCL2 を設定できる。そして、直列抵抗回路23、25、32、34の分圧比を適宜設定することにより、所望するクランプ電圧VCL1 、VCL2 を設定できる。
【0053】
さらに、入力電圧検出回路20、29と基準電圧生成回路21、30は、互いに同一特性のトランジスタを用いて構成され、回路電流がほぼ等しくなるように設定されているので、検出電圧Va1と基準電圧Vr1の温度特性および検出電圧Va2と基準電圧Vr2の温度特性はそれぞれ等しくなる。従って、温度変動範囲が広い車両用ECUに適用した場合であっても、クランプ電圧VCL1 、VCL2 の変動が非常に小さくなる。
【0054】
入力電圧検出回路20、29および基準電圧生成回路21、30には、電流を遮断するためのトランジスタQ12、Q25およびトランジスタQ14、Q27が設けられているので、イネーブル信号SEN1 、SEN2 により制御すれば必要時においてのみ電流を供給することができ、クランプ回路18、19の消費電流を低減することができる。
【0055】
なお、本発明は上記し且つ図面に示す実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
トランジスタQ12とQ14、トランジスタQ25とQ27をそれぞれ同一特性としたが、上記実施形態においてこれらトランジスタQ12、Q14、Q25、Q27はスイッチ回路として動作するため、ドレイン・ソース間電圧が十分に低くなれば必ずしも同一特性とする必要はない。
【0056】
トランジスタQ12、Q25、トランジスタQ14、Q27にバイアス電圧を与え、これらトランジスタQ12、Q25、14、Q27を定電流動作させても良い。この場合、入力電圧検出回路20、29と基準電圧生成回路21、30とに等しい電流を流すことにより、両回路はバランスのとれた状態で動作し、クランプ電圧VCL1 、VCL2 は温度変動による影響を受けにくくなる。
【0057】
入力電圧検出回路20、29、基準電圧生成回路21、30は、トランジスタQ12、Q25、トランジスタQ14、Q27を除いた構成としても良い。この構成であっても、消費電流の低減化を除き、上述した実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。
【0058】
直列抵抗回路23、25、32、34は、3つ以上の抵抗の直列回路としても良い。抵抗は、拡散抵抗やポリシリコン層抵抗などを用いると良い。また、抵抗に替えて線形領域にバイアスされたMOSトランジスタを用いても良い。
【0059】
クランプ回路18と19の何れか一方を備えた構成としても良い。
クランプ動作18、19により保護する入力端子は、アナログ入力端子に限られずディジタル汎用ポートなど種々の信号入力端子であっても良い。
IC11は、バイポーラプロセスにより製造されるものでも良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示すクランプ回路を備えたICの電気的構成図
【図2】従来技術を示すECUの電気的構成図
【符号の説明】
11はIC(半導体集積回路装置)、14,15は電源線、16はA/Dコンバータ、17は入力端子(信号入力端子)、18、19はクランプ回路、20、29は入力電圧検出回路、21、30は基準電圧生成回路、22、31はコンパレータ(比較回路)、23、32は直列抵抗回路(第1の抵抗回路、分圧回路)、25、34は直列抵抗回路(第2の抵抗回路、分圧回路)、Q11、Q24はトランジスタ(スイッチ回路)、Q12、Q25はトランジスタ(第3のトランジスタ)、Q13、Q26はトランジスタ(第1のトランジスタ)、Q14、Q27はトランジスタ(第4のトランジスタ)、Q15、Q28はトランジスタ(第2のトランジスタ)、R11〜R18は抵抗(抵抗性素子)である。
Claims (5)
- 半導体集積回路装置として構成され当該半導体集積回路装置の信号入力端子に入力される電圧をクランプするクランプ回路において、
第1の電源線と第2の電源線との間に、第1の抵抗回路とソースフォロアまたはエミッタフォロアの接続形態を持つ第1のトランジスタとが直列に接続され、前記第1のトランジスタの制御端子に前記信号入力端子の電圧が与えられ、前記第1の抵抗回路から検出電圧が取り出される入力電圧検出回路と、
前記第1の電源線と前記第2の電源線との間に第2の抵抗回路とソースフォロアまたはエミッタフォロアの接続形態を持ち前記第1のトランジスタと同一特性を有する第2のトランジスタとが直列に接続され、前記第2のトランジスタの制御端子に前記第2の電源線の電圧が与えられ、前記第2の抵抗回路から基準電圧が取り出される基準電圧生成回路と、
前記検出電圧と前記基準電圧とを比較し前記検出電圧が前記基準電圧を超えている時にクランプ動作指令信号を出力する比較回路と、
前記信号入力端子と所定の引込電圧を持つ電源線との間に接続され、前記比較回路からクランプ動作指令信号が出力されていることを条件としてオン動作するスイッチ回路とを備え、
前記第1および第2の抵抗回路は、それぞれ複数の抵抗性素子からなる分圧回路であって、前記検出電圧および前記基準電圧は各分圧回路の分圧点から取り出されるように構成されていることを特徴とするクランプ回路。 - 前記第1の抵抗回路の全抵抗値と前記第2の抵抗回路の全抵抗値が等しく設定されていることを特徴とする請求項1記載のクランプ回路。
- 前記第1の電源線と前記第1および第2の抵抗回路との間にそれぞれ第3および第4のトランジスタが介在し、これら第3および第4のトランジスタは、イネーブル信号に応じてオン状態とオフ状態とに切り替えられるように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のクランプ回路。
- 前記第1の電源線と前記第1および第2の抵抗回路との間にそれぞれ同一特性を有する第3および第4のトランジスタが介在し、これら第3および第4のトランジスタは相等しいバイアス電流を出力するように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のクランプ回路。
- 前記信号入力端子は、前記半導体集積回路装置内に設けられたA/Dコンバータへのアナログ信号入力端子であることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載のクランプ回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002050008A JP3966016B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | クランプ回路 |
US10/374,695 US6737905B1 (en) | 2002-02-26 | 2003-02-26 | Clamp circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002050008A JP3966016B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | クランプ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003258581A JP2003258581A (ja) | 2003-09-12 |
JP3966016B2 true JP3966016B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=28662374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002050008A Expired - Fee Related JP3966016B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | クランプ回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6737905B1 (ja) |
JP (1) | JP3966016B2 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004105651A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Cook Incorporated | Prosthetic valve with vessel engaging member |
US6989649B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-01-24 | A. O. Smith Corporation | Switch assembly, electric machine having the switch assembly, and method of controlling the same |
US8540493B2 (en) | 2003-12-08 | 2013-09-24 | Sta-Rite Industries, Llc | Pump control system and method |
US7248092B2 (en) * | 2004-03-22 | 2007-07-24 | Denso Corporation | Clamp circuit device |
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US7432761B2 (en) | 2004-07-23 | 2008-10-07 | Rohm Co., Ltd. | Amplifier circuit, semiconductor device and electronic apparatus |
US8469675B2 (en) | 2004-08-26 | 2013-06-25 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Priming protection |
US7845913B2 (en) | 2004-08-26 | 2010-12-07 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Flow control |
US8602745B2 (en) | 2004-08-26 | 2013-12-10 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Anti-entrapment and anti-dead head function |
US8480373B2 (en) | 2004-08-26 | 2013-07-09 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Filter loading |
US7686589B2 (en) | 2004-08-26 | 2010-03-30 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Pumping system with power optimization |
US7874808B2 (en) | 2004-08-26 | 2011-01-25 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Variable speed pumping system and method |
US7854597B2 (en) | 2004-08-26 | 2010-12-21 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Pumping system with two way communication |
US8019479B2 (en) | 2004-08-26 | 2011-09-13 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Control algorithm of variable speed pumping system |
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US9556874B2 (en) | 2009-06-09 | 2017-01-31 | Pentair Flow Technologies, Llc | Method of controlling a pump and motor |
CA2820887C (en) | 2010-12-08 | 2019-10-22 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Discharge vacuum relief valve for safety vacuum release system |
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US10465676B2 (en) | 2011-11-01 | 2019-11-05 | Pentair Water Pool And Spa, Inc. | Flow locking system and method |
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EP3281608B1 (en) | 2012-02-10 | 2020-09-16 | CVDevices, LLC | Medical product comprising a frame and visceral pleura |
US9885360B2 (en) | 2012-10-25 | 2018-02-06 | Pentair Flow Technologies, Llc | Battery backup sump pump systems and methods |
EP2953580A2 (en) | 2013-02-11 | 2015-12-16 | Cook Medical Technologies LLC | Expandable support frame and medical device |
TWI600995B (zh) * | 2016-03-18 | 2017-10-01 | 財團法人工業技術研究院 | 電壓箝制電路 |
JP6744604B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-08-19 | ザインエレクトロニクス株式会社 | 入力装置 |
US9793882B1 (en) * | 2016-12-05 | 2017-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Voltage clamp circuit |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57124464A (en) | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit device |
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JPH04347922A (ja) | 1991-01-28 | 1992-12-03 | Toshiba Corp | クランプ回路 |
JP3656758B2 (ja) * | 1991-05-08 | 2005-06-08 | 富士通株式会社 | 動作状態検出回路 |
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JP2001086641A (ja) | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 入力保護回路および半導体集積回路 |
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-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002050008A patent/JP3966016B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-26 US US10/374,695 patent/US6737905B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003258581A (ja) | 2003-09-12 |
US6737905B1 (en) | 2004-05-18 |
US20040080352A1 (en) | 2004-04-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061102 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140608 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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