JP3656758B2 - 動作状態検出回路 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、被検出対象回路の動作状態を検出する技術に係り、より詳細には、その動作状態の検出精度を改善するのに適応された動作状態検出回路に関するものである。
【0003】
近年、マイクロコンピュータの高機能,高性能化に伴い電子機器の動作状態を該コンピュータにより認識して他の制御処理をする制御システムが利用されている。例えば、モータや電磁リレー等の負荷駆動制御システムでは、動作状態検出回路を介してその駆動回路の動作状態が該コンピュータにより認識される。
【0004】
しかし、モータや電磁リレー等の被検出回路の動作点の電位レベルを分圧し、それを基準電圧と比較する方法では、該動作点について、高レベルの動作電圧を取り扱うことができるが、分圧回路の抵抗比に依存して検出精度が低下をする。
【0005】
そこで、ノイズ等の影響により左右されることなく、被検出回路の動作電源が当該電圧比較回路の動作電源よりも高い場合であっても、かつ、該被検出回路の動作電源に変動が生じた場合であっても、その動作状態を精度良く検出することができる検出回路が望まれている。
【0006】
【従来の技術】
図15,16は、従来例に係る説明図である。図15(a),(b)は、従来例に係る動作状態検出回路の説明図であり、図15(a)は動作状態検出回路が適用される被検出回路1の一例を示している。
【0007】
図15(a)において、被検出回路1の対象回路は、例えば、動作電源VDDと接地線GNDとの間にソレノイドLとMOSトランジスタTrとの直列回路が接続され、該トランジスタTrが駆動回路1Aにより制御されるものである。これにより、モータや電磁コイル等のソレノイドLが該トランジスタTrのON/OFFにより駆動制御され、この被検出回路1の動作状態をMPU2等において認識しなくてはならい場合が生ずる。
【0008】
なお、ソレノイドLとMOSトランジスタTrとの接続点Aは、該トランジスタTrのON動作により「L」レベル(ほぼ接地線GNDのレベル)に成り、また、該トランジスタTrのOFF動作により「H」レベル(ほぼ動作電源VDDのレベル)に成る関係にあるものである。
【0009】
図15(b)は被検出回路1の動作状態を検出する動作状態検出回路の構成図を示している。
【0010】
図15(b)において、ソレノイドL,MOSトランジスタTrの断線や駆動回路1Aの動作不良等をMPU2等において認識するような場合、先の接続点(以後動作点ともいう)Aに動作状態検出回路が接続される。
【0011】
動作状態検出回路は、基準電圧VREF を発生する固定電圧源3Aと、動作点Aの動作電圧と該基準電圧VREF とを比較する比較器3Bから成る。該検出回路の機能は、動作点Aの「L」,「H」レベルと基準電圧VREF とを比較して、その検出結果となる動作状態信号SをMPU2等に出力をするものである。
【0012】
なお、被検出回路1の動作点Aの「L」,「H」レベルを直接,比較器3Bに入力して、それを基準電圧VREF と比較する場合には、該比較器3Bの検出範囲の制約から被検出回路1の動作電源VDDと比較器3Bの動作電源VCCとの間にVDD≦VCC又はVDD≒VCCの動作電源条件が必要となる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例によればユーザの使用態様により、例えば、動作電源VDD=DC30〔V〕で駆動するモータや電磁リレー等を該比較器3Bが内蔵された電子制御ユニットにより、その動作状態をMPU2で認識しながら駆動制御する方式を採る場合がある。
【0014】
このため、モータや電磁リレー等を駆動する動作電源VDD=DC30〔V〕と比較器3Bを駆動する該動作電源VCC=DC5〔V〕との間の関係がVDD>VCCとなって、該比較器3Bの検出範囲を越え、その動作状態を検出することができなくなる。
【0015】
このことから、図16(a)に示すように被検出回路1の動作点Aの「H」レベルを分圧回路4を介して分圧し、それを基準電圧VREF と比較する方法が採られる。これは、分圧回路4の直列抵抗R11, R12により動作点Aの「H」レベル,例えば、動作電源VDD=DC30〔V〕をR11:R12=5:1に分圧して、その入力レベルを5〔V〕程度に規定し、該比較器3Bの動作可能な検出範囲内にするものである。
【0016】
しかし、この方法では動作点Aについて、高レベルの動作電圧を取り扱うことができるが、分圧回路4の抵抗比=5:1に依存して検出精度が低下をするという問題がある。
【0017】
また、図16(b)に示すように基準電圧VREF を発生する基準電圧発生回路5が設けられ、動作電源VDDが変動した場合に備えている。これは、図16(a)に示すような固定電圧源3Aにより基準電圧VREF を発生していると、動作電源VDDが変動した場合に、分圧回路4からの入力レベルと基準電圧VREF との関係が不順になり被検出回路1の動作状態を正常に検出できなくなるため、これを防止するものである。なお、基準電圧発生回路5は動作電源VDDと接地線GNDとの間に直列抵抗R13, R14が接続されて成る。
【0018】
これにより、動作状態検出回路の検出精度が低下することから、モータや電磁リレー等を駆動制御する電子制御システムの信頼性の低下を招く。
【0019】
本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創作されたものであり、ノイズ等の影響により左右されることなく、被検出回路の動作電源が当該電圧比較回路の動作電源よりも高い場合であっても、かつ、該被検出回路の動作電源の電圧に変動が生じた場合であっても、その動作状態を精度良く検出することが可能となる動作状態検出回路を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る動作状態検出回路について、以下、図1〜図5を参照しながら説明する。
【0021】
本発明に係る動作状態検出回路は、その基本形態として図1に示すように、被検出回路13の動作状態を検出する回路であって、被検出回路13の出力電圧(動作点Aの電圧VA)を電流Iに変換する第1の電圧電流変換素子(抵抗素子)Rと、前記被検出回路13の出力電圧(動作点Aの電圧VA)が所定の電位より高い状態にある場合に前記第1の電圧電流変換素子Rの一端の電位(接続点Bの電圧VB)を略一定とすると共に、前記電流Iを電圧VCに変換して出力するクランプ回路12と、該クランプ回路からの出力電圧VCと基準電圧VREFとを比較して動作状態信号Sを出力する電圧比較回路11とを備えたことを特徴とする。
【0022】
また、クランプ回路12は、図1(b)に示すように、エミッタEが第1の電圧電流変換素子Rの一端(接続点B)に接続され、コレクタCが第1の負荷rに接続され、ベースBがバイアス電圧源VBiasに接続された第1のトランジスタQ1を有している。
この形態に係る動作状態検出回路においては、電圧比較回路11に入力される電圧VCは、第1のトランジスタQ1のコレクタCから取り出される。
【0023】
また、他の形態に係る動作状態検出回路においては、電圧比較回路11に入力される電圧として、図2(a)に示すように、第1のトランジスタQ1のコレクタCから取り出した電圧と、エミッタEから取り出した電圧とが用いられる。
【0024】
従って、この形態に係る動作状態検出回路においては、電圧比較回路11は、図2(b)に示すように、第1のトランジスタQ1のエミッタEの電圧と基準電圧(固定電圧源14A)とを比較して第1の動作状態信号S1を出力する第1の電圧比較回路11Aと、第1のトランジスタQ1のコレクタCの電圧と基準電圧(固定電圧源14A)とを比較して第2の動作状態信号S2を出力する第2の電圧比較回路11Bとを有している。
【0025】
また、他の形態に係る動作状態検出回路によれば、図3(a)に示すように、基準電圧VREFは、基準電圧発生回路14Bによって生成される。基準電圧発生回路14Bは、図3(b)に示すように、第2のトランジスタQ2と、第2の電圧電流変換素子(抵抗素子)R1と、第2の負荷(抵抗素子)R2とを備えて構成されており、第2のトランジスタQ2のエミッタEが第2の電圧電流変換素子R1の一端に接続され、該第2のトランジスタQ2のベースBがクランプ回路12内の第1のトランジスタQ1のベースBに接続され、前記第2のトランジスタQ2のコレクタCが第2の負荷R2の一端に接続され、かつ、前記電圧比較回路11の基準電圧入力部に接続され、前記第2の電圧電流変換素子R1の他の一端が前記被検出回路13を駆動する第1の動作電源VDDに接続されている。
【0026】
なお、この形態に係る動作状態検出回路において、図3(a)に示すように、前記クランプ回路12内の第1のトランジスタQ1のコレクタCにバイアス電流源Itが接続される。
【0027】
また、他の形態に係る動作状態検出回路によれば、図4(a)に示すように、クランプ回路12及び基準電圧発生回路14Bは、それぞれ第1,第2の電流逆流防止素子(第1,第2のダイオードD1,D2)を有しており、前記第1の電流逆流防止素子(第1のダイオードD1)は、第1のトランジスタQ1のエミッタEと前記第1の電圧電流変換素子Rとの間に接続され、前記第2の電流逆流防止素子(第2のダイオードD2)は、前記第2のトランジスタQ2のエミッタEと前記第2の電圧電流変換素子R1との間に接続されている。さらに、第1のトランジスタQ1のエミッタEにバイアス電流源Itが接続される。
【0028】
また、この形態に係る動作状態検出回路において、上記の第1の負荷r及び第2の負荷R2(それぞれ図1(b)及び図3(b)参照)は、図4(b)に示すようにカレントミラー回路15によって構成されてもよい。
【0029】
さらに、本発明の他の形態によれば、図5に示すように、第1及び第2の被検出回路13A,13Bの各々の動作状態を検出する回路であって、第1の被検出回路13Aの出力電圧を第1の電流に変換する第1の電圧電流変換素子と、第2の被検出回路13Bの出力電圧を第2の電流に変換する第2の電圧電流変換素子と、前記第1の被検出回路 13 Aの出力電圧が所定の電位より高い状態にある場合に前記第1の電圧電流変換素子の一端の電位を略一定とすると共に、前記第1の電流を電圧に変換して出力する第1のクランプ回路12Aと、前記第2の被検出回路 13 Bの出力電圧が所定の電位より高い状態にある場合に前記第2の電圧電流変換素子の一端の電位を略一定とすると共に、前記第2の電流を電圧に変換して出力する第2のクランプ回路12Bと、前記第1のクランプ回路12Aからの出力電圧と基準電圧発生回路14Bによって発生される基準電圧とを比較して動作状態信号S1を出力する第1の電圧比較回路11Aと、前記第2のクランプ回路12Bからの出力電圧と前記基準電圧とを比較して動作状態信号S2を出力する第2の電圧比較回路11Bとを備えたことを特徴とする動作状態検出回路が提供される。
【0030】
なお、図5に示す動作状態検出回路においても、基準電圧発生回路14Bによって基準電圧を発生させる場合に、第2のトランジスタQ2のエミッタEあるいはコレクタCにバイアス電流源I t1 ,I t2が接続されることが望ましい。
【0031】
【作用】
図1に示す動作状態検出回路によれば、被検出回路13の動作点Aの動作電圧VAが抵抗素子Rを通して電流Iに変換され、該電流Iがクランプ回路12を通して電圧VCに変換されて、電圧比較回路11に入力される。この際、クランプ回路12の入力電圧(抵抗素子Rの一端(接続点B)の電位VB)は、第1のトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧をVBEとすると、VA>V BE +バイアス電圧(V Bias )の場合に、VB≒V BE +V Bias に固定される。つまり、クランプ回路12の入力電圧VBは、所定の場合(VA>V BE +V Bias )に略一定の電位に固定される。また、抵抗素子Rに流れる電流Iは、I=(VA−VB)/Rと表され、一方、第1のトランジスタQ1のコレクタCに流れる電流をIC、トランジスタQ1の電流増幅率をHFEとすると、IC=(1−1/HFE) ・Iと表され、HFEが十分に大きければ、I=ICとなる。
【0033】
このため、電圧比較回路11の入力部の電圧VCは、VC=IC×r= 〔VA−(VBE+VBias)〕/R ×rとなる。なお、電圧比較回路11の動作電源VCCを越えない範囲に、抵抗素子R,負荷r及びバイアス電圧源VBiasを設定することにより、該電圧VCはVC=(r/R)×VA−Kとなる。但し、Kは定数であり、K=(r/R)×(VBE+VBias)一定である。このことで、VA>VBE+VBiasの範囲内において、被検出回路13の動作点Aに係る動作電圧VAと基準電圧VREF とが比較されて、該被検出回路13の動作状態信号Sが該電圧比較回路11から出力される。
【0034】
これにより、被検出回路13を駆動する動作電源VDDと電圧比較回路11を駆動する該動作電源VCCとの間の関係がVDD>VCCとなった場合であっても、該電圧比較回路11の検出範囲内に入力レベルを押さえ込むことができる。このことから、本発明によれば従来例に比べてモータや電磁リレー等の被検出回路13の動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【0036】
また、図1の構成において、被検出回路13の動作点Aの電圧VAが接続点Bの電圧VBより低くなると、トランジスタQ1が動作しなくなり、VA=VBとなる。
【0037】
このため、図2(a)の形態に示すように、電圧比較回路11の入力レベルを第1のトランジスタQ1のエミッタEから引き出すことにより、VA<VBE+VBiasの範囲内に基づいて、被検出回路13の動作点Aに係る動作電圧VA(この場合、接続点Bの電圧VB)と基準電圧VREF とが比較されて、図1の動作状態検出回路と同様に動作状態信号Sを該電圧比較回路11から出力することが可能となる。
【0038】
これにより、被検出回路13の動作電源VDDと電圧比較回路11の動作電源VCCとの間の関係がVDD>VCCとなった場合であっても、図1の動作状態検出回路と同様に被検出回路13の動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【0040】
また、図2(b)の形態に示すように第1の電圧比較回路 11 A及び第2の電圧比較回路 11 Bを備えた構成によれば、図1の動作状態検出回路によるVA>VBE+VBiasの範囲と、図2(a)の動作状態検出回路によるVA<VBE+VBiasの範囲とに基づいて、被検出回路13の動作点Aに係る動作電圧VAと第1,第2の電圧比較回路11A,11Bのそれぞれの固定電圧源14Aで発生された基準電圧VREF とが比較されて、該被検出回路13の第1,第2の動作状態信号S1,S2が該第1,第2の電圧比較回路11A,11Bから出力される。
【0041】
これにより、動作点Aの動作電圧VAについて、接地線GNDのレベルを零電位GROUDとすると、GROUD≦VA≦VDDの範囲で被検出回路13の動作状態を検出することが可能となる。
【0043】
また、図3に示す形態に係る動作状態検出回路によれば、動作点Aの動作電圧を比較するのに用いる基準電圧V REF を基準電圧発生回路 14 Bによって生成する場合、該基準電圧発生回路 14 Bは第2のトランジスタQ2と抵抗素子R1,R2とによって構成され、かつ、バイアス電流源Itが第1のトランジスタQ1のコレクタCに接続されているので、第1の動作電源VDDの電圧が変動した場合であっても、その差分が検出される。
【0044】
このため、第1のトランジスタQ1の電流増幅率HFEの絶対値のバラツキが基準電圧発生回路14Bの第2のトランジスタQ2の電流増幅率HFEの絶対値のバラツキにより相殺され、電圧比較動作に悪影響を与えない。すなわち、電圧比較回路11の比較基準を設定する閾値電圧は、
〔〔(VA−(VBE+VBias))/R〕+It〕×r
=〔〔VDD−(VBE+VBias)〕/R1〕×R2
となる。
【0045】
このことで、第1,第2のトランジスタQ1,Q2に流れる電流Iが異なって、ベース・エミッタ間の電圧VBEがそれぞれ微妙に相違しないように、各素子をR=R1,r=R2とすることにより、動作電圧は、VA=VDD−It×Rとなる。
【0046】
すなわち、第1の動作電源VDDの電圧よりIt×Rだけ低い電圧が、被検出回路13内の動作点Aの電圧VAの検出レベルとなる。このとき、VDDの電圧が変動すると、それに応じて動作点Aの電圧VAは影響を受ける。一方、動作点Aの電圧VAを比較するのに用いる基準電圧VREF は、被検出回路13と同じ第1の動作電源VDDによって駆動される基準電圧発生回路14Bにより生成されているので、VDDの電圧が変動すると、それに応じて影響を受ける。つまり、動作点Aの電圧VAと基準電圧VREF とは、双方とも同じように影響を受けるため、互いに相殺することが可能となる。このことから、図3(a)に示すように基準電圧発生回路 14 Bにより基準電圧VREF を発生する場合であっても、従来例のようなノイズの影響を受けることなく、被検出回路13の動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【0048】
また、図4に示す形態に係る動作状態検出回路によれば、クランプ回路12と基準電圧発生回路14Bにそれぞれ電流逆流防止素子(第1,第2のダイオードD1,D2)が設けられ、かつ、バイアス電流源Itが第1のトランジスタQ1のエミッタEに接続されているので、第1,第2のトランジスタQ1,Q2を流れる電流Iが電圧比較回路の閾値付近で等しくなり、電圧VBEも等しくなる。
【0049】
これにより、図3の動作状態検出回路に比べて、動作状態検出の精度の向上を図ることが可能となる。
【0051】
また、上記の負荷r及びR2(それぞれ図1(b)及び図3(b)参照)を、図4(b)に示すようにカレントミラー回路15によって構成することにより、クランプ回路12や基準電圧発生回路14Bの負荷rやR2の負荷機能の向上を図ることが可能となる。
【0052】
これにより、動作状態検出回路の半導体集積回路(以下LSIという)装置の簡易化を図ることが可能となる。
【0057】
【実施例】
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をする。図6〜図14は、本発明の各実施例に係る動作状態検出回路を説明する図である。
【0058】
(1)第1の実施例の説明
図6,7は、本発明の第1の実施例に係る動作状態検出回路の説明であり、図6はその構成図を示している。
【0059】
例えば、ソレノイドL,MOSトランジスタTrの断線や駆動回路1Aの動作不良等を含めた被検出回路13の動作状態をMPU2において認識するような場合に適用可能な動作状態検出回路は、図6において、電圧電流変換抵抗R,比較器21,クランプ回路22及び基準電圧発生源24Aから成る。
【0060】
すなわち、電圧電流変換抵抗Rは動作点Aとクランプ回路22との間に接続され、ソレノイドLとMOSトランジスタTrとの接続点(動作点)の動作電圧VAを電流Iに変換するものである。ここで、ソレノイドLの動作電源(以下外部駆動電源ともいう)VDDを比較器21の駆動電源(以下比較用駆動電源ともいう)VCC=5〔V〕よりも高い,例えば、DC30〔V〕で駆動するものとする。
【0061】
また、比較器21は電圧比較回路11の一実施例であり、被検出回路13の動作点Aに係る動作電圧VAと基準電圧VREF とを比較して該被検出回路13の動作状態信号Sを出力するものである。なお、従来例では外部駆動電源VDDと比較用駆動電源VCC=DC5〔V〕との間の関係がVDD>VCCとなって、該比較器21の検出範囲を越え、その動作状態を検出することができなかった。しかし、本発明の動作状態検出回路によりそれが検出可能となる。
【0062】
クランプ回路22は入力レベル規定回路12の一実施例であり、pnp型のバイポーラトランジスタQ1,バイアス電圧源VBias及び負荷rから成る。pnp型のバイポーラトランジスタQ1は第1のトランジスタの一例であり、そのエミッタEが電圧電流変換用抵抗Rの他の一端に接続され、そのベースBがバイアス電圧源VBiasに接続され、そのコレクタCが負荷rの一例となる負荷抵抗rに接続されている。また、第1のトランジスタQ1のコレクタ(接続点C)Cが比較器21に接続される。
【0063】
なお、バイアス電圧源VBiasは第1のトランジスタQ1のベースBに一定のバイアス電圧を供給するものである。また、クランプ回路22の機能については図7において詳述する。
【0064】
さらに、基準電圧発生源24Aは固定電圧源14Aの一実施例であり、基準電圧VREF を比較器21に供給するものである。
【0065】
図7(a)〜(d)は各実施例に係るクランプ回路の動作説明図であり、同図(a)は、その回路図,同図(b)〜(d)はその電流−電圧特性図をそれぞれ示している。
【0066】
図7(a)において、電流電圧変換用抵抗Rとクランプ回路22の接続点Bの電位(以下クランプ電圧ともいう)VBは、図7(a)に示すように第1のトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧をVBEとすると、VB=VBE+バイアス電圧源VBiasに固定される。
【0067】
また、該抵抗Rに流れる電流Iは、図7(c)に示すように被検出回路13の動作点Aの動作電圧をVAとすると、I=(VA−VB)/Rである。一方、第1のトランジスタQ1の電流増幅率をHFEとすると、該トランジスタQ1のコレクタCに流れる電流ICは、IC=〔1−(1/HFE) 〕・Iとなり、HFEが十分大きければIC=Iとなる。
【0068】
従って、第1の実施例では図7(a)に示すように、第1のトランジスタQ1のコレクタ(接続点C)Cの電圧VCが比較器21に入力される。また、同図(d)に示すように、該電圧VCがIC×r=〔〔VA−(VBE+VBias)〕/R〕×rとなる。
【0069】
また、電流電圧変換用抵抗R,負荷抵抗r及びバイアス電圧源VBiasは、比較器21の動作電源VCCを越えない範囲で設定をする。
【0070】
このようにして、本発明の第1の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図6に示すように被検出回路13の動作点Aと比較器21との間に電圧電流変換抵抗R及びクランプ回路22が設けられている。
【0071】
このため、電圧電流変換抵抗Rの一端のレベルがクランプ回路22により規定され、動作点Aと比較器21との間に接続された該変換抵抗Rにより、動作電圧VAが電流Iに変換される。この際に、図7(a)に示すように該抵抗Rとクランプ回路22の接続点Bの電位(以下クランプ電圧ともいう)VBは、図7(b)に示すように第1のトランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧をVBEとすると、VB=VBE+バイアス電圧源VBiasに固定される。また、該抵抗Rに流れる電流Iは、図7(c)に示すようにI=(VA−VB)/Rであり、さらに、第1のトランジスタQ1のコレクタCに流れる電流ICは、IC=〔1−(1/HFE) 〕・Iとなる。ここで、該第1のトランジスタQ1の電流増幅率HFEが十分に大きければ、I=ICとなる。
【0072】
このことから、比較器21の入力部の電圧VCは、図7(d)に示すようにVC=IC×r=〔〔VA−(VBE+VBias)〕/R〕×rとなる。なお、該比較器21の動作電源VCCを越えない範囲に、抵抗R,負荷抵抗r及びバイアス電圧源VBiasを設定することにより、該電圧VCはVC=(r/R)×VA−Kとなる。但し、Kは定数であり、K=(r/R)×(VBE+VBias)一定である。このことで、VA>VBE+VBiasの範囲内において、被検出回路13の動作点Aに係る動作電圧VAと基準電圧VREF とが比較されて、該被検出回路13の動作状態信号Sが該比較器21からMPU2等に出力される。
【0073】
これにより、被検出回路13を駆動する外部駆動電源VDDと比較器21を駆動する比較用駆動電源VCCとの間の関係がVDD>VCCとなった場合であっても、入力インピーダンスを低く押さえること,及び、入力レベルを該比較器21の検出範囲内に押さえ込むことができる。このことから、本発明によれば従来例に比べてモータや電磁リレー等の被検出回路13の動作状態を精度良くMPU2において検出することが可能となる。
【0074】
(2)第2の実施例の説明
図8は、本発明の第2の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示している。
【0075】
図8において、第1の実施例と異なるは第2の実施例では比較器21が第1のトランジスタQ1のエミッタEに接続されるものである。
【0076】
すなわち、第2の実施例では図7(a)で説明したように、第1のトランジスタQ1のエミッタ(接続点B)Eの電圧VBが比較器21に入力される。
【0077】
なお、第1の実施例と同じ符号のものは同じ機能を有するため説明を省略する。
【0078】
このようにして、本発明の第2の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図8に示すように第1のトランジスタQ1のエミッタEに接続された比較器21が設けられている。
【0079】
このため、被検出回路13の動作点Aの電圧VAが接続点Bの電圧VBより低くなると、トランジスタQ1が動作しなくなり、図7(b)のようにVA=VBとなる。
【0080】
このことから、比較器21の入力レベルを第1のトランジスタQ1のエミッタEから引き出すことにより、VA<VBE+VBiasの範囲内に基づいて、被検出回路13の動作点Aに係る動作電圧VAと基準電圧VREF とが比較されて、第1の動作状態検出回路と同様に該電圧比較回路11からMPU2に動作状態信号Sを出力することが可能となる。
【0081】
これにより、被検出回路13の外部駆動電源VDDと比較器21の比較用駆動電源VCCとの間の関係がVDD>VCCとなった場合であっても、第1の動作状態検出回路と同様に被検出回路13の動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【0082】
(3)第3の実施例の説明
図9は、本発明の第3の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示している。
【0083】
図9において、第1,2の実施例と異なるは第3の実施例では、第1,第2の比較器21A,21Bが設けられるものである。
【0084】
すなわち、第1の比較器21Aは第1の電圧比較回路11Aの一実施例であり、接続点Bの電圧VBと基準電圧VREF とを比較して第1の動作状態信号S1を出力するものである。なお、第1の比較器21Aの入力部が第1のトランジスタQ1のエミッタEに接続される。
【0085】
第2の比較器21Bは第2の電圧比較回路11Bの一実施例であり、接続点Cの電圧VCと基準電圧VREF とを比較して第2の動作状態信号S2を出力するものである。なお、第2の比較器21Bの入力部が第1のトランジスタQ1のコレクタCに接続される。また、第1の実施例と同じ符号のものは同じ機能を有するため説明を省略する。
【0086】
このようにして、本発明の第3の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図9に示すように第1のトランジスタQ1のエミッタEに接続された第1の比較器21Aと、第1のトランジスタQ1のコレクタCに接続された第2の比較器21Bとが設けられている。
【0087】
このため、第1の実施例に係る動作状態検出回路によるVA>VBE+VBiasの検出範囲と、第2の実施例に係る動作状態検出回路によるVA<VBE+VBiasの検出範囲内とに基づいて、被検出回路13の動作点Aに係る動作電圧VAと第1,第2の比較器21A,21Bのそれぞれの基準電圧発生源24Aで発生された基準電圧VREF とが比較される。このことで、該被検出回路13の第1,第2の動作状態信号S1,S2が該第1,第2の比較器21A,21BからMPU2等に出力される。
【0088】
これにより、動作点Aの動作電圧VAについて、接地線GNDのレベルを零電位GROUDとすれば、GROUD≦VA≦VDDの範囲で被検出回路13の動作状態を検出することが可能となる。
【0089】
(4)第4の実施例の説明
図10は、本発明の第4の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示している。
【0090】
図10において、第1,2及び3の実施例と異なるは第4の実施例では、基準電圧VREF を発生する基準電圧発生回路24Bが設けられるものである。
【0091】
すなわち、基準電圧発生回路24Bは基準電圧発生回路14Bの一実施例であり、pnp型のバイポーラトランジスタQ2及び電圧電流変換素子,負荷抵抗R1,R2から成る。pnp型のバイポーラトランジスタQ2は、第2のトランジスタの一例であり、そのエミッタEが第1の抵抗R1の一端に接続され、そのベースBが第1のトランジスタQ1のベースBに接続される。また、そのコレクタCが第2の抵抗R2の一端に接続され、かつ、比較器21の基準電圧入力部に接続される。さらに、第1の抵抗R1の他の一端が被検出回路13を駆動する外部駆動電源VDDに接続される。
【0092】
なお、バイアス電流源Itは比較動作を行う閾値電圧を生成するものであり、基準電圧VREF が基準電圧発生回路24Bにより発生される場合に設けられるものである。また、該電流源Itは第1のトランジスタQ1のコレクタCに接続される。
【0093】
このようにして、本発明の第4の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図10に示すように基準電圧発生回路24Bにより基準電圧VREF が発生され、該基準電圧発生回路24Bが第2のトランジスタQ2及び第1,第2の抵抗R1,R2から成っている。
【0094】
このため、図10に示すように外部駆動電源VDDが変動した場合であっても、その差分が基準電圧発生回路24Bにより検出される。このことで、第1のトランジスタQ1の電流増幅率HFEの絶対値のバラツキが基準電圧発生回路24Bの第2のトランジスタQ2の電流増幅率HFEの絶対値のバラツキにより相殺され、電圧比較動作に悪影響を与えない。すなわち、比較器21の比較基準を設定する閾値電圧は、
〔〔VA−(VBE+VBias)〕/R+It〕×r
=〔〔VDD−(VBE+VBias)〕/R1〕×R2
となる。
【0095】
このことで、各素子R=R1,r=R2とすることにより動作電圧は、VA=VDD−It×Rとなる。
【0096】
これにより、外部駆動電源VDDからIt×Rだけ低い電圧が動作点Aの電圧VAの検出レベルとなり、該外部駆動電源VDDが変動した場合であっても、比較器21への基準電圧VREF の変動の影響を相殺することが可能となる。このことから、図6〜9に示した基準電圧発生源24Aのような固定電圧源14Aに代えて基準電圧発生回路24Bにより基準電圧VREF を発生する場合であっても、従来例のようなノイズの影響を受けることなく、被検出回路13の動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【0097】
(5)第5の実施例の説明
図11は、本発明の第5の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示している。
【0098】
図11において、第1,2,3及び4の実施例と異なるは第5の実施例では、第1,第2のダイオードD1,D2が設けられ、バイアス電流源ItがトランジスタQ1のエミッタEに接続されるものである。
【0099】
すなわち、第1のダイオードD1は第1の電流逆流防止素子D1の一実施例であり、バイアス電流源Itの逆流電流を阻止してそれを保護するものである。なお、第1のダイオードD1が第1のトランジスタQ1のエミッタEと電流電圧変換抵抗Rとの間に接続される。
【0100】
第2のダイオードD2は第2の電流逆流防止素子D2の一実施例であり、クランプ回路22とのバランスを採るためのものである。また、第2のダイオードD2が第2のトランジスタQ2のエミッタEと第1の抵抗R1との間に接続される。なお、電流源Itが第1のトランジスタQ1のエミッタEに接続され、第4の実施例と同様に閾値電圧を生成するものである。これは、基準電圧VREF が基準電圧発生回路24Bにより発生される場合に設けられるものである。また、第1の実施例と同じ符号のものは同じ機能を有するため説明を省略する。
【0101】
このようにして、本発明の第5の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図11に示すようにクランプ回路22や基準電圧発生回路24Bに第1,第2のダイオードD1,D2が設けられている。
【0102】
これにより、第4の実施例に係る動作状態検出回路に比べて、動作状態検出の精度の向上を図ることが可能となる。
【0103】
(6)第6の実施例の説明
図12は、本発明の第6の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示している。
【0104】
図12において、第1,2,3,4及び5の実施例と異なるは第6の実施例では、負荷抵抗r,R2がカレントミラー回路15から成ることを特徴とする。また、電圧比較回路が簡素化されるものである。
【0105】
すなわち、カレントミラー回路15は第3,4のトランジスタQ3,Q4から成り、該トランジスタQ3のコレクタCがクランプ回路の第1のトランジスタQ1のコレクタCに接続され、かつ、該トランジスタQ3のベースBに接続される。また、そのベースBが第4のトランジスタQ4のベースBに接続され、そのエミッタEが接地線GNDに接続される。なお、第4のトランジスタQ4のコレクタCが基準電圧発生回路24Bの第2のトランジスタQ2のコレクタCに接続され、、そのエミッタEが接地線GNDに接続される。
【0106】
また、出力バッファ21Cは第5のトランジスタQ5及び負荷抵抗R3から成り、被検出回路13に係る動作状態信号S3を出力するものである。該トランジスタQ5のベースBはカレントミラー回路15の第4のトランジスタQ4のコレクタCに接続される。なお、該トランジスタQ5のコレクタCが負荷抵抗R3を介して比較用駆動電源VCCに接続され、そのエミッタEが接地線GNDに接続される。
【0107】
このようにして、本発明の第6の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図12に示すように第5の実施例のような負荷抵抗r,R2がカレントミラー回路15から成っている。
【0108】
このため、クランプ回路22や基準電圧発生回路24Bの負荷抵抗r及び負荷抵抗R2の負荷機能に比べて、カレントミラー回路15により電圧電流変換抵抗RやR1を流れる電流が検出されることから、その機能向上を図ること,及び第1〜5の実施例の比較器21に比べて動作状態信号S3を出力する出力バッファ21Cの簡素化を図ることが可能となる。
【0109】
これにより、動作状態検出回路のLSI装置の容易化を図ることが可能となる。
【0110】
(7)第7の実施例の説明
図13は、本発明の第7の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示している。
【0111】
図13において、第1,2,3,4,5及び6の実施例と異なるは第7の実施例では、二以上の被検出回路13A,13Bの各動作点A1,A2の動作状態を検出する場合であって、第1〜第5の実施例に係る動作状態検出回路が組み合わされるものである。
【0112】
例えば、ソレノイドL1,L2,MOSトランジスタTr1,Tr2の断線不良等を含めた被検出回路13A,13Bの動作状態をMPU2において個々に認識するような場合に適用可能な動作状態検回路は、図13において、電圧電流変換抵抗R101 ,R102 ,第1,第2の比較器21A,21B,第1,第2のクランプ回路22A,22B,バイアス電圧源VBias,基準電圧発生源24A,第1〜第3のダイオードD11,D12,D3及び第1,第2のバイアス電流源It1,It2から成る。
【0113】
また、第1のクランプ回路22Aは、第1の被検出回路13Aの動作点A1に係る動作電圧VA1をクランプするトランジスタQ11及び第1の負荷抵抗r1から成る。さらに、第2のクランプ回路22Bは、第2の被検出回路13Bの動作点A2に係る動作電圧VA2をクランプするトランジスタQ12及び第2の負荷抵抗r2から成る。なお、第1〜5の実施例と同じ符号のものは同じ機能を有するため説明を省略する。
【0114】
このようにして、本発明の第7の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図13に示すように二以上の被検出回路13A,13Bの各動作点A1,A2の動作状態を検出する場合であって、第1〜第5の動作状態検出回路が組み合わされている。
【0115】
例えば、基準電圧発生回路24Bにより基準電圧VREF を発生させる場合であって、第5の動作状態検出回路のような第1,第2のダイオードD1,D2やトランジスタQ11やQ12の各エミッタEにバイアス電流源It1,It2が接続される。
【0116】
このため、被検出回路13A,13Bの外部駆動電源VDDが当該第1,第2の比較器21Aや21Bの比較用駆動電源VCCよりも高い場合であっても、かつ、該被検出回路13A,13Bの外部駆動電源VDDに変動が生じた場合であっても、その動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【0117】
これにより、当該動作状態検出回路の検出精度が向上が図られ、モータや電磁リレー等を駆動制御する電子制御システムの信頼性の向上を図ることが可能となる。
【0118】
(8)第8の実施例の説明
図14は、本発明の第8の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示している。
【0119】
図14において、第1,2,3,4,5,6及び7の実施例と異なるは第8の実施例では、二以上の被検出回路13A,13Bの各動作点A1,A2の動作状態を検出する場合であって、第7の実施例に係る動作状態検出回路のような第1〜第3のダイオードD11,D12,D3に代わって、バイアス電流源Itが設けられるものである。
【0120】
すなわち、第7の実施例に係る動作状態検出回路のように、基準電圧発生回路24Bにより基準電圧VREF を発生させる場合に、該発生回路24Bの第2のトランジスタQ2のエミッタEにバイアス電流源Itが接続されるものである。なお、バイアス電流源Itの機能は、比較動作を行うための閾値電圧を生成するものである。
【0121】
また、第1〜7の実施例と同じ符号のものは同じ機能を有するため説明を省略する。
【0122】
このようにして、本発明の第8の実施例に係る動作状態検出回路によれば、図14に示すように二以上の被検出回路13A,13Bの各動作点A1,A2の動作状態を検出する場合であって、基準電圧発生回路24Bの第2のトランジスタQ2のエミッタEにバイアス電流源Itが接続されている。
【0123】
このため、他の発明の動作状態検出回路に比べてバイアス電流源Itの設置数を一つにすること,及び第1〜第3のダイオードD11,D12,D3を不要とすることができる。また、閾値電圧を設定するバイアス電流源Itが一箇所のため被検出回路13A,13Bの間の動作状態検出誤差が少なくなる。該被検出回路13A,13Bの外部駆動電源VDDが当該第1,第2の比較器21Aや21Bの比較用駆動電源VCCよりも高い場合であっても、かつ、該被検出回路13A,13Bの外部駆動電源VDDに変動が生じた場合であっても、第7の実施例と同様にその動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【0124】
これにより、動作状態検出回路の検出精度が向上が図られ、モータや電磁リレー等を駆動制御する電子制御システムの信頼性の向上を図ることが可能となる。
【0125】
なお、本発明の第1〜8の実施例では各トランジスタQ1,Q2,Q11,Q12がpnp型のバイポーラトランジスタの場合について説明をしたが、それ等をnpn型のバイポーラトランジスタにより構成することにより、比較器21,21A,21Bの動作電源VCCより低い範囲における被検出回路13の動作電圧を検出することが可能となる。
【0126】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第1〜第8の動作状態検出回路によれば、被検出回路の動作点と電圧比較回路との間に変換素子及びクランプ回路が設けられている。
【0127】
このため、被検出回路の外部駆動電源が電圧比較回路の比較用駆動電源よりも高くなった場合であっても、該被検出回路の動作点に係る動作電圧と基準電圧とが比較されて、その動作状態信号を出力することが可能となる。
【0128】
また、本発明の動作状態検出回路によれば、固定電圧源又は基準電圧発生回路により基準電圧が発生されている。
【0129】
このため、被検出回路の外部駆動電源が変動した場合であっても、その差分が基準電圧発生回路により検出されることで、クランプ回路の動作のバラツキを基準電圧発生回路の動作バラツキにより相殺することが可能となる。また、クランプ回路の入力インピーダンスが低いためノイズ等の影響受けにくく、電圧比較回路において高精度の電圧比較動作を実行することが可能となる。
【0130】
これにより、動作状態検出回路の検出精度の向上が図られ、モータや電磁リレー等を駆動制御する電子制御システムの信頼性の向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る動作状態検出回路の原理図(その1)である。
【図2】本発明に係る動作状態検出回路の原理図(その2)である。
【図3】本発明に係る動作状態検出回路の原理図(その3)である。
【図4】本発明に係る動作状態検出回路の原理図(その4)である。
【図5】本発明に係る動作状態検出回路の原理図(その5)である。
【図6】本発明の第1の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図7】本発明の各実施例に係るクランプ回路の動作説明図である。
【図8】本発明の第2の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図9】本発明の第3の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図10】本発明の第4の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図11】本発明の第5の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図12】本発明の第6の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図13】本発明の第7の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図14】本発明の第8の実施例に係る動作状態検出回路の構成図である。
【図15】従来例に係る動作状態検出回路の説明図である。
【図16】従来例に係る問題点を説明する回路構成図である。
【符号の説明】
11,11A,11B…電圧比較回路、
12,12A,12B…クランプ回路、
14 A, 14 B…基準電圧源(基準電圧発生回路)、
15…カレントミラー回路、
R,R1…電圧電流変換素子(抵抗素子)、
r,R2…負荷(抵抗素子)、
Q1,Q2…トランジスタ、
D1,D2…電流逆流防止素子(ダイオード)、
VREF …基準電圧、
VBias…バイアス電圧源、
It,I t1 ,I t2 …バイアス電流源、
V DD ,V CC …動作電源、
S,S1,S2…動作状態信号。
Claims (10)
- 被検出回路の動作状態を検出する回路であって、
前記被検出回路の出力電圧を電流に変換する第1の電圧電流変換素子と、
前記被検出回路の出力電圧が所定の電位より高い状態にある場合に前記第1の電圧電流変換素子の一端の電位を略一定とすると共に、前記電流を電圧に変換して出力するクランプ回路と、
該クランプ回路からの出力電圧と基準電圧とを比較して動作状態信号を出力する電圧比較回路とを備えたことを特徴とする動作状態検出回路。 - 前記第1の電圧電流変換素子は、抵抗素子であることを特徴とする請求項1に記載の動作状態検出回路。
- 前記クランプ回路は、エミッタが前記第1の電圧電流変換素子の一端に接続され、コレクタが第1の負荷に接続され、ベースがバイアス電圧源に接続された第1のトランジスタを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の動作状態検出回路。
- 前記電圧比較回路は、前記第1のトランジスタのエミッタに現れる電圧と基準電圧とを比較して第1の動作状態信号を出力する第1の電圧比較回路と、前記第1のトランジスタのコレクタに現れる電圧と基準電圧とを比較して第2の動作状態信号を出力する第2の電圧比較回路とを有することを特徴とする請求項3に記載の動作状態検出回路。
- 前記基準電圧は、基準電圧発生回路によって生成されることを特徴とする請求項3に記載の動作状態検出回路。
- 前記基準電圧発生回路は、ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続され、エミッタが第2の電圧電流変換素子に接続され、コレクタが第2の負荷に接続された第2のトランジスタを有し、前記第2の電圧電流変換素子が、前記被検出回路の動作電源の電圧を電流に変換して前記第2のトランジスタのエミッタに供給するものであることを特徴とする請求項5に記載の動作状態検出回路。
- 前記第1の電圧電流変換素子と前記第1のトランジスタのエミッタとの間に接続された第1の電流逆流防止素子と、前記第2のトランジスタのエミッタと前記第2の電圧電流変換素子との間に接続された第2の電流逆流防止素子とを有することを特徴とする請求項6に記載の動作状態検出回路。
- 第1、第2の各被検出回路の動作状態を検出する回路であって、
前記第1の被検出回路の出力電圧を第1の電流に変換する第1の電圧電流変換素子と、
前記第2の被検出回路の出力電圧を第2の電流に変換する第2の電圧電流変換素子と、
前記第1の被検出回路の出力電圧が所定の電位より高い状態にある場合に前記第1の電圧電流変換素子の一端の電位を略一定とすると共に、前記第1の電流を電圧に変換して出力する第1のクランプ回路と、
前記第2の被検出回路の出力電圧が所定の電位より高い状態にある場合に前記第2の電圧電流変換素子の一端の電位を略一定とすると共に、前記第2の電流を電圧に変換して出力する第2のクランプ回路と、
前記第1のクランプ回路からの出力電圧と基準電圧とを比較して動作状態信号を出力する第1の電圧比較回路と、
前記第2のクランプ回路からの出力電圧と前記基準電圧とを比較して動作状態信号を出力する第2の電圧比較回路とを備えたことを特徴とする動作状態検出回路。 - 被検出回路の動作状態を検出する回路であって、
前記被検出回路の出力電圧を電流に変換する第1の電圧電流変換素子と、
前記被検出回路の動作電源の電圧を電流に変換する第2の電圧電流変換素子と、
エミッタが前記第1の電圧電流変換素子の一端に接続され、ベースがバイアス電圧源に接続された第1のトランジスタと、
エミッタが前記第2の電圧電流変換素子の一端に接続され、ベースが前記バイアス電圧源に接続された第2のトランジスタと、
前記第1及び第2のトランジスタの各コレクタに接続され、前記第2のトランジスタに 流れる電流を前記第1のトランジスタに流れる電流と等しくなるよう制御するカレントミラー回路と、
前記第2のトランジスタに流れる電流を検出して動作状態信号を出力する出力バッファとを備えたことを特徴とする動作状態検出回路。 - 前記第1の電圧電流変換素子と前記第1のトランジスタのエミッタとの間に接続された第1の電流逆流防止素子と、前記第2の電圧電流変換素子と前記第2のトランジスタのエミッタとの間に接続された第2の電流逆流防止素子とを有することを特徴とする請求項9に記載の動作状態検出回路。
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