KR100537668B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

암모니아 및 산화제를 함유하는 전처리(前處理)액과 기체가 혼합되어 생성된 액적을 기판의 표면에 충돌시키는 전처리부(68)와, 기판의 표면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급부(7)를 구비한 기판처리장치. 산화제는, 예를 들면, 과산화수소수이다. 전처리부(68)는, 전처리액의 액적을 생성하고, 상기 액적을 기판의 표면에 분사하는 2유체노즐이라도 좋다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Substrate Processing Apparatus and Substrate Processing Method}
본 발명은, 반도체 기판 등의 피처리 기판의 표면을 세정하기 위한 기판처리장치 및 기판처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다.)의 표면에는 입자모양의 파티클(particle)이나 각종 금속 오염물질이 부착한다. 이 때문에, 적당한 단계에서 웨이퍼의 표면을 세정할 필요가 있다. 웨이퍼의 세정방법으로서는, 다수매의 웨이퍼를 한번에 세정액 속에 침지하여 처리하는 다수매 배치(batch)식의 방법과, 1매씩 웨이퍼를 회전시켜, 웨이퍼 표면에 세정액을 공급하여 처리하는 낱매식 방법이 있다. 낱매식의 세정방법은, 다수매 배치식의 세정방법과, 비교하여 웨이퍼 1매당의 세정에 필요로 하는 시간이 길다고 하는 결점이 있으나, 처리상의 이점으로부터 채용될 수 있다.
이 때문에, 낱매식에 알맞은 세정방법이 개발되어 있으며, 예를 들면, 일본 특개평 10 - 256211호 공보에는, 세정액으로서 오존수 및 희석된 불산을 사용하는 방법이 개시되어 있다. 상기 선행기술에 의하면, 먼저, 웨이퍼 표면에 오존수가 공급되어 웨이퍼 표면이 산화된다. 다음에, 웨이퍼 표면에 희불산이 공급되어, 웨이퍼 표면의 산화층만이 선택적으로 에칭된다. 이에 따라, 산화층과 함께 웨이퍼 표면에 부착된 금속 오염물질(금속부착물)이 제거된다. 또한 파티클을 지지하고 있던 웨이퍼 표면의 층이 없어지는 것에 의해, 파티클도 제거(lifted off)된다.
그런데, 상기의 선행기술에서는 웨이퍼 표면의 에칭량이 많게 된다(예를 들면, 에칭두께가 20Å)고 하는 문제가 있었다. 즉, 상기의 방법에서는, 파티클이나 금속부착물을 제거하기 위하여, 웨이퍼 표면을 두껍게 에칭하지 않으면 안 되었다.
본 발명의 목적은, 기판의 에칭량을 적게 할 수 있는 낱매식의 기판처리장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 단시간에 기판의 표면을 세정할 수 있는 낱매식의 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 기판의 에칭량을 적게할 수 있는 낱매식의 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 단시간에 기판 표면을 세정할 수 있는 낱매식의 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 기판처리장치는, 암모니아 및 산화제를 함유하는 전(前)처리액과 기체(氣體)가 혼합되어 생성된 액적을 기판의 표면에 충돌시키는 전처리부와, 상기 기판의 표면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급부를 포함하는 기판처리장치이다.
본 발명에 의하면, 전처리액의 액적이 기판에 충돌할 때의 운동에너지에 의해, 기판표면에 부착된 파티클을 물리적으로 제거할 수 있다. 한 번 기판표면으로부터 떨어진 파티클은, 제타(zeta) 전위에 의한 반발력에 의해 기판에 다시 부착하는 것이 화학적으로 방지된다. 더욱이, 전처리액은 액적 상태로 공급되므로, 기판 자체에 과도한 힘이 가해지는 경우는 없다. 따라서, 처리되는 기판이, 예를 들면 표면에 패턴 형성된 반도체 기판인 경우에도, 패턴이 손상되는 경우는 없다. 더욱이, 이와 같은 물리적, 화학적인 방법에 의해, 파티클을 단시간에 제거할 수 있다.
더욱이, 암모니아를 함유하는 전처리액을 사용하는 것에 의해, 기판 표면의 금속부착물을 구성하는 동(Cu)을 암민(ammine) 착체(錯體)로서 용해할 수 있다. 암모니아는, 전처리액 중에 암모니아수(NH4OH)로서 존재하고 있어도 좋다.
전처리액은, 에칭에 앞서 기판표면을 에칭에 적합한 상태로 할 수 있다.(전처리) 예를 들면, 기판이 반도체(예를 들면, 실리콘) 기판인 경우, 암모니아 및 산화제를 함유하는 혼합용액으로 이루어지는 전처리액을 사용함으로써, 기판의 표면을 산화시킬 수 있다.
전처리 후, 반도체 기판에 대하여, 표면의 산화층 만을 선택적으로 용해할 수 있는 에칭액을 사용하는 것에 의해, 기판의 표면을 양호하게 에칭(에칭처리)하여 금속부착물 등을 제거할 수 있다. 그 때, 이미 파티클은 제거되어 있으므로, 기판 표면을 얇게 에칭하는 것 만으로 충분하다. 따라서, 기판의 에칭량을 적게할 수 있다.
상기 기판처리장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 기판유지 회전기구를 더 포함하여도 좋다. 기판을 회전시킴으로써, 전처리 및 에칭처리를 기판 표면에 대하여 균일하게 실시할 수 있다. 또한, 상기 기판처리장치는, 기판에 순수(純水)를 공급하는 순수공급기구를 더 포함하여도 좋다. 이 경우, 에칭처리 후나, 전처리와 에칭처리 사이에, 기판 표면에 순수를 공급하여 세정(순수 세정)할 수 있다.
산화제는, 예를 들면, 과산화수소수로 할 수 있다.
상기 전처리액은, 물을 더 함유하는 혼합용액으로 되어 있어도 좋다. 이와 같은 조성의 전처리액을 사용하는 것에 의해, 예를 들면, 기판이 반도체(예를 들면, 실리콘)기판인 경우, 기판의 표면을 산화시킬 수 있다. 그 후, 기판 표면의 산화층을 에칭액으로 제거하는 것에 의해, 금속부착물을 양호하게 제거할 수 있다. 즉, 전처리액에 의해, 에칭에 앞서 기판 표면을 에칭에 적합한 상태로 할 수 있다.
전처리액은, 암모니아수, 과산화수소수(H2O2), 및 물(H2O)의 폭 넓은 혼합비를 가진 것으로도 효과가 인정되지만, 체적비율로 물 5에 대하여, 암모니아수가 0.05 ∼ 1, 과산화수소수가 0.1 ∼ 1 로 하는 것이 바람직하다.
상기 산화제는, 오존수라도 좋다. 이와 같은 조성의 전처리액에 의해서도, 예를 들면, 기판이 반도체(예를 들면, 실리콘) 기판인 경우, 기판의 표면을 산화시킬 수 있다. 그 후, 기판 표면의 산화층을 에칭액으로 제거하는 것에 의해, 금속부착물을 양호하게 제거할 수 있다.
전처리액은, 암모니아수 및 오존수의 폭 넓은 혼합비를 가진 것으로도 효과를 인정할 수 있으나, 체적비율로 암모니아수 1에 대하여, 오존농도가 5 ∼ 30 ppm인 오존수를 5 ∼ 50의 비율로 혼합한 것으로 하는 것이 바람직하다.
전처리액의 약액(藥液) 성분의 농도는, 전처리액을 사용할 때의 용액온도에 따라 적당한 값으로 설정할 수 있다. 구체적으로는, 전처리액을 고온(예를 들면, 50 ∼ 80℃)에서 사용할 때는, 약액 성분의 농도를 낮게 할 수 있고, 전처리액을 저온(예를 들면, 상온 부근)에서 사용할 때는, 약액 성분의 농도를 높게 할 수 있다.
예를 들면, 약액 성분이 암모니아 및 과산화수소수인 경우, 상온(20 ∼ 28℃)에서 사용할 때, 전처리액의 조성은, 예를 들면, 암모니아수, 과산화수소수, 및 물을 체적비율로, 대략 1 : 1 : 5로 혼합한 것으로 할 수 있다. 상기 조성의 전처리액을 보다 고온에서 사용할 때는, 암모니아 및 과산화수소수의 농도를 보다 낮게 할 수 있다.
이와 같은 조성의 전처리액을 사용하는 것에 의해, 반도체 기판의 표면을 알맞게 산화 시킬 수 있음과 동시에, 상술한 제타 전위에 의한 반발력이 알맞게 얻어져 에칭처리시의 높은 금속부착물 제거성능이 얻어진다. 전처리는, 단시간(수십초)에 행할 수 있으므로, 전처리액에 의한 기판의 에칭량은 무시할 수 있을 정도로 작게 된다.
상기 전처리부는, 전처리액을 토출(吐出)하는 전처리액 토출부와, 상기 전처리액 토출부에 근접하게 배치되어 기체를 토출하는 기체 토출부를 포함하고, 상기 전처리액 토출부로부터 토출되는 전처리액에 상기 기체 토출부로부터 토출되는 기체를 내뿜어 전처리액의 액적을 생성하며, 상기 액적을 기판의 표면으로 분사하는 2유체노즐을 포함하는 것이 바람직하다.
전처리액을 전처리액 토출부로부터 토출시키고, 기체 토출부로부터 압축공기나 질소(N2)가스 등의 불활성 가스의 고압가스를 토출시켜, 토출된 전처리액에 횡방향으로부터 고압가스를 내뿜는 것에 의해, 전처리액을 미세한 액적으로 만들 수 있다. 고압가스의 압력을 조정함으로써, 전처리액의 액적의 크기나, 기판에 대한 충돌속도를 제어할 수 있다. 2유체노즐은, 개방된 공간에서 액체에 기체를 내뿜어 액적을 생성하는 것(외부혼합)이어도 좋고, 토출용 노즐 내에서 액체에 기체를 내뿜어 액적을 생성하고 토출용 노즐로부터 액적을 토출시키는 것(내부혼합)이어도 좋다.
에칭액은, 불산(HF) 및 염산(HCl)을 함유하는 혼합용액으로 할 수 있다. 불산에 부가하여 염산을 병용함으로써, 금속부착물의 용해력이 향상되고 약간의 에칭량으로 금속부착물을 제거할 수 있으므로, 기판 표면의 에칭량을 작게(예를 들면, 에칭두께가 2Å)할 수가 있다. 이와 같은 에칭액은, 용액온도가 상온부근(20 ∼ 28℃)이라도, 금속부착물에 대한 용해력은 충분히 크다.
에칭액을 이와 같은 조성으로하고, 전처리액을 상술한 바와 같은 조성으로 하는 것에 의해, 파티클의 제거로부터 금속부착물의 제거에 이르기까지의 세정처리를, 단시간에 행할 수 있다.
본 발명의 기판처리 방법은, 암모니아 및 산화제를 함유하는 전처리액과 기체가 혼합되어 생성된 액적을 기판의 표면에 충돌시키는 전처리공정과, 상기 전처리공정 후, 상기 기판의 표면에 에칭액을 공급하는 공정을 포함한다.
상기 전처리액 및 상기 에칭액의 온도는, 20 ∼ 28℃인 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 전처리액 및 에칭액은, 용액온도가 20 ∼ 28℃ 라도 충분히 소기의 작용을 수행할 수 있다. 즉, 가열하는 등 과 같이 용액온도를 조정할 필요가 없으므로, 기판처리를 용이하게 할 수 있다. 전처리액 및 상기 에칭액의 온도는, 바람직하게는 20 ∼ 25℃로 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상술한, 또는 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부도면을 참조하여 다음에 설명하는 실시형태의 설명에 의해 명백하게 된다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태 에 관한 기판처리장치(1)의 구성을 나타내는 도해적인 단면도이며, 전처리를 할 때의 상태를 나타내고 있다.
상기 기판처리장치(1)는, 실리콘으로 이루어진 반도체 웨이퍼(W, 이하, 단순히 「웨이퍼 W」라고 한다.)의 표면을 세정하기 위한 것이며, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전하는 스핀베이스(10, spin base)와, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)에 전처리액의 액적을 공급하는 2유체노즐(68)과, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)에 에칭액 등의 처리액을 공급하는 처리액 공급부(7)와, 스핀베이스(10)에 유지되어 회전하는 웨이퍼(W)로부터 뿌리쳐진(spun off) 처리액(전처리액, 에칭액, 물 등)을 받아 들이기 위한 스플래쉬 가드(splash guard, 50)를 포함하고 있다.
스핀베이스(10)는 원판 형상의 부재이며, 그 윗면에는 원형의 웨이퍼(W)의 원주 테두리부를 파지(把持)하는 복수개(예를 들면, 6개)의 척 핀(14, chuck pin) 세워 설치되어 있다. 척 핀(14)은, 스핀베이스(10)의 원주 테두리부를 따라서 스핀베이스(10)의 중심에 대하여 등(等)각도 간격(예를 들면, 60°)으로 배치되어 있다. 척 핀(14)은, 각각, 웨이퍼(W)의 원주 테두리부를 아래방향으로부터 지지하는 기판지지부(14a)와, 기판지지부(14a)에 지지된 웨이퍼(W)의 외주 단면(端面)을 눌러 웨이퍼(W)를 유지하는 기판지지부 14b를 구비하고 있다. 각 척 핀(14)은, 기판유지부(14b)가 웨이퍼(W)의 외주 단면을 누르는 누름상태와, 기판유지부(14b)가 웨이퍼(W)의 외주 단면으로부터 이탈되는 해방상태로 전환 가능하게 구성되어 있다. 척 핀(14)에 유지된 웨이퍼(W)는, 거의 수평으로 자세가 유지된다.
스핀베이스(10)의 아래면 중심부에는, 원통형상의 회전축(11)이 수직으로 설치되어져 있다. 회전축(11)은 아래쪽으로 연장되어, 수평으로 배치된 판형상의 베이스 부재(24)를 관통하고 있다. 회전축(11)에는, 벨트구동기구(21)를 개재하여, 베이스 부재(24)에 설치된 모터(20)로부터의 회전력이 전달되게 되어 있다.
벨트구동기구(21)는, 회전축(11)에 설치된 종동풀리(21a), 모터(20)의 회전축에 설치된 구동풀리(21b) 및 종동풀리(21a)와 구동풀리(21b)의 사이에 설치된 벨트(21c)를 포함하고 있다. 이에 따라, 회전축(11)은 모터(20)로부터 회전 구동력을 얻어, 연직방향을 따른 축(J) 주위도 회전할 수 있도록 되어 있다. 회전축(11)이 회전하면, 스핀베이스(10) 및 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)가 축(J) 주위로 회전한다. 회전축(11)의 일부, 벨트구동기구(21), 및 모터(20)는, 베이스 부재(24) 위에 설치된 덮개를 가진 원통 형상의 케이싱(25) 내에 수용되어 있다.
베이스 부재(24) 위에서 케이싱(25)의 주위를 둘러싸도록 원통형상의 칸막이 부재 27a가 세워져 있으며, 다시 칸막이 부재 27a의 주위를 둘러싸도록 원통형상의 칸막이 부재 27b가 세워져 있다. 케이싱(25) 및 칸막이 부재 27a를 측벽(側壁)으로 하여, 제 1 배액조(排液槽, 28)가 형성되어 있고, 칸막이 부재 27a 및 칸막이 부재 27b를 측벽으로 하여, 제 2 배액조(29)가 형성되어 있다. 제 1 배액조(28)의 바닥부에는 V 홈이 형성되어 있고, V 홈 중앙부의 일부에는 폐기 드레인(28b)에 연결되어 접속된 배출구 28a가 설치되어 있다. 마찬가지로, 제 2 배액조(29)의 바닥부에는 V 홈이 형성되어 있고, V 홈 중앙부의 일부에는 회수 드레인(29b)에 연결되어 접속된 배출구 29a가 설치되어 있다.
제 2 배액조(29)의 윗쪽에는, 위에서 보아서 고리형상인 스플래쉬 가드(50)가 설치되어 있다. 스플래쉬 가드(50)의 내면 윗부분에는, 단면이〈 모양으로 안쪽으로 열려진 홈형상의 제 1 안내부(51)가 형성되어 있다. 또한, 스플래쉬 가드(50)의 아래부분에는, 안쪽 및 아래쪽으로 열려진 단면이 4 분의 1의 원호형상인 제 2 안내부(52)와, 제 2 안내부(52)의 안쪽 연직방향으로 새겨진 둥근 고리형상의 홈(53)이 형성되어 있다. 스플래쉬 가드(50)는, 연결부재(56)를 개재하여 가드 승강기구(55)와 연결되어 있고, 가드 승강기구(55)의 구동력에 의해 승강이 자유롭게 되어 있다. 스플래쉬 가드(50가 하강되어 있을 때에는, 홈(53)은 칸막이부재 27a의 상부에 유동가능하게 끼워진다.
처리액 공급부(7)는, 원판형상의 분위기 차단판(30)과,분위기 차단판(30)의 윗면 중앙부에 수직으로 설치된 관(管) 형상의 회전축(35)과, 회전축(35)의 내부에 삽입된 처리액 배관(36)을 포함하고 있다. 분위기 차단판(30)의 중심부에는, 회전축(35)의 내경과 거의 동일한 개구(開口)가 형성되어 있다. 회전축(35)은, 지지아암(40)에 베어링을 개재하여 회전이 자유롭게 지지되어 있음과 동시에, 벨트구동기구(41)를 개재하여, 지지암(40)에 설치된 모터(42)에 연결되어 있다. 벨트구동기구(41)는, 회전축(35)에 설치된 종동풀리(41a), 모터(42)의 회전축에 설치된 구동풀리(41b), 및 종동풀리(41a)와 구동풀리(41b)의 사이에 설치된 벨트(41c)를 포함하고 있다.
이에 따라, 회전축(35)은, 모터(42)로부터 회전 구동력을 얻고, 분위기 차단판(30)과 함께 연직방향을 따른 축(J) 주위로 회전할 수 있도록 되어 있다. 따라서, 분위기 차단판(30)은, 스핀베이스(10) 및 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)와 동 축으로 회전된다. 분위기 차단판(30)은, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)와 거의 같은 회전수로 회전된다. 벨트구동기구(41)는, 지지암(40) 내에 수용되어 있다.
지지암(40)은 암 승강기구(49)에 접속되어, 승강할 수 있도록 되어 있다. 이에 따라, 처리액 공급부(7)는, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 바로 위에 근접한 근접위치와, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)로부터 윗쪽으로 떨어져서 후퇴한 후퇴위치와의 사이를 이동 가능하게 되어 있다. 도 1에서는, 처리액 공급부(7)는 후퇴위치에 있다.
처리액 배관(36)의 하단은, 열려져서 처리액 토출구(36a)로 되어 있다. 처리액 배관(36)의 상단부는, 처리액 공급배관(37)의 일단에 연결되어 접속되어 있다. 처리액 공급배관(37)의 타단 쪽은, 분기배관 37a와 분기배관 37b으로 분기되어 있다. 분기배관 37a에는 순수를 공급할 수 있는 순수 공급원(17a)이 연결되어 접속되어 있고, 분기배관 37b에는 에칭액 공급원(17b)이 연결되어 접속되어 있다. 에칭액 공급원(17b)으로부터는, 불산과 염산의 혼합용액인 에칭액을 공급할 수 있도록 되어 있다.
분기배관(37a, 37b)에는, 각각 밸브(38a, 38b)가 장착되어 있다. 밸브(38a, 38b)의 개폐를 전환함으로써, 처리액 배관(36)의 처리액 토출구(36a)로부터, 에칭액 및 순수를 선택적으로 토출할 수 있다. 즉, 밸브 38a를 개방하고 밸브 38b를 닫는 것에 의해, 처리액 토출구(36a)로부터 순수를 공급할 수 있고, 밸브 38b를 개방하고 밸브 38a를 닫는 것에 의해, 처리액 토출구(36a)로부터 에칭액을 공급할 수 있다.
회전축(35)의 내면과 처리액 배관(36)의 사이에는 틈새가 존재하고, 그 틈새가 기체공급로(45)로 되어 있다. 기체공급로(45)의 하단은 기체토출구(45a)로 되어 있다. 기체공급로(45)의 상부는, 가스배관(46)의 일단에 연결되어 접속되어 있다. 가스배관(46)의 타단은 불활성 가스 공급원(23)에 연결되어 접속되어 있다. 불활성 가스 공급원(23)으로부터는, 질소가스를 공급할 수 있도록 되어 있다. 가스배관(46)에는, 밸브(47)가 장착되어 있다. 밸브(47)를 개방하는 것에 의해, 기체토출구(45a)로부터, 질소가스를 공급할 수 있다.
스핀베이스(10)와 분위기 차단판(30)의 사이에는, 2유체노즐(68)이 이동 가능하게 배치되어 있다. 2유체노즐(68)은, 연결부재(66)를 개재하여 노즐 이동기구(65)와 연결되어 있다. 연결부재(66)는, 스플래쉬 가드(50)가 상승되어도 간섭하지 않도록 위로 볼록하게 굴곡되어 있다. 노즐 이동기구(65)는, 연직방향을 따른 회전축(P)을 가지는 모터(65a)를 구비하고 있으며, 그 회전축(P) 주위로 연결부재(66) 및 연결부재(66)에 접속된 2유체노즐(68)을 회전시킬 수 있다.
이에 따라, 2유체노즐(68)은, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)에 대향하는 대향위치(도 1에 나타내는 상태)와, 대향위치로부터 옆쪽으로 후퇴한 후퇴위치와의 사이를 이동할 수 있다. 또한, 대향위치에 있어서도, 2유체노즐(68)은, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부로부터 원주 테두리부에 이르는 각 부에 대향할 수 있다. 또한, 노즐 이동기구(65)는 노즐 승강기구(69)에 접속되어 있으며, 노즐 이동기구(65)와 함께 2유체노즐(68)을 승강할 수 있도록 되어 있다. 이에 따라, 스플래쉬 가드(50)가 상승되고 있을 때에도, 스플래쉬 가드(50)를 회피하여, 2유체노즐(68)을 후퇴위치와 대향위치와의 사이에서 이동시킬 수 있다.
도 2는, 2유체노즐(68)의 구조를 나타내는 도해적인 단면도이다.
2유체노즐(68)은, 관 형상의 액체용 노즐(39)과 그 주위에 배치된 관 형상의 기체용 노즐(34)을 포함하고 있으며, 거의 원주형상의 외형을 가지고 있다. 액체용 노즐(39)과 기체용 노즐(34)은, 공통의 중심축(Q)을 가지고 동축(同軸)상으로 배치되어 있다. 기체용 노즐(34)의 한쪽끝에는, 액체용 노즐(39)에 대하여 축방향으로 돌출된 고리모양 돌기(34c)가 형성되어 있다. 액체용 노즐(39)의 내부는, 액체공급공(39b)이 형성되어 있다. 액체용 노즐(39)과 기체용 노즐(34)의 사이에는, 중심축(Q)을 가지는 고리모양 틈새인 기체공급공(34b)이 형성되어 있다.
기체공급공(34b)은, 2유체노즐(68)의 고리모양 돌기(34c) 쪽의 단(端)부에 , 기체토출구(34a)가 개구(開口)되어 있다. 기체공급공(34b)은, 2유체노즐(68)의 축방향 중심부에서는 직경이 거의 일정하지만, 기체토출구(34a) 부근에서는, 기체토출구(34a)로부터 일정거리 떨어진 수렴점(G: convergence point)으로 수렴하도록, 관형상 돌기(34c)쪽의 단부를 향하여 직경이 점점 작아지게 되어 있다. 액체공급공(39b)은, 기체토출구(34a)의 중심부 부근에 액체토출구(39a)로서 개구되어 있다. 기판처리장치(1)에 있어서, 2유체노즐(68)은, 액체토출구(39a) 및 기체토출구(34a)가 아래쪽으로 향하도록 설치되어 있다.
2유체노즐(68)의 고리모양 돌기(34c) 쪽과는 반대쪽의 단부에는, 액체용 노즐(39)과 연결되도록 전처리액 공급배관(37c)의 일단이 접속되어 있다. 전처리액 공급배관(37c)의 타단은, 전처리액 공급원(17c)에 접속되어 있다. 전처리액 공급원(17c)으로부터는, 암모니아, 과산화수소수, 및 물의 혼합용액으로 이루어진 전처리액을 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 2유체노즐(68)의 측면에서 중심축(Q) 방향의 거의 중간부에는, 압축공기 공급배관(37d)의 일단이 접속되어 있다. 압축공기 공급배관(37d)의 내부공간은, 기체공급공(34b)에 연결되어 통하고 있다. 압축공기 공급배관(37d)의 타단은, 압축공기 공급원(17d)에 접속되어 있다.
상기 전처리액 공급배관(37c)에는 밸브 38c가 장착되어 있어, 전처리액 유로의 개폐 및 전처리액의 유량조정을 할 수 있도록 되어 있다. 압축공기 공급배관(37d)에는 밸브 38d가 장착되어 있어, 압축공기 유로의 개폐 및 압축공기의 유량조정을 할 수 있도록 되어 있다.
전처리액 공급배관(37c)로부터 2유체노즐(68)에 전처리액을 공급하면, 전처리액은 액체토출구(39a)로부터 토출된다. 압축공기 공급배관(37d)으로부터 2유체노즐(68)에 압축공기를 공급하면, 압축공기는 기체토출구(34a)로부터 토출된다. 토출된 전처리액은 거의 직진하지만, 고리모양으로 토출된 압축공기는 수렴점(G)을 향하여 수렴하도록 진행한다. 이 때문에, 전처리액과 압축공기가 동시에 공급되면, 압축공기는 수렴점(G)에서 전처리액과 충돌하고, 이에 따라, 전처리액과 압축공기가 혼합됨으로써, 전처리액은 액적이 되어 약간 퍼지면서 진행한다. 즉, 전처리액의 액적의 분사류(噴流)가 형성된다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 모터(20, 42), 암 승강기구(49), 가드 승강기구(55), 노즐 이동기구(65), 노즐 승강기구(69), 밸브(38a ∼ 38d, 47) 등은, 제어부(90)에 의해 동작이 제어된다.
이하에, 상기 기판처리장치(1)를 사용한 웨이퍼(W) 표면의 세정방법을 설명한다.
먼저, 제어부(90)에 의해 가이드 승강기구(55)가 제어되고, 스플래쉬 가드(50)의 상단이 거의 스핀베이스(10)의 높이가 되도록 된다. 또한, 제어부(90)에 의해 노즐 이동기구(65) 및 암 승강기구(49)가 제어되어, 2유체노즐(68) 및 처리액 공급부(7)가 후퇴위치로 이동된다. 이 상태에서, 도시하지 않은 반송로봇에 의해 웨이퍼(W)가 스핀베이스(10) 위로 반입되고, 척 핀(14)이 누름상태로 된다. 이에 따라, 스핀베이스(10)에, 웨이퍼(W)가 세정처리를 실시하는 면이 위로 향해진 상태로 수평으로 유지된다.
계속하여, 제어부(90)에 의해 노즐 이동기구(65)가 제어되고, 2유체노즐(68)이 대향 위치로 배치된다. 그리고, 제어부(90)에 의해 가드 승강기구(55)가 제어되어 스플래쉬 가드(50)가 상승되고, 제 2 안내부(52)가 스핀베이스(10) 및 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 옆 쪽을 에워싸도록 상하위치가 맞추어진다. 이 상태가, 도 1에 나타나 있다.
그 후, 제어부(90)에 의해 모터(20)가 회전되어, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)가 회전된다. 또한, 제어부(90)에 의해 밸브(38c, 38d)가 열려 2유체노즐(68) 내에 전처리액 및 압축공기가 도입된다. 이에 따라 전처리액의 액적이 생성되어, 웨이퍼(W)의 표면에 분사된다.
도 3은, 전처리 시에 있어서, 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)에 대한 2유체노즐(68)의 움직임을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
2유체노즐(68)은, 모터(65a)의 회전축(P)주위로 원호형상의 궤적을 그리며 이동한다. 2유체노즐(68)은, 상기 원호형상의 궤적과 웨이퍼(W)의 원주 테두리부의 교점(交點)의 한 쪽인 시작점(K)으로부터, 웨이퍼(W)의 중심 및 웨이퍼(W)의 회전 중심인 축(J) 상을 경유하여, 다른 쪽의 교점인 종점(F)으로 이동하면서 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면을 향하여 전처리액의 액적을 토출한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전역이 균일하게 처리된다.
2유체노즐(68)에 고압의 압축공기를 도입하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 큰 운동에너지를 가지는 전처리액의 액적을 충돌시킬 수 있다. 이 때, 전 처리액의 액적의 운동에너지에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클이 물리적으로 제거된다. 일단, 웨이퍼(W) 표면으로부터 떨어진 파티클은, 제타 전위의 반발력에 의해 용이하게 웨이퍼(W) 표면으로 재부착하지 않는다. 또한, 전처리액은 액적 상태(분무상태)로 웨이퍼(W)의 표면에 충돌하므로, 웨이퍼(W) 자체에는 과도한 부하를 주지 않는다. 따라서 웨이퍼(W)의 표면에 패턴이 형성되어 있던 경우에도, 패턴이 파손되는 경우는 없다. 더욱이, 이와 같은 물리적인 세정에 의해 단시간에 파티클을 제거할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면은, 상술한 암모니아, 과산화수소수, 및 물의 혼합용액으로 이루어지는 전처리액에 의해 산화된다. 전처리액에 의한 전처리 시간이나 전처리액 중의 유효성분의 농도를 적당하게 조정하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 산화층의 두께를 제어할 수 있다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 전처리공정이 실시된다. 전처리액의 조성을 적당한 것으로 하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 표면을 단시간에 얇은 두께로 산화시킬 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 표면의 금속 부착물을 구성하는 동(Cu)은, 전처리액에 함유되는 암모니아(암모니아수)에 의해 암민 착체로 되어 용해된다.
웨이퍼(W) 위의 전처리액은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 옆쪽으로 흩뿌려져, 스플래쉬 가드(50)의 제 2 안내부(52)로 받아들여 진다(도 1). 그리고, 전처리액은 제 2 배액조(29) 내로 흘러 떨어지고, 배출구(29a)로부터 회수 드레인(29b)으로 배출된다. 회수 드레인(29b)으로부터 배출된 전처리액은 회수탱크(도시않음)에 회수된 후, 전처리액 공급원(17c)으로 공급된다. 이와 같이 전처리액은 순환 재이용 되도록 되어 있다.
도 4는, 도 1의 기판처리장치(1)의 에칭처리를 할 때의 상태를 나타내는 도해적인 단면도이다.
전처리공정 후, 에칭공정이 실시된다. 먼저, 제어부(90)에 의해 가드 승강기구(55)가 제어되고, 스플래쉬 가드(50)가 하강되어, 제 1 안내부(51)가 스핀베이스(10) 및 스핀베이스(10)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 배치된다. 그리고, 제어부(90)에 의해 노즐 이동기구(65) 및 노즐 승강기구(69)가 제어되어서, 2유체노즐(68)이 후퇴위치로 후퇴된다. 이 상태(처리액 공급부(7)는 후퇴위치에 있음)에서, 제어부(90)에 의해 밸브(38b)가 열려서, 처리액 토출구(36a)로부터, 웨이퍼(W)의 윗면의 중심부 부근으로 에칭액이 공급된다.
전처리액에 의해 산화된 웨이퍼(W)의 표면의 층은, 불산 및 염산의 혼합용액인 에칭액에 의해 선택적으로 에칭된다. 또한, 불산에 부가하여 염산을 함께 사용한 전처리액은, 금속부착물에 대한 용해력이 크다. 이에 의해서, 웨이퍼(W) 표면의 금속부착물이 알맞게 제거된다.
웨이퍼(W)로부터 원심력에 의해 흩뿌려진 에칭액은, 스플래쉬 가드(50)의 제 1 안내부(51)로 받아들여진 후, 제 1 배액조(28)로 흘러 떨어진다. 제 1 배액조(28)에 회수된 에칭액은, 배출구(28a)로부터 폐기 드레인(28b)로 배출되어, 페기된다.
에칭공정 후, 수세공정 및 건조공정이 실시된다. 도 5는, 도 1의 기판처리장치(1)의 수세공정 및 건조공정을 실시할 때의 상태를 나타내는 도해적인 단면도이다.
일정시간, 웨이퍼(W)에 에칭액이 공급된 후, 제어부(90)에 의해 밸브(38b)가 닫혀져 에칭액의 공급이 정지된다. 그리고, 제어부(90)에 의해 암 승강기구(49) 및 모터(42)가 제어되어, 분위기 차단판(30)이 근접위치에 배치되어 회전된다. 이 상태에서, 제어부(90)는, 밸브(38a, 47)를 열도록 제어한다. 이에 따라, 처리액 토출구(36a)로부터 순수가 웨이퍼(W)의 표면으로 공급되어 에칭액이 씻겨 내려간다. 이 때, 기체 토출구(45a)로부터 질소가스가 공급되어, 분위기 차단판(30)과 웨이퍼(W) 사이의 공간이 저산소 분압으로 된다.
웨이퍼(W)로부터 원심력에 의해 흩뿌려진 물은, 스플래쉬 가드(50)의 제 1 안내부(51)로 받아들여진 후, 제 1 배액조(28)로 흘러 떨어진다. 제 1 배액조(28)에 회수된 물은, 배출구(28a)로부터 폐기 드레인(28b)으로 배출되어, 폐기된다.
일정시간, 웨이퍼(W)에 순수가 공급된 후, 제어부(90)는, 밸브 38a를 닫도록 제어하여 순수의 공급이 정지되지만, 기체토출구(45a)로부터의 질소가스의 공급은 속행된다. 이렇게 하여, 분위기 차단판(30)과 웨이퍼(W) 사이의 공간이 저 산소 분압의 상태로, 웨이퍼(W) 표면의 흩뿌림(spun off) 건조가 행해진다. 웨이퍼(W) 표면의 건조가 완료되면, 제어부(90)에 의해 밸브 47 및 암 승강기구(49)가 제어되어, 질소가스의 공급이 정지되고, 처리액 공급부(7)가 후퇴위치로 후퇴된다. 또한 제어부(90)에 의해 가드 승강기구(55)가 제어되어, 스플래쉬 가드(50)의 상단이 거의 스핀베이스(10)의 높이가 되도록 된다. 그리고, 척 핀(14)이 해방상태로 되어, 도시하지 않은 반송로봇에 의해 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 반출되어, 1매의 웨이퍼(W) 표면의 세정처리가 종료한다.
이상의 일련의 처리에 있어서, 전처리액 및 에칭액 온도는, 상온, 즉, 20 ∼ 28℃로 할 수 있다. 전처리액 및 에칭액 온도는, 바람직하게는, 20 ∼ 25℃로 할 수 있다. 즉, 실온이 상온(常溫)으로 유지되어 있으면, 전처리액 및 에칭액은, 특별히 액온도를 조정할 필요없이 사용할 수 있으므로, 기판의 처리를 용이하게 할 수 있다.
이상의 웨이퍼(W) 표면의 세정방법에서는 에칭액은 금속부착물에 대하여 충분히 큰 용해력을 가지므로, 기판표면의 에칭량을 적게 할 수 있다.
에칭액의 조성을 적당한 것으로 하는 것에 의해, 에칭에 의한 금속부착물의 제거를 단시간에 행할 수 있다. 따라서, 파티클의 제거로부터 금속부착물의 제거에 이르는 세정처리를 단시간에 행할 수 있다.
본 발명은, 이상의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 2유체노즐(68)을 사용하고, 전처리액의 액적을 얻을 때, 압축공기 대신에 질소가스 등의 불활성 가스를 사용하여도 좋다.
이상의 실시형태에서는, 전처리액의 액적을 얻기 위하여, 개방된 공간에서 전처리액에 기체(압축공기)를 내뿜고 있으나(외부혼합), 노즐내부에서 전처리액과 기체를 혼합하여 액적의 분사류(噴射流)를 형성하는 내부 혼합형 2유체 노즐을 사용하여도 좋다.
전처리액 공급원(17c, 도 2 참조)에서는, 암모니아 및 오존수를 함유하는 혼합용액으로 이루어진 전처리액을 공급할 수 있게 되어도 좋다. 이와 같은 전처리액에 의해서도, 웨이퍼(W)의 표면을 적당한 두께로 산화시킬 수 있고, 금속부착물을 구성하는 동(cu)을 암민 착체로 하여 용해 할 수 있다.
또한, 전처리공정과 에칭공정의 사이에, 순수로 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 공정을 실시하여도 좋다.
[실시예 1]
상술한 기판처리장치(1)를 사용하여 웨이퍼(W)의 세정시험을 했다.
전처리액은, 암모니아수(29% 용액). 과산화수소수(30% 용액), 및 물을 1 : 1 : 5의 체적비율로 혼합한 것으로 했다. 에칭액은, 불산 수용액(50% 용액), 염산 수용액(35% 용액), 및 물을 1 : 42 : 210의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 처리에 있어서, 전처리액 및 에칭액의 온도는 23℃로 했다.
2유체노즐(68)의 액체 토출구(39a) 와 수렴점(G)과의 거리를 20mm 이하로 하고, 수렴점(G)과 웨이퍼(W)의 거리를 3 ∼ 30mm로 했다. 2유체노즐(68)로 도입되는 압축공기의 유량은, 50 ∼ 100ℓ/min으로 하고, 2유체노즐(68)로 도입되는 전처리액의 유량은, 100 ∼ 150㎖/min으로 했다. 상기 조건으로서 얻어진 전처리액 액적의 입경은, 대략 5 ∼ 20㎛ 이었다. 상기 처리조건으로, 도 3의 시작점(K)으로부터 축(J) 위를 경유하여 종점(F)까지, 2유체노즐(68)을 이동시키면서, 웨이퍼(W) 표면에 전처리액의 액적을 공급(전처리액을 분무)했다. 이 때의 스핀베이스(10) (웨이퍼W)의 회전수는, 10 ∼ 1000rpm으로 했다.
계속하여, 기체토출구(45a)로부터 질소가스를 토출시키면서, 처리액 토출구(36a)로부터 에칭액을 웨이퍼(W)의 중심부로 공급하여 에칭했다. 그 후, 처리액 토출구(36a)로부터 순수를 웨이퍼(W)의 중심부에 10초간 공급하여 에칭액을 씻어 내리고, 또한, 순수의 공급을 정지하여 웨이퍼(W)의 회전에 의한 흩뿌림(spun off) 건조를 했다.
이상의 일련의 처리에 필요한 시간은, 웨이퍼(W) 1매당 100초 이하로 충분히 짧았다.
도 6은, 전처리 후 및 에칭처리 후의 웨이퍼(W) 표면의 SiO2, Si, Al2O3, SiN, 및 PSL(수지)로 이루어지는 파티클의 제거율을 나타내는 그래프이다. SiO2를 제외하고, 거의 90% 이상의 파티클이 제거되어 있다. 이것은, 다수매 일괄 처리식, 즉, 복수매의 웨이퍼(W)를 동시에 처리액 중에 담궈 세정을 한 경우와 마찬가지의 제거율이다.
도 7은, 세정처리 전 및 세정처리 후의 웨이퍼(W) 표면의 금속(Ca, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, 및 Ti) 부착물의 양을 나타내는 도이다. 분석은, 전반사(全反射) 형광 X선 분석장치를 사용하여 행하였다.(이하, 동일함). 세정 전, 금속부착물의 양은, 1010 ∼ 1013atoms/㎠ 이었으나, 세정 후는 검출한계 이하(1010atoms/㎠ 차수 이하)로 내려가 있다. 이것도, 다수매 일괄 처리식에 의한 웨이퍼(W) 세정 후와 동등한 양이다.
에칭액의 조성이, 상기 농도의 불산 수용액 1에 대한 상기 농도의 염산 수용액과 물의 합의 혼합비율이 50 ∼ 1000(체적비)의 범위에서, 또한, 상기 농도의 염산 수용액 1에 대한 물의 혼합비율이 3 ∼ 15(체적비)의 범위에서도 거의 동등한 세정결과를 얻었다. 에칭액으로서 불산만의 수용액을 사용한 경우, 에칭두께는 대략 8 ∼ 9Å으로 되었으나, 상술한 바와 같이 불산과 염산의 혼합용액을 사용하면, 에칭두께는 대략 2Å까지 저감할 수 있었다.
[실시예 2]
상술한 기판처리장치(1)를 사용하여, 전처리액의 조성의 차이에 따른 웨이퍼(W) 세정효과의 차이를 조사했다.
세정시험에 사용한 웨이퍼(W)는, 직경이 8 인치로, 표면에 열 산화막만을 200㎚(2000Å)의 두께로 형성한 것(Bare-Si)에, 각종 금속(Ca, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, 및 Ti)을 4 ×1010 ∼ 1 ×1014atoms/㎠정도 강제 부착시켜, 각종 파티클(PSL, SiN, Al2O3, Si 및 SiO2)를 각각 5000 ∼ 10000개 정도 강제 부착시킨 것으로 했다.(이하, 동일함)
전처리액은, 암모니아수(29% 용액), 과산화수소수(30% 용액), 및 물을, 1 : 1 : 50의 체적비율로 혼합한 것, 1 : 1 : 20의 체적비율로 혼합한 것, 1 : 1 : 5의 체적비율로 혼합한 것의 3종류로 했다. 에칭액은, 불산 수용액(50% 용액), 염산 수용액(35% 용액), 및 물을 1 : 41 : 207의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 처리에 있어서, 전처리액 및 에칭액의 온도는 23℃로 했다,
먼저, 2유체노즐(68)에 의해, 웨이퍼(W)의 전처리를 하였다. 2유체노즐(68)에 의한 처리조건은, 실시예 1과 마찬가지로 했다. 2유체노즐(68)을 시점(K)으로부터 축(J) 위를 경유하여 종점(F)까지 이동시키기 위한 시간, 즉, 전처리시간은 20초로 했다.
계속하여, 처리액 토출구(36a)로부터 20초간 순수를 토출하여 웨이퍼(W)의 세정(중간 수세)을 하였다. 다음에, 웨이퍼(W)의 에칭처리를 했다. 이 때, 처리액 토출구(36a)로부터 웨이퍼(W)로 에칭액을 공급하는 시간, 즉, 에칭시간은 20초로 했다.
그 후, 처리액 토출구(36a)로부터 순수를 웨이퍼(W)의 중심부에 40초간 공급하여 수세하고, 또한, 순수의 공급을 정지하고 웨이퍼(W)의 회전에 의한 흩뿌림 건조를 20초간 하였다.
도 8은, 각 조성의 전처리액을 사용한 때의 세정처리 후의 웨이퍼(W) 표면의 PSL, SiN, Al2O3, Si, 및 SiO2로 이루어진 파티클의 제거율을 나타내는 그래프이다. 어느 종류의 파티클에 대해서도, 전처리액의 암모니아수(29% 용액), 과산화수소수(30% 용액), 및 물의 혼합비율(체적비율)이 1 : 1 : 5 일 때, 제거율은 최대로 되어 있다. 특히 PSL이나 Si에 대해서는, 전처리액의 암모니아수(29% 용액), 과산화수소수(30% 용액), 및 물의 혼합비율(체적비율)이 1 : 1 : 50이나 1 : 1 : 20인 때와 비교하여 제거율이 현저하게 높게 되어 있다.
도 9는, 암모니아수(29% 용액), 과산화수소수(30% 용액), 및 물을 1 : 1 : 5의 체적비율로 혼합한 전처리액을 사용하여 전처리를 한 때의, 세정처리 후의 웨이퍼(W) 표면의 금속(Ca, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, 및 Ti) 부착물의 양을 나타내는 그래프이다.
어느 종류의 금속부착물의 양도, 세정처리 후, 검출한계(1 ×1010의 차수)이하 까지 저감되어 있다.
[실시예 3]
상술한 기판처리장치(1)를 사용하여, 전처리 시간의 차이에 따른 웨이퍼(W)의 세정효과의 차이를 조사했다.
전처리액은, 암모니아수(29% 용액), 과산화수소수(30% 용액), 및 물을 1 : 1 : 5의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 에칭액은, 불산 수용액(50% 용액), 염산 수용액(35% 용액), 및 물을 1 : 41 : 207의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 처리에 있어서, 전처리액 및 에칭액의 온도는 23℃로 했다.
먼저, 2유체노즐(68)에 의한 웨이퍼(W)의 전처리를 하였다. 2유체노즐(68)에 의한 처리조건은, 실시예 1과 마찬가지로 했다. 단, 전처리 시간은 5초, 10초, 15초, 20초 및 30초의 5종류로 했다. 계속하여, 웨이퍼(W)의 에칭처리를 하였다. 에칭시간은 20초로 했다.
그 후, 웨이퍼(W)의 수세(水洗)를 30초간 행하고, 또한, 순수의 공급을 멈추어 웨이퍼(W)의 회전에 의한 흩뿌림 건조를 20초간 했다.
도 10은, 전처리 시간과 웨이퍼(W) 표면의 파티클 제거율과의 관계를 나타내는 그래프 이다. 어떤 종류의 파티클에 대해서도, 전처리 시간과 함께 대체로 파티클 제거율은 상승하고 있으며, 전처리 시간이 20초 이상에서는 제거율은 거의 일정하게 되어 있다. 이상의 결과로부터, 전처리 시간을 20초로 할 수 있다는 것을 알 수 있다.
[실시예 4]
상술한 기판처리장치(1)를 사용하여, 에칭액의 조성 및 에칭시간의 차이에 따른 웨이퍼(W)의 세정효과의 차이를 조사했다.
전처리액은, 암모니아수(29% 용액), 과산화수소수(30% 용액), 및 물을 1 : 1 : 5의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 에칭액은, 불산 수용액(50% 용액), 염산 수용액(35% 용액), 및 물을 0.5 : 41 : 207의 체적비율로 혼합한 것(이하, 「0.5 : 41 : 207용액」이라고 함), 1 : 41 : 207의 체적비율로 혼합한 것(이하,「1 : 41 : 207용액」이라고 한다.) 및 2 : 41 : 207의 체적비율로 혼합한 것(이하,「2 : 41 : 207용액」이라고 함)의 3종류로 했다. 처리에 있어서, 전처리액 및 에칭액의 온도는 23℃로 했다.
먼저, 2유체노즐(68)에 의한 웨이퍼(W)의 전처리를 20초간 행하였다. 2유체노즐(68)에 의한 처리조건은, 실시예 1과 마찬가지로 했다. 계속하여, 에칭액에 의한 웨이퍼(W)의 에칭처리를 하였다. 에칭시간은, 0.5 : 41 : 207용액에 대해서는 20초 및 40초의 2 종류로 하고, 1: 41 : 207용액에 대해서는 10초 및 20초의 2 종류로 하고, 2 : 41 : 107용액에 대해서는 5초, 10초, 및 20초의 3 종류로 했다.
그 후, 웨이퍼(W)의 수세를 30초간 행하고, 또한, 순수의 공급을 정지하여 웨이퍼(W)의 회전에 의한 흩뿌림 건조를 20초간 행하였다.
도 11은, 세정처리 전 및 각 에칭시간 마다의 세정처리 후의 웨이퍼(W) 표면의 동 부착량을 나타내는 그래프이다.
세정 전, 동 부착물 양은, 1013 ∼ 1014 atoms/㎠ 정도 였으나, 에칭시간이 크게됨과 동시에 동 부착량은 감소하고 있다. 1 : 41 : 207용액 및 2 : 41 : 207용액을 사용한 때에는, 에칭시간이 20초일때 동 부착물 양은 1010 atoms/㎠ 정도로 충분히 적은 량으로 저하되어 있다. 0.5 : 41 : 207용액을 사용한 때에도, 에칭시간이 40초일때 거의 1010 atoms/㎠ 정도로 충분히 적은 량으로 감소되어 있다. 이상의 결과로부터, 에칭처리에 1 : 41 : 207용액을 사용하는 경우는, 에칭시간을 20초로 할 수 있다는 것을 알 수 있다.
[실시예 5]
상술한 기판처리장치(1)를 사용하여, 웨이퍼(W)의 에칭시간과 에칭두께와의 관계를 조사했다. 에칭처리 전에, 웨이퍼(W)의 전처리는 행해져 있지 않다. 에칭액은, 1 : 41 : 207용액을 사용했다. 처리에 있어서 에칭액의 온도는 23℃로 했다. 에칭시간은, 8초, 10초, 15초, 20초, 및 25초의 5종류로 했다.
도 12는, 웨이퍼(W)의 에칭시간과 에칭두께의 관계를 나타내는 그래프이다.
에칭두께는, 에칭시간과 함께 거의 직선적으로 증가하고 있다. 에칭시간을 20초로 한 경우, 에칭두께를 2.5Å 정도로 억제할 수 있다.
[실시예 6]
상술한 기판처리장치(1)를 사용하여, 수세시간의 차이에 따른 웨이퍼(W)의 세정효과의 차이를 조사했다.
전처리액은, 암모니아수(29% 용액), 과산화수소수(30% 용액), 및 물을 1 : 1 : 5의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 에칭액은, 불산 수용액(50% 용액), 염산 수용액(35% 용액), 및 물을 1 : 41 : 207의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 처리에 있어서, 전처리액 및 에칭액의 온도는 23℃로 했다.
먼저, 2유체노즐(68)에 의해, 웨이퍼(W)의 전처리를 하였다. 2유체노즐(68)에 의한 처리조건은, 실시예 1과 마찬가지로 했다. 전처리시간은 20초로 했다. 다음에, 웨이퍼(W)의 에칭처리를 했다. 에칭시간은 20초로 했다.
계속하여, 웨이퍼(W)의 수세를 하였다. 수세시간은, 0초, 20초, 30초, 및 60초의 4 종류로 했다. 그 후, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 흩뿌림 건조를 20초간 행했다.
수세에 의해 웨이퍼(W)에 부착한 에칭액이 어느 정도 제거되었는지 조사하기 위하여, 에칭액의 구성성분인 염소의 웨이퍼(W) 표면에 있어서의 양을 측정했다. 도 13은, 세정처리 후의 각 수세시간 마다의 웨이퍼(W) 표면의 염소량을 나타내는 그래프이다. 염소의 검출한계는 2.0 ×1011atoms/㎠ 정도이다.
에칭처리 후에 수세를 하지 않는 경우, 염소량은 8 ×1011atoms/㎠ 정도이며, 수세시간을 길게 하면 염소량은 대체로 낮게 된다. 수세시간이 30초 이상에서 염소량은 4 ×1011 atoms/㎠ 정도 이하로 된다. 이것은, 다수매 배치식에 의한 웨이퍼(W)의 수세 후의 염소량(3 ×1011atoms/㎠ 정도)과 동등한 값이다.
실시예 3, 4, 6 에서는, 전처리 후 에칭처리전에 중간 수세를 행하고 있지 않으나, 세정처리 후의 금속부착물이나 파티클의 양은 충분히 낮게 되어 있다. 이것으로부터, 중간 수세는 생략할 수 있는 것을 알 수 있다.
실시예 2 ∼ 6은, 금속부착물 및 파티클을 강제 부착시킨 웨이퍼(W)를 사용하여 세정시험을 한 것이며, 자연히 오염된 웨이퍼(W)에 대해서는 최적인 세정조건은 달라지는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 범위 내에서 폭 넓은 조건변경이 가능하며, 자연히 오염된 웨이퍼(W)에 대해서도 부착된 금속이나 파티클의 종류 및 양에 따라 세정조건을 변경하여 양호하게 세정할 수 있다.
[실시예 7]
상술한 기판처리장치(1)를 사용하여, 웨이퍼(W)의 세정시험을 하였다.
전처리액은, 암모니아수(29% 용액), 및 오존농도가 5 ∼ 30 ppm인 오존수를 1 : 5의 체적비율로 혼합한 것으로 했다. 에칭액은, 불산 수용액(50% 용액), 염산 수용액(35% 용액), 및 물을 1 : 42 : 210의 체적비율로 혼합한 것을 사용했다. 처리에 있어서, 전처리액 및 에칭액의 온도는 23℃로 했다.
2유체노즐(68)의 액체 토출구(39a) 와 수렴점(G)과의 거리를 20mm 이하로 하고, 수렴점(G)과 웨이퍼(W)의 거리를 3 ∼ 30mm로 했다. 2유체노즐(68)로 도입되는 압축공기의 유량은, 50 ∼ 100ℓ/min로 하고, 2유체노즐(68)로 도입되는 전처리액의 유량은, 100 ∼ 150㎖/min으로 했다. 상기 조건에서 얻어진 전처리액의 액적의 입경은, 대략 5 ∼ 20㎛ 이었다. 상기 처리조건으로, 도 3의 시작점(K)으로부터 축(J) 위를 경유하여 종점(F)까지, 2유체노즐(68)을 이동시키면서, 웨이퍼(W) 표면에 전처리액의 액적을 공급(전처리액을 분무)했다. 이때의 스핀베이스(10)(웨이퍼W)의 회전수는, 10 ∼ 1000rpm으로 했다.
계속하여, 기체토출구(45a)로부터 질소가스를 토출시키면서, 처리액 토출구(36a)로부터 에칭액을 웨이퍼(W)의 중심부에 공급하여 에칭했다. 그 후, 처리액, 토출구(36a)로부터 순수를 웨이퍼(W)의 중심부에 10초간 공급하여 에칭액을 씻어 내리고, 또한, 순수의 공급을 정지하여 웨이퍼(W)의 회전에 의한 흩뿌림 건조를 했다.
에칭액의 조성이, 상기 농도의 불산 수용액 1에 대한 상기 농도의 염산 수용액과 물의 합의 혼합비율이 50 ∼ 1000(체적비)의 범위에서, 또한, 상기 농도의 염산 수용액 1에 대한 물의 혼합비율이 3 ∼ 15(체적비)의 범위에서도 거의 동등한 세정결과가 얻어 졌다. 에칭액으로서, 상술한 바와 같이 불산과 염산의 혼합용액을 사용한 경우의 에칭두께는, 불산만의 수용액을 사용한 경우의 에칭두께와 비교하여 저감할 수 있었다.
본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명해 왔으나, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명백하게 하기 위하여 사용되어진 구체예에 지나지 않으며, 본 발명은 이들의 구체예에 한정하여 해석되어야만 되는 것은 아니고, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 한정된다.
본 발명은, 2002년 1월 30일에 일본국 특허청에 제출된 일본 특원 2002-22089호, 2002년 3월 26일에 일본국 특허청에 제출된 일본 특원 2002-86359호, 및 2002년 12월 17일에 일본국 특허청에 제출된 일본 특원 2002-365653호에 대응하고 있으며, 이들 발명의 전(全) 개시는 여기에서 인용하는 것에 의해 구성되는 것으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 전처리액이 액적상태로 공급되므로, 기판 자체에 과도한 힘이 가해지거나 기판 표면의 패턴 손상 없이도, 액적이 기판에 충돌할 때의 운동에너지에 의해 기판 표면에 부착된 파티클을 물리적으로 제거할 수 있을 뿐 아니라, 제거된 파티클이 제타 전위에 의한 반발력에 의해 기판에 재부착되는 것이 방지되므로, 물리적, 화학적인 방법에 의해, 파티클을 단시간에 제거할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 상기와 같이 파티클이 미리 제거되어 있으므로, 기판의 에칭량을 작게 할 수 있다.
그리고, 전처리액의 조성을 적절하게 선택함으로써, 반도체 기판의 표면을 알맞게 산화시킬 수 있을 뿐 아니라, 상술한 제타 전위에 의한 반발력이 알맞게 얻어져 에칭처리 시의 높은 금속부착물 제거성능을 얻을 수 있으며, 상온에서도 금속부착물의 용해력이 큰 에칭액을 선택하고 그 조성을 적절하게 선택함으로써, 기판 표면의 에칭량을 작게 하면서도, 파티클의 제거로부터 금속부착물의 제거에 이르기까지의 세정처리를 단시간에 행할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태 에 관한 기판처리장치의 구성을 나타내는 도해적인 단면도이며, 전처리를 할 때의 상태를 나타내고 있다.
도 2는, 2유체노즐의 구조를 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 3은, 전처리시에 있어서, 스핀베이스(spin base)에 유지된 웨이퍼에 대한 2유체노즐의 움직임을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 4는, 도 1의 기판처리장치의 에칭처리를 할 때의 상태를 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 5는, 도 1의 기판처리장치의 수세(水洗) 공정 및 건조공정을 실시할 때의 상태를 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 6은, 전처리 후 및 에칭처리 후의 웨이퍼 표면의 파티클(particle)의 제거율을 나타내는 그래프이다.
도 7은, 세정 전 및 일련의 세정처리 후의 웨이퍼 표면의 금속부착물의 양을 나타내는 그래프이다.
도 8은, 각 조성의 전처리액을 사용한 때의 세정처리 후의 웨이퍼(W) 표면의 파티클 제거율을 나타내는 그래프이다.
도 9는, 세정처리 후의 웨이퍼 표면의 각종 금속부착물의 양을 나타내는 그래프이다.
도 10은, 전처리 시간과 웨이퍼 표면의 파티클 제거율과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 11은, 세정처리 전 및 각 에칭시간 마다의 세정처리 후의 웨이퍼 표면의 동(銅) 부착량을 나타내는 그래프이다.
도 12는, 웨이퍼의 에칭시간과 에칭두께의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은, 세정처리 후의 각 수세시간 마다의 웨이퍼 표면의 염소량을 나타내는 그래프이다.

Claims (22)

  1. 암모니아 및 산화제를 함유하는 전(前) 처리액과 기체가 혼합되어 생성된 액적(液滴)을 기판의 표면에 충돌시키는 전처리 수단과,
    상기 기판의 표면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급수단을 포함하고;
    상기 전처리 수단은, 전처리액을 토출하는 전처리액 토출수단과, 상기 전처리액 토출수단에 근접하게 배치되어 기체를 토출하는 기체 토출수단을 포함하고, 상기 전처리액 토출수단으로부터 토출되는 전처리액에 상기 기체 토출수단으로부터 토출되는 기체를 내뿜어서 전처리액의 액적을 생성하고, 상기 액적을 기판의 표면에 분사하는 2유체노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 산화제가, 과산화수소수인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 전처리액이, 물을 추가적으로 함유하는 혼합용액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 전처리액이, 체적비율로 물 5에 대하여, 암모니아수 0.05 ∼ 1, 과산화수소수 0.1 ∼ 1의 비율로 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 산화제가 오존수인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 전처리액이, 체적비율로 암모니아수 1에 대하여, 오존농도가 5 ∼ 30ppm인 오존수를 5 ∼ 50의 비율로 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭액이, 불산 및 염산을 함유하는 혼합용액인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 암모니아 및 산화제를 함유하는 전처리액과 기체가 혼합되어 생성된 액적을 기판의 표면에 충돌시키는 전처리공정과,
    상기 전처리공정 후에, 상기 기판의 표면으로 에칭액을 공급하는 공정을 포함하고,
    상기 전처리공정은, 전처리액을 토출하는 전처리액 토출수단과, 상기 전처리액 토출수단에 근접하게 배치되어 기체를 토출하는 기체 토출수단을 포함한 2유체노즐을 이용하여, 상기 전처리액 토출수단으로부터 토출되는 전처리액에 상기 기체 토출수단으로부터 토출되는 기체를 내뿜어서 전처리액의 액적을 생성하고, 상기 액적을 기판의 표면에 분사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 산화제가 과산화수소수인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 전처리액이, 물을 추가적으로 함유하는 혼합용액으로부터 이루어진 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 전처리액이, 체적효율로 물 5에 대하여, 암모니아수 0.05 ∼ 1, 과산화수소수 0.1 ∼ 1의 비율로 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 산화제가 오존수인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 전처리액이 체적비율로 암모니아수 1에 대하여, 오존농도가 5 ∼ 30ppm인 오존수를 5 ∼ 50의 비율로 혼합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제 10항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에칭액이 불산 및 염산을 함유하는 혼합용액인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 전처리액 및 상기 에칭액의 온도가 20 ∼ 28℃ 인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  22. 제 10항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전처리액 및 상기 에칭액의 온도가 20 ∼ 28℃ 인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070066076A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-22 Bailey Joel B Substrate processing method and apparatus using a combustion flame
US7524771B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
KR100837711B1 (ko) * 2004-03-12 2008-06-13 리아라이즈·아도반스토테쿠노로지 가부시키가이샤 기판 처리 장치
GB2412351A (en) * 2004-03-24 2005-09-28 Esselte A tape printer having separate tape and ink ribbon cassettes
KR101255048B1 (ko) 2005-04-01 2013-04-16 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치
US20060237043A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning semiconductor substrates
JP4763575B2 (ja) * 2006-01-26 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7793610B2 (en) * 2006-04-18 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
ATE450885T1 (de) * 2006-04-18 2009-12-15 Tokyo Electron Ltd Flüssigkeitsverarbeitungsvorrichtung
JP4767767B2 (ja) * 2006-06-19 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN104319249B (zh) * 2006-07-07 2017-11-07 Tel Fsi股份有限公司 用于处理微电子工件的设备
US20080135070A1 (en) * 2006-12-12 2008-06-12 Wei Lu Method and apparatus for active particle and contaminant removal in wet clean processes in semiconductor manufacturing
US20080230092A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Alexander Sou-Kang Ko Method and apparatus for single-substrate cleaning
KR20090005489A (ko) 2007-07-09 2009-01-14 삼성전자주식회사 반도체 습식 에천트 및 그를 이용한 배선 구조체의형성방법
KR101060664B1 (ko) * 2007-08-07 2011-08-31 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치
KR100968584B1 (ko) * 2008-04-14 2010-07-08 포항공과대학교 산학협력단 액적 토출 장치
US20090255555A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman Advanced cleaning process using integrated momentum transfer and controlled cavitation
KR20110005699A (ko) 2008-05-09 2011-01-18 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법
WO2009139826A2 (en) * 2008-05-12 2009-11-19 Fsi International, Inc. Substrate processing systems and related methods
JP2010045138A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Murata Machinery Ltd ノズル
CN101643904B (zh) * 2009-08-27 2011-04-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 深硅刻蚀装置和深硅刻蚀设备的进气系统
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8791026B2 (en) 2010-10-01 2014-07-29 Mmtech Co., Ltd. Method and apparatus for treating silicon substrate
KR101212804B1 (ko) * 2010-10-01 2012-12-14 주식회사 엠엠테크 콤팩트한 구조를 갖는 실리콘 기판의 처리 장치
KR101252752B1 (ko) * 2010-10-01 2013-04-09 주식회사 엠엠테크 실리콘 기판의 처리방법 및 처리 장치
KR101212803B1 (ko) * 2010-10-01 2012-12-14 주식회사 엠엠테크 표면을 에칭할 수 있는 실리콘 기판의 처리 장치
CN102560494B (zh) * 2010-12-30 2014-06-25 富葵精密组件(深圳)有限公司 蚀刻装置及蚀刻方法
JP5829082B2 (ja) * 2011-09-09 2015-12-09 オリンパス株式会社 洗浄装置
WO2013086217A1 (en) 2011-12-06 2013-06-13 Masco Corporation Of Indiana Ozone distribution in a faucet
US10604302B2 (en) 2012-11-20 2020-03-31 Altria Client Services Llc Polymer coated paperboard container and method
JP6017999B2 (ja) * 2013-03-15 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6523643B2 (ja) 2014-09-29 2019-06-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101621482B1 (ko) * 2014-09-30 2016-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN115093008B (zh) 2015-12-21 2024-05-14 德尔塔阀门公司 包括消毒装置的流体输送系统
JP6614610B2 (ja) * 2016-02-12 2019-12-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US20170287743A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treating device and substrate treating method
JP6934732B2 (ja) * 2016-03-31 2021-09-15 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
DE102016210883A1 (de) * 2016-06-17 2017-12-21 Singulus Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Substraten unter Verwendung einer Auflagerolle mit porösem Material
TWI797121B (zh) 2017-04-25 2023-04-01 美商維克儀器公司 半導體晶圓製程腔體
KR102388407B1 (ko) * 2019-07-02 2022-04-21 세메스 주식회사 노즐 장치, 기판 처리 장치 및 방법
CN112670207B (zh) * 2020-12-21 2023-10-31 长江存储科技有限责任公司 晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法
CN112967995B (zh) * 2021-02-01 2022-12-30 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种芯片夹具、芯片清洗装置及芯片刻蚀装置
CN115299374B (zh) * 2022-09-07 2023-08-01 漳浦县赵木兰养殖有限公司 一种用于后备猪诱情期的设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4787404A (en) * 1987-06-12 1988-11-29 International Business Machines Corporation Low flow rate-low pressure atomizer device
JP2581268B2 (ja) * 1990-05-22 1997-02-12 日本電気株式会社 半導体基板の処理方法
JPH04346431A (ja) * 1991-05-24 1992-12-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体シリコンウェハの洗浄装置
JPH08195369A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Daikin Ind Ltd 基板の洗浄方法
JPH08264500A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Sony Corp 基板の洗浄方法
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
JP3315611B2 (ja) * 1996-12-02 2002-08-19 三菱電機株式会社 洗浄用２流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置
JPH10256211A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Sony Corp 半導体基板の洗浄方法
JPH1154471A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP3920429B2 (ja) * 1997-12-02 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置
JP2001033938A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Oki Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスクの特性補正方法
US6299697B1 (en) * 1999-08-25 2001-10-09 Shibaura Mechatronics Corporation Method and apparatus for processing substrate
EP1091388A3 (en) * 1999-10-06 2005-09-21 Ebara Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate
JP2001237208A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Ebara Corp 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置
JP3875456B2 (ja) * 2000-06-29 2007-01-31 株式会社東芝 洗浄方法および洗浄装置
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6705331B2 (en) * 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
JP4210045B2 (ja) * 2001-06-25 2009-01-14 横河電機株式会社 洗浄装置
US6726848B2 (en) * 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing

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