KR100491868B1 - 실리콘 고무의 경화방법 및 경화장치 - Google Patents

실리콘 고무의 경화방법 및 경화장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실리콘 고무의 경화장치는 압전 소자의 특성을 감소시키지 않고 단시간 내에 가열 공정 및 경화 공정을 수행하도록 구성되어 생산성을 향상시킨다. 외부 표면에 실리콘 고무가 도포된 압전 부품은 원적외선을 반사하는 특징을 갖는 지그로 지지된다. 압전 부품의 외부 표면에 도포된 미경화의 실리콘 고무는 원적외선 패널 히터에 의해 원적외선을 방출하여 실리콘 고무를 경화시킨다.

Description

실리콘 고무의 경화방법 및 경화장치{Apparatus and method for curing for silicone rubber}
본 발명은 압전 소자의 주위를 실리콘 고무로 피복한 후, 그 주위를 외장 수지로 피복한 압전 부품 또는 전자 부품에 사용되는 실리콘 고무의 경화장치에 관한 것이다.
종래의 압전 부품은 예를 들어, 리드 단자가 부착된 압전 소자의 주위를 실리콘 고무 등의 탄성 재료로 피복하고, 그 주위를 외장 수지로 봉지한 것이 일본국 특허 공개공보 1-228310호에 개시되어 있다. 실리콘 고무는 외장 수지의 수축 응력에 의해 압전 소자의 진동 특성이 변화하는 것을 방지하고, 압전 소자의 파형 일그러짐을 억제하는 댐핑(damping) 효과를 갖는다.
이러한 압전 부품을 제조하기 위해서, 리드 프레임에 압전 소자를 부착하고, 리드 프레임을 지그에 의해 지지한 상태에서 압전 소자의 주위에 실리콘 고무를 디핑(dipping)에 의해 도포하여, 오븐에서 가열 경화시킨다. 그 후, 리드 프레임을 지그에 의해 지지한 상태에서 실리콘 고무의 주위에 에폭시 수지를 디핑에 의해 도포하고, 다시 오븐에서 가열 경화시켜, 외장 수지층을 형성한다. 리드 프레임을 지그에서 제거하고, 리드 프레임에서 리드 단자를 분리하여 압전 부품을 얻는다. 이러한 방법으로, 복수의 압전 소자를 지그에 의해 지지한 상태로 일련의 공정을 실시하여, 생산성을 증가하고 균질의 제품을 얻을 수 있다.
열경화성의 실리콘 고무를 오븐에서 가열 경화시키는 경우, 열풍의 직접적인 열 전달을 사용하여 150∼160℃ 온도에서 30분∼1시간 동안 가열하는 것이 일반적이다. 그러나, 압전 소자(예를 들어, 압전 세라믹 소자)를 장시간 고온에 노출하면 압전 특성이 저하(dipole)하는 문제가 있다.
상술한 바와 같이, 복수의 압전 소자를 지지하면서 실리콘 고무의 도포 및 외장 수지의 형성을 행하는 방법에 있어서, 오븐에서 가열 경화하는 동안 압전 소자를 지지하는 지그가 오븐에 삽입되기 때문에, 압전 소자뿐만 아니라 지그도 가열해야 한다. 지그의 열용량이 압전 소자의 열용량보다 크기 때문에, 지그는 가열 시간을 필요로 함과 동시에 오븐에서 제거한 후 냉각 시간을 필요로 하여, 실리콘 고무의 경화 공정에 장시간이 요구된다는 문제점이 있다.
또한, 히터 및 팬을 갖는 종래의 가열 경화장치의 경우, 설비가 비교적 대규모이며, 그 결과 반송 시스템을 포함하면 비용이 증가한다는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시형태는 압전 소자의 특성을 감소시키지 않고, 가열 경화 공정을 매우 신속하게 수행하는 경화방법 및 경화장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 제 1 실시형태에 따르면, 실리콘 고무를 경화하는 방법은 복수의 압전 소자를 지그에 지지하는 공정; 지그에 의해 지지된 압전 소자의 외부 표면에 실리콘 고무를 도포하는 공정; 압전 소자의 외부 표면에 도포된 미경화 실리콘 고무에 원적외선을 조사(irradiate)하여 실리콘 고무를 경화하는 공정; 을 포함한다.
본 발명의 바람직한 제 2 실시형태에 따르면, 압전 소자 등의 전자 부품의 외부 표면에 도포된 실리콘 고무를 경화하는 실리콘 고무의 경화장치로서, 외부 표면에 미경화 실리콘 고무가 도포된 압전 소자를 지지하고, 원적외선을 반사하는 특성을 갖는 지그; 및 압전 소자의 외부 표면에 도포된 미경화 실리콘 고무에 원적외선을 조사하고, 실리콘 고무를 경화시키는 원적외선 발생 장치; 를 포함하는 경화장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 복수의 전자 부품을 지그로 지지한 상태에서 압전 소자의 외주면에 미경화 실리콘 고무를 도포한 후, 지그를 원적외선 발생 장치에 반송한다. 압전 소자에 원적외선 발생 장치에서 발생된 원적외선을 조사하면, 원적외선은 지그 및 전자 부품에는 실질적으로 흡수되지 않는 반면에, 전자 부품에 도포된 실리콘 고무에 선택적으로 흡수된다. 따라서, 압전 소자 등의 전자 부품은 발열하지 않고, 압전 특성의 저하를 방지한다. 또한, 열용량이 큰 지그도 발열하지 않기 때문에, 가열 시간 및 경화 공정 후의 냉각 기간을 매우 줄일 수 있다. 실리콘 고무는 원적외선에 의해 내부에서 열을 생산하기 때문에, 경화가 균일하게 진행되어, 실리콘 고무 전체를 균등하게 경화시킬 수 있다.
원적외선 발생 장치에서 방출되는 원적외선은 약 7∼15㎛의 파장을 포함하는 것이 바람직하다. 파장의 범위는 일반적으로 5∼1000㎛ 정도이며, 파장 중 실리콘 고무의 흡수 스펙트럼은 약 7∼15㎛의 파장에서 가장 높다. 이 파장 범위를 포함하는 원적외선을 실리콘 고무에 조사함으로써, 원적외선은 실리콘 고무에 효과적으로 흡수되고, 전자 부품 및 지그에 흡수되지 않으므로, 열 효율이 향상된다.
본 발명의 다른 특징, 특성, 성분, 이점은 첨부된 도면을 참조로 바람직한 실시형태의 상세한 설명으로부터 명백해진다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 실리콘 고무의 경화장치에 사용되는 워크(W)의 예를 도시한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 워크(W)는 리드 단자를 갖는 압전 부품이다. 워크(W)는 예를 들어, 전단 모드 진동 소자를 포함하는 실질적으로 직사각형인 압전 소자(1) 및 3개의 리드 단자(2∼4)를 포함하는 것이 바람직하다. 리드 단자(2∼4)가 부착된 압전 소자(1)의 적어도 양 끝 모서리를 포함하는 양단부는 제 1 실리콘 고무(5)로 피복된다. 제 1 실리콘 고무(5)로 피복된 압전 소자(1)의 주변 전체는 제 2 실리콘 고무(6)로 피복되고, 또한 그 주위 전체는 에폭시 수지 등의 외장 수지(7)로 피복된다.
상술한 바와 같이 형성된 압전 부품(W)에 있어서, 외장 수지(7)의 수축 응력에 가장 영향을 받기 쉬운 양단부가 2중 실리콘 고무(5,6)로 피복되기 때문에, 온도 변화로 인해 외장 수지(7)의 수축 응력이 변화해도, 응력 변화를 흡수할 수 있고 온도에 의한 특성 변화를 해결할 수 있다. 또한, 압전 부품(W)의 댐핑 효과는 제 2 실리콘 고무(6)에 의해 확보되기 때문에, 압전 부품(W)은 파형 일그러짐이 발생하는 것을 방지하는 특징을 갖는다.
도 2에 도시된 바와 같이, 압전 부품(W)은 복수의 압전 소자(1)를 리드 프레임(8)에 부착한 상태에서 지그(10)에 정렬 지지된다. 바람직한 실시형태에 사용된 지그(10)는 예를 들어, 일본국 특허 공개공보 2581342호에 개시된 지그로서, 비자성의 경질기판(11)의 상면에 리드 프레임(8)의 스트립부(strip portion)를 지지하는 복수의 지지홈(12)이 형성되고, 자석(도시하지 않음)에 의해 복수의 자성 리드 프레임(8)을 병렬로 흡착 지지하는 것이 바람직하다. 지그(10)의 경질기판(11)은 원적외선을 반사하는 성질을 갖는 알루미늄판 등의 광택 있는 금속 기판으로 구성된다.
상술한 바와 같이, 지그(10)에 의해 지지된 압전 부품(W)은 제 1 실리콘 고무(5)의 도포 공정에 보내져, 디핑에 의해 제 1 실리콘 고무(5)로 도포된다. 그 후, 압전 부품(W)은 후술하는 실리콘 고무 경화장치로 보내져, 미경화의 제 1 실리콘 고무(5)가 가열 경화된다. 압전 부품(W)은 제 2 실리콘 고무(6)의 도포 공정에 보내져, 디핑에 의해 제 2 실리콘 고무(6)로 도포된 후, 다시 후술하는 실리콘 고무 경화장치에 보내져, 미경화의 제 2 실리콘 고무(6)가 가열 경화된다.
도 3∼도 5는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 실리콘 경화장치의 예를 도시한다.
컨베이어(20)는 워크(W)를 탑재한 지그(10)를 화살표 방향으로 반송한다. 컨베이어(20)의 중간 위치에는 실린더 등의 승강 장치(21)에 의해 상하로 구동되는 추진기(22)가 형성된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 추진기(22)는 한 쌍의 컨베이어(20) 사이를 승강하여 지그(10)를 수평으로 들어올린다.
승강 장치(21)의 상측에는 경화로(23)가 형성된다. 경화로(23)의 노벽은 후술하는 히터(24)의 온도 변화를 방지하기 위해 단열재로 구성되는 것이 바람직하다. 경화로(23)의 하면에는 지그를 자유롭게 삽입할 수 있는 개구부(23a)가 형성된다. 경화로(23)의 내부에는 하측을 향한 발열면(24a)을 갖는 원적외선 패널 히터(24)가 수평으로 고정된다. 원적외선 패널 히터(24)의 발열면(24a)은 지그(10)보다 넓은 면적을 갖는다. 방출하는 원적외선의 파장은 실리콘 고무의 흡수 스펙트럼에 따라 설정된다.
경화로(23)의 내부에는 지그(10)의 측부의 하면을 지지하는 지지 부재(도시하지 않음)가 형성된다. 추진기(22)에 의해 지그(10)를 경화로(23)의 내부에 삽입했을 때, 지지 부재가 지그(10)의 바닥부를 지지함으로써 지그(10)를 원적외선 패널 히터(24)의 발열면(24a)에 대해 수평으로 지지하도록 형성된다. 경화로(23)의 하면에는 드라이버(도시하지 않음)에 의해 개폐하는 셔터(25)가 형성된다. 셔터(25)는 경화로(23)의 개구부(23a)를 폐쇄하여 경화로에 공기가 유입하는 것을 방지한다.
다음에, 실리콘 고무 경화장치의 작동을 설명한다.
컨베이어(20) 상에 놓인 지그(10)를 화살표 방향으로 반송하여 경화로(23)의 하측에서 정지시킨다. 셔터(25)가 개구됨과 동시에, 드라이브가 구동되고 지그(10)를 추진기(22)에 의해 컨베이어(20)로부터 들어올려, 경화로(23)의 개구부(23a)로부터 내부로 삽입한다.
지그(10)를 경화로(23)에 삽입한 후에, 지그(10)의 하면을 지지 부재에 의해 지지하여, 지그(10)를 원적외선 패널 히터(24)의 발열면(24a)에 대해 수평으로 지지한다. 셔터(25)는 경화로(23)의 개구부(23a)를 폐쇄한다.
다음에, 지그(10) 상에 배열된 워크(W)에 원적외선 패널 히터(24)로 원적외선을 방출하여, 워크(W)에 도포된 실리콘 고무(5,6)를 경화한다. 특히, 방출하는 원적외선이 약 7∼15㎛의 파장을 포함하면, 지그(10) 및 압전 부품(W)을 실질적으로 가열하지 않고 실리콘 고무(5,6)를 효과적으로 가열할 수 있다.
실리콘 고무(5,6)를 가열 경화시킨 후, 셔터(25)를 열고 승강 장치(21)에 의해 추진기(22)를 상승시켜 경화로(23)내의 지그(10)의 하면을 지지하고, 추진기(22)를 하강시켜 지그(10)를 경화로(23)로부터 배출하고, 셔터(25)를 닫는다. 컨베이어(20) 상에 놓인 지그(10)를 컨베이어(20)를 구동시켜 화살표 방향으로 반출한다.
도 6∼도 9는 각각 지그(10)를 형성하는 알루미늄 분말, 압전 부품(W)을 형성하는 세라믹 분말, 단자(2∼4)를 형성하는 Sn분말, 및 실리콘 고무의 적외선 흡수 특성의 측정 결과를 도시한다. 도면에서, 가로축은 적외선의 파장을 도시하고, 세로축은 적외선의 흡광도를 도시한다.
실리콘 고무는 원적외선 영역(약 5∼1000㎛의 파장)에 흡수 스펙트럼을 갖는 것을 알 수 있다. 특히, 약 7∼15㎛의 범위에 흡수 스펙트럼의 피크가 존재한다. 반대로, 다른 재료에서는 원적외선 영역에 거의 흡수 스펙트럼을 갖고 있지 않기 때문에 가열하기 어렵다. 따라서, 원적외선이 방출되면 실리콘 고무만을 선택적으로 가열할 수 있다.
상술한 바와 같이, 원적외선을 사용하여 다음의 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
(1) 단시간에 실리콘 고무 경화하기
상술한 바와 같이, 실리콘 고무는 원적외선을 완전히 흡수하기 때문에, 단시간에 효율적으로 온도를 상승시킬 수 있다. 온도의 상승율이 증가함에 따라 경화 시간을 단축시킬 수 있다. 실리콘 고무의 온도만이 상승하기 때문에, 실리콘 고무의 경화 온도는 매우 높아져 경화 시간을 대폭 단축시킬 수 있다.
예를 들어, 오븐을 사용하는 종래의 경화장치는 실리콘 고무를 160℃에서 가열 경화하는데 10분이 요구되는데 대해, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 원적외선 패널 히터를 사용하면 실리콘 고무를 경화하는데 약 90초가 요구된다.
(2) 가열 경화 시간의 단축
상술한 바와 같이, 지그(10)는 원적외선을 잘 흡수하지 않고 원적외선의 방출 시간이 짧기 때문에, 지그(10)는 실질적으로 가열되지 않는다. 따라서, 지그(10)를 냉각시키지 않고 계속 사용할 수 있어, 가열 경화 시간을 대폭 단축시킬 수 있다.
(3) 설비 비용의 절감
원적외선 히터는 오븐보다 구조가 간단하고 콤팩트하기 때문에, 면적 생산성이 향상한다. 장치의 중요한 요소인 원적외선 패널 히터는 비교적 저렴하다. 또한, 지그(10)를 냉각시키는 장치를 생략할 수 있어 결과적으로 설비 비용을 절감할 수 있다.
(4) 주의사항
원적외선을 사용할 때의 주의점은 온도 변화를 피하는 것이다. 이 문제점을 해결하기 위해서 히터의 크기, 단열 구조, 히터와 워크(W)사이의 거리가 중요하다.
히터의 크기는 워크를 가열하는 면적보다 큰 크기의 히터를 사용하는 것이 바람직하다. 히터 단부는 측면 방향의 열이 빠져 나가므로 히터 단부의 온도가 낮아지기 쉽기 때문이다.
단열 구조는 히터 온도의 변화가 워크(W) 온도의 변화를 초래한다. 따라서, 히터의 온도를 표면 내에서 일체화하기 위해서 경화로(23)를 단열 구조로 하여, 열이 외부로 빠져나가는 것을 최대한 방지할 수 있다.
히터와 워크(W)사이의 거리는 매우 중요하다. 히터와 워크(W)사이의 거리가 너무 가까우면, 히터 온도의 변화가 직접적으로 영향을 미친다는 문제, 및 공기를 통한 열 전달에 영향을 미친다는 문제점이 있다. 반대로, 워크(W)가 히터로부터 떨어져 있으면 온도 변화는 감소하지만, 히터의 열효율이 감소한다. 따라서, 이러한 조건을 고려하여 거리를 적절하게 설정해야만 한다.
본 발명은 상술한 바람직한 실시형태에 한정되지 않는다.
상기 바람직한 실시형태에는 리드 단자 및 2층의 실시콘 고무로 피복된 압전 부품(W)이 도시되었다. 그러나, 압전 부품은 한 층의 실리콘 고무로 피복되어도 된다. 그러나, 2층의 실리콘 고무로 피복되면 본 발명의 바람직한 실시형태는 두 단계의 가열 경화가 필요하기 때문에 더욱 효과적이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시형태는 리드 단자를 갖는 압전 부품만이 아니라, 일부가 실리콘 고무(S)로 도포된 칩 압전 부품(W)에도 적용할 수 있다. 후자의 경우, 압전 부품(W)을 평면의 지그(H) 상에 놓고 도 3에 도시된 경화로(23)에 반송해도 된다.
또한, 실리콘 재료를 포함하는 다른 전자 부품은 본 발명의 실리콘 고무 경화방법 및 경화장치에 사용할 수 있다.
본 바람직한 실시형태에서는 지그(10)를 제 1 실리콘 고무(5)의 경화 공정 및 제 2 실리콘 고무(6)의 경화 공정에 사용하였다. 그러나, 지그를 외장 수지(7)의 경화 공정에 사용해도 된다. 특히, 에폭시 수지를 외장 수지(7)로써 사용하면 에폭시 수지는 실리콘 고무와 동일하게 원적외선 영역에 흡수 스펙트럼을 가지기 때문에, 동일한 원적외선 히터를 실리콘 고무 및 외장 수지의 경화 공정에 사용할 수 있다.
본 바람직한 실시형태에서는 배치형(batch-type)의 경화로(23)를 도시하고 있지만, 연속형의 경화로를 사용해도 된다. 즉, 컨베이어를 경화로의 입구부로부터 출구부로 연속적으로 배치하여, 지그를 컨베이어로 반송하면서 워크(W)를 원적외선 히터에 의해 가열함으로써, 실리콘 고무를 경화시킨다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 경화장치는 단시간 내에 실리콘 고무를 경화시킬 수 있으므로, 경화로 내에서 실리콘 고무를 장시간 유지할 수 없는 연속형의 경화로에 적용하는데 효과적이다.
상기 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 미경화의 실리콘 고무로 피복된 압전 소자를 지그로 지지하고, 실리콘 고무에 원적외선을 조사하여, 원적외선이 실리콘 고무에 선택적으로 흡수되고, 실리콘 고무를 단시간 내에 경화시킬 수 있다. 원적외선은 압전 소자에 실질적으로 흡수되지 않기 때문에, 압전 소자는 발열하지 않고 압전 특성의 저하를 확실히 방지할 수 있다.
또한, 지그는 원적외선을 거의 흡수하지 않고, 원적외선의 조사가 단시간이기 때문에 실질적으로 가열되지 않는다. 따라서, 지그를 냉각시키지 않고 연속적으로 사용할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다.
실리콘 고무는 원적외선에 의해 내부에서 열을 생산하기 때문에, 경화가 균일하게 진행되어 실리콘 고무 전체를 균등하게 경화시킬 수 있다.
바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 기술 분야의 전문가라면 본 발명의 요지 및 범위를 벗어나지 않는 한 여러가지 응용 및 변형이 가능하다는 것을 알 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 압전 소자의 하나의 예의 종횡단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 압전 소자를 제조하는데 사용되는 지그의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 실리콘 고무를 경화하는 장치의 하나의 예의 측면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선 단면도이다.
도 5는 경화로의 사시도이다.
도 6은 지그를 형성하는 알루미늄 분말의 원적외선 흡수의 특성을 도시하는 그래프이다.
도 7은 압전 소자 등의 전자 부품을 형성하는 세라믹 분말의 원적외선 흡수의 특성을 도시하는 그래프이다.
도 8은 단자를 형성하는 Sn분말의 원적외선 흡수의 특성을 도시하는 그래프이다.
도 9는 실리콘 고무의 원적외선 흡수의 특성을 도시하는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 실리콘 고무를 경화하는 장치의 다른 예의 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
1 압전 세라믹 소자 2∼4 리드 단자
5,6 실리콘 고무 10 지그
23 경화로 24 원적외선 패널 히터

Claims (20)

  1. 전자부품에 도포된 실리콘 고무를 경화시키는 방법으로서,
    복수의 전자 부품을 지그(jig)에 지지하는 공정;
    상기 지그에 의해 지지된 상기 전자 부품의 외부 표면에 실리콘 고무를 도포하는 공정; 및
    상기 전자 부품의 외부 표면에 도포된 상기 미경화 실리콘 고무에 원적외선을 조사하여 상기 미경화 실리콘 고무를 경화시키는 공정; 을 포함하되,
    상기 미경화의 실리콘 고무에 원적외선을 조사하여 상기 실리콘 고무를 경화시키는 공정에서, 상기 원적외선은 상기 지그에 의해 흡수되지 않는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 원적외선은 약 7∼15㎛의 파장을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전자 부품은 압전 부품인 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 전자 부품은 리드 단자를 갖는 압전 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 전자 부품은 전단 모드(shear mode) 진동 소자를 포함하는 실질적으로 직사각형의 압전 소자, 및 복수의 리드 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 리드 단자는, 상기 지그에 의해 지지된 상기 전자 부품의 외부 표면에 실리콘 고무를 도포하는 공정에서 제 1 실리콘 고무에 의해 피복되는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 지그에 의해 지지된 상기 전자 부품의 외부 표면에 실리콘 고무를 도포하는 공정에서, 상기 압전 소자의 전체 면적을 피복하는 제 2 실리콘 고무가 도포되는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 실리콘 고무의 경화방법은 상기 압전 소자의 전체 면적을 피복하기 위해서, 상기 제 2 실리콘 고무에 에폭시 수지를 도포하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 제 1 실리콘 고무는, 상기 제 2 실리콘 고무를 도포하기 전에 상기 전자 부품의 외부 표면에 도포된 상기 미경화의 실리콘 고무를 조사하는 공정시에 경화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화방법.
  10. 삭제
  11. 전자 부품의 외부 표면에 도포된 실리콘 고무의 경화장치로서,
    상기 경화장치는,
    상기 전자 부품의 외부 표면에 도포된 미경화의 실리콘 고무를 갖는 전자 부품을 지지하도록 정렬되고, 원적외선을 반사하는 특징을 가지며 또한 원적외선을 흡수하지 않는 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 지그; 및
    상기 전자 부품의 외부 표면에 도포된 미경화의 실리콘 고무에 원적외선을 조사하여, 실리콘 고무를 경화시키기 위한 원적외선 발생 장치; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 원적외선 발생 장치에 의해 방출된 상기 원적외선이 약 7∼15㎛의 파장을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 전자 부품은 압전 부품인 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  14. 제 11항에 있어서, 실리콘 고무의 경화장치는 실리콘 고무 도포 장치로부터 원적외선 발생 장치로 지그를 반송하도록 정렬된 컨베이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 원적외선 발생 장치는 단열재로 구성된 노벽(furnace wall)을 갖는 경화로를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 원적외선 발생 장치는 지그의 면적보다 큰 면적의 발열면을 갖는 원적외선 패널 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  17. 삭제
  18. 제 11항에 있어서, 상기 지그는 원적외선의 도포에 반응하여 가열되지 않은 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  19. 제 11항에 있어서, 상기 전자 부품은 리드 단자를 갖는 압전 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
  20. 제 11항에 있어서, 상기 전자 부품은 전단 모드 진동 소자를 포함하는 실질적으로 직사각형의 압전 소자, 및 복수의 리드 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무의 경화장치.
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