JP3538707B2 - シリコーンゴム硬化方法および硬化装置 - Google Patents
シリコーンゴム硬化方法および硬化装置Info
- Publication number
- JP3538707B2 JP3538707B2 JP2000042293A JP2000042293A JP3538707B2 JP 3538707 B2 JP3538707 B2 JP 3538707B2 JP 2000042293 A JP2000042293 A JP 2000042293A JP 2000042293 A JP2000042293 A JP 2000042293A JP 3538707 B2 JP3538707 B2 JP 3538707B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone rubber
- jig
- curing
- far
- piezoelectric element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 title claims description 77
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 title claims description 74
- 238000001723 curing Methods 0.000 title description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010073 coating (rubber) Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/16—Chemical modification with polymerisable compounds
- C08J7/18—Chemical modification with polymerisable compounds using wave energy or particle radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電素子の周囲をシ
リコーンゴムで被覆した後、その周囲を外装樹脂で被覆
した圧電部品などに使用されるシリコーンゴム硬化装置
に関するものである。
リコーンゴムで被覆した後、その周囲を外装樹脂で被覆
した圧電部品などに使用されるシリコーンゴム硬化装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、圧電部品の一例として、例えば特
開平１−２２８３１０号公報に記載のように、リード端
子を取り付けた圧電素子の周囲に、シリコーンゴムなど
の弾性材料を塗布して被覆し、その外周を外装樹脂で封
止したものが知られている。シリコーンゴムは、外装樹
脂の収縮応力により圧電素子の振動特性が変化するのを
抑制する効果と、圧電素子の波形歪みを抑えるダンピン
グ効果とを有している。
開平１−２２８３１０号公報に記載のように、リード端
子を取り付けた圧電素子の周囲に、シリコーンゴムなど
の弾性材料を塗布して被覆し、その外周を外装樹脂で封
止したものが知られている。シリコーンゴムは、外装樹
脂の収縮応力により圧電素子の振動特性が変化するのを
抑制する効果と、圧電素子の波形歪みを抑えるダンピン
グ効果とを有している。
【０００３】このような圧電部品を製造するには、まず
リードフレームに圧電素子を取り付け、リードフレーム
を治具に保持した状態で、圧電素子の周囲にシリコーン
ゴムをディッピングにより塗布し、オーブンで加熱硬化
させる。その後、治具に保持したままで、シリコーンゴ
ムの周囲にエポキシ樹脂をディッピングにより塗布し、
再びオーブンで加熱硬化させることにより、外装樹脂層
を形成する。その後、リードフレームを治具から取り外
し、リードフレームからリード端子を分離することによ
り、圧電部品を得ることができる。このように複数の圧
電素子を治具に保持したまま一連の工程を実施すること
で、量産性を高めるとともに、均質な製品を得ることが
できる。
リードフレームに圧電素子を取り付け、リードフレーム
を治具に保持した状態で、圧電素子の周囲にシリコーン
ゴムをディッピングにより塗布し、オーブンで加熱硬化
させる。その後、治具に保持したままで、シリコーンゴ
ムの周囲にエポキシ樹脂をディッピングにより塗布し、
再びオーブンで加熱硬化させることにより、外装樹脂層
を形成する。その後、リードフレームを治具から取り外
し、リードフレームからリード端子を分離することによ
り、圧電部品を得ることができる。このように複数の圧
電素子を治具に保持したまま一連の工程を実施すること
で、量産性を高めるとともに、均質な製品を得ることが
できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、加熱硬化型
のシリコーンゴムをオーブンで加熱硬化させる場合、熱
風による直接伝熱を利用しており、１５０〜１６０℃の
温度で、３０分〜１時間加熱するのが一般的である。と
ころが、圧電素子（例えば圧電セラミック素子など）を
このような高温下で長い時間さらすと、圧電特性が劣化
（デイポール）するという問題がある。
のシリコーンゴムをオーブンで加熱硬化させる場合、熱
風による直接伝熱を利用しており、１５０〜１６０℃の
温度で、３０分〜１時間加熱するのが一般的である。と
ころが、圧電素子（例えば圧電セラミック素子など）を
このような高温下で長い時間さらすと、圧電特性が劣化
（デイポール）するという問題がある。
【０００５】また、上記のように治具に複数の圧電素子
を保持した状態でシリコーンゴムの塗布や外装樹脂の形
成などを行う方法では、オーブンで加熱硬化させる場合
も、圧電素子を支持した治具が加熱炉内に挿入されるの
で、圧電素子だけでなく治具も加熱しなければならな
い。しかし、圧電素子に比べて治具の方が熱容量がはる
かに大きいので、加熱時間を必要とするとともに、炉外
に排出した後、治具の冷却時間を必要とし、シリコーン
ゴムの硬化処理に長時間を必要とするという問題があ
る。さらに、従来の加熱硬化装置の場合、ヒータやファ
ンなどの設備が大がかりとなり、搬送系も含めると、コ
スト高になる欠点があった。
を保持した状態でシリコーンゴムの塗布や外装樹脂の形
成などを行う方法では、オーブンで加熱硬化させる場合
も、圧電素子を支持した治具が加熱炉内に挿入されるの
で、圧電素子だけでなく治具も加熱しなければならな
い。しかし、圧電素子に比べて治具の方が熱容量がはる
かに大きいので、加熱時間を必要とするとともに、炉外
に排出した後、治具の冷却時間を必要とし、シリコーン
ゴムの硬化処理に長時間を必要とするという問題があ
る。さらに、従来の加熱硬化装置の場合、ヒータやファ
ンなどの設備が大がかりとなり、搬送系も含めると、コ
スト高になる欠点があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、圧電素子の特性
劣化を招かず、加熱硬化処理を短時間で実施でき、生産
効率を向上させることができるシリコーンゴム硬化方法
および硬化装置を提供することにある。
劣化を招かず、加熱硬化処理を短時間で実施でき、生産
効率を向上させることができるシリコーンゴム硬化方法
および硬化装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、複数の圧電素子を治具に
支持する工程と、治具に支持された圧電素子の外周面に
シリコーンゴムを塗布する工程と、圧電素子の外周面に
塗布された未硬化状態のシリコーンゴムに遠赤外線を照
射し、シリコーンゴムを硬化させる工程とを有し、上記
遠赤外線は、７〜１５μｍの波長を含むことを特徴とす
るシリコーンゴム硬化方法を提供する。また、請求項２
に記載の発明は、圧電素子の外周面に塗布されたシリコ
ーンゴムを硬化させるための装置であって、外周面に未
硬化状態のシリコーンゴムが塗布された圧電素子を支持
し、遠赤外線を反射する性質を有する治具と、圧電素子
の外周面に塗布された未硬化状態のシリコーンゴムに遠
赤外線を照射し、シリコーンゴムを硬化させる遠赤外線
発生装置とを備え、上記遠赤外線発生装置から照射され
る遠赤外線は、７〜１５μｍの波長を含むことを特徴と
するシリコーンゴム硬化装置を提供する。
め、請求項１に記載の発明は、複数の圧電素子を治具に
支持する工程と、治具に支持された圧電素子の外周面に
シリコーンゴムを塗布する工程と、圧電素子の外周面に
塗布された未硬化状態のシリコーンゴムに遠赤外線を照
射し、シリコーンゴムを硬化させる工程とを有し、上記
遠赤外線は、７〜１５μｍの波長を含むことを特徴とす
るシリコーンゴム硬化方法を提供する。また、請求項２
に記載の発明は、圧電素子の外周面に塗布されたシリコ
ーンゴムを硬化させるための装置であって、外周面に未
硬化状態のシリコーンゴムが塗布された圧電素子を支持
し、遠赤外線を反射する性質を有する治具と、圧電素子
の外周面に塗布された未硬化状態のシリコーンゴムに遠
赤外線を照射し、シリコーンゴムを硬化させる遠赤外線
発生装置とを備え、上記遠赤外線発生装置から照射され
る遠赤外線は、７〜１５μｍの波長を含むことを特徴と
するシリコーンゴム硬化装置を提供する。
【０００８】本発明では、複数の圧電素子を治具に支持
した状態で、圧電素子の外周面に未硬化状態のシリコー
ンゴムを塗布した後、遠赤外線発生装置の場所へ搬送す
る。ここで、遠赤外線発生装置から圧電素子に対して遠
赤外線を照射すると、遠赤外線は治具や圧電素子には吸
収されず、専ら圧電素子に塗布されたシリコーンゴムに
吸収される。そのため、圧電素子は発熱せず、圧電特性
が劣化（デイポール）することがない。また、熱容量の
大きな治具も発熱しないので、加熱時間および硬化処理
後の冷却期間を短くできる。遠赤外線はシリコーンゴム
の内部から発熱させるので、硬化が均等に進み、シリコ
ーンゴム全体を均等に硬化させることができる。
した状態で、圧電素子の外周面に未硬化状態のシリコー
ンゴムを塗布した後、遠赤外線発生装置の場所へ搬送す
る。ここで、遠赤外線発生装置から圧電素子に対して遠
赤外線を照射すると、遠赤外線は治具や圧電素子には吸
収されず、専ら圧電素子に塗布されたシリコーンゴムに
吸収される。そのため、圧電素子は発熱せず、圧電特性
が劣化（デイポール）することがない。また、熱容量の
大きな治具も発熱しないので、加熱時間および硬化処理
後の冷却期間を短くできる。遠赤外線はシリコーンゴム
の内部から発熱させるので、硬化が均等に進み、シリコ
ーンゴム全体を均等に硬化させることができる。
【０００９】本発明では、遠赤外線発生装置から照射さ
れる遠赤外線は、７〜１５μｍの波長を含んでいる。遠
赤外線の波長は、一般に５〜１０００μｍ程度である
が、そのうちシリコーンゴムの吸収スペクトルは７〜１
５μｍが最も高い。この波長範囲を含む遠赤外線を照射
することで、遠赤外線がシリコーンゴムに効果的に吸収
され、圧電素子や治具などに殆ど吸収されないので、熱
効率が良好となる。
れる遠赤外線は、７〜１５μｍの波長を含んでいる。遠
赤外線の波長は、一般に５〜１０００μｍ程度である
が、そのうちシリコーンゴムの吸収スペクトルは７〜１
５μｍが最も高い。この波長範囲を含む遠赤外線を照射
することで、遠赤外線がシリコーンゴムに効果的に吸収
され、圧電素子や治具などに殆ど吸収されないので、熱
効率が良好となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明にかかるシリコーン
ゴム硬化装置で使用されるワークＷの一例を示す。この
実施例のワークＷは、リード端子付きの圧電部品であ
る。この圧電部品Ｗは、例えば厚み滑り振動素子よりな
る短冊状の圧電セラミック素子１と３本のリード端子２
〜４とを備えている。リード端子２〜４を固着した圧電
素子１の両端部であって、少なくとも両端エッジ部を含
む部位が、第１のシリコーンゴム５によって被覆されて
いる。第１のシリコーンゴム５で被覆された圧電セラミ
ック素子１の周囲全体が第２のシリコーンゴム６によっ
て被覆され、さらにその周囲全体がエポキシ樹脂などの
外装樹脂７によって被覆されている。
ゴム硬化装置で使用されるワークＷの一例を示す。この
実施例のワークＷは、リード端子付きの圧電部品であ
る。この圧電部品Ｗは、例えば厚み滑り振動素子よりな
る短冊状の圧電セラミック素子１と３本のリード端子２
〜４とを備えている。リード端子２〜４を固着した圧電
素子１の両端部であって、少なくとも両端エッジ部を含
む部位が、第１のシリコーンゴム５によって被覆されて
いる。第１のシリコーンゴム５で被覆された圧電セラミ
ック素子１の周囲全体が第２のシリコーンゴム６によっ
て被覆され、さらにその周囲全体がエポキシ樹脂などの
外装樹脂７によって被覆されている。
【００１１】上記構造の圧電部品Ｗの場合、外装樹脂７
の収縮応力の影響を最も受けやすい両端エッジ部には二
重のシリコーンゴム被膜５，６が形成されるので、温度
変化により外装樹脂７の収縮応力が変化しても、応力変
化を吸収でき、温度による特性変化を解消できる。ま
た、圧電部品Ｗのダンピング効果は第２のシリコーンゴ
ム６によって確保されるので、波形歪みなどが発生しな
いなどの特徴を有する。
の収縮応力の影響を最も受けやすい両端エッジ部には二
重のシリコーンゴム被膜５，６が形成されるので、温度
変化により外装樹脂７の収縮応力が変化しても、応力変
化を吸収でき、温度による特性変化を解消できる。ま
た、圧電部品Ｗのダンピング効果は第２のシリコーンゴ
ム６によって確保されるので、波形歪みなどが発生しな
いなどの特徴を有する。
【００１２】圧電部品Ｗは、図２に示すように複数の圧
電素子１をリードフレーム８に取り付けた状態で、治具
１０に整列保持される。この実施例の治具１０は、例え
ば特許第２５８１３４２号公報に開示された治具であ
り、非磁性の硬質基板１１の上面にリードフレーム８の
帯部を保持する保持溝１２が複数本形成され、磁石（図
示せず）によって磁性リードフレーム８を複数本並列に
吸着保持するものである。治具１０の硬質基板１１は遠
赤外線を反射する性質を有する材料、例えばアルミニウ
ムなどの光沢のある金属板で構成されている。
電素子１をリードフレーム８に取り付けた状態で、治具
１０に整列保持される。この実施例の治具１０は、例え
ば特許第２５８１３４２号公報に開示された治具であ
り、非磁性の硬質基板１１の上面にリードフレーム８の
帯部を保持する保持溝１２が複数本形成され、磁石（図
示せず）によって磁性リードフレーム８を複数本並列に
吸着保持するものである。治具１０の硬質基板１１は遠
赤外線を反射する性質を有する材料、例えばアルミニウ
ムなどの光沢のある金属板で構成されている。
【００１３】上記のように治具１０に保持された圧電部
品Ｗは、第１のシリコーンゴム５の塗布工程へ送られ、
第１のシリコーンゴム５を点滴状に塗布した後、後述す
るシリコーンゴム硬化装置へ送られ、未硬化状態の第１
のシリコーンゴム５が加熱硬化される。その後、第２の
シリコーンゴム６の塗布工程へ送られ、第２のシリコー
ンゴム６をディッピングなどにより塗布した後、再び後
述するシリコーンゴム硬化装置へ送られ、未硬化状態の
第２のシリコーンゴム６が加熱硬化される。
品Ｗは、第１のシリコーンゴム５の塗布工程へ送られ、
第１のシリコーンゴム５を点滴状に塗布した後、後述す
るシリコーンゴム硬化装置へ送られ、未硬化状態の第１
のシリコーンゴム５が加熱硬化される。その後、第２の
シリコーンゴム６の塗布工程へ送られ、第２のシリコー
ンゴム６をディッピングなどにより塗布した後、再び後
述するシリコーンゴム硬化装置へ送られ、未硬化状態の
第２のシリコーンゴム６が加熱硬化される。
【００１４】図３〜図５は本発明にかかるシリコーンゴ
ム硬化装置の一例を示す。２０はワークＷを搭載した治
具１０を矢印方向に搬送するコンベアであり、コンベア
２０の中間位置には、シリンダなどの昇降装置２１によ
って上下に駆動されるプッシャ２２が設けられている。
プッシャ２２は図４に示すように、一対のコンベア２０
の間を昇降し、治具１０を水平に持ち上げる機能を有す
る。
ム硬化装置の一例を示す。２０はワークＷを搭載した治
具１０を矢印方向に搬送するコンベアであり、コンベア
２０の中間位置には、シリンダなどの昇降装置２１によ
って上下に駆動されるプッシャ２２が設けられている。
プッシャ２２は図４に示すように、一対のコンベア２０
の間を昇降し、治具１０を水平に持ち上げる機能を有す
る。
【００１５】昇降装置２１の上方には、硬化炉２３が設
置されている。硬化炉２３の炉壁は、後述するヒータ２
４の表面温度ばらつきを抑えるために、断熱材で構成さ
れている。硬化炉２３の下面には、治具１０を挿入自在
な開口部２３ａが設けられている。硬化炉２３の内部に
は、発熱面２４ａを下方に向けて遠赤外線パネルヒータ
２４が水平に固定されている。遠赤外線パネルヒータ２
４の発熱面２４ａは、上記治具１０より広い面積を有し
ており、照射される遠赤外線の波長はシリコーンゴムの
吸収スペクトルに応じた波長に設定されている。
置されている。硬化炉２３の炉壁は、後述するヒータ２
４の表面温度ばらつきを抑えるために、断熱材で構成さ
れている。硬化炉２３の下面には、治具１０を挿入自在
な開口部２３ａが設けられている。硬化炉２３の内部に
は、発熱面２４ａを下方に向けて遠赤外線パネルヒータ
２４が水平に固定されている。遠赤外線パネルヒータ２
４の発熱面２４ａは、上記治具１０より広い面積を有し
ており、照射される遠赤外線の波長はシリコーンゴムの
吸収スペクトルに応じた波長に設定されている。
【００１６】硬化炉２３の内部には、治具１０の側端部
下面を支える支持手段（図示せず）が設けられ、プッシ
ャ２２によって治具１０を硬化炉２３の内部に挿入した
時、支持手段が治具１０の下面を支え、治具１０を遠赤
外線パネルヒータ２４の発熱面に対して水平に支持する
機能を有する。硬化炉２３の下側には、図示しない駆動
手段によって開閉作動されるシャッタ２５が設けられて
いる。シャッタ２５は硬化炉２３の開口部２３ａを閉鎖
し、外気の流入を防止するものである。
下面を支える支持手段（図示せず）が設けられ、プッシ
ャ２２によって治具１０を硬化炉２３の内部に挿入した
時、支持手段が治具１０の下面を支え、治具１０を遠赤
外線パネルヒータ２４の発熱面に対して水平に支持する
機能を有する。硬化炉２３の下側には、図示しない駆動
手段によって開閉作動されるシャッタ２５が設けられて
いる。シャッタ２５は硬化炉２３の開口部２３ａを閉鎖
し、外気の流入を防止するものである。
【００１７】次に、上記構成よりなるシリコーンゴム硬
化装置の作動を説明する。まず、コンベア２０の上に治
具１０を載せて矢印方向へ搬送し、硬化炉２３の下方位
置で停止させる。次に、シャッタ２５を開くとともに、
昇降装置２１を駆動し、プッシャ２２によって治具１０
をコンベア２０から持ち上げ、治具１０を硬化炉２３の
開口部２３ａから内部へ挿入する。治具１０を硬化炉２
３に挿入した後、支持手段によって治具１０の下面を支
え、治具１０を遠赤外線パネルヒータ２４の発熱面２４
ａに対して水平に支持する。そして、シャッタ２５は硬
化炉２３の開口部２３ａを閉鎖する。次に、遠赤外線パ
ネルヒータ２４によって治具１０上に配列されたワーク
Ｗに遠赤外線を照射し、ワークＷに塗布されたシリコー
ンゴム５，６を硬化させる。特に、照射される遠赤外線
が７〜１５μｍの範囲の波長を含むようにすれば、シリ
コーンゴム５，６を効果的に加熱でき、治具１０や圧電
部品Ｗを殆ど加熱せずに済む。シリコーンゴム５，６を
加熱硬化させた後、シャッタ２５を開き、昇降装置２１
によってプッシャ２２を上昇させて硬化炉２３内の治具
１０の底面を支え、プッシャ２２を下降させて治具１０
を硬化炉２３から取り出し、シャッタ２５を閉じる。そ
して、治具１０をコンベア２０上に載せ、コンベア２０
を駆動して矢印方向へ搬出する。
化装置の作動を説明する。まず、コンベア２０の上に治
具１０を載せて矢印方向へ搬送し、硬化炉２３の下方位
置で停止させる。次に、シャッタ２５を開くとともに、
昇降装置２１を駆動し、プッシャ２２によって治具１０
をコンベア２０から持ち上げ、治具１０を硬化炉２３の
開口部２３ａから内部へ挿入する。治具１０を硬化炉２
３に挿入した後、支持手段によって治具１０の下面を支
え、治具１０を遠赤外線パネルヒータ２４の発熱面２４
ａに対して水平に支持する。そして、シャッタ２５は硬
化炉２３の開口部２３ａを閉鎖する。次に、遠赤外線パ
ネルヒータ２４によって治具１０上に配列されたワーク
Ｗに遠赤外線を照射し、ワークＷに塗布されたシリコー
ンゴム５，６を硬化させる。特に、照射される遠赤外線
が７〜１５μｍの範囲の波長を含むようにすれば、シリ
コーンゴム５，６を効果的に加熱でき、治具１０や圧電
部品Ｗを殆ど加熱せずに済む。シリコーンゴム５，６を
加熱硬化させた後、シャッタ２５を開き、昇降装置２１
によってプッシャ２２を上昇させて硬化炉２３内の治具
１０の底面を支え、プッシャ２２を下降させて治具１０
を硬化炉２３から取り出し、シャッタ２５を閉じる。そ
して、治具１０をコンベア２０上に載せ、コンベア２０
を駆動して矢印方向へ搬出する。
【００１８】図６〜図９は、治具１０を構成するアルミ
ニウム粉末、圧電部品Ｗを構成するセラミックス粉末、
端子２〜４を構成するＳｎ粉末、およびシリコーンゴム
の赤外線吸収特性を測定したものである。図において、
横軸は赤外線の波長、縦軸は赤外線の吸光度を示す。シ
リコーンゴムは遠赤外線領域（波長：５〜１０００μ
ｍ）に吸収スペクトルを持つことがわかる。特に、７〜
１５μｍの範囲に吸収スペクトルのピークが存在する。
これに対し、他の材料では遠赤外線領域にほとんど吸収
スペクトルを持たないため、加熱されにくい。したがっ
て、遠赤外線を照射すれば、シリコーンゴムのみを選択
的に加熱できることがわかる。
ニウム粉末、圧電部品Ｗを構成するセラミックス粉末、
端子２〜４を構成するＳｎ粉末、およびシリコーンゴム
の赤外線吸収特性を測定したものである。図において、
横軸は赤外線の波長、縦軸は赤外線の吸光度を示す。シ
リコーンゴムは遠赤外線領域（波長：５〜１０００μ
ｍ）に吸収スペクトルを持つことがわかる。特に、７〜
１５μｍの範囲に吸収スペクトルのピークが存在する。
これに対し、他の材料では遠赤外線領域にほとんど吸収
スペクトルを持たないため、加熱されにくい。したがっ
て、遠赤外線を照射すれば、シリコーンゴムのみを選択
的に加熱できることがわかる。
【００１９】上記のように遠赤外線を使用することによ
り、次のような作用効果を有する。 （１）シリコーンゴムを短時間で硬化できること。 上記のようにシリコーンゴムは遠赤外線をよく吸収する
ので、短時間で効率よく昇温できる。温度の立ち上がり
が早い分、硬化時間を短縮できる。また、シリコーンゴ
ムだけが昇温するので、シリコーンゴムの硬化温度を高
く設定することができ、硬化時間を大幅に短縮できる。
例えば、従来のようなオーブンを用いた硬化装置の場
合、シリコーンゴムを１６０℃で加熱硬化させるために
１０分必要としていたのに対し、本発明の遠赤外線パネ
ルヒータを用いると、約９０秒で済む。 （２）加熱硬化時間の短縮 上記のように治具１０は遠赤外線の吸収が悪く、遠赤外
線の照射が短時間のため殆ど加熱されない。したがっ
て、治具１０を冷却せずにそのまま連続的に使用でき
る。これによって、加熱硬化時間を短縮できる。 （３）設備コストの低減 遠赤外線ヒータはオーブンに比べて設備が簡素であり、
コンパクトであるため、面積生産性が向上する。また、
その核となる遠赤外線パネルヒータも比較的安価であ
る。さらに、治具１０の冷却用保管部を省略できること
から、設備コストを低減できる。 （４）注意点 遠赤外線を利用する際の注意点は温度ばらつきである。
これを解決するためには、ヒータのサイズ、断熱構造、
ヒータとワークＷとの距離が重要である。 ヒータのサイズ：ワークの加熱に使用する面積よりも一
回り大きいサイズのヒータを使用するのがよい。ヒータ
の端部は側面方向の熱の逃げがあるため、温度が低くな
りやすいからである。 断熱構造：ヒータの温度ばらつきはワークＷの温度ばら
つきにつながる。したがって、ヒータの温度を面内均一
にするには、硬化炉２３を断熱構造とし、外気に奪われ
る熱を極力抑えるのがよい。 ヒータとの距離：ワークＷとヒータとの距離が近過ぎる
と、ヒータの温度ばらつきの影響を直接受けやすいとい
う問題と、空気伝熱の影響が出てくるという問題があ
る。逆に、ヒータから遠く離れると、温度バラツキは小
さくなるが、ヒータの熱効率が悪くなる。したがって、
これらを勘案して適切な距離に設定する必要がある。
り、次のような作用効果を有する。 （１）シリコーンゴムを短時間で硬化できること。 上記のようにシリコーンゴムは遠赤外線をよく吸収する
ので、短時間で効率よく昇温できる。温度の立ち上がり
が早い分、硬化時間を短縮できる。また、シリコーンゴ
ムだけが昇温するので、シリコーンゴムの硬化温度を高
く設定することができ、硬化時間を大幅に短縮できる。
例えば、従来のようなオーブンを用いた硬化装置の場
合、シリコーンゴムを１６０℃で加熱硬化させるために
１０分必要としていたのに対し、本発明の遠赤外線パネ
ルヒータを用いると、約９０秒で済む。 （２）加熱硬化時間の短縮 上記のように治具１０は遠赤外線の吸収が悪く、遠赤外
線の照射が短時間のため殆ど加熱されない。したがっ
て、治具１０を冷却せずにそのまま連続的に使用でき
る。これによって、加熱硬化時間を短縮できる。 （３）設備コストの低減 遠赤外線ヒータはオーブンに比べて設備が簡素であり、
コンパクトであるため、面積生産性が向上する。また、
その核となる遠赤外線パネルヒータも比較的安価であ
る。さらに、治具１０の冷却用保管部を省略できること
から、設備コストを低減できる。 （４）注意点 遠赤外線を利用する際の注意点は温度ばらつきである。
これを解決するためには、ヒータのサイズ、断熱構造、
ヒータとワークＷとの距離が重要である。 ヒータのサイズ：ワークの加熱に使用する面積よりも一
回り大きいサイズのヒータを使用するのがよい。ヒータ
の端部は側面方向の熱の逃げがあるため、温度が低くな
りやすいからである。 断熱構造：ヒータの温度ばらつきはワークＷの温度ばら
つきにつながる。したがって、ヒータの温度を面内均一
にするには、硬化炉２３を断熱構造とし、外気に奪われ
る熱を極力抑えるのがよい。 ヒータとの距離：ワークＷとヒータとの距離が近過ぎる
と、ヒータの温度ばらつきの影響を直接受けやすいとい
う問題と、空気伝熱の影響が出てくるという問題があ
る。逆に、ヒータから遠く離れると、温度バラツキは小
さくなるが、ヒータの熱効率が悪くなる。したがって、
これらを勘案して適切な距離に設定する必要がある。
【００２０】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。上記実施例では、シリコーンゴムを２層に形成し
たリード端子付きの圧電部品Ｗの例を示したが、シリコ
ーンゴムが１層のみ形成された圧電部品であってもよ
い。ただ、２層のシリコーンゴムを形成した圧電部品の
場合、加熱硬化も２回必要となるので、本発明は効果的
である。また、本発明は、図１０のように、リード端子
付きの圧電部品だけでなく、一部にシリコーンゴムＳを
塗布したチップ型の圧電部品Ｗの加熱硬化処理にも用い
ることができる。この場合には、圧電部品Ｗを平板状の
治具Ｈの上に載せて図３に示す硬化炉２３へ搬入すれば
よい。
ない。上記実施例では、シリコーンゴムを２層に形成し
たリード端子付きの圧電部品Ｗの例を示したが、シリコ
ーンゴムが１層のみ形成された圧電部品であってもよ
い。ただ、２層のシリコーンゴムを形成した圧電部品の
場合、加熱硬化も２回必要となるので、本発明は効果的
である。また、本発明は、図１０のように、リード端子
付きの圧電部品だけでなく、一部にシリコーンゴムＳを
塗布したチップ型の圧電部品Ｗの加熱硬化処理にも用い
ることができる。この場合には、圧電部品Ｗを平板状の
治具Ｈの上に載せて図３に示す硬化炉２３へ搬入すれば
よい。
【００２１】上記実施例では、治具１０を第１のシリコ
ーンゴム５の硬化工程および第２のシリコーンゴム６の
硬化工程で使用した例を示したが、外装樹脂７の硬化工
程で使用することも可能である。特に、外装樹脂７とし
てエポキシ樹脂を用いた場合、エポキシ樹脂はシリコー
ンゴムと同様に遠赤外線領域に吸収スペクトルを持つの
で、同一の遠赤外線ヒータを用いてシリコーンゴムおよ
び外装樹脂の硬化処理に共用することができる。
ーンゴム５の硬化工程および第２のシリコーンゴム６の
硬化工程で使用した例を示したが、外装樹脂７の硬化工
程で使用することも可能である。特に、外装樹脂７とし
てエポキシ樹脂を用いた場合、エポキシ樹脂はシリコー
ンゴムと同様に遠赤外線領域に吸収スペクトルを持つの
で、同一の遠赤外線ヒータを用いてシリコーンゴムおよ
び外装樹脂の硬化処理に共用することができる。
【００２２】上記実施例では、バッチ型の硬化炉２３を
示したが、連続型の硬化炉でも使用可能である。すなわ
ち、硬化炉の内部に入口部から出口部にかけてコンベア
を連続的に配設し、コンベアで治具を搬送しながら、遠
赤外線ヒータによってワークＷを加熱することにより、
シリコーンゴムを硬化させるものである。本発明の硬化
装置は、短時間でシリコーンゴムを硬化させることがで
きるので、炉内で長時間保持できない連続型の硬化炉に
適用すれば効果的である。
示したが、連続型の硬化炉でも使用可能である。すなわ
ち、硬化炉の内部に入口部から出口部にかけてコンベア
を連続的に配設し、コンベアで治具を搬送しながら、遠
赤外線ヒータによってワークＷを加熱することにより、
シリコーンゴムを硬化させるものである。本発明の硬化
装置は、短時間でシリコーンゴムを硬化させることがで
きるので、炉内で長時間保持できない連続型の硬化炉に
適用すれば効果的である。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、未硬化状態のシリコーンゴムが塗布された圧電
素子を治具に支持し、このシリコーンゴムに対して７〜
１５μｍの波長を含む遠赤外線を照射するようにしたの
で、遠赤外線がシリコーンゴムに選択的に吸収され、シ
リコーンゴムを短時間で硬化させることができる。ま
た、遠赤外線は圧電素子に殆ど吸収されないので、圧電
素子は発熱せず、圧電特性の劣化を防止できる。また、
治具は遠赤外線の吸収が悪く、しかも遠赤外線の照射が
短時間のため殆ど加熱されない。したがって、治具を冷
却せずにそのまま連続的に使用でき、生産効率を向上さ
せることができる。さらに、遠赤外線はシリコーンゴム
の内部から発熱させるので、硬化が均等に進み、シリコ
ーンゴム全体を均等に硬化させることができる。
よれば、未硬化状態のシリコーンゴムが塗布された圧電
素子を治具に支持し、このシリコーンゴムに対して７〜
１５μｍの波長を含む遠赤外線を照射するようにしたの
で、遠赤外線がシリコーンゴムに選択的に吸収され、シ
リコーンゴムを短時間で硬化させることができる。ま
た、遠赤外線は圧電素子に殆ど吸収されないので、圧電
素子は発熱せず、圧電特性の劣化を防止できる。また、
治具は遠赤外線の吸収が悪く、しかも遠赤外線の照射が
短時間のため殆ど加熱されない。したがって、治具を冷
却せずにそのまま連続的に使用でき、生産効率を向上さ
せることができる。さらに、遠赤外線はシリコーンゴム
の内部から発熱させるので、硬化が均等に進み、シリコ
ーンゴム全体を均等に硬化させることができる。
【図１】本発明が適用される圧電素子の一例の縦断面図
である。
である。
【図２】図１の圧電素子を製造する際に使用される治具
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】本発明にかかるシリコーンゴム硬化装置の一例
の側面図である。
の側面図である。
【図４】図３のIV−IV線断面図である。
【図５】硬化炉の斜視図である。
【図６】治具を構成するアルミニウム粉末の赤外線吸収
特性図である。
特性図である。
【図７】圧電素子を構成するセラミックス粉末の赤外線
吸収特性図である。
吸収特性図である。
【図８】端子を構成するＳｎ粉末の赤外線吸収特性図で
ある。
ある。
【図９】シリコーンゴムの赤外線吸収特性図である。
【図１０】本発明にかかるシリコーンゴム硬化装置の他
の適用例の斜視図である。
の適用例の斜視図である。
１ 圧電セラミック素子
２〜４ リード端子
５，６ シリコーンゴム
１０ 治具
２３ 硬化炉
２４ 遠赤外線パネルヒータ
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B29C 35/00 - 35/14
C08J 3/00 - 3/28
B05D 3/00 - 3/14
B05D 7/00 - 7/26
H01L 21/00 - 21/98
H01L 41/22
Claims (2)
- 【請求項１】複数の圧電素子を治具に支持する工程と、 治具に支持された圧電素子の外周面にシリコーンゴムを
塗布する工程と、 圧電素子の外周面に塗布された未硬化状態のシリコーン
ゴムに遠赤外線を照射し、シリコーンゴムを硬化させる
工程とを有し、 上記遠赤外線は、７〜１５μｍの波長を含む ことを特徴
とするシリコーンゴム硬化方法。 - 【請求項２】 圧電素子の外周面に塗布されたシリコーン
ゴムを硬化させるための装置であって、 外周面に未硬化状態のシリコーンゴムが塗布された圧電
素子を支持し、遠赤外線を反射する性質を有する治具
と、 圧電素子の外周面に塗布された未硬化状態のシリコーン
ゴムに遠赤外線を照射し、シリコーンゴムを硬化させる
遠赤外線発生装置とを備え、 上記遠赤外線発生装置から照射される遠赤外線は、７〜
１５μｍの波長を含むことを特徴とする シリコーンゴム
硬化装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000042293A JP3538707B2 (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | シリコーンゴム硬化方法および硬化装置 |
| DE60033269T DE60033269D1 (de) | 2000-02-21 | 2000-12-21 | Vorrichtung und Verfahren zur Härtung von Silikonkautschuk |
| EP20000128150 EP1128551B1 (en) | 2000-02-21 | 2000-12-21 | Curing method for silicone rubber and apparatus for the same |
| US09/749,966 US6440501B2 (en) | 2000-02-21 | 2000-12-28 | Apparatus and method for curing silicone rubber |
| CNB011047232A CN1309161C (zh) | 2000-02-21 | 2001-02-20 | 固化硅酮橡胶的装置和方法 |
| KR10-2001-0008614A KR100491868B1 (ko) | 2000-02-21 | 2001-02-21 | 실리콘 고무의 경화방법 및 경화장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000042293A JP3538707B2 (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | シリコーンゴム硬化方法および硬化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001232649A JP2001232649A (ja) | 2001-08-28 |
| JP3538707B2 true JP3538707B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=18565389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000042293A Expired - Lifetime JP3538707B2 (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | シリコーンゴム硬化方法および硬化装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6440501B2 (ja) |
| EP (1) | EP1128551B1 (ja) |
| JP (1) | JP3538707B2 (ja) |
| KR (1) | KR100491868B1 (ja) |
| CN (1) | CN1309161C (ja) |
| DE (1) | DE60033269D1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5548206A (en) * | 1993-09-30 | 1996-08-20 | National Semiconductor Corporation | System and method for dual mode DC-DC power conversion |
| GB2383470B (en) * | 2001-11-12 | 2004-04-28 | Transense Technologies Plc | Self contained radio apparatus for transmission of data |
| US7616637B1 (en) | 2002-04-01 | 2009-11-10 | Cisco Technology, Inc. | Label switching in fibre channel networks |
| US7206288B2 (en) | 2002-06-12 | 2007-04-17 | Cisco Technology, Inc. | Methods and apparatus for characterizing a route in fibre channel fabric |
| US7433326B2 (en) | 2002-11-27 | 2008-10-07 | Cisco Technology, Inc. | Methods and devices for exchanging peer parameters between network devices |
| US7916628B2 (en) | 2004-11-01 | 2011-03-29 | Cisco Technology, Inc. | Trunking for fabric ports in fibre channel switches and attached devices |
| KR100962516B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2010-06-14 | 이만석 | 도전성 실리콘을 사용한 전극의 절연 표면처리 방법 |
| CN104070623B (zh) * | 2013-08-01 | 2016-06-01 | 上海威宁整形制品有限公司 | 一种硅橡胶乳房假体外壳硫化设备 |
| KR101689325B1 (ko) | 2015-07-08 | 2016-12-23 | 주식회사 케이티 | 데이터 보안 방법 및 이를 위한 장치 |
| WO2017093099A1 (de) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | Kistler Holding Ag | Beschleunigungs-messgerät und verfahren zur herstellung eines solchen beschleunigungs-messgerätes |
| CN108004899A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-08 | 翁毅 | 一种路面快速铺平系统 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3836388A (en) * | 1972-10-18 | 1974-09-17 | Western Electric Co | Distributing a fluid evenly over the surface of an article |
| JPS6192026A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波遅延線の遅延時間調整方法 |
| JPS6196812A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JPH01228310A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子の製造方法 |
| JPH01228311A (ja) | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子の製造方法 |
| US4862827A (en) * | 1988-06-28 | 1989-09-05 | Wacker-Chemie Gmbh | Apparatus for coating semiconductor components on a dielectric film |
| JPH04208414A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Toto Ltd | 人造大理石製造用遠赤外線硬化装置 |
| US5240746A (en) * | 1991-02-25 | 1993-08-31 | Delco Electronics Corporation | System for performing related operations on workpieces |
| JPH08252914A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Seiko Epson Corp | インクジェットヘッドおよびその製造方法 |
| CA2230269C (en) * | 1995-08-25 | 2001-04-24 | Mitsui Chemicals, Incorporated | Piezoelectric oscillator component, structure for supporting piezoelectric oscillator and method of mounting piezoelectric oscillator |
| JPH10154717A (ja) | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Nec Eng Ltd | 接着剤乾燥機構 |
| US6323471B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-11-27 | Shunichi Yagi | Microwave and far infrared heating under reduced pressure |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000042293A patent/JP3538707B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-21 EP EP20000128150 patent/EP1128551B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-21 DE DE60033269T patent/DE60033269D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-28 US US09/749,966 patent/US6440501B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-20 CN CNB011047232A patent/CN1309161C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-21 KR KR10-2001-0008614A patent/KR100491868B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010083215A (ko) | 2001-08-31 |
| JP2001232649A (ja) | 2001-08-28 |
| CN1322058A (zh) | 2001-11-14 |
| EP1128551A3 (en) | 2003-12-10 |
| DE60033269D1 (de) | 2007-03-22 |
| KR100491868B1 (ko) | 2005-05-27 |
| US20010016233A1 (en) | 2001-08-23 |
| EP1128551A2 (en) | 2001-08-29 |
| EP1128551B1 (en) | 2007-02-07 |
| CN1309161C (zh) | 2007-04-04 |
| US6440501B2 (en) | 2002-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3538707B2 (ja) | シリコーンゴム硬化方法および硬化装置 | |
| US20130269614A1 (en) | Vapour chamber and substrate processing equipment using same | |
| JPH0230179B2 (ja) | ||
| JPH10199904A (ja) | 光学的熱源によるキャリア内のリードフレームの硬化 | |
| JP2003304671A (ja) | コイル巻装体含浸樹脂硬化方法 | |
| US20080011427A1 (en) | Device for bonding two plate-shaped objects | |
| JP2622356B2 (ja) | 真空加熱処理方法 | |
| KR100529609B1 (ko) | 초단파를 이용한 반도체 소자의 폴리이미드 경화장치 및경화방법 | |
| JPH09136055A (ja) | シール剤の硬化方法及び硬化装置 | |
| JPS59143333A (ja) | 素子保護用樹脂の被覆方法 | |
| JPS63193937A (ja) | 樹脂成形品のアニ−リング方法 | |
| JPH11238743A (ja) | 封止材硬化方法及び封止材硬化装置 | |
| JPH0435030A (ja) | プラズマｃｖｄ装置のウエハ加熱機構 | |
| JPS5863134A (ja) | レジスト硬化方法及びその装置 | |
| JPS60100436A (ja) | 半導体基板の絶縁被膜処理方法 | |
| JP2883874B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JPH0927503A (ja) | 基板加熱装置 | |
| JPH01140806A (ja) | 加熱処理方法 | |
| JPS62219928A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| Tanikella | Variable frequency microwave processing of materials for microelectronic applications | |
| JPH09136054A (ja) | シール剤の加熱硬化装置 | |
| JPH07275776A (ja) | 焼付炉 | |
| JPH0786457A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19990043718A (ko) | 감광제 도포장비의 감광제 경화장치 | |
| JPH0940500A (ja) | レーザーアニール処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040206 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040308 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3538707 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120402 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |