JPH10154717A - 接着剤乾燥機構 - Google Patents
接着剤乾燥機構Info
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- JPH10154717A JPH10154717A JP8311040A JP31104096A JPH10154717A JP H10154717 A JPH10154717 A JP H10154717A JP 8311040 A JP8311040 A JP 8311040A JP 31104096 A JP31104096 A JP 31104096A JP H10154717 A JPH10154717 A JP H10154717A
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- semiconductor element
- resin
- infrared ray
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームの酸化を防止するとともに、
加熱時のガスの発生量を極めて少なく抑え、ボンディン
グワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性劣化を防
いで製品の信頼性を向上可能な接着剤乾燥機構を提供す
る。 【解決手段】 リードフレーム保持部６はリードフレー
ム１を保持する。遠赤外線源１２は照射マスク７を介し
てリードフレーム１のアイランド２にエポキシ系樹脂４
で接着されたシリコン系半導体素子３及びエポキシ系樹
脂４のみに遠赤外線を照射する。リードフレーム１の他
の部分に照射される遠赤外線は照射マスク７に施された
鏡面処理で反射される。遠赤外線はシリコン系半導体素
子３を通過してエポキシ系樹脂４に達し、エポキシ系樹
脂４は遠赤外線を吸収して自ら熱を発生することで硬化
する。
加熱時のガスの発生量を極めて少なく抑え、ボンディン
グワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性劣化を防
いで製品の信頼性を向上可能な接着剤乾燥機構を提供す
る。 【解決手段】 リードフレーム保持部６はリードフレー
ム１を保持する。遠赤外線源１２は照射マスク７を介し
てリードフレーム１のアイランド２にエポキシ系樹脂４
で接着されたシリコン系半導体素子３及びエポキシ系樹
脂４のみに遠赤外線を照射する。リードフレーム１の他
の部分に照射される遠赤外線は照射マスク７に施された
鏡面処理で反射される。遠赤外線はシリコン系半導体素
子３を通過してエポキシ系樹脂４に達し、エポキシ系樹
脂４は遠赤外線を吸収して自ら熱を発生することで硬化
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は接着剤乾燥機構に関
し、特にエポキシ系樹脂を熱硬化させる熱硬化機構に関
する。
し、特にエポキシ系樹脂を熱硬化させる熱硬化機構に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、リードフレームに半導体素子を搭
載する場合、リードフレームのアイランド（搭載領域）
に半導体素子を導電性接着剤で接着しており、その導電
性接着剤を短時間で硬化させるために乾燥機構が用いら
れている。
載する場合、リードフレームのアイランド（搭載領域）
に半導体素子を導電性接着剤で接着しており、その導電
性接着剤を短時間で硬化させるために乾燥機構が用いら
れている。
【０００３】この乾燥機構においては、図４に示すよう
に、半導体素子２２を搭載したリードフレーム２１を上
下反転した状態でリードフレーム２１を加熱するための
加熱部２６を有したリードフレーム保持部２４と、リー
ドフレーム２１を局部的に加熱する熱照射器２５と、リ
ードフレーム２１の加熱時に半導体素子２２をリードフ
レーム２１に接着する導電性接着剤２３から発生するガ
ス２００を吸引する排気部２７と、リードフレーム２１
の加熱時に内部を密閉して加熱状態を保持する密閉カバ
−２８とを備えている。
に、半導体素子２２を搭載したリードフレーム２１を上
下反転した状態でリードフレーム２１を加熱するための
加熱部２６を有したリードフレーム保持部２４と、リー
ドフレーム２１を局部的に加熱する熱照射器２５と、リ
ードフレーム２１の加熱時に半導体素子２２をリードフ
レーム２１に接着する導電性接着剤２３から発生するガ
ス２００を吸引する排気部２７と、リードフレーム２１
の加熱時に内部を密閉して加熱状態を保持する密閉カバ
−２８とを備えている。
【０００４】リードフレーム２１は加熱部２６によって
加熱されたリードフレーム保持部２４に上下反転した状
態で加熱保持され、さらに熱照射器２５によって局部的
に加熱される。このとき、導電性接着剤２３も加熱され
て硬化する。
加熱されたリードフレーム保持部２４に上下反転した状
態で加熱保持され、さらに熱照射器２５によって局部的
に加熱される。このとき、導電性接着剤２３も加熱され
て硬化する。
【０００５】その際、導電性接着剤２３から発生するガ
ス２００は強制的に熱風によって排気部２７に送り込ま
れて排気される。例えば、導電性接着剤２３としてエポ
キシ系樹脂が用いられる場合、エポキシ系樹脂には溶剤
として有機物が混人されているので、加熱されることで
その有機物が有機ガスとして発生してしまう。尚、上記
の乾燥機構については、実開昭６３−１２７１３０号公
報に開示されている。
ス２００は強制的に熱風によって排気部２７に送り込ま
れて排気される。例えば、導電性接着剤２３としてエポ
キシ系樹脂が用いられる場合、エポキシ系樹脂には溶剤
として有機物が混人されているので、加熱されることで
その有機物が有機ガスとして発生してしまう。尚、上記
の乾燥機構については、実開昭６３−１２７１３０号公
報に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の乾燥機
構では、リードフレームを加熱保持しているので、リー
ドフレーム全体が酸化してしまう。また、リードフレー
ムは上下反転して保持されているので、下から熱風を吹
き付けた時またはガスを吸引する時にリードフレームを
熱風が通過していく。その際、導電性接着剤やリードフ
レームに施されたメッキ等から発生したガスがリードフ
レームまたは半導体素子の電極に付着してしまう。その
ため、ワイヤボンディング行程でのボンディングワイヤ
不着が生じる。
構では、リードフレームを加熱保持しているので、リー
ドフレーム全体が酸化してしまう。また、リードフレー
ムは上下反転して保持されているので、下から熱風を吹
き付けた時またはガスを吸引する時にリードフレームを
熱風が通過していく。その際、導電性接着剤やリードフ
レームに施されたメッキ等から発生したガスがリードフ
レームまたは半導体素子の電極に付着してしまう。その
ため、ワイヤボンディング行程でのボンディングワイヤ
不着が生じる。
【０００７】さらに、リードフレームを局部的に加熱す
る熱照射器として遠赤外線源を用いた場合には遠赤外線
源からも微量の近赤外線（０．７５〜５．６μｍ）が発
生されているので、この近赤外線によってリードフレー
ムの表面が酸化し、モールド樹脂封止後の耐湿性劣化を
誘発する。その結果、製品の特性劣化または破壊が生
じ、客先で重大なクレームとなる。
る熱照射器として遠赤外線源を用いた場合には遠赤外線
源からも微量の近赤外線（０．７５〜５．６μｍ）が発
生されているので、この近赤外線によってリードフレー
ムの表面が酸化し、モールド樹脂封止後の耐湿性劣化を
誘発する。その結果、製品の特性劣化または破壊が生
じ、客先で重大なクレームとなる。
【０００８】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、リードフレームの酸化を防止するとともに、加熱
時のガスの発生量を極めて少なく抑えることができ、ボ
ンディングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性
劣化を防いで製品の信頼性を向上させることができる接
着剤乾燥機構を提供することにある。
消し、リードフレームの酸化を防止するとともに、加熱
時のガスの発生量を極めて少なく抑えることができ、ボ
ンディングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性
劣化を防いで製品の信頼性を向上させることができる接
着剤乾燥機構を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による接着剤乾燥
機構は、半導体素子が樹脂製接着剤を介して搭載された
リードフレームを前記半導体素子を上側にして保持する
保持部材と、前記半導体素子側から遠赤外線を照射する
遠赤外線源と、前記遠赤外線を前記半導体素子及び前記
樹脂製接着剤に照射しかつ前記遠赤外線の前記リードフ
レームへの照射を抑止するマスク部材と、前記遠赤外線
の照射で前記樹脂製接着剤が発熱することで発生する気
体を排気する排気手段とを備えている。
機構は、半導体素子が樹脂製接着剤を介して搭載された
リードフレームを前記半導体素子を上側にして保持する
保持部材と、前記半導体素子側から遠赤外線を照射する
遠赤外線源と、前記遠赤外線を前記半導体素子及び前記
樹脂製接着剤に照射しかつ前記遠赤外線の前記リードフ
レームへの照射を抑止するマスク部材と、前記遠赤外線
の照射で前記樹脂製接着剤が発熱することで発生する気
体を排気する排気手段とを備えている。
【００１０】また、本発明による他の接着剤乾燥機構
は、シリコン系半導体素子がエポキシ系樹脂によって接
着されたリードフレームを前記シリコン系半導体素子を
上側にして保持する保持部材と、前記シリコン系半導体
素子側から遠赤外線を照射する遠赤外線源と、前記遠赤
外線を前記シリコン系半導体素子及び前記エポキシ系樹
脂に照射しかつ前記遠赤外線の前記リードフレームへの
照射を抑止するマスク部材と、前記遠赤外線の照射で前
記エポキシ系樹脂が発熱することで発生する気体を排気
する排気手段とを備えている。
は、シリコン系半導体素子がエポキシ系樹脂によって接
着されたリードフレームを前記シリコン系半導体素子を
上側にして保持する保持部材と、前記シリコン系半導体
素子側から遠赤外線を照射する遠赤外線源と、前記遠赤
外線を前記シリコン系半導体素子及び前記エポキシ系樹
脂に照射しかつ前記遠赤外線の前記リードフレームへの
照射を抑止するマスク部材と、前記遠赤外線の照射で前
記エポキシ系樹脂が発熱することで発生する気体を排気
する排気手段とを備えている。
【００１１】すなわち、本発明の接着剤乾燥機構では、
半導体素子であるシリコンを透過する性質を持つ遠赤外
線をエポキシ系樹脂に照射することで、遠赤外線が半導
体素子であるシリコンを透過してエポキシ系樹脂のみに
集中的に照射されるようにする。その結果、エポキシ系
樹脂は遠赤外線を吸収し、自ら熱を発生させて硬化す
る。
半導体素子であるシリコンを透過する性質を持つ遠赤外
線をエポキシ系樹脂に照射することで、遠赤外線が半導
体素子であるシリコンを透過してエポキシ系樹脂のみに
集中的に照射されるようにする。その結果、エポキシ系
樹脂は遠赤外線を吸収し、自ら熱を発生させて硬化す
る。
【００１２】また、従来のようにリードフレームを加熱
器によって加熱することは行わず、リードフレームのア
イランドのみに遠赤外線を照射することで、エポキシ系
樹脂の発熱によるガスの発生とリードフレームの酸化と
ガスの付着とを最少限度にすることができる。
器によって加熱することは行わず、リードフレームのア
イランドのみに遠赤外線を照射することで、エポキシ系
樹脂の発熱によるガスの発生とリードフレームの酸化と
ガスの付着とを最少限度にすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施例について
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例の断
面図であり、図２は図１の部分拡大図であり、図３は本
発明の一実施例の斜視図である。
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例の断
面図であり、図２は図１の部分拡大図であり、図３は本
発明の一実施例の斜視図である。
【００１４】これらの図において、リードフレーム１は
リードフレーム保持部６によって上向きに保持されてお
り、リードフレーム１がリードフレーム保持部６で保持
された後に密閉ドア１３を閉める。
リードフレーム保持部６によって上向きに保持されてお
り、リードフレーム１がリードフレーム保持部６で保持
された後に密閉ドア１３を閉める。
【００１５】密閉ドア１３によってリードフレーム保持
部６が完全に密閉された状態で、遠赤外線源１２からは
遠赤外線１００が照射される。照射された遠赤外線１０
０は鏡面処理の施された照射マスク７に照射される。照
射マスク７には密閉状態を保つために、マスク９にガラ
ス板８が設けられており、遠赤外線源４から照射された
遠赤外線１００はガラス板８を通過していく。
部６が完全に密閉された状態で、遠赤外線源１２からは
遠赤外線１００が照射される。照射された遠赤外線１０
０は鏡面処理の施された照射マスク７に照射される。照
射マスク７には密閉状態を保つために、マスク９にガラ
ス板８が設けられており、遠赤外線源４から照射された
遠赤外線１００はガラス板８を通過していく。
【００１６】ガラス板８は遠赤外線１００を吸収しない
性質を持っている。また、ガラス板８を通過した遠赤外
線１００はシリコン系半導体素子３に達する。しかしな
がら、シリコン系半導体素子３はガラス繊維でできてい
るため、ガラス板８と同様に、遠赤外線１００は通過し
てエポキシ系樹脂４に達する。エポキシ系樹脂４は遠赤
外線１００を吸収し、自ら熱を発生して硬化する。
性質を持っている。また、ガラス板８を通過した遠赤外
線１００はシリコン系半導体素子３に達する。しかしな
がら、シリコン系半導体素子３はガラス繊維でできてい
るため、ガラス板８と同様に、遠赤外線１００は通過し
てエポキシ系樹脂４に達する。エポキシ系樹脂４は遠赤
外線１００を吸収し、自ら熱を発生して硬化する。
【００１７】また、マスク９を通過しなかった遠赤外線
１００は照射マスク７の上面に施された鏡面処理によっ
て反射するため、リードフレーム保持部６と照射マスク
７とは熱を発することはない。その結果、熱を発する箇
所はリードフレーム１のアイランド２及びエポキシ系樹
脂４の部分だけとなり、有機ガス１０１の発生を極めて
少なくすることができる。
１００は照射マスク７の上面に施された鏡面処理によっ
て反射するため、リードフレーム保持部６と照射マスク
７とは熱を発することはない。その結果、熱を発する箇
所はリードフレーム１のアイランド２及びエポキシ系樹
脂４の部分だけとなり、有機ガス１０１の発生を極めて
少なくすることができる。
【００１８】エポキシ系樹脂４はシリコン系半導体素子
７をリードフレーム１のアイランド２を接着するための
もので、通常はペースト状になっており、接着剤として
用いられる。また、エポキシ系樹脂４には溶剤として有
機物が混人されている。その結果、エポキシ系樹脂４に
熱を加えると、あるいはエポキシ系樹脂４で熱が発生す
ると、その熱によって有機物が有機ガス１０１となって
しまう。さらに、リードフレーム１にもメッキ等が施さ
れており、加熱すると有機ガス１０１が発生してしま
う。
７をリードフレーム１のアイランド２を接着するための
もので、通常はペースト状になっており、接着剤として
用いられる。また、エポキシ系樹脂４には溶剤として有
機物が混人されている。その結果、エポキシ系樹脂４に
熱を加えると、あるいはエポキシ系樹脂４で熱が発生す
ると、その熱によって有機物が有機ガス１０１となって
しまう。さらに、リードフレーム１にもメッキ等が施さ
れており、加熱すると有機ガス１０１が発生してしま
う。
【００１９】上記の場合、リードフレーム１ではアイラ
ンド２のみに熱が発生するだけであり、酸化する部分も
アイランド２のみとなるため、酸化する箇所を最少限度
にすることができる。
ンド２のみに熱が発生するだけであり、酸化する部分も
アイランド２のみとなるため、酸化する箇所を最少限度
にすることができる。
【００２０】エポキシ系樹脂４は遠赤外線１００を吸収
して自ら熱を発生する際に有機ガス１０１を発生し、そ
の熱によってアイランド２に施されたメッキ等からも有
機ガス１０１が発生する。この有機ガス１０１は照射マ
スク７に設けられたガス排気通路１０を通過してガス排
気部１１によって排気される。この場合、有機ガス１０
１としてはアイランド２に施されたメッキ等やエポキシ
系樹脂４から出る有機ガス１０１のみで、他の媒体から
有機ガス１０１が発生することはない。
して自ら熱を発生する際に有機ガス１０１を発生し、そ
の熱によってアイランド２に施されたメッキ等からも有
機ガス１０１が発生する。この有機ガス１０１は照射マ
スク７に設けられたガス排気通路１０を通過してガス排
気部１１によって排気される。この場合、有機ガス１０
１としてはアイランド２に施されたメッキ等やエポキシ
系樹脂４から出る有機ガス１０１のみで、他の媒体から
有機ガス１０１が発生することはない。
【００２１】その結果、全体的に有機ガス１０１の発生
が極めて少なくなるため、シリコン系半導体素子３の電
極５に付着する有機ガス１０１の量は従来に比べて激減
する。また、リードフレーム１は従来のように下向きで
はなく、上向きに保持されているため、エポキシ系樹脂
４で発生した有機ガス１０１はリードフレーム１を通過
することなく排気されるので、リードフレーム１への有
機ガス１０１の付着を防止することができる。
が極めて少なくなるため、シリコン系半導体素子３の電
極５に付着する有機ガス１０１の量は従来に比べて激減
する。また、リードフレーム１は従来のように下向きで
はなく、上向きに保持されているため、エポキシ系樹脂
４で発生した有機ガス１０１はリードフレーム１を通過
することなく排気されるので、リードフレーム１への有
機ガス１０１の付着を防止することができる。
【００２２】さらに、有機ガス１０１の発生が極めて少
なくなるため、ワイヤボンディング工程におけるボンデ
ィングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性劣化
を誘発することなく、品質を維持することができる。よ
って、エポキシ系樹脂４を遠赤外線１００によって熱硬
化させることで、リードフレーム１または後工程への影
響を最少限度にすることができるので、信頼性や生産性
を向上させることができる。
なくなるため、ワイヤボンディング工程におけるボンデ
ィングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性劣化
を誘発することなく、品質を維持することができる。よ
って、エポキシ系樹脂４を遠赤外線１００によって熱硬
化させることで、リードフレーム１または後工程への影
響を最少限度にすることができるので、信頼性や生産性
を向上させることができる。
【００２３】ここで、シリコン系半導体素子３としては
化合物半導体素子（ＧａＡｓ、ＩｎＰ等）であっても、
周辺からの遠赤外線照射効果によって上記と同様の効果
をあげることができる。
化合物半導体素子（ＧａＡｓ、ＩｎＰ等）であっても、
周辺からの遠赤外線照射効果によって上記と同様の効果
をあげることができる。
【００２４】また、遠赤外線１００（波長５．６〜１０
００μｍ）はリードフレーム１等の金属系あるいはシリ
コンのようなガラス系の物質には反射されやすく、かつ
吸収されにくい。さらに、エポキシ系樹脂４は波長６〜
１２μｍの遠赤外線１００を吸収しやすい性質をもって
いる。
００μｍ）はリードフレーム１等の金属系あるいはシリ
コンのようなガラス系の物質には反射されやすく、かつ
吸収されにくい。さらに、エポキシ系樹脂４は波長６〜
１２μｍの遠赤外線１００を吸収しやすい性質をもって
いる。
【００２５】このように、シリコン系半導体素子３がエ
ポキシ系樹脂４を介して搭載されたリードフレーム１を
シリコン系半導体素子３を上側にしてリードフレーム保
持部６で保持し、遠赤外線源１２がシリコン系半導体素
子３側から照射した遠赤外線１００のリードフレーム１
への照射を照射マスク７で抑止してシリコン系半導体素
子３及びエポキシ系樹脂４のみに遠赤外線１００を照射
し、この遠赤外線１００の照射でエポキシ系樹脂４が発
熱することで発生する有機ガス１０１をガス排気通路１
０及びガス排気部１１で排気することによって、リード
フレーム１の酸化を防止するとともに、加熱時の有機ガ
ス１０１の発生量を極めて少なく抑えることができ、ボ
ンディングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性
劣化を防いで製品の信頼性を向上させることができる。
ポキシ系樹脂４を介して搭載されたリードフレーム１を
シリコン系半導体素子３を上側にしてリードフレーム保
持部６で保持し、遠赤外線源１２がシリコン系半導体素
子３側から照射した遠赤外線１００のリードフレーム１
への照射を照射マスク７で抑止してシリコン系半導体素
子３及びエポキシ系樹脂４のみに遠赤外線１００を照射
し、この遠赤外線１００の照射でエポキシ系樹脂４が発
熱することで発生する有機ガス１０１をガス排気通路１
０及びガス排気部１１で排気することによって、リード
フレーム１の酸化を防止するとともに、加熱時の有機ガ
ス１０１の発生量を極めて少なく抑えることができ、ボ
ンディングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性
劣化を防いで製品の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子が樹脂製接着剤を介して搭載されたリードフレ
ームを半導体素子を上側にして保持する保持部材と、半
導体素子側から遠赤外線を照射する遠赤外線源と、遠赤
外線を半導体素子及び樹脂製接着剤に照射しかつ遠赤外
線のリードフレームへの照射を抑止するマスク部材と、
遠赤外線の照射で樹脂製接着剤が発熱することで発生す
る気体を排気する排気手段とをそなえることによって、
リードフレームの酸化を防止するとともに、加熱時のガ
スの発生量を極めて少なく抑えることができ、ボンディ
ングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性劣化を
防いで製品の信頼性を向上させることができるという効
果がある。
導体素子が樹脂製接着剤を介して搭載されたリードフレ
ームを半導体素子を上側にして保持する保持部材と、半
導体素子側から遠赤外線を照射する遠赤外線源と、遠赤
外線を半導体素子及び樹脂製接着剤に照射しかつ遠赤外
線のリードフレームへの照射を抑止するマスク部材と、
遠赤外線の照射で樹脂製接着剤が発熱することで発生す
る気体を排気する排気手段とをそなえることによって、
リードフレームの酸化を防止するとともに、加熱時のガ
スの発生量を極めて少なく抑えることができ、ボンディ
ングワイヤの不着やモールド樹脂封止後の耐湿性劣化を
防いで製品の信頼性を向上させることができるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】本発明の一実施例の斜視図である。
【図４】従来例の断面図である。
１ リードフレーム ２ アイランド ３ シリコン系半導体素子 ４ エポキシ系樹脂 ６ リードフレーム保持部 ７ 照射マスク ８ ガラス板 ９ マスク １０ ガス排気通路 １１ ガス排気部 １２ 遠赤外線源
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子が樹脂製接着剤を介して搭載
されたリードフレームを前記半導体素子を上側にして保
持する保持部材と、前記半導体素子側から遠赤外線を照
射する遠赤外線源と、前記遠赤外線を前記半導体素子及
び前記樹脂製接着剤に照射しかつ前記遠赤外線の前記リ
ードフレームへの照射を抑止するマスク部材と、前記遠
赤外線の照射で前記樹脂製接着剤が発熱することで発生
する気体を排気する排気手段とを有することを特徴とす
る接着剤乾燥機構。 - 【請求項２】 前記保持部材は、前記リードフレームを
保持した後に密閉された状態となるよう構成したことを
特徴とする請求項１記載の接着剤乾燥機構。 - 【請求項３】 前記マスク部材は、前記半導体素子及び
前記樹脂製接着剤に対応する位置に照射された前記遠赤
外線を吸収することなく透過しかつ前記半導体素子及び
前記樹脂製接着剤に対応する位置以外に照射された前記
遠赤外線を吸収することなく反射するよう構成したこと
を特徴とする請求項１または請求項２記載の接着剤乾燥
機構。 - 【請求項４】 シリコン系半導体素子がエポキシ系樹脂
によって接着されたリードフレームを前記シリコン系半
導体素子を上側にして保持する保持部材と、前記シリコ
ン系半導体素子側から遠赤外線を照射する遠赤外線源
と、前記遠赤外線を前記シリコン系半導体素子及び前記
エポキシ系樹脂に照射しかつ前記遠赤外線の前記リード
フレームへの照射を抑止するマスク部材と、前記遠赤外
線の照射で前記エポキシ系樹脂が発熱することで発生す
る気体を排気する排気手段とを有することを特徴とする
接着剤乾燥機構。 - 【請求項５】 前記保持部材は、前記リードフレームを
保持した後に密閉された状態となるよう構成したことを
特徴とする請求項４記載の接着剤乾燥機構。 - 【請求項６】 前記マスク部材は、前記シリコン系半導
体素子及び前記エポキシ系樹脂に対応する位置に照射さ
れた前記遠赤外線を吸収することなく透過しかつ前記シ
リコン系半導体素子及び前記エポキシ系樹脂に対応する
位置以外に照射された前記遠赤外線を吸収することなく
反射するよう構成したことを特徴とする請求項４または
請求項５記載の接着剤乾燥機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311040A JPH10154717A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 接着剤乾燥機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311040A JPH10154717A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 接着剤乾燥機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154717A true JPH10154717A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18012401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8311040A Withdrawn JPH10154717A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 接着剤乾燥機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154717A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440501B2 (en) | 2000-02-21 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for curing silicone rubber |
| JP2016503235A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-02-01 | ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーＮｅｄｅｒｌａｎｄｓｅ Ｏｒｇａｎｉｓａｔｉｅ ｖｏｏｒ ｔｏｅｇｅｐａｓｔ−ｎａｔｕｕｒｗｅｔｅｎｓｃｈａｐｐｅｌｉｊｋ ｏｎｄｅｒｚｏｅｋ ＴＮＯ | 組み込まれた硬化ゾーン中の熱硬化性材料を硬化させること |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP8311040A patent/JPH10154717A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440501B2 (en) | 2000-02-21 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for curing silicone rubber |
| KR100491868B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2005-05-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 실리콘 고무의 경화방법 및 경화장치 |
| JP2016503235A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-02-01 | ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーＮｅｄｅｒｌａｎｄｓｅ Ｏｒｇａｎｉｓａｔｉｅ ｖｏｏｒ ｔｏｅｇｅｐａｓｔ−ｎａｔｕｕｒｗｅｔｅｎｓｃｈａｐｐｅｌｉｊｋ ｏｎｄｅｒｚｏｅｋ ＴＮＯ | 組み込まれた硬化ゾーン中の熱硬化性材料を硬化させること |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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