JPS6192026A - 表面波遅延線の遅延時間調整方法 - Google Patents
表面波遅延線の遅延時間調整方法Info
- Publication number
- JPS6192026A JPS6192026A JP21392584A JP21392584A JPS6192026A JP S6192026 A JPS6192026 A JP S6192026A JP 21392584 A JP21392584 A JP 21392584A JP 21392584 A JP21392584 A JP 21392584A JP S6192026 A JPS6192026 A JP S6192026A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- surface wave
- input
- amorphous silicon
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/30—Time-delay networks
- H03H9/42—Time-delay networks using surface acoustic waves
- H03H9/423—Time-delay networks using surface acoustic waves with adjustable delay time
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は表面波遅延線の遅延時間の調整方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の表面波遅延線の遅延時間の調整は入力お
よび出力トランスジューサ間の表面波の伝播路に弾性物
質の薄膜層を形成し、薄膜層の膜厚を調整することによ
り基板の音速を変化させ遅延時間を調整していた。しか
し薄膜層の形成には真空蒸着が一般的な手段として用い
られ、真空系の内部で遅延時間を測定しながら弾性物質
の薄膜層を形成することは量産に適さなかった。また、
精密な調整することは困難であった。
よび出力トランスジューサ間の表面波の伝播路に弾性物
質の薄膜層を形成し、薄膜層の膜厚を調整することによ
り基板の音速を変化させ遅延時間を調整していた。しか
し薄膜層の形成には真空蒸着が一般的な手段として用い
られ、真空系の内部で遅延時間を測定しながら弾性物質
の薄膜層を形成することは量産に適さなかった。また、
精密な調整することは困難であった。
発明の目的
本発明は量産に適し、また精密なり４整を容易に行える
製造方法を提供することを目的とする。
製造方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の調整方法は、圧電基板上に櫛形構造の入力およ
び出力トランスジューサを形成した表面波遅延線の前記
入力および出力トランスジューナ間の表面波伝播路にア
モルファス酸化ケイ素の薄膜層を形成し、このアモルフ
ァス酸化ケイ素薄膜層に赤外線または紫外線を照射して
アモルファス酸化ケイ素を結晶化した酸化ケイ素の薄膜
層を形成して前記圧電基板の音速を変化させることを特
徴とする特 実施例の説明 表面波遅延線の遅延時間は、圧電基板の音速を■、入力
および出カドランスジユーザ間の距離をｄとすると遅延
時間ｔは、ｔ＝ （ｄ／ｖ）で表わサレる。一定の遅延
時間を得るためには入力および出力トランスジューサ間
の距１１ｔｄ、基板の音速Ｖが一定である必要がある。
び出力トランスジューサを形成した表面波遅延線の前記
入力および出力トランスジューナ間の表面波伝播路にア
モルファス酸化ケイ素の薄膜層を形成し、このアモルフ
ァス酸化ケイ素薄膜層に赤外線または紫外線を照射して
アモルファス酸化ケイ素を結晶化した酸化ケイ素の薄膜
層を形成して前記圧電基板の音速を変化させることを特
徴とする特 実施例の説明 表面波遅延線の遅延時間は、圧電基板の音速を■、入力
および出カドランスジユーザ間の距離をｄとすると遅延
時間ｔは、ｔ＝ （ｄ／ｖ）で表わサレる。一定の遅延
時間を得るためには入力および出力トランスジューサ間
の距１１ｔｄ、基板の音速Ｖが一定である必要がある。
入力および出力トランスジューサの間の距離は、トラン
スジューサがフォトリソグラフィで形成されるため、フ
ォトマスクが一定である限り一定である。基板の音速■
は、基板の材料ロットが変わった場合や、基板に単結晶
を使用した時には基板のカット方向の誤差、伝播方向の
誤差により変化する。このため音速■を何らかの手段を
用いて一定にする必要がある。
スジューサがフォトリソグラフィで形成されるため、フ
ォトマスクが一定である限り一定である。基板の音速■
は、基板の材料ロットが変わった場合や、基板に単結晶
を使用した時には基板のカット方向の誤差、伝播方向の
誤差により変化する。このため音速■を何らかの手段を
用いて一定にする必要がある。
第１図と第２図は本発明の実施例を示す。第１図に示す
ように圧電基板１上に、フォトリソグラフィにより入カ
ドランスジューサ２と、出力トランスジューサ３と、入
力および出カドランスジユーザ間にアモルファス酸化ケ
イ素の薄膜層４を設番プる。このような表面波遅延線Ａ
を第２図に示すように赤外線あるいは紫外線の照ｒＡ装
冒５からアモルファス酸化ケイ素薄ＩＩ！Ｊ層４に光を
照射する。
ように圧電基板１上に、フォトリソグラフィにより入カ
ドランスジューサ２と、出力トランスジューサ３と、入
力および出カドランスジユーザ間にアモルファス酸化ケ
イ素の薄膜層４を設番プる。このような表面波遅延線Ａ
を第２図に示すように赤外線あるいは紫外線の照ｒＡ装
冒５からアモルファス酸化ケイ素薄ＩＩ！Ｊ層４に光を
照射する。
な、１３、この場合に表面波遅延ｍＡの入力および出力
トランスジューサは接続ケーブル７．８を介して遅延時
間測定器９に接続されており、遅延時間を測定しながら
所望の遅延時間になるまで光の照射が行われる。
トランスジューサは接続ケーブル７．８を介して遅延時
間測定器９に接続されており、遅延時間を測定しながら
所望の遅延時間になるまで光の照射が行われる。
第４図は水晶基板に酸化ケイ素をスパッタ蒸着し、エキ
シマレーザにより紫外線を照射した時の照射時間と遅延
時間の変化を示す。これは第３図に示すように、水晶基
板に結晶化した酸化ケイ素薄膜を形成した時の膜厚と音
速の変化の理論値を、点線で示す。またアモルファス酸
化ケイ素薄膜を形成した時の関係を実線で示す。赤外線
あるいは紫外線を照射することにより、アモルファス酸
化ケイ素を結晶化した酸化ケイ素に変化させることによ
り同一の酸化ケイ素の膜厚で実線の値から点線の値の音
速まで変化させることが可能である。
シマレーザにより紫外線を照射した時の照射時間と遅延
時間の変化を示す。これは第３図に示すように、水晶基
板に結晶化した酸化ケイ素薄膜を形成した時の膜厚と音
速の変化の理論値を、点線で示す。またアモルファス酸
化ケイ素薄膜を形成した時の関係を実線で示す。赤外線
あるいは紫外線を照射することにより、アモルファス酸
化ケイ素を結晶化した酸化ケイ素に変化させることによ
り同一の酸化ケイ素の膜厚で実線の値から点線の値の音
速まで変化させることが可能である。
発明の詳細
な説明のように本発明の遅延時間調整方法は、大気中で
測定しながら調整が可能であるため、真空中で測定しな
がら弾性物質を蒸着しながら調整する従来の方法と比べ
量産に優れ、コスト低減、精度向上に効果があるもので
ある。
測定しながら調整が可能であるため、真空中で測定しな
がら弾性物質を蒸着しながら調整する従来の方法と比べ
量産に優れ、コスト低減、精度向上に効果があるもので
ある。
第１図は本発明に用いる表面波遅延素子の正面図、第２
図は本発明の調整方法に使用する装置の構成図、第３図
は水晶基板にアモルファス酸化ケイ素膜を設置した時の
膜厚と位相速度の関係図、第４図は照射時間と遅延時間
の変化を示す関係図である。 １・・・圧Ｍｕ板、２・・・入カドランスジューサ、３
・・・出カドランスデューサ、４・・・アモルファス酸
化ケイ素薄膜、５・・・照ｔＡ装置、９・・・遅延時間
測定器代理人 森 本 義 仏 書１図 第２図
図は本発明の調整方法に使用する装置の構成図、第３図
は水晶基板にアモルファス酸化ケイ素膜を設置した時の
膜厚と位相速度の関係図、第４図は照射時間と遅延時間
の変化を示す関係図である。 １・・・圧Ｍｕ板、２・・・入カドランスジューサ、３
・・・出カドランスデューサ、４・・・アモルファス酸
化ケイ素薄膜、５・・・照ｔＡ装置、９・・・遅延時間
測定器代理人 森 本 義 仏 書１図 第２図
Claims (1)
- １、圧電基板上に櫛形構造の入力および出力トランスジ
ューサを形成した表面波遅延線の前記入力および出力ト
ランスジューサ間の表面波伝播路にアモルファス酸化ケ
イ素薄膜層を形成し、このアモルファス酸化ケイ素薄膜
層に赤外線または紫外線を照射してアモルファス酸化ケ
イ素を結晶化した酸化ケイ素にして前記圧電基板の音速
を変化させる表面波遅延線の遅延時間調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21392584A JPS6192026A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 表面波遅延線の遅延時間調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21392584A JPS6192026A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 表面波遅延線の遅延時間調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192026A true JPS6192026A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16647314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21392584A Pending JPS6192026A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 表面波遅延線の遅延時間調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491868B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2005-05-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 실리콘 고무의 경화방법 및 경화장치 |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21392584A patent/JPS6192026A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491868B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2005-05-27 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 실리콘 고무의 경화방법 및 경화장치 |
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