KR100486194B1 - 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드를 개시한다. 이 테스트 보드는 테스트할 반도체 디바이스를 수용하는 소켓을 지지하는 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드로서, 소켓의 부근에 배치되어 있으며, 테스트 보드의 상부면과 하부면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통 구멍 및 관통 구멍이 위치된 영역 및 테스트 보드의 하부면에 있는 소켓의 납땜 부위들을 소정의 공간을 두고 에워싸는 하부 캡을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드{Test board for temperature characteristic evalution in semiconductor device}
본 발명은 반도체 디바이스의 테스트에 관한 것으로서, 특히 디바이스의 온도 특성 평가시에 사용되는 온도 특성 평가용 테스트 보드(test board)에 관한 것이다.
현재 반도체 기술이 발달함에 따라 반도체 디바이스는 더욱 고기능화 및 고집적화되고 있다. 이에 따라 웨이퍼 또는 패키지 테스트시에 양품의 반도체 디바이스를 선별하는 것은 더욱 어려워 지고 있으며, 불량 발생 가능성은 더욱 높아졌다.
이러한 이유로 인해, 반도체 디바이스의 신뢰도를 높이기 위하여 디바이스의 특성 평가시에 온도 특성 평가가 이루어진다. 온도 특성 평가는 보통 -25℃에서 +85℃에서 이루어지며, 전원전압(VDD) 및 타이밍 마진(timing margin), 디바이스 동적 전류(IDD) 레벨, 디바이스 정적 전류(IDS) 레벨, 출력 하이/로우전압(VOH/L) 레벨, 입력 하이/로우전류(IIH/L) 레벨등 디바이스 규격에 명시된 전 항목에 걸쳐 온도별로 테스트가 수행된다. 디바이스의 온도 특성 평가는 온도별로 각 테스트 항목의 산포를 산출하여 이루어진다.
이와 같은 디바이스의 온도 특성 평가시에 디바이스의 시험대로서 사용되는 테스트 보드는 디바이스에 직접적으로 영향을 미칠 수 있다. 즉, 테스트 보드의 변화에 따라 디바이스의 특성이 변화될 수도 있으므로, 테스트 보드의 조건은 매우 중요하다.
도 1은 종래의 온도 특성 평가용 테스트 보드를 설명하기 위한 수직 단면도이다. 도 1에서 100은 온도 변화 장치(미도시) 즉, 핫/콜(hot/cold) 증기 발생장치에 연결된 튜브를 나타내고, 120은 테스트 보드를 나타내고, 140은 테스트 보드상에 고정된 소켓을 나타내고, 160은 소켓내에 수용된 패키지된 반도체 디바이스를 나타낸다.
여기서, 소켓(140)으로부터 뻗어 있는 소켓 핀(142)의 일측은 테스트 보드(120)를 관통하여 테스트 보드(120)의 하부면상에 납땜되어 있고, 반도체 디바이스(160)의 리드(lead)(162)는 소켓(140)내에 있는 소켓 핀(142)의 타측에 탑재되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 온도 특성 평가시에 반도체 디바이스(160)는 소켓(140)을 통해 테스트 보드(120)에 연결되어 있다. 현재 사용되는 대부분의 온도 변화 장치는 핫/콜 증기를 이용하여 측정하고자하는 디바이스(160)를 측정 온도로 유지시킨다. 온도 특성 검토는 측정 온도에서 보통 5분이상 유지되므로, 테스트 보드(120) 역시 동일한 시간에서 동일한 온도로 유지되어야 한다.
그러나, 테스트 보드(120)의 상부와 하부에는 온도차가 생기며, 특히 0℃ 이하의 저온에서는 이러한 온도차로 인해 테스트 보드(120)의 하부면의 납땜 부위(144)에 물방울(180)이 생긴다. 즉, 이 납땜 부위(144)는 테스트 보드(120)의 상부면의 온도가 전도되어 온도차가 가장 극심한 부위이므로, 주위의 온도차에 의해 물방울(180)이 맺히게 된다. 이러한 물방울(180)은 주위의 다른 납땜 부위의 물방울과 합쳐져서 납땝 부위들을 서로 단락시키고, 결국 소켓 핀과 핀 사이에 경로가 형성되어 누설을 발생시킨다. 또한, 심하게는 디바이스 리드(162)와 소켓(140)의 접촉면 사이에 습기가 침투하여 테스트를 불가능하게 만든다.
따라서, 이러한 테스트 보드(120)의 조건으로 인해 온도 특성 평가가 정확하게 이루어 질수 없으며, 심지어 테스트를 불가능하게 만든다. 이러한 경우에, 테스트 보드(120)에 묻어 있는 물기를 제거한 후에 다시 테스트를 한다면 시간적인 손실이 매우 크다. 즉, 테스트 보드(120)의 물기를 닦아내고, 건조시키는데 시간이 걸릴뿐만 아니라, 테스트 보드(120)에 연결된 온도 변화 장치(미도시) 및 기타 테스트 장비(미도시)를 다시 세팅하는데도 상당한 시간이 걸리기 때문이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 디바이스의 온도 특성 평가시에 온도 변화에 따라 디바이스에 영향을 미치지 않는 온도 특성 평가용 테스트 보드를 제공하는데 있다.
상기 과제를 이루기 위하여, 테스트할 반도체 디바이스를 수용하는 소켓을 지지하는 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드는 적어도 하나 이상의 관통 구멍 및 하부 캡을 구비하는 것이 바람직하다. 여기서, 관통 구멍을 소켓의 부근에 배치되어 있으며, 테스트 보드의 상부면과 하부면을 관통한다. 그리고, 하부 캡은 관통 구멍이 위치된 영역 및 테스트 보드의 하부면에 있는 소켓의 납땜 부위들을 소정의 공간을 두고 에워싸고 있다. 이에 따라, 테스트 보드의 상부와 하부를 등온으로 유지함으로써 디바이스의 온도 특성 평가시에 온도 변화에 따라 디바이스에 영향을 미치지 않고 테스트를 원활하게 진행시킨다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드의 구성 및 작용을 첨부한 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 온도 특성 평가용 테스트 보드를 설명하기 위한 수직 단면도이다. 도 2에서 200은 온도 변화 장치(미도시) 즉, 핫/콜 증기 발생장치에 연결된 튜브를 나타내고, 220은 테스트 보드를 나타내고, 240은 테스트 보드상에 고정된 소켓을 나타내고, 260은 소켓내에 수용된 패키지된 반도체 디바이스를 나타낸다.
여기서, 소켓(240)으로부터 뻗어 있는 소켓 핀(242)의 일측은 테스트 보드(220)를 관통하여 테스트 보드(220)의 하부면상에 납땜되어 있고, 반도체 디바이스(260)의 리드(262)는 소켓(240)내에 있는 소켓 핀(242)의 타측에 탑재되어 있다.
도 2에 도시된 본 발명에 따른 테스트 보드(220)는 관통 구멍들(222a 내지 222c) 및 하부 캡(226)을 포함한다.
관통 구멍들(222a 내지 222b)은 테스트 보드(220)상에 고정된 소켓(240)의 부근 예컨대, 소켓(240)의 바로 밑부분 및 소켓(240)의 측면 부분에 배치되어 있으며, 테스트 보드(220)의 상부면과 하부면을 관통한다.
하부 캡(226)은 테스트 보드(220)의 하부에 배치되며, 관통 구멍들(222a 내지 222b)이 위치된 영역 및 테스트 보드(220)의 하부면에 있는 납땜 부위(244)들을 소정의 공간을 두고 에워싸고 있다. 이러한 하부 캡(226)은 테스트 보드(220)의 상부면과 하부면의 온도가 동일하게 유지되도록 하기 위해서 단열재로 되어 있다.
온도 특성 평가시에, 테스트할 반도체 디바이스(260)는 테스트 보드(220)에 고정된 소켓(240)내에 수용되고, 온도 변화 장치에 연결된 튜브(200)의 끝부분은 도 2에 도시된 바와 같이 소켓(240)을 에워싸도록 배치된다.
튜브(200)로부터 증기가 나오게 되면, 그 증기는 도 2에 화살표로 표시된 바와 같이 튜브(200)의 끝부분으로 에워싸인 테스트 보드(220)의 상부 뿐만 아니라, 하부 캡(226)으로 에워싸인 테스트 보드(220)의 하부로도 관통 구멍들(222a 내지 222c)을 통해 이동한다. 따라서, 튜브(200)의 끝부분 및 하부 캡(226)으로 에워싸인 테스트 보드(220)의 상부와 하부는 어떠한 온도 변화에도 등온을 유지하게 된다.
예컨대, 0℃ 이하의 저온에서 온도 특성을 평가하고자 할 경우에도, 테스트 보드(220)의 상부 및 하부는 등온을 유지하게 되므로, 종래와 같이 테스트 보드(220)의 하부면에 있는 납땜 부위(244)에 물방울이 생기지 않는다. 결국, 테스트 보드(220)의 하부를 에워싸는 하부 캡(226)의 내부와 그 외부에는 온도차가 있으므로, 도 2에 도시된 바와 같이 하부 캡(226)의 외부 주위에 물방울(280)이 생기게 된다. 그러나, 하부 캡(226)의 외부 주위에 생긴 물방울(280)은 반도체 디바이스의 온도 특성에 따른 테스시에 아무런 영향을 미치지 않는다.
도 2에 도시된 바에 의하면, 하부 캡(226)은 하나의 실시예로서 테스트 보드(220)에 미리 고정된 캡 물림틀(224)을 통해 테스트 보드(220)에 부착 및 분리가능하게 결합될 수 있다. 예컨대, 임계치 이상의 고온에서 특성 검토가 이루어 질 경우에 하부 캡(226)을 간단하게 분리하여 종래의 테스트 보드처럼 이용할 수도 있다. 임계치 이상의 고온에서는 하부 캡(226) 없이도 납땜 부위(244)에 물방울이 잘 생기지 않기 때문이다. 다른 실시예로서, 하부 캡(226)은 캡 물림틀(224)을 통하지 않고, 테스트 보드(220)에 일체형으로 결합될 수도 있다.
또한, 하부 캡(226)은 테스트 보드(220)의 하부면으로부터 소정 공간을 두고 이격된 밑바닥 부분을 가지며, 그 밑바닥 부분에 제습제(228)를 넣음으로써 하부 캡(226)의 외부 주위에 생긴 물방울(280)로 인하여, 테스트 보드(220)의 하부면과 하부 캡(226)의 밑바닥 부분 사이에 생길 수 있는 습기를 제거한다.
지금까지 본 발명에 따른 테스트 보드(220)를 설명하였지만, 전술한 실시예에 제한되지 않고, 그 변형이 가능하다는 것은 본 기술의 당업자에게 명백할 것이다. 예컨대, 관통 구멍의 갯수, 크기 및 그 위치는 임의대로 변형할 수 있으며, 하부 캡의 형상은 도 2에서 각이 지고 볼록한 형상으로 되어 있지만, 테스트 보드(220)의 하부면을 소정 공간을 두고 에워싸는 형상이면 어떤 형상으로도 가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 온도 특성 평가용 테스트 보드는 테스트 보드의 상부와 하부를 등온으로 유지함으로써 디바이스의 온도 특성 평가시에 디바이스에 영향을 미치지 않고 테스트를 원활하게 진행시키는 이점이 있다.
도 1은 종래의 온도 특성 평가용 테스트 보드를 설명하기 위한 수직 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 온도 특성 평가용 테스트 보드를 설명하기 위한 수직 단면도이다.

Claims (2)

  1. 테스트할 반도체 디바이스를 수용하는 소켓을 지지하는 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드에 있어서,
    상기 소켓을 수용한 보드의 상부를 에워싸고 상기 반도체 디바이스의 온도 특성 테스트 시에 해당 온도의 공기를 유입하는 튜브;
    상기 소켓의 부근에 배치되어 있으며, 상기 테스트 보드의 상부면과 하부면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통 구멍; 및
    상기 관통 구멍이 위치된 영역 및 상기 테스트 보드의 상기 하부면에 있는 상기 소켓의 납땜 부위들을 소정의 공간을 두고 에워싸는 하부 캡을 구비하고,
    상기 테스트 보드의 상기 하부면으로부터 소정 공간을 두고 이격된 상기 하부 캡의 밑바닥 부분에는 제습제가 넣어지고, 상기 테스트 보드의 상부면과 하부면의 온도가 동일하게 유지되어 상기 하부면에 습기 발생을 억제하며,
    상기 하부 캡은 상기 테스트 보드에 고정된 캡 물림틀을 통해 상기 테스트 보드에 부착되고, 상기 반도체 디바이스의 온도 특성 테스트에서 해당 온도가 임계치 이상에서는 상기 하부 캡이 상기 물림틀로부터 분리 가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 캡은,
    단열재로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002111157A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Ando Electric Co Ltd プリント基板およびプリント基板の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60128629A (ja) * 1983-12-16 1985-07-09 Toshiba Corp 半導体素子の測定方法
JPH06118136A (ja) * 1992-10-07 1994-04-28 Mitsubishi Electric Corp 低温ハンドラ
JPH07209373A (ja) * 1993-11-30 1995-08-11 Nec Corp 冷却試験装置
US5977785A (en) * 1996-05-28 1999-11-02 Burward-Hoy; Trevor Method and apparatus for rapidly varying the operating temperature of a semiconductor device in a testing environment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60128629A (ja) * 1983-12-16 1985-07-09 Toshiba Corp 半導体素子の測定方法
JPH06118136A (ja) * 1992-10-07 1994-04-28 Mitsubishi Electric Corp 低温ハンドラ
JPH07209373A (ja) * 1993-11-30 1995-08-11 Nec Corp 冷却試験装置
US5977785A (en) * 1996-05-28 1999-11-02 Burward-Hoy; Trevor Method and apparatus for rapidly varying the operating temperature of a semiconductor device in a testing environment

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