JPS60128629A - 半導体素子の測定方法 - Google Patents
半導体素子の測定方法Info
- Publication number
- JPS60128629A JPS60128629A JP23639083A JP23639083A JPS60128629A JP S60128629 A JPS60128629 A JP S60128629A JP 23639083 A JP23639083 A JP 23639083A JP 23639083 A JP23639083 A JP 23639083A JP S60128629 A JPS60128629 A JP S60128629A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- socket
- measurement
- temperature
- semiconductor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は半導体素子の測定方法に係り、特に−む低温状
態下に置かれた半導体素子の電気的特性を測定する半導
体素子の測定方法に関する。
態下に置かれた半導体素子の電気的特性を測定する半導
体素子の測定方法に関する。
[発明の技術的背景]
従来から、第1図、第2図に示したように半導体素子を
アイスボックスで冷却して行なう、半導体素子のill
’l定方法が知られている。この種測定方法は、第1図
に示すようにまずドライアイス1の入ったアイスボック
ス2の中に半導体素子3を入れて冷却し、その後取り出
した半導体素子3を半導体試験器4に接続された半導体
素子用ソケツ1〜5に挿入してその電気的特性を測定し
ている。
アイスボックスで冷却して行なう、半導体素子のill
’l定方法が知られている。この種測定方法は、第1図
に示すようにまずドライアイス1の入ったアイスボック
ス2の中に半導体素子3を入れて冷却し、その後取り出
した半導体素子3を半導体試験器4に接続された半導体
素子用ソケツ1〜5に挿入してその電気的特性を測定し
ている。
[背景技術の問題点]
しかしながら、この半導体素子の測定方法は次の様な問
題点を有している。即ち、冷却された半導体素子の測定
を大気中で行なうために大気中の水分が霜となって半導
体素子に付着し、その霜が溶けて水になって半導体素子
のリードを橋絡して電気的に導通させてしまい、測定不
能状態をひき起すという問題点を有している。また上記
の測定不能状態を防ぐ必要からドライヤーを用いて霜取
り作業を行なったりするので、いきおい作業工数が増大
するという問題点を有している。更にまた温度制御がな
されない状態で半導体素子の電気的特性の測定が行なわ
hでいるので、測定データの信頼性が低い等の問題点を
有している。
題点を有している。即ち、冷却された半導体素子の測定
を大気中で行なうために大気中の水分が霜となって半導
体素子に付着し、その霜が溶けて水になって半導体素子
のリードを橋絡して電気的に導通させてしまい、測定不
能状態をひき起すという問題点を有している。また上記
の測定不能状態を防ぐ必要からドライヤーを用いて霜取
り作業を行なったりするので、いきおい作業工数が増大
するという問題点を有している。更にまた温度制御がな
されない状態で半導体素子の電気的特性の測定が行なわ
hでいるので、測定データの信頼性が低い等の問題点を
有している。
[発明の目的]
本発明は成上の問題点に鑑みなされたもので、冷却媒体
により温度制御され、かつ霜の発生を防止した雰囲気中
で半導体素子の測定を行なうことにより、■す定データ
に信頼性があって、作業工数を小さくできる半導体素子
の測定方法を提供することを目的とする。
により温度制御され、かつ霜の発生を防止した雰囲気中
で半導体素子の測定を行なうことにより、■す定データ
に信頼性があって、作業工数を小さくできる半導体素子
の測定方法を提供することを目的とする。
[発明の概要コ
この目的を達成するために本発明の半導体素子の測定方
法によれば、■す定室内に半導体素子を保持するソケッ
トと該半導体素子のリードの押え具とを対応させて配設
し、該ソケッ1〜若しくは該押え具に温度検出器を設け
、該温度検出器に接続された温度調整器によって開閉制
御される弁を介して冷却媒体を前記ソケットと前記押え
具とに導入し、この状態で前記半導体素子の前記リード
を前記ソケッ1−と前記押え具とで固定させると共に前
記リードを半導体試験器に接続し、更に前記測定室に導
入されたノズルから前記冷却媒体を前記半導体素子に向
けて噴出し、前記試験器により前記半導体素子の゛電気
的特性を測定するものである。
法によれば、■す定室内に半導体素子を保持するソケッ
トと該半導体素子のリードの押え具とを対応させて配設
し、該ソケッ1〜若しくは該押え具に温度検出器を設け
、該温度検出器に接続された温度調整器によって開閉制
御される弁を介して冷却媒体を前記ソケットと前記押え
具とに導入し、この状態で前記半導体素子の前記リード
を前記ソケッ1−と前記押え具とで固定させると共に前
記リードを半導体試験器に接続し、更に前記測定室に導
入されたノズルから前記冷却媒体を前記半導体素子に向
けて噴出し、前記試験器により前記半導体素子の゛電気
的特性を測定するものである。
[発明の実施例]
以下本発明の好ましい実施例を図面を参照して詳述する
。本発明の測定方法に用いる装置は、第・1図に示すよ
うに測定室6内の下部に半導体素子を保持するソケッ]
〜7を配設する。次にソケット7に対応してそのJ一部
に半導体素子のリードの押え具8を配設する。測定室6
の外部にはこの押え、J−48を上下動ならしめるエア
シリンダー9が装置されている。またソケッl−7及び
押え具8は、冷却媒体としての液体窒素の導入が可能な
ように内部に冷媒通路が形成されていて、所定位置に液
体窒素導入口10が穿設されている。更にソケツ1へ7
若しくは押え具8には温度調整器11に接続された温度
検出器12が付せられでいる。半導体素子としての半導
体集積回路IC3は、そのリード3a(第3図(a)、
(b))をソケット7と押え具8とで挾持され、電気的
接触よくソケットの端子13に接続されている。このソ
ケットの端子13は、更にIC,3の電気的特性の測定
が可能なように半導体試験器4に接続されている。また
雰囲気を低温にしておくために、液体窒素をIC3に向
けて噴出するノズル15が、測定室6に導入されている
。更に第5図に示すように加圧容器16はノズル15と
、弁としての電磁弁17を介してソケット7及び押え具
8とに配管で接続されている。更に又、この電磁弁17
は温度調整器11に電気的に接続されている。この電磁
弁17は、第4図に示すように温度調整器11によって
開閉制御され(第5図)、液体窒素の導入量を可変する
ことによりソケット7と押え具8とを所定温度(−30
度)に保持している。このように構成された測定室6は
、第6図(a)、(b)に示すように、窓18とゴム手
袋19と窒素ガス導入口20とが装着された作業ボック
ス21に収納されている。この作業ボックス21は当然
に密閉構造になっている。
。本発明の測定方法に用いる装置は、第・1図に示すよ
うに測定室6内の下部に半導体素子を保持するソケッ]
〜7を配設する。次にソケット7に対応してそのJ一部
に半導体素子のリードの押え具8を配設する。測定室6
の外部にはこの押え、J−48を上下動ならしめるエア
シリンダー9が装置されている。またソケッl−7及び
押え具8は、冷却媒体としての液体窒素の導入が可能な
ように内部に冷媒通路が形成されていて、所定位置に液
体窒素導入口10が穿設されている。更にソケツ1へ7
若しくは押え具8には温度調整器11に接続された温度
検出器12が付せられでいる。半導体素子としての半導
体集積回路IC3は、そのリード3a(第3図(a)、
(b))をソケット7と押え具8とで挾持され、電気的
接触よくソケットの端子13に接続されている。このソ
ケットの端子13は、更にIC,3の電気的特性の測定
が可能なように半導体試験器4に接続されている。また
雰囲気を低温にしておくために、液体窒素をIC3に向
けて噴出するノズル15が、測定室6に導入されている
。更に第5図に示すように加圧容器16はノズル15と
、弁としての電磁弁17を介してソケット7及び押え具
8とに配管で接続されている。更に又、この電磁弁17
は温度調整器11に電気的に接続されている。この電磁
弁17は、第4図に示すように温度調整器11によって
開閉制御され(第5図)、液体窒素の導入量を可変する
ことによりソケット7と押え具8とを所定温度(−30
度)に保持している。このように構成された測定室6は
、第6図(a)、(b)に示すように、窓18とゴム手
袋19と窒素ガス導入口20とが装着された作業ボック
ス21に収納されている。この作業ボックス21は当然
に密閉構造になっている。
以上の様に構成された本発明の半導体素子の測定方法を
実施するには、まず第4図、第5図で示されるように加
圧容器16から液体窒素を流しておくとノズル15から
測定室6内に液体窒素が導入される。この場合において
電磁弁17は、ソケット7と押え具8とが所定の温度に
なるように温度調整器11で開閉制御される。この状態
でIC3をソケット7に挿入すると、下降してきた押え
具8がIC3のリード3a(第3図(a)、(b))と
ソケッ1−の端子13とを押えることになる。すると試
験器4に測定開始信号が送出されて一定低温下における
測定が自動的に行なわれる。測定が終了すると押え具8
が」ニ昇していき、ソケッ1−7から取り外さ1+、た
IC3は良品若しくは不良品に選別される。
実施するには、まず第4図、第5図で示されるように加
圧容器16から液体窒素を流しておくとノズル15から
測定室6内に液体窒素が導入される。この場合において
電磁弁17は、ソケット7と押え具8とが所定の温度に
なるように温度調整器11で開閉制御される。この状態
でIC3をソケット7に挿入すると、下降してきた押え
具8がIC3のリード3a(第3図(a)、(b))と
ソケッ1−の端子13とを押えることになる。すると試
験器4に測定開始信号が送出されて一定低温下における
測定が自動的に行なわれる。測定が終了すると押え具8
が」ニ昇していき、ソケッ1−7から取り外さ1+、た
IC3は良品若しくは不良品に選別される。
[発明の効果]
以上の実施例からも明らかなように本発明の半導体素子
の測定方法によれば、測定室に配設された半導体素子を
保持するソケットと半導体素子のリードの押え具とに冷
却媒体を導入し、該ソケットと該押え具とに接続された
電磁弁を温度調整器によって開閉制御し、ノズルから冷
却媒体を半導体素子に向けて噴出し、半導体試験器で半
導体素子の電気的特性を測定するようにしたので、温度
制御された雰囲気中で半導体素子の測定が行なわれるこ
とになり、114導体素子に霜が付着することなく、更
にill’l定データに信頼性があって、作業工数を小
さくできる等の効果を奏する。
の測定方法によれば、測定室に配設された半導体素子を
保持するソケットと半導体素子のリードの押え具とに冷
却媒体を導入し、該ソケットと該押え具とに接続された
電磁弁を温度調整器によって開閉制御し、ノズルから冷
却媒体を半導体素子に向けて噴出し、半導体試験器で半
導体素子の電気的特性を測定するようにしたので、温度
制御された雰囲気中で半導体素子の測定が行なわれるこ
とになり、114導体素子に霜が付着することなく、更
にill’l定データに信頼性があって、作業工数を小
さくできる等の効果を奏する。
第1図は従来における半導体素子用冷却装置の断面図、
第2図は従来における半導体素子用測定装置の断面図、
第3図(a)は半導体素子の平面図、第3図(b)は半
導体素子の正面図、第4図は本発明の測定方法に用いる
装置の断面図、第5図は本発明の測定方法に用いる装置
の配管系統図、第6図(a)は本発明の測定方法に用い
る作業ボックスの正面図、第6図(b)は本発明の測定
方法に用いる作業ボックスの側面断面図である。 3 ・・・・・・・・半導体素子 ’ 3a・・・・・・・・半導体素子のリード4 ・・
・・・・・・試験器(半導体試験器)6 ・・・・・・
・・測定室 7 ・・・・・・・・ ソケッ1− 8・・・・・・・・押え具 11 ・・・・・・・・温度調整器 12・・・・・・・・温度検出器 15 ・・・・・・・・ ノズル 17 ・・・・・・・・電磁弁(弁) (7317)代理人弁理士則 近 憲 佑(ばか1名)
第1図 第 (0) 第2図 3図 (bノ ス
第2図は従来における半導体素子用測定装置の断面図、
第3図(a)は半導体素子の平面図、第3図(b)は半
導体素子の正面図、第4図は本発明の測定方法に用いる
装置の断面図、第5図は本発明の測定方法に用いる装置
の配管系統図、第6図(a)は本発明の測定方法に用い
る作業ボックスの正面図、第6図(b)は本発明の測定
方法に用いる作業ボックスの側面断面図である。 3 ・・・・・・・・半導体素子 ’ 3a・・・・・・・・半導体素子のリード4 ・・
・・・・・・試験器(半導体試験器)6 ・・・・・・
・・測定室 7 ・・・・・・・・ ソケッ1− 8・・・・・・・・押え具 11 ・・・・・・・・温度調整器 12・・・・・・・・温度検出器 15 ・・・・・・・・ ノズル 17 ・・・・・・・・電磁弁(弁) (7317)代理人弁理士則 近 憲 佑(ばか1名)
第1図 第 (0) 第2図 3図 (bノ ス
Claims (1)
- 測定室内に半導体素子を保持するソケッI・と該半導体
素子のリードの押え具とを対応させて配設し、該ソケッ
1〜若しくは該押え具に温度検出器を設け、該温度検出
器に接続された温度調整器によって開閉制御される弁を
介して冷却媒体を前記ソケットと前記押え具とに導入し
、この状態で前記半導体素子の前記リードを前記ソケッ
1−と前記押え具とで固定させると共に前記リードを半
導体試験器に接続し、更に前記測定室に導入さ九たノズ
ルから前記冷却媒体を前記半導体素子に向けて噴出し、
前記試験器により前記半導体素子の電気的特性を測定す
ることを特徴とする半導体素子の測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23639083A JPS60128629A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 半導体素子の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23639083A JPS60128629A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 半導体素子の測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60128629A true JPS60128629A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=17000061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23639083A Pending JPS60128629A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 半導体素子の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60128629A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01187472A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Hitachi Ltd | バーン・イン装置 |
JPH05235122A (ja) * | 1990-06-29 | 1993-09-10 | Digital Equip Corp <Dec> | 集積回路試験固定具及び試験方法 |
KR100486194B1 (ko) * | 1997-06-16 | 2005-06-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드 |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP23639083A patent/JPS60128629A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01187472A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Hitachi Ltd | バーン・イン装置 |
JPH05235122A (ja) * | 1990-06-29 | 1993-09-10 | Digital Equip Corp <Dec> | 集積回路試験固定具及び試験方法 |
KR100486194B1 (ko) * | 1997-06-16 | 2005-06-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드 |
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