JPS60128629A - 半導体素子の測定方法 - Google Patents
半導体素子の測定方法Info
- Publication number
- JPS60128629A JPS60128629A JP23639083A JP23639083A JPS60128629A JP S60128629 A JPS60128629 A JP S60128629A JP 23639083 A JP23639083 A JP 23639083A JP 23639083 A JP23639083 A JP 23639083A JP S60128629 A JPS60128629 A JP S60128629A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- socket
- measurement
- temperature
- semiconductor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体素子の測定方法に係り、特に−む低温状
態下に置かれた半導体素子の電気的特性を測定する半導
体素子の測定方法に関する。
態下に置かれた半導体素子の電気的特性を測定する半導
体素子の測定方法に関する。
［発明の技術的背景］
従来から、第１図、第２図に示したように半導体素子を
アイスボックスで冷却して行なう、半導体素子のｉｌｌ
’ｌ定方法が知られている。この種測定方法は、第１図
に示すようにまずドライアイス１の入ったアイスボック
ス２の中に半導体素子３を入れて冷却し、その後取り出
した半導体素子３を半導体試験器４に接続された半導体
素子用ソケツ１〜５に挿入してその電気的特性を測定し
ている。
アイスボックスで冷却して行なう、半導体素子のｉｌｌ
’ｌ定方法が知られている。この種測定方法は、第１図
に示すようにまずドライアイス１の入ったアイスボック
ス２の中に半導体素子３を入れて冷却し、その後取り出
した半導体素子３を半導体試験器４に接続された半導体
素子用ソケツ１〜５に挿入してその電気的特性を測定し
ている。
［背景技術の問題点］
しかしながら、この半導体素子の測定方法は次の様な問
題点を有している。即ち、冷却された半導体素子の測定
を大気中で行なうために大気中の水分が霜となって半導
体素子に付着し、その霜が溶けて水になって半導体素子
のリードを橋絡して電気的に導通させてしまい、測定不
能状態をひき起すという問題点を有している。また上記
の測定不能状態を防ぐ必要からドライヤーを用いて霜取
り作業を行なったりするので、いきおい作業工数が増大
するという問題点を有している。更にまた温度制御がな
されない状態で半導体素子の電気的特性の測定が行なわ
ｈでいるので、測定データの信頼性が低い等の問題点を
有している。
題点を有している。即ち、冷却された半導体素子の測定
を大気中で行なうために大気中の水分が霜となって半導
体素子に付着し、その霜が溶けて水になって半導体素子
のリードを橋絡して電気的に導通させてしまい、測定不
能状態をひき起すという問題点を有している。また上記
の測定不能状態を防ぐ必要からドライヤーを用いて霜取
り作業を行なったりするので、いきおい作業工数が増大
するという問題点を有している。更にまた温度制御がな
されない状態で半導体素子の電気的特性の測定が行なわ
ｈでいるので、測定データの信頼性が低い等の問題点を
有している。
［発明の目的］
本発明は成上の問題点に鑑みなされたもので、冷却媒体
により温度制御され、かつ霜の発生を防止した雰囲気中
で半導体素子の測定を行なうことにより、■す定データ
に信頼性があって、作業工数を小さくできる半導体素子
の測定方法を提供することを目的とする。
により温度制御され、かつ霜の発生を防止した雰囲気中
で半導体素子の測定を行なうことにより、■す定データ
に信頼性があって、作業工数を小さくできる半導体素子
の測定方法を提供することを目的とする。
［発明の概要コ
この目的を達成するために本発明の半導体素子の測定方
法によれば、■す定室内に半導体素子を保持するソケッ
トと該半導体素子のリードの押え具とを対応させて配設
し、該ソケッ１〜若しくは該押え具に温度検出器を設け
、該温度検出器に接続された温度調整器によって開閉制
御される弁を介して冷却媒体を前記ソケットと前記押え
具とに導入し、この状態で前記半導体素子の前記リード
を前記ソケッ１−と前記押え具とで固定させると共に前
記リードを半導体試験器に接続し、更に前記測定室に導
入されたノズルから前記冷却媒体を前記半導体素子に向
けて噴出し、前記試験器により前記半導体素子の゛電気
的特性を測定するものである。
法によれば、■す定室内に半導体素子を保持するソケッ
トと該半導体素子のリードの押え具とを対応させて配設
し、該ソケッ１〜若しくは該押え具に温度検出器を設け
、該温度検出器に接続された温度調整器によって開閉制
御される弁を介して冷却媒体を前記ソケットと前記押え
具とに導入し、この状態で前記半導体素子の前記リード
を前記ソケッ１−と前記押え具とで固定させると共に前
記リードを半導体試験器に接続し、更に前記測定室に導
入されたノズルから前記冷却媒体を前記半導体素子に向
けて噴出し、前記試験器により前記半導体素子の゛電気
的特性を測定するものである。
［発明の実施例］
以下本発明の好ましい実施例を図面を参照して詳述する
。本発明の測定方法に用いる装置は、第・１図に示すよ
うに測定室６内の下部に半導体素子を保持するソケッ］
〜７を配設する。次にソケット７に対応してそのＪ一部
に半導体素子のリードの押え具８を配設する。測定室６
の外部にはこの押え、Ｊ−４８を上下動ならしめるエア
シリンダー９が装置されている。またソケッｌ−７及び
押え具８は、冷却媒体としての液体窒素の導入が可能な
ように内部に冷媒通路が形成されていて、所定位置に液
体窒素導入口１０が穿設されている。更にソケツ１へ７
若しくは押え具８には温度調整器１１に接続された温度
検出器１２が付せられでいる。半導体素子としての半導
体集積回路ＩＣ３は、そのリード３ａ（第３図（ａ）、
（ｂ））をソケット７と押え具８とで挾持され、電気的
接触よくソケットの端子１３に接続されている。このソ
ケットの端子１３は、更にＩＣ，３の電気的特性の測定
が可能なように半導体試験器４に接続されている。また
雰囲気を低温にしておくために、液体窒素をＩＣ３に向
けて噴出するノズル１５が、測定室６に導入されている
。更に第５図に示すように加圧容器１６はノズル１５と
、弁としての電磁弁１７を介してソケット７及び押え具
８とに配管で接続されている。更に又、この電磁弁１７
は温度調整器１１に電気的に接続されている。この電磁
弁１７は、第４図に示すように温度調整器１１によって
開閉制御され（第５図）、液体窒素の導入量を可変する
ことによりソケット７と押え具８とを所定温度（−３０
度）に保持している。このように構成された測定室６は
、第６図（ａ）、（ｂ）に示すように、窓１８とゴム手
袋１９と窒素ガス導入口２０とが装着された作業ボック
ス２１に収納されている。この作業ボックス２１は当然
に密閉構造になっている。
。本発明の測定方法に用いる装置は、第・１図に示すよ
うに測定室６内の下部に半導体素子を保持するソケッ］
〜７を配設する。次にソケット７に対応してそのＪ一部
に半導体素子のリードの押え具８を配設する。測定室６
の外部にはこの押え、Ｊ−４８を上下動ならしめるエア
シリンダー９が装置されている。またソケッｌ−７及び
押え具８は、冷却媒体としての液体窒素の導入が可能な
ように内部に冷媒通路が形成されていて、所定位置に液
体窒素導入口１０が穿設されている。更にソケツ１へ７
若しくは押え具８には温度調整器１１に接続された温度
検出器１２が付せられでいる。半導体素子としての半導
体集積回路ＩＣ３は、そのリード３ａ（第３図（ａ）、
（ｂ））をソケット７と押え具８とで挾持され、電気的
接触よくソケットの端子１３に接続されている。このソ
ケットの端子１３は、更にＩＣ，３の電気的特性の測定
が可能なように半導体試験器４に接続されている。また
雰囲気を低温にしておくために、液体窒素をＩＣ３に向
けて噴出するノズル１５が、測定室６に導入されている
。更に第５図に示すように加圧容器１６はノズル１５と
、弁としての電磁弁１７を介してソケット７及び押え具
８とに配管で接続されている。更に又、この電磁弁１７
は温度調整器１１に電気的に接続されている。この電磁
弁１７は、第４図に示すように温度調整器１１によって
開閉制御され（第５図）、液体窒素の導入量を可変する
ことによりソケット７と押え具８とを所定温度（−３０
度）に保持している。このように構成された測定室６は
、第６図（ａ）、（ｂ）に示すように、窓１８とゴム手
袋１９と窒素ガス導入口２０とが装着された作業ボック
ス２１に収納されている。この作業ボックス２１は当然
に密閉構造になっている。
以上の様に構成された本発明の半導体素子の測定方法を
実施するには、まず第４図、第５図で示されるように加
圧容器１６から液体窒素を流しておくとノズル１５から
測定室６内に液体窒素が導入される。この場合において
電磁弁１７は、ソケット７と押え具８とが所定の温度に
なるように温度調整器１１で開閉制御される。この状態
でＩＣ３をソケット７に挿入すると、下降してきた押え
具８がＩＣ３のリード３ａ（第３図（ａ）、（ｂ））と
ソケッ１−の端子１３とを押えることになる。すると試
験器４に測定開始信号が送出されて一定低温下における
測定が自動的に行なわれる。測定が終了すると押え具８
が」ニ昇していき、ソケッ１−７から取り外さ１＋、た
ＩＣ３は良品若しくは不良品に選別される。
実施するには、まず第４図、第５図で示されるように加
圧容器１６から液体窒素を流しておくとノズル１５から
測定室６内に液体窒素が導入される。この場合において
電磁弁１７は、ソケット７と押え具８とが所定の温度に
なるように温度調整器１１で開閉制御される。この状態
でＩＣ３をソケット７に挿入すると、下降してきた押え
具８がＩＣ３のリード３ａ（第３図（ａ）、（ｂ））と
ソケッ１−の端子１３とを押えることになる。すると試
験器４に測定開始信号が送出されて一定低温下における
測定が自動的に行なわれる。測定が終了すると押え具８
が」ニ昇していき、ソケッ１−７から取り外さ１＋、た
ＩＣ３は良品若しくは不良品に選別される。
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように本発明の半導体素子
の測定方法によれば、測定室に配設された半導体素子を
保持するソケットと半導体素子のリードの押え具とに冷
却媒体を導入し、該ソケットと該押え具とに接続された
電磁弁を温度調整器によって開閉制御し、ノズルから冷
却媒体を半導体素子に向けて噴出し、半導体試験器で半
導体素子の電気的特性を測定するようにしたので、温度
制御された雰囲気中で半導体素子の測定が行なわれるこ
とになり、１１４導体素子に霜が付着することなく、更
にｉｌｌ’ｌ定データに信頼性があって、作業工数を小
さくできる等の効果を奏する。
の測定方法によれば、測定室に配設された半導体素子を
保持するソケットと半導体素子のリードの押え具とに冷
却媒体を導入し、該ソケットと該押え具とに接続された
電磁弁を温度調整器によって開閉制御し、ノズルから冷
却媒体を半導体素子に向けて噴出し、半導体試験器で半
導体素子の電気的特性を測定するようにしたので、温度
制御された雰囲気中で半導体素子の測定が行なわれるこ
とになり、１１４導体素子に霜が付着することなく、更
にｉｌｌ’ｌ定データに信頼性があって、作業工数を小
さくできる等の効果を奏する。
第１図は従来における半導体素子用冷却装置の断面図、
第２図は従来における半導体素子用測定装置の断面図、
第３図（ａ）は半導体素子の平面図、第３図（ｂ）は半
導体素子の正面図、第４図は本発明の測定方法に用いる
装置の断面図、第５図は本発明の測定方法に用いる装置
の配管系統図、第６図（ａ）は本発明の測定方法に用い
る作業ボックスの正面図、第６図（ｂ）は本発明の測定
方法に用いる作業ボックスの側面断面図である。 ３ ・・・・・・・・半導体素子 ’ ３ａ・・・・・・・・半導体素子のリード４ ・・
・・・・・・試験器（半導体試験器）６ ・・・・・・
・・測定室 ７ ・・・・・・・・ ソケッ１− ８・・・・・・・・押え具 １１ ・・・・・・・・温度調整器 １２・・・・・・・・温度検出器 １５ ・・・・・・・・ ノズル １７ ・・・・・・・・電磁弁（弁） （７３１７）代理人弁理士則 近 憲 佑（ばか１名）
第１図 第 （０） 第２図 ３図 （ｂノ ス
第２図は従来における半導体素子用測定装置の断面図、
第３図（ａ）は半導体素子の平面図、第３図（ｂ）は半
導体素子の正面図、第４図は本発明の測定方法に用いる
装置の断面図、第５図は本発明の測定方法に用いる装置
の配管系統図、第６図（ａ）は本発明の測定方法に用い
る作業ボックスの正面図、第６図（ｂ）は本発明の測定
方法に用いる作業ボックスの側面断面図である。 ３ ・・・・・・・・半導体素子 ’ ３ａ・・・・・・・・半導体素子のリード４ ・・
・・・・・・試験器（半導体試験器）６ ・・・・・・
・・測定室 ７ ・・・・・・・・ ソケッ１− ８・・・・・・・・押え具 １１ ・・・・・・・・温度調整器 １２・・・・・・・・温度検出器 １５ ・・・・・・・・ ノズル １７ ・・・・・・・・電磁弁（弁） （７３１７）代理人弁理士則 近 憲 佑（ばか１名）
第１図 第 （０） 第２図 ３図 （ｂノ ス
Claims (1)
- 測定室内に半導体素子を保持するソケッＩ・と該半導体
素子のリードの押え具とを対応させて配設し、該ソケッ
１〜若しくは該押え具に温度検出器を設け、該温度検出
器に接続された温度調整器によって開閉制御される弁を
介して冷却媒体を前記ソケットと前記押え具とに導入し
、この状態で前記半導体素子の前記リードを前記ソケッ
１−と前記押え具とで固定させると共に前記リードを半
導体試験器に接続し、更に前記測定室に導入さ九たノズ
ルから前記冷却媒体を前記半導体素子に向けて噴出し、
前記試験器により前記半導体素子の電気的特性を測定す
ることを特徴とする半導体素子の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23639083A JPS60128629A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 半導体素子の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23639083A JPS60128629A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 半導体素子の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128629A true JPS60128629A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=17000061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23639083A Pending JPS60128629A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 半導体素子の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128629A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01187472A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Hitachi Ltd | バーン・イン装置 |
| JPH05235122A (ja) * | 1990-06-29 | 1993-09-10 | Digital Equip Corp <Dec> | 集積回路試験固定具及び試験方法 |
| KR100486194B1 (ko) * | 1997-06-16 | 2005-06-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드 |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP23639083A patent/JPS60128629A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01187472A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Hitachi Ltd | バーン・イン装置 |
| JPH05235122A (ja) * | 1990-06-29 | 1993-09-10 | Digital Equip Corp <Dec> | 集積回路試験固定具及び試験方法 |
| KR100486194B1 (ko) * | 1997-06-16 | 2005-06-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스의 온도 특성 평가용 테스트 보드 |
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