KR100441532B1 - 반도체장치 - Google Patents

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KR100441532B1
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wiring
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미치이카즈나리
아키야마타쓰히코
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

외부 랜드와 핑거 사이의 루팅배선의 길이의 차이를 최소로 구성한 배선기판의 한쪽 면에, 센터패드 반도체칩 2개를 이면끼리를 중첩하여 고정하고, 각각의 센터패드와 대응하는 핑거 사이의 접속을 도전율이 높은 금속선으로 행하여, 용량이 2배이고, 반도체장치의 두께 치수를 얇게 한다. 제1면과 제2면에 배선되고, 관통공을 구비한 배선기판과, 제1센터패드 반도체칩의 주표면을 고정하며, 제1반도체칩의 이면과 제2반도체칩의 이면을 접합재로 고정하고, 금속선으로 각 반도체칩의 패드와 대응하는 배선기판의 핑거를 접속하며, 봉지수지로 배선기판의 한쪽 면을 봉지하고, 배선기판의 다른쪽 한쪽 면은 관통공 근방을 덮어 봉지한다.

Description

반도체장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, IC을 사용한 반도체장치의 대용량화, 고속화, 고기능화를 실현하고, 또한, 소형화를 가능하게 하는 반도체장치에 관한 것이다.
프린트 기판에의 반도체장치의 고밀도 실장화의 요구에 따라, 대략 반도체칩 사이즈로 봉지된 CSP(Chip Scale Package 또는, Chip Size Package)로 불리는 소형화된 반도체장치가 개발되어 있다. 이들 메모리 반도체장치나 주변회로 반도체장치 등의 하나의 반도체칩을 봉지한 반도체장치(단체 반도체장치라 한다)의 소형화에 덧붙여, 보다 프린트 기판에의 반도체장치의 고밀도 실장을 행하기 위해, 복수의 메모리 반도체칩을 동일한 봉지재로 봉지하는 MCP(Multi Chip Package)가 개발되어있다.
이 복수의 반도체칩을 동일한 봉지재로 봉지하는 방법에 관하여, 반도체칩을 횡으로 나란하게 하는 방법에서는, 실장기판면 상의 점유면적이 넓어지기 때문에, 2개의 주변 전극패드를 구비한 반도체칩의 각각의 주표면을 같은 방향에 적층한 SMCP(Stacked Multi Chip Package)와, 2개의 주변 전극패드를 구비한 반도체칩의 주표면을 상향과 하향으로 뒷면을 맞추어 적층한 SMCP가, 일본국 특개평 11-204720호 공보에 개시되어 있다.
도 9는 종래의 주변 전극패드를 구비한 반도체칩의 주표면을 상향으로 하여, 같은 방향으로 2개 적층한 SMCP의 단면도이고, 도 10은 종래의 주변 전극패드를 구비한 동일 외형치수의 2개의 반도체칩의 주표면을 상향과 하향으로 뒷면을 맞추어 적층한 SMCP의 단면도를 나타낸 것이다. 도 11은 종래의 SMCP에 사용되는 배선기판의 평면도이다.
도 9에 있어서, 주변 전극패드(13)를 구비한 제1반도체칩(1)과 그 주변 전극패드(13) 배치영역보다도 사이즈가 작은 주변 전극패드(12)를 구비한 제2반도체칩(2)이 접착층(7)을 개재하여 고정되어 있다. 제1반도체칩(1)의 이면이 배선층(4)을 한쪽 면에 형성한 절연성 기판(3)의 배선층(4)이 설치된 측의 면(표면)에 접착층(7)을 개재하여 고정되어 있다. 실장용 범프(10)는 절연성 기판(3)의 표면측에 정렬분포 되어 설치된 랜드부(15)가 그것에 대응하여 설치된 관통공(11)에 의해 절연성 기판(3)의 이면측에서 노출하는 랜드(15)에 땜납 페이스트로 접합되어 있다.
제1반도체칩(1) 및 제2반도체칩(2)의 주변 전극패드(13, 12)와 핑거(14)는 금속선(8)으로 초음파 열압착 와이어본딩법을 사용하여 전기적으로 접속되어 있다. 반도체칩(1, 2)과 접합재(7)와 금속선(8) 전체와 절연성 기판(3)과 배선층(4)의 한쪽 면 소정부분은 수지봉지되어 있다.
도 11은 종래의 배선층(4)이 한쪽 면 만으로 형성된 절연성 기판(3)의 평면도이다. 배선층(4)은 핑거(14)와 루팅(routing) 배선 16및 17과 랜드(15)에 대응하여 연속하여 구성되어 있다. 동일 도면에 있어서, 핑거(14)는 반도체칩(1, 2)의 외주영역의 2변에 배치되고, 랜드(15)는 반도체칩(1)의 배치영역면 내에 중앙 2열과 그 양측에 1열씩 외측으로 동일한 피치로 합계 4열로 정렬배치되어 있다. 이 때문에, 중앙측 2열의 랜드(15)와 그것에 대응하여 접속하는 핑거(14)를 연결하는 루팅배선(17)은, 외측의 랜드(15)와 대응하는 핑거(14)를 연결하는 루팅배선(16)에 비해 길기 때문에 임피던스에 차이를 생기게 하는 결점이 있다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 종래의 2개의 각각 주변 전극패드(13, 12)를 구비한 동일치수의 반도체칩(1, 2)의 주표면을 상향과 하향으로 뒷면을 맞추어 적층하여 구성하면, 주변 전극패드는 상하 반전배치된 것이 아닌 것으로 구성할 수 없다. 더구나, 제1반도체칩(1)의 주변 전극패드(13)와 각각 대응하는 핑거(14)와의 접속에 접착재(7)의 두께 치수보다도 큰 직경의 금속범프(6)를 사용하기 때문에 SMCP의 두께 치수가 그 만큼 커지는 결점이 있다. 또한, 주변 전극패드(12, 13)를 구비한 반도체칩(1,2)과 도 11에 나타낸 배선기판(3)으로 구성하기 때문에, 중앙측 2열의 랜드(15)와 핑거(14)를 연결하는 루팅배선(17)의 길이가 외측 2열의 랜드(15)와 핑거(14)를 연결하는 루팅배선(16)의 길이보다 길어져 임피던스에 배선기판 상에서의 차이를 생기게 하는 결점이 있다.
전술한 것과 같이, 종래의 SMCP에서는, 실장기판에 실장하였을 때의 실장기판면 상에 배치되는 반도체장치의 두께 방향의 치수가 반도체칩을 중첩하였기 때문에 두껍게 되는 결점이 있었다.
또한, 종래의 SMCP에서는, 반도체칩의 중앙선 근방을 따라 전극이 1열 또는 복수열로 배열된(센터패드 배치의 반도체칩이라 한다) 예를 들면, 동일 치수의 DRAM 칩을 2단으로 중첩하여 메모리 용량을 2배로 하는 SMCP는, 와이어 본딩하면 와이어가 제2반도체칩(2)의 외주변에 접촉(칩 엣지 쇼트)하기 때문에, 구성할 수 없는 결점이 있었다.
더구나, 센터패드 배치의 반도체칩과 동일치수의 주변패드 배치의 반도체칩을 2단으로 중첩하면, 패드가 반전하기 때문에 동일 랜드(15)에 접속하기 위한 루팅배선이 복잡하고 길어지기 때문에, 고속화, 고기능화, 고메모리 용량화의 실현이 불가능하였다.
본 발명은, 전술한 과제를 해결하기 위해 주어진 것으로, 제1목적은, 센터패드 배치의 메모리 반도체칩을 2단으로 중첩하여 메모리 용량을 2배로 하고, 더구나 두께 치수가 얇은 MCP를 얻는 것이다. 또한, 제2목적은, 배선기판 상에 구성하는 전극패드와 핑거 사이의 루팅배선 길이의 차이를 최소로 구성하여, 2단으로 중첩된 반도체칩 각각의 센터패드와 대응하는 핑거와의 사이의 배선을 도전율이 높은 금속선으로 행하고, 전극패드와 핑거 사이의 루팅배선의 임피던스차를 작게 하는 것이다.
도 1은 실시예 1인 반도체장치의 구성을 나타낸 단면도,
도 2는 도 1에 나타낸 반도체장치에 사용되는 배선기판의 제1면에 배치되는 배선패턴의 평면도,
도 3은 도 1에 나타낸 반도체장치에 사용되는 배선기판의 제2면에 배치되는 배선패턴의 평면도,
도 4는 도면 1에 나타낸 반도체장치에 사용되는 배선기판의 배선패턴의 평면도,
도 5는 도 1에 나타낸 반도체장치의 제조 흐름도,
도 6은 실시예 2인 반도체장치의 구성을 나타낸 단면도,
도 7은 도 6에 나타낸 반도체장치에 사용되는 배선기판의 제2면에 배치되는 배선패턴의 평면도,
도 8은 도 7에 있어서의 화살표 VIII-VIII선에서 본 단면도,
도 9는 종래의 반도체장치의 구성을 나타낸 단면도,
도 10은 종래의 반도체장치의 구성을 나타낸 단면도,
도 11은 도 9에 나타낸 반도체장치에 사용되는 배선기판의 배선패턴의 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
20: 배선기판 20a: 제1면
20b: 제2면 21: 관통공
22: 제1반도체칩 22a: 제1반도체칩의 주표면
22b: 제1반도체칩의 이면
23: 제1반도체칩의 주표면에 설치된 센터패드
24a, 24b: 접착재
27: 배선기판의 제1면에 설치된 핑거
28: 금속선
29: 배선기판의 제1면에 설치된 루팅배선
30: 배선기판의 제1면측의 봉지수지
31: 제2반도체칩
31a: 제2반도체칩의 주표면
31b: 제2반도체칩의 이면
32: 제2반도체칩 주표면의 센터패드
33: 배선기판의 제2면에 설치된 핑거
34: 배선기판의 제2면에 설치된 루팅배선
35: 배선기판의 제2면측의 봉지수지
36: 땜납볼 37: 외부 전극랜드(랜드)
39: 스루홀(전기적으로 도통하기 위한 관통공)
40: 배선기판
40a: 배선기판의 제1면
40b: 배선기판의 제2면의 돌기면
40c: 배선기판의 제2면의 저면
41: 관통공
43: 배선기판의 제2면의 돌기면에 설치된 핑거
44: 배선기판의 제2면의 돌기면에 설치된 스루홀
본 발명의 제1국면에 관한 반도체장치는, 관통공을 구비하고 제1면과 제2면에 랜드와 핑거와 루팅배선과 스루홀을 배치한 배선기판과, 센터패드를 주표면에 배치한 제1반도체칩을, 배선기판의 제2면의 관통공으로 센터패드를 둘러싸 접합재로 고정하고, 제1반도체칩의 이면과 제2반도체칩의 이면을 접합재로 고정하며, 금속선으로 각 반도체칩의 패드와 대응하는 배선기판의 핑거를 접속하고, 봉지수지로 금속선과 각 반도체칩과 각 접합재와 관통공을 덮으며, 다시 배선기판의 제1면에 설치된 랜드배치 영역에서 외주영역까지를 제외하고 핑거를 봉지한 것이다.
또한, 배선기판의 제1면에 설치된 랜드에 땜납볼을 설치한 것이다.
더구나, 제1반도체칩과 제2반도체칩이 동일한 반도체칩을 사용한 것이다.
또한, 금속선으로 제1반도체칩의 센터패드에 볼 본딩을 행하여 배선기판의 제1면에 설치된 핑거에 스티치(stitch) 본딩을 행하여 접속하는 동시에, 배선기판의 제2면에 설치된 핑거에 금속선으로 볼 본딩을 행하고 제2반도체칩의 패드에 스티치 본딩을 행하여 전기적으로 접속한 것이다.
또한, 배선기판은, 그것의 제1면에 핑거를 관통공의 근방에 대략 평행하게 설치하고, 랜드를 같은 간격으로 평행하게 정렬하여 핑거의 외측에 평행하게 배치하며, 배선기판의 제2면에 핑거를 배선기판의 외주변의 근방에 대략 평행하게 설치하고, 랜드를 같은 간격으로 평행하게 정렬하여 핑거의 내측에 배치한 것이다.
또한, 배선기판에는, 관통공을 따라 그 근방에 대략 평행하게 설치된 핑거와 배선기판의 외주변을 따라 그 근방에 대략 평행하게 설치된 핑거와의 사이의 영역에 랜드를 같은 간격으로 평행하게 정렬하여 설치한 것이다.
또한, 관통공을 구비한 제1면과 제2면을 구비하고, 제2면은 외주영역을 액자 형태로 둘러싸는 돌기면과 그것보다 낮은 단차 저면의 2면을 구비하며, 배선기판의 제1면과 제2면에는 랜드와 핑거와 루팅배선과 스루홀을 배치한 배선기판과 센터패드를 구비한 반도체칩 2개를, 이면과 이면을 접합재로 고정하고, 반도체칩의 제2주표면과 돌기면과 대략 동일평면에 배치하며, 반도체칩의 제1주표면과 배선기판의 제2면에 있어서 단차 저면을 관통공으로 둘러싸 접합재로 고정하고, 금속선으로 반도체칩의 센터패드에 볼 본딩을 행하고 배선기판의 핑거에 스티치 본딩하여 전기적으로 접속하고, 봉지수지로 금속선과 각 반도체칩과 각 접합재와 배선기판의 제2면측을 봉지하여, 배선기판의 제1면에 설치된 랜드배치 영역에서 외주영역까지를 제외하고 상기 핑거와 관통공을 덮어 봉지한 것이다.
더구나, 배선기판의 제1면에 설치된 랜드에 땜납볼을 설치한 것이다.
(실시예)
실시예 1
도 1은, 실시예 1인 반도체장치를 나타낸 것이다. 도면에 있어서 제1면(20a)과 제2면(20b)을 구비한 배선기판(20)의 관통공(21)은 제1반도체칩(22)의 센터패드(23) 배치영역에 일치시키고, 제1반도체칩(22)의 주표면(22a)에 설치된 센터패드(23) 배치영역을 제외한 부분을 접착재(24a)를 개재하여 배선기판(20)의 제2면(20b) 측에 접착하고, 제1반도체칩(22)의 이면(22b)과 제2의 반도체칩(31)의 이면(31b)을 접착재(24b)를 개재하여 접착하며, 배선기판(20)과 제1,2반도체칩(22, 31)과는 일체로 고정하고 있다.
제1반도체칩(22)의 주표면(22a)에 설치된 센터패드(23)와 대응하는 배선기판(20)의 제1면(20a)에 설치된 핑거(27)와는 금속선(28)을 사용하여 센터패드(23)측에 볼 본딩을 행하고, 배선기판(20)의 중앙부 영역에 설치된 관통공(21)을 통과시켜 배선기판(20)의 제1면(20a)에 설치된 핑거(27)에 스티치 본딩하여 전기적으로 접속하며, 금속선(28)과 배선기판(20)의 관통공(21) 전체와 배선기판(20)의 제1면(20a)의 핑거(23)와 루팅배선(29)의 일부를 봉지수지(30)로 덮어 봉지하고 있다.
제2반도체칩(31)의 주표면(31a)에 설치된 센터패드(32)와, 대응하는 배선기판(20)의 제2면(20b) 측에 설치된 핑거(33)와는, 금속선(28)을 사용하여 핑거(33)측에 볼 본딩을 행하고, 센터패드(32)에 스티치 본딩하여 전기적으로 접속하며, 금속선(28)과 제2반도체칩(31)과 제1반도체칩(22)과 접착제(24a, 24b)와 핑거(33)와 루팅배선(34)과 배선기판(20)의 제2면(20b)의 소정의 부분을 봉지수지로 덮고 있다.
마더보드에 상기한 반도체장치를 실장하기 위한 땜납볼은 마더보드측에 설치하여도 되고, 또한 미리 실시예 1에서 나타낸 것과 같이, 외부 전극랜드(37)에 부착하여 놓은 것도 가능하다. 땜납볼(36)은 배선기판(20)의 제1면(20a)측에 설치된 외부 전극랜드(37)에 땜납 페이스트(38)로 접속된다. 제2면에 설치된 핑거(33)는 루팅배선(34)과 배선기판(20)에 설치된 스루홀(39)과 제1면(20a)에 설치된 외부 전극랜드(37)와 필요에 따라서 루팅배선(29)과 외부 전극랜드(37)와 땜납 페이스트(38)를 통해 전기적으로 접속된다.
실시예 1에 나타낸 반도체장치에 사용되는 배선기판(20)에 관해 다음에 설명한다. 도 2는 배선기판(20)의 제1면(20a)측에 배치되는 관통공(21)과 핑거(27)와 외부 전극랜드(37)와 루팅배선(29)을 나타낸 평면도이다. (스루홀(39)은 37과 29와 27의 어느 한 개와 기판 상의 여유가 있는 부분에서 중첩하여 구성하면 잘 도시되지 않는다.) 도면에 있어서, 반도체칩 22와 31이 뒷면을 맞추어 고정되기 때문에 센터패드(23)와 핑거(27)의 관계 위치가 상하반전하기 때문에 반도체칩(22)에 설치된 센터패드(23)의 배치를 기준으로 하여 설명을 위해 일례를 부가하여 나타내고 있다. (금속선(28)은 생략하고 도시하지 않았다.)
도 3은, 배선기판(20)의 제2면(20b)측에 배치된 관통공(21)과 핑거(33)와 외부 전극랜드(37)와 루팅배선(34)을 나타낸 평면도이다. 도 3에는, 도 2와 마찬가지로 스루홀(39)을 생략하여 나타내고, 반도체칩(31)에 설치된 센터패드(32)의 배치를 도 2와 관련하여 도시하고 있다. 실시예 1에서 사용되는 배선패턴을 도시한 도 2, 도 3에 나타낸 센터패드의 배치예는, 반도체칩의 중심선을 따라 1열로 배치된 것에 한정되는 것은 아니다. 반도체칩(22)의 중심선 근방에 분포되어 배치되어 있더라도, 필요한 센터패드를 관통공(21)으로 둘러싸도록 구성할 수 있으면 된다. 도 4는, 도 2와 도 3을 1층으로 구성한 경우의 평면도를 나타낸 것이다. 도 4의 배선패턴을 배선기판의 제1면과 제2면에 설치하여도 된다.
다음에, 도 2를 기초로 하여 도 3의 패턴을 작성하는 방법을 설명한다. 도 2에 있어서, 센터패드(23)의 윗쪽에 도시한 핑거(27)와 외부 전극랜드(37)와 루팅배선(29)을 기호 Y1으로 나타낸다. 또한, 센터패드(23)의 아래쪽에 도시한 핑거(27)와 외부 전극랜드(37)와 루팅배선(29)을 기호 X1으로 나타낸다.
도 3에서, 센터패드(32)의 윗쪽에 표시한 핑거(33)와 외부 전극랜드(37)와 루팅배선(34)을 기호 Y2로 나타낸다. 또한, 센터패드(32)의 아래쪽에 표시한 핑거(33)와 외부 전극랜드(37)와 루팅배선(34)을 기호 X2로 나타낸다.
제1반도체칩(22)과 제2반도체칩(31)을 뒷면을 맞추어 고정하였을 때, 도 2에 나타낸 센터패드(23)의 상하를 반전시킨 경우와, 좌우를 반전시켜 고정하는 경우의 2종류가 있다. 도 2에 나타낸 배치상태의 상하를 반전시키면, X1이 센터패드(23)의 윗쪽에 Y1이 센터패드(23)의 아래쪽에 배치되게 된다. 이 상태에서, 센터패드(23)의 윗쪽으로 온 X1과 아래쪽으로 와 있는 Y1을 서로 위와 아래로 이동하여 외부 전극랜드(37)가 일치할 때까지 평행이동하면, 도 3에 나타낸 핑거(33)와 외부 전극랜드(37)와의 배치가 결정한다. 단, 이때 루팅배선(34)은 그 대로의 상태에서는 배선기판(20)의 제1면에 설치된 루팅배선(29)이 핑거(27)와 대응하는 외부 전극랜드(37)를 접속하고 있는데 대하여, 핑거(33)와 대응하는 외부 전극랜드(37)가 반전하고 있기 때문에 그것의 접속이 정상으로 접속되지 않으므로, 루팅배선(34)은 도 3에 나타낸 것 같이 배선을 고칠 필요가 있다.
루팅배선(34)의 배선의 방법은, 도 2와 도 2의 상하반전 도면을 퍼스널 컴퓨터 상에서 외부 전극랜드(37)를 일치시키도록 전술한 순서로 덮어쓰기를 하여 도 2의 루팅배선(29)에 접속되어 있는 외부 전극랜드(37)에 반전된 도면의 핑거(33)를 접속하도록 루팅배선(34)을 외부 전극랜드(37)마다 배선하여 고친다. 이와 같이 하여 도 3에 나타낸 루팅배선(34)을 결정한다.
도 4는, 상기한 것과 같이 형성된 배선기판(20)의 제1면(20a)에 형성된 도 2의 패턴과 제2면(20b)에 형성된 도 3의 2개의 패턴을 중첩하여 도시하고 있다. 도 4에 나타낸 핑거 27과 33 및 루팅배선 29 및 34와 외부 전극랜드(37)를 배선기판의 제1면과 제2면에 형성하면, 패턴 형성용의 마스크를 1장으로 하는 것이 가능하다. 또한 배선기판(20)을 생략하고 1층의 배선패턴으로 실시예 1보다도 저가의 SMCP를 얻는 것도 가능하다.
도 4에 나타낸 것과 같이, 각 외부 전극랜드(37)와 핑거 27, 33과 접속하는 루팅배선 29, 34의 길이는 대략 같게 구성할 수 있기 때문에, 임피던스의 차는 없고 대략 같아진다. 배선기판(20)에 설치하는 패턴은 제1면(20a)과 제2면(20b) 과 도 2와 도 3에 나타낸 다른 패턴으로 구성하더라도, 도 4의 동일패턴으로 구성하더라도 된다. 도 4에 나타낸 동일패턴을 설치하는 것이, 봉지수지로 봉지할 때의 용융 봉지수지의 주입압력에 의한 반도체칩에 걸리는 하중을 분산할 수 있기 때문에, 보다 바람직하다.
다음에, 제조방법에 대해 이하에서 상세히 설명한다. 도 5는 실시예 1의 제조 흐름도를 나타낸 것이다.
도 5a에 나타낸 것과 같이, 배선기판(20)의 제2면(20b) 측에 반도체칩(22)의 외주 치수와 대략 같은 치수의 점착 테이프 또는 액상 접착수지 등의 반도체칩을 접착하기 위한(일반적으로 사용되는 다이본드재이면 된다.) 접착재(24a)를 대략 관통공(21)의 치수만큼 오려 내어 제외한 것을 부착하거나 도포하여 접착한다. 바람직하게는 접착재(24a)의 두께 치수가 안정되게 구성할 수 있는 유리섬유 기재 등의 꼬여진 천 기재 또는 폴리이미드 테이프나 UV 테이프 등의 테이프형 기재의 양면에 접착성 재료를 코팅 또는 붙인 것 또는 함침시킨 것이 바람직하다.
다음에, 도 5b에 나타낸 것과 같이, 제1반도체칩(22)을 접착재(24a)로 배선기판(20)의 제2면(20b) 측에 접착하여 고정한다. 이때, 반도체칩(22)의 센터패드(23) 전체를 관통공(21)으로 둘러싸 접착한다. 그후, 필요에 따라 접착재(24a)를 경화하기 위한 경화공정(큐어링 공정)을 추가하여도 된다.
다음에, 도 5c에 나타낸 것과 같이, 반도체장치에 일반적으로 사용되는 금속선(28)으로, 반도체칩(22)의 센터패드(23)측에 볼 본딩과 배선기판(20)의 핑거(27)측에 스티치 본딩을 와이어본딩법으로 행하여 전기적으로 접속한다. 와이어본딩법과 와이어본딩시에 있어서의 반도체칩(22)과 배선기판(20)과의 고정방법 등은 종래 일반적으로 잘 알려지고 있기 때문에 설명을 생략한다.
다음에, 도 5c에 나타낸 배선기판20의 표면과 이면을 반전시켜 배선기판(20)의 제1면(20a)을 지지블럭으로 지지한다. 이때, 지지블럭의 지지면에는 금속선(28)이 접촉하여 변형시키거나 외력이 걸리지 않도록 그 부분이 접촉하지 않도록 릴리프 오목부를 설치하고 있는 것을 사용한다. 그후, 반도체칩(22)의 이면(22b)에 접착재(24b)를 접착한다.
다음에, 도 5e에 나타낸 것과 같이, 접착재(24b)에 반도체칩(31)의 이면(31b)을 접착하여 고정한다. 그후, 필요에 따라 접착재(24a)를 경화하기 위한 경화공정(큐어링 공정)을 추가하여도 된다.
다음에, 도 5f에 나타낸 것과 같이, 금속선(28)으로, 반도체칩(31)의 센터패드(32)측에 스티치 본딩을, 배선기판(20)의 핑거(33)측에 볼 본딩을 와이어본딩법으로 행하여 전기적으로 접속한다. 센터패드(32)의 배치 간격이 좁은 반도체칩(31)인 경우에, 미리 와이어본딩을 하기 전에 센터패드(32)에 볼 본딩을 행하여 볼 목부(neck)를 절단해 놓고, 그 절단된 볼 위에 스티치 본딩을 행하여도 된다. (이들의 2중 와이어본딩 방법에 관해서도 종래 잘 알려져 있기 때문에 상세한 설명은 생략한다.)
도 5g에, 봉지수지를 사용하여 봉지한 상태를 나타내고 있다. 도면에 있어서 제1반도체칩(22)과 제2반도체칩(31)과 접착재 24a 및 24b와 금속선(28)과 루팅배선(34)과 배선기판(20)의 제2면측의 소정 부분을 봉지수지(35)로 덮고, 제1면(20a) 측의 소정 부분과 관통공(21)과 핑거(27)와 금속선(28)을 봉지수지(30)로 덮어 봉지한다. 봉지하기 위해 사용하는 봉지 금형의 상부 금형과 하부 금형에 관해서는 일반적으로 자주 사용되는 플라스틱 패키지용 금형이나 CSP용의 금형이나 BGA 용 금형과 기본적으로 다른 것은 없기 때문에 재차 설명하는 것을 생략한다.
도 5g에서, 봉지수지 35와 봉지수지 30을 동시에 봉지하는 방법을 설명하였지만, 봉지수지 30의 봉지를 먼저 행하고, 큐어링 공정을 완료한 후, 봉지수지 35로의 봉지를 행하는 2회의 스텝 봉지를 행하는 것도 물론 가능하다. 또한, 봉지수지는, 종래 개발되어 있는 수지봉지 재료면 된다. 더구나, 봉지방법에 관해서도 잘 알려진 트랜스퍼몰드법에만 한정되지 않고, 봉지수지 30의 봉지를 포팅(potting)법으로 행하더라도 좋다. (땜납볼(36)을 장착할 필요가 없는 경우에는 그후 단편화공정에서 단편으로 분리되어 완성된다.)
다음에, 땜납볼 장착공정에 대해 설명한다. 도 5h는 땜납볼(36)을 배선기판(20)의 제1면(20a) 측에 설치되어 있는 외부 전극랜드(37)에 장착한 상태를 나타낸 것이다. 땜납볼 장착은, 도 5h에 나타낸 땜납볼(36)이 상향이 되도록 배선기판을 지지하여 행한다. 배선기판(20)의 제1면(20a)을 상향으로, 외부 전극랜드(37)가 최상면이 되도록 지지블럭에 올려놓고, 외부 전극랜드(37)에 땜납 페이스트를 땜납 마스크를 사용하여 스키지(squeegee)로 도포한다. 그후, 땜납볼(36)을 도포된 땜납 페이스트의 위에 올려놓는다. 그 상태에서, 땜납 리플로우를 통해 땜납 페이스트를 용융하는 소위 일련의 땜납 리플로우법으로, 외부 전극랜드(37)와 땜납볼(36)을 고정한다.
도 5를 사용하여, 제조공정을 설명하기 위해 배선기판(20)에 1개의 SMCP를 구성한 도면으로 설명하였지만, 배선기판(20)에 복수의 행과 복수의 열에 걸쳐 매트릭스 형태로 복수의 SMCP를 구성하는 것은 용이하게 가능하며 보다 효율적이다. 실시예 1에 나타낸 SMCP의 제조는, 땜납볼 장착 공정완료까지를 배선기판(20)에 구성한 복수의 SMCP 단위로 행하는 것이 바람직하다.
땜납볼 장착공정을 완료한 후, 땜납볼 장착이 필요하지 않은 경우에는 봉지공정을 완료한 후, 마지막으로, 배선기판(20)에 형성된 복수의 SMCP를 떼어버려 단편화를 행한다. 단편화의 방법은, 도 5i에 나타낸 것과 같이, 배선기판(20)의 제2면(20b)측에 설치된 봉지수지(35)의 외주 근방을 절단경계로 하고, 드릴가공 또는 절단(shearing) 가공 등의 기계가공수단이나 다이싱 블레이드를 사용한 연마에 의한 절단수단을 사용하여도 좋으며, 레이저광 의한 열절단수단을 사용하여 행해진다.
상기한 모두 일련의 공정을 완료하여, 도면 1에 나타낸 센터패드를 갖는 동일치수의 메모리 반도체칩 2개를 2단으로 중첩하여 메모리 용량을 2배로 한 SMCP를 용이하고도 저가로 얻을 수 있다. 상기한 일련의 제조 플로우의 일례를 나타내었지만, 도 5a 내지 도 5f에 나타낸 공정에서, 제1반도체칩(22)과 제2반도체칩(31)의 접착재(24b)를 개재하여 고정하는 공정의 뒤에 센터패드(23)와 핑거(27)와 센터패드(32)와 핑거(33)와의 전기적인 접속을 금속선으로 와이어본딩법으로 행하도록 하더라도 실시예 1에 나타낸 SMCP형 반도체장치가 갖는 동일한 효과를 발휘한다.
실시예 1에 의한 SMCP에서는, 도 1에 있어서, SMCP의 전체의 두께는, 제2반도체칩(31)의 표면(31a)에서 봉지수지(35)의 상부 표면까지의 치수 A1과 2단으로 중첩된 반도체칩(22, 31)과 접착제(24b)와의 합계두께 B와 제1반도체칩(22)의 표면(22a)에서 땜납볼(36)의 선단까지의 치수 D1+ C1과 합이 된다.
이것에 대해, 종래의 SMCP를 도시한 도 10의 전체 두께는, 제2반도체칩(2)의 표면에서 봉지수지(9)의 상부 표면까지의 치수 A2와 2단 중첩된 반도체칩(1, 2)과 접착제(7)와의 합계두께 B와 제1반도체칩(1)의 표면에서 땜납볼(10)의 선단까지의 치수 D2+C2와의 합이다.
일례로서, 땜납볼의 지름이 0.45 mm, 배선기판의 기재의 두께가 0.1mm, 배선층 두께가 0.025 mm, 금속선의 직경이 0.03 mm인 경우에, 도 1과 도 10의 전체 두께 치수를 비교한다. 일반적으로 행해지는 와이어본딩에 의한 와이어의 상승부 치수는 E2 = 0.18 mm이다. 와이어의 최상부로부터 봉지수지 상면까지의 치수는. F2 = 0.08 mm 이다. 그 때문에 A2 = 0.26 mm가 된다. 한편, 도 1에 있어서 제2반도체칩 주표면(31a)과 금속선(28)의 하면까지의 간극을 0.05 mm라고 하면 E1= 0.09 mm가 되고, F1= 0.08 mm = F2로 하면, A1= 0.17 mm가 된다. 또한, 도 10에 나타낸 D2 = 0.085 mm이며, C2 = 땜납볼 직경 + 기재 두께 + 배선 두께 = 0.45 + 0.1+ 0.025 = 0.575 mm가 된다.
이것에 대해, 실시예 1에서는 도 1에 나타낸 것과 같이, D1= 0.085 mm이고, 양면 배선를 위해 C1= 0.45 + 0.1+ 0.025 + 0.025 = 0.6 mm가 된다. 이상으로부터 명백한 것과 같이, A1<A2이고, D1+ C1<D2 + C2이다. 이것으로부터, 종래의 SMCP보다 실시예 1의 MCP의 전체 두께가 0.15 mm 낮은 것을 알 수 있다. 도 1과 도면 10의 비교로 반도체칩의 두께를 동일한 것으로 설명하였지만, 일반적으로 사용되는 반도체칩의 두께 치수는 0.4 mm이고 메모리 반도체칩의 두께는 0.3 mm이지만, 이 두께를 예컨대 0.25 mm로 얇게 구성하면, 전체의 두께를 종래의 SMCP에 대해, 0.25 mm에서 0.45 mm 얇게 하는 것도 가능하다. 현재의 연마기술에 있어서는 반도체칩의 두께를 0.15 mm로 얇게 형성하는 것도 가능하다.
실시예 1의 SMCP를 구성하는 조건으로서, D1+ C1> E1+ F1를 만족시킬 필요가 있지만, 전술한 것과 같이, D1+ C1= 0.685 mm에서 종래의 도 10에 나타낸 A2 = E2 + F2 = 0.26 mm를 E1+ F1로서 구성하였다고 해도, 조건 D1+ C1> E1+ F1을 충분히 만족시킬 수 있다.
실시예 1에서 배선기판(20)에 설치하는 스루홀의 배치 위치는, 외부 전극랜드의 중심과 스루홀의 중심을 일치시켜 설치하더라도 좋고, 서로의 중심점을 편심시켜 설치하더라도 외부 전극랜드 영역의 어디에 설치하더라도 좋다. 또한, 루팅배선 29 또는 34가 배치된 영역의 어디에 설치하더라도 좋다. 더구나, 경우에 따라서는, 핑거 27 또는 33이 배치된 영역의 어디에 설치하더라도 좋다. 배선기판에 설치하는 스루홀의 형성위치에는 제한받지 않는다.
실시예 1에서는, 동일 치수로 센터패드를 구비한 반도체칩 2개를 뒷면을 맞추어 접합시켜 구성하는 것으로 설명하였지만, 제1반도체칩에 센터패드 반도체칩을 사용하고, 주변패드 반도체칩으로 또한 치수가 다른 제2반도체칩을 사용하더라도 실시예 1에 설명한 것과 같이 두께 치수가 얇은 SMCP가 마찬가지로 얻어진다.
실시예 2
반도체칩에 설치되는 센터패드의 배열 피치가 좁은 경우는, 볼의 크기를 콘트롤하는 기술이 보급되어 있기 때문에, 센터패드측은 모두 볼 본딩으로 행하여 메모리 용량을 2배로 하는 SMCP를 구성한 일례를 설명한다. 도 6은 실시예 2를 나타낸 단면도, 도 7은 실시예 2에 사용되는 배선기판의 평면도이며, 도 8은 도 7에 있어서 화살표 VIII-VIII 방향 단면도를 나타낸 것이다.
실시예 2를 나타낸 반도체장치를 도시한 도 6에 있어서, 관통공(41)을 구비하고 있고, 제1면(40a)과 그것의 이면측에는, 외주영역을 액자형 돌기로 둘러싼 돌기면(40b)과 그 돌기면보다 낮은 단차평면(40c)의 2면으로 구성한 제2면을 구비한 배선기판(40)을 사용하고 있다. 제1반도체칩(22)의 주표면(22a)에 배치된 센터패드(23)는 낮은 단차평면(40c)에 설치된 관통공(41)으로 둘러싸 잔부를 접합재(24a)로 고정하고 있다. 제1반도체칩(22)의 이면(22b)과 제2반도체칩(31)의 이면(31b)과는 접합재(24b)로 고정하고 있다. 제1,2반도체칩(22, 31)은 배선기판(40)의 제2측면에 설치된 액자형 돌기로 둘러싸고 있고 그것의 돌기면(40b)과 제2반도체칩의 주표면(31a)은 대략 동일면이 되도록 구성한다.
돌기면(40b)에 설치된 핑거(43)와 제2반도체칩(31)의 센터패드(32)는 금속선(28)으로 접속되어 있다. 제1반도체칩(22)의 센터패드(23)와 배선기판의 제1면(40a)에 설치된 핑거(27)는 금속선(28)으로 접속한다. 봉지수지(45)로 금속선(28)과 각 반도체칩(22, 31)과 각 접합재(24a, 24b)와 배선기판(40)의 제2면측(40b, 40c)을 봉지하고, 제1면(40a) 측은, 제1면(40a)에 설치된 랜드 배치영역에서 외주영역까지를 제외하고 핑거(27)와 관통공(41)을 덮어 봉지하고 있다.
도 7에 나타낸 것과 같이, 실시예 2에 사용되는 배선기판(40)의 제1면(40a) 측과 제2면(40b, 40c) 측의 패턴은, 도 4에서 나타낸 실시예 1에 사용되는 배선기판(20)의 제1면(20a)과 제2면(20b)에 설치하는 패턴과 완전히 동일하게 핑거(27, 43)와 외부 전극랜드(37)와 루팅배선(29, 34)으로 된다. 실시예 2에 사용되는 배선기판(40)의 제2면측에는 외주영역을 액자형 돌기로 둘러싼 돌기면(40b)과 그 돌기면보다 낮은 단차평면(40c)의 2면으로 구성되어 있고, 도 7에 나타낸 핑거(43)와 스루홀(49)을 돌기면(40b)에 설치한다. 돌기면(40b)에 설치하는 배선패턴은 구체적으로는, 퍼스널 컴퓨터 상에 제2면에 설치하는 패턴을 돌기면 영역에서 떼어내어 돌기면의 패턴으로 하는 것으로 용이하게 작성가능하다. 어떻든간에 제1면의 패턴을 기초로 제2면의 패턴을 생성하는 것은 퍼스널 컴퓨터 상에서 실시예 1에서 나타낸 순서를 사용하면 용이하다.
돌기면보다 낮은 단차평면(40c)에는, 적어도 외부 전극랜드(37)와 스루홀(39)과 루팅배선(29, 43)을 구비하고 있다. 패턴 형성용의 마스크의 종류를 적게 하기 위해서는 제1면(40a)과 동일한 패턴을 설치하는 것이 바람직하다. 핑거(27, 43)와 외부 전극랜드(37)를 형성한 패턴용의 마스크와, 루팅배선 패턴용의 마스크와 분할하여 마스크를 형성하면 보다 효율적이다. 도 7에 나타낸 제1면과 제2면과 동일 패턴을 설치하면 보다 바람직하다.
도 8에 도시한 도 7에 있어서의 화살표 VIII-VIII 방향의 단면도에 있어서, 배선기판(40)의 제2면측에 형성하는 돌기면(40b)과 저면(40c)의 형성방법은, 돌기면에서 저면영역을 삭제하여 형성한다. 바람직하게는, 실시예 1에서 사용되는 배선기판의 제2면에 그것의 외주를 둘러싸는 돌기면을 구성한 동일 기재의 스페이서를 적층하여 형성한다. 적층의 방식에 관해서는, 종래의 적층기판과 다른 것은 없어 설명을 생략한다. 이 실시예 2에서 사용되는 배선기판에 있어서는, 적어도 핑거(43)와 스루홀(49)을 돌기면에 설치한다. 스루홀(49)을 설치하는 목적은, 핑거(43)를 저면(40c)에 설치된 도통해야 할 핑거 또는 배선(34)을 거쳐 외부 전극랜드(37)와 도통하기 위해서이다. 저면(40c)에 설치한 스루홀(39)에 관해서는 실시예 1에서 상세히 나타내었기 때문에 반복하여 설명하는 것을 생략한다.
제조방법은, 실시예 1과 제조공정이 동일하며 중복되기 때문에 생략한다. 배선기판(40)과 봉지수지(45)와 금속선(28)의 형상이 실시예 2에서는 도 1과 도 6에서 나타낸 것과 같이 다르다. 특히, 금속선(28)에 의한 센터패드와 핑거와의 접속에 있어서, 고용량화 또는 고기능화에 따라 패드와 패드와의 간격이 좁게 배치된 반도체칩의 센터패드측에는, 볼 지름을 패드 간격에 대응하여 작게 형성하여 볼 본딩을 행하여 인접하는 볼끼리의 쇼트 불량을 회피하고, 반도체칩의 주표면(31a)과 대략 동일한 일면 높이로 형성된 돌기면에 설치된 핑거(34)에 스티치 본딩을 행하는 것으로, 금속선과 반도체칩과의 접촉에 의한 쇼트 불량을 회피한다.
도 7 및 도 8에는 돌기부에 형성하는 돌기면(40b)의 형상을 거의 같은 폭으로 나타내었지만 돌기면의 형상은 이것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 관통공(41)은 연속된 것을 나타내었지만 센터패드를 둘러싸도록 하면, 병렬 분할로도 직렬분할하여 설치하여도 좋다. 더구나, 센터패드이면 관통공은 십자 형태라도 실시예 1및 실시예 2에 나타낸 SMCP와 동일한 효과를 발휘한다.
또한, 외부 전극랜드(37)는 땜납 접합부의 강도를 증가시키기 위해, 또는, 열방산을 좋게 할 목적으로, 필요에 따라 필요한 수의 더미 외부 전극랜드를 추가하여 설치하더라도 실시예 1및 실시예 2에 나타낸 SMCP와 동일한 효과를 발휘한다.
더구나, 외부 전극랜드(37)를 지그재그 배치로 하여도 좋다. 이 경우, 실장기판에 실장하였을 때에 땜납볼 접속부분에 생기는 열왜곡에 의한 땜납 접합부 수명을 실시예 1및 실시예 2에 예시한 SMCP보다 길게 할 수 있다.
또한, 도 7에 나타낸 돌기면(40b)의 랜드(43)가 배치되지 않은 부분을 가질 때는, 그 부분에, 더미의 배선 동박으로 보강부를 설치하여 배선기판의 휘어짐을 적게 하는 것도 기판의 기계적인 강도를 증가하는 것도 가능하다.
2단 중첩하는 반도체칩의 패드의 배치에 의해서는, 돌기 평면의 4변에 핑거(43)를 설치하는 것도 물론 가능하다.
실시예 1및 실시예 2에 있어서는, 동일 치수의 반도체칩 2개를 뒷면을 맞추어 부착하여 구성하는 것으로 설명하였지만, 치수가 다른 반도체칩을 사용하더라도, 센터패드를 구비한 제1반도체칩을 관통공을 구비한 배선기판을 사용하여 관통공으로 센터패드를 둘러싸 접착 고정하면, 제2반도체장치는, 치수가 다르더라도, 주변패드 배치의 반도체칩만으로도 실시예 1및 실시예 2에 예시한 반도체장치와 동일한 효과를 발휘한다.
본 발명은 이상 설명한 것과 같이 구성되어 있기 때문에, 이하에 나타낸 것과 같은 효과를 발휘한다.
본 발명의 제1국면에 관한 반도체장치는, 관통공을 구비하고 제1면과 제2면에 랜드와 핑거와 루팅배선과 스루홀을 배치한 배선기판과, 센터패드를 주표면에 배치한 제1반도체칩을, 관통공으로 센터패드를 둘러싸 접합재로 고정하고, 반도체칩의 이면끼리를 고정하며, 금속선 등의 도전율이 높은 금속선으로 각 반도체칩의 패드와 핑거를 접속하고, 봉지수지로 금속선과 각 반도체칩과 각 접합재와 관통공을 덮으며, 다시 배선기판의 제1면의 제1면에 설치된 랜드배치 영역에서 외주영역까지를 제외하고 핑거를 봉지하였기 때문에 SMCP의 전체 두께를 낮게 할 수 있다.
또한, 배선기판의 제1면에 설치된 랜드에 땜납볼을 설치하였기 때문에 실장기판에의 실장이 효율적으로 된다.
또한, 제1반도체칩과 제2반도체칩이 동일 반도체칩이기 때문에 용량을 2배로 할 수 있다.
또한, 금속선으로 제1반도체칩의 센터패드에 볼 본딩을 행하고, 배선기판의 제1면에 설치된 핑거에 스티치 본딩을 행하여 접속하는 동시에, 배선기판의 제2면에 설치된 핑거에 금속선으로 볼 본딩을 행하고 제2반도체칩의 패드에 스티치 본딩을 행하여 접속하였기 때문에 보다 SMCP의 높이를 낮게 할 수 있다.
배선기판은, 그것의 제1면에 핑거를 관통공의 근방에 대략 평행하게 설치하고, 랜드를 같은 간격으로 평행하게 복수열 정렬하여 핑거의 외측에 평행하게 배치하며, 배선기판의 제2면에 핑거를 배선기판의 외주변의 근방에 대략 평행하게 설치하고, 랜드를 같은 간격으로 평행하게 복수열 정렬하여 핑거의 내측에 배치하였기 때문에 모든 랜드에 핑거로부터 루팅하는 배선의 길이를 대략 일정하게 하는 것으로 대략 같은 임피던스로 하는 것이 가능하다.
배선기판에는, 관통공을 따라 그것의 근방에 대략 평행하게 설치된 핑거와 배선기판의 외주변을 따라 그 근방에 대략 평행하게 설치된 핑거와의 사이의 영역에 랜드를 같은 간격으로 평행하게 복수열 정렬하여 설치하였기 때문에 모든 배선을 대략 같은 임피던스로 하는 것이 가능하다. 더구나, 단층배선이라도 구성하는 것이 가능하다.
본 발명의 제2국면에 관한 반도체장치에 있어서는, 관통공을 구비한 제1면과 제2면을 구비하고, 제2면은 외주영역을 액자 형태로 둘러싸는 돌기면과 그 돌기면보다 낮은 단차 저면의 2면을 구비하며, 배선기판의 제1면과 제2면에는 랜드와 핑거와 루팅배선과 스루홀을 배치한 배선기판과 센터패드를 구비한 반도체칩 2개를, 반도체칩의 이면과 이면을 접합재로 고정하고, 반도체칩의 제2주표면과 돌기면과 대략 동일 평면에 배치하고, 반도체칩의 제1주표면과 배선기판의 제2면에 있어서 단차 저면을 관통공으로 둘러싸 접합재로 고정하며, 금속선으로 반도체칩의 센터패드에 볼 본딩을 행하여 배선기판의 핑거에 스티치 본딩으로 전기적으로 접속하고, 봉지수지로 금속선과 각 반도체칩과 각 접합재와 배선기판의 제2면측을 봉지하며, 배선기판의 제1면에 설치된 랜드 배치영역에서 외주영역까지를 제외하고 핑거와 관통공을 덮어 봉지하였기 때문에, 저가로 SMC를 얻을 수 있다.
또한, 배선기판의 제1면에 설치된 랜드에 추가로 땜납볼을 설치하였기 때문에, 실장기판에의 실장이 용이한 반도체장치를 얻을 수 있다.

Claims (3)

  1. 제1면과 제2면에 관통공, 랜드들, 핑거들, 루팅배선 및, 스루홀을 구비한 배선기판과,
    주표면에 중심적으로 배치된 센터패드를 구비하고, 상기 배선기판의 상기 관통공이 상기 센터패드를 둘러싸도록 상기 배선기판의 제2면과 그것의 주표면이 서로 고정된 제1반도체칩과,
    패드를 구비하고, 상기 제1반도체칩의 이면과 그것의 이면이 접합재를 사용하여 서로 고정되는 제2반도체칩과,
    상기 배선기판에 관통공을 통과하고, 상기 제1반도체칩의 센터패드가 상기 배선기판의 제1면 상에 상기 센터패드와 대응하는 핑거에 연결되며, 상기 제2반도체칩의 패드가 상기 배선기판의 제2면 상에 상기 센터패드와 대응하는 핑거에 연결되는 금속배선 및,
    상기 금속와이어와 상기 제1,2반도체칩을 둘러싸고, 상기 관통공에 채워지는 봉지수지를 포함하는 반도체 장치.
  2. 제1면과 제2면을 갖되, 상기 제2면이 외주영역에 위치하며 핑거들을 갖는 프레임 형상의 표면과, 프레임 형상의 표면 내부에 위치하면서 이 프레임 형상의 표면과는 다른 평면에 있는 중앙 표면을 갖고, 상기 제1면과 상기 제2면의 상기 중앙 표면이 스루홀 개구, 랜드들, 핑거들, 루팅배선 및 스루홀들을 갖는 배선기판과,
    주표면 상의 중앙에 배치된 중앙 패드들을 각각 갖는 제1반도체칩 및 제2반도체칩과,
    상기 제1반도체칩 및 제2반도체칩 상의 상기 중앙 패드들을, 상기 중앙 패드들에 대해서는 볼접합을 통해, 그리고 상기 핑거들에 대해서는 스티치 본딩에 의해, 상기 배선기판 상의 상기 핑거들에 전기 접속하는 금속배선들과,
    상기 금속배선들, 상기 제1반도체칩 및 제2반도체칩과, 상기 배선기판의 제2평면을 밀봉하며, 상기 스루홀 개구를 채우는 봉지수지를 구비하고,
    상기 제1반도체칩 및 제2반도체칩은, 이면끼리 서로 접합되고, 상기 제1반도체칩의 주표면이 상기 배선기판의 중앙 표면에 고정되도록 상기 배선기판에 접합되며, 상기 스루홀 개구는 상기 제1반도체칩의 상기 중앙 패드들을 둘러싸고, 상기 제2반도체칩의 주표면은 상기 프레임 형상의 표면과 동일 평면을 이루도록 된 반도체장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 배선기판의 제1면에 설치된 랜드에, 땜납볼이 설치된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
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