KR100422603B1 - 연마패드및그제조방법 - Google Patents

연마패드및그제조방법 Download PDF

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KR100422603B1 KR10-1998-0701235A KR19980701235A KR100422603B1 KR 100422603 B1 KR100422603 B1 KR 100422603B1 KR 19980701235 A KR19980701235 A KR 19980701235A KR 100422603 B1 KR100422603 B1 KR 100422603B1
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Abstract

실리콘 웨이퍼가 연마될 때에 웨이퍼의 표면 상태의 광학적 검출의 사용이 가능한 실리콘 웨이퍼의 연마용 장치에 패드가 설치된다. 이것은 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않고 광학적 방법에 의해 웨이퍼 표면 상태를 검출하기 위해 사용되는 광빔에 대해 투명한 경질 균일 폴리머 시트로 패드의 전체 또는 일부를 형성함으로써 달성된다. 이러한 패드의 형성을 위해 190 내지 3500나노미터 범위내의 파장을 갖는 광에 대해 투명한 폴리머가 적합하다.

Description

연마 패드 및 그 제조 방법
다층 집적 회로의 제조 중에 반도체 웨이퍼 형태로 집적 회로 구조의 평탄화를 실행하는 것이 바람직하다. 평탄화는 매우 정밀해야 하고, 소정 평면으로부터 미크론 단위로 조금씩 변화하는 웨이퍼 표면을 제공해야 한다. 이것은 통상 연마 패드가 부착되는 주로 원형인 회전판과, 웨이퍼를 연마 패드 상으로 평탄하게 가압하는 웨이퍼 캐리어, 및 연마 패드에 화학 약품 또는 연마제를 슬러리(slurry) 형태로 공급하는 수단을 포함하는 대부분의 장치 상에서 CMP, 즉 화학-기계적 연마(chemical-mechanical polishing)에 의해 달성된다. 얇고 평탄한 반도체 웨이퍼들을 연마하는 장치는 본 기술분야에 공지되어 있다. 이와 같은 평탄화 장치는 IPEC Planar, Strausbaugh Manufacturing 및 SpeedFam Corporation 등에 의해 제조된다. 이러한 장치 상에서 반도체 웨이퍼를 평탄화할 때에 부딪히는 특별한 문제는웨이퍼가 원하는 평탄도(flatness)로 연마되었는지를 측정하는 것이다. 본 기술분야에 개시된 대부분의 종점 검출 방법은 상부층이 제거될 때에 웨이퍼 표면 구조의 변화에 의존한다. 따라서, 평탄도는 측정되는 것이 아니라, 단지 상부층의 제거에 대해 2차적으로 고려된다. 미국 특허 제5,036,015호에는 종점을 지시하는 연마 패드와 웨이퍼간의 마찰에 있어서의 변화를 개시하고 있다. 미국 특허 제5,240,552호에서는, 웨이퍼의 두께는 반사된 음파의 분석에 의해 측정되고 있다. 미국 특허 제5,337,015호는 전기적으로 접지된 연마 테이블과 연마 패드 아래에 위치한 특수한 전극들을 개시하고 있고, 도전성 슬러리의 사용은 절연층 두께를 측정할 수 있도록 한다. 현장 두께 측정을 위한 이러한 장치들은 매우 복잡하고 특정 전기 회로에 의존하여 작업을 실행한다. 종종, 복잡한 현장법을 사용하는 대신에, 연마 장치로부터 웨이퍼들을 제거하고, 산화막 두께를 측정하는 분광 장치가 사용되어 평탄도가 측정된다. 일반적으로, 소정의 종점(expected end point)에 도달하기 전에 웨이퍼가 연마 작업으로부터 제거되어 과도한 연마가 발생되지 않도록 한다. 그런 다음에 웨이퍼는 소망의 종점까지 연마하기 위해 연마기에 재삽입된다.
미국 특허 제5,081,796호는 연마기상에서 연마 패드의 에지를 지나서 웨이퍼를 운송하는 것에 의해 레이저 간섭계(interferometry)와 같은 산화층을 신속하게 측정하는 방법이 웨이퍼의 하부에서 사용될 수 있는 웨이퍼 운송용 방법 및 장치를 개시하고 있다. 이 방법은 소정 시간에 웨이퍼의 일부를 연마 공정으로부터 제거하므로 웨이퍼가 항상 균일하게 연마 처리되지 않는다는 단점을 갖는다. 이것은 또한 미국 특허 제5,413,941호에 개시된 반도체 평탄화 연마 공정에서의 광학적 종점 검출 방법에 대해서도 해당된다. 웨이퍼가 전체 연마 상태에 계속 있는 동안 이와 같은 레이저 광 측정이 사용될 수 있는 장치를 갖는 것이 매우 바람직하다.
본 발명은 글래스, 반도체, 절연체/금속 합성물, 및 집적 회로와 같은 물품들 상에 평활한 초평탄(ultra-flat) 표면을 형성하기 위해 사용되는 연마 패드에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 이와 같은 패드의 벌크(bulk) 구조 및 연마 또는 평탄화 공정 중에 광학적 현장(in-sitr) 종점(end point) 검출을 가능하게 하는 능력에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼가 연마되고 있을 때에 웨이퍼 표면 상태의 광학적 검출을 사용할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 연마용 장치에 사용되기 위한 패드가 제공된다. 이것은 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않고 광학적 방법에 의해 웨이퍼 표면 상태를 검출하기 위해 사용되는 광빔에 대해 투명한 경질 균일 폴리머시트로 패드 전체 또는 그 일부를 구성함으로써 달성된다. 190 내지 3500 나노미터 범위내의 파장을 갖는 광에 대해 투명한 폴리머가 이들 패드들의 구조에 적합하다. 또한, 본 발명에 따른 연마 패드를 제조하기 위한 방법은 투명한 폴리머의 플러그를 주조하고, 경화시 불투명한 액체 폴리머를 함유하는 몰드에 플러그를 도입하며, 주조물을 형성하기 위해 액체 폴리머를 경화하고, 경화 주조물로부터 투명 창을 갖는 연마 패드들을 슬라이싱하는 것에 의해 연마 패드가 제조된다.
현재 경질 균일 폴리머 시트로 이루어진 실리콘 웨이퍼의 연마에 사용되는 연마 패드가 있다. 이들은 본 명세서에서 그 일부를 참조한 미국 특허 제5,489,233호에 기재되어 있다. 경질 균일 폴리머 시트는 슬러리 입자를 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 가지고 있지 않다. 슬러리 입자를 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력은 경질 균일 폴리머 시트로 이루어지는 연마 패드의 벌크 특성을 종래 기술의 연마 패드의 벌크 특성과 구별하는 것이다. 모든 종래 기술의 연마 패드들은 섬유로 구성되고, 제조 중에 미소 기구(microballoons)나 공기 주입으로 채워지거나, 또는 연마제로 채워지는 작은 구멍을 포함하는 벌크 구조를 갖는다. 종래 기술의 패드들이 경질 폴리머로 이루어질지라도, 그들은 균일한 구조가 아니고 그들 상에 직사된 임의의 광선을 심하게 산란하기 때문에, 광선에 대해 불투명한 벌크 구조를 갖는다. 본 발명에 사용되는 폴리머 시트의 표면에는 경질 균일 시트를 우수한 연마 패드로 변형시키는 마이크로그루브(macrogroove) 및 미크로그루브(microgroove)가 제공될 수 있다. 참고 자료인 미국 특허 제5,489,233호에 개시된 바와 같이, 이와 같은 패드는 폴리우레탄, 아크릴, 폴리카보네이트, 나일론, 및 폴리에스테르를 포함하는 임의의 경질 균일 폴리머로 이루어질 수 있다. 이들 모두가 190 내지 3500 나모미터 범위내의 파장을 갖는 광에 대해 투명한 폴리머로 이루어질 수 있기 때문에, 간섭계와 같은 광학적 방법을 사용하여 현장 종점 검출이 가능한 패드를 만들 수 있다.
투명한 패드는 주조(casting) 및 압출 성형(extrusion)과 같은 폴리머 시트 제조 분야의 당업자에게 공지된 임의의 방법으로 제조될 수 있다. 폴리머는 주조 또는 압출 성형과 같은 공정에 의해 유동하고 그런 다음에 성형되는 온도로 가열되는 열가소성 재료일 수 있다. 패드 재료는 반응 성분들이 함께 혼합되어 몰드내에 혼합물이 경화하는 온도로 가열되는 열경화성 폴리머일 수도 있다. 주조물인 시트가 소망의 두께에 일치한다면, 연마 동작을 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 패드 시트는 주조물인 폴리머로부터 슬라이스(slice)될 수도 있다.
불투명한 패드내에 단지 투명한 창을 갖기 원한다면, 가능한 제조 방법은 투명한 폴리머의 로드(rod) 또는 플러그(plug)를 주조하는 것이다. 그런 다음에, 이 주조물은 불투명 폴리머가 아직 액체일 때에 투명 플러그와 불투명 폴리머 사이에서 완전히 접촉하는 것을 확인하면서 그 몰드내에 불투명 폴리머를 삽입할 수 있다. 불투명 폴리머가 경화된 후에 몰드로부터 꺼내지고, 투명 창(window)을 갖는 패드용 시트가 주조물로부터 슬라이스될 수 있다.
미국 특허 제5,489,233호에 개시된 바와 같이, 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 폴리머 시트로 이루어진 집적 회로 웨이퍼의 화학-기계적 연마용 패드는 사용시 대형 유동 채널과 소형 유동 채널을 모두포함하는 표면 조직 또는 패턴을 가져야만 한다. 따라서, 연마 패드의 투명한 부분을 통해서 현장 광학 측정을 행할 때, 이들 유동 채널내에서 소량의 슬러리로 인한 어떤 간섭이 존재할 것이다. 이 간섭은 보상될 수 있다. 유동 채널내의 슬러리가 비교적 일정하기 때문에, 그 효과는 웨이퍼 표면의 변화를 측정하는 신호로부터 제거될 수 있다.
집적 회로 웨이퍼의 화학-기계적 연마에 현재 사용되고 있는 임의 형태의 연마 패드에 창을 삽입하는 것도 가능하다. 이런 형태의 패드의 예로서는 우레탄 함침 폴리에스테르 펠트(urethane impregnated polyester felts), 델라웨어, 뉴워크 소재의 로델사에 의해 폴리텍스(Politex)로 판매되는 유형의 미세다공성 우레탄 패드(microporous urethane pads), 및 델라웨어, 뉴워크 소재의 로델사에 의해 제조된 IC-시리즈 및 MH-시리즈 연마 패드와 같은 채워진(filled) 및/또는 공기주입된(blown) 합성 우레탄이 있다. 이와 같은 패드들은 슬러리 입자를 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 이루어지지 않는다. 그들은 자체 구멍을 갖는다는 특성에 의해 본질적으로 슬러리를 운송할 수 있다. 이들 패드들중 임의의 패드를 통해서 구멍이 뚫릴 수 있고, 거기에 경질 투명 폴리머의 플러그가 광학적 종점 검출을 위한 창으로 작용하도록 삽입된다. 경질 폴리머 플러그의 표면은 연마 활동이 연마 패드 전체에 걸쳐서 거의 균일하도록 미국 특허 제5,489,233호에 기술된 바와 같은 표면 조직 또는 패턴을 갖는 것이 가장양호하다.
상술한 폴리머(폴리우레탄, 아크릴, 폴리카보네이트, 나일론 및 폴리에스테르)에 부가하여, 폴리비닐 클로라이드(polyvinyl chlorides), 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluorides), 폴리에테르 설폰(polyether sulfones), 폴리스티렌(polystyrens), 폴리에틸렌(polyethylenes), 및 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylenes)으로 투명 창을 만드는 것도 가능하다. 이와 같은 창은 폴리머를 주조하거나 압출 성형한 후에, 그 폴리머를 소망하는 크기 및 두께로 절단함으로써 형성될 수 있다.

Claims (8)

  1. 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 적어도 일부분을 갖고, 상기 폴리머 시트는 190 내지 3500 나노미터 범위내의 파장을 갖는 광에 대해 투명한, 집적 회로 웨이퍼들을 연마하기 위해 사용되는 연마 패드로서,
    상기 패드는 광에 대해 투명한 상기 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 제 1 부분과 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 제 2 부분을 포함하고, 상기 제 2 부분은 표면 전체에 걸쳐서 입자들을 함유하는 연마 슬러리의 운송을 허용하는 대형 유동 채널과 소형 유동 채널을 모두 포함하는 표면 조직 또는 패턴을 갖는 표면을 구비하며, 상기 표면 조직은 상기 경질 균일 폴리머 시트의 상기 표면상에서 외부 수단에 의해서만 제조되는 연마 패드.
  2. 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 적어도 일부분을 갖고, 상기 폴리머 시트는 190 내지 3500 나노미터 범위내의 파장을 갖는 광에 대해 투명한, 집적 회로 웨이퍼들을 연마하기 위해 사용되는 연마 패드로서,
    상기 경질 균일 폴리머 시트는 표면 전체에 걸쳐서 입자들을 함유하는 연마 슬러리의 운송을 허용하는 대형 유동 채널과 소형 유동 채널을 모두 포함하는 표면조직 또는 패턴을 갖는 표면을 구비하고, 상기 표면 조직 또는 패턴은 상기 경질 균일 폴리머 시트의 상기 표면상에서 외부 수단에 의해서만 제조되며,
    상기 패드는 광에 대해 투명한 상기 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 제 1 부분과 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 제 2 부분을 포함하고, 상기 제 2 부분은 표면 전체에 걸쳐서 입자들을 함유하는 연마 슬러리의 운송을 허용하는 대형 유동 채널과 소형 유동 채널을 모두 포함하는 표면 조직 또는 패턴을 갖는 표면을 구비하며, 상기 표면 조직은 상기 경질 균일 폴리머 시트의 상기 표면상에서 외부 수단에 의해서만 제조되는 연마 패드.
  3. 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 제 1 부분을 갖고, 상기 폴리머 시트는 190 내지 3500 나노미터 범위내의 파장을 갖는 광에 대해 투명한, 집적 회로 웨이퍼들을 연마하기 위해 사용되는 패드를 제조하기 위한 방법으로서,
    a) 상기 투명한 폴리머의 플러그를 주조하는 단계와,
    b) 경화시 불투명한 액체 폴리머를 함유하는 몰드에 상기 플러그를 도입하는 단계와,
    c) 주조물을 형성하기 위해 상기 액체 폴리머를 경화하는 단계, 및
    d) 상기 경화 주조물로부터 투명 창을 갖는 연마 패드들을 슬라이싱하는 단계를 포함하는 연마 패드 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 경질 균일 폴리머 시트에 표면 전체에 걸쳐서 입자들을 함유하는 연마 슬러리의 운송을 허용하는 대형 유동 채널과 소형 유동 채널을 모두 포함하는 표면 조직 또는 패턴을 갖는 표면을 제공하는 단계를 부가로 포함하고, 상기 표면 조직 또는 패턴은 상기 경질 균일 폴리머 시트의 상기 표면상에서 외부 수단에 의해서만 제조되는 연마 패드 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 슬라이싱 단계는 미세다공성(microporous) 폴리우레탄 구조로 구성되는 제 2 부분을 포함하는 연마 패드들을 형성하는 연마 패드 제조 방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 슬라이싱 단계는 채워진 또는 공기 주입된 합성 우레탄 구조로 구성되는 제 2 부분을 포함하는 연마 패드들을 형성하는 연마 패드 제조 방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 슬라이싱 단계는 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 제 2 부분을 포함하는 연마 패드들을 형성하고, 상기 제 2 부분은 표면 전체에 걸쳐서 입자들을 함유하는 연마 슬러리의 운송을 허용하는 대형 유동 채널과 소형 유동 채널을 모두 포함하는 표면 조직 또는 패턴을 갖는 표면을 구비하고, 상기 표면 조직은상기 경질 균일 폴리머 시트의 상기 표면상에서 외부 수단에 의해서만 제조되는 연마 패드 제조 방법.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 슬라이싱 단계는 슬러리 입자들을 흡수하거나 운송하기 위한 본질적인 능력을 갖지 않는 경질 균일 폴리머 시트로 구성되는 제 2 부분을 포함하는 연마 패드들을 형성하고, 상기 제 2 부분은 표면 전체에 걸쳐서 입자들을 함유하는 연마 슬러리의 운송을 허용하는 대형 유동 채널과 소형 유동 채널을 모두 포함하는 표면 조직 또는 패턴을 갖는 표면을 구비하는 연마 패드 제조 방법.
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Families Citing this family (216)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5823853A (en) * 1996-07-18 1998-10-20 Speedfam Corporation Apparatus for the in-process detection of workpieces with a monochromatic light source
US5733171A (en) * 1996-07-18 1998-03-31 Speedfam Corporation Apparatus for the in-process detection of workpieces in a CMP environment
US6614529B1 (en) 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US7037403B1 (en) 1992-12-28 2006-05-02 Applied Materials Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
DE69635816T2 (de) * 1995-03-28 2006-10-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US6676717B1 (en) 1995-03-28 2004-01-13 Applied Materials Inc Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US6719818B1 (en) 1995-03-28 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US6537133B1 (en) * 1995-03-28 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US6876454B1 (en) 1995-03-28 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
JPH09254027A (ja) * 1996-03-25 1997-09-30 Chiyoda Kk 研磨用マウンテン材
US6074287A (en) * 1996-04-12 2000-06-13 Nikon Corporation Semiconductor wafer polishing apparatus
US6328642B1 (en) 1997-02-14 2001-12-11 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing
US6287185B1 (en) * 1997-04-04 2001-09-11 Rodel Holdings Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6682402B1 (en) * 1997-04-04 2004-01-27 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6126532A (en) * 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
US6146248A (en) * 1997-05-28 2000-11-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ end-point detection and optimization of a chemical-mechanical polishing process using a linear polisher
US6108091A (en) * 1997-05-28 2000-08-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness during chemical-mechanical polishing
US6111634A (en) * 1997-05-28 2000-08-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of thickness using a multi-wavelength spectrometer during chemical-mechanical polishing
US6736714B2 (en) 1997-07-30 2004-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing silicon wafers
TW421620B (en) * 1997-12-03 2001-02-11 Siemens Ag Device and method to control an end-point during polish of components (especially semiconductor components)
US6332470B1 (en) 1997-12-30 2001-12-25 Boris Fishkin Aerosol substrate cleaner
US6068539A (en) * 1998-03-10 2000-05-30 Lam Research Corporation Wafer polishing device with movable window
US6248000B1 (en) * 1998-03-24 2001-06-19 Nikon Research Corporation Of America Polishing pad thinning to optically access a semiconductor wafer surface
US6514301B1 (en) 1998-06-02 2003-02-04 Peripheral Products Inc. Foam semiconductor polishing belts and pads
US7718102B2 (en) * 1998-06-02 2010-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Froth and method of producing froth
US6395130B1 (en) 1998-06-08 2002-05-28 Speedfam-Ipec Corporation Hydrophobic optical endpoint light pipes for chemical mechanical polishing
US6117000A (en) * 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
US6203407B1 (en) 1998-09-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity
JP4484370B2 (ja) 1998-11-02 2010-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板上のメタル層の化学機械研磨に関して終点を決定するための方法及び基板のメタル層を研磨するための装置
US6280289B1 (en) 1998-11-02 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting an end-point in chemical mechanical polishing of metal layers
US6159073A (en) 1998-11-02 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing
US6908374B2 (en) 1998-12-01 2005-06-21 Nutool, Inc. Chemical mechanical polishing endpoint detection
US6247998B1 (en) 1999-01-25 2001-06-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining substrate layer thickness during chemical mechanical polishing
US20040082271A1 (en) * 1999-01-25 2004-04-29 Wiswesser Andreas Norbert Polishing pad with window
US6190234B1 (en) 1999-01-25 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Endpoint detection with light beams of different wavelengths
US6716085B2 (en) 2001-12-28 2004-04-06 Applied Materials Inc. Polishing pad with transparent window
US6994607B2 (en) * 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6179709B1 (en) * 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
CN1345264A (zh) 1999-03-30 2002-04-17 株式会社尼康 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法
KR100435246B1 (ko) * 1999-03-31 2004-06-11 가부시키가이샤 니콘 연마체, 연마장치, 연마장치의 조정방법, 연마막 두께또는 연마종점의 측정방법, 및 반도체 디바이스의 제조방법
US6217426B1 (en) 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
US20040072518A1 (en) * 1999-04-02 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6146242A (en) 1999-06-11 2000-11-14 Strasbaugh, Inc. Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection
US6224460B1 (en) * 1999-06-30 2001-05-01 Vlsi Technology, Inc. Laser interferometry endpoint detection with windowless polishing pad for chemical mechanical polishing process
US6171181B1 (en) 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
US6544104B1 (en) 1999-08-27 2003-04-08 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Polishing pad and polisher
US6406363B1 (en) 1999-08-31 2002-06-18 Lam Research Corporation Unsupported chemical mechanical polishing belt
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
US6671051B1 (en) 1999-09-15 2003-12-30 Kla-Tencor Apparatus and methods for detecting killer particles during chemical mechanical polishing
US6299516B1 (en) 1999-09-28 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Substrate polishing article
US20020068516A1 (en) * 1999-12-13 2002-06-06 Applied Materials, Inc Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device
US6399501B2 (en) * 1999-12-13 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring
US6241596B1 (en) 2000-01-14 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad
US6623341B2 (en) 2000-01-18 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US6533645B2 (en) 2000-01-18 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Substrate polishing article
US6506097B1 (en) 2000-01-18 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Optical monitoring in a two-step chemical mechanical polishing process
US6607428B2 (en) 2000-01-18 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Material for use in carrier and polishing pads
US6383058B1 (en) 2000-01-28 2002-05-07 Applied Materials, Inc. Adaptive endpoint detection for chemical mechanical polishing
US6309276B1 (en) 2000-02-01 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Endpoint monitoring with polishing rate change
US7059948B2 (en) * 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
JP2003524300A (ja) * 2000-02-25 2003-08-12 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 透明部分のある研磨パッド
JP4634688B2 (ja) * 2000-03-15 2011-02-16 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 調節された摩耗速度を有する窓部
US6616513B1 (en) * 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US8485862B2 (en) 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
US6561891B2 (en) 2000-05-23 2003-05-13 Rodel Holdings, Inc. Eliminating air pockets under a polished pad
US6749485B1 (en) 2000-05-27 2004-06-15 Rodel Holdings, Inc. Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6685537B1 (en) 2000-06-05 2004-02-03 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad window for a chemical mechanical polishing tool
JP2002001647A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Rodel Nitta Co 研磨パッド
KR100767429B1 (ko) 2000-06-30 2007-10-17 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 연마 패드용 기재 패드
US6495464B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for fixed abrasive substrate preparation and use in a cluster CMP tool
US6878038B2 (en) 2000-07-10 2005-04-12 Applied Materials Inc. Combined eddy current sensing and optical monitoring for chemical mechanical polishing
JP2002036129A (ja) * 2000-07-25 2002-02-05 Roki Techno Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
US6602724B2 (en) 2000-07-27 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of a metal layer with polishing rate monitoring
US7139083B2 (en) * 2000-09-20 2006-11-21 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a composition and a thickness of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
EP1324858A1 (en) 2000-10-06 2003-07-09 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising a filled translucent region
US20020072296A1 (en) 2000-11-29 2002-06-13 Muilenburg Michael J. Abrasive article having a window system for polishing wafers, and methods
US6688956B1 (en) * 2000-11-29 2004-02-10 Psiloquest Inc. Substrate polishing device and method
US6609961B2 (en) 2001-01-09 2003-08-26 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization belt assembly and method of assembly
US6840843B2 (en) 2001-03-01 2005-01-11 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing a polishing pad having a compressed translucent region
US6863774B2 (en) * 2001-03-08 2005-03-08 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
US6608495B2 (en) 2001-03-19 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Eddy-optic sensor for object inspection
EP1252973B1 (en) 2001-04-25 2008-09-10 JSR Corporation Polishing pad for a semiconductor wafer which has light transmitting properties
US6966816B2 (en) 2001-05-02 2005-11-22 Applied Materials, Inc. Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring
US20020193058A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Carter Stephen P. Polishing apparatus that provides a window
JP4131632B2 (ja) * 2001-06-15 2008-08-13 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び研磨パッド
US6514775B2 (en) 2001-06-29 2003-02-04 Kla-Tencor Technologies Corporation In-situ end point detection for semiconductor wafer polishing
JP4570286B2 (ja) * 2001-07-03 2010-10-27 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2003133270A (ja) 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
US6586337B2 (en) 2001-11-09 2003-07-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing
US6811466B1 (en) * 2001-12-28 2004-11-02 Applied Materials, Inc. System and method for in-line metal profile measurement
US6722946B2 (en) 2002-01-17 2004-04-20 Nutool, Inc. Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection
US6942546B2 (en) 2002-01-17 2005-09-13 Asm Nutool, Inc. Endpoint detection for non-transparent polishing member
US6878039B2 (en) 2002-01-28 2005-04-12 Speedfam-Ipec Corporation Polishing pad window for a chemical-mechanical polishing tool
WO2003066282A2 (en) 2002-02-04 2003-08-14 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for characterizing a polishing process
US7001242B2 (en) * 2002-02-06 2006-02-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of eddy current monitoring for chemical mechanical polishing
US7037184B2 (en) * 2003-01-22 2006-05-02 Raytech Innovation Solutions, Llc Polishing pad for use in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
US6852020B2 (en) * 2003-01-22 2005-02-08 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical—mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
US20030194959A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-16 Cabot Microelectronics Corporation Sintered polishing pad with regions of contrasting density
KR20030086655A (ko) * 2002-05-06 2003-11-12 삼성전자주식회사 연마 종점을 검출하기 위한 장치 및 이를 갖는 화학적기계적 연마장치
US20040171339A1 (en) * 2002-10-28 2004-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US6913517B2 (en) 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US7040957B2 (en) * 2002-08-14 2006-05-09 Novellus Systems Inc. Platen and manifold for polishing workpieces
KR100465649B1 (ko) * 2002-09-17 2005-01-13 한국포리올 주식회사 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법
US7267607B2 (en) 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7311862B2 (en) 2002-10-28 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size
US7435165B2 (en) 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
TWI220405B (en) * 2002-11-19 2004-08-21 Iv Technologies Co Ltd Method of fabricating a polishing pad having a detection window thereon
WO2004049417A1 (ja) 2002-11-27 2004-06-10 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP4620331B2 (ja) * 2003-01-31 2011-01-26 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
US7008295B2 (en) * 2003-02-04 2006-03-07 Applied Materials Inc. Substrate monitoring during chemical mechanical polishing
US6832947B2 (en) * 2003-02-10 2004-12-21 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
US6960120B2 (en) 2003-02-10 2005-11-01 Cabot Microelectronics Corporation CMP pad with composite transparent window
WO2004073926A1 (en) * 2003-02-18 2004-09-02 Parker-Hannifin Corporation Polishing article for electro-chemical mechanical polishing
TW200530378A (en) 2003-03-11 2005-09-16 Toyo Tire & Rubber Co Polishing pad and semiconductor device manufacturing method
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
SG153668A1 (en) 2003-03-25 2009-07-29 Neopad Technologies Corp Customized polish pads for chemical mechanical planarization
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
KR100771738B1 (ko) * 2003-04-03 2007-10-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 연마패드, 그 제조방법 및 그것을 이용한 연마방법
US7238097B2 (en) * 2003-04-11 2007-07-03 Nihon Microcoating Co., Ltd. Polishing pad and method of producing same
JP2004319584A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
US20040209066A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-21 Swisher Robert G. Polishing pad with window for planarization
US6884156B2 (en) * 2003-06-17 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
US7435161B2 (en) * 2003-06-17 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
US6997777B2 (en) * 2003-06-17 2006-02-14 Cabot Microelectronics Corporation Ultrasonic welding method for the manufacture of a polishing pad comprising an optically transmissive region
US7086932B2 (en) * 2004-05-11 2006-08-08 Freudenberg Nonwovens Polishing pad
TWI290504B (en) 2003-07-17 2007-12-01 Jsr Corp Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
US7097537B1 (en) 2003-08-18 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Determination of position of sensor measurements during polishing
US7153185B1 (en) 2003-08-18 2006-12-26 Applied Materials, Inc. Substrate edge detection
US7195539B2 (en) * 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window
US7264536B2 (en) * 2003-09-23 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
US20050173259A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-11 Applied Materials, Inc. Endpoint system for electro-chemical mechanical polishing
US7186651B2 (en) * 2003-10-30 2007-03-06 Texas Instruments Incorporated Chemical mechanical polishing method and apparatus
US6984163B2 (en) * 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
US7132033B2 (en) * 2004-02-27 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a layered polishing pad
US7204742B2 (en) * 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
US7323415B2 (en) 2004-04-23 2008-01-29 Jsr Corporation Polishing pad for semiconductor wafer, polishing multilayered body for semiconductor wafer having same, and method for polishing semiconductor wafer
US7018581B2 (en) * 2004-06-10 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a polishing pad with reduced stress window
US7252871B2 (en) * 2004-06-16 2007-08-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a pressure relief channel
US7120553B2 (en) * 2004-07-22 2006-10-10 Applied Materials, Inc. Iso-reflectance wavelengths
US8075372B2 (en) * 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
US7871309B2 (en) 2004-12-10 2011-01-18 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
US7182677B2 (en) * 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
TWI385050B (zh) * 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US20070037487A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Kuo Charles C Polishing pad having a sealed pressure relief channel
US7210980B2 (en) 2005-08-26 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Sealed polishing pad, system and methods
JP5223336B2 (ja) * 2006-02-06 2013-06-26 東レ株式会社 研磨パッドおよび研磨装置
KR100882045B1 (ko) * 2006-02-15 2009-02-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 그루브형 서브패드를 구비한 폴리싱 장치
WO2007104063A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
CN101426618B (zh) 2006-04-19 2013-05-15 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫的制造方法
JP2007307639A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
JP5110677B2 (ja) * 2006-05-17 2012-12-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4931133B2 (ja) * 2007-03-15 2012-05-16 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4971028B2 (ja) * 2007-05-16 2012-07-11 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
JP4943233B2 (ja) * 2007-05-31 2012-05-30 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
DE102008045216A1 (de) 2007-08-23 2009-04-09 Technische Universität Dresden Verfahren und Anordnung zum Erkennen des Endpunktes beim Polieren von eingebetteten SiN-Strukturen auf Halbleiterwafern
US8337278B2 (en) * 2007-09-24 2012-12-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge characterization by successive radius measurements
WO2009070352A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Innopad, Inc. Chemical-mechanical planarization pad having end point detection window
US20090305610A1 (en) * 2008-06-06 2009-12-10 Applied Materials, Inc. Multiple window pad assembly
US7967661B2 (en) * 2008-06-19 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Systems and pads for planarizing microelectronic workpieces and associated methods of use and manufacture
JP5142866B2 (ja) * 2008-07-16 2013-02-13 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
US8118644B2 (en) * 2008-10-16 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having integral identification feature
US8118641B2 (en) * 2009-03-04 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature
US8257544B2 (en) 2009-06-10 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US8697217B2 (en) * 2010-01-15 2014-04-15 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Creep-resistant polishing pad window
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
US8758659B2 (en) 2010-09-29 2014-06-24 Fns Tech Co., Ltd. Method of grooving a chemical-mechanical planarization pad
US8257545B2 (en) 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
US8628384B2 (en) * 2010-09-30 2014-01-14 Nexplanar Corporation Polishing pad for eddy current end-point detection
US8657653B2 (en) 2010-09-30 2014-02-25 Nexplanar Corporation Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection
EP2641268A4 (en) * 2010-11-18 2017-01-25 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising transmissive region
US9133299B2 (en) 2011-07-15 2015-09-15 Lg Chem, Ltd. Poly-urethane resin and poly-urethane absorbing pad using the same
KR101277296B1 (ko) 2011-07-15 2013-06-20 주식회사 엘지화학 폴리우레탄 수지 조성물 및 이를 이용한 폴리우레탄 흡착 패드
CN102248462A (zh) * 2011-07-25 2011-11-23 成都光明光电股份有限公司 抛光磨具
US10722997B2 (en) 2012-04-02 2020-07-28 Thomas West, Inc. Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads
US10022842B2 (en) 2012-04-02 2018-07-17 Thomas West, Inc. Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material
KR102100654B1 (ko) 2012-04-02 2020-04-14 토마스 웨스트 인코포레이티드 폴리머 연마패드의 원심주조를 위한 방법 및 시스템 및 상기 방법으로 만들어진 연마패드
US9156125B2 (en) 2012-04-11 2015-10-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with light-stable light-transmitting region
US9186772B2 (en) 2013-03-07 2015-11-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with broad spectrum, endpoint detection window and method of polishing therewith
US20140256231A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Dow Global Technologies Llc Multilayer Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window
US9259820B2 (en) 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US9216489B2 (en) 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9064806B1 (en) 2014-03-28 2015-06-23 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window
US9314897B2 (en) * 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9333620B2 (en) 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
US9259821B2 (en) * 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US9452507B2 (en) * 2014-12-19 2016-09-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled-viscosity CMP casting method
US9446498B1 (en) 2015-03-13 2016-09-20 rohm and Hass Electronic Materials CMP Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with window
US9475168B2 (en) 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10596763B2 (en) 2017-04-21 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing with array of energy sources
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
US10898986B2 (en) 2017-09-15 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Chattering correction for accurate sensor position determination on wafer
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11638979B2 (en) 2020-06-09 2023-05-02 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing of polishing pads
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11633830B2 (en) 2020-06-24 2023-04-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad with uniform window
US20220203495A1 (en) 2020-12-29 2022-06-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp polishing pad with window having transparency at low wavelengths and material useful in such window
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
WO2022202059A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05309558A (ja) * 1992-05-08 1993-11-22 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 貼り合わせウェーハの研磨方法
JPH0752032A (ja) * 1993-08-10 1995-02-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウエハ研磨方法及びその装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4728552A (en) * 1984-07-06 1988-03-01 Rodel, Inc. Substrate containing fibers of predetermined orientation and process of making the same
US4927432A (en) * 1986-03-25 1990-05-22 Rodel, Inc. Pad material for grinding, lapping and polishing
JPH01193166A (ja) * 1988-01-28 1989-08-03 Showa Denko Kk 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド
JP2734007B2 (ja) * 1988-10-07 1998-03-30 ソニー株式会社 研磨装置および研磨方法
JPH02218561A (ja) * 1989-02-15 1990-08-31 Fujimi Kenmazai Kogyo Kk 研磨布の製造法
JPH03213265A (ja) * 1990-01-12 1991-09-18 Fujitsu Ltd ラップ盤の定盤
US5177908A (en) * 1990-01-22 1993-01-12 Micron Technology, Inc. Polishing pad
US5020283A (en) * 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5081796A (en) * 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US5036015A (en) * 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
US5240552A (en) * 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
AU3781293A (en) * 1992-04-13 1993-11-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
US5337015A (en) * 1993-06-14 1994-08-09 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection method and apparatus for chemical-mechanical polishing using low amplitude input voltage
US5413941A (en) * 1994-01-06 1995-05-09 Micron Technology, Inc. Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes
US5489233A (en) * 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
US5534106A (en) * 1994-07-26 1996-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for processing semiconductor wafers
DE69635816T2 (de) * 1995-03-28 2006-10-12 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen
JP2003145414A (ja) * 2001-11-13 2003-05-20 Toyobo Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
JP4420761B2 (ja) * 2004-07-27 2010-02-24 日華化学株式会社 研磨用シートの製造方法及び研磨用シート
JP2007063323A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Dainippon Ink & Chem Inc 研磨パッド用ポリウレタン組成物及びそれを用いた研磨パッド
JP4971028B2 (ja) * 2007-05-16 2012-07-11 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
JP4943233B2 (ja) * 2007-05-31 2012-05-30 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05309558A (ja) * 1992-05-08 1993-11-22 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 貼り合わせウェーハの研磨方法
JPH0752032A (ja) * 1993-08-10 1995-02-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウエハ研磨方法及びその装置

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Publication number Publication date
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