TWI586484B - 拋光基板及製造拋光墊之方法 - Google Patents

拋光基板及製造拋光墊之方法 Download PDF

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TWI586484B TW104129817A TW104129817A TWI586484B TW I586484 B TWI586484 B TW I586484B TW 104129817 A TW104129817 A TW 104129817A TW 104129817 A TW104129817 A TW 104129817A TW I586484 B TWI586484 B TW I586484B
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Description

拋光基板及製造拋光墊之方法
本發明之實施例係屬於化學機械拋光(CMP)之領域，且特定而言係具有孔洞之拋光墊。
化學-機械平坦化或化學-機械拋光(通常縮寫為CMP)係在半導體製造中用於平坦化半導體晶圓或另一基板之技術。
該製程使用研磨性及腐蝕性化學漿液(通常為膠體)以及通常具有比晶圓大之直徑的拋光墊及扣環。藉由動態拋光頭將拋光墊及晶圓壓在一起且藉由塑膠扣環將其固持在適當位置。使動態拋光頭在拋光期間旋轉。此方式有助於去除材料且往往易於使任何不規則形貌平整，從而使得晶圓平坦或為平面。為設定用於形成其他電路元件之晶圓，此可為必需的。舉例而言，為使整個表面在微影蝕刻系統之景深內或選擇性去除基於其位置之材料，此可為必需的。典型景深要求低至最近亞-50奈米技術節點之埃等級。
材料去除之製程並非僅為研磨性刮擦，例如木頭上之砂紙。漿液中之化學物質亦與欲去除材料反應及/或使其弱化。磨料會加速此弱化過程且拋光墊有助於自表面擦除反應材料。除漿液技術之進步外，拋光墊亦在日益複雜之CMP操作中起重要作用。
然而，CMP墊技術之發展中需要其他改良。
本發明之實施例包括具有孔洞之拋光墊。
在一實施例中，用於拋光基板之拋光裝置包括具有拋光表面及背表面之拋光墊。拋光表面包括溝槽圖案。孔洞佈置於拋光墊中且自背表面貫穿至拋光表面。黏著片佈置於拋光墊之背表面上但不佈置於孔洞中。黏著片在拋光墊之背表面處為孔洞提供不透性密封。
在另一實施例中，用於拋光基板之拋光墊包括具有拋光表面及背表面之拋光主體。拋光表面包括溝槽圖案。孔洞佈置於拋光主體中且自背表面貫穿至拋光表面。孔洞具有斜坡特徵之側壁，該斜坡特徵具有斜面，以在拋光主體之背表面處提供孔洞之最窄區域且在拋光主體之拋光表面處提供孔洞之最寬區域。
在另一實施例中，用於拋光基板之拋光墊包括具有拋光表面及背表面之拋光主體。拋光表面包括溝槽圖案。孔洞佈置於拋光主體中且自背表面貫穿至拋光表面。溝槽圖案之第一溝槽係在孔洞之第一側壁處與孔洞連續但與孔洞之第二側壁不連續的圓周溝槽。溝槽圖案之第二溝槽在第二側壁處與孔洞連續。
在另一實施例中，用於拋光基板之拋光墊包括具有拋光表面及背表面之拋光主體。拋光表面包括溝槽圖案。孔洞佈置於拋光主體中且自背表面貫穿至拋光表面。溝槽圖案之第一溝槽係在孔洞之第一側壁處與孔洞連續之第一徑向溝槽。複數個溝槽之第二溝槽係在孔洞之第二側壁處與孔洞連續之第二徑向溝槽。第一側壁與第二側壁相對。
在另一實施例中，拋光基板之方法包括在化學機械拋光裝置之平臺上沈積拋光墊。拋光墊具有拋光表面、背表面以及佈置於拋光墊中且自背表面貫穿至拋光表面的孔洞。拋光表面包括溝槽圖案。將化學機械拋光漿液分配於拋光墊之拋光表面上。在拋光墊之拋光表面處用化學機械拋光漿液對基板進行拋光。經由孔洞用與平臺耦聯之光學監測器件監測基板之拋光。
在另一實施例中，製造用於拋光基板之拋光墊的方法包括混合一組可聚合材料以在成型模具之基底中形成混合物。一起移動成型模具之蓋及混合物。蓋上佈置有突出圖案且具有高度大於突出圖案之孔洞突出。在蓋置於混合物中之情形下，使混合物至少部分地固化以形成具有背表面之模製均質拋光主體。模製均質拋光主體亦具有其中佈置有溝槽圖案及界定孔洞區域之開口的拋光表面。
100‧‧‧拋光墊
102‧‧‧拋光表面
104‧‧‧同心圓周溝槽
106‧‧‧徑向溝槽
108‧‧‧窗
200‧‧‧拋光裝置
201‧‧‧拋光墊
202‧‧‧拋光表面
203‧‧‧背表面
204‧‧‧圓周溝槽
206‧‧‧徑向溝槽
208‧‧‧孔洞
209‧‧‧丙烯酸膠層
210‧‧‧黏著片
211‧‧‧橡膠膠層
212‧‧‧可棄層
300‧‧‧拋光墊
302‧‧‧拋光表面
304‧‧‧溝槽
306‧‧‧孔洞
308‧‧‧斜坡特徵
310‧‧‧背表面
314‧‧‧溝槽
316‧‧‧溝槽
400‧‧‧拋光墊
402‧‧‧拋光表面
404‧‧‧溝槽
406‧‧‧孔洞
407‧‧‧側壁
408‧‧‧斜坡特徵
410‧‧‧背表面
414‧‧‧溝槽
500A‧‧‧拋光墊
500A'‧‧‧拋光墊
500B‧‧‧拋光墊
500C‧‧‧拋光墊
502A‧‧‧拋光表面
502B‧‧‧拋光表面
502C‧‧‧拋光表面
504A‧‧‧溝槽
504B‧‧‧溝槽
504C‧‧‧溝槽
506A‧‧‧孔洞
506B‧‧‧孔洞
506C‧‧‧孔洞
508‧‧‧第一溝槽
510‧‧‧第一側壁
512‧‧‧第二側壁
514‧‧‧第二溝槽
518‧‧‧第一側壁
520‧‧‧第二溝槽/第二徑向溝槽
522‧‧‧第二側壁
530‧‧‧斜坡特徵
532‧‧‧斜坡特徵
550‧‧‧溝槽
552‧‧‧溝槽
560‧‧‧圓周溝槽
580‧‧‧第一圓角
582‧‧‧第二圓角
584‧‧‧圓角
586‧‧‧圓角
600‧‧‧拋光墊
602‧‧‧拋光表面
604‧‧‧溝槽
606‧‧‧孔洞
614‧‧‧溝槽
670‧‧‧轉向溝槽
672‧‧‧第一側壁
674‧‧‧轉向溝槽
676‧‧‧第二側壁
700‧‧‧拋光墊
704‧‧‧溝槽
706‧‧‧孔洞
716‧‧‧第一溝槽/第一徑向溝槽
718‧‧‧第一側壁
720‧‧‧第二溝槽/第二徑向溝槽
722‧‧‧第二側壁
788‧‧‧圓角
800‧‧‧拋光墊
802‧‧‧拋光表面
803‧‧‧背表面
804‧‧‧拋光區域
806‧‧‧圓周溝槽
808‧‧‧徑向溝槽
810‧‧‧孔洞
812‧‧‧鈕狀物
814‧‧‧最外區域
820‧‧‧二級檢測區域
900‧‧‧成型模具
902‧‧‧預聚物
904‧‧‧固化劑
906‧‧‧混合物
908‧‧‧蓋
910‧‧‧突出
911‧‧‧孔洞形成特徵
912‧‧‧模製均質拋光主體
914‧‧‧拋光表面
916‧‧‧背表面
918‧‧‧孔洞區域
920‧‧‧溝槽
922‧‧‧成孔劑
924‧‧‧氣體
1000‧‧‧拋光裝置
1002‧‧‧頂表面
1004‧‧‧平臺
1006‧‧‧心軸旋轉
1008‧‧‧滑件振盪
1010‧‧‧試樣載體
1011‧‧‧半導體晶圓
1012‧‧‧懸掛機構
1014‧‧‧漿液進料
1090‧‧‧修整單元
1099‧‧‧光學檢測器件
圖1圖解說明拋光墊的俯視平面圖，該拋光墊中佈置有窗。
圖2A根據本發明之一實施例圖解說明包括拋光墊之拋光裝置的俯視平面圖，該拋光墊具有貫穿其之孔洞。
圖2B根據本發明之一實施例圖解說明圖2A之拋光裝置的剖視圖。
圖3根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的一部分之俯視平面圖及剖視圖，該拋光墊具有孔洞，該孔洞具有斜坡。
圖4圖解說明本發明之另一實施例之拋光墊之拋光表面的一部分之俯視平面圖及剖視圖，該拋光墊具有孔洞，該孔洞具有斜坡。
圖5根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的部分之俯視平面圖(A、B、C)及剖視圖(D)，該等拋光墊具有與拋光表面之一或多個溝槽連續的孔洞。
圖6根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的部分之俯視平面圖，該等拋光墊具有經阻斷與孔洞隔開或自孔洞轉向之溝槽。
圖7根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的部分之俯視平面圖，該拋光墊具有孔洞，該孔洞具有一或多個圓角。
圖8A根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的俯視平面圖，該拋光表面具有孔洞及背表面二級檢測區域。
圖8B根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊的剖視圖，該拋光墊之拋光表面具有孔洞及具有二級檢測區域之背表面。
圖9A-9F圖解說明用於製造本發明之一實施例之具有孔洞之拋光墊之操作的剖視圖。
圖10根據本發明之一實施例圖解說明拋光裝置之等角側視圖，該拋光裝置與具有孔洞之拋光墊相容。
本文闡述具有孔洞之拋光墊。在以下說明中，闡述多個具體細節(例如具體拋光墊組合物及設計)以達成對本發明之實施例之透徹理解。熟習此項技術者應瞭解，本發明之實施例可不借助該等具體細節來實踐。在其他情況下，眾所周知之處理技術(例如關於漿液至拋光墊之遞送以實施基板之CMP的細節)未加以詳細闡述，以避免不必要地淡化本發明之實施例。另外，應理解，圖中所展示之各種實施例係闡釋性表示且未必按比例繪製。
可需要將特徵引入拋光墊用於高級化學機械拋光處理。舉例而言，原本不透明之拋光墊其中可包括一或多個「窗」以允許可見光大量透射用於各種監測應用。一種該監測應用可涉及使用安裝於化學機械拋光裝置內或其上之光學器件。使用光學器件藉由(例如)經歷拋光之基板的反射率變化監測化學機械拋光製程。由於拋光發生在拋光墊之頂部拋光表面處，故經由拋光墊之窗監測該製程。該窗通常係藉由以下方式形成：在製造時將透明塞插入墊中或將透明區域(例如，局部區透明性區域或LAT)模製成原本不透明之墊。在任一情形下，窗係由包括於墊中之相異材料構成。
根據本發明之一實施例，提供「無窗」拋光墊，其適於穿過其進行光學監測。作為實例，在拋光墊中提供孔洞，以允許穿過拋光墊進行光學監測。在一個實施例中，孔洞係在墊中製得之延伸穿過整個墊 之開口或洞。因此，與包括由材料構成之窗的墊相反，無窗拋光墊之特徵在於不存在材料。
傳統上，拋光墊中形成之小洞可能已不適於監測化學機械製程。舉例而言，漿液會能夠經由墊逸出，此可能侵蝕下伏光學監測器件。在另一實例中，填充有不透明漿液之洞可能不適於為光學檢測提供足夠光透射。然而，現正測試或使用中之先進漿液相對(若不完全)透明。
因此，在本發明之一實施例中，用漿液填充孔洞不會有害地影響光學檢測。此外，在一實施例中，在具有貫穿孔洞之拋光墊與化學機械拋光裝置之間包括清潔片(例如，壓感黏著劑或PSA)。在一個該實施例中，清潔片在墊下提供密封以保護平臺及(例如)石英雷射位點。如下文更詳細闡述，提供各種孔洞設計。在一些實施例中，設計包括多個儲備以在拋光製程期間保持漿液經過開口或孔洞沖洗。在此一具體實施例中，針對漿液沖洗設計之孔洞用於防止拋光碎屑收集、聚集及潛在地減弱雷射或其他光學信號。
習用「窗」拋光墊通常具有適宜地透明包括於其中之材料的插入物或LAT區域。舉例而言，圖1圖解說明其中佈置有窗之拋光墊的俯視平面圖。
參照圖1，拋光墊100包括具有拋光表面102及背表面(未展示)之拋光主體。拋光表面102具有同心圓周溝槽104之圖案。溝槽圖案亦包括複數個自最內部圓周溝槽至最外部圓周溝槽連續之徑向溝槽106。窗108包括於拋光墊100中且自拋光表面102可見。窗係由如上述適宜透明材料(例如塞(或插入物)或LAT區域)構成。應注意，儘管不一定總是如此，但習用拋光墊通常具有如圖1中所繪示之同心圓形溝槽圖案。
在本發明之一態樣中，適於光學監測之無窗拋光墊包括貫穿其之 孔洞。舉例而言，圖2A及2B根據本發明之一實施例分別圖解說明拋光裝置之俯視平面圖及剖視圖，該拋光裝置包括具有貫穿其之孔洞之拋光墊。
參照圖2A及2B，用於拋光基板之拋光裝置200包括拋光墊201。拋光墊201具有拋光表面202及背表面203。拋光表面包括溝槽圖案，例如圓周溝槽204及徑向溝槽206。孔洞208佈置於拋光墊201中且自背表面203貫穿至拋光表面202。在一實施例中，孔洞208在背表面203與拋光表面202之間不包括材料，例如在孔洞208之位置中無塞、插入物或LAT區域，如圖2B中所繪示。
參照圖2B，拋光裝置200亦包括佈置於拋光墊201之背表面203上但不佈置於孔洞208中之黏著片210。在一實施例中，黏著片210在拋光墊201之背表面203處為孔洞208提供不透性密封。然而，在一實施例中，並不將黏著片210視為拋光墊201之一部分。舉例而言，黏著片210既非拋光表面202之一部分，亦不顯著有利於拋光表面202之拋光特性。黏著片210之性質或特性與拋光墊201之主體並不類似。在一個實施例中，由於黏著片210並不可量測地或顯著有利於拋光裝置200之拋光特性，故不可將黏著片210視為「子墊」、「基墊」、「第一墊層」或類似描述詞。
在一實施例中，黏著片210包括用以將片部分結合至拋光墊201之黏著層。舉例而言，在一個實施例中，丙烯酸膠層(示為界面209)佈置於拋光墊201之背表面203上且聚對苯二甲酸乙二酯(PET)層(在此實施例中示為210)佈置於丙烯酸膠層209上。在此一具體實施例中，黏著片210進一步包括橡膠膠層(示為界面211)，其佈置於PET層210上且與丙烯酸膠之第一層209相對。在一實施例中，可棄層212(例如，3密耳PET層)用於保護橡膠膠層211直至使用拋光裝置200為止，此時移除可棄層212。
在一實施例中，橡膠膠層211用於將拋光墊201黏著至化學機械拋光工具之平臺。在一實施例中，黏著片210對於穿過黏著片210(其可包括丙烯酸膠層209及橡膠膠層211)及孔洞208實施光學監測足夠透明。在一個該實施例中，黏著片210用於保護與化學機械拋光工具之平臺耦聯之光學監測器件的石英雷射位點。在一實施例中，可包括一或多個黏著層之黏著片210用於在拋光墊201與平臺之間、尤其在孔洞208之位置處或附近形成不透性密封(例如，對漿液不可滲透)。
應瞭解，具有拋光表面之拋光墊中可包括孔洞，該拋光表面具有任何適於化學機械拋光製程之溝槽圖案。舉例而言，參照圖2A，拋光表面202具有同心多邊形(與圖1中所示之同心圓相反)之溝槽圖案，該等同心多邊形具有徑向溝槽。亦即，圓周溝槽204與穿過其頂點之徑向溝槽206形成同心多邊形。舉例而言，在一具體實施例中，同心多邊形之溝槽圖案係如圖2A中所繪示之同心十二邊形之溝槽圖案。
作為圓周溝槽之具有同心多邊形之溝槽圖案涵蓋的可能實施例之基本實例包括基於形成類似多邊形之一系列溝槽的溝槽圖案，所有多邊形均具有同一中心點，且均以零之角θ對準以使其直線片段平行且其角度以徑向方式對準。嵌套式三角形、正方形、五邊形、六邊形等均視為在本發明之精神及範圍內。可存在最大數量之直線片段，高於該數量，多邊形將趨近為圓形。較佳實施例可包括將溝槽圖案限制為具有比直線片段之該數量小之數量的側之多邊形。用於此方法之一個原因可為改良拋光益處之平均化，其原本可隨著每一多邊形之側之數量增大且接近圓形形狀而減少。另一實施例包括具有同心多邊形之溝槽圖案，該等同心多邊形具有與拋光墊中心不在同一位置處之中心。當然，在其他實施例中，孔洞可在具有圓形圓周溝槽之墊中形成。
再次參照圖2A，根據本發明之一實施例，尤其如自拋光表面202觀看到之孔洞208之形狀適於在化學機械拋光操作期間自孔洞沖洗漿 液。下文結合圖3至7詳細闡述可適宜之孔洞設計之實例。
在第一該實例中，圖3及4二者根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的一部分之俯視平面圖及剖視圖，該拋光墊具有孔洞，該孔洞具有斜坡。開口之一或多個邊緣之楔形或斜坡形狀可有利於漿液流出孔洞之開口。可在開口之下游側處或在開口之向外端處包括斜坡。
參照圖3及4二者，拋光墊300或400之一部分包括分別具有拋光表面302或402及背表面(未展示)之拋光主體。拋光表面302或402分別包括溝槽304或404之圖案。孔洞306或406分別佈置於拋光主體中且自背表面貫穿至拋光表面302或402。孔洞306或406分別包括具有斜坡特徵308或408之側壁307或407。參照圖3，在一個實施例中，複數個溝槽304中之一或多個溝槽間雜有孔洞306且與斜坡特徵308之斜面平行。參照圖4，在另一實施例中，複數個溝槽404中之一或多個溝槽410間雜有孔洞406且與斜坡特徵408之斜面垂直。
分別參照圖3及4二者，且最佳沿a-a'及b-b'軸觀看，在一實施例中，斜坡特徵308或408之斜面在拋光主體之背表面310或410處提供孔洞306或406之最窄區域且在拋光主體之拋光表面302或402處提供孔洞306或406之最寬區域。在一實施例中，斜坡特徵308或408分別有利於漿液流出孔洞306或406。舉例而言，參照圖3，沿箭頭312之方向沿具有與孔洞306連續(例如，具有進入其中之開口)之末端的溝槽移除遷移至孔洞306中之漿液。一個該溝槽314之位置由沿a-a'軸截取之視圖中所示之虛線繪示。進入孔洞306之相應溝槽與該孔洞306可係不連續或連續(後者針對溝槽316由沿a-a'軸截取之視圖中所示之虛線繪示)。在另一實例中，參照圖4，沿箭頭412之方向沿具有與孔洞406連續(例如，具有進入其中之開口)之側壁的溝槽414移除遷移至孔洞406中之漿液。
在第二該實例中，圖5根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的部分之俯視平面圖(A、B、C)及剖視圖(D)，該等拋光墊具有與拋光表面之一或多個溝槽連續的孔洞。一或多個與孔洞之開口連接或連續之溝槽(例如徑向溝槽、圓周溝槽或其組合)可用於容納經過孔洞開口之漿液流。溝槽深度可約等於其連續之開口深度，溝槽地板斜升至正常溝槽深度。
參照圖5A、5B及5C，拋光墊500A、500B或500C之一部分包括分別具有拋光表面502A、502B或502C及背表面(未展示)之拋光主體。拋光表面502A、502B或502C分別包括溝槽504A、504B或504C之圖案。孔洞506A或506B或506C分別佈置於拋光主體中且自背表面貫穿至拋光表面502A、502B或502C。
參照圖5A及5C，溝槽504A或504C之圖案之第一溝槽508係在孔洞506A或506C之第一側壁510處與孔洞506A或506C連續但與孔洞506A或506C之第二側壁512不連續的圓周溝槽。溝槽504A或504C之圖案之第二溝槽514分別在第二側壁512處與孔洞506A或506C連續。參照圖5A，在一個實施例中，第二側壁512與第一側壁510相對，且第二溝槽514係在第一側壁510處與孔洞506A不連續的圓周溝槽。參照圖5C，在另一實施例中，第二側壁512與第一側壁510垂直，且第二溝槽514係徑向溝槽。
參照圖5B，溝槽504B之圖案之第一溝槽516係在孔洞506B之第一側壁518處與孔洞506B連續之第一徑向溝槽。複數個溝槽504B中之第二溝槽520係在孔洞506B之第二側壁522處與孔洞506B連續之第二徑向溝槽。第一側壁518與第二側壁522相對。在一個該實施例中，第一徑向溝槽516與第二徑向溝槽520交錯，如圖5B中所繪示。
參照圖5A、5B及5C，在一實施例中，溝槽之配置有利於漿液分別流出孔洞506A、506B或506C。舉例而言，漿液可分別在箭頭524、 526或528之方向上流動。可藉由向一或多個溝槽中引入引導漿液進入或離開孔洞506A、506B或506C之斜坡特徵來增強漿液流動。舉例而言，在一實施例中，參照圖5D，溝槽550或552中分別包括進入孔洞之斜坡特徵530或離開孔洞之斜坡特徵532或二者。溝槽550在孔洞之第一側壁處具有朝向孔洞506A、506B或506C傾斜之斜坡特徵530，而第二溝槽552在孔洞之第二側壁處具有朝向孔洞506A、506B或506C傾斜之斜坡特徵532。
在第三該實例中，圖6根據本發明之一實施例圖解說明拋光墊之拋光表面的部分之俯視平面圖，該等拋光墊具有經阻斷與孔洞隔開或自孔洞轉向之溝槽。可使用一或多個溝槽之經阻斷或轉向流動以使溝槽不排放至孔洞之開口中。
參照圖6A，再次圖解說明圖5A之拋光墊500A之部分以幫助說明經阻斷溝槽之概念。參照圖6A，溝槽504A之圖案之第一溝槽508係在孔洞506A之第一側壁510處與孔洞506A連續但與孔洞506A之第二側壁512不連續的圓周溝槽。溝槽504A之圖案之第二溝槽514在第二側壁512處與孔洞506A連續但與第二側壁510不連續。佈置在第一溝槽508與第二溝槽514之間之複數個圓周溝槽560與第一側壁510及第二側壁512二者不連續。在一個實施例中，圖6A之溝槽之配置用於控制漿液流動524，以使漿液可基本上僅經由第二溝槽514進入孔洞506A。
參照圖6B，拋光墊600之一部分包括具有拋光表面602及背表面(未展示)之拋光主體。拋光表面602包括溝槽604之圖案。孔洞606佈置於拋光主體中且自背表面貫穿至拋光表面602。溝槽604之圖案包括與孔洞606之第一側壁672平行的轉向溝槽670或與孔洞606之第二側壁676平行之轉向溝槽674中之至少一者。在此一具體實施例中，溝槽604之圖案包括與孔洞606之第一側壁672平行之轉向溝槽670及與孔洞606之第二側壁676平行之轉向溝槽674二者，如圖6B中所繪示。在一 個實施例中，圖6B之溝槽之配置用於控制漿液流動624，以使漿液可基本上僅經由溝槽614進入孔洞606。
在第四該實例中，圖7根據本發明之一實施例圖解說明具有孔洞之拋光墊之拋光表面的部分之俯視平面圖，該孔洞具有一或多個圓角。開口至孔洞之一些或所有角之圓形形狀可用於阻止滯留斑點或碎屑，其中碎屑原本可在拋光製程期間收集並聚集於孔洞中。
參照圖7B，再次圖解說明圖5B之拋光墊500B之部分以有利於說明拋光墊中之孔洞中的圓角之概念。孔洞506B包括第一圓角580、第二圓角582或二者，如圖7B中所繪示。在一個實施例中，圓角580及582結合漿液之流動圖案526定位，以阻礙流動圖案526中之可能滯留。參照圖7A，沿類似紋理，類似於圖5A及6A之拋光墊500A之部分，用圓角584及586繪示拋光墊500A'之一部分。在一個實施例中，圓角584及586結合漿液之流動圖案524'定位，以阻礙流動圖案524'中之可能滯留。
參照圖7C，拋光墊700之一部分之溝槽704之圖案之第一溝槽716係在孔洞706之第一側壁718處與孔洞706連續的第一徑向溝槽。複數個溝槽704之第二溝槽720係在孔洞706之第二側壁722處與孔洞706連續的第二徑向溝槽。第一側壁718與第二側壁722相對。在一個該實施例中，第一徑向溝槽716與第二徑向溝槽720對準，如圖7C中所繪示。孔洞706包括四個圓角788，例如，孔洞706之所有角均係圓角。在一個實施例中，圓角788結合漿液之流動圖案790定位，以阻礙流動圖案790中之可能滯留。
在一實施例中，本文所述之拋光墊(例如拋光裝置200之拋光墊201)適於拋光基板。基板可為用於半導體製造工業中者，例如上面佈置有器件或其他層之矽基板。然而，基板可為(例如但不限於)用於MEMS器件、光罩或太陽能模組之基板。因此，如本文所使用，在提 及「用於拋光基板之拋光墊」時意欲涵蓋該等及相關可能性。
同時，本文所述之拋光墊(例如拋光裝置200之拋光墊201)可由熱固性聚胺基甲酸酯材料之均質拋光主體構成。在一實施例中，均質拋光主體係由熱固性封閉室聚胺基甲酸酯材料構成。在一實施例中，術語「均質」用於指示熱固性封閉室聚胺基甲酸酯材料之組成貫穿拋光主體之整個組成一致。舉例而言，在一實施例中，術語「均質」排除由(例如)浸漬氈或不同材料之多層之組合物(複合物)構成的拋光墊。在一實施例中，術語「熱固性」用於指示不可逆地固化之聚合物材料，例如材料之前體藉由固化不可逆地變為不可熔化、不可溶解之聚合物網絡。舉例而言，在一實施例中，術語「熱固性」排除由(例如)「熱塑性」材料或「熱塑性體」構成之拋光墊-彼等由在加熱時變為液體且在充分冷卻時返回至極玻璃態之聚合物構成的材料。應注意，自熱固性材料製得之拋光墊通常係自在化學反應中反應形成聚合物之較低分子量前體製造，而自熱塑性材料製得之墊通常係藉由以下方式製造：加熱預先存在之聚合物以引起相變化，以便在物理製程中形成拋光墊。聚胺基甲酸酯熱固性聚合物可基於其穩定熱性質及機械性質、化學環境耐受性及耐磨性之趨勢經選擇用於製造本文所述之拋光墊。
在一實施例中，本文所述之拋光墊(例如拋光裝置200之拋光墊201)包括模製均質拋光主體。術語「模製」用於指示均質拋光主體係在成型模具中形成，如下文結合圖9A-9F更詳細闡述。在一實施例中，均質拋光主體在修整及/或拋光後具有約在1至5微米均方根範圍內之拋光表面粗糙度。在一實施例中，均質拋光主體在修整及/或拋光後具有約2.35均方根之拋光表面粗糙度。在一實施例中，均質拋光主體具有於25攝氏度下約在30至120兆帕(MPa)範圍內之儲存模數。在另一實施例中，均質拋光主體具有於25攝氏度下約小於30兆帕(MPa) 之儲存模數。在一實施例中，如結合圖9A-9F所述，拋光墊係由模製拋光主體構成，且在模製拋光主體形成期間形成包括於其中之孔洞。然而，在一替代實施例中，在形成拋光墊之主體後在拋光墊中形成孔洞。
在一實施例中，本文所述之拋光墊(例如拋光裝置200之拋光墊201)包括其中具有複數個封閉室孔(closed cell pore)之拋光主體。在一實施例中，複數個封閉室孔係複數個成孔劑(porogen)。舉例而言，術語「成孔劑」可用於指示具有「中空」中心之微米級或奈米級球形或近球形粒子。中空中心並未填充有固體材料，而是可包括氣體或液體核心。在一實施例中，複數個封閉室孔係由分佈遍及拋光墊之均質拋光主體(例如作為其中之其他組份)的預膨脹及氣體填充之EXPANCELTM構成。在一具體實施例中，EXPANCELTM填充有戊烷。在一實施例中，複數個封閉室孔中之每一者的直徑約在10微米至100微米範圍內。在一實施例中，複數個封閉室孔包括彼此離散之孔。此與可經由通道彼此連接之開放室孔相反，例如常見海綿中之孔之情形。在一實施例中，封閉室孔中之每一者包括實體殼，例如成孔劑之殼，如上所述。然而，在另一實施例中，封閉室孔中之每一者均不包括實體殼。在一實施例中，複數個封閉室孔基本上均勻地分佈遍及均質拋光主體之熱固性聚胺基甲酸酯材料。
在一實施例中，均質拋光主體係不透明的。在一實施例中，術語「不透明」用於指示容許約10%或更少可見光通過之材料。在一個實施例中，均質拋光主體絕大部分或完全由於貫穿均質拋光主體之均質熱固性封閉室聚胺基甲酸酯材料納入粒子填充劑(例如失透潤滑劑)(例如，作為其中之其他組份)而不透明。在一具體實施例中，粒子填充劑係以下材料，例如但不限於：氮化硼、氟化鈰、石墨、氟化石墨、硫化鉬、硫化鈮、滑石粉、硫化鉭、二硫化鎢或鐵氟龍。
均質拋光主體之大小可根據應用有所變化。然而，可使用某些參數來使得包括此一均質拋光主體之拋光墊與習用處理設備或甚至習用化學機械處理操作相容。舉例而言，根據本發明之一實施例，均質拋光主體之厚度約在0.075英吋至0.130英吋範圍內，例如約在1.9毫米至3.3毫米範圍內。在一個實施例中，均質拋光主體之直徑約在20英吋至30.3英吋範圍內，例如約50公分至77公分範圍內，且可能約在10英吋至42英吋範圍內，例如約在25公分至107公分範圍內。在一實施例中，均質拋光主體之孔密度約在6%至36%總孔隙體積範圍內，且可能約在15%至35%總孔隙體積範圍內。如上所述，在一個實施例中，均質拋光主體由於納入複數個孔而具有封閉室型之孔隙率。在一個實施例中，均質拋光主體之壓縮率為約2.5%。在一個實施例中，均質拋光主體之密度約在0.70至1.05克/立方公分範圍內。
在另一實施例中，拋光表面具有孔洞之拋光墊進一步包括與(例如)渦流電流檢測系統一起使用之二級檢測區域。舉例而言，圖8A及8B根據本發明之一實施例分別圖解說明拋光墊之俯視平面圖及剖視圖，該拋光墊之拋光表面具有孔洞及具有二級檢測區域之背表面。
參照圖8A，提供用於拋光基板之拋光墊800。拋光墊800包括具有拋光表面802之拋光主體。拋光表面802具有溝槽圖案，該溝槽圖案具有拋光區域804。溝槽圖案包括複數個與複數個徑向溝槽808交叉之圓周溝槽806。溝槽圖案之拋光區域804包括延伸穿過整個拋光墊800之孔洞810。亦即，拋光表面802包括含於除非拋光區域外(例如，除鈕狀物812或最外區域814外)之區域中之孔洞810。儘管並未繪示於圖8A中，但拋光墊800亦具有背表面。背表面中可佈置有藉由圖8A中之虛線所繪示之二級檢測區域820，此乃因二級檢測區域820原本自圖8A中所呈現之視圖不能看見。
參照圖8B，展示沿圖8A之a-a'軸截取之拋光墊800之橫截面。自 圖8B之角度，可看到拋光表面802、背表面803、拋光區域804、鈕狀物812、最外區域814、二級檢測區域820及孔洞810。在一實施例中，孔洞810提供關於不能自圖8A中所呈現之視圖看到之二級檢測區域820之位置的資訊。適宜二級檢測區域(例如渦流電流檢測區域)之實例闡述於2010年9月30日提出申請且受讓於NexPlanar公司之美國專利申請案12/895,465中。
在本發明之一態樣中，可在模製製程中製造其中具有孔洞之拋光墊。圖9A-9F根據本發明之一實施例圖解說明用於製造拋光墊之操作的剖視圖。
參照圖9A，提供成型模具900。參照圖9B，混合諸如預聚物902等一組可聚合材料及固化劑904以在成型模具900中形成混合物906，如圖9C中所繪示。在一實施例中，混合預聚物902與固化劑904包括分別混合異氰酸酯與芳族二胺化合物。在一個實施例中，混合進一步包括向預聚物902及固化劑904中添加粒子填充劑(例如失透潤滑劑)以最終提供不透明之模製均質拋光主體。在一具體實施例中，失透潤滑劑係以下材料，例如但不限於：氮化硼、氟化鈰、石墨、氟化石墨、硫化鉬、硫化鈮、滑石粉、硫化鉭、二硫化鎢或鐵氟龍。
在一實施例中，使用拋光墊前體混合物906以最終形成由熱固性封閉室聚胺基甲酸酯材料構成之模製均質拋光主體。在一個實施例中，使用拋光墊前體混合物906以最終形成硬墊且僅使用單一類型之固化劑。在另一實施例中，使用拋光墊前體混合物906以最終形成軟墊且使用主要及次要固化劑之組合。舉例而言，在一具體實施例中，預聚物包括聚胺基甲酸酯前體，主要固化劑包括芳族二胺化合物，且次要固化劑包括具有醚鍵結之化合物。在一特定實施例中，聚胺基甲酸酯前體係異氰酸酯，主要固化劑係芳族二胺，且次要固化劑係以下固化劑，例如但不限於：聚四亞甲基二醇、胺基官能化二醇或胺基官 能化聚氧丙烯。在一實施例中，預聚物、主要固化劑及次要固化劑具有100份預聚物、85份主要固化劑及15份次要固化劑之近似莫耳比率。應瞭解，可使用比率之變化形式或基於預聚物及第一及第二固化劑之具體性質提供具有變化硬度值之拋光墊。
參照圖9D，將成型模具900之蓋908及混合物906一起移動，例如將蓋908移動至混合物906中。在圖9D頂部展示蓋908之俯視平面圖，同時在圖9D下方展示沿a-a'軸之橫截面。在一實施例中，在蓋908上佈置有突出910之圖案及孔洞形成特徵911。使用突出910之圖案將溝槽圖案壓印至成型模具900中所形成之拋光墊之拋光表面中。
在一實施例中，孔洞形成特徵911亦係突出。舉例而言，在一個實施例中，孔洞形成特徵911係高度大於突出910之圖案中突出高度之孔洞突出。在一具體實施例中，孔洞突出911之高度至少為突出910之圖案中之突出高度的三倍。
應瞭解，闡述降低成型模具900之蓋908的本文所述實施例僅需將蓋908及成型模具900之基底放在一起。亦即，在一些實施例中，使成型模具900之基底朝向成型模具之蓋908升高，而在其他實施例中，在使基底朝向蓋908升高的同時，使成型模具900之蓋908朝向成型模具900之基底降低。
參照圖9E，固化混合物906以在成型模具900中提供模製均質拋光主體912。在壓力下(例如利用適當位置處之蓋908)加熱混合物906以提供模製均質拋光主體912。在一實施例中，在成型模具900中加熱包括在蓋908存在下、在約200至260華氏度(degrees Fahrenheit)範圍內之溫度及約2至12磅/平方英吋範圍內之壓力下至少部分固化，該蓋將混合物906封閉於成型模具900中。
參照圖9F，分離拋光墊(或拋光墊前體，條件係需要進一步固化)與蓋908並將其自成型模具900移出以提供離散之模製均質拋光主體 912。圖9F下方展示模製均質拋光主體912之俯視平面圖，而圖9F上方展示沿b-b'軸之橫截面。應注意，可期望經由加熱進一步固化且可藉由將拋光墊放置於爐中並加熱來實施。因此，在一個實施例中，固化混合物906包括首先在成型模具900中部分固化且然後在爐中進一步固化。不管怎樣，最終提供拋光墊，其中拋光墊之模製均質拋光主體912具有拋光表面914及背表面916。在一實施例中，模製均質拋光主體912係由熱固性聚胺基甲酸酯材料及複數個佈置於熱固性聚胺基甲酸酯材料中之封閉室孔構成。
模製均質拋光主體912包括其中佈置有對應於蓋908之突出910圖案之溝槽920圖案之拋光表面914。溝槽920之圖案可為上文(例如)針對圖1-8所述之溝槽圖案。另外，模製均質拋光主體912在其拋光表面914中包括界定對應於蓋908之孔洞形成特徵911之孔洞區域918的開口。
在一實施例中，使得界定孔洞區域918之開口最終延伸穿過整個拋光主體912。可在模製期間或在拋光主體912之材料之一部分的隨後移除期間形成界定孔洞區域918之開口以延伸穿過拋光主體912。舉例而言，在一個實施例中，形成模製均質拋光主體912包括在模製時在孔洞區域918處形成佈置於模製均質拋光主體912中且自背表面916貫穿至拋光表面914之孔洞。然而，在另一實施例中，自背表面916移除均質拋光主體912之一部分，以形成具有第二背表面之拋光墊並在孔洞區域918處形成佈置於模製均質拋光主體912中且自第二背表面貫穿至拋光表面914之孔洞。亦即，孔洞係藉由自背側移除一部分模製材料形成。在此一具體實施例中，藉由切割或研磨自背側移除模製材料之部分。
在一實施例中，形成模製均質拋光主體912包括形成孔洞區域918以包括斜坡特徵具有斜面的側壁，以在靠近模製均質拋光主體912之 背表面916處提供孔洞區域918的最窄區域且在模製均質拋光主體912之拋光表面914處提供孔洞區域918之最寬區域，如上文至少結合圖3及4所述。在另一實施例中，形成模製均質拋光主體912包括形成拋光表面914，以包括溝槽圖案的第一溝槽，其係在孔洞區域918之第一側壁處與孔洞區域918連續但與孔洞區域918之第二側壁不連續之圓周溝槽；及溝槽圖案的第二溝槽，其在第二側壁處與孔洞區域918連續，如上文至少結合圖5A所述。在另一實施例中，形成模製均質拋光主體912包括形成拋光表面914，以包括溝槽圖案之第一溝槽，其係在孔洞區域918之第一側壁處與孔洞區域918連續之第一徑向溝槽；及複數個溝槽中之第二溝槽，其係在孔洞區域918之第二側壁處與孔洞區域918連續之第二徑向溝槽，其中第一側壁與第二側壁相對，如上文至少結合圖5B所述。
在一實施例中，再次參照圖9B，混合進一步包括向預聚物902及固化劑904中添加複數個成孔劑922以在最終形成之拋光墊中提供封閉室孔。因此，在一個實施例中，每一封閉室孔具有實體殼。在另一實施例中，再次參照圖9B，混合進一步包括將氣體924注射至預聚物902及固化劑904中或注射至自其形成之產物中，從而在最終形成之拋光墊中提供封閉室孔。因此，在一個實施例中，每一封閉室孔皆沒有實體殼。在一組合實施例中，混合進一步包括向預聚物902及固化劑904中添加複數個成孔劑922以提供各自具有實體殼之封閉室孔的第一部分，及進一步將氣體924注射至預聚物902及固化劑904中或注射至自其形成之產物中以提供各自無實體殼之封閉室孔的第二部分。在又一實施例中，預聚物902係異氰酸酯且混合進一步包括向預聚物902及固化劑904中添加水(H2O)以提供各自無實體殼之封閉室孔。
因此，本發明實施例中涵蓋之溝槽圖案可原位形成。另外，孔洞亦可在模製製造過程中同時形成。舉例而言，如上所述，可使用壓縮 模製製程形成具有溝槽化拋光表面的拋光墊，該拋光表面具有孔洞。藉由使用模製製程，可在墊內獲得高度均勻溝槽尺寸。另外，可產生再現性極高之溝槽尺寸以及極平滑之潔淨溝槽表面。其他優點可包括減少缺陷及微劃痕及較大可用溝槽深度。
同時，由於所製得之孔洞係在模製期間形成，故所得墊在形成墊期間在模具中之定位可在自模具中移出墊之後確定。亦即，此一孔洞可提供對模製製程之向後追溯性。因此，在一個實施例中，拋光墊之拋光主體係模製拋光主體，且其中包括之孔洞指示在所用模具中用於形成模製拋光主體之區域的位置。
本文所述溝槽圖案之個別溝槽(包括在拋光墊中之孔洞位置處或附近)在每一溝槽之任一給定點處可為約4密耳至約100密耳深。在一些實施例中，在每一溝槽上之任一給定點處，溝槽之深度係約10密耳至約50密耳。溝槽可具有均勻深度、可變深度或其任何組合。在一些實施例中，溝槽均具有均勻深度。舉例而言，溝槽圖案之溝槽可均具有相同深度。在一些實施例中，溝槽圖案之溝槽中的一些可具有特定均勻深度，而同一圖案之其他溝槽可具有不同均勻深度。舉例而言，溝槽深度可隨著距拋光墊之中心之距離增加而增加。然而，在一些實施例中，溝槽深度隨著距拋光墊之中心之距離增加而減小。在一些實施例中，均勻深度之溝槽與可變深度之溝槽交替。
本文所述溝槽圖案之個別溝槽(包括在拋光墊中之孔洞位置處或附近)在每一溝槽之任一給定點處可為約2密耳至約100密耳寬。在一些實施例中，在每一溝槽上之任一給定點處，溝槽之寬度係約15密耳至約50密耳。溝槽可具有均勻寬度、可變寬度或其任何組合。在一些實施例中，同心多邊形圖案之溝槽均具有均勻寬度。然而，在一些實施例中，同心多邊形圖案之溝槽中的一些具有特定均勻寬度，而同一圖案之其他溝槽具有不同均勻寬度。在一些實施例中，溝槽寬度隨著 距拋光墊之中心之距離增加而增加。在一些實施例中，溝槽寬度隨著距拋光墊之中心之距離增加而減小。在一些實施例中，均勻寬度之溝槽與可變寬度之溝槽交替。
根據前述深度及寬度尺寸，本文所述溝槽圖案之個別溝槽(包括在拋光墊中之孔洞位置處或附近)可具有均勻體積、可變體積或其任何組合。在一些實施例中，溝槽均具有均勻體積。然而，在一些實施例中，溝槽體積隨著距拋光墊之中心之距離增加而增加。在一些其他實施例中，溝槽體積隨著距拋光墊之中心之距離增加而減小。在一些實施例中，均勻體積之溝槽與可變體積之溝槽交替。
本文所述溝槽圖案之溝槽可具有約30密耳至約1000密耳之間距。在一些實施例中，溝槽具有約125密耳之間距。對於圓形拋光墊而言，沿圓形拋光墊之半徑量測溝槽間距。在CMP帶中，自CMP帶之中心至CMP帶之邊緣量測溝槽間距。溝槽可具有均勻間距、可變間距或其任何組合。在一些實施例中，溝槽均具有均勻間距。然而，在一些實施例中，溝槽間距隨著距拋光墊之中心之距離增加而增加。在一些其他實施例中，溝槽間距隨著距拋光墊之中心之距離增加而減小。在一些實施例中，一個扇區中之溝槽的間距隨著距拋光墊之中心之距離增加而有所變化，而毗鄰扇區中之溝槽的間距保持均勻。在一些實施例中，一個扇區中之溝槽的間距隨著距拋光墊之中心之距離增加而增加，而毗鄰扇區中之溝槽的間距以不同速率增加。在一些實施例中，一個扇區中之溝槽的間距隨著距拋光墊之中心之距離增加而增加，而毗鄰扇區中之溝槽的間距隨著距拋光墊之中心之距離增加而減小。在一些實施例中，均勻間距之溝槽與可變間距之溝槽交替。在一些實施例中，均勻間距之溝槽的扇區與可變間距之溝槽的扇區交替。
本文所述之拋光墊可適於與多種化學機械拋光裝置一起使用。作為一實例，圖10根據本發明之一實施例圖解說明拋光裝置之等角側視 圖，該拋光裝置與具有孔洞之拋光墊相容。
參照圖10，拋光裝置1000包括平臺1004。平臺1004之頂表面1002可用於支撐具有貫穿其佈置之孔洞的拋光墊。平臺1004可經組態以提供心軸旋轉1006及滑件振盪1008。在使用拋光墊拋光半導體晶圓期間，試樣載體1010用於固持(例如)半導體晶圓1011在適當位置。試樣載體1010進一步由懸掛機構1012支撐。在拋光半導體晶圓之前及期間，包括漿液進料1014以為拋光墊表面提供漿液。亦可包括修整單元1090，且在一實施例中，修整單元1090包括用於修整拋光墊之金剛石尖。根據本發明之一實施例，拋光墊之孔洞(例如結合圖2-8闡述之孔洞)經定位以用於與佈置於拋光裝置1000之平臺1004上或其中之特徵光學檢測器件1099進行對準，如圖10中所繪示。在一實施例中，拋光墊之孔洞經定大小以容納光學檢測器件1099，而不大至顯著影響拋光墊之拋光性能。在一實施例中，黏著片用於使具有孔洞之拋光墊在平臺1004上耦聯。
如上文所述，在一實施例中，現代漿液基本上透明且不會減弱或散射檢測束，而前幾代漿液原本可能會減弱或散射檢測束。始終流動經過孔洞開口之漿液可保持開口不含碎屑。在一個實施例中，模製製程適於在模製期間產生開口，因此不需額外製造操作。對於無窗設計特徵而言，在一實施例中，每一特徵之目的係使得在使用期間漿液始終沖洗開口。特徵可單獨或組合使用。如上文所述，且根據本發明之一或多個實施例，一個該特徵可為開口之一或多個邊緣之楔形或斜坡形狀。另一該特徵可包括一或多個與開口連接之溝槽。徑向溝槽、圓周溝槽或其組合可與開口連接或連續。溝槽深度可等於其連接之開口深度，溝槽地板斜升至正常溝槽深度。可使用一些溝槽之經阻斷或轉向流動以使其不排放至開口中。亦可使用開口之一些或所有角之圓形形狀。
參照拋光裝置1000及結合圖2-8闡述之一或多個拋光墊，拋光基板之方法包括在化學機械拋光裝置之平臺佈置拋光墊。拋光墊具有拋光表面、背表面以及佈置於拋光墊中且自背表面貫穿至拋光表面的孔洞。拋光表面包括溝槽圖案。將化學機械拋光漿液分配於拋光墊之拋光表面上。在拋光墊之拋光表面處用化學機械拋光漿液對基板進行拋光。用與平臺耦聯之光學監測器件經由孔洞監測基板之拋光。
在一個實施例中，在平臺上佈置拋光墊包括用黏著片將拋光墊黏著至平臺。在此一具體實施例中，用黏著片將拋光墊黏著至平臺用於保護光學監測器件之石英雷射位點。在另一實施例中，用化學機械拋光漿液拋光基板包括自孔洞沖洗化學機械拋光漿液。在另一實施例中，用化學機械拋光漿液拋光基板包括分配足夠透明之漿液以供用光學監測器件監測基板之拋光。在此一具體實施例中，分配足夠透明之漿液包括分配對自光學監測器件發射之光之波長之透射率大於約80%之漿液。在另一具體該實施例中，分配足夠透明之漿液包括分配具有小於約1%不透明組份之漿液。
因此，已揭示具有孔洞之拋光墊。根據本發明之一實施例，用於拋光基板之拋光裝置包括具有拋光表面及背表面之拋光墊。拋光表面包括溝槽圖案。孔洞佈置於拋光墊中且自背表面貫穿至拋光表面。黏著片佈置於拋光墊之背表面上但不佈置於孔洞中。黏著片在拋光墊之背表面處為孔洞提供不透性密封。在一個實施例中，孔洞具有斜坡特徵之側壁，該斜坡特徵具有斜面，以在拋光墊之背表面處提供孔洞之最窄區域且在拋光墊之拋光表面處提供孔洞之最寬區域。在一個實施例中，溝槽圖案之第一溝槽係在孔洞之第一側壁處與孔洞連續但與孔洞之第二側壁不連續的圓周溝槽，且溝槽圖案之第二溝槽在第二側壁處與孔洞連續。在一個實施例中，溝槽圖案之第一溝槽係在孔洞之第一側壁處與孔洞連續之第一徑向溝槽，複數個溝槽中之第二溝槽係在 孔洞之第二側壁處與孔洞連續之第二徑向溝槽，且第一側壁與第二側壁相對。
200‧‧‧拋光裝置
201‧‧‧拋光墊
202‧‧‧拋光表面
204‧‧‧圓周溝槽
206‧‧‧徑向溝槽
208‧‧‧孔洞

Claims (19)

  1. 一種拋光基板之方法，其包含：在化學機械拋光裝置之平臺上佈置拋光墊，該拋光墊具有拋光表面、背表面及佈置於該拋光墊中且自該背表面貫穿至該拋光表面之孔洞，其中該拋光表面包含溝槽圖案；將化學機械拋光漿液分配在該拋光墊之該拋光表面上；在該拋光墊之該拋光表面處用該化學機械拋光漿液拋光基板；及用與該平臺耦合之光學監測器件經由該孔洞監測該基板之該拋光。
  2. 如請求項1之方法，其中在該平臺上佈置該拋光墊包含用黏著片將該拋光墊黏著至該平臺。
  3. 如請求項2之方法，其中用該黏著片將該拋光墊黏著至該平臺係用於保護該光學監測器件之石英雷射位點。
  4. 如請求項1之方法，其中用該化學機械拋光漿液拋光該基板包含自該孔洞沖洗該化學機械拋光漿液。
  5. 如請求項1之方法，其中用該化學機械拋光漿液拋光該基板包含分配足夠透明之漿液以供用該光學監測器件監測該基板之該拋光。
  6. 如請求項5之方法，其中分配該足夠透明之漿液包含分配對自該光學監測器件發射之光之波長之透射率大於約80%之漿液。
  7. 如請求項5之方法，其中分配該足夠透明之漿液包含分配具有小於約1%不透明組份之漿液。
  8. 一種製造用於拋光基板之拋光墊的方法，該方法包含：混合一組可聚合材料以在成型模具之基底中形成混合物； 一起移動該成型模具之蓋及該混合物，該蓋上佈置有突出圖案且具有高度大於該突出圖案之孔洞突出；且該蓋置於該混合物中，至少部分固化該混合物以形成包含背表面及拋光表面之模製均質拋光主體，該拋光表面中佈置有溝槽圖案及界定孔洞區域之開口。
  9. 如請求項8之方法，其中形成該模製均質拋光主體包含在該孔洞區域處形成佈置於模製均質拋光主體中且自該背表面貫穿至該拋光表面的孔洞。
  10. 如請求項8之方法，其進一步包含：自該背表面移除該均質拋光主體之一部分，以形成具有第二背表面之拋光墊並在該孔洞區域處形成佈置於模製均質拋光主體中且自該第二背表面貫穿至該拋光表面之孔洞。
  11. 如請求項8之方法，其中形成該模製均質拋光主體包含形成該孔洞區域以包含具有斜坡特徵之側壁，該斜坡特徵具有斜面，以在靠近該模製均質拋光主體之該背表面處提供該孔洞區域的最窄區域且在該模製均質拋光主體之該拋光表面處提供該孔洞區域的最寬區域。
  12. 如請求項8之方法，其中形成該模製均質拋光主體包含形成該拋光表面，以包含該溝槽圖案的第一溝槽，其係在該孔洞區域之第一側壁處與該孔洞區域連續但與該孔洞區域之第二側壁不連續之圓周溝槽；及該溝槽圖案的第二溝槽，其在該第二側壁處與該孔洞區域連續。
  13. 如請求項8之方法，其中形成該模製均質拋光主體包含形成該拋光表面，以包含該溝槽圖案的第一溝槽，其係在該孔洞區域之第一側壁處與該孔洞區域連續之第一徑向溝槽；及該複數個溝槽中 之第二溝槽，其係在該孔洞區域之第二側壁處與該孔洞區域連續之第二徑向溝槽，其中該第一側壁與該第二側壁相對。
  14. 如請求項8之方法，其中形成該模製均質拋光主體包含形成熱固性聚胺基甲酸酯材料。
  15. 如請求項8之方法，其中該混合進一步包含向該組可聚合材料中添加成孔劑(porogen)材料以在該模製均質拋光主體中形成複數個封閉室孔(closed cell pore)，每一封閉室孔具有實體殼。
  16. 如請求項8之方法，其中該混合進一步包含將氣體注射至該組可聚合材料中或注射至自其形成之產物中，從而在該模製均質拋光主體中形成複數個封閉室孔，每一封閉室孔沒有實體殼。
  17. 如請求項8之方法，其中混合該組可聚合材料包含混合異氰酸酯與芳族二胺化合物。
  18. 如請求項8之方法，其中該混合進一步包含向該組可聚合材料中添加失透粒子填充劑以形成不透明模製均質拋光主體。
  19. 如請求項8之方法，其中固化該混合物包含首先在該成型模具中部分固化及然後在爐中進一步固化。
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