KR100377705B1 - 처리 가스 공급 장치 및 그의 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 처리 가스 공급 장치는 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물이 수용된 공급원과 처리 대상물에 유기 알루미늄 금속 화합물에 의한 성막 처리를 수행하는 처리 장치를 접속하는 공급 관로와, 공급원의 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로를 통해 압송하는 압송 장치와, 공급 관로에 제공되어, 압송되는 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물을 기화하는 기화 장치와, 공급 관로에 접속되어 공급 관로에 가압된 퍼지 가스를 도입하는 퍼지 가스 도입 장치와, 공급 관로에 접속되어, 공급 관로에 유기 알루미늄 금속 화합물을 용해하는 용매를 도입하는 용매 도입 장치와, 공급 관로에 접속되고 공급 관로 내의 유체를 흡인 배출하는 배출 장치와, 공급 관로에 제공된 다수의 밸브를 갖고 밸브를 전환하여 동작함으로써 공급관로를 통한 유체의 흐름을 제어하는 제어 장치를 포함한다.

Description

처리 가스 공급 장치 및 그의 세정 방법{PROCESS GAS SUPPLY APPARATUS}
본 발명은, 예를 들면, 반도체 제조 장치 등에 고점도의 액체를 가스화시켜 공급하는 처리 가스 공급 장치에 관한 것으로, 특히 상기 액체를 세정 배제할 수 있는 처리 가스 공급 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스는 최근의 고밀도화·고집적화의 요청에 따라서, 그 회로 구성이 다층 배선 구조로 되는 경향이 있다. 이 다층 배선 구조에서는, 하층 디바이스와 상층 알루미늄 배선의 접속부인 콘택트 홀(contact hole) 또는 하층 알루미늄 배선과 상층 알루미늄 배선의 접속부인 비아 홀(via hole) 등의 매립 기술이 배선과 디바이스 사이 혹은 배선간의 전기적인 접속을 도모하기 위해 중요하게 된다.
콘택트 홀 또는 비아 홀의 매립에는 싼값으로 도전성이 양호한 재료, 예를 들면 알루미늄을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우, 홀의 매립이라고 하는 기술적인 제약으로부터 공극(void)의 발생을 없애기 위해서는, 방향성이 높은 스퍼터링(sputtering)에 의한 성막(成膜)이 아니라, 스텝 커버리지(step coverage)가 양호한 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의한 성막이 요구되고 있다.
반도체 웨이퍼에 CVD에 의해 알루미늄 막을 형성하는 경우, 일반적으로는 처리 가스로서 유기 금속 가스인 DMAH(디메틸알루미늄하이드라이드)가 이용되고 있다. 이 DMAH는 상온에서 8000∼10000cp(센티푸아즈) 정도의 매우 높은 점도를 갖고 공기중의 수분 또는 산소와 급격히 반응하여 발화하므로, 취급이 매우 곤란한 물질이다.
액체 상태의 재료를 가스화하여 이것을 처리 가스로서 공급하는 방법으로는 일반적으로, 버블링법, 베이킹법, 직접 기화법이 있다. 도 5A에 도시된 버블링법에서는 액체 수용 용기(4)내에 저류(貯留)된 액체 상태의 재료(2)중에 매스 플로우 콘트롤러(mass flow controller)에 의해 유량 제어된 N2가스 등의 캐리어 가스가 공급되고, 버블링에 의해 발생하는 처리 가스가 캐리어 가스에 의해 반송되어 처리 장치로 공급된다. 도 5B에 도시된 베이킹법에서는 액체 재료(2)가 저류된 액체 수용 용기(4)와 처리 가스의 유량 제어를 수행하는 매스 플로우 콘트롤러(6)가 동일한 오븐(8)내에 수용되어 가열됨으로써, 액체 재료(2)가 열에 의해 직접 증기화되고 이 때의 증기압에 의해 처리 가스가 압송되어 처리 장치로 공급된다. 도 5C에 도시된 직접 기화법에서는, 액체 재료(2)가 저류된 액체 수용 용기(4)내에 가압 기체가 공급되고, 이 압력에 의해 용기(4)내의 액체 재료가 액체 상태 그대로 압송된다. 압송되는 액체 재료는 액체 유량 콘트롤러(10)로 유량 제어되면서 기화기(12)에 유입되고, 이 기화기(12)에서 매스 플로우 콘트롤러(6)에 의해 유량 제어된 캐리어 가스에 의해 증기화되어 처리 가스로 되며 처리 장치로 공급된다.
성막의 반복에 의해, 처리 가스의 공급계에서는 각종 트러블이 발생한다. 이 때문에, 공급계에 제공된 기화기 또는 유량 제어 기구 혹은 배관류를 정기적으로 혹은 부정기적으로 점검(maintenance)할 필요가 있다. 그러나, 이 점검은 기화기 또는 유량 제어 기구를 배관류로부터 쉽게 빼낼 수 없다. 이것은 공급계내에 DMAH가 잔류하고 있으면, 이 DMAH가 공기중에서 노출되어 공기중의 수분과 급격히 반응하기 때문이다. 이러한 문제는 수용 용기내의 DMAH가 적게 되어 수용 용기를 교환하는 경우에도 생긴다.
이러한 문제의 해결책으로는, 가압 가스를 공급계 내로 보내고, 그 압력에 의해 공급계 내부에 머물러 있는 액체 상태의 DMAH를 계의 외부로 배제하는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상온에서 DMAH의 점도는 매우 높으므로, 가압 가스에 의해 배제할 수 있는 DMAH의 양에는 한계가 있다. 따라서, 가압 가스를 공급계 내에 보내도, DMAH를 계의 외부로 완전하게 배제할 수 없어, 공급계의 관의 내벽에 상당한 양의 DMAH가 부착한 채로 남아 있게 된다.
본 발명의 목적은 처리 가스 공급계내의 유기 알루미늄 금속 화합물을 효율적으로 그리고 완전하게 제거할 수 있는 처리 가스 공급 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 이하의 처리 가스 공급 장치에 의해 달성된다. 즉, 이 처리 가스 공급 장치는 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물이 수용된 공급원과처리 대상물에 유기 알루미늄 금속 화합물에 의한 성막 처리를 수행하는 처리 장치를 접속하는 공급 관로와, 공급원의 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로를 통해 압송하는 압송 수단과, 공급 관로에 제공되고 압송되는 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물을 기화하는 기화 수단과, 공급 관로에 접속되고 공급 관로에 가압된 퍼지 가스를 도입하는 퍼지 가스 도입 수단과, 공급 관로에 접속되고 공급 관로에 유기 알루미늄 금속 화합물을 용해하는 용매를 도입하는 용매 도입 수단과, 공급 관로에 접속되고 공급 관로내의 유체를 흡인 배출하는 배출 수단과, 공급 관로에 제공된 다수의 밸브를 갖고 밸브를 전환 동작함으로써 공급 관로를 통한 유체의 흐름을 제어하는 제어 수단을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 가스 공급 장치의 회로 구성을 도시하는 도면,
도 2는 도 1의 처리 가스 공급 장치의 공급 관로에 제공된 기화 수단의 구성을 도시하는 도면,
도 3은 도 1의 처리 가스 공급 장치의 액체 수용 용기를 교환하기 위해 원료 액체를 세정 배제하는 순서를 도시하는 흐름도,
도 4는 도 1의 처리 가스 공급 장치의 메인테넌스를 수행하기 위해 원료 액체를 세정 배제하는 순서를 도시하는 흐름도,
도 5A는 액체 상태의 재료를 가스화하여 이것을 처리 가스로서 공급하는 버블링법을 도시하는 도면,
도 5B는 액체 상태의 재료를 가스화하여 이것을 처리 가스로서 공급하는 베이킹법을 도시하는 도면,
도 5C는 액체 상태의 재료를 가스화하여 이것을 처리 가스로서 공급하는 직접 기화법을 도시하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
14 : 처리 가스 공급 장치 16 : 처리 장치
18 : 원료 액체 20 : 액체 수용 용기
22 : 공급 관로 24 : 송압 수단
26 : 기화 수단 28 : 가스 도입관
30 : 압송관 32, 36 : 조인트
34 : 액체 도출관
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
도 1은 피처리체인, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 W에 대해 성막 등의 처리를 실시하는 처리 장치(16)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 장치(14)를 도시하고 있다.
본 실시예에서, 처리 장치(16)는 반도체 웨이퍼 W를 1매씩 처리하는 소위 매엽식의 CVD 성막 장치이고, 유기 알루미늄 금속화합(본 실시예에서는 DMAH)을 이용하여 반도체 웨이퍼 W상에 알루미늄막을 형성한다. 처리 장치(16)는, 예를 들면 알루미늄제의 처리 용기(90)를 구비한다. 처리 용기(90)내에는, 예를 들면 저항 가열 히터(92)로 가열되는 탑재대(94)가 제공되어 있다. 탑재대(94)의 윗면에는 웨이퍼 W가, 예를 들면 메카니컬 클램프(mechanical clamp)(96)에 의해 유지되어 탑재된다. 또한, 메카니컬 클램프(96)를 대신하여 정전(靜電) 척(chuck)을 이용해도 좋다. 처리 용기(90)내의 윗부분에는 샤워 헤드(98)가 탑재대(94)에 대향하여 제공되어 있다. 샤워 헤드(98)에는 후술하는 처리 가스 공급 장치(14)의 처리 가스 공급 관로(22)가 접속되어 있다. 처리 용기(90) 내를 진공 흡인할 수 있도록, 처리 용기(90)의 저부에는 도시되지 않은 진공 펌프에 접속된 배기구(100)가 제공되어 있다.
처리 가스 공급 장치(14)는 성막용의 처리 가스를 만드는 원료 액체(DMAH)(18)가 수용된 액체 수용 용기(20)와, 액체 수용 용기(20)와 처리 장치(16)를 접속하는 공급 관로(22)와, 원료 액체(18)를 공급 관로(22)측에 압송하는 압송 수단(24)과, 공급 관로(22)의 도중에 설치되고, 압송되어 온 원료 액체(18)를 기화하여 처리 가스를 형성하는 기화 수단(26)으로 주로 구성되어 있다.
액체 수용 용기(20)는 용량이 8리터 정도의, 예를 들면 스테인레스제의 밀봉 용기로 이루어진다. 액체 수용 용기(20)의 내벽에는, 여기에 가스 또는 수분이 부착하지 않도록 전해 연마 처리가 실시되어 있다. 액체 수용 용기(20)내에는, 그 도중에 수동의 용기 개폐 밸브 V2가 설치된 가스 도입관(28)의 일단부가 도입되어 있다. 액체 수용 용기(20)내에 도입된 가스 도입관(28)의 단부는 원료 액체(18)의 액면의 상방향으로 위치되어 있다.
압송 수단(24)은, 예를 들면 1∼3 kgf/㎠의 고압 Ar 가스가 충진된 가스 봄베(38)와, 가스 봄베(38)에 접속된 압송관(30)으로 이루어진다. 압송관(30)은 조인트(32)를 거쳐 가스 도입관(28)의 다른 단부에 접속되어 있다. 따라서, 가스 봄베(38)로부터의 고압 Ar 가스를 압송관(30)을 거쳐 용기(20)내에 도입할 수 있다. 용기내(20)내의 원료 액체(18)를 1∼3 kgf/㎠의 압력으로 압송할 수 있도록, 압송관(30)의 도중에는 개폐 밸브 V1, V10이 순차적으로 설치되어 있다. 필요에 따라, 압송관(30)내의 내부 압력을 검지할 수 있도록, 개폐 밸브 V1과 개폐 밸브 V10 사이의 압송관(30)의 부위에는 개폐 밸브(19)를 갖는 연통관을 거쳐, 예를 들면 커패시턴스 마노미터(capacitance manometer)로 이루어지는 압력계(30)가 접속되어 있다.
액체 수용 용기(20)내에는 그 도중에 수동의 용기 개폐 밸브 V3이 설치된 액체 도출관(34)의 일단부가 도입되어 있다. 액체 수용 용기(20)내에 도입된 액체 도출관(34)의 단부는 원료 액체(18)에 침지되어 있다. 액체 수용 용기(20)의 외부에 위치하는 액체 도출관(34)의 다른 단부는 조인트(36)를 거쳐 공급 관로(22)에 접속되어 있다.
공급 관로(22)는 스테인레스 스틸 관으로 이루어진다. 공급 관로(22)에는 그 상류측으로부터 하류측으로 향하여, 개폐 밸브 V11과, 개폐 밸브 V4와, 공급 관로(22)내를 흐르는 원료 액체(18)의 유량을 제어하는 액체 유량 제어 수단(42)과, 개폐 밸브 V5와, 기화 수단(26)과, 개폐 밸브 V6이 순차적으로 설치되어 있다. 따라서, 원료 액체(18)는 기화 수단(26)보다도 상류측에서는 액체 상태로 흐르고, 기화 수단(26)에 의해 증기화되어, 그 하류 측에서는 가스 상태로 흐른다. 액체 유량 제어 수단(42)은, 예를 들면 내부에 다수의 밸브체를 갖고 0.5CCM 정도의 액량(液量)이라도 제어의 정밀도가 양호하게 액량 제어를 수행할 수 있는 마이크로펌프 또는 액체용의 매스 플로 컨트롤러 등으로 이루어진다.
조인트(36)와 기화 수단(26) 사이의 공급 관로(22)의 부위의 내경은 미소량의 유량 제어를 수행할 수 있는 범위 내에서 여기를 흐르는 원료 액체(18)에 과도한 압력 손실을 생기지 않도록 충분히 크게, 예를 들면 1/4 인치로 설정되어 있다. 기화 수단(26)과 처리 장치(16) 사이의 공급 관로(22) 부위의 내경은 유체 저항을 작게 하여 처리 가스가 용이하게 흐를 수 있도록, 예를 들면 3/8 혹은 1/2 인치로 설정되어 있다. 공급 관로(22)의 내벽면에 대한 수분 등의 흡착량을 작게 하여 DMAH를 불필요하게 반응시키지 않도록, 공급 관로(22)의 내벽면에는 전해 연마 처리(electrolytically polishing) 등이 실시되어 있다.
기화 수단(26)은 캐리어 가스관(44)을 거쳐 캐리어 가스로서, 예를 들면 수소 가스가 저류된 수소 가스 봄베(46)와 접속하고 있다. 가스관(44)에는 그 상류 측으로부터 하류 측으로 향하여, 개폐 밸브 V14와, 매스 플로 컨트롤러(46)와, 개폐 밸브 V15가 순차적으로 설치되어 있다. 따라서, 기화 가스 겸 캐리어 가스로서 수소 가스를 기화 수단(26)에 공급할 수 있다.
가스관(44)의 상류측 부위로부터 분기하는 챔버(chamber) 압력 조정관(48)은 처리 장치(16)에 들어가는 공급 관로(22)의 도입부에 접속되어 있다. 챔버 압력 조정관(48)에는 그 상류 측으로부터 하류 측으로 향하여, 개폐 밸브 V17과, 매스 플로우 콘트롤러(50)와, 개폐 밸브 V18이 순차적으로 설치되어 있다. 따라서, 처리 장치(16)로의 처리 가스 공급 전에 처리 장치(16)내의 압력을 조정할 수 있어, 높은 정밀도로 유량 제어된 처리 가스의 공급을 실현할 수 있다.
진공 펌프 등에 의해 진공 흡인 가능한 트랩관(trap pipe)(52)에는 그 하류측에 개폐 밸브 V9와, 트랩 장치(54)가 순차적으로 설치되어 있다. 트랩관(52)은 그 상류측 부위로부터 분기하는 3개의 관부(52A, 52B, 52C)를 갖고 있다. 제 1 관부(52A)는 개폐 밸브 V4보다도 상류측의 공급 관로(22)의 부위에 접속되고, 그 도중에 개폐 밸브 V8을 갖고 있다. 제 2 관부(52B)는 개폐 밸브 V5보다도 하류측의 공급 관로(22)의 부위에 접속되고, 그 도중에 개폐 밸브 V13을 갖고 있다. 제 3 관부(52C)는 기화 수단(26)에 접속되고, 그 도중에 개폐 밸브 V16을 갖고 있다.
개폐 밸브 V1보다도 하류측의 압송관(30)의 부위와 개폐 밸브 V11보다도 하류측의 공급 관로(22)의 부위는 연통관(58)에 의해 서로 접속되어 있다. 연통관(58)의 도중에는 개폐 밸브 V7과 조임 밸브(56)가 설치되어 있다.
배관계의 점검 시 등에 용매에 의해 DMAH를 배제할 수 있도록, 개폐 밸브 V11보다도 하류측의 공급 관로(22)의 부위에는, 용매 퍼지관(62)을 거쳐 용매 탱크(64)가 접속되어 있다. 용매 탱크(64)에는 DMAH를 용해하는 용매, 예를 들면 노말 헥산이 저류되어 있다. 용매 퍼지관(62)에는 개폐 밸브 V20과 밸브 열림 정도를 조정할 수 있는 조임 밸브(60)가 설치되어 있다. 필요시에 기화 수단(26)내의 DMAH를 배출할 수 있도록 개폐 밸브 V5보다도 하류측의 공급 관로(22)의 부위에는 개폐 밸브 V12를 갖는 퍼지관(68)을 거쳐 퍼지용 Ar 가스원(66)이 접속되어 있다. 또한, Ar 가스원(66)에 의한 퍼지 압력은 예를 들면 6∼9 kgf/㎠로 설정되어 있다.
기화 수단(26)과 처리 장치(16) 사이의 공급 관로(22)의 부위에는 그 전체길이에 걸쳐서, 예를 들면 테이프 히터로 이루어지는 가스 가열 히터(70)(도면에는 점선으로 도시됨)가 권회되어 있다. 가스 가열 히터(70)에 의한 가열 온도는 기화한 DMAH가 재액화하지 않고 열분해도 하지 않은 온도 범위, 예를 들면 30∼90 ℃의 범위내의 일정한 값, 예를 들면 60℃로 설정되어 있다. 트랩관(52)에 의해 배출되는 DMAH가 도중에서 응고하지 않도록 트랩 장치(54)보다도 상류측의 트랩관(52)의 부위에는 그 대부분의 전체 길이에 걸쳐서, 예를 들면 테이프 히터로 이루어지는 제 1 가열 히터(72)(도면에서 점선으로 도시됨)가 권회되어 있다. 가열 히터(72)에 의한 가열 온도는, 예를 들면 45℃로 설정되어 있다. 원료 액체(18)의 기화가 촉진되도록 캐리어 가스관(44)을 흐르는 캐리어 가스를 미리 가열하기 위해 캐리어 가스관(44)의 하류측 부위에는 그 대부분의 전체 길이에 걸쳐서, 예를 들면 테이프 히터로 이루어지는 제 2 가열 히터(74)(도면에서 점선으로 도시됨)가 권회되어 있다. 가열 히터(74)에 의한 가열 온도는, 예를 들면 35℃로 설정되어 있다.
또한, 액체 유량 제어 수단(42)과, 기화 수단(26)과, 매스 플로우 콘트롤러(46, 50)과, 각 밸브 V1∼V20(V2, V3을 제외함)은 각각 마이크로컴퓨터(160)에 의해 제어된다. 또한, 기화 수단(26)에는 원료 액체(18)를 기화하는데 충분한 양의 캐리어 가스가 항상 공급되도록 되어 있다.
도 2는 기화 수단(26)의 구조를 도시하고 있다. 도시한 바와 같이, 기화 수단(26)은 공급 관로(22)를 거쳐 원료 액체(DMAH)(18)가 도입되는 액체 도입 포트(78)와, 가스관(44)을 거쳐 캐리어 가스인 H2가 도입되는 캐리어 가스 도입 포트(80)와, 처리 가스 배출 포트(82)를 갖고 있다. 기화 수단(26)의 본체는, 예를 들면 101개의 기화 디스크(120… )가 인접하여 배치된 기화부(140)와, 액체 도입 포트(78)를 통해서 기화 수단(26)내에 도입된 원료 액체(18)를 기화부(140)로 인도하는 통로(110, 112, 113, 114)와, 이러한 통로(110, 112, 113, 114)의 도중(도면에서는 통로(110)와 통로(112) 사이)에 제공된 밸브 기구(111)와, 캐리어 가스 도입 포트(80)를 통해 기화 수단(26)내에 도입된 캐리어 가스를 기화부(140)로 인도하는 도시되지 않은 통로와, 이 통로의 종단에 형성된 고리 형태의 홈(130)을 갖고 있다.
기화부(140)에 마련된 각 기화 디스크(120)는 그 중앙부에 마련된 1개의 원료 액체 유통 구멍(120a)과, 그 주변부에 마련된 다수의 캐리어 가스 유통 구멍(120b… )을 갖고 있다. 각 기화 디스크(120)는 그 원료 액체 유통 구멍(120a)이 통로(114)에 대응하여 위치되고 그 캐리어 가스 유통 구멍(120b… )이 고리 형태의 홈(130)에 대응하여 위치되도록 서로 인접하여 배치되어 있다. 각 기화 디스크(120)는 압축 스프링(136)으로부터 힘을 받는 안빌(anvil)(135)에 의해 서로 접촉하는 방향으로 힘이 가해지고 있다.
이와 같은 구성에서, 액체 도입 포트(78)를 통해 기화 수단(26)내에 도입된 원료 액체(18)는 기화 수단(26)의 본체에 형성된 통로(110)와, 밸브 기구(111)와, 통로(112, 113, 114)를 통해 각 기화 디스크(120)의 원료 액체 유통 구멍(120a)으로부터 기화 디스크(120) 사이의 공간내로 유출한다. 한편, 캐리어 가스 도입 포트(80)를 통해 기화 수단(26)내에 도입된 캐리어 가스는 도시되지 않은 통로와고리 형태의 홈(130)을 거쳐 각 기화 디스크(120)의 캐리어 가스 유통 구멍(120b)으로부터 기화 디스크(120) 사이의 공간내로 유출한다. 기화 디스크(120) 사이의 공간내에서는 캐리어 가스에 의해 압력 강하가 생기고, 여기에 유출한 원료 액체(18)가 줄·톰슨(Joule-Thomson) 효과에 의해 기화된다. 기화된 원료 액체(18)는 처리 가스로서 캐리어 가스와 함께 배기 통로(115, 116)를 통해 흐르고, 처리 가스 배출 포트(82)를 거쳐 공급 관로(22)의 하류 측으로 배기되며 처리 장치(16)로 인도된다.
다음으로, 상기와 같이 구성된 장치의 동작에 대해 설명한다.
우선, 처리 가스 공급 장치(14)의 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V6과 챔버 압력 조정관(48)의 개폐 밸브 V18이 닫혀 있는 상태에서, 처리 용기(90)내에 미처리된 반도체 웨이퍼 W가 반입되며, 이 반도체 웨이퍼 W가 탑재대(94)위에 탑재되어 유지된다. 이어서, 처리 용기(90)내가 베이스 압까지 진공 흡인됨과 동시에, 저항 가열 히터(92)에 의해 웨이퍼 W의 온도가 프로세스 온도 범위(예를 들면, 160℃∼300℃ 정도의 범위)내의 소정의 값, 예를 들면 200℃로 유지된다.
다음으로, 처리 용기(90)내의 압력 변동에 따른 처리 가스 공급양의 변동을 억제하기 위해, 처리 용기(90)내로 처리 가스를 공급하기 전에, 우선 챔버 압력 조정관(48)의 개폐 밸브 V17, V18이 열리고, 챔버 압력 조정관(48)을 거쳐 샤워 헤드(98)로부터 처리 용기(90)내로 H2가스가 공급되며, 처리 용기(90)의 내부가 프로세스 압력 범위(0.1 Torr∼20Torr의 범위)내의 소정의 값, 예를 들면 2Torr 정도로 유지된다.
처리 용기(90)의 내부가 프로세스 압력으로 유지된 후, 성막 처리를 수행하기 위해, 우선 압송관(30)에 설치된 개폐 밸브 V1, V10과, 가스 도입관(28)의 개폐 밸브 V2와, 액체 도출관(34)의 개폐 밸브 V3과, 공급 관로(22)에 설치된 개폐 밸브 V1, V4, V5가 각각 열리고, 또한 캐리어 가스관(44)에 설치된 V14, V15가 열린다. 이 상태에서는, Ar 가스 봄베(38)로부터 1∼3 kgf/㎠의 압력으로 Ar 가스(가압 가스)가 압송관(30)을 거쳐 수용 용기(20)내에 도입되고, 이 가스압에 의해 수용 용기(20)내의 원료 액체(18)가 공급 관로(22)를 통해 원활하게 압송된다. 또한, 이 경우 압송관(30)을 통해 보내지는 가압 가스로서는 Ar 가스외에, He 가스 또는 Xe 가스 등의 다른 불활성 가스를 이용할 수 있다.
공급 관로(22)내를 통해 압송되는 원료 액체(18)는 액체 유량 제어 수단(42)에 의해 유량 제어되면서 흐르고, 기화 수단(26)에 도입된다. 기화 수단(26)에 도입된 원료 액체(18)는 수소 가스 봄베(46)로부터 캐리어 가스관(44)을 거쳐 기화 수단(26)에 공급되는 고압 수소 가스에 의해, 줄·톰슨 효과에 의해 기화되어 처리 가스로 된다. 기화 수단(26)에서 원료 액체(18)를 기화하는 개시 시점에서는, 기화 수단(26)으로부터 처리 장치(16)로 공급되는 원료 액체(18)의 양은 스텝 상태로 변화하여 소정의 유량에 도달하는 것은 아니고, 점증적으로 소정의 유량에 도달하도록 변화한다. 따라서, 이러한 불안정한 요소를 없애기 위해, 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V6을 닫힌 그대로의 상태로 하고, 개폐 밸브 V6을 통해 처리 가스를 처리 장치(16)에 공급하기 전에, 트랩관(52)의 관부(52C)를 거쳐 처리 가스를 계의 외부에배출하는 프리 플로우(pre-flow)가 수행된다. 즉, 개폐 밸브 V6을 닫힌 그대로의 상태에서 트랩관(52)의 관부(52C)의 개폐밸브 V16이 열리고, 기화 수단(26)에서 형성된 처리 가스가 계의 외부로 배출된다.
프리 플로우가 소정 시간 수행된 후, 이번에는 챔버 압력 조정관(48)의 개폐 밸브 V18이 닫혀서 처리 용기(90)로의 H2가스의 공급이 정지됨과 동시에, 트랩관(52)의 관부(52C)의 개폐 밸브 V16이 닫히고 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V6가 열리며, 지금까지 배기되어 있던 처리 가스가 처리 용기(90)측으로 도입되고, 성막 처리가 개시된다.
이와 같이, 처리 용기(90)내에 처리 가스를 도입하기 전에, 챔버 압력 조정관(48)을 통해 처리 용기(90)의 내부를 프로세스 압력으로 유지함과 동시에 프리 플로우를 소정 시간 실행하면, 처리 용기(90)내에 압력 변동을 생기게 하는 일 없이, 처리 개시와 동시에 서서히 높은 정밀도로 유량 제어된 처리 가스를 처리 용기(90)내로 도입할 수 있다.
기화 수단(26)에서 형성된 처리 가스는 캐리어 가스인 수소 가스에 수반하여, 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V6으로부터 처리 장치(16)측으로 흐르며, 샤워 헤드(98)를 통해 처리 용기(90)내로 도입된다. 이 경우, 기화 수단(26) 및 그의 하류측의 공급 관로(22)의 부위는, 예를 들면 이것에 내장되는 히터 또는 가스 가열 히터(70)에 의해 DMAH의 기화 온도 이상에서 열분해 온도 이하의 온도 범위(예를 들면 30℃∼90℃의 범위)내의 일정한 값, 예를 들면 60℃로 가열되고 있으므로, DMAH의 기화 가스, 즉 처리 가스는 재액화하지 않고, 게다가 열분해되지 않으며, 공급 관로(22)내를 흘러서, 처리 장치(16)로 원활하게 공급된다. 또한, 캐리어 가스관(44)을 통해 기화 수단(26)에 도입되는 캐리어 가스는 캐리어 가스관(44)에 마련된 제 2 가열 히터(74)에 의해 처리 가스를 가스 상태로 유지할 수 있는 온도 30℃∼90℃보다도 약간 낮은 온도, 예를 들면 60℃ 정도로 미리 가열되어 있으므로, 원료 액체(18)의 기화가 신속하고 원활하게 수행된다. 또한, 캐리어 가스로서는 H2가스 외에, He 가스 또는 Xe 가스 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다.
이상과 같이 높은 정밀도의 유량 제어 하에서 처리 가스를 공급하는 본 실시예의 처리 가스 공급 장치(14)는 종래 장치보다도 다량의 처리 가스를 처리 장치(16)에 공급할 수 있다. 즉, 종래 장치는 처리 가스를 기껏해야 4SCCM 정도밖에 공급할 수 없었으나, 본 실시예의 처리 가스 공급 장치(14)는 1매의 웨이퍼 W에 대해 양산적으로 알루미늄 성막을 실행하는데 요구되는 유량, 예를 들면 100 SCCM(액체 환산으로 0.35CCM) 정도의 처리 가스를 공급할 수 있다. 따라서, 양산 베이스(mass-production base)에서의 CVD에 의한 알루미늄 성막이 가능하게 된다.
또한, 성막 처리의 정지 시에는, 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V6이 닫혀짐과 동시에, 기화 수단(26)에 접속된 트랩관(52)의 관부(52C)의 개폐 밸브 V16이 열리고, 지금까지 처리 용기(90)로 흐르고 있던 처리 가스가 관부(52C)를 거쳐 배기된다. 이에 따라, 처리 가스의 공급을 서서히 차단할 수 있어, 성막에 악영향을 끼치지 않는다.
그런데, 성막 처리의 반복에 의해 액체 수용 용기(20)내의 원료 액체(18)가 없어진 경우에는, 용기(20) 자체를 원료 액체(18)가 가득 찬 별도의 용기와 교환하지 않으면 안된다. 또한, 공급 관로(22) 혹은 이것에 설치되는 액체 유량 제어수단(42) 또는 기화 수단(26)은 정기적으로 혹은 부정기적으로 점검되지 않으면 안된다. 그러나, 이러한 동작을 수행하는 경우에는, 공급 관로(22)내 또는 조인트(32, 36)에 면하고 있는 공급 관로(22)의 단부 혹은 유량 제어 수단(42) 또는 기화 수단(26)의 내부에 원료 액체(18)가 남겨져 있다는 점에 유의할 필요가 있다. 전술한 바와 같이, 원료 액체(18)는 공기에 노출되면 급격하게 반응한다. 따라서, 용기(20)의 교환 또는 구성 요소의 점검 작업을 수행하는 경우에는, 미리 원료 액체(18)를 교환 작업 대상 영역 혹은 점검 작업 대상 영역으로부터 배제해 놓을 필요가 있다. 그러나, 원료 액체(18)는 상온에서 8000∼10000 cp(센티푸아즈) 정도의 매우 높은 점도를 갖고 있으므로, 가압 가스 등만으로 용이하게 배제하는 것은 어렵다. 그래서, 본 실시예의 처리 가스 공급 장치(14)는 원료 액체(18)를 용매에 의해 세정 배제한다. 이하, 본 실시예의 처리 가스 공급 장치(14)에 의해 원료 액체(18)를 세정 배제하는 방법에 대해 설명한다.
우선, 도 1 및 도 3의 흐름도를 참조하면서, 액체 수용 용기(20)를 교환하기 위해 원료 액체(18)를 세정 배제하는 방법에 대해 설명한다.
액체 수용 용기(20)를 교환할 때에는, 우선 가스 도입관(28)의 개폐 밸브 V2와 액체 도출관(34)의 개폐 밸브 V3이 각각 닫혀 있다. 또한, 트랩관(52)의 각 관부(52A, 52B, 52C)에 마련된 제 1 가열 히터(72)가 통전되고, 트랩관(52)이 DMAH가액화하지 않고 분해하지 않는 소정의 온도, 예를 들면 45℃로 가열된다(S1).
다음으로, 압송관(30)의 개폐 밸브 V1, V10과, 연통관(58)의 개폐 밸브 V7과, 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V11과, 트랩관(52)의 관부(52A)의 개폐 밸브 V8, V9이 각각 열리고, 그 외의 밸브가 닫힌 상태에서 Ar가스 봄베(38)로부터 퍼지 가스로서, 예를 들면 3kgf/㎠의 압력의 Ar 가스가 공급된다. 이에 따라, Ar 가스는 열려진 상기 각 밸브 V1, V7∼V11을 통해 연통하는 관로내를 흐르고, 그 퍼지 작용에 의해 용기(20)와 접속하는 공급 관로(22)의 상류측 부위에 남아 있는 원료 액체(18)를 트랩관(52)의 관부(52A)를 거쳐 계의 외부로 배제한다(S2). 또한, 배제된 원료 액체(18)는 트랩 장치(54)에 의해 포획(trap)된다.
원료 액체(18)는 매우 높은 점도를 갖고 있으므로, Ar 가스에 의한 퍼지 작용만으로는 원료 액체(18)를 충분히 배제할 수 없다. 따라서, 상당한 양의 원료 액체(18)가 관로 내벽에 부착한 채로 되어 있다. 그래서, 잔류하는 원료 액체(18)를 완전하게 베제하기 위해 용매가 이들 관로로 도입된다.
용매에 의해 잔류하는 원료 액체(18)를 배제하기 위해서, 우선 개폐 밸브 V1이 닫혀지고, Ar 가스의 공급이 정지된다. 이어서, 열려진 상기 각 밸브 V7∼V11을 통해 연통하는 관로가 소정의 시간만 진공 흡인된다(S3). 그리고, 다음으로 트랩관(52)의 관부(52A)의 개폐 밸브 V8이 닫혀지고, 트랩관(52)이 공급 관로(22)로부터 차단됨과 동시에, 퍼지관(62)에 설치된 개폐 밸브 V20이 열려지고, 용매 탱크(64)로부터 용매로서 노말 헥산이 송출된다. 이에 따라, 용매는 용기(20)와 접속하는 공급 관로(22)의 상류측 부위에 도입된다(S4). 용매가 용기(20)와 접속하는공급 관로(22)의 상류측 부위에 충분히 확장하면, 개폐 밸브 V20이 닫혀져서, 용매의 공급이 정지된다. 이 상태는 잔류하는 원료 액체(18)의 용해를 촉진하기 위해서, 소정의 시간, 예를 들면 10분 정도 방치된다(S5).
상기 상태를 소정 시간 방치한 후, 이번에는 개폐 밸브 V8이 열려진다. 이에 따라, 진공 흡인되어 있는 트랩관(52)의 관부(52A)를 거쳐 용매가 배출된다(S6). 또한, 이와 같이 하여 용매를 배출하는 경우, Ar가스 봄베(38)로부터 퍼지 가스를 흘러서 용매의 대부분을 배출하고, 그 후 진공 흡인에 의해 잔류하는 용매를 배제하도록 해도 좋다.
용매에 의한 1회의 세정으로 잔류하는 원료 액체(18)를 배제할 수 있으면 문제는 없지만, 통상 1회의 세정으로 완전하게 잔류 원료 액체를 제거할 수 없으므로, S4∼S6의 작업은 소정의 회수(예를 들면 3∼5회 정도) 수행된다(S7).
용매의 도입과 배출이 소정 회수 수행된 후, 이번에는 개폐 밸브 V19이 열리고, 용기(20)와 접속하는 공급 관로(22)의 상류측 부위의 압력이 압력계(40)에 의해 체크된다(S8). 공급 관로(22)의 상류측 부위의 압력이 소정의 진공도에 도달한 것이 압력계(40)에 의해 체크되면, 조인트(32, 36) 부분에 위치하는 개폐 밸브 V10, V11이 닫혀진다.
개폐 밸브 V10, V11이 닫혀진 이 상태에서는, 용기(20)와 접속하는 공급 관로(22)의 상류측 부위에 원료 액체(18)가 존재하지 않고, 따라서 작업자는 조인트(32, 36)를 빼내어 비게 된 액체 수용 용기(20)를 새로운 액체 수용 용기로 교환할 수 있다(S9).
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예의 처리 가스 공급 장치(14)는 관로를 용매에 의해 세정함으로써 용기(20)와 접속하는 공급 관로(22)의 상류측 부위에 잔류하는 원료 액체(18)를 거의 완전하게 제거할 수 있다. 따라서, 액체 수용 용기(20)와 접속하는 관로 부위가 공기에 노출되어도 위험성은 없고, 액체 수용 용기(18)의 교환 작업을 안전하게 수행할 수 있다. 또한, 잔류하는 원료 액체(18)의 배출을 용이하게 하기 위해서, 조인트(36)와 개폐 밸브 V4 사이의 공급 관로(22)의 부위에 제 3 가열 히터(도시되지 않음)를 마련하고, 이 공급 관로(22)의 부위를, 예를 들면 트랩관(52)의 관부(52A)와 동일한 45℃ 정도로 가열해 두도록 해도 좋다.
다음에, 도 1, 도 4A 및 도 4B의 흐름도를 참조하면서, 공급 관로(22)의 부분과 액체 유량 제어 수단(42)과 기화 수단(26)의 메인테넌스를 하기 위해 원료 액체(18)를 세정 배제하는 방법에 대해 설명한다.
점검을 수행할 때에는, 원료 액체(18)의 점성을 낮게 하여 배출을 용이하게 하기 위해, 트랩관(52)의 각 관부(52A, 52B, 52C)에 마련된 제 1 가열 히터(72)가 통전되고, 각 관부(52A, 52B, 52C)가 상술한 것과 동일한 온도인 45℃로 가열된다(S1).
다음에, 압송관(30)의 개폐 밸브 V1과, 연통관(58)의 개폐 밸브 V7과, 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V4, V5와, 트랩관(52)의 관부(52B)의 개폐 밸브 V13, V9가 각각 열려지고, 그 외의 밸브가 닫혀진 상태에서, Ar가스 봄베(38)로부터 퍼지 가스로서, 예를 들면 3kgf/㎠ 압력의 Ar 가스가 공급된다. 이에 따라, Ar 가스는 열려진 상기 각 밸브를 통해 연통하는 관로 내를 흐르고, 그 퍼지 작용에 의해 액체유량 제어 수단(42)내 및 이 상하류 측에 연장하는 공급 관로(22)의 부분에 멎어있던 원료 액체(18)를, 트랩관(52)의 관부(52B)를 거쳐 계의 외부로 배제한다(S2).
다음에, 개폐 밸브 V9가 열린 상태로 유지된 채, 다른 개폐 밸브 V1, V7, V4, V5, V13이 모두 닫혀지고, 이 상태에서 캐리어 가스관(44)의 개폐 밸브 V14, V15와 트랩관(52)의 관부(52C)의 개폐 밸브 V16이 열려지고, 수소 가스 봄베(46)로부터 캐리어 가스 H2가 퍼지 가스로서 기화 수단(26)내에 도입된다. 이에 따라, 기화 수단(26)의 내부에 잔류하는 원료 액체(18)가 기화되고, 이 기화 가스가 트랩관(52)의 관부(52C)를 거쳐 계의 외부로 배제된다(S3).
다음에, 이 상태에서 퍼지관(68)에 설치된 개폐 밸브 V12가 열리고, Ar 가스원(66)으로부터, 예를 들면 9 kgf/㎠ 압력의 Ar 가스가 기화 수단(26)에 그 상류측으로부터 도입된다. 이에 의해, 기화 수단(26)의 내부에 잔류하는 원료 액체(18)가 거의 완전하게 기화되어 트랩관(52)의 관부(52C)로부터 계의 외부로 배제된다(S4). 이 경우, Ar 가스의 압력이 9 kgf/㎠로 매우 높게 설정되어 있으므로, 만약 기화 수단(26)내가 원료 액체(18)에 의해 폐쇄되어 있었다고 하여도, 이것을 거의 완전하게 제거할 수 있다. 또한, 이 때 개폐 밸브 V12의 개폐를 반복하여 고압 Ar 가스의 공급과 정지를 반복하여 수행하면, 기화 수단(26)내의 안빌(135)(도 2 참조)이 가스압에 의해 동작되어, 잔류하는 원료 액체(18)의 제거가 완전하게 수행된다.
다음에, 트랩관(52)의 관부(52C)를 거쳐 기화 수단(26)내가 진공 흡인되고(S5), 개폐 밸브 V15가 닫혀져서 기화 가스인 수소 가스의 공급이 정지된다. 또한, 개폐 밸브 V12, V16이 순차적으로 닫혀진다. 이 상태로부터 이번에는 트랩관(52)의 관부(52B)의 개폐 밸브 V13이 열리고, 기화 수단(26)내의 고압 Ar 가스가 빼내어진다(S6). 또, 개폐 밸브 V4, V7, V8, V10, V11가 열리고, 공급 관로(22)내 또는 액체 유량 제어 수단(42)내의 고압 Ar 가스가 빼내어진다(S7).
이상의 조작으로부터 소정 시간 경과해서 가스압이 평형하게 되면, 개폐 밸브 V19가 열리고, 공급 관로(22)내의 압력이 압력계(40)에 의해 계측된다(S8). 공급 관로(22)내의 압력이 소정의 진공도에 도달한 것이 압력계(40)에 의해 체크되면, 개폐 밸브 V19, V7, V8, V10, V11가 닫혀지고, 공급 관로(22)의 개폐 밸브 V4가 열려진 상태에서 용매 퍼지관(62)의 개폐 밸브 V20이 열리게 된다. 이에 따라, 용매 탱크(64)로부터 노말 헥산이 액체 유량 제어 수단(42)내에 도입된다(S9). 이 상태는 잔류하는 원료 액체(18)의 용해를 촉진하기 위해, 소정의 시간, 예를 들면 10분 정도 방치된다.
상기 상태를 소정 시간 방치한 후, 이번에는 개폐 밸브 V5가 열려지고, 트랩관(52)의 관부(52B)를 거쳐 용매가 계의 외부로 배제된다(S10). 이 때, 전술한 수용 용기(20)의 교환 시와 마찬가지로 Ar 가스 봄베(38)로부터 Ar 가스를 보냄으로써 이 가스압으로 용매의 배출을 촉진시키도록 해도 좋다.
용매에 의한 1회의 세정으로 액체 유량 제어 수단(42)내에 잔류하는 원료 액체(18)를 충분히 제거할 수 없는 경우에는, S9, S10의 작업이 소정 회수 수행되고(S11), 이에 따라 클리닝 동작이 완료한다. 이후에는 소정의 점검 작업이 수행된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예의 처리 가스 공급 장치(14)는 점검 대상 영역으로 흐르는 원료 액체(18)를 퍼지 가스에 의해 퍼지한 후에 관로내에 용매를 도입하여 잔류하는 원료 액체(18)를 용해시켜 배제할 수 있다. 따라서, 잔류하는 원료 액체(18)를 거의 완전하게 배재할 수 있고, 점검 작업을 완전하게 수행할 수 있다.
또한, 전술한 점검을 위한 클리닝 조작에서는, 잔류하는 원료 액체(18)의 용해를 촉진하기 위해 용매를 액체 유량 제어 수단(42)내에 도입한 상태로 소정 시간방치하였지만, 이에 한정되지 않고 용매를 클리닝 대상 영역에서 순환시키도록 해도 좋다. 즉, 도 1에 있어서 트랩관(52)의 관부(52A)의 개폐 밸브 V8의 바로 하류측에 순환 펌프(102)(도면에서 일점쇄선으로 도시됨)를 거쳐서, 도 4B에 있어서 점선으로 도시하는 흐름도에 따라 조작을 수행하도록 해도 좋다. 즉, 용매를 액체 유량 제어 수단(42)에 도입한 후에, 개폐 밸브 V7을 닫음과 동시에 개폐 밸브 V8, V13, V5를 개방하여 순환 펌프(102)를 포함하는 닫힌 루프를 형성하고, 이 펌프(102)를 구동함으로써 액체 유량 제어 수단(42)내에 용매를 순환시켜 잔류 원료 액체의 용해를 촉진시켜, 어느 정도의 시간 순환시키면, 이 용매를 계의 외부로 배제시킨다(S12). 이 경우, 용매를 1회 도입하는 것만으로 잔류하는 원료 액체(18)를 충분히 제거할 수 있으면, 그대로 클리닝 조작을 완료해도 좋지만, 원료 액체(18)의 제거를 보다 완전하게 하기 위해서는, 용매의 도입, 순환, 배제를 소정 회수 수행하도록 한다(S13). 이와 같은 조작에 의하면, 이전의 클리닝 조작과 비교해서 용매의 사용량 또는 클리닝에 요하는 시간을 작게 할 수 있으며, 게다가 원료액체(18)의 배제를 보다 완전하게 수행할 수 있다.
또한, 이상 설명한 실시예에서는, 유기 알루미늄 금속 화합물로서 DMAH가 사용되었으지만, 이에 한정되지 않고, 유기 알루미늄 금속 화합물로서 DMEAA(디메틸에틸아민 알루미늄), TMEAA(트리메틸아민 알루미늄), TMA(트리메틸 알루미늄)을 사용할 수 있다. 또한, 원료 액체(18)를 용해하는 용매는 독립 전자쌍(lone electron-pair)을 갖는 유기 용매라면 어느 것이라도 좋다. 예를 들면, 헥산으로서는 노말 헥산 이외에, 이 이성체(異性體)인 메틸디에틸메탄, 디메틸프로필메탄, 디메틸이소프로필메탄, 트리메틸에틸메탄이 포함되고, 다른 용매로서는 톨루엔, 벤젠 등을 단독으로, 혹은 이들의 혼합물을 이용할 수 있다. 또한, 본 실시예의 처리 가스 공급 장치(14)는 반도체 웨이퍼의 성막에 한정되지 않고, 다른 피처리체, 예를 들면 LCD 기판 또는 글래스 기판의 성막에도 적용할 수 있음은 물론이다.

Claims (21)

  1. 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물이 수용된 공급원과 처리 대상물에 유기 알루미늄 금속 화합물에 의한 성막 처리를 수행하는 처리 장치를 접속하는 공급 관로와,
    상기 공급원의 유기 알루미늄 금속 화합물을 상기 공급 관로를 통해 압송하는 압송 수단과,
    상기 공급 관로를 가로질러 배치되고 압송되는 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물을 기화하는 기화 수단과,
    상기 공급 관로에 접속되고 가압된 퍼지 가스를 공급 관로에 도입하는 퍼지 가스 도입 수단과,
    상기 공급 관로에 접속되고 유기 알루미늄 금속 화합물을 용해하는 용매를 공급 관로에 도입하는 용매 도입 수단과,
    상기 공급 관로에 접속되고 공급 관로내의 용매를 흡인 배출하는 배출 수단과,
    상기 공급 관로를 가로질러 배치된 다수의 밸브를 갖고 상기 밸브를 전환하여 동작함으로써 공급 관로를 통한 유체의 흐름을 제어하는 제어 수단
    을 포함하는 처리 가스 공급 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 수단은
    상기 공급원으로부터 압송되는 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로를 통해 처리 장치로 흘리는 제 1 밸브 전환 수단과,
    상기 퍼지 가스 도입 수단으로부터의 퍼지 가스를 공급 관로를 통해 배출 수단으로 흘리고, 그 후에 용매 도입 수단(solvent introduction means)으로부터의 용매를 공급 관로를 통해 배출 수단으로 흘리는 제 2 밸브 전환 수단
    을 포함하는 처리 가스 공급 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 밸브 전환 수단은 공급 관로 내에 도입된 용매를 공급 관로 내에 일시적으로 저장한 후에 배출 수단으로 흘리는 처리 가스 공급 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 밸브 전환 수단은 상기 용매를 공급 관로 내에서 순환시킨 후에 배출 수단으로 흘리는 처리 가스 공급 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 밸브 전환 수단은
    기화 수단에 의해 기화된 유기 알루미늄 금속 화합물을 일시적으로 배출 수단에 흘리는 프리플로우(free flow)를 수행한 후에, 기화 수단에 의해 기화된 유기알루미늄 금속 화합물을 처리 장치로 흘리는 처리 가스 공급 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어 수단은 상기 퍼지 가스 도입 수단으로부터의 퍼지 가스를 기화 수단을 통해 배출 수단으로 흘리는 제 3 밸브 전환 수단을 갖는 처리 가스 공급 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 관로에 가로질러 배치되고, 압송되는 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물의 유량(flow)을 제어하는 유량 제어 수단을 더욱 포함하는 처리 가스공급 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어 수단은,
    상기 공급원으로부터 압송되는 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로를 통해 처리 장치로 흘리는 제 1 밸브 전환 수단과, 상기 퍼지 가스 도입 수단으로부터의 퍼지 가스를 유량 제어 수단을 통해 배출 수단으로 흘리고, 그 후 용매 도입 수단으로부터의 용매를 유량 제어 수단을 통해 배출 수단으로 흘리는 제 4 밸브 전환 수단을 포함하는 처리 가스 공급 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 4 밸브 전환 수단은
    상기 유량 제어 수단 내에 용매를 일시적으로 저장한 후에 배출 수단으로 흘리는 처리 가스 공급 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    처리 장치에 접속되고, 처리 챔버의 압력을 조정하기 위해 처리 장치의 처리 챔버로 가스를 공급하는 압력 조정 수단을 더 포함하는 처리 가스 공급 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 압력 조정 수단은 퍼지 가스 도입 수단을 겸하고 있는 처리 가스 공급 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 압송 수단이 퍼지 가스 도입 수단을 겸하고 있는 처리 가스 공급 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 기화 수단과 처리 장치 사이에 위치하는 공급 관로의 부위를, 기화된 유기 알루미늄 금속 화합물이 재액화(再液化)되거나 열분해되지 않는 온도로 가열하기 위한 가열 수단을 포함하는 처리 가스 공급 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 배출 수단을 유기 알루미늄 금속 화합물이 재액화하거나 열분해되지 않는 온도로 가열하기 위한 가열 수단을 더 포함하는 처리 가스 공급 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 관로는 공급원과 착탈이 자유롭게(disconnectably) 접속되는 처리 가스 공급 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 금속 화합물은 디메틸 알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride), 디메틸 에틸아민 알루미늄(dimethylethylamine aluminum), 트리메틸아민 알루미늄(trimethylamine aluminum), 및 트리메틸 알루미늄(trimethyl aluminum)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 처리 가스 공급 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 용매는 독립 전자쌍(lone electron-pair)을 갖는 유기 용매인 처리 가스 공급 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 용매는 헥산, 톨루엔, 벤젠 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 처리 가스 공급 장치.
  19. 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물을 기화하여 이것을 처리 가스로서 처리 장치에 공급하는 처리 가스 공급 장치의 세정 방법에 있어서,
    유기 알루미늄 금속 화합물을 처리 장치로 보내는 공급 관로 또는 이것을 가로질러 배치된 유닛 안에 잔류하는 유기 알루미늄 금속 화합물을, 가압된 퍼지 가스에 의해 정화하는 단계와,
    퍼지 가스에 의해 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로 또는 상기 유닛으로부터 배출한 후에, 공급 관로 또는 상기 유닛에 유기 알루미늄 금속 화합물을 용해하는 용매를 도입하고, 이 용매와 함께 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로 혹은 상기 유닛으로부터 배출하는 단계를 포함하는 처리 가스 공급 장치의 세정 방법.
  20. 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물을 기화하여 상기 기화된 유기 알루미늄 금속 화합물을 처리 가스로서 처리 장치에 공급하는 처리 가스 공급 장치의 세정 방법에 있어서,
    유기 알루미늄 금속 화합물을 처리 장치로 보내는 공급 관로 또는 이것을 가로질러 배치된 유닛 안에 잔류하는 유기 알루미늄 금속 화합물을, 가압된 퍼지 가스에 의해 정화하는 단계와,
    퍼지 가스에 의해 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로 혹은 상기 유닛으로부터 정화한 후에, 공급 관로 혹은 상기 유닛에 유기 알루미늄 금속 화합물을 용해하는 용매를 도입하고, 상기 용매를 상기 공급 관로 내 혹은 상기 유닛 내에 일시적으로 저장하는 단계와,
    용매를 상기 공급 관로 내 혹은 상기 유닛 내에 일시적으로 저장한 후에, 상기 용매와 함께 유기 알루미늄 금속 화합물을 상기 공급 관로 혹은 상기 유닛으로부터 배출하는 단계
    를 포함하는 처리 가스 공급 장치의 세정 방법.
  21. 액체 상태의 유기 알루미늄 금속 화합물을 기화하여 상기 기화된 유기 알루미늄 금속 화합물을 처리 가스로서 처리 장치에 공급하는 처리 가스 공급 장치의 세정 방법에 있어서,
    유기 알루미늄 금속 화합물을 처리 장치로 보내는 공급 관로 또는 이것을 가로질러 배치된 유닛 안에 잔류하는 유기 알루미늄 금속 화합물을, 가압된 퍼지 가스에 의해 정화하는 단계와,
    퍼지 가스에 의해 유기 알루미늄 금속 화합물을 공급 관로 혹은 상기 유닛으로부터 정화한 후에, 공급 관로 혹은 상기 유닛에 유기 알루미늄 금속 화합물을 용해하는 용매를 도입하고, 상기 용매를 상기 공급 관로 내 혹은 상기 유닛 내에서 순환하는 단계와,
    용매를 상기 공급 관로 내 혹은 상기 유닛 내에서 순환한 후에, 상기 용매와함께 유기 알루미늄 금속 화합물을 상기 공급 관로 혹은 상기 유닛으로부터 배출하는 단계
    를 포함하는 처리 가스 공급 장치의 세정 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200062352A (ko) * 2017-10-23 2020-06-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 낮은 증기압 화학물질 전달

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122311B2 (ja) * 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
DE19781631T1 (de) * 1997-01-02 1999-04-01 Cvc Products Inc Wärmeleitendes Spannfutter für Vakuumbearbeitungsvorrichtung
US6138745A (en) * 1997-09-26 2000-10-31 Cvc Products, Inc. Two-stage sealing system for thermally conductive chuck
US6073576A (en) 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
US6039809A (en) * 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
US6007330A (en) * 1998-03-12 1999-12-28 Cosmos Factory, Inc. Liquid precursor delivery system
US6136725A (en) * 1998-04-14 2000-10-24 Cvd Systems, Inc. Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate
US6296711B1 (en) 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
US6033479A (en) * 1998-04-22 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Process gas delivery system for CVD having a cleaning subsystem
US6179924B1 (en) * 1998-04-28 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten
JPH11312649A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Nippon Asm Kk Ｃｖｄ装置
DE69941192D1 (de) * 1998-06-08 2009-09-10 Advanced Tech Materials Spendervorrichtung für chemikalien mit entlüftungssystem unter verwendung verschiedener entlüftungstechniken
KR100625865B1 (ko) * 1998-06-08 2006-09-20 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 복합 정화 기법을 사용하는 정화 시스템이 구비된 화학물분배 시스템
KR100273474B1 (ko) * 1998-09-14 2000-12-15 이경수 화학기상 증착장치의 가스 공급장치와 그 제어방법
JP2000205499A (ja) * 1999-01-18 2000-07-25 Air Liquide Japan Ltd 液体供給装置及び液体供給装置におけるパ―ジ方法
JP2002538604A (ja) 1999-02-26 2002-11-12 トリコン ホールディングス リミティド ポリマー層の処理方法
US6179925B1 (en) * 1999-05-14 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved control of process and purge material in substrate processing system
KR20010072415A (ko) 1999-06-26 2001-07-31 추후제출 기질상에 필름을 형성하는 방법 및 장치
GB2354528B (en) * 1999-09-25 2004-03-10 Trikon Holdings Ltd Delivery of liquid precursors to semiconductor processing reactors
JP4684408B2 (ja) * 2000-01-14 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4663059B2 (ja) * 2000-03-10 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置のクリーニング方法
US7011710B2 (en) * 2000-04-10 2006-03-14 Applied Materials Inc. Concentration profile on demand gas delivery system (individual divert delivery system)
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
KR20020083237A (ko) * 2001-04-26 2002-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반도체 장치 및 그 구동방법
US6811651B2 (en) * 2001-06-22 2004-11-02 Tokyo Electron Limited Gas temperature control for a plasma process
KR20030085826A (ko) * 2002-05-02 2003-11-07 주성엔지니어링(주) 액체운송장치의 퍼지방법
US6733621B2 (en) * 2002-05-08 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Venting apparatus and method for vacuum system
JP4217870B2 (ja) * 2002-07-15 2009-02-04 日本電気株式会社 有機シロキサン共重合体膜、その製造方法、成長装置、ならびに該共重合体膜を用いた半導体装置
US7192486B2 (en) * 2002-08-15 2007-03-20 Applied Materials, Inc. Clog-resistant gas delivery system
KR100474565B1 (ko) * 2002-08-30 2005-03-10 삼성전자주식회사 소스 가스 공급 방법 및 장치
US20040163590A1 (en) * 2003-02-24 2004-08-26 Applied Materials, Inc. In-situ health check of liquid injection vaporizer
TW200416298A (en) * 2003-02-27 2004-09-01 Nanmat Technology Co Ltd Method for cleaning semiconductor process device
KR100626366B1 (ko) * 2003-07-18 2006-09-20 삼성전자주식회사 기상 증착 시스템
US7727588B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-01 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for the efficient coating of substrates
JP4502189B2 (ja) * 2004-06-02 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法
JP4763339B2 (ja) * 2005-05-11 2011-08-31 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 配管のクリーニング方法
US7883745B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods
DE102007038278B4 (de) * 2007-08-08 2013-09-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Stofftransport und Ereigniskontrolle in Systemen mit piezoelektrisch aktivierter Tröpfchenemission und Kombinationsmöglichkeiten von Trägermatrix und zu dosierendem Stoff
DE102009023010A1 (de) * 2009-05-28 2010-12-02 Ruhr Oel Gmbh Vorrichtung zum gleichzeitigen Verdampfen und Dosieren einer verdampfbaren Flüssigkeit und zugehöriges Verfahren
US20130291898A1 (en) * 2009-06-04 2013-11-07 Refined Technologies, Inc. Process For Removing Hydrocarbons And Noxious Gasses From Reactors And Media-Packed Equipment
JP2011054938A (ja) 2009-08-07 2011-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法
US8128755B2 (en) * 2010-03-03 2012-03-06 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Cleaning solvent and cleaning method for metallic compound
TW201209219A (en) * 2010-08-16 2012-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating apparatus and coating method
WO2012098730A1 (ja) 2011-01-19 2012-07-26 シーケーディ株式会社 液体気化器
US9347616B2 (en) 2011-05-28 2016-05-24 Entegris, Inc. Refillable ampoule with purge capability
KR101892758B1 (ko) 2011-09-30 2018-10-04 시케이디 가부시키가이샤 액체 제어 장치
JP5989944B2 (ja) 2011-09-30 2016-09-07 Ckd株式会社 液体制御装置
JP5973178B2 (ja) 2012-02-01 2016-08-23 Ckd株式会社 液体制御装置
JP5919115B2 (ja) 2012-07-12 2016-05-18 Ckd株式会社 液体制御装置、及び液体制御装置に適用される網状体組立体
JP6078335B2 (ja) * 2012-12-27 2017-02-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム
JP6486770B2 (ja) * 2015-05-20 2019-03-20 株式会社ディスコ 切削装置
EP3847294A4 (en) * 2018-09-03 2022-06-01 Applied Materials, Inc. DIRECT LIQUID INJECTION SYSTEM FOR THIN FILM DEPOSITION
CN114686854B (zh) * 2022-03-31 2023-09-01 晶澳太阳能有限公司 一种用于管式镀膜设备的供源系统及供源方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3020065B2 (ja) * 1990-02-26 2000-03-15 富士通株式会社 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体製造装置
JP3158264B2 (ja) * 1993-08-11 2001-04-23 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200062352A (ko) * 2017-10-23 2020-06-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 낮은 증기압 화학물질 전달
KR102372042B1 (ko) * 2017-10-23 2022-03-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 낮은 증기압 화학물질 전달

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