JP5227300B2 - 複合化パージ技術を用いるパージ・システムを有する化学物質デリバリー方法およびシステム - Google Patents

Description

本発明は、概して、化学的蒸着（または化学気相成長）（ＣＶＤ）デバイスなどの製造プロセス・ツール（process tool、または製造装置）、より詳細には、集積回路の形成において利用されるプロセス・ツールへ、バルク・デリバリー・キャニスタ（bulk delivery canister）から化学物質を給送（deliver、または輸送、供給もしくは送出）するシステムおよびマニホールド(manifold)に関する。

例えば集積回路などの電子デバイスの製造がよく知られている。そのような製造におけるある工程では、化学物質を使用する所定のプロセス・ツールに化学物質が供給され得る。例えば、誘電層または導電層などの所定の材料から成る層を形成するために、ＣＶＤ反応器が一般的に用いられている。歴史的には、プロセス化学物質は、バルク・デリバリー・キャビネットを通じてＣＶＤ反応器に供給されていた。集積回路の形成に使用される化学物質は、十分なプロセス収率を得るために超高純度でなければならない。集積回路のサイズが小さくなるにつれて、ソース（source、または供給源）化学物質の純度の維持に対する要請が正比例して増加して来た。これは、ライン間隔および中間誘電体層の厚さが減少するにつれて、不純物（contaminant、または汚染物質）が集積回路の電気特性に悪影響を与え易くなることによる。化学物質の純度に対する要請の高まりは化学物質デリバリー・システムにも影響を及ぼす。

従って、化学物質キャニスタの交換（replacement、または取り替え）または補充（refill、またはレフィルもしくは詰め替え）作業および他のメンテナンス作業の間に不純物がプロセス・ツールに入らないように改良された化学物質デリバリー・システムが必要とされている。問題となる不純物には、パーティクル、水分および微量元素などが含まれ得る。かかる厳しい要求に答えるべく、改良されたマニホールドシステムが求められている。

更に、化学物質純度の要求が増大すると同様に、集積回路の製造に用いられる化学物質の種類が増加した。更に、集積回路を製造するための化学物質には、より要求の厳しい物理特性を示し、ならびに／あるいは従来使用されて来た化学物質よりも毒性が高いものがあり、よって、化学物質デリバリー・システムに対して更なる要件を課している。例えば、１００ｍＴ以下、更には１０ｍＴ以下の蒸気圧を有する、蒸気圧の非常に低い化学物質が集積回路の製造に使用されることが考えられる。そのような化学物質の１つであるＴａＥｔｈ（タンタルペンタエトキシド（tantalum pentaethoxide））は、１ｍＴ以下の蒸気圧を有し、誘電層のＣＶＤ形成に使用されることが考えられる。そのようなもう１つの化学物質であるＴＤＥＡＴ（テトラキス（ジエチルアミド）チタン）は、約７ｍＴの蒸気圧を有し、窒化チタン層のＣＶＤ形成に使用されることが考えられる。更に別の低蒸気圧化学物質はＴＥＡＳａｔｅ（砒酸トリエチル（triethyl arsenate））である。更なる低蒸気圧化学物質は、銅またはＴａＮから成る導電層を付着（または蒸着）するのに利用されるようなものであり得る。そのような化学物質の蒸気圧はそれ程低いので、化学物質デリバリー・システムのマニホールド・システムをパージ（purge、または除去）する伝統的な方法は不適切である。既存のマニホールドは、繰り返される真空引き／ガスパージ・サイクルにより伝統的な化合物（compound、または配合物）をラインおよびマニホールドから適切に除去できるのに対し、そのような真空引き／ガスパージ・サイクルは、蒸気圧の非常に低い物質を適切に除去し得ない。従って、蒸気圧の非常に低い化学物質を、化学物質デリバリー・システムの様々な部分（component、または構成要素）から適切にパージし得るために、マニホールドシステムをパージする改良された方法および装置が求められている。更に、例えばＴａＥｔｈのような物質は化学物質キャビネットの加熱を要し得る。従って、ガス・キャビネットに加熱システムを効率的に組み込んだ化学物質デリバリー・システムを得ることが望ましい。

また、利用されるパージ技術に対して他の化学物質も増加した要件を課す。例えば、固体の化合物を液体を含む（with）溶液中に含む化学物質もまた、集積回路の製造において反応物質として使用され得る。固体化学物質は、典型的には有機液体中に分散された状態で化学物質キャニスタに収められる。例えば、誘電層の形成に用いられるバリウム／ストロンチウム／チタネート（ＢＳＴ）カクテル（溶液）などの固体反応物質は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）またはトリグリム（triglyme）などの液体中に分散され得る。広範に種々の他の固体物質もまた他の有機液体と組み合されて使用され得、例えば米国特許第５，８２０，６６４号公報（この開示内容は引用することにより本明細書に組み込まれる）に記載される。

そのような固体組成物が販売されて、キャニスタにて使用される場合、米国特許第５，４６５，７６６号、同第５，５６２，１３２号、および同第５，６０７，００２号公報に記載されるように、キャニスタは、化学物質の分配用のマニホールドに接続できるようにしばしば適合させられる。しかし、キャニスタが変化すると、既存のマニホールドは、取り替えに先立ってマニホールドおよびラインを浄化（または洗浄）する能力を適当に合わせられない。従って、真空引き／ガスパージ・サイクルを固体／液体組成物に対して用いる場合、液体は蒸発して無くなり、固体化合物がラインに残る。このことは、特にキャニスタが別の化合物に取り替えられる場合、ラインが汚染されるために許容できない。パーティクル汚染および化学物質の濃度変化により、プロセス・ツールにおけるシビアなプロセス問題が生じる。この問題の解決が強く望まれている。

更に、利用される化学物質は毒性が高く、有害であり得ることから、浄化およびパージ・プロセスを改良することが望ましい。従って、化学物質デリバリー・システムのマニホールドおよびラインにおける低蒸気圧の化学物質（例えば本明細書中に記載したようなもの）の残留レベルを減少させることが望ましい。

更に、付着システムで使用されることが考えられる化学物質には、固化の防止のため高温（elevated temperature、または上昇した温度）を必要とし得るような周囲温度要件があるものが少なくともいくつかある。従って、制御された温度環境を効率的および経済的に提供しつつ、上述の問題に対処する化学物質デリバリー・システムが望まれる。

本発明は、上記の欠点および要請の１つまたはそれ以上に対する解決策を提供する。より詳細には、化学物質デリバリー・システムの適切な化学物質パージを得るために複合化技術を用いた化学物質デリバリー・システムが提供される。パージ・シーケンスは、空の化学物質供給キャニスタ（canister、または缶）を取り外す前に、あるいは新しいキャニスタを据え付けた後で、化学物質デリバリー・システムのマニホールドおよびキャニスタ接続ラインをパージするように機能する。より詳細には、中レベル（medium level）真空源、ハード（hard）真空源、および／または液体フラッシュ（flush、または洗い流し）システムの様々な組合せの少なくとも１つを用い得るパージ技術が開示される。複数のパージ技術を用いることによって、例えばＴａＥｔｈ、ＴＤＥＡＴ、ＢＳＴなどのパージの困難な化学物質が化学物質デリバリー・システムから効率的にパージされ得る。また、化学物質デリバリー・システムは、化学物質デリバリー・システム・キャビネット（cabinet、または容器）を加熱するための、効率的な、簡便に配置されたヒータ・システムをも備え得る。有利には、本発明のマニホールドは、低蒸気圧の（または蒸気圧が低い）物質および毒性の化学物質に対して有効な、改良されたパージを可能にする。

１つの要旨においては、本発明は、複数のバルブおよびラインを有する化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の化学物質をパージする方法を含む。該方法は、少なくともいくつかのバルブおよびライン内から化学物質、ガス、または不純物を除去するように第１パージ技術を用いること；少なくともいくつかのバルブおよびライン内から化学物質、ガス、または不純物を除去するように第２パージ技術を用いること；および、少なくともいくつかのバルブおよびライン内から化学物質、ガス、または不純物を除去するように第３パージ技術を用いることを含み得る。この方法においては、第１、第２および第３パージ技術の各々が異なり得る。第１パージ技術は、第１真空引き（vacuum、または減圧）工程であり得、第２パージ技術は不活性ガスを用いるフローイング・パージ（flowing purge、または流すことによるパージ）工程であり得、第３パージ技術は液体フラッシュ（または液体による洗い流し）工程であり得る。あるいは、第３パージ技術は第２真空引き工程であって、第１および第２真空引き工程が種類の異なる真空源を用い得る。

本発明による別の方法は、化学物質を半導体プロセス・ツールに給送するための化学物質デリバリー・システムを操作する方法である。該方法は、少なくとも１種の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムから半導体プロセス・ツールに供給すること；化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部からガス、液体化学物質または不純物をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと；および、化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのキャニスタを変更する（change、または取り替える）ことであって、該キャニスタが少なくとも１種の液体化学物質を含有することを含み得る。

本発明の更に別の態様においては、化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の液体化学物質をパージする方法が提供される。該方法は、低蒸気圧の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのラインまたはバルブに供給すること；および、少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むことを含み得る。低蒸気圧の液体化学物質はＴａＥｔｈ、ＴＤＥＡＴもしくはＢＳＴまたは他の低蒸気圧の化学物質であり得る。

別の態様においては、半導体基板上に誘電層を形成する方法が提供される。該方法は、１つまたはそれ以上の層を有する半導体基板を供給すること；付着（deposition、または蒸着、堆積もしくは成膜）プロセス・ツールを供給すること；および、低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールに供給するように、化学物質デリバリー・システムを付着プロセス・ツールに接続することを含む。該方法は、化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部から低蒸気圧の液体化学物質を周期的にパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと；および、低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールにて用いることにより、半導体基板上に誘電層を付着することを更に含む。低蒸気圧の液体化学物質はＴａＥｔｈまたはＢＳＴであり得る。

更に別の態様においては、半導体基板上にチタンを含有する層を形成する方法が提供される。該方法は、１つまたはそれ以上の層を有する半導体基板を供給すること；付着プロセス・ツールを供給すること；および、低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールに供給するように、化学物質デリバリー・システムを付着プロセス・ツールに接続することを含み得る。また、該方法は、化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部から低蒸気圧の液体化学物質を周期的（または定期的）にパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと；および、低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールにて用いることにより、半導体基板上にチタンを含有する層を付着することをも含み得る。低蒸気圧の液体化学物質はＴＤＥＡＴであり得る。該層は窒化チタンを含み得る。

１つの態様では、本発明は化学物質デリバリー・システムであり得る。該化学物質デリバリー・システムは、少なくとも１つのキャニスタ入口および少なくとも１つのキャニスタ出口ライン；複数のマニホールド・バルブおよびライン；第１パージ・ソース（source）を複数のマニホールド・バルブおよびラインに接続する、第１パージ・ソース入口；第２パージ・ソースを複数のマニホールド・バルブおよびラインに接続する、第２パージ・ソース入口；および第３パージ・ソースを複数のマニホールド・バルブおよびラインに接続する、第３パージ・ソース入口を含み得、第１、第２および第３パージ・ソースの各々が種類の異なるパージ・ソースであり得る。第１パージ・ソースが第１真空源であり得、第２パージ・ソースがガス・ソース（またはガス供給源）であり得、第３パージ・ソースが液体ソース（または液体供給源）であり得る。あるいは、第３パージ・ソースが第２真空源であり、第１および第２真空源が種類の異なる真空源であり得る。

別の態様においては、低蒸気圧の液体化学物質を半導体プロセス・ツールに給送するための化学物質デリバリー・システムが提供される。該システムは、少なくとも１つの化学物質アウトプット・ラインであって、化学物質デリバリー・システムのマニホールドに接続され、低蒸気圧の液体化学物質を半導体プロセス・ツールに供給するように操作可能な化学物質アウトプット・ライン；少なくとも３つのパージ・ソース入口ラインであって、少なくとも３つの異なるパージ・ソースをマニホールドに接続するパージ・ソース入口ライン；および、マニホールドに接続される、１つまたはそれ以上の補充可能な（refillable、リフィル可能な）キャニスタを含み得る。１つまたはそれ以上の補充可能なキャニスタは、少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを含み得る。更に、低蒸気圧の液体化学物質は、第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタをリフィルする（refill、またはこれに補充する）ことができ得る。あるいは該システムは、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができ得る。

本明細書に開示される別の態様は、化学物質デリバリー・システムを収容するためのキャビネットを含み得る。該キャビネットは、内部キャビネット空間を形成する複数のキャビネット壁であって、キャビネット壁の少なくとも１つがドアである、キャビネット壁；ドア内に配置された、またはドアに隣接する、少なくとも１つのヒータ要素；および、少なくとも１つのヒータ要素に極めて近接した空気フロー通路を含み得る。該キャビネットは、空気フロー通路内に少なくとも１つの熱交換要素であって、ヒータに熱的に接続されている熱交換要素を更に含み得る。熱交換要素は複数のフィンであり得る。空気フロー通路はドアの裏側に沿って形成され得、ヒータ要素はドアの表側に沿って形成され得る。キャビネットのドアは、キャビティと、該キャビティ内のインターフェース構造体であって、ドアの壁の少なくとも一部を形成するインターフェース構造体を有し得る。ヒータはドアの窪み部に設けられる（またはドアに埋め込まれる）。

開示する発明の別の態様は、液体化学物質デリバリー・システムを収容するための温度制御されるキャビネットを含み得る。該キャビネットは、少なくとも１つのドア；ドアの内に、またはその上に配置された少なくとも１つのヒータ要素；ドア内の空気ベント；および、少なくとも１つのヒータ要素に極めて近接した空気フロー通路を含み得、空気フロー通路が少なくとも１つのヒータ要素と熱的につながり（communicate、または連絡し）、空気ベントが空気フロー通路への空気入口（inlet）を提供（または供給）し得る。

更に別の態様においては、液体化学物質デリバリー・システムを収容するための、温度制御されるキャビネットが提供される。該キャビネットは、複数のキャビネット壁；および、少なくとも第１キャビネット壁の内に、またはその上に配置された少なくとも１つのヒータ要素を含み得、ヒータ要素が第１キャビネット壁の外側に位置し、ヒータからの熱エネルギーが第１キャビネット壁を通してキャビネットの内部に接続され（またはつながり）得る。第１キャビネット壁は、キャビネット・ドアの少なくとも一部であり得る。該キャビネットは、第１キャビネット壁の内側に隣接する空気通路を更に含み得る。

本発明の更に別の態様は、化学物質デリバリー・システムを収容するキャビネットの温度を制御する方法である。該方法は、内部キャビネット空間を形成する複数のキャビネット壁を供給すること；少なくとも第１キャビネット壁の内部に、またはこれに極めて近接して、少なくとも１つのヒータ要素を配置すること；および、第１キャビネット壁を熱伝達機構として用いて、ヒータから内部キャビネット空間へエネルギーを熱伝達することを含み得る。

更に別の態様においては、液体化学物質デリバリー・システムを収容するキャビネットの温度を制御する方法が提供される。該方法は、内部キャビネット空間を形成する複数のキャビネット壁を供給すること；第１キャビネット壁の少なくとも一部の外側に、少なくとも１つのヒータ要素を配置すること；第１キャビネット壁を熱伝達機構として用いて、ヒータから第１キャビネット壁の内側へエネルギーを熱伝達すること；および、第１キャビネットの内側を横切って空気を流し、内部キャビネット空間内でサイド・エア（side air、または付近にある空気）を循環させることによって、内部キャビネット空間を加熱することを含み得る。

本発明の更に別の態様は、液体化学物質のキャニスタからのデリバリに有用な化学物質デリバリー・システム・マニホールドである。該マニホールドは、真空発生器に接続される真空供給バルブ；真空発生器に接続される圧力ベント・バルブ；および、キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断（isolation）バルブを含み得る。該マニホールドは、バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブであって、キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる、プロセス・ライン遮断バルブ；キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブであって、液体フラッシュ・ソースに接続できるフラッシュ入口バルブ；および、キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ラインを更に含む。

また、液体化学物質のキャニスタからのデリバリに有用な化学物質デリバリー・システム・マニホールドも開示される。該システムは、マニホールドを第１真空源に接続するための第１真空供給バルブ；マニホールドを第２真空源に接続するための第２真空供給バルブであって、第１および第２真空源が種類の異なる真空源である、第２真空供給バルブ；および、第１および第２真空源のいずれかまたは両方に接続される圧力ベント・バルブを含み得る。また、該システムは、キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ；バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブであって、キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる、プロセス・ライン遮断バルブ；および、キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ラインをも含み得る。また、該マニホールドは、キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブであって、液体フラッシュ・ソースに接続できるフラッシュ入口バルブをも含み得る。

別の態様においては、化学物質デリバリー・システムが開示される。該化学物質デリバリー・システムは、（１）真空供給バルブ；（２）真空発生器；（３）キャリア・ガス遮断バルブ；（４）バイパス・バルブ；（５）プロセス・ライン遮断バルブ；（６）液体フラッシュ入口バルブ；（７）低圧ベント・バルブ；（８）キャニスタ入口バルブ；および、（９）キャニスタ出口バルブを含み得る。該システムは、真空供給バルブが真空発生器に接続され；キャリア・ガス遮断バルブが液体フラッシュ入口バルブに接続され；および、液体フラッシュ入口バルブがバイパス・バルブに接続されるように構成され得る。また、バイパス・バルブがプロセス・ライン遮断バルブに更に接続され；低圧ベント・バルブが真空発生器に接続され；プロセス・ライン遮断バルブがまた、キャニスタ出口バルブに接続され；および、キャニスタ入口バルブがキャニスタ出口バルブに接続される。

また、化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の液体化学物質をパージする方法も開示される。該方法は、マニホールドを供給することを含み得る。該マニホールドは、真空源に接続される真空供給バルブ、真空供給バルブに接続される圧力ベント・バルブ、キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ、バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブ（キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる）、キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブ（フラッシュ入口バルブが液体フラッシュ・ソースに接続できる）、および、キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ラインを含み得る。また、該方法は、低蒸気圧の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのラインまたはバルブに供給すること；ならびに、少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むことをも含む。

更に別の態様においては、化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の液体化学物質をパージする方法が提供される。該方法は、マニホールドを供給することを含み得る。該マニホールドは、真空源に接続される真空供給バルブ、真空供給バルブに接続される圧力ベント・バルブ、キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ、バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブ（キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる）、および、キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ラインを含み得る。該方法は、低蒸気圧の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのラインまたはバルブに供給すること；少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むことを更に含み得る。
本発明は以下の態様を含み得る。
（態様１） 複数のバルブおよびラインを有する化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の化学物質をパージする方法であって：
少なくともいくつかのバルブおよびライン内から化学物質、ガス、または不純物を除去するように第１パージ技術を用いること；
少なくともいくつかのバルブおよびライン内から化学物質、ガス、または不純物を除去するように第２パージ技術を用いること；および
少なくともいくつかのバルブおよびライン内から化学物質、ガス、または不純物を除去するように第３パージ技術を用いること
を含み、第１、第２および第３パージ技術の各々が異なる方法。
（態様２） 第１パージ技術が第１真空引き工程であり、第２パージ技術が不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程である、態様１に記載の方法。
（態様３） 第３パージ技術が液体フラッシュ工程である、態様２に記載の方法。
（態様４） 第３パージ技術が第２真空引き工程であり、第１および第２真空引き工程が種類の異なる真空源を用いる、態様２に記載の方法。
（態様５） 第１真空引き工程がベンチュリ真空源を用いる、態様４に記載の方法。
（態様６） 第２真空引き工程がハード真空源を用いる、態様５に記載の方法。
（態様７） ハード真空源がプロセス・ツールから提供される、態様６に記載の方法。
（態様８） 第４パージ技術を更に含む、態様１に記載の方法。
（態様９） 第１パージ技術が第１真空引き工程であり、第２パージ技術が不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程であり、第３パージ技術が液体フラッシュ工程であり、第４パージ技術が第２真空引き工程であり、第１および第２真空引き工程が種類の異なる真空源を用いる、態様８に記載の方法。
（態様１０） 第１真空引き工程がベンチュリ真空源を用い、第２真空引き工程がハード真空源を用いる、態様９に記載の方法。
（態様１１） 化学物質を半導体プロセス・ツールに給送するための化学物質デリバリー・システムを操作する方法であって：
少なくとも１種の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムから半導体プロセス・ツールに供給すること；
化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部からガス、液体化学物質または不純物をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと；および
化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのキャニスタを変更することであって、該キャニスタが少なくとも１種の液体化学物質を含有すること
を含む方法。
（態様１２） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様１１に記載の方法。
（態様１３） 少なくとも１種の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様１２に記載の方法。
（態様１４） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様１２に記載の方法。
（態様１５） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程および不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程を含む、態様１１に記載の方法。
（態様１６） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、液体フラッシュ工程を更に含む、態様１５に記載の方法。
（態様１７） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様１６に記載の方法。
（態様１８） 少なくとも１種の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様１７に記載の方法。
（態様１９） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様１７に記載の方法。
（態様２０） 第１真空引き工程がベンチュリ真空源を用いる、態様１５に記載の方法。
（態様２１） 第１真空引き工程がハード真空源を用いる、態様１５に記載の方法。
（態様２２） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、第２真空引き工程を更に含み、第１および第２真空引き工程が種類の異なる真空源を用いる、態様１５に記載の方法。
（態様２３） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様２２に記載の方法。
（態様２４） 少なくとも１種の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様２３に記載の方法。
（態様２５） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様１３に記載の方法。
（態様２６） 第１真空引き工程がベンチュリ真空源を用いる、態様２２に記載の方法。
（態様２７） 第２真空引き工程がハード真空源を用いる、態様２２に記載の方法。
（態様２８） ハード真空源が半導体プロセス・ツールから提供される、態様２７に記載の方法。
（態様２９） パージが第４パージ技術の使用を含む、態様１１に記載の方法。
（態様３０） 第１パージ技術が第１真空引き工程であり、第２パージ技術が不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程であり、第３パージ技術が液体フラッシュ工程であり、第４パージ技術が第２真空引き工程であり、第１および第２真空引き工程が種類の異なる真空源を用いる、態様２９に記載の方法。
（態様３１） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様３０に記載の方法。
（態様３２） 少なくとも１種の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様３１に記載の方法。
（態様３３） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様３１に記載の方法。
（態様３４） 第１真空引き工程がベンチュリ真空源を用い、第２真空引き工程がハード真空源を用いる、態様３０に記載の方法。
（態様３５） ハード真空源が半導体プロセス・ツールから提供される、態様３４に記載の方法。
（態様３６） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様３５に記載の方法。
（態様３７） 少なくとも１種の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様３６に記載の方法。
（態様３８） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様３６に記載の方法。
（態様３９） 化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の液体化学物質をパージする方法であって：
低蒸気圧の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのラインまたはバルブに供給すること；および
少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと
を含む方法。
（態様４０） 低蒸気圧の液体化学物質がＴａＥｔｈである、態様３９に記載の方法。
（態様４１） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、低蒸気圧の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様４０に記載の方法。
（態様４２） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに低蒸気圧の液体化学物質を供給することができる、態様４０に記載の方法。
（態様４３） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程および不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４４） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、液体フラッシュ工程を更に含む、態様４３に記載の方法。
（態様４５） 低蒸気圧の液体化学物質がＴＤＥＡＴである、態様３９に記載の方法。
（態様４６） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、ＴＤＥＡＴが第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様４５に記載の方法。
（態様４７） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールにＴＤＥＡＴを供給することができる、態様４５に記載の方法。
（態様４８） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程および不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程を含む、態様４５に記載の方法。
（態様４９） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、液体フラッシュ工程を更に含む、態様４８に記載の方法。
（態様５０） 低蒸気圧の液体化学物質がＢＳＴである、態様３９に記載の方法。
（態様５１） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、ＢＳＴが第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様５０に記載の方法。
（態様５２） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールにＢＳＴを供給することができる、態様５０に記載の方法。
（態様５３） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程および不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程を含む、態様５０に記載の方法。
（態様５４） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、液体フラッシュ工程を更に含む、態様５３に記載の方法。
（態様５５） 半導体基板上に誘電層を形成する方法であって：
１つまたはそれ以上の層を有する半導体基板を供給すること；
付着プロセス・ツールを供給すること；
低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールに供給するように、化学物質デリバリー・システムを付着プロセス・ツールに接続すること；
化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部から低蒸気圧の液体化学物質を周期的にパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと；および
低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールにて用いることにより、半導体基板上に誘電層を付着すること
を含む方法。
（態様５６） 低蒸気圧の液体化学物質がＴａＥｔｈまたはＢＳＴである、態様５５に記載の方法。
（態様５７） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、低蒸気圧の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様５６に記載の方法。
（態様５８） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに低蒸気圧の化学物質を供給することができる、態様５６に記載の方法。
（態様５９） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程および不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程を含む、態様５６に記載の方法。
（態様６０） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、液体フラッシュ工程を更に含む、態様５９に記載の方法。
（態様６１） 半導体基板上にチタンを含有する層を形成する方法であって：
１つまたはそれ以上の層を有する半導体基板を供給すること；
付着プロセス・ツールを供給すること；
低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールに供給するように、化学物質デリバリー・システムを付着プロセス・ツールに接続すること；
化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部から低蒸気圧の液体化学物質を周期的にパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと；および
低蒸気圧の液体化学物質を付着プロセス・ツールにて用いることにより、半導体基板上にチタンを含有する層を付着すること
を含む方法。
（態様６２） 低蒸気圧の液体化学物質がＴＤＥＡＴである、態様６１に記載の方法。
（態様６３） 前記層が窒化チタンを含む、態様６２に記載の方法。
（態様６４） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、ＴＤＥＡＴが第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様６２に記載の方法。
（態様６５） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有し、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールにＴａＥｔｈを供給することができる、態様６２に記載の方法。
（態様６６） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程および不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程を含む、態様６２に記載の方法。
（態様６７） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、液体フラッシュ工程を更に含む、態様６６に記載の方法。
（態様６８） 化学物質デリバリー・システムであって：
少なくとも１つのキャニスタ入口および少なくとも１つのキャニスタ出口ライン；
複数のマニホールド・バルブおよびライン；
第１パージ・ソースを複数のマニホールド・バルブおよびラインに接続する、第１パージ・ソース入口；
第２パージ・ソースを複数のマニホールド・バルブおよびラインに接続する、第２パージ・ソース入口；および
第３パージ・ソースを複数のマニホールド・バルブおよびラインに接続する、第３パージ・ソース入口
を含み、第１、第２および第３パージ・ソースの各々が種類の異なるパージ・ソースであるシステム。
（態様６９） 第１パージ・ソースが第１真空源であり、第２パージ・ソースがガス・ソースである、態様６８に記載のシステム。
（態様７０） 第３パージ・ソースが液体ソースである、態様６９に記載のシステム。
（態様７１） 液体廃棄物アウトプット・ラインを更に含む、態様６９に記載のシステム。
（態様７２） 第３パージ・ソースが第２真空源であり、第１および第２真空源が種類の異なる真空源である、態様６９に記載のシステム。
（態様７３） 第１真空源がベンチュリ真空源である、態様７２に記載のシステム。
（態様７４） 第２真空源がハード真空源である、態様７３に記載のシステム。
（態様７５） ハード真空源がプロセス・ツールから提供される、態様７４に記載のシステム。
（態様７６） 第４パージ・ソースを更に含む、態様６８に記載のシステム。
（態様７７） 第１パージ・ソースが第１真空源であり、第２パージ・ソースが不活性ガス・ソースであり、第３パージ・ソースが液体ソースであり、第４パージ・ソースが第２真空源であり、第１および第２真空源が種類の異なる真空源である、態様７６に記載のシステム。
（態様７８） 第１真空源がベンチュリ真空源であり、第２真空源がハード真空源である、態様７７に記載のシステム。
（態様７９） 低蒸気圧の液体化学物質を半導体プロセス・ツールに給送するための化学物質デリバリー・システムであって：
少なくとも１つの化学物質アウトプット・ラインであって、化学物質デリバリー・システムのマニホールドに接続され、低蒸気圧の液体化学物質を半導体プロセス・ツールに供給するように操作可能な化学物質アウトプット・ライン；
少なくとも３つのパージ・ソース入口ラインであって、少なくとも３つの異なるパージ・ソースをマニホールドに接続するパージ・ソース入口ライン；および
マニホールドに接続される、１つまたはそれ以上の補充可能なキャニスタ
を含むシステム。
（態様８０） １つまたはそれ以上の補充可能なキャニスタが、少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを含む、態様７９に記載のシステム。
（態様８１） 低蒸気圧の液体化学物質が、第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様８０に記載のシステム。
（態様８２） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様８０に記載のシステム。
（態様８３） 少なくとも３つの異なるパージ・ソースが、少なくとも第１真空源およびガス・ソースを含む、態様７９に記載のシステム。
（態様８４） 少なくとも３つの異なるパージ・ソースが、液体ソースを更に含む、態様８３に記載のシステム。
（態様８５） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様８４に記載のシステム。
（態様８６） 低蒸気圧の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様８５に記載のシステム。
（態様８７） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様８５に記載のシステム。
（態様８８） 第１真空源がベンチュリ真空源である、態様８３に記載のシステム。
（態様８９） 第１真空源がハード真空源である、態様８３に記載のシステム。
（態様９０） 少なくとも３つの異なるパージ・ソースが、第２真空源を更に含み、第１および第２真空源が種類の異なる真空源である、態様８３に記載のシステム。
（態様９１） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様９０に記載のシステム。
（態様９２） 低蒸気圧の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様９１に記載のシステム。
（態様９３） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様９１に記載のシステム。
（態様９４） 第１真空源がベンチュリ真空源である、態様９０に記載のシステム。
（態様９５） 第２真空源がハード真空源である、態様９０に記載のシステム。
（態様９６） ハード真空源が半導体プロセス・ツールから提供される、態様９５に記載のシステム。
（態様９７） 第４パージ・ソース入口ラインであって、第４パージ・ソースをマニホールドに接続する第４パージ・ソース入口ラインを更に含む、態様７９に記載のシステム。
（態様９８） 第１パージ・ソースが第１真空源であり、第２パージ・ソースが不活性ガス・ソースであり、第３パージ・ソースが液体ソースであり、第４パージ・ソースが第２真空源であり、第１および第２真空源が種類の異なる真空源である、態様９７に記載のシステム。
（態様９９） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様９８に記載のシステム。
（態様１００） 低蒸気圧の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様９９に記載のシステム。
（態様１０１） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様９９に記載のシステム。
（態様１０２） 第１真空源がベンチュリ真空源であり、第２真空源がハード真空源である、態様９８に記載のシステム。
（態様１０３） ハード真空源が半導体プロセス・ツールから提供される、態様１０２に記載のシステム。
（態様１０４） 化学物質デリバリー・システムが少なくとも第１キャニスタおよび第２キャニスタを有する、態様１０３に記載のシステム。
（態様１０５） 低蒸気圧の液体化学物質が第２キャニスタから半導体プロセス・ツールに供給され、化学物質デリバリー・システムが第１キャニスタから第２キャニスタを補充することができる、態様１０４に記載のシステム。
（態様１０６） 化学物質デリバリー・システムが、第１キャニスタおよび第２キャニスタの両方から半導体プロセス・ツールに液体化学物質を供給することができる、態様１０４に記載のシステム。
（態様１０７） 化学物質デリバリー・システムを収容するためのキャビネットであって：
内部キャビネット空間を形成する複数のキャビネット壁であって、キャビネット壁の少なくとも１つがドアである、キャビネット壁；
ドアの内に、またはドアに隣接して配置された、少なくとも１つのヒータ要素；および
少なくとも１つのヒータ要素に極めて近接した空気フロー通路
を含むキャビネット。
（態様１０８） 空気フロー通路内に少なくとも１つの熱交換要素を更に含み、熱交換要素がヒータに熱的に接続されている、態様１０７に記載のキャビネット。
（態様１０９） 熱交換要素が複数のフィンである、態様１０８に記載のキャビネット。
（態様１１０） ドア内に少なくとも１つの空気ベントを更に含み、空気ベントにより空気フロー通路に空気を流すことができる、態様１０７に記載のキャビネット。
（態様１１１） ヒータ要素がドアの窪み部に設けられる、態様１０７に記載のキャビネット。
（態様１１２） ヒータ要素が平坦なシリコン・ヒータである、態様１１１に記載のキャビネット。
（態様１１３） 空気フロー通路がドアの壁の裏側に沿って形成され、ヒータ要素がドアの壁の表側に沿って形成される、態様１０７に記載のキャビネット。
（態様１１４） ドアがキャビティおよび該キャビティ内のインターフェース構造体を有し、インターフェース構造体がドアの壁の少なくとも一部を形成する、態様１１３に記載のキャビネット。
（態様１１５） ヒータ要素がインターフェース構造体の窪み部に設けられる、態様１１４に記載のキャビネット。
（態様１１６） 空気の通路内に熱交換要素を更に含む、態様１１３に記載のキャビネット。
（態様１１７） 熱交換要素がフィンである、態様１１６に記載のキャビネット。
（態様１１８） ヒータがドアの窪み部に設けられる、態様１１３に記載のキャビネット。
（態様１１９） ドア内に少なくとも１つの空気ベントを更に含み、空気ベントにより空気フロー通路に空気を流すことができる、態様１１３に記載のキャビネット。
（態様１２０） 液体化学物質デリバリー・システムを収容するための、温度制御されるキャビネットであって：
少なくとも１つのドア；
ドアの内に、またはその上に配置された少なくとも１つのヒータ要素；
ドア内の空気ベント；および
少なくとも１つのヒータ要素に極めて近接した空気フロー通路
を含み、空気フロー通路が少なくとも１つのヒータ要素と熱的につながり、空気ベントが空気フロー通路への空気入口を提供する、キャビネット。
（態様１２１） 空気フロー通路内に複数の熱交換フィンを更に含み、熱交換フィンが少なくとも１つのヒータ要素に熱的に接続される、態様１２０に記載のキャビネット。
（態様１２２） 少なくとも１つのヒータ要素がドアの窪み部に設けられる、態様１２０に記載のキャビネット。
（態様１２３） ドアの壁を更に含み、ヒータ要素が壁の片側に配置され、空気フロー通路が壁のもう片側に配置される、態様１２０に記載のキャビネット。
（態様１２４） 空気フロー通路を有する少なくとも１つの熱伝達要素を更に含み、熱伝達要素がドアの壁を通してヒータ要素に熱的に接続される、態様１２０に記載のキャビネット。
（態様１２５） 液体化学物質デリバリー・システムを収容するための、温度制御されるキャビネットであって：
複数のキャビネット壁；および
少なくとも第１キャビネット壁の内に、またはその上に配置された少なくとも１つのヒータ要素
を含み、ヒータ要素が第１キャビネット壁の外側に位置し、ヒータからの熱エネルギーが第１キャビネット壁を通してキャビネットの内部に接続される、キャビネット。
（態様１２６） 第１キャビネット壁がキャビネット・ドアの少なくとも一部である、態様１２５に記載のキャビネット。
（態様１２７） 第１キャビネット壁の内側に隣接する空気通路を更に含む、態様１２５に記載のキャビネット。
（態様１２８） 空気通路内に少なくとも１つの熱交換構造体を更に含む、態様１２７に記載のキャビネット。
（態様１２９） 第１キャビネット壁がキャビネット・ドアの少なくとも一部である、態様１２８に記載のキャビネット。
（態様１３０） 化学物質デリバリー・システムを収容するキャビネットの温度を制御する方法であって：
内部キャビネット空間を形成する複数のキャビネット壁を提供すること；
少なくとも第１キャビネット壁の内部に、またはこれに極めて近接して、少なくとも１つのヒータ要素を配置すること；および
第１キャビネット壁を熱伝達機構として用いて、ヒータから内部キャビネット空間へエネルギーを熱伝達すること
を含む方法。
（態様１３１） 第１キャビネット壁がキャビネット・ドアである、態様１３０に記載の方法。
（態様１３２） キャビネット・ドアの内側を横切って空気を流すことを更に含む、態様１３１に記載の方法。
（態様１３３） ドアの内側に隣接する空気通路を形成することを更に含み、熱伝達要素が空気通路内にあり、熱伝達要素がキャビネット・ドアに熱的に接続される、態様１３１に記載の方法。
（態様１３４） 第１キャビネット壁の内側を横切って空気を流すことを更に含む、態様１３０に記載の方法。
（態様１３５） ドアの内側に隣接する空気通路を形成することを更に含み、熱伝達要素が空気通路内にあり、熱伝達要素がキャビネット・ドアに熱的に接続される、態様１３４に記載の方法。
（態様１３６） 液体化学物質デリバリー・システムを収容するキャビネットの温度を制御する方法であって：
内部キャビネット空間を形成する複数のキャビネット壁を提供すること；
第１キャビネット壁の少なくとも一部の外側に、少なくとも１つのヒータ要素を配置すること；
第１キャビネット壁を熱伝達機構として用いて、ヒータから第１キャビネット壁の内側へエネルギーを熱伝達すること；および
第１キャビネットの内側を横切って空気を流し、内部キャビネット空間内でサイド・エアを循環させることによって、内部キャビネット空間を加熱すること
を含む方法。
（態様１３７） 空気が空気通路を通って流れる、態様１３６に記載の方法。
（態様１３８） 空気通路内に熱伝達要素を形成することを更に含む、態様１３７に記載の方法、
（態様１３９） 第１キャビネット壁がキャビネット・ドアである、態様１３６に記載の方法。
（態様１４０） 空気がドアのベントを通って少なくとも部分的にキャビネット内へ流れる、態様１３９に記載の方法。
（態様１４１） ヒータ要素がドアの窪み部に設けられる、態様１３９に記載の方法。
（態様１４２） 液体化学物質のキャニスタからのデリバリに有用な化学物質デリバリー・システム・マニホールドであって：
真空発生器に接続される真空供給バルブ；
真空発生器に接続される圧力ベント・バルブ；
キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ；
バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブであって、キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる、プロセス・ライン遮断バルブ；
キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブであって、液体フラッシュ・ソースに接続できるフラッシュ入口バルブ；および
キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ライン
を含むマニホールド。
（態様１４３） 圧力ベント・バルブとキャニスタ入口ラインとの間に接続される液体廃棄物バルブを更に含む、態様１４２に記載のマニホールド。
（態様１４４） キャニスタ入口ラインと液体廃棄物バルブとの間に接続される制御バルブを更に含む、態様１４２に記載のマニホールド。
（態様１４５） キャニスタ入口ラインとバイパス・バルブとの間に接続されるクリティカル・オリフィスを更に含む、態様１４２に記載のマニホールド。
（態様１４６） キャニスタ入口ラインとバイパス・バルブとの間に接続される制御バルブを更に含む、態様１４２に記載のマニホールド。
（態様１４７） 圧力ベント・バルブと制御バルブとの間に接続される液体廃棄物バルブを更に含む、態様１４６に記載のマニホールド。
（態様１４８） 圧力ベント・バルブが、少なくとも１つの追加のバルブを介して真空発生器に接続される、態様１４２に記載のマニホールド。
（態様１４９） 追加のバルブが液体廃棄物キャニスタに接続される、態様１４８に記載のマニホールド。
（態様１５０） 追加のバルブがハード真空源に接続される、態様１４８に記載のマニホールド。
（態様１５１） 液体化学物質のキャニスタからのデリバリに有用な化学物質デリバリー・システム・マニホールドであって：
マニホールドを第１真空源に接続するための第１真空供給バルブ；
マニホールドを第２真空源に接続するための第２真空供給バルブであって、第１および第２真空源が種類の異なる真空源である、第２真空供給バルブ；
第１および第２真空源のいずれかまたは両方に接続される圧力ベント・バルブ；
キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ；
バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブであって、キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる、プロセス・ライン遮断バルブ；および
キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ライン
を含むマニホールド。
（態様１５２） キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブを更に含み、フラッシュ入口バルブが液体フラッシュ・ソースに接続できる、態様１５１に記載のマニホールド。
（態様１５３） キャニスタ入口ラインとバイパス・バルブとの間に接続されるクリティカル・オリフィスを更に含む、態様１４２に記載のマニホールド。
（態様１５４） キャニスタ入口ラインとバイパス・バルブとの間に接続される制御バルブを更に含む、態様１４２に記載のマニホールド。
（態様１５５） キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブであって、液体フラッシュ・ソースと接続できるフラッシュ入口バルブ；および
圧力ベント・バルブと制御バルブとの間に接続される液体廃棄物バルブ
を更に含む、態様１５４に記載のマニホールド。
（態様１５６） 化学物質デリバリー・システムであって：
（１）真空供給バルブ；
（２）真空発生器；
（３）キャリア・ガス遮断バルブ；
（４）バイパス・バルブ；
（５）プロセス・ライン遮断バルブ；
（６）液体フラッシュ入口バルブ；
（７）低圧ベント・バルブ；
（８）キャニスタ入口バルブ；
（９）キャニスタ出口バルブ
を含み；
真空供給バルブが真空発生器に接続され；
キャリア・ガス遮断バルブが液体フラッシュ入口バルブに接続され；
液体フラッシュ入口バルブがバイパス・バルブに接続され；
バイパス・バルブがプロセス・ライン遮断バルブに更に接続され；
低圧ベント・バルブが真空発生器に接続され；
プロセス・ライン遮断バルブがまた、キャニスタ出口バルブに接続され；および
キャニスタ入口バルブがキャニスタ出口バルブに接続される、システム。
（態様１５７） 制御バルブを更に含み、制御バルブがキャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に配置される、態様１５６に記載のシステム。
（態様１５８） 制御バルブと低圧ベント・バルブとの間に配置される液体廃棄物アウトプット・バルブを更に含む、態様１５７に記載のシステム。
（態様１５９） 低圧ベント・バルブが、少なくとも１つの追加のバルブを介して真空発生器に接続される、態様１５６に記載のシステム。
（態様１６０） 追加のバルブが液体廃棄物キャニスタに接続される、態様１５９に記載のシステム。
（態様１６１） 化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の液体化学物質をパージする方法であって：
マニホールドであって、
真空源に接続される真空供給バルブ、
真空供給バルブに接続される圧力ベント・バルブ、
キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ、
バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブであって、キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる、プロセス・ライン遮断バルブ、
キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブであって、液体フラッシュ・ソースに接続できるフラッシュ入口バルブ、および
キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ライン
を含むマニホールドを供給すること；
低蒸気圧の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのラインまたはバルブに供給すること；ならびに
少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと
を含む方法。
（態様１６２） マニホールドが、圧力ベント・バルブとキャニスタ入口ラインとの間に接続される液体廃棄物バルブを更に含む、態様１６１に記載の方法。
（態様１６３） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程、不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程、および液体フラッシュ工程を含む、態様１６１に記載の方法。
（態様１６４） 第１真空引き工程がベンチュリ真空源を用いる、態様１６３に記載の方法。
（態様１６５） 第１真空引き工程がハード真空源を用いる、態様１６３に記載の方法。
（態様１６６） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、第２真空引き工程を更に含み、第１および第２真空引き工程が種類の異なる真空源を用いる、態様１６３に記載の方法。
（態様１６７） 化学物質デリバリー・システムから低蒸気圧の液体化学物質をパージする方法であって：
マニホールドであって、
真空源に接続される真空供給バルブ、
真空供給バルブに接続される圧力ベント・バルブ、
キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ、
バイパス・バルブおよびキャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブであって、キャニスタ出口ラインがキャニスタ出口バルブに接続できる、プロセス・ライン遮断バルブ、
キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続できるキャニスタ入口ライン、
を含むマニホールドを供給すること；
低蒸気圧の液体化学物質を化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのラインまたはバルブに供給すること；ならびに
少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質をパージすることであって、該パージが少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むこと
を含む方法。
（態様１６８） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、少なくとも第１真空引き工程、第２真空引き工程、および不活性ガスを用いるフローイング・パージ工程を含み、第１および第２真空引き工程が種類の異なる真空源を用いる、態様１６１に記載の方法。
（態様１６９） 第１真空引き工程がベンチュリ真空源を用いる、態様１６３に記載の方法。
（態様１７０） 第２真空引き工程がハード真空源を用いる、態様１６３に記載の方法。
（態様１７１） 少なくとも３つの異なるパージ技術が、液体フラッシュ工程を更に含む、態様１６３に記載の方法。

本発明の典型的な化学物質デリバリー・システムを示す図である。 本発明の典型的な化学物質デリバリー・システムを示す図である。 本発明による別のパージ構成を示す図である。 本発明による別のパージ構成を示す図である。 本発明による別のパージ構成を示す図である。 本発明による別のパージ構成を示す図である。 本発明による別のパージ構成を示す図である。 本発明による別のパージ構成を示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュを用いるマニホールド・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびフラッシュ液体パージを有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク補充可能化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 中レベル真空、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージおよびハード真空を有するデュアル・タンク化学物質デリバリー・システムを示す図である。 化学物質デリバリー・システム用のキャビネットを示す図である。 化学物質デリバリー・システム・キャビネットと共に使用されるドアを示す図である。 化学物質デリバリー・システム・キャビネットと共に使用されるドアを示す図である。

上述および他の問題は、化学物質デリバリー・システムの適切な化学物質パージを得るために、複合化（multiple）技術を用いる化学物質デリバリー・システムを用いることにより対処される。空の化学物質供給キャニスタの取り外しに先立って、あるいは新たなキャニスタの据え付け後に、化学物質デリバリー・システムのマニホールドおよびキャニスタの接続ラインをパージするように、パージ・シーケンスが働く。

本発明に利用され得る化学物質の種類は、プロセス・ツールの種類および所望する結果（outcome）に応じて幅広く変化し得る。本発明の技術は、例えば半導体の製造に使用されるようなＣＶＤシステムにて用いるために液体を供給する液体化学物質デリバリー・システムと共に使用する場合に特に有利である。代表的な化学物質の例には、ＴＤＥＡＴ、テトラエチルオルトシリケート（「ＴＥＯＳ」）、トリエチルホスフェート、トリメチルホスファイト、トリメチルボレート、四塩化チタン、およびタンタル化合物（例えばＴａＥｔｈ）など；塩化炭化水素、ケトン（例えばアセトンおよびメチルエチルケトン）、エステル（例えばエチルアセテート）、炭化水素、グリコール、エーテル、ヘキサメチルジシラザン（「ＨＭＤＳ」）などの溶媒；バリウム／ストロンチウム／チタネートカクテル（混合物）などの液体中に分散した固体化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。化学物質のこれらの例は、何らかの限定をしようとするものではない。化学物質は種々の純度を有し得、また、化学物質の混合物を使用することができる。１つの態様では、１種の化学物質が用いられる。ある化学物質は、有利には、微量金属（または痕跡金属）に対して９９．９９９％またはそれ以上の純度を有する。本発明の１つの態様においては、キャニスタ１０４は、化学物質中の微量金属量を基準として少なくとも９９．９９９９９９９９％の純度を有する化学物質で少なくとも部分的に満たされる。本明細書中に開示される化学物質およびデリバリー・システムは、例えばＬＰＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ、ＭＯＣＶＤなどのツールといった幅広いプロセス・ツールのいずれとも組み合されて使用され得る。

より詳細には、本発明によれば、パージ技術は以下のパージ技術のいくつかまたは全ての様々な組合せを用いる：第１真空源、フローイング・パージ（即ち、プロセス化学物質をマニホールド・ラインからフラッシュする不活性ガスの流れ）、第２真空源、および／または液体フラッシュ・システム。第１および第２真空源は、一般的には、異なる真空レベルを有する異なる真空源であり得る。１つの例においては、第１真空源は、典型的には１００Ｔ以下、より典型的には５０〜１００Ｔの範囲にある真空度であり得、そのような真空源は「中レベル真空（medium level vacuum）」と呼ばれる。更に、そのような例においては、第２真空源は、典型的には１００ｍＴ以下、より典型的には１００ｍＴ〜１ｍＴの範囲にある真空度であり得、そのような真空源は「ハード真空（hard vacuum、または高真空）」と呼ばれる。しかし、本明細書に記載されるレベルは例示であり、他のより高いまたはより低い真空レベルが第１および第２真空源に利用され得ることが理解されよう。１つの態様においては、第１（または中レベル）真空源は、ベンチュリ（Venturi）真空源とし得る。複数のパージ技術を用いることによって、ＴａＥｔｈ、ＴＤＥＡＴ、ＢＳＴなどの、パージの困難な化学物質が、化学物質デリバリー・システムから効率的にパージされ得る。

図１Ａは、複合化パージ技術を用いて構成された化学物質デリバリー・システム１００を示す。図１Ａに示す化学物質デリバリー・システム１００は、本発明の原理を説明するため、シングル・タンク（または一槽式）化学物質デリバリー・システムを例示の目的で示す。システムは、構成の異なる多数のシステム、例えばデュアル・タンク（dual tank、または二槽式）非補充可能（non-refillable）システム（２つの化学物質キャニスタであって、一方のキャニスタを他方のキャニスタで補充することができないもの）、デュアル・タンク補充可能（refillable）システム（２つの化学物質キャニスタであって、一方のキャニスタに他方のキャニスタから補充することができるもの）、多数のプロセス・キャニスタの１つに補充するために大きなバルク・キャニスタ（化学物質デリバリー・システムの内部にあるか、またはこれから離れたもの）を利用したバルク・デリバリー・システム、３つまたはそれ以上のキャニスタを有するシステムなどのいかなるものであってもよい。例示のため、図１Ｂに２つの化学物質キャニスタを用いる化学物質デリバリー・システム１００を示す。

図１Ａおよび図１Ｂに図示するように、化学物質デリバリー・システム１００にはマニホールドシステム１０２が含まれる。マニホールドシステムには、化学物質デリバリー・システムのバルブおよびラインが含まれる。単一のブロックとして図示するが、マニホールド・システムは複数のマニホールドシステム（またはサブ・マニホールド・システム）で構成され得る。従って、用語マニホールドは、デリバリー・システムの全てのバルブおよびラインを言うものであり得、また、バルブおよびラインのいくつかの部分について言うためにも用いられ得ることが理解されよう。マニホールドは、シングル化学物質デリバリー・システム・キャビネットの形態とされ得、あるいは、複数のキャビネットに対して分配されていてよく、キャビネットの外側に位置していてもよい。システム１００には、例えば化学的蒸着ツールなどのプロセス・ツールに化学物質を供給するように、キャニスタ１０４（または図１Ｂに示すキャニスタ１０４Ａおよび１０４Ｂ）および化学物質出口ライン１１０（プロセス・ラインとも言う）が含まれ得る。１つの出口ライン１１０を図示しているが、ライン１１０は２つまたはそれ以上の分枝ラインおよびこれに関連付けられる（associate、または付随する、もしくは接続される）分枝遮断およびパージ・ラインから構成され得る。またシステム１００には、キャニスタ入口１０８および出口１０６（あるいは、図１Ｂに示す入口１０８Ａおよび１０８Ｂならびに出口１０６Ａおよび１０６Ｂ）が含まれ得る。マニホールド・システム１０２に連結されているのは、パージ操作に利用される４つの入口ラインであって、中レベル真空ライン１１２、パージ・ガス入口１１１、ハード真空ライン１１４、および液体フラッシュ・ライン１１６である。廃棄物（waste、または排出物）アウトプット・ライン１１８もまた備えられる。廃棄物アウトプット（または排出）は、廃棄物アウトプット・コンテナ（デリバリー・システムの内部に、またはこれから離れて位置する）に接続されるか、ユーザーの設備にある専用の廃棄物ラインに接続される。中レベル真空ライン１１２は、例えばベンチュリ真空発生器などの中レベル真空源に接続され得る。パージガス入口１１１は、マニホールドを通過するフローイング・パージを形成するために、例えばヘリウム、窒素、またはアルゴン・ラインなどの不活性ガスラインに接続され得る。ハード真空ライン１１４は、自立型（stand alone）真空ポンプなどのハード真空源に接続され得る。しかし、好ましい態様においては、ハード真空源は以下により詳細に説明するプロセス・ツール真空であり得る。液体フラッシュライン１１６は、例えばテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）またはトリグリムなどの溶媒などのフラッシュ（または洗い流し）液体のソースであり得る。使用される所定の溶媒は、入手容易性、費用、ラインからパージされる物質の種類に応じて様々である。一般的には、溶媒は、（溶媒が存在することにより化学物質が凝固することなしに）固体化学物質の適当な分散、厚い物質の可溶化、および蒸気圧の高い化学物質の希釈化などを可能にするように合わせられる。例えば、トリグリム中に分散した固体の活性化学物質をパージする場合、まずラインを洗浄するためにトリグリムを用い、次いで、必要に応じて、微量のトリグリムを除去するためにＴＨＦで処理する。あるいは、環境が許容するならば、ＴＨＦを単独で使用し得る。もう１つの例においては、ＴａＥｔｈはエタノールまたはヘキセンで洗い流される。他の例では、ブチルアセテート溶液中に含まれるＢＳＴを洗い流すためにｎ−ブチルアセテートを使用することを含み得る。液体フラッシュライン１１６は、専用のフラッシュ液体キャニスタに接続されるか、さもなくばユーザーの設備にある液体供給ラインに接続され得る。中レベル真空ライン１１２、パージ・ガス・ライン１１１、ハード真空ライン１１４および液体フラッシュ・ライン１１６は、例えばＴａＥｔｈ、ＴＤＥＡＴ、ＢＳＴなどの化学物質をパージするのが困難なマニホールド・システム１０２からのパージを支援するために各々使用され得る。また、本発明は、４つ全てより少ない入口ラインを使用しながら用いることもできる。従って、図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃに示す例示的な実施態様に示すように、４つより少ない入口ラインの組合せを使用してもよい。

複数のパージ技術（中レベル真空、フローイング・パージ、ハード真空、または液体フラッシュ）を組み合せて使用することによって、特定の技術の欠点を最小限にしつつ、各技術の利点を有効に利用できる。ハード真空は、より低い圧力が得られるという点で有利である。しかし、自立型ハード真空源は、ベンチュリ真空源と比較して、概してより高価であり、より多くのメンテナンスを要し、より大きく、より多くの設備を要し、より多くの廃棄物を生じる。しかし、ベンチュリ中レベル真空システムを用いることによって、自立型ハード真空源が不要となる。むしろ、典型的にはプロセス・ツールに存在するハード真空源が利用され得る。プロセス・ツールのハード真空源は、それ自体で、またはベンチュリ真空の使用に続いて、マニホールド・システム１０２内の圧力をより低くするために用いられ得る。その後、プロセス・ツールからのハード真空は、マニホールド内の圧力レベルをより一層低くするためにスイッチをＯＮにされる。圧力をより低くするためにまず中レベル真空を用いることにより、ハード真空に加わる負荷が減少する。ハード真空への負荷を減少させることによって、プロセス・ツールに内在するハード真空源は、プロセス・ツール内で実施されるいかなるプロセスの質も損なうことなく利用され得る。従って、ベンチュリ真空の使用により、容易に利用可能なハード真空源を使用することができ、自立型ハード真空源または専用のハード真空源に関する追加の費用を要しない。

同様に、１つまたはそれ以上の真空源と組み合せて、マニホールドを液体で洗い流す（またはフラッシュする）ことは、有利なパージ技術である。給送される化学物質が有機液体中に懸濁した固体である場合、マニホールドは、有機液体の蒸発により固体がライン内に蓄積されるのを防止するように全てのラインの液体フラッシュが可能なように構成され得る。分散物が用いられる場合、ラインを減圧化した場合でも化合物がライン中に沈殿（precipitate、または析出）しないように、例えばトリグリムまたはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの液体溶媒でラインを洗い流すことが好ましい。例えば、固体の残留物（これは、例えばＢＳＴのような何らかの固体含有化学物質を含むマニホールドを真空ポンピングするときに生じる）を除去するために、真空パージ（または真空引きパージ）に先立って液体フラッシュを利用し得る。更に、液体フラッシュは、長く、および／または狭い管から（ハード真空でさえマニホールドを適当にパージできない状況で）蒸気圧が非常に低い化学物質を除去するのを助けるという利点がある。

液体フラッシュを用いる場合、液体を注入し、マニホールドから除去する様々な方法が利用されよう。図３Ａ、３Ｂおよび３Ｃは、液体を注入し、マニホールドから除去する３つの例を示すが、他の技術も使用され得る。更に、例示の目的であるが、図３Ａ、３Ｂおよび３Ｃは、中レベル真空入口１１２、パージ・ガス入口１１１およびハード真空入口１１４の両方を有するデュアル・タンク・システムと組み合されたパージ技術を示す。図示されるパージ技術は、本明細書中に記載される他のシステム／キャニスタ構成（または配置）と共に利用され得る。図３Ａに示すように、フラッシュ液体入口１１６が設けられ得る。ある構成では、フラッシュ液体は、ユーザーの標準的な設備ラインの専用の化学物質供給ライン１２１から供給され得る。液体フラッシュ操作により生じた液体廃棄物は、廃棄物コンテナ１２０に供給され得る。図３Ａのシステムの別の構成は、フラッシュ液体入口１１６および廃棄物コンテナ１２０のないシステムであり得る。そのようなシステムは、中レベル真空パージ、ハード真空パージおよびフローイング・ガス・パージの３つのパージ技術を用いる。図３Ｂに示すように、フラッシュ液体ソースと廃棄物コンテナ１２２の組合せが用いられ得る。この構成では、マニホールド１０２をフラッシュするための液体は、ライン１２３Ａおよび１２３Ｂを通して、コンテナ１２２から供給され、また廃棄物としてコンテナ１２２へ戻される。図３Ｃは、専用の液体ソース・コンテナ１２４が、ライン１２５Ａおよび１２５Ｂを用いてフラッシュ液体を供給し、専用の液体廃棄物コンテナがライン１１８Ａおよび１１８Ｂを通して液体廃棄物を回収する、更に別の構成を示す。以下により詳細に説明するように、廃棄物コンテナは、フラッシュ液体を回収する必要があるだけでなく、パージ・プロセスの一部としてマニホールド・ラインの少なくとも一部からドレン（または排出）されるプロセス液体を回収もし得る。キャニスタ１２４、１２２および１２０（または化学物質デリバリー・システムの他の部分）は、１つの化学物質デリバリー・システム筐体の内部に一体的に配置され得るか、または化学物質デリバリー・システムの外部に配置され得ること、ならびに機能の上では、本明細書に記載されるシステムはキャニスタの配置とは無関係に同等に作動することが理解されよう。

本明細書に記載される本発明のいくつかの実施態様について、マニホールド１０２の厳密な構成は、化学物質のストリームをプロセス・ツールに供給し、適当なパージを可能とする機能が得られる限り、本発明の実施に際して重要ではない。マニホールド１０２におけるバルブの構成は、個々のラインを別々にパージおよびメンテナンスできるように改変され得る。

以下により詳細に説明する例示の実施例（但しこれに限定されない）を含む多くのマニホールドおよびキャニスタの構成が本発明に従って利用され得ることが理解されよう。例えば米国特許第５，４６５，７６６号、同第５，５６２，１３２号、同第５，５９０，６９５号、同第５，６０７，００２号および同第５，７１１，３５４号公報（これらは引用することにより本明細書に組み込まれる）に記載されるような更なるマニホールド構成も、フローイング・パージ、液体フラッシュおよび／またはハード真空に適合するように適切に改変されて利用され得る。

本発明にて使用されるマニホールドは、有利には、パージされないデッド・レッグ（dead leg）がマニホールド、ラインおよび継手（fitting）に存在しないようにように構成され得る。この点に関して、この構成は、有利には、可能な場合には短いストレート管を利用することにより、チューブ交差（tubing interconnection）ラインおよび曲がった（または可撓性の）ラインにおけるベントを最小限にし得る。更に、この構成は、有利には、ＳＶＣＲ継手（ストレートＶＣＲ継手）を利用し得る。一般的には、システム内の圧力は、下流側よりも上流側で圧力が高くなるように調節される。マニュアル作動式（または手動式）バルブ、空気作動式バルブ、または他の種類のバルブを含む（しかし、これらに限定されない）幅広く様々なバルブがマニホールドに使用され得る。マニホールド・バルブは、プロセス制御機器を用いて制御され得る。コントローラーは、パージ・シーケンスおよび通常のラン・モード（または稼動モード）を管理し得る。ラン・モードの間、システムは化学物質をプロセス・ツールに供給し、これはバルク化学物質供給源（supply）の据え付け後に開始され得る。

典型的には、マニホールド・システム全体からプロセス化学物質が除去またはパージされ、その後、キャニスタが取り替えられ（change out）、または交代のフローイング・ガス・パージ、真空（または真空引き）サイクル、および／または液体パージによって停止される。典型的なサイクルの簡単な全体像を、以下のより詳細な実施例によりまず提供する。パージ・サイクルを開始する際、一般的には、化学物質キャニスタをまず加圧する。その後、サイクル・パージを用いて、真空ラインの乾燥化（dry down）を実施する。ここで使用したサイクル・パージは、フローイング・ガス・パージおよびこれに続く真空引き工程である。サイクル・パージは、所望の乾燥化または化学物質の除去が得られるまで何回でも繰り返され得る。真空ライン乾燥化工程は、キャニスタ出口とプロセス・ライン・アウトプット１１０との間のラインでの化学物質との反応により生じた水分を真空ラインから除去する。真空は、ベンチュリ発生器による中レベル真空および／または真空ポンプによるハード真空であり得る。ラインの乾燥化の後、プロセス化学物質と接触し（またはプロセス化学物質に曝され）、これを含むマニホールド・ラインをドレンして、キャニスタへ（キャニスタ・アウトプットへ）戻す。

ライン・ドレンの後、一般的なパージ・シーケンスは、液体フラッシュまたはハード真空のいずれを用いるかによって変わり得る。例えば、液体フラッシュを（ハード真空なしで）用いる場合、プロセス化学物質と接触したマニホールド・ラインは液体溶媒でフラッシュされる（または洗い流される）。そして、これらのラインは、全ての残留溶媒蒸気を除去するために、中レベル真空およびこれに続く（followed by）不活性ガスのフローイング・パージのサイクル・パージに供される。その後、キャニスタが取り除かれ、または取り替えられる。キャニスタの取り替えの間、周囲の大気がマニホールドに入って汚染することを防止するように、フローイング・パージを続けてよい。新しいキャニスタがマニホールドに取り付けられた後、新しいキャニスタの継手から微量の大気をも除去するように、真空引き工程およびその後のフローイング・ガス・パージの最後のサイクル・パージを実施し得る。

ハード真空を液体フラッシュと共に用いる場合、ライン・ドレン後の一般的なパージ・シーケンスは以下のようなものである。ライン・ドレン後、プロセス化学物質と接触したマニホールド・ラインは、中レベル真空に供される。次いで、これらのラインはハード真空に供される。中レベル真空は、上述のように、ハード真空への負荷を最小限にするために最初に用いられる。その後、キャニスタの取り替え前およびこの間にフローイング・パージが開始され得る。キャニスタの取り替え後、サイクル・パージが開始され、その後、ハード真空が最終的にポンプダウン（pumpdown、または開放）される。

代表的なマニホールド構造の例を図４Ａ〜４Ｉに図示するが、本発明はこれに限定されない。図４Ａ〜４Ｉは、複合化パージ技術を有するマニホールド・システムの１つの実施態様を図示する。例示する目的で、図４Ａ〜４Ｉは、複数のパージ技術として、中レベル真空、フローイング・パージおよび液体フラッシュの使用を示す。更に、実例を挙げる目的でシングル・キャニスタ・システムも示すが、本明細書に記載される本発明はこれら特定の実施例に限定されない。図面中の各バルブについて、白三角は、常に開状態であるラインを示し、黒三角は、開状態とされるまでは閉状態であることを示す。

図４Ａにおいて、例えばベンチュリ真空発生器などの真空源１４が、ライン１２を通して真空供給バルブ（「ＶＧＳ」）１０に接続され得る。ＶＧＳ１０は、真空源がベンチュリ真空発生器である場合、不活性ガス・ライン１１を通って真空源１４へ向かうガス（例えば窒素、ヘリウム、またはアルゴン）のフロー（または流れ）を制御するように機能する。真空源１４は、排気管（exhaust、または排気口）へと出て行く排気ライン１３に取り付けられ得る。真空源１４は、低圧ベント（または排気）バルブ（low pressure vent valve；「ＬＰＶ」）６０に接続され得る。図４Ａ中、真空源１４はライン１５およびライン１６を通してＬＰＶ６０に接続される。ライン３７のチェック・バルブ（または逆止弁）３３Ａは、マニホールドが所定の開放圧力を超えない限り、およびそれまでは、閉じられている。ライン３７はキャビネットの排気管へと排気される。一般的に、チェック・バルブ３３Ａは、マニホールドの圧力が前もって設定されたレベル、例えば１平方インチあたり約７５ポンドを超える場合に作動するようにセットされ得る。チェック・バルブは、キャリア・ガス遮断バルブ（carrier gas isolation valve；「ＣＧＩ」）３０に接続される。ＣＧＩ３０はまた、キャリア・ガス入口バルブ（carrier gas inlet valve）とも称され得る。チェック・バルブは、システムの圧力が選択したレベルに達した場合に、ガスを排気するように作用する。ライン３１は、加圧された不活性ガスのフローを供給し得るレギュレータ３２にＣＧＩ３０を接続し得る。デリバリー圧力ゲージ３６が、レギュレータの圧力および全操作の間の圧力をモニタするようにレギュレータ３２に取り付けられる。

図４Ａにおいて、フラッシュ・ライン入口バルブ（flush line inlet valve；「ＦＬＩ」）４５は、ライン３３を通してＣＧＩ３０に接続され得る。ＦＬＩ４５は、フラッシュ液体入口１１６に接続される。ライン３４は、ＦＬＩ４５をキャニスタ・バイパス・バルブ（canister bypass valve；「ＣＢＶ」）４０に接続し得る。ライン４１および４２は、ＣＢＶ４０を、プロセス・ライン遮断バルブ（process line isolation valve；「ＰＬＩ」）５０および制御バルブ（control valve；「ＣＰ２」）７０に各々接続し得る。ＰＬＩ５０は、プロセス・ライン・アウトプット１１０へ接続される。ＰＬＩ５０の機能は、マニホールドを出て行く化学物質のフローを制御することである。ＣＧＩ３０は、マニホールドへの加圧ガス（pressurized gas、または加圧されたガス）の供給を制御するように機能する。ＣＢＶ４０の機能は、ＰＬＩ５０へ、ならびにライン７１への圧力または真空の提供を制御する。ライン１１０は、デリバリー・システムの外部のプロセス・ツールか、デュアル・タンク補充システムにある補充されるべきもう１つのキャニスタかのいずれかへ化学物質を運ぶ。キャニスタ出口ライン５２は、ＰＬＩ５０をキャニスタ出口バルブ（「ＣＯ」）９２に繋げるように機能する。ライン６２は、ＣＰ２ ７０を液体廃棄物アウトプット・バルブ（Liquid Waste Output valve；「ＬＷＯ」）６１に接続し得る。ＬＷＯ６１は、廃棄物アウトプット・ライン１１８に接続される。ＬＷＯ６１は、また、ライン６３を通してＬＰＶ６０に接続される。キャニスタ入口ライン７１は、制御バルブ７０から、キャニスタ入口バルブ（canister inlet valve；「ＣＩ」）９０へと導かれ得る。ＣＩ９０は、キャニスタの加圧および排出（evacuation）を制御するように機能する。ライン７３は、ＣＯ９２とＣＩ９０とを接続し得る。ＣＯ９２は、化学物質の給送の間のキャニスタ１１０からの化学物質のフロー、ならびにキャニスタの取り替えの間のキャニスタ出口接合部（weldment、または接合部）のパージを制御するように機能する。ＣＩ９０およびＣＯ９２は、マニホールドを、化学物質キャニスタ１０４の対応する構造体に、典型的には例えばオスおよびメスねじ込み継手などの継手により接続するように機能する。マニホールドをキャニスタ１０４に接続する継手（連結器（coupler））は、典型的にはライン７１および５２に存在する。ＣＯ９２は両用作動式バルブ（dual activator valve、またはデュアルアクティベータバルブもしくは複弁）であり、ライン７３が両用作動式バルブをＣＩ９０に直接的に接続する。あるいは、ＣＯ９２が両用作動式バルブでない場合、追加のバルブがＣＯ９２に設置され、追加のバルブをライン７１に接続するように、追加のラインが追加のバルブから設置される。

導管、チューブ、パイプ、およびパス（または通路）などとも呼ばれる上述のラインは、様々な種類の材料、例えば３１６Ｌステンレス鋼チューブ、テフロン（登録商標）チューブ、ハステロイなどの合金鋼などから構成される。各バルブは、例えばＮＵＰＲＯ ６Ｌ−Ｍ２Ｄ−１１１−Ｐ−IIIガスコントロールバルブなどの常套の空気圧式バルブ（pneumatically actuated valve）であり得る。同様に、レギュレータは標準タイプのもの、例えばＡＰ Ｔｅｃｈ １８０６Ｓ ３ＰＷ Ｆ４−Ｆ４ Ｖ３レギュレータなどとすることができる。システムは常套的な方法、例えば圧力フィッティング・バルブ（pressure fitting valve）の使用や、溶接などによって組み立てられ得る。バルブは常套的なプロセス制御、例えばタッチ・スクリーン・コントロール・パネルに接続されたＯｍｒｏｎ プログラマブル・コントローラー・ボックスなどを用いて制御され得る。あるいは、バルブは、コマンド・シーケンス実行用の埋込みマイクロプロセッサを組み込んだＡＤＣＳ ＡＰＣ（商標）コントローラーを、ＥＰＲＯＭに存在するソフトウェアと共に用いて制御され得る。制御ユニットは、例えば、空気圧式バルブを開状態または閉状態にするように加圧ガスの流れを制御し得る。

使用の際、本発明のマニホールドは以下のようにして操作され得る。化学物質をキャニスタ１０４から出して給送箇所へ押し出す（または押し流す）ために、加圧ガスをシステムに、およびキャニスタに入れるように、マニホールドにあるバルブを適切に開状態および閉状態にする。図４Ｂにおいて、点線２２０はキャニスタ１０４に入る加圧ガスの経路（または通路）を図示し、点線２２１はディップ・チューブ（dip tube、または浸した管）９１を通ってキャニスタ１０４から出ていく液体化学物質の経路を示す。従って、ソース（または源）（図示せず）からの加圧ガスはレギュレータ３２によりライン３１へ放出（または開放）される。その後、ガスは開状態のＣＧＩ３０を通り、次いでライン３３、ＦＬＩ４５、ＣＢＶ４０、ライン４２、開状態のＣＰ２ ７０、ライン７１、およびＣＩ９０を通ってキャニスタ１０４へ入る。流入ガスの圧力により、液体化学物質はディップ・チューブを上昇し、ＣＯ９２、ライン５２、ＰＬＩ５０および出口ライン１１０を通って受け入れ箇所（例えばＣＶＤプロセス・ツール）へ送られる。

供給キャニスタが（満杯（フル）のキャニスタであっても）取り替えられる場合、マニホールドから残留化学物質を除去するようにラインがパージされ得る。マニホールドから残留化学物質を除去するための第１工程は、真空引き（vacuum）工程およびフローイング・パージ工程を各々含むサイクル・パージ工程である。サイクル・パージは、真空引きおよびフローイング・パージを交互に繰り返して実施することを含み得る。１つの真空引き工程を図４Ｃを参照しながら以下に説明し、１つのフローイング・パージ工程を図４Ｄを参照しながら以下に説明する。真空引き工程は、図４Ｃに点線２５０で示す配置（configuration）を通ることを含む様々な方法で実施され得る。従って、１つの実施態様では、ＶＧＳ１０を開状態にすることによりライン１１および１２を通って真空源１４にガスが入るときに、ライン１３を通して排気管へ真空が引かれ（draw down）、よってライン１５、１６、６３、６２、４２、３４、３３、７１、および７３に真空が引かれる（pull on）ように、ＬＰＶ６０およびＣＰ２ ７０が開状態にされる。

図４Ｄには、真空ライン乾燥化（dry down）サイクル・パージのフローイング・パージが図示される。図４Ｄでは、レギュレータ３２により、加圧ガスがライン３１に入れられる。ＣＧＩ３０、ＣＰ２ ７０およびＬＰＶ６０が開状態にされると、図４Ｄに点線２６０にて示すように、ガスがライン３１、３３、３４、４２、７１、７３、６２、６３、１６、１５、および１３を通って流れ、よって、マニホールドをパージする。この工程の利点の１つは、ライン１３、１５、および１６のようなラインから水分および酸素を除去することにある。

次に、キャニスタ１０４での頭部圧力を取り除くために、減圧化（depressurization）工程を実施する。例えば、減圧化を起こさせ得る手順を図４Ｅに示す。１つの減圧化方法では、点線２３０にて示すように、ライン１３を通って排気管へ出る流れにより真空が生じるように、ＶＧＳ１０を開状態にすることにより、ガスがライン１１からライン１２を通って真空源１４に入る。ソース１４にて生じた真空は、ライン１５、ライン１６、開状態のＬＰＶ６０を通って、ライン６３、ＬＷＯ６１を通って、ライン６２、ＣＰ２ ７０、ライン７１、および開状態のＣＩ９０を真空に引き、これにより、キャニスタ１０４のヘッドスペースを真空に引く。

減圧化の後、液体のライン（接合部）を浄化するために液体ドレン（drain）が実施される（institute）。よって、図４Ｆでは、レギュレータ３２を通ってライン３１にガスが導入される。ガスがライン３１、３３、３４、４１、および５２を通って流れるように、液体化学物質がキャニスタ１０４に戻されるように、ＣＧＩ３０、ＣＢＶ４０、およびＣＯ９２が開状態にされる。ライン・ドレンの間のガスのフローが点線２４０にて示される。図４Ｅおよび４Ｆに示される減圧化およびこれに続く液体ドレン・シーケンスは、バルブ、チューブ、および継手からあらゆる液体を除去するように繰り返し実施され得る。

液体ドレンの後、フラッシュ液体パージが実施される。図４Ｇに示すように、フラッシュ液体がフラッシュ液体入口１１６より導入される。ＦＬＩ４５、ＣＢＶ４０、およびＣＯ９２の一部を開状態にすることにより、フラッシュ液体がマニホールドの出口の全濡れ表面領域をパージする。よって、点線２７０にて示すように、ライン３４、４１、５２、７３、７１、および６２を通ってフラッシュ液体が流れる。更に、ＬＷＯ６１が開状態にされて、フラッシュ液体が廃棄物出口１１８を通ってマニホールド１０２を出る。次いで、フラッシュ・ラインのライン・ドレンの複合化サイクルが、ＦＬＩ４５を閉状態にすることを除いて図４Ｇに示すものと同様の構成を用いて、ＣＧＩ３０を開状態にしてパージ・ガスをライン３４、４１、５２、７３、７１、および６２を通して流し、サイクルを繰り返すことにより実施され得る。

フラッシュ・ラインの液体パージおよびライン・ドレンの後、真空引き工程およびフローイング・パージ工程を各々含むキャニスタ除去サイクル・パージが実施される。このサイクル・パージは、フラッシュ液体パージ工程の後に残っているあらゆる残留溶媒蒸気を除去する。真空引き工程を図４Ｈに点線２８０にて示す。従って、１つの実施態様では、ＶＧＳ１０を開状態にすることによりライン１１および１２を通って真空源１４にガスが入るときに、ライン１３を通して排気管へ真空が引かれ、よってライン１５、１６、６３、６２、７１、７３、５２、４１、３４、および３３に真空が引かれるように、ＬＰＶ６０、ＣＯ９２の一部、およびＣＢＶ４０が開状態にされる。

図４Ｉにおいては、フローイング・パージがキャニスタ除去サイクル・パージの一部分として実施される。図４Ｉでは、レギュレータ３２により、加圧ガスがライン３１に入れられる。ＣＧＩ３０、ＣＢＶ４０、ＣＯ９２の一部、およびＬＰＶ６０を開状態にすることにより、図４Ｉに点線２９０にて示すように、ガスがライン３１、３３、３４、４１、５２、７３、７１、６２、６３、１６、１５、および１３を通って流れ、よって、マニホールドをパージする。

パージの後、マニホールドに水分を入れないように、マニホールドに正の圧力を維持しつつ、典型的には継手を取り外す（break：または壊す）。例えば、継手を取り外した後、ガスがライン５２および７１を出ていくように、ＣＧＩ３０、ＣＢＶ４０、ＣＯ９２、ＣＩ９０、およびＣＰ２ ７０が開状態にされる。新しいキャニスタを据え付けた後、図４Ｈおよび４Ｉに示すようなキャニスタ除去サイクル・パージが、マニホールドに入った可能性のあるあらゆる水、微量の大気、または他の不純物、ならびに新しいキャニスタの継手および接合部にあるあらゆる水、大気、または不純物を除去するように、典型的には繰り返される。

図４Ａ〜４Ｉを参照しながら説明した本発明の実施態様は、標準的なマニホールドに比べてバルブの数の低減（これにより、マニホールドのコストをより低くでき、リークが起こり得る箇所の数を少なくでき、ならびにあるマニホールドでのバルブ故障の機会を少なくできる）を含む多くの利点がある。また、この実施態様は、システムのデッド・レッグの数も少なくし、これにより、より効率的なフローイング・パージを得ることができる。キャニスタの交換の間に化学物質をラインから除去する能力の向上によって、本実施態様のマニホールドは、例えば砒素化合物などの有害な化学物質と共に使用することのできるシステムを提供する。同様に、この実施態様のマニホールドは、例えばジグリム（diglyme）およびトリグリム（triglyme）などの有機キャリア液体に分散された金属または固体化合物などの、分散液（dispersion）の使用を改良することができる。分散液を用いる場合、ラインが減圧化されたときにライン内で化合物が沈殿しないように、例えばトリグリムまたはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの液体溶媒でラインをフラッシュ除去することが好ましい。更には、本発明のいずれの実施態様についても、ラインにおける化学物質の蒸発を促進するようにマニホールドを加熱できることが考えられる。この点に関して、マニホールドは、加熱された環境に維持され、バリアック（variac）などに接続された加熱テープ（heating tape）により覆われることができる。あるいは、図１０Ａおよび１０Ｂを参照しながら以下に示すように、加熱要素がキャビネット・ドアに配置され得る。フローイング・パージの間の蒸発を助長するために、例えば加熱されたアルゴン、窒素、または他の不活性ガスなどの加熱ガスを代わりに用いることができる。また、これらの技術の組合せを用いることも可能である。いくつかのタイプの化学物質については、ライン内で１つまたはそれ以上の化合物と反応して、より容易に取り除かれる化合物を生じるような反応性の化学物質でパージすることができる。

本発明のマニホールドは、マニホールドのラインが化学物質を含んでいるかどうかを判断するように、例えばライン１５に取り付けられたセンサーを含み得る。同様に、ライン１５にサンプル口（またはポート）が備えられ得、ラインからのガスのサンプルが抜き出され、化学物質の存在（または有無）を調べるための分析装置を用いて調べられ得る。

図４Ａ〜４Ｉの実施態様に類似する本発明の別の実施態様を図４Ｊに示す。図４Ｊの実施態様は、図４ＡのＣＰ２ ７０を取り除いた点を除いて、図４Ａの実施態様と同様である。より詳細には、図４Ｊに示すように、ライン６２、７１、および４２を接続するためにＣＰ２を用いずに、代わりに、ライン６２、７１、および４２を接続するためにティー継手（T fitting、またはＴ字継手）４４およびクリティカル・オリフィス（critical orifice）４３を用いている。クリティカル・オリフィス４３は、ライン４２からティー継手４４へのガス・フローを（妨げることなく）制限するように、フロー絞り（restriction、またはリストリクタ）装置として機能する。クリティカル・オリフィス４３は、幅広く様々な様式で構成され得る。例えば、オリフィス４３は、例えばライン４２および／またはティー継手４４などの他のパイプの内径に比べて、内径を狭くした領域を有して形成され得る。このため、狭い領域がガスのフロー（または流れ）をそらさせる。例えば、ＣＢＶ４０が開状態にされると、ライン３４からＣＢＶ４０へ流れるガスは、オリフィス４３の絞り作用のため、ライン４２およびオリフィス４３を通る流れに比べてより多くの量で、優先的にＣＢＶ４０を出てライン４１を通って流れる。以下に示すように、オリフィス４３の使用により、図４Ｂ〜４Ｉに示すものと同様のガス・フロー・パターンを１つ少ないバルブを用いながら形成することができる。

１つの実施態様においては、オリフィス４３は、ライン４２とティー継手４４とを接続するＶＣＲ継手を用いることにより形成され得る。ＶＣＲ継手は、ライン４２およびティー継手４４の内径に比べてより狭い開口部を有する継手の内部にガスケットを有し得る。例えば、ライン４２が０．１８インチの内径を有する１／４インチのパイプで構成され得るのに対して、オリフィスは、１／３２インチまたは１／１６インチの開口部直径を有し得る。このような直径の割合のために、マニホールド・システムの他の部分に比べてオリフィスを通るフローが絞られる（または制限される）ことになる。以下に示すように、オリフィスを通るガス・フローは、キャニスタを加圧する工程の間、例えば化学物質がキャニスタを出て化学物質の送供箇所へ押し出されるときなどに用いられる。従って、オリフィスの適切な寸法は、マニホールド・システムと共に用いるキャニスタの寸法、および／または所望の化学物質流量に依存し得る。使用の際、本発明のマニホールドは以下のようにして操作され得る。化学物質をキャニスタ１０４から出して給送箇所へ押し出すために、加圧ガスをシステムに、およびキャニスタに入れるように、マニホールドにあるバルブを適切に開状態および閉状態にする。図４Ｂにおいて、点線２２０はキャニスタ１０４に入る加圧ガスの経路を図示し、点線２２１はディップ・チューブ９１を通ってキャニスタ１０４から出ていく液体化学物質の経路を示す。従って、ソース（図示せず）からの加圧ガスはレギュレータ３２によりライン３１へ放出される。その後、ガスは開状態のＣＧＩ３０を通り、次いでライン３３、ＦＬＩ４５、ＣＢＶ４０、ライン４２、開状態のＣＰ２ ７０、ライン７１、およびＣＩ９０を通ってキャニスタ１０４へ入る。流入ガスの圧力により、液体化学物質はディップ・チューブを上昇し、ＣＯ９２、ライン５２、ＰＬＩ５０および出口ライン１１０を通って受け入れ箇所（例えばＣＶＤプロセス・ツール）へ送られる。

使用の際、図４Ｊ〜４Ｒのマニホールドは以下のようにして操作され得る。化学物質をキャニスタ１０４から出して給送箇所へ押し出すために、加圧ガスをシステムに、およびキャニスタに入れるように、マニホールドにあるバルブを適切に開状態および閉状態にする。図４Ｋにおいて、点線３２０はキャニスタ１０４に入る加圧ガスの経路を図示し、点線３２１はディップ・チューブ９１を通ってキャニスタ１０４から出ていく液体化学物質の経路を示す。従って、ソース（図示せず）からの加圧ガスはレギュレータ３２によりライン３１へ放出される。その後、ガスは開状態のＣＧＩ３０を通り、次いでライン３３、ＦＬＩ４５、ＣＢＶ４０、ライン４２、オリフィス４３、ティー継手４４、ライン７１、およびＣＩ９０を通ってキャニスタ１０４へ入る。流入ガスの圧力により、液体化学物質はディップ・チューブを上昇し、ＣＯ９２、ライン５２、ＰＬＩ５０および出口ライン１１０を通って受け入れ箇所（例えばＣＶＤプロセス・ツール）へ送られる。

供給キャニスタが（満杯（フル）のキャニスタであっても）取り替えられる場合、マニホールドから残留化学物質を除去するようにラインがパージされ得る。マニホールドから残留化学物質を除去するための第１工程は、真空引き工程およびフローイング・パージ工程を各々含むサイクル・パージ工程である。サイクル・パージは、真空引きおよびフローイング・パージを交互に繰り返して実施することを含み得る。１つの真空引き工程を図４Ｌを参照しながら以下に説明し、１つのフローイング・パージ工程を図４Ｍを参照しながら以下に説明する。真空引き工程は、図４Ｌに点線３５０で示す配置を通ることを含む様々な方法で実施され得る。従って、１つの実施態様では、ＶＧＳ１０を開状態にすることによりライン１１および１２を通って真空源１４にガスが入るときに、ライン１３を通して排気管へ真空が引かれ、よってライン１５、１６、６３、６２、４２、３４、３３、７１、および７３に真空が引かれるように、ＬＰＶ６０が開状態にされる。

図４Ｍには、真空ライン乾燥化サイクル・パージのフローイング・パージが図示される。図４Ｍでは、レギュレータ３２により、加圧ガスがライン３１に入れられる。ＣＧＩ３０およびＬＰＶ６０が開状態にされると、図４Ｍに点線３６０にて示すように、ガスがライン３１、３３、３４、４２、７１、７３、６２、６３、１６、１５、および１３を通って流れ、よって、マニホールドをパージする。

次に、キャニスタ１０４での頭部圧力を取り除くために、減圧化工程を実施する。例えば、減圧化を起こさせ得る手順を図４Ｎに示す。１つの減圧化方法では、点線３３０にて示すように、ライン１３を通って排気管へ出る流れにより真空が生じるように、ＶＧＳ１０を開状態にすることにより、ガスがライン１１からライン１２を通って真空源１４に入る。ソース１４にて生じた真空は、ライン１５、ライン１６、開状態のＬＰＶ６０を通って、ライン６３、ＬＷＯ６１を通って、ライン６２、ティー継手４４、オリフィス４３、ライン４２、ライン３４、ライン３３、ライン７１、および開状態のＣＩ９０を真空に引き、これにより、キャニスタ１０４のヘッドスペースを真空に引く。

減圧化の後、液体ライン（接合部）を浄化するために液体ドレンが実施される。よって、図４Ｏでは、レギュレータ３２を通ってライン３１にガスが導入される。ガスがライン３１、３３、３４、４１、５２、ライン４２、オリフィス４３、ティー継手４４、ライン７１、およびライン７３を通って流れるように、液体化学物質がキャニスタ１０４に戻されるように、ＣＧＩ３０、ＣＢＶ４０、およびＣＯ９２が開状態にされる。ライン・ドレンの間のガスの流れが点線３４０にて示される。

液体ドレンの後、フラッシュ液体パージが実施される。図４Ｐに示すように、フラッシュ液体がフラッシュ液体入口１１６より導入される。ＦＬＩ４５、ＣＢＶ４０、およびＣＯ９２の一部を開状態にすることにより、フラッシュ液体がマニホールドの出口の全濡れ表面領域をパージする。よって、点線３７０にて示すように、ライン３４、４１、５２、７３、７１、４２、および６２を通ってフラッシュ液体が流れる。更に、ＬＷＯ６１が開状態にされて、フラッシュ液体が廃棄物出口１１８を通ってマニホールド１０２を出る。

液体パージの後、真空引き工程およびフローイング・パージ工程を各々含むキャニスタ除去サイクル・パージが実施される。このサイクル・パージは、フラッシュ液体パージ工程の後に残留しているあらゆる残留溶媒蒸気を除去する。真空引き工程を図４Ｑに点線３８０にて示す。従って、１つの実施態様では、ＶＧＳ１０を開状態にすることによりライン１１および１２を通って真空源１４にガスが入るときに、ライン１３を通して排気管へ真空が引かれ、よってライン１５、１６、６３、６２、７１、７３、５２、４１、４２、３４、および３３に真空が引かれるように、ＬＰＶ６０、ＣＯ９２の一部、およびＣＢＶ４０が開状態にされる。

図４Ｒにおいては、フローイング・パージがキャニスタ除去サイクル・パージの一部分として実施される。図４Ｒでは、レギュレータ３２により、加圧ガスがライン３１に入れられる。ＣＧＩ３０、ＣＢＶ４０、ＣＯ９２の一部、およびＬＰＶ６０を開状態にすることにより、図４Ｒに点線３９０にて示すように、ガスがライン３１、３３、３４、４１、４２、５２、７３、７１、６２、６３、１６、１５、および１３を通って流れ、よって、マニホールドをパージする。

図５〜７は、複合化パージ技術を用いる化学物質デリバリー・システムを形成する様々な更なる構成を図示する。図５〜７の技術は、例えば図４Ａまたは図４Ｊなどのようなマニホールドのバルブ構成（または配置）と共に用いられ得る。図５Ａ〜５Ｍは、中レベル真空、フローイング・パージ、および液体フラッシュ・パージを用いるデュアル・タンク非補充可能デリバリー・システムを図示する。そのような構成は、本明細書に記載の幅広く様々な化学物質に対して使用され得る。例えば、１つの実施態様においては、図５Ａ〜５Ｍの構成は、液体ＢＳＴデリバリー・システムに利用され得る。

図５Ａのシステムについての例示的なパージ・シーケンスを図５Ｂ〜５Ｍに示す。図４Ｂ〜４Ｉと同様に、真空、ガス、または液体のフローを示すために図５〜７において点線を用いる。同様に、例えばＦＬＩ、ＶＧＳ、ＬＰＶ、ＣＧＩ、ＣＢＶ、ＰＬＩ、ＣＰ２、ＣＯ、ＣＩおよびＬＷＯバルブ（用いる場合）などの図５〜７で共通するバルブには、図４Ａ〜４Ｉと同様の用語を付すものとする。更に、デュアル・キャニスタ・システムにて更なるキャニスタを用いる場合、第１キャニスタおよび第２キャニスタに接続されたマニホールドの一部を各々指すために、バルブの参照用語の最後に数字１および２を追加するものとする。従って、例えば、図５Ａに示すように、２つのＣＯバルブ、ＣＯ１およびＣＯ２が、第１および第２化学物質キャニスタに各々接続されて設けられ、また、他のバルブについても同様である。図５Ａに示すように、化学物質デリバリー・システム５００は第１化学物質ソース・キャニスタ５０２および第２化学物質ソース・キャニスタ５０４を含み得る。また、液体フラッシュ・ソース５０６（例えば溶媒を含むキャニスタ）および液体フラッシュ廃棄物コンテナ５０８（例えばキャニスタ）も備えられる。第１ソース・キャニスタ５０２に関連付け（または接続）されているのは、バルブＦＬＩ１、ＣＧＩ１、ＣＢＶ１、ＣＰ２−１、ＣＩ１、ＣＯ１、ＬＷＯ１、ＬＰＶ１、およびＰＬＩ１であり、これらは図４Ａを参照して説明したものと同様に接続される。更なるバルブＳＰＶ１およびＳＶＳ１も、図５Ａに示すようにソース・キャニスタ５０２に関連付けされる。バルブＦＬＩ２、ＣＧＩ２、ＣＢＶ２、ＣＰ２−２、ＣＩ２、ＣＯ２、ＬＷＯ２、ＬＰＶ２、ＰＬＩ２、ＳＰＶ２、およびＳＶＳ２の同様の組が第２ソース・キャニスタ５０４に関連付けされる。各キャニスタ５０２および５０４に関連付けされたバルブは、化学物質デリバリー・システム５００の２つまたはそれ以上の別個マニホールドに含まれ得、または単一（またはシングル）のマニホールドに含まれ得る。

また図５Ａに示すように、液体フラッシュ・ソース５０６がバルブＳＣ１〜ＳＣ６に接続され得、液体フラッシュ廃棄物キャニスタ５０８はバルブＳＷ１〜ＳＷ８に接続され得る。化学物質デリバリー・システムは、図示するように、レギュレータ（regurator（ＲＥＧ）、または調節器）５１２、フロー・リストリクタ（または流れ絞りもしくは流れ絞り弁）５１０、圧力変換器５１４、およびオーバー・プレッシャー（over-pressure、または超過圧力）チェック・バルブ５１６を更に含み得る。

化学物質デリバリー・システムの操作は図５Ｂ〜５Ｍを参照して理解することができる。図５Ｂは化学物質デリバリー・システム５００の化学物質デリバリー・ラン・モードを図示する。図５Ｂに示されるように、点線５２２は、ガス・ソース５１８から各キャニスタ５０２および５０４へのガス（例えばＨｅガスなど）のフローを示す。ガスは、点線５２４で示すように、キャニスタ５０２および５０４から各々出口１および出口２へ化学物質を押し流すために使用される。

図５Ｂのラン・モードを停止した後、図５Ｃ〜５Ｍのシーケンスのパージが実施され得る。図面に示すように、第１化学物質ソース・キャニスタ５０２に関連付けされたラインおよびバルブを参照しながらパージ・シーケンスが図示されるが、第２化学物質ソース・キャニスタに対しても同様のシーケンスが用いられ得ることが理解されよう。ラン・モードの後、ベンチュリ真空乾燥化工程およびフローイング・パージ工程から成るサイクル・パージ工程が実施され得る。ベンチュリ真空乾燥化工程が図５Ｃの点線５３０により示され、フローイング・パージ工程が図５Ｄの点線５３５により示される。サイクル・パージは繰り返して実施され得る。その後、ベンチュリ真空を用いることにより、図５Ｅに点線５４０にて示すようにしてキャニスタ減圧化が実施され得る。その後、出口ラインのライン・ドレンが、図５Ｆの点線５４５にて示すようにして実施され得る。ライン・ドレンの間、点線５４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。次に、もう１つのキャニスタ減圧化工程が、図５Ｇの点線５５０にて示すようにして実施され得る。

図５Ｈに点線５５５にて示すように液体フラッシュ・キャニスタ５０６から液体廃棄物コンテナ５０８へ溶媒を押し流すように、（点線５５３にて示すように）ガス入口５１８からガスを入れることにより、溶媒フラッシュが達成され得る。このようにして、化学物質デリバリー・システムのバルブおよびラインに残留しているソース化学物質は、溶媒液体によりフラッシュ（または洗い流し）され得る。この工程の間、点線５４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。溶媒フラッシュの後、図５Ｉの点線５６０にて示すように、ラインに残留しているあらゆる溶媒液体を液体廃棄物コンテナへドレンするように、液体ドレン工程が実施され得る。またこの工程の間にも、点線５４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。その後、図５Ｊに点線５６５にて示すようにして液体廃棄物コンテナ５０８が減圧化され得る。その後、システムのバルブおよびラインからのソース化学物質の十分なパージを得るために、図５Ｈ、５Ｉ、および５Ｊの液体フラッシュ工程を繰り返して実施し得る。

液体フラッシュ工程の後、システムは、図５Ｋおよび５Ｌに示すような真空引き工程およびフローイング・パージ工程から成るサイクル・パージによって、キャニスタ取り替え（本明細書に記載の本実施例においては第１ソースキャニスタ５０２）の準備がされ得る。図５Ｋに示されるように、点線５７０は真空引き工程を図示し、図５Ｌに示されるように、点線５７５はフローイング・パージ工程を図示する。２工程の（または二段階の）サイクル・パージ・プロセスが繰り返して実施され得る。キャニスタ交換の間、キャニスタが取り外されるが、図５Ｍに点線５８０にて示されるようにキャニスタ入口および出口に接続されるラインにおいて正の圧力およびガス・フローが保持され得る。もう１つのキャニスタを再接続した後、次いで、図５Ｋの真空引き工程およびこれに続く図５Ｌのフローイング工程から成る更なるサイクル・パージが繰り返して実施され得る。

図５Ａ〜５Ｍを参照しながら上述した実施態様は、非補充可能システム（即ち、第１化学物質ソース・キャニスタ５０２と第２化学物質ソース・キャニスタ５０４との間での補充なし）である。しかし、出口１と第２キャニスタ５０４への入口との間に補充ラインを追加することによって、補充可能システムが化学物質デリバリー・システム５００と同様にして構成され得る。このようにして、本明細書に記載の技術を補充可能デュアルキャニスタシステムにて利用できる。

本発明のまた別の実施態様を図６Ａ〜６Ｎに示す。図６Ａ〜６Ｎの実施態様は、デュアル・タンク非補充可能化学物質デリバリー・システム６００である。化学物質デリバリー・システム６００は、一方のキャニスタでの化学物質のレベルがロー（low）になったときに一方のキャニスターから次のものへ切り換えるシステムにより、化学物質ソース・キャニスタ６０２または６０４のいずれかから１種の化学物質が供給され得るように用いられ得る。図６Ａ〜６Ｎの実施態様は、例えばＴＤＥＡＴまたはＴａＥｔｈなどの液体化学物質を給送するために用いられ得る。図６Ａ〜６Ｎに示すように、本実施態様は複合化パージ技術の使用を含む。この技術は、中レベル真空（例えばベンチュリ真空源）、フローイング・パージ、フラッシュ液体パージ、および／またはハード真空を含む。例えば溶媒を含むキャニスタなどの液体フラッシュ・ソース６０６が図示するように設けられる。液体フラッシュ廃棄物は、空の化学物質ソース・キャニスタ６０２または６０４（即ち、取り替えられるキャニスタ）内に処理され得る。あるいは、図５Ａに示されるような専用の液体フラッシュ廃棄物キャニスタが用いられ得る。あるいはまた、液体廃棄物はハード真空へとフラッシュされ得る。以下により詳細に説明するように、プロセス・ライン・ドレン・リザーバ６０８へのプロセス・ラインのドレンを支援するように、フラッシュ液体パージをオプションとして用いることもできる。

第１ソース・キャニスタ６０２に関連付けされているのは、バルブＦＬＩ１、ＣＧＩ１、ＣＢＶ１、ＣＰ２−１、ＣＩ１、ＣＯ１、ＬＰＶ１、ＬＷＯ１、ＳＶＳ１、およびＰＬＩ１であり、これらは図５Ａを参照して説明したものと同様に接続される。バルブＦＬＩ２、ＣＧＩ２、ＣＢＶ２、ＣＰ２−２、ＣＩ２、ＣＯ２、ＬＰＶ２、ＰＬＩ２、ＬＷＯ２、およびＳＶＳ２の同様の組が第２ソース・キャニスタ６０４に関連付けされる。各キャニスタ６０２および６０４に関連付けされたバルブは、化学物質デリバリー・システム６００の２つまたはそれ以上の別個マニホールドに含まれ得、または単一のマニホールドに含まれ得る。

また図６Ａに示すように、液体フラッシュ・ソース６０６がバルブＳＣ１〜ＳＣ５に接続され得る。化学物質デリバリー・システムは、図示するように、レギュレータ（ＲＥＧ）６１２、圧力変換器６１４、不活性ガス・ソース６１８（例えばヘリウムなど）およびオーバー・プレッシャー・チェック・バルブ６１６を更に含み得る。プロセス・ツールに供給される液体からガス（例えばヘリウムなど）を除去するために、脱気モジュール６２４が用いられ得る。化学物質デリバリー・システム６００の様々な部分が、ハード真空接続部６２０により示されるように、ハード真空に接続され得る。また、液体化学物質をプロセス・ツールに供給する出口も備えられる。バルブＳＣ１とバルブ６２６との間のフラッシュ・ライン６２２は、図面を簡素化するために全体を図示していないが、フラッシュ・ライン６２２は１つの連続的に接続されたラインである。

化学物質デリバリー・システムの操作は図６Ｂ〜６Ｎを参照して理解することができ、これらは、第２化学物質ソースキャニスタ６０４がアイドル状態（idle、または不使用の状態）であるときに第１化学物質ソース・キャニスタ６０２から化学物質が供給されること、および第１化学物質ソース・キャニスタ６０２が交換されるときに実施される工程を図示する。図６Ｂは化学物質デリバリー・システム６００の化学物質デリバリー・ラン・モードを図示する。図６Ｂに示されるように、点線６２８は、ガス・ソース６１８からキャニスタ６０２へのガス（例えばＨｅガスなど）のフローを示す。ガスは、点線６２９で示すように、キャニスタ６０２から出口−１および出口−２の出口へ化学物質を押し流すために使用される。２つまたはそれ以上の出口を用いることにより、単一の化学物質キャニスタから２つまたはそれ以上のプロセス・ツールへ化学物質を供給することができる。従って、化学物質出口は、多分枝（multi-branch）出口構成として構成される。更に、出口−１および出口−２への化学物質の供給は、各々バルブＣＣ−１およびＣＣ−２により個々に制御され得る。従って、化学物質は両方の出口から同時に、あるいは出口−１だけから、または出口−２だけから供給され得る。バルブＯ−１およびＯ−２は、通常の操作の間は開状態のままにされるマニュアル（manual、または手動式）バルブであり得る。

図６Ｂのラン・モードを停止した後、図６Ｃ〜６Ｎのシーケンスのパージが実施され得る。一方のキャニスタに関連付けされたラインおよびバルブをパージしているときに、他方のキャニスタをラン・モードで操作し得る。図面に示すように、第１化学物質ソース・キャニスタ６０２に関連付けされたラインおよびバルブを参照しながらパージ・シーケンスが図示されるが、第２化学物質ソース・キャニスタに対しても同様のシーケンスが用いられ得ることが理解されよう。第１化学物質ソース・キャニスタ６０２のラン・モードを停止した後、ベンチュリ真空乾燥化工程およびフローイング・パージ工程から成るサイクル・パージ工程が実施され得る。ベンチュリ真空乾燥化工程が図６Ｃの点線６３０により示され、フローイング・パージ工程が図６Ｄの点線６３５により示される。サイクル・パージは繰り返して実施され得る。その後、ベンチュリ真空を用いることにより、図６Ｅに点線６４０にて示すようにしてキャニスタ減圧化が実施され得る。その後、出口ラインのライン・ドレンが、図６Ｆの点線６４５にて示すようにして実施され得る。ライン・ドレンの間、点線６４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。次に、もう１つのキャニスタ減圧化工程が、図６Ｇの点線６５０にて示すようにして実施され得る。

図６Ｈに点線６５５にて示すように液体フラッシュ・キャニスタ６０６から化学物質ソース・コンテナ６０２へ溶媒を押し流すように、（点線６５３にて示すように）ガス入口６１８からガスを入れることにより、溶媒フラッシュが達成され得る。このようにして、化学物質デリバリー・システムのバルブおよびラインに残留しているソース化学物質は、溶媒液体によりフラッシュされ得る。この工程の間、点線６４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。溶媒フラッシュの後、図６Ｉの点線６６０にて示すようにして、ラインに残留しているあらゆる溶媒液体を液体廃棄物コンテナへドレンするように、液体ドレン工程が実施され得る。またこの工程の間にも、点線６４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。その後、システムのバルブおよびラインからのソース化学物質の十分なパージを得るために、図６Ｇ、６Ｈ、および６Ｉの工程を繰り返して実施し得る。

あるいは、図６Ｈおよび６Ｉの工程よりもむしろ、液体廃棄物はハード真空源へとフラッシュされ得る。従って、図６Ｊの工程が図６Ｈの工程の代わりに用いられ得る。図６Ｊに点線６５６にて示されるように、液体フラッシュ・キャニスタ６０６からの溶媒は、（図６Ｈに示されるように化学物質ソース・キャニスタよりもむしろ）ハード真空接続部６２０へとフラッシュされ得る。図６Ｊの溶媒フラッシュの後、図６Ｋの点線６６１にて示すように、ラインに残留しているあらゆる溶媒液体を液体廃棄物コンテナへドレンするように、液体ドレン工程が実施され得る。またこの工程の間にも、点線６４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。その後、システムのバルブおよびラインからのソース化学物質の十分なパージを得るために、図６Ｇ、６Ｋ、および６Ｊの工程を繰り返して実施し得る。

液体フラッシュ工程の後、システムは、図６Ｌおよび６Ｍに示すような真空引き工程およびフローイング・パージ工程から成るサイクル・パージによって、キャニスタ取り替え（本明細書に記載の本実施例においては第１ソースキャニスタ６０２）の準備がされ得る。図６Ｌに示されるように、点線５７０は真空引き工程を図示し、図６Ｍに示されるように、点線５７５はフローイング・パージ工程を図示する。２工程のサイクル・パージ・プロセスが繰り返して実施され得る。キャニスタ交換の間、キャニスタが取り外されるが、図６Ｎに点線５８０にて示されるようにキャニスタ入口および出口に接続されるラインにおいて正の圧力およびガス・フローが保持され得る。もう１つのキャニスタを再接続した後、次いで、図６Ｌの真空引き工程およびこれに続く図６Ｍのフローイング工程から成る更なるサイクル・パージが繰り返して実施され得る。

出口（出口−１および出口−２）とプロセス・ツールとの間に接続されたプロセス・ラインをフラッシュするのに用いるための液体フラッシュを提供するように、フラッシュ・ライン６２２が用いられ得る。従って、液体フラッシュ・キャニスタ６０６からバルブ６２６を通してフラッシュ・ライン６２２へと液体溶媒が供給され得、これにより、ソース化学物質キャニスタから供給される化学物質と接触する（または曝される）他方のラインをフラッシュするように、上述の技術と同様にして、プロセス・ラインが液体溶媒によりフラッシュされ得る。プロセス・ライン・ドレンからの廃棄物は、プロセス・ライン・ドレン・リザーバ６０８へと供給され得る。リザーバ６０８は、化学物質デリバリー・システムを収容するキャビネットに格納されてよく、または収容されなくてよい。別の実施態様においては、リザーバ６０８は用いられなくてよいが、図６Ｊおよび６Ｋを参照しながら説明した技術と同様にして、液体廃棄物がハード真空接続部へ供給され得る。従って、液体廃棄物は、バルブ６２６に近接して配置されたハード真空接続部６２０を通して処理され得る。どちらの場合においても、真空引き、不活性ガスのフローイング、および液体フラッシュ技術を含む複合化パージ技術が、プロセス・ラインおよび関連付けられたバルブをパージするために用いられ得る。

プロセス・ラインをドレンおよびフラッシュするプロセスは、図６Ａを参照してより詳細に理解され得るであろう。ドレンおよびフラッシュするプロセスを、本明細書では出口−１を参照しながら説明する（従って、この実施例ではバルブＯ−１が開状態とされる）が、出口−２とプロセス・ツールとの間のプロセス・ラインをドレンするために同様のプロセスを用い得ることが理解されるであろう。更に、出口−１を参照しながら本明細書に記載されるドレンおよびフラッシュするプロセスは、出口−２を通して化学物質を供給しているときに実施され得、逆もまた同様である。従って、出口の１つの枝（branch）は、他方の枝がプロセス・ツールに化学物質を供給するようになおも作動しているときにパージされ得る。

プロセス・ラインのドレンおよびフラッシュを初期化するように、プロセス・ライン・ドレン・リザーバ６０８は、ハード真空接続部６２０を用い、ＰＶ−ＩＳＯおよびＣＩ−ＤＲを開状態にすることにより減圧化され得る。その後、ＣＯ−ＤＲおよびＭＤＶバルブを開状態にすることにより、プロセス・ライン・ドレン・リザーバ出口ラインが開放され得る。次に、バルブＭＰ−１が開状態にされると、プロセス・ツールへのラインが真空下に置かれ、液体がリザーバへドレンされる。プロセス・ラインが真空下に置かれた後、次の工程は、プロセス・ツールから出口−１、ＣＣ−１、ＭＰ−１、ＭＤＶのバルブを通し、バルブＣＯ−ＤＲを通してプロセス・ライン・ドレン・リザーバへと（プロセス・ツールにより供給される）不活性ガスを流すことである。このフローイング・パージ工程は、プロセス・ラインにあるあらゆる流体をリザーバ６０８へと押し流す。真空引きおよび不活性ガス押出し工程の複合化サイクルが実施され得る。

次に、バルブＭＰ−１が閉状態にされて、バルブＰＶ−ＩＳＯおよびＣＩ−ＤＲを開状態にすることによってもう１つのキャニスタの減圧化が実施される。減圧化の後、バルブＰＶ−ＩＳＯおよびＣＩ−ＤＲが閉状態にされ得る。その後、バルブＰ−ＩＳＯ、ＰＣＲ、ＭＤＶおよびＣＯ−ＤＲを開状態にすることによって、不活性ガス・ソースを用いて、バルブＭＰ−２とＭＰ−１との間のラインにあるあらゆる液体をドレン・リザーバへ押し流し得る。

次に、ハード真空およびこれに続く液体フラッシュを繰り返して実施し得る。まず、バルブＰＶ−ＩＳＯ、ＦＰ３−ＤＲ、ＭＤＶ、およびＭＰ−１を開状態にすることにより、プロセス・ラインがハード真空下に置かれ得る。ハード真空を停止した後、バルブＰＳＶ、ＰＣＲ、およびＭＰ−１を開状態にすることにより、プロセス・ラインが液体フラッシュに供され得る。これにより、フラッシュ液体をプロセス・ツールに押し上げることができる。その後、ＰＳＶバルブを閉状態にし得、ＭＤＶおよびＣＯ−ＤＲバルブを開状態にすることにより、プロセス・ラインにある液体をドレン・リザーバ６０８へドレンさせることができる。次いで、これらのハード真空および液体フラッシュ工程が（例えば３〜５サイクル）繰り返され得る。

従って、多分枝出口およびリザーバと関連付けられたバルブおよびライン（バルブＯ−１、Ｏ−２、ＣＣ−１、ＣＣ−２、ＭＰ−１、ＭＰ−２、ＰＣＲ、ＭＤＶ、ＨＥ−ＤＲ、Ｐ−ＩＳＯ、ＰＳＶ、ＰＶ−ＩＳＯおよび関連付けられたラインであって、これらは集合的に分配または出口マニホールドと呼ばれ得る）は、複合化パージ技術を用いてパージされ得る。従って、化学物質供給キャニスタと関連付けられたパージ・バルブを参照しながら説明される複合化パージ技術の使用が、化学物質デリバリー・システムの他のバルブをパージするのに使用するのにも有益であることが理解されよう。供給キャニスタと関連付けられるバルブと共に用いられる場合、複合化パージ技術は、キャニスタの交換やキャニスタの補充などの間に起こり得る汚染を制限するという利点を提供し得る。多分枝出口（分配マニホールド）と関連付けられるバルブと共に用いられる場合、複合化パージ技術は、プロセス・ラインがラインから取り除かれるとき、および／またはプロセス・ラインの使用のスタート・アップ（または始動）の間に起こり得る汚染を制限するという利点を提供し得る。更に、他方の枝（例えば出口−２）が化学物質をまだ供給しているときに、出口の一方の枝（例えば出口−１）に対して複合化パージ技術が用いられ得、また逆も同様である。従って、汚染を制限する複合化パージ技術を使用することは、キャニスタ・マニホールド（所定のキャニスタに関連付けされたバルブ）および分配マニホールドに対して有用である。本明細書において別個のマニホールドとして記載するが、キャニスタ・マニホールドおよび分配・マニホールドは、図６Ａのいくつかまたは全てのバルブを含むより大きなマニホールドの一部（sub-part）として考えられ得ることが理解されよう。

本発明のまた別の更なる実施態様を図７Ａ〜７Ｍに示す。図７Ａ〜７Ｍの実施態様は、デュアル・タンク補充化学物質デリバリー・システム７００である。図７Ａ〜７Ｍの実施態様は、例えばＴＤＥＡＴなどの液体化学物質を給送するために用いられ得る。図７Ａ〜７Ｍに示すように、本実施態様は複合化パージ技術の使用を含む。この技術は、中レベル真空、フローイング・パージ、およびハード真空を含む。以下により詳細に説明するように、プロセス・ラインのドレンを支援するように、本実施態様と共に液体フラッシュをオプションとして用いることもできる。オプションの液体フラッシュは、プロセス・ラインの長さが長いことおよびその寸法のために、中レベル真空、フローイング・パージおよびハード真空しか使用できない場合に、例えばＴＤＥＡＴなどの蒸気圧の非常に低い化学物質のためのそのようなプロセス・ラインを適切にパージすることが妨げられ得る際に有利であり得る。プロセス・ラインのパージが不十分である場合、フラッシュ液体パージがパージ・プロセスを完成させる。

図７Ａの化学物質デリバリー・システム７００は、プロセス・キャニスタ７０４（例えば４リットルのキャニスタ）からプロセス・ツールへ１種の化学物質を供給し得るように用いられ得る。プロセス・キャニスタ７０４はバルク・キャニスタ７０２（例えば５ガロンのキャニスタ）から補充され得る。システムは、バルク・キャニスタの化学物質のレベルがローになったときにバルク・キャニスタ７０２を取り除き、交換することができるように構成される。また、システムには、プロセス・ライン・ドレン・リザーバ７０８、液体フラッシュ入口７０５（これは、ユーザーの設備の溶媒ライン、または上述のものと同様の溶媒を含むキャニスタに接続され得る）、およびハード真空源（例えばプロセス・ツールのハード真空）に接続されるハード真空接続部７２０も含まれる。バルク・キャニスタ７０２に関連付けされているのは、バルブＣＧＩ−Ｌ、ＣＢＶ−Ｌ、ＣＰ２−Ｌ、ＣＩ−Ｌ、ＣＯ−Ｌ、ＬＰＶ−Ｌ、およびＰＬＩ−Ｌであり、プロセス・キャニスタ７０４に関連付けされているのは、バルブＣＧＩ−Ｒ、ＣＢＶ−Ｒ、ＣＰ２−Ｒ、ＣＩ−Ｒ、ＣＯ−Ｒ、ＬＰＶ−Ｒ、およびＰＬＩ−Ｒである（図７Ａ〜７Ｍに用いられるように、「−Ｌ」はバルク・キャニスタに関連付けられるバルブを示し、「−Ｒ」はプロセス・キャニスタに関連付けられるバルブを示す）。バルブＨＶＩは、図示するようにハード真空７２０に接続され、バルブＶＧＩはＶＧＳバルブに接続される。様々なバルブが、化学物質デリバリー・システム７００の２つまたはそれ以上の別個マニホールドに含まれ得、または単一のマニホールドに含まれ得る。化学物質デリバリー・システムは、図示するように、レギュレータ（ＲＥＧ）７１２、圧力変換器７１４、不活性ガス・ソース７１８（例えばヘリウムなど）およびオーバー・プレッシャー・チェック・バルブ７１６を更に含み得る。プロセス・ツールに供給される液体からガス（例えばヘリウムなど）を除去するために、脱気モジュール７２４が用いられ得る。化学物質デリバリー・システム７００の様々な部分が、ハード真空接続部７２０により示されるように、ハード真空に接続され得る。出口１および出口２は、図６Ｂを参照しながら上述したものと同様の多分枝出口構成において液体化学物質をプロセス・ツールに供給する。

補充工程を図７Ｂに図示する。図７Ｂに図示するように、点線７３０にて示されるガス・フローは、点線７３２にて示されるようにバルク・キャニスタ７０２からプロセス・キャニスタ７０４へと化学物質を押し流す。図７Ｃは化学物質デリバリー・システム７００の化学物質デリバリー・ラン・モードを図示する。図７Ｃに示されるように、点線７２８は、ガス・ソース７１８からキャニスタ７０４へのガス（例えばＨｅガスなど）のフローを示す。ガスは、点線７２９で示すように、キャニスタ７０４から出口−１および出口−２へ化学物質を押し流すために使用される。

バルク・キャニスタ７０２の取り替えが望まれる場合、図７Ｄ〜７Ｍのシーケンスのパージが実施され得る。システムが、図７Ｃに点線７２８および７２９にて示すように、プロセス・キャニスタ７０４からプロセス・ツールへ化学物質を給送しているときに、図７Ｄ〜７Ｍのパージ技術を実施し得る。従って、図７Ｄ〜７Ｍには図示しないが、図７Ｃに点線７２８および７２９にて示されるガスおよび化学物質のフローが、それらの図面の各工程において存在し得る。パージが望まれる場合、ベンチュリ真空乾燥化工程およびフローイング・パージ工程から成るサイクル・パージ工程が実施され得る。ベンチュリ真空乾燥化工程が図７Ｄの点線７３１により示され、フローイング・パージ工程が図７Ｅの点線７３５により示される。サイクル・パージは繰り返して実施され得る。その後、ベンチュリ真空を用いることにより、図７Ｆに点線７４０にて示すようにしてキャニスタ減圧化が実施され得る。その後、出口ラインのライン・ドレンが、図７Ｇの点線７４５にて示すようにして実施され得る。ライン・ドレンの間、点線７４７にて示すように、システムの一部が真空下に維持され得る。次に、もう１つのキャニスタ減圧化工程が、図７Ｈの点線７５０にて示すようにして実施され得る。

その後、システムは、図７Ｉの点線７５５にて示されるように、ベンチュリ真空引きをまず実施することによって、ハード真空パージの準備がされ得る。次いで、図７Ｊの点線７６０にて示すように、ハード真空パージを実施し得る。システムをハード真空に供した後、図７Ｋに点線７８０にて示されるようにキャニスタ入口および出口に接続されるラインにおいて正の圧力およびガス・フローが保持され得、キャニスタ７０２がシステムから取り外される。もう１つのキャニスタ７０２を再接続した後、図７Ｌの点線７８２にて示されるベンチュリ真空引き工程が、続いて図７Ｍの点線７８４にて示される加圧工程が実施され得る。その後、図７Ｌおよび７Ｍの真空引きおよび加圧工程は、図７Ｌに示されるようなベンチュリ真空引き工程にて終了するサイクルで、繰り返して実施され得る。最終的には、図７Ｊの点線７６０にて示されるハード真空引き工程が実施され得る。この時点で、新たなバルク・キャニスタ７０２を用いるようにシステムが準備される。

システム６００について上述したのと同様に、プロセス・ラインの液体パージが可能なように、図７Ａのシステム７００にフラッシュ入口７０５が備えられる。プロセス・ラインの液体・パージによる廃棄物は、本明細書中に記載されるような技術を用いてプロセス・ライン・ドレン・リザーバに回収され得る。プロセス・ライン・ドレン・リザーバ７０８は、システム７００の残り（rest）として同じキャビネット内に配置されてよく、または配置されなくてよい。更にシステム６００と同様に、出口−１のドレンおよびフラッシュするプロセスは、出口−２を通して化学物質を供給しているときに実施され得、逆もまた同様である。従って、出口の１つの枝は、他方の枝がプロセス・ツールに化学物質を供給するようになおも作動しているときにパージされ得る。更に、図６Ａを参照しながら上述したのと同様に、出口のパージは、本発明の複合化技術パージ（例えば真空パージ、フローイング・ガス・パージ、および液体フラッシュ・パージを含む）の利点が得られる。

本発明の化学物質デリバリー・システムを収容するキャビネットは、幅広く様々な方法で構成され得る。例示的なキャビネット構成が米国特許第５，７１１，３５４号公報および１９９８年８月２８日に提出され、係属中である出願番号第０９／１４１，８６５号に示され、これらの開示内容は引用することにより本明細書に明示的に組み込まれる。図８は、概略的な化学物質デリバリー・システム・キャビネット１０００を示す。図８に示されるように、キャビネットには複数のキャビネット壁が含まれる。壁には、内部のキャビネット空間を規定する側部、上部および底部が含まれ得る。１つの実施態様においては、キャビネットは、有害な爆発性の環境において使用するのに適するように構成され得る。概略的には、このことは、不活性ガスで覆われた領域に全ての電子部品を隔離することにより実現される。この方法によれば、電子部品から放出されるスパークは、本質的に酸素のない環境に存在することになり、よって、キャビネット内に存在し得る蒸気による爆発の危険性を著しく低減する。

上述の化学物質のいくつかは室温またはその近傍の温度にて結晶化するので、キャビネット１０００の内部の環境の温度制御を提供することが望ましい。従って、例えば、所望のキャビネット温度は、ＴａＥｔｈに対しては摂氏３０度程度の内部温度に維持され得る。更に、キャビネットを加熱することにより、マニホールド・ラインからの化学物質の蒸発が促進され得、よって、マニホールドにおける化学物質のパージを改良し得る。

１つの実施態様においては、キャビネットの少なくとも１つのドアに加熱要素（element、または部材）を取り付けることによりキャビネットを加熱し得る。加熱要素と共に用いるのに適したドアを図９Ａおよび９Ｂに示す。図９Ａに示されるように、ドア１００３には空気ベント（または排気口）１００４およびヒータ・インターフェース（またはヒータ接続部）１００６が含まれ得る。概略的には、安全性への配慮から排気ラインをキャビネットの外に排気することにより、例えば空気ベント１００４などのベントを通ってキャビネットに入る空気の正の流れが、（ヒータの使用とは別に）維持される。

図９Ｂにより詳細に示されるように、ヒータ・インターフェース１００６は、ドア１００３の窪み部に設けられた後部壁（back wall）１００８を有する凹状（または窪んだ）キャビティ（または空洞）であり得る。ヒータ・インターフェース１００６内には、平坦なヒータ要素（例えば８×１８インチの平坦な電気シリコン・ヒータなど）をヒータ・インタフェース後部壁１００８に取り付け得る。ヒータ・インターフェース１００６は、ドアのキャビティに配置されるアルミニウム挿入物（またはインサート）として形成され得る。アルミニウムまたは熱を伝達し得る他のいずれの材料を使用しても、ヒータ・インターフェースからキャビネットの内側へ熱を伝達する。このようにヒータ要素を配置することにより、キャビネットの前部からヒータへのアクセスを簡便に可能にし、キャビネット内のあらゆる爆発性ガスからヒーターを隔離することを支援する。図示しないが、ヒータ要素および最終使用者（またはエンド・ユーザ）を保護するように、ヒータ・インターフェース１００６を覆ってカバーが配置され得る。

また、ヒータ要素からキャビネットへの伝熱は、空気ベント１００４、フィン１０１０、およびフィン１０１０の上方の空気のフローを一箇所に集めるように働く空気フロー構造体１０１２を使用することによっても支援される。従って、構造体１０１２およびヒータは、空気のフローの制限（または規制）された通路を形成するように働く。ヒータ・インターフェース後部壁１００８に取り付けられたアルミニウム・フィン１０１０は、伝熱を向上させるため、金属表面積を増加させるように機能する。空気フロー構造体１０１２は、（空気フロー矢印１０１４にて示されるように）空気ベント１００４に流入する空気を後部壁１００８およびフィン１０１０を通して流す通路を提供する。その後、暖かい空気が空気フロー矢印１０１４にて示されるようにキャビネットに入り得る。この方法によれば、キャビネットの前部ドアに接続されたヒータ要素を用いることにより、効率的でコスト面で効果的な方法でキャビネットを加熱し得る。図９Ａおよび９Ｂのヒータ・インターフェースは、ドア１００３の窪み部に設けられたキャビティとして示されるが、ヒータ・インターフェースは他の様式で構成されてよい。例えば、ヒータ・インターフェースの後部壁はドアの外側パネルに配置されてよく、よってヒータ・インタフェースおよびヒータ要素がドアの外側に突き出ていてもよい。同様に、ヒータ・インタフェースの後部壁は、後部壁をドアと面一にするように、ドアの開口部に配置されていてよい。更に、ヒータ要素は、例えば側部、後部、上部または底部などの他のキャビネット壁に同様にして接続され得る。従って、キャビネット壁の外部の要素からキャビネットへ壁を通して熱が伝導され得る。

本発明の更なる改変および別の態様は、本明細書の記載を考慮すれば当業者に明らかであろう。従って、本明細書の記載は例示的なものにすぎないものとして解釈されるべきであり、本発明を実施する方法を当業者に教示するためのものである。本明細書に示され、説明された本発明の形態は、現時点で好ましい態様として取り扱われるべきものであることが理解されるべきである。本発明のこの説明の利点を有するに至った後に当業者に明らかであるように、ここで図示され、説明された要素を、均等な要素で置き換えてもよく、本発明のある特徴を他の特徴を用いることと無関係に利用してよい。

Claims (24)

1. （ａ）真空源に接続される真空供給バルブ、（ｂ）真空供給バルブに接続される圧力ベント・バルブ、（ｃ）キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ、（ｄ）バイパス・バルブおよび供給キャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブであって、該供給キャニスタ出口ラインが供給キャニスタ出口バルブに接続される、プロセスライン遮断バルブ、および（ｅ）供給キャニスタ入口バルブとバイパス・バルブとの間に接続される供給キャニスタ入口ラインを備えるマニホールドを含む化学物質デリバリー・システムの少なくとも１つのラインまたはバルブに供給キャニスタから低蒸気圧の液体化学物質を供給すること、および
   該少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質をパージすることであって、該パージが、
   （ｉ）少なくとも１つのラインまたはバルブから供給キャニスタへと低蒸気圧の液体化学物質を押し出すように、ガスを少なくとも１つのラインまたはバルブに通して流すこと；
   （ｉｉ）前記ガスを流すことの後、液体溶媒を少なくとも１つのラインまたはバルブに通して流すことを含む液体フラッシュを行うこと；および
   （ｉｉｉ）前記液体フラッシュを行うことの後、（ａ）真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用すること、および（ｂ）不活性ガスを少なくとも１つのラインまたはバルブに通して流すことを含むフローイング・ガス・パージを行うことのうち少なくとも一方を実施すること
   を含む少なくとも３つの異なるパージ技術の使用を含むことを含む方法。
2. 前記マニホールドは、キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブであって、液体フラッシュ・ソースに接続されるフラッシュ入口バルブを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記液体フラッシュを行うことの後、前記方法は、真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用することを含む、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記液体フラッシュを行うことの後、前記方法は、不活性ガスを少なくとも１つのラインまたはバルブに通して流すことを含むフローイング・ガス・パージを行うことを含む、請求項１または２に記載の方法。
5. 前記フローイング・ガス・パージは、真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用する工程の後に行われる、請求項１または２に記載の方法。
6. 前記フローイング・ガス・パージを行うことの後、真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用することを更に含む、請求項４または５に記載の方法。
7. 前記液体フラッシュを行うことは、該液体フラッシュにより生じる液体廃棄物を、廃棄物コンテナへと流すことを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
8. 低蒸気圧の液体化学物質が供給キャニスタから化学物質デリバリー・システムに供給され、および、供給キャニスタおよび廃棄物アウトプット・コンテナが１つの化学物質デリバリー・システム・ハウジング内に配置される、請求項７に記載の方法。
9. 前記液体フラッシュを行うことは、該液体フラッシュにより生じる液体廃棄物を、供給キャニスタへと流すことを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
10. 前記ガスを流すことの前に、真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用することを更に含む、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
11. 前記液体フラッシュを行うことの前に、真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用することを更に含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
12. 真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用することは、ベンチュリ真空源を用いる、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
13. 真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用することは、ハード真空源を用いる、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
14. 真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用することは、ベンチュリ真空源を使用し、その後にハード真空源を使用することを含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
15. 低蒸気圧の液体化学物質のための化学物質デリバリー・システムであって：
    真空源に接続される真空供給バルブ；
    真空供給バルブに接続される圧力ベント・バルブ；
    キャリア・ガス・ソースに接続されるキャリア・ガス遮断バルブ；
    バイパス・バルブおよび供給キャニスタ出口ラインに接続されるプロセス・ライン遮断バルブ；および
    供給キャニスタ入口ライン
    を含むマニホールド、ならびに
    該マニホールドの少なくとも１つのラインまたはバルブから低蒸気圧の液体化学物質を、下記：
    （ｉ）少なくとも１つのラインまたはバルブから供給キャニスタへと低蒸気圧の液体化学物質を押し出すように、ガスを少なくとも１つのラインまたはバルブに通して流すこと；
    （ｉｉ）前記ガスを流すことの後、液体溶媒を少なくとも１つのラインまたはバルブに通して流すことを含む液体フラッシュを行うこと；および
    （ｉｉｉ）前記液体フラッシュを行うことの後、（ａ）真空を少なくとも１つのラインまたはバルブに適用すること、および（ｂ）不活性ガスを少なくとも１つのラインまたはバルブに通して流すことを含むフローイング・ガス・パージを行うことのうち少なくとも一方を実施すること
    を含むパージ工程によってパージするように、該マニホールドのバルブを制御するプロセスコントローラー
    を含むシステム。
16. キャリア・ガス遮断バルブとバイパス・バルブとの間に接続されるフラッシュ入口バルブを更に含む、請求項１５に記載のシステム。
17. 低蒸気圧の液体化学物質をマニホールドに供給するように構成された、低蒸気圧の液体化学物質のための供給キャニスタを更に含む、請求項１５または１６に記載のシステム。
18. 液体フラッシュ・ソースから液体溶媒を化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部に通して流した後、廃棄物アウトプット・コンテナへと、直接液体廃棄をするように構成される、請求項１５〜１７のいずれかに記載のシステム。
19. 低蒸気圧の液体化学物質が供給キャニスタから化学物質デリバリー・システムに供給され、および、供給キャニスタおよび廃棄物アウトプット・コンテナが１つの化学物質デリバリー・システム・ハウジング内に配置される、請求項１８に記載のシステム。
20. 化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部から供給キャニスタへと低蒸気圧の液体化学物質を押し出すように、ガスを化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部に通して流すように構成される、請求項１７に記載のシステム。
21. 液体フラッシュ・ソースから液体溶媒を化学物質デリバリー・システムの少なくとも一部に通して流した後、供給キャニスタへと、直接液体廃棄をするように構成される、請求項１７に記載のシステム。
22. 真空源はベンチュリ真空源を含む、請求項１５〜２１のいずれかに記載のシステム。
23. 真空源はハード真空源を含む、請求項１５〜２１のいずれかに記載のシステム。
24. 低蒸気圧の液体化学物質を半導体プロセス・ツールに給送するように操作的に接続される、請求項１５〜２３のいずれかに記載のシステム。

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