KR100363294B1 - 프로브 접촉상태 검출방법 및 프로브 접촉상태 검출장치 - Google Patents

프로브 접촉상태 검출방법 및 프로브 접촉상태 검출장치 Download PDF

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Abstract

간단한 구성과 절차로 프로브의 접촉상태를 검출할 수 있는 프로브 접촉상태 검출방법 및 프로브 접촉상태 검출장치를 제공한다.
본 발명에 따른 프로브 접촉상태 검출장치는 절연저항 측정기와 콘덴서를 구비하고, 절연저항 측정기는 직류전원과 전류계를 가지며, 직류전원과 전류계에는 각각 측정용 프로브가 접속되어 있다. 다중 칩의 칩단자 사이의 절연저항을 측정할 때, 측정 대상인 칩단자에 절연저항 측정기의 프로브를 접촉시키고, 측정 대상인 칩단자에 대응되는 타단측의 칩단자 사이에 콘덴서를 접속시킨 상태에서, 측정 대상인 칩단자 사이의 용량을 측정하여 용량의 크기에 따라 프로브의 접촉 상태를 판별한다. 프로브의 접촉상태가 양호하다고 판단되면, 타단측에 콘덴서를 접속시킨 채로 전류계를 흐르는 전류를 통해 절연저항을 검출한다.

Description

프로브 접촉상태 검출방법 및 프로브 접촉상태 검출장치{PROBE TANGENCY DETECTING METHOD AND PROBE TANGENCY DETECTING APPARATUS}
본 출원은 1999년 8월 6일자로 일본국 특허청에 출원된 특허출원 제1999-224479호에 개시된 내용을 기초로 파리조약상의 우선권을 주장하여 이루어진 것이다.
본 발명은 복수의 칩부품이 내장된 다중 칩의 칩단자 사이의 절연저항, 또는 칩저항의 저항치를 측정하기 위하여 각 칩단자에 접촉시킨 프로브의 접촉상태를 검출하는 프로브 접촉상태 검출방법 및 프로브 접촉상태 검출장치에 관한 것이다.
전자기기가 소형화 및 경량화 됨에 따라 저항이나 콘덴서 등과 같은 복수의 칩부품이 동일 패키지에 내장된 다중 칩이 보급되고 있다. 다중 칩은, 협소한 공간에 복수의 칩부품을 수납하기 때문에 절연의 불량 등과 같은 문제가 일어나기 쉽다. 이 때문에, 다중 칩을 제조한 후에는 다중 칩 내부 칩 사이의 절연저항을 측정하여 절연이 불량한지를 검사한다.
절연저항의 측정에는 절연저항 측정기가 이용된다. 절연저항 측정기는 다중 칩 등의 측정 대상에 접촉되는 프로브와 직류전원과 전류계를 구비하며, 프로브를 측정 대상 단자에 접촉시킨 상태에서 측정 대상에 전압을 인가하고 프로브 사이에 흐르는 누설 전류(leakage current)를 측정하여 절연저항을 구한다.
이 때, 프로브가 측정 대상 단자에 확실히 접촉되어 있지 않으면, 절연저항을 고정밀도로 측정할 수 없기 때문에, 절연저항을 측정하기 전에 프로브의 접촉상태를 검출하는 것이 일반적이다.
접촉상태를 검출하는 방법으로는 다음의 ①,②의 방법이 알려져 있다.
① 측정 대상이 콘덴서인 경우, 프로브의 접촉 유무에 따라 프로브 사이의 용량(캐패시턴스)이 변화한다는 점에 주목하여 콘덴서의 용량변화를 통해 접촉상태를 검출한다.
② 프로브의 접촉 및 비접촉시의 절연저항차(또는 전류차)를 통해 접촉상태를 검출한다.
상기 ①의 방법에서는 각 칩부품의 양 단자 사이의 용량을 측정하기 때문에 원래 용량이 작은 칩부품에 대해서는 접촉을 고정밀도로 검출할 수 없다.
또, 상기 ②의 방법에서는 칩 사이의 절연저항이 원래부터 매우 큰 경우에는, 프로브의 접촉 및 비접촉시에 절연저항에 차이가 없어지기 때문에 접촉을 검출할 수 없게 된다.
이와 같이 상기 ①,②의 방법 모두 접촉을 고정밀도로 검출할 수 없다.
한편, 상기 ①,②의 방법보다 고정밀도로 접촉을 검출할 수 있는 방법으로서 도 1에 도시된 방법이 알려져 있다.
도 1은 4개의 칩 저항이 내장된 다중 칩의 단자(a, b) 사이의 절연저항을 측정하는 예이다. 단자(a, b) 사이에는 절연저항 측정기(2)의 프로브(6a, 6b)가 접촉되며, 단자(a)를 가지는 칩저항에서의 다른 단자(c)와, 단자(b)를 가지는 칩저항에서의 다른 단자(d)에는 각각 접촉 검출 회로(11)가 접속되어 있다.
절연저항 측정기(2)는 직렬 접속된 전지(4)와 전류계(5)를 구비하며, 접촉 검출 회로(11)는 직렬 접속된 저항(12)과 전환 스위치(13)를 구비한다.
우선, 전환 스위치(13)를 온(폐쇄회로)으로 하면, 절연저항 측정기(2)와 접촉 검출 회로(11)에 의해 폐쇄회로가 형성된다. 만일, 프로브(6a,6b)가 단자(a, b)에 확실히 접촉되어 있다면, 전류계(5)에는 직류전원(4)과 저항(12)에 따른 전류가 흐르게 된다. 한편, 프로브(6a,6b)와 단자(a, b)의 접촉이 불완전하다면, 그 부분에서 접촉 저항이 발생하기 때문에 전류계(5)에서 검출되는 전류가 작아진다.
이와 같이, 도 1에 도시된 회로에서는 전류계(5)에서 검출되는 전류의 크기에 따라 프로브(6a,6b)의 접촉상태를 검출할 수 있다.
도 1에 도시된 회로에 있어서, 프로브(6a,6b)의 접촉상태가 양호하다고 판단되면, 다음으로 전환 스위치(13)를 오프(개방회로)로 한다. 이로써, 접촉 검출 회로(11)는 전기적으로 분리되고, 절연저항 측정기(2) 내부의 전류계(5)에서 검출되는 전류 값에 따라 단자(a, b) 사이의 절연저항이 측정된다.
도 1에 도시된 회로는 상기 ①, ②의 방법보다 고정밀도로 프로브(6a,6b)의 접촉상태를 검출할 수 있는 반면 회로가 복잡해진다. 또한, 프로브(6a,6b)의 접촉상태를 검출할 때와 절연저항을 측정할 때, 전환 스위치(13)를 전환시켜야만 한다는 불편이 따른다.
한편, 칩저항의 저항치를 측정할 때, 각 칩단자에 접촉되는 프로브와 칩단자 사이의 접촉이 불완전한 경우에도 칩저항의 저항치를 고정밀도로 측정할 수 없다.
본 발명은, 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 간단한 구성과 절차로 프로브의 접촉상태를 검출할 수 있는 프로브 접촉상태 검출방법 및 프로브 접촉상태 검출장치를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 복수의 칩부품이 내장된 다중 칩내부의 상이한 칩부품이 각 칩단자에 각각 접촉되는 제 1 및 제 2 프로브 사이에 흐르는 전류를 검출하고, 상기 전류를 통해 상기 제 1 및 제 2 프로브가 접촉된 칩 단자 사이의 절연저항을 검출할 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브와 절연저항의 측정 대상인 칩단자 사이의 접촉이 양호한지를 검출하는 프로브 접촉상태 검출방법은,
절연저항의 측정대상인 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 제 1 및 제 2 칩단자에 관련 있는 제 3 및 제 4 칩단자 사이에 콘덴서를 접속시킨 상태에서 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스를 측정하는 단계와,
측정된 캐패시턴스의 크기에 따라 상기 제 1 및 제 2 프로브와 그에 대응되는 상기 제 1 및 제 2 칩단자의 접촉이 양호한지를 검출하는 단계를 구비한다.
또한, 복수의 칩부품이 내장된 다중 칩내부의 상이한 칩부품이 각 칩단자에 각각 접촉되는 제 1 및 제 2 프로브 사이를 흐르는 전류를 검출하고, 상기 전류를 통해 상기 제 1 및 제 2 프로브가 접촉된 칩단자 사이의 절연저항을 검출할 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브와 절연저항의 측정대상인 칩단자 사이의 접촉이 양호한 지를 검출하는 프로브 접촉상태 검출장치는,
절연저항의 측정대상인 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 제 1 및 제 2 칩단자에 관련 있는 제 3 및 제 4 칩단자 사이에 콘덴서를 접속시킨 상태에서 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스를 측정하는 캐패시턴스 측정수단과,
측정된 캐패시턴스의 크기에 따라 상기 제 1 및 제 2 프로브와 그에 대응되는 상기 제 1 및 제 2 칩단자의 접촉이 양호한지를 검출하는 접촉검출수단을 구비한다.
도 1은 종래의 프로브 접촉상태 검출장치의 일례를 나타낸 회로도,
도 2는 본 발명에 관계된 프로브 접촉상태 검출장치의 제 1 실시형태를 나타낸 회로도,
도 3은 다중 칩의 일례를 나타낸 도면,
도 4는 프로브와 콘덴서를 동일한 칩단자에 접속한 예를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명에 관계된 프로브 접촉상태 검출장치의 제 2 실시형태를 나타낸 회로도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 다중 칩 2 : 절연저항 측정기
3 : 콘덴서 4 : 직류전원
5 : 전류계
6a : 프로브 6b : 프로브
a : 단자 b : 단자
이하에서는, 본 발명에 관계된 프로브 접촉상태 검출방법 및 프로브 접촉상태 검출장치에 관하여 도면을 참조하면서 구체적으로 설명하도록 한다.
(제 1 실시형태)
도 2는 본 발명에 관계된 프로브 접촉상태 검출장치의 제 1 실시형태를 나타낸 회로도이다. 도 2의 프로브 접촉상태 검출장치는, 칩저항, 칩 콘덴서 및 페라이트 칩 등의 복수의 칩부품이 내장된 다중 칩의 칩단자 사이의 절연저항을 측정할 때 이용되는 것이다.
도 3은 다중칩(1)의 일례를 나타낸 도면으로서, 4개의 페라이트 칩이 내장된 다중 칩(1)의 예를 나타낸다. 이하에서는 도 3에 도시된 다중 칩(1)의 칩단자(a, b) 사이의 절연저항을 측정하는 예에 관하여 설명하도록 한다.
도 2에 도시된 프로브 접촉상태 검출장치는, 절연저항 측정기(2)와 콘덴서(3)를 구비한다. 절연저항 측정기(2)는 직류전원(4)과 전류계(전류 검출 수단 ; 5)를 가지며, 직류전원(4)과 전류계(5)에는 각각 측정용 프로브(6a,6b)가 접속되어 있다. 절연저항 측정기(2)는 프로브(6a, 6b)를 측정 대상인 다중 칩(1)의 칩단자에 접촉시킨 상태에서 전류계(5)에 흐르는 전류를 검출하고, 검출된 전류를 통해 절연저항을 측정한다. 또한, 도 2의 절연저항 측정기(2)는 프로브(6a,6b) 사이의 용량을 측정할 수도 있다.
절연저항 측정기(2)의 프로브(6a,6b)는 다중 칩(1)의 칩단자(a, b)에 접촉된다. 또한, 콘덴서(3)의 일단에 접속된 프로브(7a)는 칩단자(a)를 가지는 칩부품의 다른 단자(c)에 접촉되며, 콘덴서(3)의 타단에 접속된 프로브(7b)는 칩단자(b)를 가지는 칩부품의 다른 단자(d)에 접촉된다.
콘덴서(3)의 용량(캐패시턴스)은, 절연저항을 측정할 때 측정 대상에 대한 전압의 인가 시간을 가능한 짧게 하기 위하여, 절연저항 측정기(2)가 프로브(6a,6b)의 접촉을 검출할 수 있는 최소한의 값(가령, 2pF정도)으로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 콘덴서(3)는 절연성이 높고 입수가 용이한 재료로 형성하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 2에 도시된 프로브 접촉상태 검출장치의 동작에 관하여 설명하도록 한다. 다중 칩(1)의 칩단자(a, b) 사이의 절연저항을 측정할 때에는 우선, 절연저항의 측정대상인 칩단자(a, b) 사이에 절연저항 측정기(2)의 프로브(6a,6b)가 확실히 접촉되어 있는지 그 접촉 상태를 검출한다.
구체적으로는, 칩단자(a, b)에 절연저항 측정기(2)의 프로브(6a,6b)를 접촉시키는 동시에, 칩단자(a)를 가지는 칩부품의 다른 칩단자(c)에 콘덴서(3)의 일단에 접속된 프로브(7a)를 접촉시키고, 칩단자(b)를 가지는 칩부품의 다른 칩단자(d)에 콘덴서(3)의 타단에 접속된 프로브(7b)를 접촉시킨다.
이로써, 절연저항 측정기(2)와 콘덴서(3)에 의해 폐쇄회로가 형성되어 절연저항 측정기(2)내부의 직류전원(4)으로부터 콘덴서(3)를 향하여 전류가 흐르고, 콘덴서(3)에 전하가 충전된다.
이 상태에서, 절연저항 측정기(2)는 프로브(6a,6b) 사이의 용량을 측정하고, 그 용량의 크기에 따라 프로브(6a,6b)의 접촉상태를 검출한다. 구체적으로는, 칩단자(a, b)에 대한 프로브(6a,6b)의 접촉이 불완전한 경우, 절연저항 측정기(2)에 의해 측정되는 용량 값이 작아진다. 따라서, 절연저항 측정기(2)는 측정된 용량 값이 규정치 보다 크면 접촉이 양호하다고 판단하고, 작으면 접촉이 불량하다고 판단한다.
접촉이 양호하다고 판단한 경우에는, 도 2의 결선상태 그대로 전류계(5)에서 검출된 전류 값에 따라 절연저항을 연산한다. 절연저항은 (직류전원(4)의 전압) /(전류계(5)에서 검출된 전류치)로 연산된다.
이와 같이, 본 실시형태에서는 다중 칩(1)의 칩단자 사이의 절연저항을 측정할 때, 측정대상인 칩단자에 절연저항 측정기(2)의 프로브(6a,6b)를 접촉시키는 동시에, 측정대상인 칩단자에 대응되는 타단측의 칩단자 사이에 콘덴서(3)를 접속시킨 상태에서 측정대상인 칩단자 사이의 용량을 측정하기 때문에, 용량의 크기에 따라 프로브(6a,6b)의 접촉상태를 고정밀도로 측정할 수 있다.
또한, 프로브(6a,6b)의 접촉상태가 양호하다고 판단된 경우, 타단측에 접속된 콘덴서(3)를 떼어내지 않고 칩단자 사이의 절연저항을 측정할 수 있기 때문에, 도 1과 같은 전환 스위치가 불필요하여 부품비용을 절감할 수 있는 동시에 측정절차를 간략화할 수 있다.
또, 도 2에서는 측정대상인 칩단자의 타단측 칩단자에 콘덴서(3)를 접속하는예를 설명하였으나, 도 4에 도시된 바와 같이 프로브(6a,6b)와 콘덴서(3)를 동일한 칩단자에 접속하여도 무방하다.
상기한 실시형태에서는, 복수의 페라이트 칩이 내장된 다중 칩(1)을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 각종 다중 칩(1)에 적용가능하며 다중 칩(1)의 형상도 도 3에 도시된 것에 한정되지 않는다.
(제 2 실시형태)
제 2 실시형태에서는, 칩저항의 양단에 프로브를 접촉시켜 저항치를 측정할 때, 프로브가 칩단자에 확실히 접촉되어 있는지를 검출하는 것이다.
도 5는 본 발명에 관계된 프로브 접촉상태 검출장치의 제 2 실시형태를 나타낸 회로도이다. 도 5에 도시된 프로브 접촉상태 검출장치는, 측정대상인 칩저항(21)의 양단에 각각 접촉되는 프로브(7a,7b)와 프로브(7a,7b) 사이에 접속된 콘덴서(3)와 저항 측정기(22)를 구비한다.
저항 측정기(22)의 프로브(22a,22b)는, 칩저항(21)의 양단에 각각 접촉된다. 또, 저항 측정기(22)의 내부에는 직렬 접속된 직류 전압 공급원(4)과 전류계(5)가 설치되어 있다. 저항 측정기(22)는 프로브(22a,22b) 사이의 용량(캐패시턴스)을 측정할 수 있는 것이다.
다음으로 도 5에 도시된 프로브 접촉상태 검출장치의 동작에 관하여 설명하도록 한다. 우선, 측정대상인 칩저항(21)의 양 칩단자에 프로브(7a,7b, 22a, 22b)를 각각 접촉시킨다. 이 상태에서 저항 측정기(22)의 프로브(22a,22b)가 대응되는 칩단자에 확실히 접촉되어 있는지를 검출한다.
구체적으로는, 저항 측정기(22)를 통해 프로브(22a,22b) 사이의 용량을 측정하고, 그 용량의 크기에 따라 프로브(22a,22b)의 접촉상태를 검출한다. 프로브(22a,22b)가 칩단자에 확실히 접촉되어 있다고 판단된 경우에는 저항 측정기(22)에 의해 칩저항(21)의 저항치를 측정한다.
이와 같이 제 2 실시형태에서는, 칩저항(21)의 저항치 측정용 프로브(22a,22b)가 칩단자에 확실히 접촉되어 있는지를 프로브(22a,22b) 사이의 용량을 통해 판단하기 때문에, 프로브(22a,22b)의 접촉을 간단하고 고정밀도로 검출할 수 있다. 또 본 제 2 실시형태는 높은 저항치를 측정하는 데 특히 적합하지만, 낮은 저항치를 측정할 때에도 적용할 수 있다.
또한, 상기한 제 1 및 제 2 실시형태에서는 콘덴서(3)에 접속된 프로브(7a,7b)를 칩단자에 접촉시키는 예에 관하여 설명하였으나, 프로브를 이용하지 않고 지그 등을 통해 칩단자에 콘덴서(3)를 접속하여도 무방하다.
본 발명에 따르면, 절연저항의 측정대상인 제 1 및 제 2 칩단자에 상관된 제 3 및 제 4 칩단자 사이에 콘덴서를 접속시킨 상태에서 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스를 측정하고, 그 측정결과에 따라 프로브의 접촉상태를 검출하기 때문에, 칩부품의 캐패시턴스 등에 영향을 받지 않고 고정밀도로 프로브의 접촉상태를 검출할 수 있다.
또한, 프로브의 접촉상태를 검출한 후에 절연저항을 측정할 때에도 캐패시터를 떼어내지 않아도 무방하므로 전환 스위치 등이 불필요해져 부품 수를 절감할 수있다.
마찬가지로, 칩저항의 저항치를 측정할 때에도 칩저항의 양단에 콘덴서를 접속시킨 상태에서 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스를 측정하여, 그 측정 결과에 따라 프로브의 접촉상태를 검출하기 때문에 고정밀도로 프로브의 접촉상태를 검출할 수 있다.

Claims (20)

  1. 복수의 칩부품이 내장된 다중 칩내부의 상이한 칩부품이 각 칩단자에 각각 접촉되는 제 1 및 제 2 프로브 사이에 흐르는 전류를 검출하고, 상기 전류를 통해 상기 제 1 및 제 2 프로브가 접촉된 칩단자 사이의 절연저항을 검출할 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브와 절연저항의 측정 대상인 칩단자 사이의 접촉이 양호한지를 검출하는 프로브 접촉상태 검출방법에 있어서,
    절연저항의 측정 대상인 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 제 1 및 제 2 칩단자에 관련있는 제 3 및 제 4 칩단자 사이에 콘덴서를 접속시킨 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브간의 캐패시턴스를 측정하는 단계,
    측정된 캐패시턴스의 크기에 따라 상기 제 1 및 제 2 프로브와 그에 대응되는 제 1 및 제 2 칩단자의 접촉이 양호한지를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 콘덴서의 일단은 상기 제 1 칩단자를 갖는 칩부품의 상이한 칩단자에 접속되며, 상기 콘덴서의 타단은 상기 제 2 칩단자를 갖는 칩부품의 상이한 칩단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 콘덴서의 일단은 상기 제 1 칩단자에 접속되며, 상기 콘덴서의 타단은 상기 제 2 칩단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 콘덴서는 절연저항을 측정할 수 있는 최소한계에 가까운 캐패시턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 접촉이 양호한지를 검출하는 단계는, 측정된 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스가 규정치보다 크면 접촉이 양호하다고 판단하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 접촉이 양호한지를 검출하는 단계를 통해 접촉이 양호하다고 판단되면, 상기 제 1 및 제 2 프로브간에 인가되는 전압과 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이를 흐르는 전류에 근거하여, 상기 제 1 및 제 2 프로브가 접촉된 단자 사이의 절연저항을 검출하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  7. 칩저항의 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 접촉되는 제 1 및 제 2 프로브 사이에 흐르는 전류를 검출하고, 상기 전류를 통해 상기 칩저항의 저항치를 검출할 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브와 상기 제 1 및 제 2 칩단자의 접촉이 양호한지를 검출하는 프로브 접촉상태 검출방법에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 제 1 및 제 2 칩단자간에 콘덴서를 접속시킨 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브간의 캐패시턴스를 측정하는 단계,
    측정된 캐패시턴스의 크기에 따라 상기 제 1 및 제 2 프로브와 그에 대응되는 상기 제 1 및 제 2 칩단자의 접촉이 양호한지를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 절연저항을 측정할 수 있는 최소한계에 가까운 캐패시턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 접촉이 양호한지를 검출하는 단계는, 측정된 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스가 규정치 보다 크면 접촉이 양호하다고 판단하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 접촉이 양호한지를 검출하는 단계를 통해 접촉이 양호하다고 판단되면, 상기 제 1 및 제 2 프로브간에 인가되는 전압과 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이를 흐르는 전류에 근거하여, 상기 제 1 및 제 2 칩단자 사이의 저항치를 검출하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출방법.
  11. 복수의 칩부품이 내장된 다중 칩내부의 상이한 칩부품이 각 칩단자에 각각 접촉되는 제 1 및 제 2 프로브 사이를 흐르는 전류를 검출하고, 상기 전류를 통해 상기 제 1 및 제 2 프로브가 접촉된 칩단자 사이의 절연저항을 검출할 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브와 절연저항의 측정 대상인 칩단자 사이의 접촉이 양호한지를 검출하는 프로브 접촉상태 검출장치에 있어서,
    절연저항의 측정 대상인 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 제 1 및 제 2 칩단자에 관련있는 제 3 및 제 4 칩단자 사이에 콘덴서를 접속시킨 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스를 측정하는 캐패시턴스 측정수단,
    측정된 캐패시턴스의 크기에 따라 상기 제 1 및 제 2 프로브와 그에 대응되는 상기 제 1 및 제 2 칩단자와의 접촉이 양호한지를 검출하는 접촉 검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 콘덴서의 일단은 상기 제 1 칩단자를 갖는 칩부품의 다른 칩단자에 접속되며, 상기 콘덴서의 타단은 상기 제 2 칩단자를 갖는 칩부품의 다른 칩단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 콘덴서의 일단은 상기 제 1 칩단자에 접속되며, 상기 콘덴서의 타단은 상기 제 2 칩단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 콘덴서는 절연저항을 측정할 수 있는 최소한계에 가까운 캐패시턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 접촉 검출 수단은 측정된 상기 제 1 및 제 2 프로브간의 캐패시턴스가 규정치 보다 크면 접촉이 양호하다고 판단하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 접촉 검출 수단을 통해 접촉이 양호하다고 판단되면, 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이에 인가되는 전압과 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이에 흐르는 전류에 근거하여, 상기 제 1 및 제 2 프로브가 접촉된 칩단자 사이의 절연저항을 검출하는 절연저항 검출수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  17. 칩저항의 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 접촉되는 제 1 및 제 2 프로브 사이에 흐르는 전류를 검출하여, 이 전류를 통해 상기 칩저항의 저항치를 검출할 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브와 상기 제 1 및 제 2 칩단자 사이의 접촉이 양호한지를 검출하는 프로브 접촉상태 검출장치에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 칩단자에 각각 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 제 1 및 제 2 칩단자 사이에 콘덴서를 접속시킨 상태에서 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스를 측정하는 캐패시턴스 측정수단,
    측정된 캐패시턴스의 크기에 따라 상기 제 1 및 제 2 프로브와 그에 대응되는 상기 제 1 및 제 2 칩단자의 접촉이 양호한지를 검출하는 접촉 검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 콘덴서는 절연저항을 측정할 수 있는 최소한계에 가까운 캐패시턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 접촉 검출수단은, 측정된 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이의 캐패시턴스가 규정치 보다 크면 접촉이 양호하다고 판단하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 접촉 검출수단을 통해 접촉이 양호하다고 판단되면, 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이에 인가되는 전압과 상기 제 1 및 제 2 프로브 사이를 흐르는 전류에 근거하여, 상기 제 1 및 제 2 칩단자 사이의 저항치를 검출하는 저항 검출 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 접촉상태 검출장치.
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