KR100330385B1 - 폴리이미드와니스 - Google Patents

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Abstract

5 ~ 60 중량 % 가 하기 일반식 (Ⅰ) 의 폴리프로필렌 글리콜 유도체인 유기 용매에 용해된 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 갖는 용액이며, 상기 용액을 지지체상에 피복한 다음 열처리함으로써 지지체상에 폴리이미드 피복 필름을 형성하기에 유용한 폴리이미드 와니스 :
[식중 n 은 1 또는 2 이고 R 은 수소 C1-4알킬기, C1-4알케닐기 또는 C1-4알카노일기이다]

Description

폴리이미드 와니스
본 발명은 폴리이미드 와니스에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 유기 용매에 용해된 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 갖는 용액이며 지지체 상에 용액을 피복한 후, 열처리함으로써 지지체 상에 평활 폴리이미드 피복 필름을 형성하기에 유용한 폴리이미드 와니스에 관한 것이다.
그의 특유의 높은 기계적 강도, 내열성 및 내용매성으로 인해, 폴리이미드는전기전자 분야에서 보호재 또는 절연재로서 광범위하게 사용된다. 구체적으로, 이들을 반도체용 절연 필름으로 사용할 경우, 통상적으로 배선 장치가 된 실리콘 지지체 상에 1㎛∼10㎛ 의 폴리이미드 피복 필름을 형성한다. 액정 정렬 필름으로서 사용될 경우, 통상적으로 각종 지지체 상에 얇은 폴리이미드 피복 필름을 형성하며, 예를 들어, 투명 전극이 장치된 투명 지지체 삶에 0.05㎛∼0.2㎛ 의 폴리이미드 피복 필름을 형성한다. 상기와 같은 폴리이미드 피복 필름을 형성하기 위해서는, 스핀 피복, 오프셋 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법과 같은 방법에 의해, 폴리이미드 또는 폴리이미드 전구물질을 적절한 유기 용매에 용해시켜 수득된 폴리이미드 와니스를 지지체 상에 피복한 다음, 열처리하는 것이 통상적이다.
폴리아미드 피복 필름이 지지제 상에 형성될 경우, 피복 필름 표면상의 미세흠점이 용액의 필름에 의해 매끄럽게 되기 때문에 평활 필름을 형성하기위해서는 피복후 용액의 유동성이 중요하다.
하지만, 통상적인 폴리이미드용 용매는 통상적으로 높은 표면 장력을 가지므로 유동성이 다소 불량하다. 일본특허공고 제81167/l992호에는 용액의 표면 장력 을 낮추기 위해 부틸 셀로솔브를 혼합하는 방법이 제안되어 있다. 하지만, 부틸셀로솔브는 그의 독성으로 인해 실용적 관점에서 바람직하지 않다.
상기와 같은 상황하에서, 본 발명의 목적은 폴리이미드 및/또는 폴리이미드전구물질을 용액이며, 지지체 상에 용액을 피복함으로써 예를 들어 전기 전자 장치용 절연 또는 필름으로서 또는 액정 배향 필름으로서 사용되는 폴리이미드 피복 필름을 형성하여 평활 폴리이미드 피복 필름의 형성에 적합한 플리이미드 와니스를 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명은 유기 용매 중에 용해된 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 갖는 폴리이미드 와니스로서, 상기 유기 용매의 5∼60 중량% 가 하기 일반식 (Ⅰ)의 프로필렌 글리콜 유도체인 플리이미드 와니스를 제공한다:
[식 중, n 은 1 또는 2 이고, R 은 수소, C1-4알킬기, Cl-4알케닐기 또는 C1-4알카노일기이다].
본 발명의 일반식 (I) 의 프로필렌 글리콜 유도체를 혼합함으로써, 지지체상에 폴리이미드 와니스를 균일하고 평평하게 피복할 수 있다.
본 발명의 폴리이미드 와니스용으로 사용되는 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질은 특별히 제한되지 않는다. 통상적으로, 테트라카르복실산 유도체를 l차 디아민과 반응 및 중합시켜 폴리이미드 전구물질을 수득하고 여기에 폐환 이미 드 변환 반응을 수행하여 폴리이미드를 수득하는 것이 통상적이다.
본 발명의 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 수득하기 위해 사용되는 테트라카르복실산 유도체의 특정 예에는, 피로멜리트산, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카르복실산, 1,2,5,6-나프탈렌 테트라카르복실산, 1,4,5,8-나프탈렌 테트라카르복실산, 2,3,6,7-안트라센 테트라카르복실산, 1,2,5,6-안트라센 테트라카르복실산, 3,3',4,4'-비페닐 테트라카르복실산, 2,3,3',4'-비페닐 테트라카르복시산, 비스(3,4-티카르복시페닐)에테르, 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르복실산, 비스(3,4-티카르복시페닐)술폰, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄, 2,2-비스 (3,4-디카르복시페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸 실란, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란, 2,3,4,5-피리딘 테트라카르복실산 및 2,6-비스(3,4-디카르복시페닐)피리딘과 같은 방향족 테트라카르복실산, 및 그의 2무수물 및 그의 디카르복실산 이산 할로겐화물; 1,2,3,4-시클로부탄 테프라카르복실산, 1,2,3,4-시클로펜탄 테트라카르복실산, 1,2,4,5-시클로헥산 테트라카르복실산, 2,3,5-트리카르복시시시클로펜틸 아세트산 및 3,4-디카르복시-1,2,3,4-태트라히드로-1-나프탈렌숙신산과 같은 지환족테트라카르복실산, 및 그의 2무수물 및 그의 디카르복실산 이산 할로겐화물; 및 1,2,3,4-부탄 테트라카르복실산과 같은 지방족 테트라카르복실산, 및 그의 2무수물 및 그의 디카르복실산 이산 할로겐화물이 포함된다.
본 발명의 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 수득하기 위해 사용되는 디아민의 특정 예에는 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아니모톨루엔, 4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노비페닐, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐 에테르, 2,2-디아미노디페닐프로판, 비스(3,5-디에틸-4-아미노페닐)메탄, 디아미노디페닐술폰, 디아미노벤조페논, 디아미노나프탈렌, 1,4-비스(4-아미노페녹시)빈젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)디페닐술폰, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판 및 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판 및 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오프로판과 같은 방향족 디아민; 비스(4-아미노시클로힉실)메탄 및 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥신)메탄과 같은 지환족 디아민; 및 헥사메틸렌 디아민과 같은 지방족 디아민, 및 하기 일반식 (Ⅱ) 의 디아미노실옥산이포함된다:
[식중, n 은 1 ∼10 의 정수이다].
테트라카르복실산 유도체 및 디아민을 반응 및 중합시켜 폴리이미드 전구물질을 수득한다. 여기서 사용되는 테트라카르복실산 유도체로는 테트라카르복실산 2무수물을 사용하는 것이 통상적이다. 테트라 카르복실상 2무수물 대 디아민의 몰비는 바람직하게는 0.8:1.2 이다. 통상적인 중축합 반응에서와 같이, 생성된 중합체의 중합도는 상기 몰비가 l에 접근함에 따라 증가한다.
중합도가 지나치게 낮을 경우, 폴리이미드 피복 필름의 강도가 불충분해지는 경향이 있다. 한편, 중합도가 지나치게 높을 경우, 폴리이미드 피복 필름을 형성하기 위한 공정 효율이 불량해지는 경향이 있다.
따라서, 본 발명의 반응의 생성물의 중합도는 폴리이미드 전구물질 용액의 환산 점도로서 계산했을 경우, 바람직하게는 0.05∼5.0 ㎗/g (온도 30 ℃ 의 N-메틸피콜리돈 중, 농도: 0.5 g/㎗)의 수준이다.
테트라카르복실산 2무수물 및 디아민을 반응 및 중합시키는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 통상적으로, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드 또는 N,N-디메틸포름아미드와 같은 유기 극성 용매에 디아민을 용해시키고, 그 용액에 테트라카르복실산 2무수물을 첨가 및 반응시켜 폴리이미드 전구물질을 수득한다. 반응을 위한 온도로는 -20∼150 ℃, 바람직하게는 -5∼100 ℃ 의 임의의 온도를 선택할 수 있다.
많은 경우에 폴리이미드는 이미드 변환 후에 유기 용매에 불용성이 되는 경향이 있다. 따라서, 폴리이미드 전구물질을 유기 용매에 용해시켜 와니스를 수득하고, 이 와니스를 지지체 상에 피복하고 이미드 변환을 위해 지지체 상에 열처리를 수행하여 지지체 상에 폴리이미드 피복 필름을 형성하는 방법을 사용하는 것이 통상적이다.
이때, 이미드 변환을 위한 지지체 상에서의 가열 온도는 100∼400 ℃의 임의의 온도일 수 있다. 하지만, 150∼350 ℃ 범위의 온도가 특히 바람직하다.
한편, 폴리아미드가 용매에 가용성일 경우, 폴리아미드 전구물질에 이미드 변환을 수행하고, 수득된 폴리이미드를 유기 용매에 용해시켜 와니스를 수득한 다음, 이를 지지체 상에 피복한 다음, 지지체에 열처리를 수행하여 용매를 증발시켜 지지체 상에 폴리이미드 피복 필름을 형성하는 방법을 사용하는 것이 가능하다.
상기에서, 폴리이미드 전구물질의 이미드 변환 방법으로는, 용액중 가열에 의한 탈수 폐환 방법을 사용할 수 있다. 가열하 탈수에 의한 폐환을 위한 온도는 100∼350 ℃, 바람직하게는 120∼250 ℃ 범위의 임의의 온도에서 선택될 수 있다.
폴리이미드 전구물질을 폴리이미드로 변환시키기 위한 그 외의 방법으로는,통상직인 탈수 폐환용 촉매를 이용하여 폐환을 화학적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 폴리이미드 와니스는 유기 용매에 용해된 상기 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 갖는 와니스이며, 상기 와니스를 구성하는 유기 용매의 5∼60 중량%, 바람직하게는 10∼50 중량% 일반식 (Ⅰ) 의 프로필렌 글리콜 유도체이어야 한다.
프로필렌 글리콜 유도체의 특정예에는 1-매톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 1-부톡시-2-프로판올, 1-페녹시-2-프로판올, 프로필렌 글리콜 모노아세테이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 프로필렌 글리콜-1-모노메틸 에테르-2-아세테이트, 프로필렌 글리콜-1-모노에틸 에테르-2-아세테이트, 디프로필렌 글리콜, 2-(2-매톡시프로폭시)프로판올, 2-(2-에톡시프로폭시)프로판올 및 2-(2-부톡시프로폭시)프로판올이 포함된다. 특히 바람직한 것은 1-부톡시-2-프로판올 또는 2-(2-메톡시프로폭시)프로판올이다.
상기 프로필렌 글리콜 유도체는 본 발명의 폴리이미드 와니스를 구성하는 용매의 총량의 5 중량% 이상이어야 한다. 그렇지 않을 경우, 피복 필름 평활 효과가 불충분해지는 경향이 있다. 상기 프로필렌 글리콜 유도체는 통상적으로 그것만으로는 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 용해시킬 수 없다. 따라서, 용매 총중량의 60 중랑%를 초과할 경우, 중합체의 침전이 발생하여 와니스의 안정성이 불량해지는 경향이 있으며, 이는 바람직하지 않다.
본 발명의 폴리이미드 와니스를 구성하는 전체 용매 중에서, 상술한 프로필렌 글리콜 유도체 이외의 용매는 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 용해시킬 수만 있으면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 2-피롤리돈, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포르아미드 또는 γ-부티로락톤일 수 있다.
또한, 폴리아미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 그 자체만으로 용해시킬 수 없는 용매라 하더라도 용해도를 손상시키지 않는 범위 이내에서 상기 용매에 첨가할 수 있다.
상기 용매에 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 용해시켜 폴리이미드 와니스를 수득하는 방법은 특별히 제한되지 않는다.
예를 들어, 상기 폴리아미드 및/또는 폴리이미드 전구물질의 반응-중합 용액그 자체를 사용할 수 있다. 그렇지 않을 경우, 생성된 폴리아미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 과량의 물, 또는 메탄올과 같은 불량 용매에 위치시켜 침전물로서 회수하고, 이를 다시 상기 사용 용매에 용해시킨다.
폴리이미드 와니스 중 수지 함량은 와니스의 특정 목적에 따라 변화하며 특별히 제한되지 않는다. 하지만, 액정 정렬 필름의 경우에는 통상적으로 2∼15 중량% 이며, 절연 필름의 경우에는 통상적으로 5∼30 중량% 이다.
또한, 최종적으로 형성된 폴리이미드 피복 필름 및 지지체간의 접착력을 추가로 개량시키기 위해, 본 발명의 폴리이미드 와니스의 성분으로서 커플링제와 같은 첨가제도 혼합할 수 있다.
본 발명의 폴리이미드 와니스는 지지체 상에 피복되며 얼처리를 수행하여 지지체 상에 균일한 두께를 갖는 폴리이미드 피복 필름을 형성하고, 이는 전기 전자장치의 절연 필름 또는 보호 필름, 또는 액정 표시자치용 정렬 필름으로서 유용하다.
상기에서, 피복 방법은 특별히 제한되지 않는다. 하지만, 예를 들어 스핀 피복, 롤 피복, 오프셋 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법을 사용하는 것이 통상적이다.
폴리이미드 피복 필름을 형성하기 위한 열처리 온도로는, 폴리아미드 와니스가 폴리이미드 전구물질 용액일 경우 폴리이미드 전구체를 폴리이미드로 변환시키기 위한 온도가 필요하다. 그러한 온도로는, 100∼350 ℃, 바람직하게는 120∼250℃ 범위 이내의 임의의 온도가 선택될 수 있다. 폴리이미드 와니스가 폴리이미드 용액일 경우, 열처리 온도는 용매가 증발하는 수준의 온도일 수 있으며, 통상적으로 80∼150 ℃ 이다.
폴리이미드 피복 필름이 형성되는 지지체는 폴리이미드 피복 필름의 특정 목 적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 반도체 장치용 절연 필름 또는 보호 필름일 경우, 각종 배선장치가 된 실리콘 지지체일 수 있다. 액정 배향 필름일 경우, 지지체는 투명 전극이 장치된 유리 시트 또는 플라스틱 필름이다.
이제는 실시예를 참고로 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 하지만, 본 발명은 결코 하기 특정 실시예에 제한되지 않는다.
실시예 1
2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 (이하, BAPP) 41.0 g (0.1 몰) 및 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 2무수물 19.2 g (0.098 물)을 실온에서 10 시간 동안 N-메틸피롤리돈 (이하, NMP) 340 g 내에서 반응시켜 폴리이미드 전구물질용액을 수득한다. 수득된 폴리이미드 전구물질의 환산 점도 (η sp/c) 는 1.02 dl/g 이다 (0.5 중량% NMP 용액, 30 ℃).
상기 용액 12 g 에, NMP 12 g 및 1-부톡시-2-프로판올 6 g을 첨가하여 총수지 함량이 6 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 2,000 rpm 의 회전속도로 스핀 피복한 다음, 건조 및 경화하여 두께가 약 3,000Å 인 폴리이미드 피복 필름을 수득한다. 수득한 피복 필름은 미세한 흠점이 없는 평활 필름이다.
실시예 2
BAPP 41.0 g (0.1 몰) 및 2.3-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌숙신산 2무수물 29.9 g (0.0995 몰)을 실온에서 10 시간동아 NMP 400 g 내에서 반응시켜 폴리이미드 전구물질 용액을 수득한다. 수득된 폴리이미드 전구물질의 환산 점도 (η sp/c) 는 1.14 dl/g 이다 (0.5 증량% NMP 용액, 30 ℃).
수득된 폴리이미드 전구물질 용액 50 g 에 이미드 변환용 촉매로서 무수 아 세트산 10.8 g 및 피리딘 5.0 g을 첨가한 다음, 50 ℃에서 3 시간 동안 반응시켜 폴리이미드 용액을 수득한다. 이 용액을 메탄올 500 ml 에 넣고, 생성된 백색 침 전을 여과에 의해 수거하고 건조하여 백색 폴리이미드 분말을 수득한다. 수득된 폴리이미드의 환산 점도 (η sp/c) 는 1.04 dl/g 이다 (0.5 중량% NMP 용액, 30℃).
상기 분말 6 g을 γ-부티로락톤 74 g 및 2-(2-메독시프로폭시)프로판올 20 g을 함유하는 혼합 용매에 용해시켜 총수지 함량이 6 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 플렉소 프린트법에 의해 프린트한 다음, 건조 및 경화하여 두께가 약 1,000 Å 인 폴리이미드 피복 필름을 수득한다. 수득한 피복 필름은 미세한 흠점이 없는 평활 필름이다.
실시예 3
실시예 l에서 제조한 폴리이미드 전구물질 용액 12 g 에, 1-부톡시-2-프로판올 3 g을 첨가하여 총수지 함량이 12 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 2,000 rpm 의 회전속도로 스핀 피복한 다음, 건조 및 경화하여 두께가 약 3㎛ 인 폴리이미드 피복 필름을 수득한다. 수득된 피복 필름은미세한 흠점이 없는 평활 필름이다.
실시예 4
실시예 l에서 제조한 폴리이미드 전구물질 요액 12 g 에, NMP 24 g 및 1-부 톡시-2-프로판올 9 g을 첨가하여 총수지 함량이 4 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 3,500 rpm 의 회전속도로 스핀 피복한 다음, 건조 및 경화하여 두께가 약 1,000 Å 인 폴리이미드 피복 필름을 수득한다. 수득된 피복 필름은 미세한 흠점이 없는 평화 필름이다.
비교예 1
실시예 l에서 제조한 폴리이미드 전구물질 용액 12 g 에, NMP 18 g을 첨가하여 총수지 함량이 6 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 2,000 rpm 의 회전속도로 스핀 피복한 다음, 건조 및 경화하여 두께가약 3,000 Å 폴리이미드 피복 필름을 수득한다. 수득된 피복 필름은 미세한 흠점이 있으며 표면상에 튀는 현상 (cissing) 이 관찰되고, 평활 필름을 수득할 수 없다.
비교예 2
실시에 l에서 제조한 폴리이미드 전구물질 용액 12 g 에, NMP 3 g을 첨가하여 총수지 함량이 12 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 2,000 rpm 의 회전속도로 스핀 피복한 다음, 건조 및 경화하여 두께가 약 3㎛ 인 폴리이미드 피복 필름을 수득한다. 수득된 피복 필름은 그의 표면상에 미세한 흠점이 있으며 평활 필름을 수득할 수 없다.
비교예 3
실시예 1에서 제조한 폴리이미드 전구물질 용액 12 g 에, NMP 33 g을 혼합하여 총수지 함량이 4 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 3,500 rpm 의 회전속도로 스핀 피복한 다음, 건조 및 경화하여 두께가약 1,000Å인 폴리이미드 피복 필름을 수득한다. 수득된 피복 필름은 미세한 흠점이 있으며 표면상에 튀는 현상 (cissing) 이 관찰되고, 평활 필름을 수득할 수 없다.
비교예 4
실시예 2에서 수득한 폴리이미드 분말 6 g을 γ-부티로락톤 94 g 에 용해시켜 총수지 함량이 6 중량% 인 와니스를 수득하고, 이를 투명 전극이 장치된 유리 지지체 상에 플렉소 인쇄법에 의해 인쇄한 다음, 건조한다. 수득된 피복 필름은 그의 표면상에 관찰되는 미세한 흠점을 가지며, 평활 필름을 수득할 수 없다.
본 발명의 폴리이미드 와니스를 각종 지지체 상에 피복하고, 열처리 수행하여 폴리이미드 피복 필름을 형성할 수 있으며, 이는 전기전자 장치용 절연 필름 또는 보호 필름으로서 또는 액정 배향 필름으로서 유용하다. 따라서 미세한 흠점이 없는 평활 피복 필름을 형성할 수 있다.

Claims (7)

  1. 폴리이미드 및/또는 폴리이미드 전구물질을 유기 용매에 용해시키고, 상기 용액을 지지체 상에 도포한 다음, 열처리함으로써 지지체 상에 단층막의 폴리이미드 피복 필름을 형성하는 것에 사용된 폴리이미드 와니스에 있어서, 상기 유기 용매의 5∼60 중량% 가 하기 일반식 (Ⅰ) 의 폴리프로필렌 글리콜 유도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 폴리이미드 와니스:
    [식 중, n 을 1 또는 2 이고, R 은 수소, Cl-4알킬기, Cl-4알케니기 또는 Cl-4알카노일기이다] .
  2. 제 1 항에 있어서, 일반식 (Ⅰ) 의 프로필렌 글리콜 유도체가 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 1-부톡시-2-프로판올, 1-페녹시-2-프로판올, 프로필렌 글리콜 모노아세테이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 프로필렌 글리콜-모노메틸 에테르-2-아세테이트, 프로필렌 글리콜-1-모노에틸 에테르-2-아세테이트, 디프로필렌 글리콜, 2-(2-메톡시프로폭시)프로판올, 2-(2-에톡시프로폭시)프로판올 및 2-(2-부톡시프로폭시)프로판올로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 프로필렌 글리콜 유도체인 폴리이미드 와니스.
  3. 제 2 항에 있어서, 일반식 (Ⅰ) 의 프로필렌 글리콜 유도체가 1-부톡시-2-프로판올 및 2-(2-메톡시프로폭시)프로판올로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 프로필렌 글리콜 유도체인 폴리이미드 와니스.
  4. 제 1 항에 있어서, 액정 정렬 필름을 형성하기 위해 유용한 폴리이미드 와니스.
  5. 제 4 항에 있어서, 폴리이미드 와니스의 수지 함량이 2∼15 중량% 인 폴리이미드 와니스.
  6. 제 1 항에 있어서, 절연 필름을 형성하기 위해 유용한 폴리이미드 와니스.
  7. 제 6 항에 있어서, 폴리이미드 와니스 중의 수지 함량이 5∼30 중량% 인 폴리이미드 와니스.
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