JPH07228839A - ポリイミドワニス - Google Patents
ポリイミドワニスInfo
- Publication number
- JPH07228839A JPH07228839A JP32024594A JP32024594A JPH07228839A JP H07228839 A JPH07228839 A JP H07228839A JP 32024594 A JP32024594 A JP 32024594A JP 32024594 A JP32024594 A JP 32024594A JP H07228839 A JPH07228839 A JP H07228839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- lactic acid
- polyimide varnish
- varnish
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミド及び／又はポリイミド前駆体を溶
解した溶液を基板上に塗布し、電気・電子素子用の絶縁
膜・保護膜等として用いられるポリイミド塗膜形成用
の、樹脂ワニスにおいて、平滑なポリイミド塗膜を形成
することが出来る樹脂ワニスの提供。 【構成】 ポリイミド及び／又はポリイミド前駆体を有
機溶媒に溶解し、該溶液を支持基板上に塗布し、加熱処
理を施して、支持基板上にポリイミド塗膜を形成するの
に使用されるポリイミドワニスにおいて、有機溶媒の５
〜６０重量％が、一般式［Ｉ］ 【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立して水素、炭素数１
以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルケ
ニル基を表す）で表される乳酸誘導体（例えば乳酸ｎ−
ブチルエステル等）であることを特徴とするポリイミド
ワニス。
解した溶液を基板上に塗布し、電気・電子素子用の絶縁
膜・保護膜等として用いられるポリイミド塗膜形成用
の、樹脂ワニスにおいて、平滑なポリイミド塗膜を形成
することが出来る樹脂ワニスの提供。 【構成】 ポリイミド及び／又はポリイミド前駆体を有
機溶媒に溶解し、該溶液を支持基板上に塗布し、加熱処
理を施して、支持基板上にポリイミド塗膜を形成するの
に使用されるポリイミドワニスにおいて、有機溶媒の５
〜６０重量％が、一般式［Ｉ］ 【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立して水素、炭素数１
以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルケ
ニル基を表す）で表される乳酸誘導体（例えば乳酸ｎ−
ブチルエステル等）であることを特徴とするポリイミド
ワニス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドワニスに関
するものであり、さらに詳しくは、ポリイミド及び／又
はポリイミド前駆体を有機溶媒に溶解し、該溶解液を支
持基板上に塗布し、加熱処理を施して、支持基板上に平
滑なポリイミド塗膜を形成することが出来るポリイミド
ワニスに関するものである。
するものであり、さらに詳しくは、ポリイミド及び／又
はポリイミド前駆体を有機溶媒に溶解し、該溶解液を支
持基板上に塗布し、加熱処理を施して、支持基板上に平
滑なポリイミド塗膜を形成することが出来るポリイミド
ワニスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドはその特徴である高い機械的
強度、耐熱性、耐溶剤性のために、電気・電子分野にお
ける保護材料、絶縁材料として広く用いられている。具
体的には、半導体用の絶縁膜として用いる場合には、配
線加工されたシリコン支持基板上に１〜１０μｍのポリ
イミド塗膜を形成させたり、液晶配向膜として用いる場
合には、透明電極付きの透明支持基板上に０．０５〜
０．２μｍのポリイミド塗膜を形成させるなど、各種支
持基板上に薄いポリイミド塗膜を形成させて用いるのが
一般的である。この様なポリイミド塗膜を形成させるに
は、ポリイミド又はポリイミド前駆体を適当な有機溶媒
に溶解させて得たポリイミドワニスを、スピンコート、
オフセット印刷、グラビア印刷などの方法で支持基板上
に塗布し、加熱処理を施すことが一般的である。
強度、耐熱性、耐溶剤性のために、電気・電子分野にお
ける保護材料、絶縁材料として広く用いられている。具
体的には、半導体用の絶縁膜として用いる場合には、配
線加工されたシリコン支持基板上に１〜１０μｍのポリ
イミド塗膜を形成させたり、液晶配向膜として用いる場
合には、透明電極付きの透明支持基板上に０．０５〜
０．２μｍのポリイミド塗膜を形成させるなど、各種支
持基板上に薄いポリイミド塗膜を形成させて用いるのが
一般的である。この様なポリイミド塗膜を形成させるに
は、ポリイミド又はポリイミド前駆体を適当な有機溶媒
に溶解させて得たポリイミドワニスを、スピンコート、
オフセット印刷、グラビア印刷などの方法で支持基板上
に塗布し、加熱処理を施すことが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ポリイミド塗膜を基板
上に形成する場合、平滑な膜を形成するためには塗布後
の溶液の流動性が重要である。塗膜表面の凹凸を溶液が
流動することによって平滑にするからである。しかしな
がら、現在ポリイミドの溶媒として使用されているもの
は表面張力が大きく、流動性はあまり良くない。また、
特公平４−８１１６７には、溶液の表面張力を低下させ
るため、ブチルセロソルブを添加する方法が挙げられて
いるが、ブチルセロソルブには毒性が指摘されており、
使用上あまり好ましくない。
上に形成する場合、平滑な膜を形成するためには塗布後
の溶液の流動性が重要である。塗膜表面の凹凸を溶液が
流動することによって平滑にするからである。しかしな
がら、現在ポリイミドの溶媒として使用されているもの
は表面張力が大きく、流動性はあまり良くない。また、
特公平４−８１１６７には、溶液の表面張力を低下させ
るため、ブチルセロソルブを添加する方法が挙げられて
いるが、ブチルセロソルブには毒性が指摘されており、
使用上あまり好ましくない。
【０００４】本発明の目的は、ポリイミド及び／又はポ
リイミド前駆体を溶解した溶液を基板上に塗布し、電気
・電子素子用の絶縁膜・保護膜或いは液晶配向膜等とし
て用いられるポリイミド塗膜形成するポリイミドワニス
において、平滑なポリイミド塗膜を形成することが出来
るポリイミドワニスの提供にある。
リイミド前駆体を溶解した溶液を基板上に塗布し、電気
・電子素子用の絶縁膜・保護膜或いは液晶配向膜等とし
て用いられるポリイミド塗膜形成するポリイミドワニス
において、平滑なポリイミド塗膜を形成することが出来
るポリイミドワニスの提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ポリイ
ミド及び／又はポリイミド前駆体を有機溶媒に溶解し、
該溶液を支持基板上に塗布し、加熱処理を施して、支持
基板上にポリイミド塗膜を形成するのに使用されるポリ
イミドワニスにおいて、有機溶媒の５〜６０重量％が、
一般式［Ｉ］
ミド及び／又はポリイミド前駆体を有機溶媒に溶解し、
該溶液を支持基板上に塗布し、加熱処理を施して、支持
基板上にポリイミド塗膜を形成するのに使用されるポリ
イミドワニスにおいて、有機溶媒の５〜６０重量％が、
一般式［Ｉ］
【０００６】
【化２】
【０００７】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 ははそれぞれ独立して
水素、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上
５以下のアルケニル基を表す）で表される乳酸誘導体を
含有することを特徴とするポリイミドワニスに関するも
のである。本発明の一般式［Ｉ］で表される乳酸誘導体
を添加することにより、ポリイミドワニスを支持基板に
対して均一かつ平坦に塗布することが可能である。
水素、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上
５以下のアルケニル基を表す）で表される乳酸誘導体を
含有することを特徴とするポリイミドワニスに関するも
のである。本発明の一般式［Ｉ］で表される乳酸誘導体
を添加することにより、ポリイミドワニスを支持基板に
対して均一かつ平坦に塗布することが可能である。
【０００８】本発明のポリイミドワニスに用いられるポ
リイミド及び／又はポリイミド前駆体は特に限定されな
い。通常は、テトラカルボン酸誘導体と１級ジアミンを
反応、重合させてポリイミド前駆体とし、閉環イミド化
してポリイミドとするのが一般的である。本発明のポリ
イミド及び／又はポリイミド前駆体を得るために使用さ
れるテトラカルボン酸誘導体の具体例を挙げると、ピロ
メリット酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸、２，
３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸、１，２，
５，６−アントラセンテトラカルボン酸、３，３′，
４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，
３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル) エーテル、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル) スルホン、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル) メタン、２，２−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル) プロパン、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル) プロパン、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル) ジメチルシラン、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル) ジフェニルシラン、２，３，４，５−
ピリジンテトラカルボン酸、２，６−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル) ピリジンなどの芳香族テトラカル
ボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカルボン
酸ジ酸ハロゲン化物、１，２，３，４−シクロブタンテ
トラカルボン酸、１，２，３，４−シクロペンタンテト
ラカルボン酸、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラ
カルボン酸、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テト
ラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸などの脂環式テトラ
カルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカル
ボン酸ジ酸ハロゲン化物、１，２，３，４−ブタンテト
ラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸及びこれら
の二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化
物などが挙げられる。
リイミド及び／又はポリイミド前駆体は特に限定されな
い。通常は、テトラカルボン酸誘導体と１級ジアミンを
反応、重合させてポリイミド前駆体とし、閉環イミド化
してポリイミドとするのが一般的である。本発明のポリ
イミド及び／又はポリイミド前駆体を得るために使用さ
れるテトラカルボン酸誘導体の具体例を挙げると、ピロ
メリット酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸、２，
３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸、１，２，
５，６−アントラセンテトラカルボン酸、３，３′，
４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，
３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル) エーテル、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル) スルホン、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル) メタン、２，２−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル) プロパン、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル) プロパン、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル) ジメチルシラン、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル) ジフェニルシラン、２，３，４，５−
ピリジンテトラカルボン酸、２，６−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル) ピリジンなどの芳香族テトラカル
ボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカルボン
酸ジ酸ハロゲン化物、１，２，３，４−シクロブタンテ
トラカルボン酸、１，２，３，４−シクロペンタンテト
ラカルボン酸、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラ
カルボン酸、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テト
ラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸などの脂環式テトラ
カルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカル
ボン酸ジ酸ハロゲン化物、１，２，３，４−ブタンテト
ラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸及びこれら
の二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化
物などが挙げられる。
【０００９】又、本発明のポリイミド及び／又はポリイ
ミド前駆体を得るために使用されるジアミンの具体例を
挙げれば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジ
アミン、２，５−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノ
トルエン、４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−
ジメチル−４，４′- ジアミノビフェニル、３，３′−
ジメトキシ−４，４′- ジアミノビフェニル、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、２，
２−ジアミノジフェニルプロパン、ビス（３，５−ジエ
チル−４−アミノフェニル) メタン、ジアミノジフェニ
ルスルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノナフタ
レン、1,4-ビス (4-アミノフェノキシ)ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェニル) ベンゼン、９，１０−
ビス（４−アミノフェニル) アントラセン、１，３−ビ
ス (４−アミノフェノキシ) ベンゼン、４，４′- ビス
(４−アミノフェノキシ) ジフェニルスルホン、２，２
−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ) フェニル〕プロ
パン、２，２−ビス (４−アミノフェニル) ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ) フェニル] ヘキサフルオロプロパンなどの芳香族
ジアミン、ビス (４−アミノシクロヘキシル) メタン、
ビス (４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル) メタン
などの脂環式ジアミン及びテトラメチレンジアミン、ヘ
キサメチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、更には一
般式［II］
ミド前駆体を得るために使用されるジアミンの具体例を
挙げれば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジ
アミン、２，５−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノ
トルエン、４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−
ジメチル−４，４′- ジアミノビフェニル、３，３′−
ジメトキシ−４，４′- ジアミノビフェニル、ジアミノ
ジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、２，
２−ジアミノジフェニルプロパン、ビス（３，５−ジエ
チル−４−アミノフェニル) メタン、ジアミノジフェニ
ルスルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノナフタ
レン、1,4-ビス (4-アミノフェノキシ)ベンゼン、１，
４−ビス（４−アミノフェニル) ベンゼン、９，１０−
ビス（４−アミノフェニル) アントラセン、１，３−ビ
ス (４−アミノフェノキシ) ベンゼン、４，４′- ビス
(４−アミノフェノキシ) ジフェニルスルホン、２，２
−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ) フェニル〕プロ
パン、２，２−ビス (４−アミノフェニル) ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ) フェニル] ヘキサフルオロプロパンなどの芳香族
ジアミン、ビス (４−アミノシクロヘキシル) メタン、
ビス (４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル) メタン
などの脂環式ジアミン及びテトラメチレンジアミン、ヘ
キサメチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、更には一
般式［II］
【００１０】
【化３】
【００１１】（式中、ｎは１から１０の整数を表す）で
表されるジアミノシロキサン等が挙げられる。テトラカ
ルボン酸誘導体とジアミンを反応、重合させポリイミド
前駆体とするが、この際用いるテトラカルボン酸誘導体
としてはテトラカルボン酸二無水物を用いるのが一般的
である。テトラカルボン酸二無水物とジアミンのモル数
の比は0.8 から1.2 であることが好ましい。通常の重縮
合反応同様、このモル比が１に近いほど生成する重合体
の重合度は大きくなる。
表されるジアミノシロキサン等が挙げられる。テトラカ
ルボン酸誘導体とジアミンを反応、重合させポリイミド
前駆体とするが、この際用いるテトラカルボン酸誘導体
としてはテトラカルボン酸二無水物を用いるのが一般的
である。テトラカルボン酸二無水物とジアミンのモル数
の比は0.8 から1.2 であることが好ましい。通常の重縮
合反応同様、このモル比が１に近いほど生成する重合体
の重合度は大きくなる。
【００１２】重合度が小さすぎるとポリイミド塗膜の強
度が不十分であり、又、重合度が大きすぎるとポリイミ
ド塗膜形成時の作業性が悪くなる場合がある。従って本
反応における生成物の重合度は、ポリイミド前駆体溶液
の還元粘度換算で０．０５〜５．０ｄｌ／ｇ（温度３０
℃のＮ−メチルピロリドン中、濃度０．５ｇ／ｄｌ）と
するのが好ましい。
度が不十分であり、又、重合度が大きすぎるとポリイミ
ド塗膜形成時の作業性が悪くなる場合がある。従って本
反応における生成物の重合度は、ポリイミド前駆体溶液
の還元粘度換算で０．０５〜５．０ｄｌ／ｇ（温度３０
℃のＮ−メチルピロリドン中、濃度０．５ｇ／ｄｌ）と
するのが好ましい。
【００１３】テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを
反応、重合させる方法は、特に限定されるものではな
く、一般にはＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機
極性溶媒中にジアミンを溶解し、その溶液中にテトラカ
ルボン酸二無水物を添加、反応させてポリイミド前駆体
を合成する。その際の反応温度は−２０から１５０℃、
好ましくは−５から１００℃の任意の温度を選択するこ
とができる。
反応、重合させる方法は、特に限定されるものではな
く、一般にはＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機
極性溶媒中にジアミンを溶解し、その溶液中にテトラカ
ルボン酸二無水物を添加、反応させてポリイミド前駆体
を合成する。その際の反応温度は−２０から１５０℃、
好ましくは−５から１００℃の任意の温度を選択するこ
とができる。
【００１４】ポリイミドは、一般にイミド化後有機溶媒
に不溶になる場合が多い。そこで、ポリイミド前駆体を
有機溶媒に溶解してワニスを調製し、このワニスを支持
基板に塗布した後、基板上で加熱処理を行いイミド化し
て、支持基板上にポリイミド塗膜を形成させる方法が一
般的である。この際、基板上で加熱イミド化させる温度
は１００〜４００℃の任意の温度を採用できるが、特に
１５０〜３５０℃の範囲が好ましい。
に不溶になる場合が多い。そこで、ポリイミド前駆体を
有機溶媒に溶解してワニスを調製し、このワニスを支持
基板に塗布した後、基板上で加熱処理を行いイミド化し
て、支持基板上にポリイミド塗膜を形成させる方法が一
般的である。この際、基板上で加熱イミド化させる温度
は１００〜４００℃の任意の温度を採用できるが、特に
１５０〜３５０℃の範囲が好ましい。
【００１５】一方、ポリイミドが溶媒に溶解する場合に
は、ポリイミド前駆体をイミド化し、得られたポリイミ
ドを有機溶媒に溶解してワニスを調製し、このワニスを
支持基板に塗布した後、基板を加熱処理して溶媒を揮発
させ、支持基板上にポリイミド塗膜を形成させる方法を
採ることもできる。この際、ポリイミド前駆体をイミド
化する方法としては、溶液中で加熱により脱水閉環させ
る方法が採用される。この加熱脱水による閉環温度は、
１００から３５０℃、好ましくは１２０から２５０℃の
任意の温度を選択できる。
は、ポリイミド前駆体をイミド化し、得られたポリイミ
ドを有機溶媒に溶解してワニスを調製し、このワニスを
支持基板に塗布した後、基板を加熱処理して溶媒を揮発
させ、支持基板上にポリイミド塗膜を形成させる方法を
採ることもできる。この際、ポリイミド前駆体をイミド
化する方法としては、溶液中で加熱により脱水閉環させ
る方法が採用される。この加熱脱水による閉環温度は、
１００から３５０℃、好ましくは１２０から２５０℃の
任意の温度を選択できる。
【００１６】又、ポリイミド前駆体をポリイミドに転化
する他の方法としては、公知の脱水閉環触媒を使用して
化学的に閉環することもできる。本発明のポリイミドワ
ニスは、上記のポリイミド及び／又はポリイミド前駆体
を有機溶媒に溶解したワニスよりなり、更に、このワニ
スを構成する有機溶媒の５〜６０重量％、好ましくは１
０〜５０重量％が、一般式［Ｉ］で表される乳酸誘導体
でなければならない。
する他の方法としては、公知の脱水閉環触媒を使用して
化学的に閉環することもできる。本発明のポリイミドワ
ニスは、上記のポリイミド及び／又はポリイミド前駆体
を有機溶媒に溶解したワニスよりなり、更に、このワニ
スを構成する有機溶媒の５〜６０重量％、好ましくは１
０〜５０重量％が、一般式［Ｉ］で表される乳酸誘導体
でなければならない。
【００１７】乳酸誘導体の具体例を挙げれば、乳酸メチ
ルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸ｎ−プロピルエ
ステル、乳酸ｎ−ブチルエステル、乳酸イソアミルエス
テル、などが挙げられ、特に乳酸ｎ−ブチルエステルが
好ましい。これらの乳酸誘導体は、本発明のポリイミド
ワニスを構成する全溶媒量の５重量％以上なければ、塗
膜の平滑化に対する効果が十分ではない。又、これらの
乳酸誘導体は、通常、単独ではこのポリイミド及び／又
はポリイミド前駆体を溶解させないため、全溶媒量の６
０重量％を超えると、ポリマーの析出などが起こり、ワ
ニスの安定性が低下するため好ましくない。
ルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸ｎ−プロピルエ
ステル、乳酸ｎ−ブチルエステル、乳酸イソアミルエス
テル、などが挙げられ、特に乳酸ｎ−ブチルエステルが
好ましい。これらの乳酸誘導体は、本発明のポリイミド
ワニスを構成する全溶媒量の５重量％以上なければ、塗
膜の平滑化に対する効果が十分ではない。又、これらの
乳酸誘導体は、通常、単独ではこのポリイミド及び／又
はポリイミド前駆体を溶解させないため、全溶媒量の６
０重量％を超えると、ポリマーの析出などが起こり、ワ
ニスの安定性が低下するため好ましくない。
【００１８】又、本発明のポリイミドワニスを構成する
全溶媒のうち、上記乳酸誘導体以外の溶媒は、ポリイミ
ド及び／又はポリイミド前駆体を溶解するものであれ
ば、特に限定されない。その例としては２−ピロリド
ン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラク
トンなどが挙げられる。
全溶媒のうち、上記乳酸誘導体以外の溶媒は、ポリイミ
ド及び／又はポリイミド前駆体を溶解するものであれ
ば、特に限定されない。その例としては２−ピロリド
ン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラク
トンなどが挙げられる。
【００１９】その他、単独ではこのポリイミド及び／又
はポリイミド前駆体を溶解させない溶媒であっても溶解
性を損なわない範囲であれば、上記溶媒に加えても構わ
ない。これらのポリイミド及び／又はポリイミド前駆体
を上記溶媒に溶解してポリイミドワニスとする方法は、
特に限定されない。
はポリイミド前駆体を溶解させない溶媒であっても溶解
性を損なわない範囲であれば、上記溶媒に加えても構わ
ない。これらのポリイミド及び／又はポリイミド前駆体
を上記溶媒に溶解してポリイミドワニスとする方法は、
特に限定されない。
【００２０】例えば、上記のポリイミド及び／又はポリ
イミド前駆体の反応・重合溶液をそのまま用いても良
く、又、生成したポリイミド及び／又はポリイミド前駆
体を大過剰の水、メタノールのごとき貧溶媒中に投入
し、沈殿回収した後、上記溶媒に再溶解して用いても良
い。ポリイミドワニス中の樹脂分の量は、ワニスの使用
目的により異なり特に限定されないが、例えば、液晶配
向膜の場合は２〜１５重量％で、絶縁膜の場合は５〜３
０重量％である。
イミド前駆体の反応・重合溶液をそのまま用いても良
く、又、生成したポリイミド及び／又はポリイミド前駆
体を大過剰の水、メタノールのごとき貧溶媒中に投入
し、沈殿回収した後、上記溶媒に再溶解して用いても良
い。ポリイミドワニス中の樹脂分の量は、ワニスの使用
目的により異なり特に限定されないが、例えば、液晶配
向膜の場合は２〜１５重量％で、絶縁膜の場合は５〜３
０重量％である。
【００２１】又、最終的に形成されたポリイミド塗膜と
支持基板の密着性を更に向上させる目的で、本発明のポ
リイミドワニスの成分の一つとして、カップリング剤な
どの添加剤を加えることも可能である。本発明のポリイ
ミドワニスは、支持基板上に塗布し、加熱処理をするこ
とにより、支持基板上に均一膜厚のポリイミド塗膜を形
成し、電気・電子素子の絶縁膜、保護膜、更には液晶表
示素子の配向膜として使用することができる。
支持基板の密着性を更に向上させる目的で、本発明のポ
リイミドワニスの成分の一つとして、カップリング剤な
どの添加剤を加えることも可能である。本発明のポリイ
ミドワニスは、支持基板上に塗布し、加熱処理をするこ
とにより、支持基板上に均一膜厚のポリイミド塗膜を形
成し、電気・電子素子の絶縁膜、保護膜、更には液晶表
示素子の配向膜として使用することができる。
【００２２】この際の塗布方法は、特に限定されるもの
ではないが、スピンコート、ロールコート、オフセット
印刷、グラビア印刷などが一般的である。ポリイミド塗
膜を形成させるための加熱処理温度は、ポリイミドワニ
スがポリイミド前駆体溶液である場合は、ポリイミド前
駆体をポリイミドに転化させるための温度が必要であ
り、１００から３５０℃、好ましくは１２０から２５０
℃の任意の温度を選択できる。又、ポリイミドワニスが
ポリイミド溶液である場合の加熱処理温度は、溶媒が蒸
発すればよく、通常は８０から１５０℃で充分である。
ではないが、スピンコート、ロールコート、オフセット
印刷、グラビア印刷などが一般的である。ポリイミド塗
膜を形成させるための加熱処理温度は、ポリイミドワニ
スがポリイミド前駆体溶液である場合は、ポリイミド前
駆体をポリイミドに転化させるための温度が必要であ
り、１００から３５０℃、好ましくは１２０から２５０
℃の任意の温度を選択できる。又、ポリイミドワニスが
ポリイミド溶液である場合の加熱処理温度は、溶媒が蒸
発すればよく、通常は８０から１５０℃で充分である。
【００２３】ポリイミド塗膜を形成させるための支持基
板は、ポリイミド塗膜を使用する用途に応じて適宜選択
することができる。例えば、半導体素子用絶縁膜、保護
膜の場合には各種配線加工されたシリコン基板であり、
液晶配向膜の場合には、透明電極付きのガラス、又は、
プラスチックフィルムなどである。
板は、ポリイミド塗膜を使用する用途に応じて適宜選択
することができる。例えば、半導体素子用絶縁膜、保護
膜の場合には各種配線加工されたシリコン基板であり、
液晶配向膜の場合には、透明電極付きのガラス、又は、
プラスチックフィルムなどである。
【００２４】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２５】実施例１ ２，２− [４−（４−アミノフェノキシ) フェニル] プ
ロパン４１．０ｇ（０．１モル）、及び１，２，３，４
−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物１９．２ｇ
（０．０９８モル) をＮ−メチルピロリドン（以下、Ｎ
ＭＰと略す）３４０ｇ中、室温で１０時間反応させ、ポ
リイミド前駆体溶液を調製した。得られたポリイミド前
駆体の還元粘度（ηｓｐ／ｃ）は、１．０２ｄｌ／ｇ
（０．５重量％ＮＭＰ溶液、３０℃) であった。
ロパン４１．０ｇ（０．１モル）、及び１，２，３，４
−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物１９．２ｇ
（０．０９８モル) をＮ−メチルピロリドン（以下、Ｎ
ＭＰと略す）３４０ｇ中、室温で１０時間反応させ、ポ
リイミド前駆体溶液を調製した。得られたポリイミド前
駆体の還元粘度（ηｓｐ／ｃ）は、１．０２ｄｌ／ｇ
（０．５重量％ＮＭＰ溶液、３０℃) であった。
【００２６】この溶液１２ｇにＮＭＰ１２ｇ、乳酸n-ブ
チルエステル６ｇを添加し、樹脂分を６％として透明電
極付きガラス基板にフレキソ印刷し、１８０℃で乾燥し
硬化させた。得られた塗膜は凹凸のない平滑な膜であっ
た。
チルエステル６ｇを添加し、樹脂分を６％として透明電
極付きガラス基板にフレキソ印刷し、１８０℃で乾燥し
硬化させた。得られた塗膜は凹凸のない平滑な膜であっ
た。
【００２７】比較例１ 実施例１で調製したポリイミド前駆体溶液１２ｇをＮＭ
Ｐ１８ｇを添加して樹脂分を６％として透明電極付きガ
ラス基板にフレキソ印刷して１８０℃で乾燥し硬化させ
た。得られた塗膜は表面に細かい凹凸及びはじきがみら
れ平滑な膜が得られなかった。
Ｐ１８ｇを添加して樹脂分を６％として透明電極付きガ
ラス基板にフレキソ印刷して１８０℃で乾燥し硬化させ
た。得られた塗膜は表面に細かい凹凸及びはじきがみら
れ平滑な膜が得られなかった。
【００２８】実施例２ 実施例１で調整したポリイミド前駆体溶液１２ｇに乳酸
ｎ−ブチルエステル６ｇを添加し、樹脂分を１２％とし
て透明電極付きガラス基板に２０００ｒｐｍでスピンコ
ートし、１８０℃で乾燥硬化させることにより、厚さ約
３μｍのポリイミド塗膜を得た。得られた塗膜は凹凸の
ない平滑な膜であった。
ｎ−ブチルエステル６ｇを添加し、樹脂分を１２％とし
て透明電極付きガラス基板に２０００ｒｐｍでスピンコ
ートし、１８０℃で乾燥硬化させることにより、厚さ約
３μｍのポリイミド塗膜を得た。得られた塗膜は凹凸の
ない平滑な膜であった。
【００２９】比較例２ 実施例１で調製したポリイミド前駆体溶液１２ｇをＮＭ
Ｐ３ｇを添加して樹脂分を１２％として透明電極付きガ
ラス基板に２０００ｒｐｍでスピンコートし、１８０℃
で乾燥硬化させることにより、厚さ約３μｍのポリイミ
ド塗膜を得た。得られた塗膜は表面に細かい凹凸がみら
れ平滑な膜が得られなかった。
Ｐ３ｇを添加して樹脂分を１２％として透明電極付きガ
ラス基板に２０００ｒｐｍでスピンコートし、１８０℃
で乾燥硬化させることにより、厚さ約３μｍのポリイミ
ド塗膜を得た。得られた塗膜は表面に細かい凹凸がみら
れ平滑な膜が得られなかった。
【００３０】
【発明の効果】本発明のポリイミドワニスは、各種支持
基板上に塗布、加熱処理を施すことによりポリイミド塗
膜を形成させ、電気・電子素子用の絶縁膜・保護膜或い
は液晶配向膜等として使用するものであり、凹凸のない
平滑な塗膜を形成することができる。
基板上に塗布、加熱処理を施すことによりポリイミド塗
膜を形成させ、電気・電子素子用の絶縁膜・保護膜或い
は液晶配向膜等として使用するものであり、凹凸のない
平滑な塗膜を形成することができる。
Claims (7)
- 【請求項１】 ポリイミド及び／又はポリイミド前駆体
を有機溶媒に溶解し、該溶液を支持基板上に塗布し、加
熱処理を施して、支持基板上にポリイミド塗膜を形成す
るのに使用されるポリイミドワニスにおいて、有機溶媒
の５〜６０重量％が、一般式［Ｉ］ 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立して水素、炭素数１
以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルケ
ニル基を表す）で表される乳酸誘導体であることを特徴
とするポリイミドワニス。 - 【請求項２】 一般式［Ｉ］で表される乳酸誘導体が乳
酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸n-プロピ
ルエステル、乳酸n-ブチルエステル、乳酸イソアミルエ
ステルの中から選ばれる少なくとも一種の乳酸誘導体で
ある請求項１記載のポリイミドワニス。 - 【請求項３】 一般式［Ｉ］で表される乳酸誘導体が乳
酸ｎ−ブチルエステルである請求項２のポリイミドワニ
ス。 - 【請求項４】 ポリイミドワニスが液晶配向膜形成用で
ある請求項１記載のポリイミドワニス。 - 【請求項５】 ポリイミドワニス中の樹脂分が２〜１５
重量％である請求項４のポリイミドワニス。 - 【請求項６】 ポリイミドワニスが絶縁膜形成用である
請求項１記載のポリイミドワニス。 - 【請求項７】 ポリイミドワニス中の樹脂分が５〜３０
％である請求項６のポリイミドワニス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32024594A JPH07228839A (ja) | 1993-12-24 | 1994-12-22 | ポリイミドワニス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32708793 | 1993-12-24 | ||
| JP5-327087 | 1993-12-24 | ||
| JP32024594A JPH07228839A (ja) | 1993-12-24 | 1994-12-22 | ポリイミドワニス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07228839A true JPH07228839A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=26570015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32024594A Pending JPH07228839A (ja) | 1993-12-24 | 1994-12-22 | ポリイミドワニス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07228839A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07310035A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Daimler Benz Ag | 加熱により変色する塗料 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP32024594A patent/JPH07228839A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07310035A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Daimler Benz Ag | 加熱により変色する塗料 |
| US5691053A (en) * | 1994-05-13 | 1997-11-25 | Daimler-Benz Ag | Coating composition with thermally-influenced color |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100330385B1 (ko) | 폴리이미드와니스 | |
| KR100381761B1 (ko) | 액정배향처리제 | |
| JP3097702B2 (ja) | 新規な液晶配向処理剤 | |
| JP5190109B2 (ja) | ３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ｔ−ブチル−１−ナフタレンコハク酸二無水物、およびと当該二無水物から調製されたポリイミド樹脂を含む液晶配列剤 | |
| KR101928598B1 (ko) | 폴리이미드 필름 및 그 제조방법 | |
| WO2005052028A1 (ja) | 垂直配向用液晶配向処理剤および液晶表示素子 | |
| US5461099A (en) | Polyimide varnish | |
| JPH10197875A (ja) | 液晶配向処理剤 | |
| WO2018163884A1 (ja) | 透明電極用基材フィルムおよびその製造方法 | |
| JP3780534B2 (ja) | ポリイミドワニス | |
| JPS61195130A (ja) | 芳香族ポリイミドフイルムの製造方法 | |
| JP5825651B2 (ja) | 電子素子用絶縁材 | |
| JP2526845B2 (ja) | ポリイミドワニス組成物及びその使用法 | |
| JPH11249148A (ja) | 液晶配向処理剤 | |
| JP3681083B2 (ja) | 液晶配向剤 | |
| JP3132734B2 (ja) | 液晶表示素子用配向膜 | |
| JPH07228839A (ja) | ポリイミドワニス | |
| JP5298398B2 (ja) | 液晶配向処理剤およびこれを用いた液晶表示素子 | |
| JP2001064388A (ja) | ポリイミド及びポリイミド系溶液並びにポリイミド膜の形成方法 | |
| JPH09127511A (ja) | 液晶配向剤 | |
| JP3197226B2 (ja) | 液晶配向剤 | |
| JPH08239575A (ja) | ポリアミド酸組成物、ポリアミド酸組成物の製造方法ならびにカラーフィルタおよびその製造方法 | |
| JP2019038916A (ja) | γ−ブチロラクトン溶媒中で重合した可溶性透明ポリイミド | |
| JPH10111514A (ja) | 液晶配向膜の形成方法 | |
| JPH09241581A (ja) | 樹脂ワニス組成物及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |