KR100328615B1

KR100328615B1 - 메모리 시험장치

Info

Publication number: KR100328615B1
Application number: KR1019990040554A
Authority: KR
Inventors: 사토가즈히코
Original assignee: 오우라 히로시; 가부시키가이샤 아드반테스트
Priority date: 1998-09-21
Filing date: 1999-09-21
Publication date: 2002-03-15
Also published as: TW475994B; KR20000023326A; JP2000100196A; JP4121634B2; US6477672B1

Abstract

플래쉬메모리와 같이 블록기능을 갖는 메모리를 단시간에 테스트할 수 있는 메모리 시험장치를 제공한다. 피시험메모리(MUT)의 전(全)비트 불량을 격납할 수 있는 불량해석메모리(AFM)에 더하여 피시험메모리가 갖는 블록수에 대응하는 기억용량을 갖는 제1 배드블록메모리(BBM)와 제2 배드블록메모리(CFM)를 설치한다. 제1 배드블록메모리에는 초기테스트 결과를 격납하고, 초기테스트 결과를 마스크데이터로 이용하여 초기테스트에서 불량으로 판정된 배드블록은 마스크하여 기능테스트를 생략하고, 패스블록만을 기능테스트한다. 이 기능테스트 결과를 제2 배드블록메모리에 격납하고, 이 제2 배드블록메모리에 배드블록데이터가 격납되어 있는 블록만을 구제 가능한지 여부를 판정처리한다.

Description

메모리 시험장치{MEMORY TESTING APPARATUS}

본 발명은 예컨대 플래쉬메모리(flash memory), 플래쉬 EEPROM 또는 플래시 E²PROM(Flash electrically erasable programable read only memory)등으로 불리우고 있는 전비트 혹은 블록단위로 전기적으로 일괄소거와 재기록이 되는 불휘발성메모리(non-volatile memory)를 시험하는 메모리시험장치에 관한 것이다.

프로그램 가능한 판독전용 메모리인 PROM(Programable read only memory)내에서 전(全)비트의 기억내용, 혹은 블록단위로 기억내용을 전기적으로 소거하고, 재기록함으로써 기억내용을 프로그래밍할 수 있는 메모리를 이 기술분야에서는 플래쉬메모리라 일컫고 있다. 이 플래쉬메모리(가령 NAND 타입 플래쉬메모리)는 도 8에 도시된 바와 같이 그 내부가 복수개의 블록(이 예에서는 No.1 내지 No. 1024의 1024개의 블록)으로 나누어져 있고, 각 블록은 N페이지(N은 2이상의 정수)로 이루어지고, 각 페이지가 M비트(M은 2이상의 정수)로 구성되어 있다. 그리고, 전비트의 기억내용은 물론, 블록 단위로 기억내용을 전기적으로 소거할 수 있고, 이 기억내용을 소거한 블록 또는 전블록에 재기록함으로써 기억내용을 프로그래밍할 수 있도록 구성되어 있다. 일반적으로 각 블록은 16페이지(N=16)로 이루어지고, 또한 각 페이지가 512비트(M=512)로 구성되어 있는 경우가 많다.

종래, 이 플래쉬메모리는 일반적인 메모리(가령 반도체 집적회로(IC)로 구성된 메모리)를 시험, 측정하는 메모리 시험장치에 의해 시험측정되고 있다. 도 9에 종래 사용되고 있는 일반적 메모리장치의 개략구성을 표시한다.

예시한 메모리 시험장치는 주제어기(100)와, 이 기술분야에서 메인프레임 (main frame)이라 불려지고 있는 시험장치본체(200)와, 테스트헤드(300)에 의해 구성되어 있다. 시험장치본체(200)는, 이 예에서는, 타이밍발생기(TG), 패턴발생기 (PG), 파형포맷터(FC), 드라이버(DR), 전압비교기(VCP), 논리비교기(LOC), 불량해석메모리(AFM) 및 구비한다.

테스트헤드(300)는 시험장치본체(200)와는 별개체로 구성되고, 통상 그 상부에 소정개수의 디바이스소켓(도시안됨)이 장착되어 있다. 또, 테스트헤드(300) 내부에는 이 기술분야에서 핀카드라 불려지고 있는 프린트기판이 수납되어 있고, 통상, 시험장치본체(200)의 드라이버(DR) 및 전압비교기(VCP)를 포함한 회로는 이 핀카드에 형성되어 있다. 일반적으로 테스트헤드(300)는 이 기술분야에서 핸들러라 불려지고 있는 반도체 디바이스반송 및 처리장치의 테스트부에 부착되고, 테스트헤드(300)와 시험장치본체(200)는 케이블, 광파이버 등의 신호전송수단에 의해 전기적으로 접속된다.

시험하고자하는 메모리(피시험메모리; MUT)는 테스트헤드(300)의 디바이스 소켓에 장착되고, 이 소켓을 통하여 시험장치본체(200)에서 피시험메모리(MUT)에 테스트패턴신호가 기록되고, 또, 피시험메모리(MUT)에서 판독된 응답신호가 시험장치본체(200)에 공급되어 피시험메모리(MUT)의 시험, 측정이 행해진다.

또한, 도 9에 있어서는 드라이버(DR)만을 복수개(이 예에는 4개) 도시하지만 실제는 드라이버(DR)는 소정개수만큼, 가령 512개, 설치되어 있다. 또, 도면을 간단화하기 위하여 도 9에는 드라이버(DR)를 제외한 메인프레임(200)내의 소자(타이밍 발생기(TG), 패턴발생기(PG), 파형포맷터(FC), 전압비교기(VCP), 논리비교기 (LOC), 불량해석메모리(AFM))를 하나의 블록으로 표시하고 있으나, 실제는 타이밍발생기(TG)를 제외한 메인프레임(200)내의 나머지 소자도 드라이버(DR)와 같은 개수(가령 512개) 설치되어 있다. 즉, 타이밍발생기(TG)만이 피시험메모리(MUT)의 각핀에 대하여 공통으로 사용된다.

주제어기(100)는 가령 워크스테이션 정도의 규모를 갖는 컴퓨터 시스템에 의해 구성되어 있고, 유저(프로그래머)가 작성한 테스트프로그램(101)이 미리 격납되고, 이 테스트프로그램(101)에 따라 메모리 시험장치 전체의 제어를 행한다. 주제어기(100)는 테스터버스(201)를 통하여 메모리프레임(200)내의 타이밍발생기(TG), 패턴발생기(PG) 등과 접속되어 있고, 주제어기(100)에서 출력되는 제어명령에 따라 피시험메모리(MUT) 시험을 실행한다.

패턴발생기(TG)에는, 시험개시전에, 주제어기(100)에 격납되어 있는 테스트프로그램에 기술된 패턴발생 순서가 미리 격납되고, 패턴발생기(PG)는 주제어기 (100)에서 테스트개시명령이 주어지면, 이 격납된 패턴발생 순서에 따라 피시험메모리(MUT)에 인가해야할 테스트 패턴데이터를 출력한다. 이 패턴발생기(PG)에는 일반적으로 ALPG(Algorithmic Pattern Generator)가 사용된다. ALPG 란, 반도체 디바이스(가령 IC)에 인가하는 테스트패턴을 내부의 연산기능을 갖는 레지스터를 사용하여, 연산으로 발생하는 패턴발생기를 말한다.

타이밍발생기(TG)에는, 시험개시전에 주제어기(100)에 격납되어 있는 테스트프로그램에 기술된 테스트주기마다 출력하는 타이밍데이터가 미리 격납되고, 타이밍발생기(TG)는 이 격납된 타이밍 데이터에 따라 각 테스트 주기마다 클록펄스(타이밍펄스)를 출력한다. 이 타이밍펄스는 파형포맷터(FC), 논리비교기(LOC) 등에 주어진다.

파형포맷터(FC)는 패턴발생기(PG)가 출력하는 테스트패턴데이터와, 타이밍발생기(TG)가 출력하는 타이밍펄스에 의거하여 논리파형의 상승 타이밍 및 하강 타이밍을 규정하고, H논리(논리 '1') 및 L논리(논리 '0')로 변화되는 실파형을 갖는 테스트패턴신호를 생성하고 드라이버(DR)를 통하여 피시험메모리(MUT)에 이 테스트패턴신호를 인가한다.

드라이버(DR)는 파형포맷터(FC)가 출력하는 테스트패턴신호의 진폭을 소망하는 진폭(H논리 즉, 논리 '1'의 전압 및 L논리 즉, 논리 '0'의 전압)으로 규정하여 테스트헤드(300)의 디바이스 소켓에 인가하고, 피시험메모리(MUT)를 구동한다.

전압비교기(VCP)는 피시험메모리(MUT)가 출력하는 응답신호의 논리치가 정규 전압치를 갖는지 여부를 판정한다. 즉, H논리의 응답신호일 경우는 H논리의 전압이 규정전압치 이상의 값을 표시하는지 여부를 판정하고, L논리의 응답신호일 경우는 L논리의 전압이 규정전압치 이하의 값을 표시하는지 여부를 판정한다.

전압비교기(VCP)의 판정결과가 양(패스)이면 그 출력신호는 논리비교기(LOC)에 입력되고, 이 논리비교기(LOC)에 있어서 패턴발생기(PG)에서 주어지는 기대치 패턴데이터(신호; EXP)와 비교되고, 피시험메모리(MUT)가 정상의 응답신호를 출력했는지 여부가 판정된다. 논리비교기(LOC)의 비교결과는 불량해석메모리(AFM)에 기억된다.

논리비교기(LOC)는 양신호가 불일치가 되면 그 응답신호가 판독된 피시험메모리(MUT)의 어드레스의 메모리셀이 불량이라고 판정하고, 그 사실을 나타내는 페일(failure) 신호를 발생한다. 통상, 이 페일신호가 발생되면 불량해석메모리 (AFM)의 데이터 입력단자에 항상 인가되어 있는 논리 '1'신호가 기록가능해지고, 패턴발생기(PG)에서 공급되는 어드레스신호(ADR)에 의해 지정되는 불량해석메모리 (AFM)의 메모리셀에 논리 '1' 데이터가 페일데이터로서 기록된다. 일반적으로는 페일데이터(논리 '1')는 피시험메모리(MUT)의 불량메모리셀의 어드레스와 같은 불량해석메모리(AFM)의 어드레스에 기억된다.

이에 비해, 피시험메모리의 응답신호와 기대치패턴데이터(EXP)가 일치하면, 논리비교기(LOC)는 그 응답신호가 판독된 피시험메모리(MUT)의 어드레스의 메모리셀은 정상이라 판정하고, 그 사실을 표시하는 패스(PASS)신호를 발생한다. 이 패스신호는 통상 불량해석메모리(AFM)에 격납되지 않는다.

시험종료후, 불량해석메모리(AFM)에 격납된 페일데이터를 참조하여 피시험메모리(MUT)의 불량해석을 행한다. 가령, 불량구제를 위하여 이용할 경우는 판독한 페일데이터에 의해 페일맵을 작성하고, 피시험메모리(MUT)의 불량메모리셀의 구제가 가능한지 여부가 판정된다.

주지하는 바와같이, 불량해석메모리(AFM)는 피시험메모리(MUT)의 전비트의 양부 판정결과가 격납될 수 있도록 피시험메모리(MUT)와 동등 또는 그 이상의 기억용량을 갖는 메모리에 의해 구성되어 있다.

따라서, 종래는 플래쉬메모리를 시험한 경우에도 전비트의 양부 판정 결과가 불량해석메모리(AFM)에 격납된다. 시험종료후, 불량해석메모리(AFM)에 공급되는 어드레스 신호에 의해 플래쉬메모리의 각 블록을 식별하고, 각 블록마다 불량해석메모리셀 수를 계수하여, 가령 구제가 가능한지 여부의 불량구제해석 등을 행하고 있다.

플래쉬메모리를 테스트할 때에는 우선 초기 테스트가 행해지고, 초기테스트에서 양이라 판정된 플래쉬메모리에 대하여서만 기능테스트가 실행된다. 이 초기 테스트란, 가령 피시험 플래시 메모리의 전비트의 메모리셀에 대하여 통상은 '1'의 논리치('0'의 논리치인 경우도 있다)를 기록하고, 그 후에 이것을 판독한다. 판독한 논리치가 기록한 논리치와 일치하지 않을 경우는 그 메모리셀은 결함이 있다고 판정하고, 이와같은 결함 메모리셀을 포함하는 블록을 불량블록(failure block)이라 판정한다.

이 초기테스트에서 불일치가 발생한 메모리셀은 치명적 결함을 구비하고, 구제불능인 경우가 많다. 이 때문에 일반적으로는 초기테스트에서 결함이 있다고 판정된 메모리셀이 1개라도 존재하는 블록, 즉 불량블록은 사용 불가능이라 간주하고, 초기테스트에서 검출된 불량블록수가 규정치 이상, 가령 5개정도 존재할 경우는 초기테스트 단계에서 피시험플래시메모리를 불량품(failure article)으로 판정하고, 기능테스트는 실행하지 않는다.

초기 테스트에서 불량블록수가 규정치보다 적고, 양이라 판정된 플래쉬메모리에 대해서만 기능테스트가 실행된다. 이 기능테스트는 초기테스트에서 양이라 판정된 블록(이하, 패스블록(pass block)이라함)에 대해서만 시험패턴신호를 기록동작과 그것을 판독하는 동작을 반복하고, 판독한 데이터(즉, 피시험플래쉬메모리의 응답신호)가 기록한 데이터(즉, 패턴발생기(PG)로 부터의 기대치 패턴데이터(EXP))와 일치하고 있는지 여부를 논리비교기(LOC)에 의해 비교, 판정한다. 양 데이터가 일치하지 않을 경우는 그 불일치가 발생한 피시험플래쉬메모리의 어드레스와 같은 불량해석메모리(AFM)의 어드레스에, 상기와 같이 통상은 논리 '1'의 페일데이터를 기록하여 불일치가 발생한 메모리셀의 위치를 기억시킨다. 그리고 기능테스트 종료후에 불량해석메모리(AFM)의 기억내용을 판독하고, 불량메모리셀 수와 불량메모리셀의 위치에 의해 피시험플래쉬메모리 구제가 가능한지 여부를 판정한다.

상기와 같이, 플래쉬메모리 테스트와 초기테스트에 있어서 1개라도 결함메모리셀이 존재하는 블록을 불량블록이라 판정하고, 이 불량블록이 소정개수 이상 존재할 경우는 그 플래쉬메모리는 불량품이라 판정한다. 한편, 불량블록수가 소정개수보다 적은 플래쉬메모리에 대해서는 패스블록만에 대하여 기능테스트를 실행한다. 따라서, 불량블록에 대해서는 기능테스트를 실행하지 않는다. 이후, 불량블록을 배드블록(bad block)이라 일컫는다.

이 때문에 초기테스트에 있어서는, 종래는 피시험플래쉬메모리의 각 블록에 대응하는 불량해석메모리(AFM)의 어드레스 영역을 1 어드레스씩 순차로 판독하여 그 어드레스 영역에 불량을 나타내는 데이터(일반적으로는 논리 '1'데이터)가 기록되어 있는지 여부를 검색하고, 이 검색결과에 따라 불량블록수가 규정치 이상인지 여부를 판정한다. 따라서 불량데이터 검색에 시간이 걸리고, 테스트의 처리능력(테스트 효율)이 매우 나쁜 결함이 있다.

또한, 그후의 플래쉬메모리의 기능테스트에 있어서는 테스트대상이 되는 패스블록의 각 어드레스에 있어서 기록이 바르게 실행되기까지 수회에 걸쳐 재기록동작을 실행하고 이 재기록의 동작회수가 미리 설정된 회수, 가령 6회 정도에 달하면 그 어드레스의 기록을 중지하여 다음 어드레스의 기록동작으로 나아감과 동시에, 이 기록이 되지 않은 어드레스를 불량어드레스로서 불량해석메모리(AFM)에 기억시키고 있다. 따라서 패스블록내에 기록이 전혀 실행되지 않은 어드레스가 존재하면, 재기록동작에 의한 시간이 가산되기 때문에 기능시험에 필요한 시간이 길어지는 결함이 있다.

특히 복수의 플래쉬메모리를 동시에 시험할 경우는, 그 안에 패스블록에 불량어드레스를 포함한 플래시 메모리가 1개라도 존재하면 이 플래쉬메모리에 대한 기록동작은, 그 불량어드레스를 액세스한 경우에는 소정회수 행해지기 때문에 다른 플래쉬메모리는 그것들에 대한 기록동작이 1회로 완료되는데도 불구하고 이 불량어드레스의 기록동작이 소정회수로 행해질때까지 대기하지 않으면 안된다. 그 결과, 다른 플래쉬메모리는 헛된 시간을 낭비하는 것이되고, 이에따라 테스트시간이 더욱 길어지는 중대한 결점이 있다.

최근에, 시험코스트를 저감시킬 목적으로 동시에 다수개의(가령 64개의) 반도체 메모리를 시험, 측정하는 반도체 메모리 시험장치가 다수 출현되어 있어, 이와같은 반도체 메모리 시험장치는 플래쉬메모리를 다수개를 동시에 테스트하면 그중에 패스블록에 불량어드레스를 포함한 플래쉬메모리가 1개는 존재할 가능성이 매우 높다. 따라서, 상기 테스트 시간을 길게하는 결함은 시험코스트를 상승시키는 결과를 초래한다.

본 발명의 하나의 목적은, 전비트 혹은 블록단위로 전기적으로 일괄소거와 재기록이 가능한 불휘발성 메모리에 대한 초기테스트 종료후에 행해지는 배드블록 검색에 필요한 시간을 현저히 단축할 수 있는 시험장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은, 전비트 혹은 블록단위로 전기적으로 일괄소거와 재기록이 가능한 불휘발성 메모리를 복수개, 동시에 테스트할때에 초기테스트 종료후에 실행되는 패스블록에 대한 기능테스트를 단시간에 행할 수 있는 메모리 시험장치를 제공함에 있다.

본 발명의 또다른 목적은, 각종 테스트모드를 설정할 수 있는 메모리 시험장치를 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 면에 있어서는 전비트 혹은 블록단위로 전기적으로 일괄소거와 재기록 가능한 불휘발성 메모리를 시험하는 메모리 시험장치에 있어서, 피시험 메모리가 구비되어 있는 블록수에 대응하는 수의 기억영역을 갖는 제1 배드블록메모리를 설치하고, 피시험메모리의 모든 블록의 메모리셀에 일정한 논리치를 기록하고, 그 기록논리치를 판독하고, 이 판독한 논리치가 상기 기록한 논리치와 일치하는지 여부를 판정하고, 불일치인 메모리셀이 1개라도 존재한 블록은 불량블록으로서 검출하는 초기 테스트모드에 있어서, 불량블록이 검출될때 마다 이 불량블록에 대응하는 상기 제1 배드블록메모리의 기억영역에 상기 불량블록을 표시하는 배드블록데이터를 기억하는 메모리 시험장치가 제공된다.

상기 제1 배드블록메모리는 동시에 복수개의 피시험 메모리를 테스트할 경우는 각 피시험메모리마다 설치된다. 또, 상기 불휘발성메모리는 그 내부가 복수개의 블록으로 분할되어 있고, 각 블록은 N페이지로 되고, 각 페이지가 M비트로 구성된다.

바람직한 제1 실시예에 있어서는, 상기 메모리 시험장치는 또한 상기 피시험메모리에 공급되는 어드레스신호에서 특정비트를 선택하여, 이 어드레스 신호에 의해 액세스되는 상기 피시험메모리의 어드레스가 속하는 블록과 대응하는 상기 제1 배드블록메모리의 기억영역을 액세스하는 블록어드레스 신호를 생성하는 블록어드레스 선택수단을 구비한다.

상기 블록 어드레스 선택수단은, 기능테스트 모드에 있어서는 상기 피시험메모리에 공급되는 시험패턴신호에 포함되는 어드레스 신호에서 특정비트를 선택하여 상기 제1 배드블록메모리의 기억영역을 액세스하는 블록어드레스 신호를 생성하고, 상기 제1 배드블록메모리에서 그곳에 격납되어 있는 배드블록데이터를 판독한다.

상기 메모리 시험장치를 또한 상기 제1 배드블록메모리로부터 상기 제1 배드블록데이터가 판독될 경우에, 상기 피시험메모리의 기능테스트를 금지시키는 마스크 제어수단과, 초기테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리에 격납된 배드블록데이터 수를 계수하는 배드블록카운터를 구비한다.

바람직한 제2 실시예에 있어서는, 상기 메모리 시험장치는 또한 기능테스트 모드에 있어서 검출되는 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제2 배드블록메모리를 구비하고, 상기 배드블록카운터는 초기 테스트 및 기능테스트종료후에 상기 제1 배드블록메모리 및 상기 제2 배드블록메모리에 각각 격납된 배드블록데이터 수를 계수한다.

상기 구성에 따르면, 제1 배드블록메모리의 기억내용을 판독함으로써 극히 단시간에 피시험메모리의 배드블록 수를 집계할 수 있다. 따라서 초기테스트에 요하는 시간을 현저히 단축할 수 있다.

또, 기능테스트시에는 피시험메모리에 공급되는 어드레스 신호에서 블록어드레스신호를 생성하고, 이 블록 어드레스신호에 의해 제1 배드블록메모리를 액세스하여 이 제1 배드블록메모리의 기억내용을 판독하고, 판독된 배드블록데이터를 기능테스트를 중지하는 마스터데이터로서 이용하게 했기때문에, 배드블록데이터가 판독될 경우는 즉시 그 배드블록데이터가 판독된 블록에 대응하는 피시험메모리의 블록의 기능테스트를 금지할 수 있다. 따라서, 기능테스트에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.

특히 복수개의 피시험메모리를 동시에 테스트할 경우는 배드블록이 액세스된 피시험메모리는 기능테스트를 금지시켜서 그 블록의 기능테스트를 실행하면서, 이 배드블록이 액세스된 피시험 메모리에 대하여 시험패턴신호를 몇번이고 재기록할 필요가 없게된다. 따라서, 다른 피시험메모리는 배드블록이 액세스된 피시험메모리의 재기록에 소요되는 시간을 기다리지 않고 즉시 기능 테스트에 들어갈수 있기때문에 기능테스트에 소요되는 시간을 대폭 단축할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 메모리 시험장치의 제1 실시예를 나타내는 블록도,

도 2는 도 1에 표시된 메모리 시험장치에 사용된 제1 배드블록메모리 구성을 설명하는 모식도,

도 3은 본 발명에 따른 메모리 시험장치의 제2 실시예를 나타내는 블록도,

도 4는 도 3에 표시된 메모리 시험장치에 있어서 실시되는 테스트모드의 제1 예의 전반부분을 설명하기 위한 흐름도,

도 5는 도 3에 표시된 메모리 시험장치에 있어서 실시되는 테스트모드의 제1예의 후반부분을 설명하기 위한 흐름도,

도 6은 도 3에 표시된 메모리 시험장치에 있어서 실시되는 테스트모드의 제2예의 전반부분을 설명하기 위한 흐름도,

도 7은 도 3에 표시된 메모리 시험장치에 있어서 실시되는 테스트모드의 제2예의 후반부분을 설명하기 위한 흐름도,

도 8은 본 발명에 따른 메모리 시험장치에 의해 시험되는 플래쉬메모리 구조의 일예를 설명하기 위한 모식도,

도 9는 종래의 메모리 시험장치의 일예를 나타내는 흐름도.

이하, 본 발명에 따른 메모리 시험장치의 바람직한 실시예에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 상세히 설명한다. 또한 도 1 및 도 3에 있어서, 도 9와 대응하는 부분이나 소자에는 동일 부호를 부기하여 나타내고, 필요없는 한 이들의 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명에 따른 메모리 시험장치의 제1 실시예를 블록도로 표시한다. 이 제1 실시예의 메모리 시험장치도 도 9 표시의 종래의 메모리 시험장치와 동일하게 주제어기(100)와, 이 기술분야에서 메인프레임(main frame)이라 불리우는 시험장치본체(200)와, 테스트헤드(300)에 의해 구성되어 있다. 시험장치본체(200)는 타이밍발생기(TG), 패턴발생기(PG), 파형포맷터(FC), 드라이버(DR), 전압비교기 (VCP), 논리비교기(LOC), 불량해석메모리(AFM)를 구비한다.

피시험메모리(MUT)는 테스트헤드(300)의 디바이스 소켓에 장착되고, 이 소켓을 통하여 시험장치본체(200)에서 피시험메모리(MUT)에 테스트패턴신호가 기록되고, 또 피시험메모리(MUT)에서 판독된 응답신호가 시험장치본체(200)에 공급되고, 피시험메모리(MUT)의 시험, 측정이 행해진다.

또, 도 1에 있어서는 드라이버(DR)만을 복수개 도시하나, 실제는 드라이 버(DR)는 소정개수만큼, 가령 512개 설치되어 있다. 또, 메인프레임(200)내의 타이밍발생기(TG)를 제외한 패턴발생기(PG), 파형포맷터(FC), 전압비교기(VCP), 논리비교기(LOC), 불량해석메모리(AFM)로 드라이버(DR)와 같은 개수(가령 512개)가 설치되어 있다.

본 발명의 제1 실시예의 메모리 시험장치에 있어서는, 종래 사용되고 있는불량해석메모리(AFM)에 더하여 제1 배드블록메모리(BBM), 블록어드레스선택기 (BAO), 마스크제어기(MKC) 및 배드블록카운터(BBC)를 설치한 점을 특징으로 한다.

제 1 배드블록메모리(BBM)는 불량해석메모리(AFM)에 주어지는 전비트(풀비트)의 어드레스신호중에서 선택된 비트로 구성되는 블록어드레스에 의해 액세스된다. 도 1 표시의 제1 실시예에서는 패턴발생기(PG)에서 불량해석메모리(AFM)에 주어지는 풀비트의 어드레스신호(ADR)를 블록어드레스 선택기(BAO)에도 공급하고, 이 블록어드레스 선택기(BAO)에 있어서 풀비트의 어드레스신호(ADR)중에서 상위비트를 꺼내어 블록어드레스신호(BADR)를 생성하고, 이 블록어드레스신호(BADR)를 블록어드레스 선택기(BAO)에서 제1 배드블록메모리(BBM)에 공급하여 그 어드레스를 액세스하도록 구성되어 있다.

불량해석메모리(AFM)에 주어지는 풀비트의 어드레스신호(ADR)는 플래쉬메모리의 초기테스트시에 있어서나 기능 테스트시에 있어서나 피시험메모리(MUT)에 주어지는 어드레스신호와 같다. 따라서 피시험메모리(MUT)로부터 기록된 데이터(시험패턴신호)를 판독할 때는, 피시험메모리(MUT)와 불량해석메모리(AFM)는 같은 어드레스신호에 의해 동일 어드레스가 액세스된다. 이에 비해 제1 배드블록메모리 (BBM)는 액세스된 피시험메모리의 어드레스가 속하는 블록 No.에 대응하는 블록어드레스가 블록어드레스신호(BADR)에 의해 액세스된다.

따라서, 피시험메모리(MUT)에서 판독된 데이터가 패턴발생기(PG)에서 출력되는 기대치 패턴데이터와 불일치하는 경우에는 그 불일치가 발생한 어드레스 및 불일치가 발생한 메모리셀의 위치가 불량해석메모리(AFM)에 기억됨과 동시에 제1 배드블록메모리(BBM)에는 불일치가 발생한 어드레스가 속한 블록 No.에 도 2와 같이 배드블록을 표시하는 데이터(배드블록데이터)가 기록된다.

도 2의 예에서는 블록어드레스(2)와 블록어드레스(6)에 속하는 피시험메모리 (MUT)의 블록의 어드레스에 각각 불일치가 발생하고, 이들 블록어드레스(2 및 6)에 대응하는 블록 No.3과 블록 No. 7에 배드블록데이터가 기록되고, 따라서 이들 블록 No.3 및 No.7이 배드블록임을 표시하고 있다.

도 1에 있어서는 1개의 피시험메모리(MUT)를 테스트하는 구성을 예시하고 있으나, 복수의 피시험메모리(MUT)를 테스트할 경우는, 각 피시험메모리(MUT)마다 패턴발생기(PG), 파형포맷터(FC), 드라이버(DR), 전압비교기(VCP), 논리비교기(LOC), 불량해석메모리 (AFM), 제1 배드블록메모리(BBM), 마스크제어기(MKC), 블록어드레스선택기(BAO), 배드블록카운터(BBC)가 설정된다.

초기테스트는 피시험메모리(MUT)의 모든 비트에 가령 '1'의 논리치를 기록함과 동시에 이것을 순차 판독하여 각 블록내에서 1개라도 불일치를 발생하는 메모리셀이 검출될 경우는 그 블록을 표시하는 제1 배드블록메모리(BBM)의 블록어드레스에 배드블록을 표시하는 데이터(일반적으로는 논리 '1'의 데이터)가 기록된다. 이 배드블록을 표시하는 데이터는 1비트의 데이터로 나타낼수 있다. 따라서, 제1 배드블록메모리(BBM)는 피시험메모리(MUT)가 갖는 블록수와 등등한 수의 어드레스 용량을 가지며, 각 어드레스마다 1비트의 기억용량을 갖는 메모리로 구성할 수 있다.

초기테스트가 종료되면 패턴발생기(PG)는 블록어드레스선택기(BAO)에 어드레스 신호를 공급하고, 이 블록어드레스선택기(BAO)에서 블록어드레스신호를 제1 배드블록메모리(BBM)에 공급하여 제1 배드블록메모리(BBM)에 격납된 배드블록데이터를 판독한다.

제1 배드블록메모리(BBM)에서 판독된 배드블록데이터는 배드블록카운터(BBC)에 의해 계수된다. 이 계수결과는 데스트버스(201)를 통하여 주제어기(100)에 기록되고, 피시험메모리(MUT) 양부를 판정한다. 배드블록 수가 소정개수보다 적을 경우에는 주제어기(100)는 패턴발생기(PG) 및 타이밍발생기(TG)에 기능테스트 실행을 지시한다.

기능테스트시에는 패턴발생기(PG)는 테스트프로그램(101)에 기술된 패턴발생 순서에 따라 시험패턴데이터를 출력하고, 그 시험 패턴데이터와 타이밍발생기(TG)에서 출력되는 타이밍신호에 의해 파형포맷터(FC)는 실(實)파형을 갖는 시험패턴신호를 생성한다. 이 시험패턴신호는 드라이버(DR)를 통하여 피시험메모리(MUT)의 각 어드레스(메모리셀)에 기록된다. 기록된 시험패턴신호는 그후 판독되어 전압비교기(VCP)에 보내진다.

여기서, 패턴발생기(PG)가 출력한 시험패턴데이터에는 피시험메모리(MUT) 및 불량해석메모리(AFM)에 각각 주어지는 어드레스신호도 부가되어 있다. 이 불량해석메모리(AFM)에 주어지는 어드레스신호를 블록어드레스선택기(BAO)에도 부여하고, 블록어드레스선택기(BAO)에서 블록어드레스신호(BADR)를 발생시키고, 이 블록어드레스신호(BADR)에 의해 제1 배드블록메모리(BBM)의 기억내용을 판독한다.

제1 배드블록메모리(BBM)에서 배드블록데이터가 판독되지 않을 경우는 통상대로 기능테스트가 실행되고, 논리비교기(LOC)에서 논리비교결과가 출력된다. 이에비해 제1 배드블록메모리(BBM)에서 배드블록데이터가 판독될 경우는 이 배드블록데이터는 마스크제어기(MKC)를 통하여 파형포맷터(FC)와 논리비교기(LOC)에 각각 공급된다. 배드블록데이터를 수신하면 파형포맷터(FC)는 피시험메모리(MUT)의 적어도 기록제어단자(W) 및 판독제어단자(R)와 접속된 신호라인에 논리 '1' 또는 논리 '0'의 금지신호를 공급하고, 피시험메모리(MUT)에 대한 기록동작 및 판독동작을 금지시킨다. 한편, 논리비교기(LOC)는 논리비교동작을 금지한다.

이와같이 구성했기때문에 초기테스트 실행후에 피시험메모리의 양부를 판정할때는, 제1 배드블록메모리(BBM)의 기억내용만을 판독하면 되기 때문에, 종래기술의 메모리 시험장치를 사용할 경우와 비교하여 배드블록의 검색시간이 대단히 단축되고, 테스트 효율이 향상되는 이점이 얻어진다.

또, 제1 배드블록메모리(BBM)에 격납된 배드블록데이터에 의해 배드블록을 마스크하도록 구성했기때문에, 피시험메모리(MUT)의 배드블록에 대한 기록동작 및 판독동작의 금지나, 논리비교기(LOC)에 있어서의 논리비교동작의 금지를 간단한 구성으로 확실하게 게다가 신속하게 실행할 수 있다.

그 결과 기능테스트에 있어서는 배드블록에 대한 기록동작 및 판독동작, 논리비교동작이 순간적으로 금지되기 때문에 기능테스트에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 특히, 다수개의 피시험메모리를 동시에 테스트할 때에는 몇몇 피시험메모리가 배드블록을 가지고 있으며, 그 배드블록이 액세스되더라도 그 배드블록의 기능테스트는 금지되므로, 다른 피시험메모리의 패스블록에 대한 기능테스트는 대기시간없이 실행된다. 따라서, 다수개의 피시험메모리를 동시에 기능테스트할때에는 테스트에 소요되는 시간을 대폭 단축할 수 있는 이점이 얻어진다.

도 3은 본 발명에 따른 메모리 시험장치의 제 2 실시예를 표시하는 블록도이다. 이 제2 실시예의 메모리 시험장치는 도 1 표시의 제1 실시예 구성에 다시 제2 배드블록메모리(CFM)를 추가한 구성을 특징으로 하는 것이다. 이 제2 배드블록메모리(CFM)에는 제1 배드블록메모리(BBM)와 동등한 구성의 메모리가 사용된다.

이 제2 실시예에 있어서는 제1 배드블록메모리(BBM)에는 상기한 바와같이 초기테스트로 검출된 배드블록을 표시하는 데이터(논리 '1'의 데이터)가 기록된다. 이에 비해, 이 실시예에서 추가한 제2 배드블록메모리(CFM)에는 기능테스트에 있어서 발생하는 배드블록을 표시하는 데이터를 격납한다.

기능테스트시에는 상기 제1 실시예에 있어서 설명한 바와같이, 제1 배드블록메모리(BBM)에 기억된 배드블록데이터를 판독하고, 이것을 마스크데이터로서 사용하여 배드블록에 대해서는 기능테스트를 금지시키고, 패스블록만의 기능테스트를 실행하고 있다. 이 제2 실시예에서는 이 패스블록의 기능테스트중에 불량어드레스가 발생할 경우는 이 불량어드레스가 속하는 블록 No.에 대응하는 제2 배드블록메모리(CFM)의 블록어드레스에 배드블록을 표시하는 데이터를 기억시킨다. 따라서 제2 배드블록메모리(CFM)에 격납된 배드블록데이터를 판독함으로써 기능테스트로 새로이 검출된 불량블록, 즉 배드블록을 인식할 수 있다.

이와같이, 초기테스트로 검출한 배드블록데이터와 기능테스트로 검출한 배드블록데이터를 별도로 제1 배드블록메모리(BBM)와 제2 배드블록메모리(CFM)에 각각 격납함으로써 각종 테스트모드를 설정할 수 있다. 다음에 몇몇 테스트모드에 대하여 도 4 내지 도 7을 참조하여 상세히 설명한다.

도 4 및 도 5는 피시험메모리의 각 블록이 구제가능인지 여부를 판정하기 위한 제조라인상에 사용하는 테스트모드(제조라인모드)를 설정하는 흐름도의 1예를 나타낸다. 도 4는 이 테스트모드의 전반부분에 상당하는 기능테스트루틴을 나타내고, 도 5는 그 후반부분에 상당하는 구제판정루틴을 나타낸다. 또한, 도 4 표시의 기능테스트루틴을 실시하기 전에, 상기한 초기테스트가 실행되고, 제1 배드블록메모리(BBM)에는 배드블록데이터가 격납되어 있는 것으로 한다.

우선, 도 4 표시의 스텝(SP1)에 있어서 제1 배드블록메모리(BBM)의 판독 블록어드레스(B)를 1(B=1)로 초기설정하고, 이 어드레스(1)의 블록에 격납된 데이터를 판독한다.

다음의 스텝(SP2)에 있어서 제1 배드블록메모리(BBM)의 블록어드레스(1)의 블록에서 배드블록데이터가 판독되었는지 여부(BBM=1?)를 판정한다.

배드블록데이터가 판독되었을 경우(YES, 즉, BBM=1)에는 스텝(SP3)으로 진행하고, 피시험메모리(MUT)의 기록/판독 동작을 금지함과 동시에 논리비교기(LOC)에 있어서의 논리비교동작을 금지하고 스텝(SP7)으로 진행한다.

스텝(SP2)에 있어서, 배드블록데이터가 판독되지 않을 경우(No. 즉 BBM≠1)에는 스텝(SP4)으로 진행한다. 이 스텝(SP4)에서는 기능테스트에 있어서 피시험메모리(MUT)가 출력한 응답신호와 패턴발생기(PG)가 출력한 기대치 패턴데이터(EXP)와의 논리비교결과가 불량인지 여부를 판정한다. 논리비교결과가 불량일 경우 (YES)에는 스텝(SP5)및 (SP6)으로 진행한다. 스텝(SP5)에 있어서는 제2 배드블록메모리(CFM)의 대응하는 블록에 배드블록데이터('1')를 기록한다. 한편, 스텝 (SP6)에 있어서는 불량해석메모리(AFM)에 불량발생 어드레스와 불량메모리셀의 위치데이터를 기록한다. 그후 스텝(SP7)으로 진행한다.

스텝(SP7)에 있어서 기능테스트에 있어서의 응답신호와 기대치 패턴데이터의 논리비교결과가 불량이 아닐경우(NO)에는 직접 스텝(SP7)으로 진행한다.

이 스텝(SP7)에 있어서는 제1 배드블록메모리(BBM)의 판독 블록어드레스(B)를 +1 하여(B=2) 스텝(SP8)으로 진행한다.

스텝(SP8)에 있어서는, 제1 배드블록메모리(BBM)의 모든 블록 데이터의 판독을 행했는지 여부(피시험메모리의 모든 패스블록에 대하여 기능테스트를 실행했는지 여부)를 판정한다. 모든블록의 데이터 판독이 행해지지 않았을 경우(NO)는 스텝(SP2)으로 복귀하고, 제1 배드블록메모리(BBM)의 블록어드레스(2)의 데이터 판독을 실행한다. 이하, 상기 기능테스트 동작을 반복한다.

스텝(SP8)에 있어서 제1 배드블록메모리(BBM)의 모든 블록의 데이터 판독이 행해졌을 경우(YES)에는 기능테스트를 종료하여 도 5 표시의 구제 판정 루틴으로 진행한다.

이 구제판정루틴에 있어서는, 스텝(SP9)에 있어서 제2 배드블록메모리(CFM)의 판독블록어드레스(C)를 1 (C=1)로 초기 설정하고, 이 블록어드레스(1)의 블록에 격납된 데이터를 판독하고 스텝(SP10)으로 진행한다.

스텝(SP10)에 있어서는, 제2 배드블록메모리(CFM)의 블록어드레스(1)의 블록에서 배드블록데이터가 판독되었는지 여부(CFM=1 ?)를 판정한다. 배드블록데이터가 판독되었을 경우(YES 즉, CFM=1)에는 스텝(SP11)으로 진행하고, 판독되지 않았을 경우(No.즉, CFM ≠ 1)에는 스텝(SP14)으로 진행한다.

스텝(SP11)에 있어서는 제2 배드블록메모리(CFM)의 블록어드레스(1)의 블록에 대응하는 불량해석메모리(AFM)의 어드레스 영역을 판독하고, 판독된 불량메모리셀에 대하여 리페어 해석(repair analysis)을 행하고 다음 스텝(SP12)으로 진행한다.

스텝(SP12)에 있어서는 앞의 스텝(SP11)에 있어서의 리페어 해석 결과가 불량메모리셀의 구제를 가능하게 하는지 여부를 판정한다. 가령, 불량메모리셀 수가 규정치를 초과할 경우에는 이 블록은 구제불능(NO)으로 판정하고 스텝(SP13)으로 진행한다. 이 스텝(SP13)에서 제1 배드블록메모리(BBM)의 해당하는 블록에 배드블록데이터('1')를 기록하고, 스텝(SP14)으로 진행한다. 구제가능한 경우(YES)에는 직접 스텝(SP14)으로 진행한다.

스텝(SP14)에 있어서는 제 2 배드블록메모리(CFM)의 판독블록어드레스(C)를 +1하고(C=2), 스텝(SP15)으로 진행한다.

스텝(SP15)에서는, 제 2 배드블록메모리(CFM)의 모든 블록에 대하여 구제가 가능한가 여부의 판정이 이루어졌는가의 여부를 판정하고, 아니면(NO) 스텝(SP10)으로 되돌아가고, 모든 블록에 대하여 판정이 행해졌을 경우(YES)에는 스텝(SP16)으로 진행한다.

스텝(SP16)에 있어서는 제 2 배드블록메모리(CFM)의 각 블록에 격납된 데이터를 클리어하고, 다음의 스텝(SP17)에 있어서 피시험메모리의 구제가능한 블록에대하여 구제처리를 실행한다. 이리하여 구제판정루틴을 종료한다.

이와 같이, 제 1 배드블록메모리(BBM)와 제 2 배드블록메모리(CFM)는 별개로 배드블록데이터를 격납함으로써, 기능테스트루틴에서는, 제 1 배드블록메모 리(BBM)에 격납된 배드블록데이터를 이용하여, 기능테스트를 행하여야 할 블록인가 여부를 판정할 수 있고, 또, 구제판정루틴에서는 제 2 배드블록메모리(CFM)에 격납된 배드블록데이터를 이용하여, 불량메모리셀의 구제가 가능한가 여부를 판단하는 블록인가 여부를 판정할 수가 있다. 따라서, 기능테스트루틴의 처리속도뿐만 아니라, 구제판정루틴의 처리속도까지도 고속화할 수가 있다.

도 6 및 도 7은 메모리의 출하에 있어서 양품과 불량품으로 구분하는 출하검사를 실시하기 위한 테스트모드(출하검사모드)를 설정하는 흐름도의 일예를 도시한다. 도 6은 이 테스트모드의 전반부분에 상당하는 기능테스트루틴을 도시하고, 도 7은 그 후반부분에 상당하는 양부판정루틴을 도시한다.

이 출하검사모드에 있어서도 도 6에 도시하는 기능테스트루틴은 상기 제조라인모드에 있어서 기능테스트루틴과 거의 같고, 우선, 스텝(SP1)에서 제 1 배드블록메모리(BBM)의 판독블록어드레스(B)를 1(B=1)로 초기설정하고, 이 어드레스(1)의 블록에 격납된 데이터를 판독한다.

다음의 스텝(SP2)에 있어서 제 1 배드블록메모리(BBM)의 블록어드레스(1)의 블록으로부터 배드블록데이터가 판독되었는가 여부(BBM=1?)를 판정한다.

배드블록데이터가 판독되었을 경우(YES)에는 스텝(SP3)으로 진행하고, 피시험메모리(MUT)에서의 기록/판독동작을 금지함과 동시에 논리비교기(LOC)에 있어서논리비교동작을 금지하고, 스텝(SP6)으로 진행한다.

스텝(SP2)에 있어서 배드블록데이터가 판독되지 않는 경우(NO)에는 스텝(SP4)로 진행하고, 기능테스트에 있어서 피시험메모리(MUT)가 출력한 응답신호와 패턴발생기(PG)가 출력한 기대치패턴데이터(EXP)와의 논리비교결과가 불량인가 여부를 판정한다. 논리비교결과가 불량인 경우(YES)에는 스텝(SP5)으로 진행하고, 제 2 배드블록메모리(CFM)의 대응하는 블록에 배드블록데이터('1')를 기록한다. 그후 스텝(SP6)으로 진행한다.

스텝(SP4)에 있어서 기능테스트에 있어서 응답신호와 기대치패턴데이터와의 논리비교결과가 불량이 아닌 경우(NO)에는, 직접 스텝(SP6)으로 진행한다. 이 스텝(SP6)에 있어서는, 제 1 배드블록메모리(BBM)의 판독블록어드레스(B)를 +1 하고(B=2), 스텝(SP7)으로 진행한다.

스텝(SP7)에 있어서는, 제 1 배드블록메모리(BBM)의 모든 블록의 데이터의 판독을 행하였는가의 여부(피시험메모리의 모든 패스블록에 대하여 기능테스트를 실시하였는가의 여부)를 판정한다. 모든 블록의 데이터의 판독이 행해져 있지 않는 경우(NO)에는 스텝(SP2)으로 되돌아가고, 제 1 배드블록메모리(BBM)의 블록어드레스(2)의 데이터의 판독을 실행한다. 이하, 상술한 기능테스트동작을 반복한다.

스텝(SP7)에서, 제 1 배드블록메모리(BBM)의 모든 블록의 데이터의 판독이 행해진 경우(YES)에는, 기능테스트를 종료하여 도 7에 도시하는 양부판정루틴으로 진행한다.

이 양부판정루틴에 있어서는, 스텝(SP8)에서, 제 1 배드블록메모리(BBM)의 각 블록으로부터 배드데이터를 판독한다. 동시에, 스텝(SP9)에서 제 2 배드블록메모리(CFM)의 각 블록으로부터 배드데이터를 판독한다. 이들 제 1 배드블록메모리 (BBM) 및 제 2 배드블록메모리(CFM)로부터 판독된 배드블록데이터는 스텝(SP10)에서 배드블록카운터(BBC)로 계수된다. 이 경우, 제 1 배드블록메모리(BBM) 및 제 2 배드블록메모리(CFM)의 동일어드레스로부터 판독되는 배드블록데이터는 1개로 해서 계수하고, 양 배드블록메모리로부터 판독된 배드블록데이터의 합(J)을 구하고, 스텝(SP11)으로 진행한다.

스텝(SP11)에서는 배드블록데이터의 합(J)이 규정치, 예를 들면, 「5」보다 적은가 혹은 규정치「5」이상인가를 판정한다. 배드블록데이터의 합(J)이 규정치「5」이상(J≥5)이면(NO), 스텝(SP12)으로 진행하고, 피시험메모리를 불량품으로 판정하여 폐기처리한다. 이에 대하여, 배드블록데이터의 합(J)이 규정치보다 적은(J＜5) 경우에는, 스텝(13)으로 진행하고, 다음 테스트로 이행한다.

이와 같이, 상기 제2의 실시예의 구성에 의하면, 각종의 데스트모드의 설정이 가능하다라는 이점도 있다.

이상의 설명에서 명백한 바와 같이, 본 발명에 있어서는, 불량해석메모리에 더하여 피시험플래시메모리가 구비하고 있는 블록수에 대응하는 기억용량을 갖는 제 1 배드블록메모리를 설치하고, 이 제 1 배드블록메모리에 초기테스트의 결과를 격납하도록 구성하였으므로, 이 제 1 배드블록메모리에 격납된 배드블록데이터를 판독하는 것만으로 배드블록의 수를 바로 인식할 수가 있다. 그 결과, 초기테스트의 단계에서의 피시험메모리의 양부의 판정이 신속히 행해지므로, 초기테스트에 걸리는 시간을 현저히 단축할 수 있다라는 이점이 얻어진다.

또, 이 제 1 배드블록메모리에 격납된 배드블록데이터를 이용하여, 다음에 실시하는 기능테스트에 있어서 기능테스트를 실시하여야 할 블록과, 실시하지 않을 블록을 곧 판정할 수 있으므로, 기능테스트에 요하는 시간을 단축할 수 있다라는 이점도 있다. 더구나, 제 1 배드블록메모리에 격납된 배드블록데이터를 마스크데이터로서 이용하므로서, 패스블록에 대한 기능테스트를 실시하는 경우에, 배드블록에 대한 기능테스트를 순식간에 금지할 수가 있다. 이 마스크데이터에 의한 마스크동작에 의하여, 복수개, 특히 32개, 64개와 같은 다수개의 플래시메모리를 동시에 병렬로 테스트하는 경우에는, 패스블록의 기능테스트를 대기시간없이 실행할 수 있으므로, 기능테스트에 요하는 시간을 대폭으로 단축할 수 있어서, 전체의 테스트시간을 현저히 짧게 할 수 있다라는 현저한 이점이 얻어진다.

더욱이 제 1 배드블록메모리에 더하여 제 2 배드블록메모리를 설치한 경우에는, 이 제 2 배드블록메모리에는 기능테스트시에 발생한 배드블록데이터를 격납할 수가 있다. 그 결과, 이 제 2 배드블록메모리에 격납된 배드블록데이터를 이용함으로서, 각종의 테스트모드를 설정할 수가 있다. 예를 들면, 피시험메모리의 각 블록의 구제가 가능한가 여부의 판정처리를 행하는 경우에는, 제 2 배드블록메모리에 배드블록데이터가 격납되어 있는 블록만을 선택하여 구제가능한가의 여부를 해석하고, 판정처리하는 테스트모드를 설정할 수 있으므로, 구제해석, 판정처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다라는 우수한 작용효과가 얻어진다.

이상, 본 발명을 예시의 바람직한 실시예에 대하여 기재하였지만, 본 발명의 정신 및 범위에서 일탈하는 일없이, 상술한 실시예에 관하여 여러가지 변형, 변경 및 개량을 할 수 있는 것은 이 분야의 기술자에는 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 도시하고, 상술한 실시예 1에 한정되는 것은 아니고, 첨부의 특허청구의 범위에 의하여 정해지는 본 발명의 범위내에 들어가는 모든 그와 같은 변형, 변경 및 개량을 포함하는 것이다.

Claims

전(全)비트 혹은 블록단위로 전기적으로 일괄 소거와 재기록이 가능한 불휘발성 메모리를 시험하는 메모리 시험장치에 있어서,

피시험메모리가 구비하고 있는 블록의 수에 대응하는 수의 기억영역을 갖는 제1 배드블록메모리를 설치하고,

피시험메모리의 모든 블록의 메모리셀에 일정한 논리치를 기록하고, 그 기록된 논리치를 판독하고, 이 판독한 논리치가 상기 기록한 논리치와 일치하는가 여부를 판정하고, 불일치하는 메모리셀이 하나라도 존재하는 블록을 불량블록으로 검출하는 초기테스트 모드에 있어서, 불량블록이 검출될때마다 이 불량블록에 대응하는 상기 제1 배드블록메모리의 기억영역에 상기 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 1 항에 있어서, 상기 제1 배드블록메모리는, 동시에 복수개의 피시험메모리를 테스트하는 경우에는 각 피시험메모리마다 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 1 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 상기 피시험메모리에 공급되는 어드레스신호로부터 특정의 비트를 선택하여, 이 어드레스신호에 의하여 액세스되는 상기 피시험메모리의 어드레스가 속하는 블록과 대응하는 상기 제1 배드블록 메모리의 기억영역을 액세스하는 블록 어드레스신호를 생성하는 블록어드레스 선택수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 3 항에 있어서, 상기 블록어드레스 선택수단은, 기능테스트 모드에 있어서는, 상기 피시험메모리에 공급되는 시험패턴신호에 포함된 어드레스 신호로부터 특정의 비트를 선택하여, 상기 제1 배드블록메모리의 기억영역을 액세스하는 블록 어드레스 신호를 생성하고, 상기 제1 배드블록메모리로부터 그곳에 격납되어 있는 배드블록 데이터를 판독하는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 2 항에 있어서, 상기 피시험메모리에 공급되는 어드레스신호로부터 특정의 비트를 선택하여, 이 어드레스 신호에 의하여 액세스되는 상기 피시험메모리의 어드레스가 속하는 블록과 대응하는 상기 제1 배드블록메모리의 기억영역을 액세스하는 블록어드레스 신호를 생성하는 블록어드레스 선택수단이, 각 피시험메모리마다 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 1 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 상기 제1 배드블록 메모리로부터 배드블록데이터가 판독된 경우에, 상기 피시험메모리의 기능테스트를 금지시키는 마스크 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 3 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 상기 제1 배드블록 메모리로부터 배드블록데이터가 판독된 경우에, 상기 피시험메모리의 기능테스트를 금지시키는 마스크 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 2 항에 있어서, 상기 제1 배드블록 메모리로부터 배드블록데이터가 판독된 경우에, 상기 피시험메모리의 기능테스트를 금지시키는 마스크 제어수단이, 각 피시험메모리마다 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 1 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리에 격납된 배드블록 데이터의 수를 계수하는 배드블록 카운터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 3 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리에 격납된 배드블록 데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 6 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 종료후에 상기 제1 배드블록 메모리에 격납된 배드블록데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 7 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리에 격납된 배드블록데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 2 항에 있어서, 초기테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리에 격납된 배드블록데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터가 각 피시험메모리마다 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 1 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제2 배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 3 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제2 배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 6 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제2 배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 7 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제2 배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 9 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제2 배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 10 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제 2배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 11 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제 2배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 12 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제 2배드블록메모리를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 2 항에 있어서, 기능테스트 모드에 있어서 검출된 불량블록을 나타내는 배드블록데이터를 기억하는 제2 배드블록메모리가 각 피시험메모리마다 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 14 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 및 기능테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리 및 상기 제2 배드블록메모리에 각각 격납된 배드블록 데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 15 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 및 기능테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리 및 상기 제2 배드블록메모리에 각각 격납된 배드블록 데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터를 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 16 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 및 기능테스트 종료후에 상기 제1 배드블록메모리 및 상기 제2 배드블록메모리 각각 격납된 배드블록 데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 17 항에 있어서, 상기 메모리 시험장치는 초기테스트 및 기능테스트 종료후에, 상기 제1 배드블록메모리 및 상기 제2 배드블록메모리에 각각 격납된 배드블록 데이터의 수를 계수하는 배드블록카운터를 구비한 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 2 항에 있어서, 초기테스트 및 기능테스트 종료후에, 상기 제1 배드블록메모리 및 상기 제2 배드블록메모리에 각각 격납된 배드블록데이터 수를 계수하는 배드블록 카운터가 각 피시험메모리마다 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.
제 1 항에 있어서, 상기 불휘발성 메모리는 그 내부가 복수개의 블록으로 나누어져 있고, 각 블록은 N페이지(N은 2 이상의 정수)로 이루어지고, 각 페이지가 M비트(M은 2 이상의 정수)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 시험장치.